许多杂志上介绍的水沸报警线路,一般都采用曝光灯启辉器里的双金属片作为温度传感器.这个机械式的温度传感器不易调整,且触点也易氧化造成接触不良使电路失灵.这里介绍一种用晶体三极管作温度传感器,它高度简单,且无

图中所示是用与非门组成的电子开关，它产生对称的方波、去控制两个晶体三极管的工作状态，使两个晶体三极管轮流放大其输入信号。经电容器输出的混合信号接入示波器的Y轴输

晶体三极管又称为双极型三极管，简称三极管。晶体三极管具有电流放大作用，是信号放大和处理的核心器件，广泛用于电子产品中。 晶体三极管由两个PN结（发射结和集电结）组成。它有三个区：发射区、基区和集电区，各自引出一个电极称为发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C)。 1．晶体三极管的分类(1)以内部三个区的半导体类型分类，有NPN型和PNP型；(2)以工作频率分类，有低频(fa

在一块半导体的基片上通过一定的工艺制作出两个PN结，就构成了三层半导体，从三层半导体上各引出一根引线，是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了三极管。 三极管的三个电极分别称为发射极e、基极b、集电极c，对应的每层半导体分别称为发射区、基区和集电区，发射区和基区交界的PN结称为发射结，集电区和基区交界的PN结称为集电结。 三极管有NPN型和PNP型两种组合形成，三极管的文字符号为VT，它们的基本结构。常见三极管外形。 1．三极管的主要参数三极管的主要参数包含性能参数和极限参数两大类。 (1)性能参数。 ①电流放大系数。 a．共发射极电路交流电流放大系数启，习惯上称为电流放大系数口。 b．共发射极电路直流电流放大系数FE。通常为了使用方便，取p—hFE，并且把卢作为常数。 ②集电极一基极反向饱和电流/CBO。它的本质就是QL4090-3PQ208C集电结反偏时的反向电流。/CBO越小，单向导电性能越好。 ③集电极一发射极反向饱和电流/CEO。它的本质就是集电极与发射极之间加规定的反向电压时的反向电流，又称为穿透电流。/CEO越小，三极管的热稳定性也越好。 (2)极限参数。 ①集电极最大允许电流/CM。 ②集电极一发射极反向击穿电压U(BR)CEO。 ③集电极最大允许耗散功率P[M。 2．三极管的识别与测试(1)管型和基极的识别。晶体三极管可以看成是两个二极管，以便于判别。用万用表电阻量程R×100或R×lkfl挡，将红表笔接某一管脚，将黑表笔分别接另外两个管脚，测得两个电阻值，若两个电阻值均较小时，则红表笔所接的管脚为PNP管的基极。若两个电阻值中有一个较大，可将红表笔改接另一

应用万用表的电阻挡可以鉴别三极管的极性和判别其质量的好坏。测试小功率三极管时一般使用R×100(Q)或R×lk(Q)挡，不致损坏管子。(1)管型与基极的判别 万用表置电阻挡，量程选R×lk挡（或R×100），将万用表任一表笔先接触某一个电极一假定的公共极，另一表笔分别接触其他两个电极，当两次测得的电阻均很小（或均很大），则前者所接电极就是基极，如两次测得的阻值一大、一小，相差很多，则前者假定的基极有错，应更换其他电极重测。根据上述方法，可以找出公共极，该公共极就是基极b。确定基极b后，用模拟万用表红表笔接触基极b，黑表笔分别接触另外两引脚，若电表读数都很小（约几百欧），可知此管为NPN型管，反之则是PNP型管。(2)发射极与集电极的判别 找出基极和管型之后，再确定发射极与集电极。方法是：以NPN型管为例，假定其余两脚中的一个是集电极，并将黑表笔（对应表内电池的正极）接到此脚，红表笔接假设的发射极，并在假设的集电极与已测出的基极之间跨接一只100 kQ以上的电阻（经常将b、c捏在手中，用人体电阻替代，但两脚不可相碰），记下此时的阻僮读数；再将原假设的集电极设为发射极，而原发射极设为集电极，重复测试读数。两次读数中，电阻值较小（偏转角度较大）的那次假设是正确的，其黑表笔接的一只引脚是集电极，剩下的一只是发射极。若为PNP型管，则将表笔对调，再用上述方法判断。(3)三极管性能的鉴别 ①判断三极管的好坏：检测时用万用表分别测试发射结与集电结的正反向电阻，若在正常范围内，说明三极管还好，否则，已损坏。②穿透电流ICEO的判断：用万用表R×100(\Q)或R×1k(Q)电阻挡测量集一射间电

(1)国产三极管型号的命名方法 三极管的型号命名法与二极管基本相同，也是由五部分组成，但各部分的字母和数字所表示的意义有所不同。 第一部分表示管子电极数目，用数字 "3"表示三极管。第二部分表示材料与极性，用字母表示。第三部分表示管子的类别，用宇母表示。第四部分表示管子的序号，用数宇表示。第五部分表示管子的规格号，用字母表示。晶体-极管型号中第二部分、第三部分宇母所表示的意义如表1所示。 表1 所示三极管型号的第二、三部分字母意义 例如: 国产三极管中常用的型号如表2所示。 表2所示 国产三极管中常用的型号

日本晶体管型号的命名方法 日本晶体管的命名由五个部分组成: 第一部分表示器件的电极数目。 第二部分表示JEIA的注册标志。 第三部分表示管子的类型和材料极性。 第四部分表示JElA的登记号。 第五部分表示同一型号改进产品标志。 其JEIA表示日本电子工业协会。 日本晶体管型号命名法如表1所示。 表1所示日本晶体管型号命名法 例如: 美国产晶体管型号命名方法方法如表2所示。 表2所示美国产晶体管型号命名方法 欧洲产晶体管型号命名法,欧洲产晶体管型号命名法如表3所示. 表3所示欧洲产晶体管型号命名法

晶体三极管的电流放大系数一般标注的方法有两种，即色标法和英文字母法。 色标法是在三极管的顶部标上不同颜色的色点，表示不同的β值。锗、硅、高、低频小功率管、硅低频大功率管D系列、DD系列、3CD系列分挡标记如表1所示。 表1所示锗低频大功率3AD系列分挡标记如表1所示。 表2所示锗3AD型色点含义 英文字母法就是在管子型号后面用英文字母表示β值的大小。但由于没有统一的标准，因而每个型号中所用字母表示的β值也不太一样。下面举例说明。 例如需求量较大2SC1815型晶体管，其型号后面的英文字母所表示的β值是:0表示70-140倍、Y表示120-240倍、GR表示200-400倍、BL表示350-700倍。因此2SC1815-0就表示该管的放大倍数是70-140倍。 例如2SC2500型晶体管型号后面的英文字母A、B、C、D就分别表示其放大倍数为140-240倍、200-330倍、300-450倍、420-600倍。

三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管。 而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。图一:晶体三极管（NPN）的结构 图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电

一、三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有ＮＰＮ和ＰＮＰ两种结构形式，但使用最多的是硅ＮＰＮ和ＰＮＰ两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍ＮＰＮ硅管的电流放大原理。 图１、晶体三极管（ＮＰＮ）的结构 图一是ＮＰＮ管的结构图，它是由２块Ｎ型半导体中间夹着一块Ｐ型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的ＰＮ结称为发射结，而集电区与基区形成的ＰＮ结称为集电结，三条引线分别称为发射极ｅ、基极ｂ和集电极。 当ｂ点电位高于ｅ点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而Ｃ点电位高于ｂ点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ｅｃ要高于基极电源Ｅｂｏ。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ｉｅ。 由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ｉｃ，只剩下很少（１－１０％）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Ｅｂ重新补纪念给，从而形成了基极电流Ｉｂｏ根据电流连续性原理得： Ｉｅ＝Ｉｂ＋Ｉｃ 这就是说，在基极补充一个很小的Ｉｂ，就可以在集电极上得到一个较大的Ｉｃ，这就是所谓电流放大作用，Ｉｃ与Ｉｂ是维持一定的比例关系，即： β１＝Ｉｃ／Ｉｂ 式中：β－－称为直流放大倍数，

三极管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数、特征频率。三极管的参数是使用与选用三级管时的重要依据，为此了解三极管的参数可避免选用或使用不当而引起管子的损坏。 (1)直流参数。 1)集电极—基极反向电流I(CBO)。当发射极开路、在集电极与基极间加上规定的反向电压时，集电结中的漏电流就称I(CBO)此值越小表明晶体管的热稳定性越好。一般小功率管约1OμA左右，硅管更小些。 2)集电极一一发射极反向电流I(CBO)也称穿透电流。它是指基极开路时，在集电极与发射极之间加上规定的反向电压时，集电极的漏电流。此值越小越好。硅管一般较小，约在1μA以下。如果测试中发现此值较大，此管就不易使用。 (2)极限参数。 1)集电极最大允许电流I(CM ) 当三极管的β值下降到最大值的一半时，管子的集电极电流就称集电极最大允许电流。当管子的集电极电流Ic超过一定值时，将引起晶体管某些参数的变化，最明显的是β值下降。因此，实际应用时Ic要小于I(CM °) 2)集电极最大允许耗散功率P(CM)当晶体管工作时，由于集电极要耗散一定的功率而使集电结发热，当温度过高时就会导致参数的变化，甚至烧毁晶体管。为此规定晶体管集电极温度升高到不至于将集电极烧毁所消耗的功率，就成为集电极最大耗散功率。使用时为提高P(CM)值，可给大功率管子加上散热片，散热片愈大其P(CM)值就提高得越多。 3)集电极发射极反向击穿电压BU(CEO)当基极开路时，集电极与发射极之间允许加的最大电压。在实际应用时，加到集电极与发射极之间的电压，一定要小于BU(CEO)，否则将损坏三极管。 (3)电流放大系数。 1)直流放大系数β"或用

晶体三极管是电子电路中最常见的器件之一。在各种电子电路中的应用十分广泛。但是，判定三极管的好坏及极性是初学者碰到的一个难点。 多给自己一点信心，看完以下内容后。你就可以自信的说：我也能把三极管的B，C，E揪出来了。 首先我们要理解一个常识上的问题，数字万用表处于二极管档时，红表笔代表正电极。开始动手，选数字万用表的二极管挡，用红表笔去接三极管的某一管脚，用黑笔分别接另外两个管脚，如果表的液晶屏上两次都显示有零点几伏的电压。那么此管应为NPN管且红表笔所接的那一个管脚是基极。如果两次所显的为‘OL’那么红表笔所接的的那一个管脚便是PNP型管的基极。 在判别出管子的型号和基极的基础上，可以再判别发射极和集电极。仍用二极管挡，对于 C9018的中间那个脚，黑表笔分别接另外两个管脚，可得0.719伏，0.731伏两个电压值。 其中0.719伏为“B”与“C”之间的电压，0.731伏为“B” 与“E”之间的电压。 判别三极管的好坏，只要查一下三极管各PN结是否损坏，通过万用表测量其发射极，集电极的正向电压和反向电压来判定。如果测得的正向电压与反向电压相似且几乎为零。或正向电压为‘OL’说明三极管已经短路或断路。 现在感觉如何!与用电阻法量测三极管相比较，哪一种更爽？ 附： 经试验已测得：A1078,C3332,C9545, A733,3904,3906,90系列 等晶体管适用于上述测量的方式。 所试验的三极管都为TO---92封装。试验的环境----在5度至35度的条件下试验都正确。 文中的“OL”是指万用表不能正常显示数字时 而出现的一固定符号，出现什么样的固定符

三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律， 底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为ｅｂｃ；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为ｅｂｃ。 目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔＩｃ／ΔＩｂ的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于ＰＮ结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于ＰＮ结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔＩｃ／ΔＩｂ，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于ＰＮ结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不

根据P-N结正向电阻小、反向电阻大的原理可判别是PNP型三极管还是NPN型三极管。用万用电表的红表棒（即电表上标“＋”）接一个引脚，黑表棒（即电表上标“一”）分别接另外两个引脚，测出两个电阻值，然后再用红表棒换一个引脚，黑表棒再分别接触其余的两个引脚，又测出两个电阻值。这两个电阻值都很小（一般在1 kO左右），则此三极管就是PNP型，红表棒所接触的引脚就是基极，如图5-76(a)所示；若能找到两次测得的电阻值都很大，一般约在几百千欧以上，就是NPN型三极管，则红表棒所接触的引脚就是基极，如图5-76(b)所示。 (2）发射极和集电极的判别 基极找到后，在剩下的两只引脚中，一只是集电极C;另一只是发射极Ea用手将基极和待判别的一只引脚捏在一起，但不要相碰，这就相当于在基极和待测的引脚之间接了一个几十千欧的电阻，用红表棒接触与基极捏在一起的这只引脚，如图5-77(a）所示，用黑表棒接触另一只待判别的引脚，测出电阻值，把两只待判别的引脚对调，再测试一次，两次测试中电阻值较小的一次中，黑表棒所接触的引脚就是发射极，另一只待测的引脚就是集电极。因为黑表棒实际上是万用表内部电源的负极，如图5-77(b)所示。在集电极和基极之间串接一只电阻后，再把黑表棒接发射极，红表棒接集电极。这就是共发射极电路的一种形式。由于发射结处在正向电压下，集电结处在反向电压下，所以发射极电流大部分流向集电极，故说明发射极一集电极之间的电阻很小。相反，发射结处在反向电压状态，故无基极电流几，集电极一发射极之间的电阻就很大，如图5-77(c）所示。 如果是NPN型三极管，那么只要把表棒对换一下测量，即用黑

所谓反馈就是从放大器的输出信号中取出一部分，通过一定的方式，反送到输人端，如图5-51（a)所示。反馈有正反馈和负反馈两种。 如果从放大器的输出端反送回来的信号与输入信号的相位相同，也就是说，当原来的输入信号为正半周时，反送回来的信号也是正半周，使输人信号进一步增强，如图5-51( b．）所示。这种反馈叫正反馈，如果反送回来的信号与原来的输人信号相位相反，也就是说，当原来的输人信号为正半周时，反送回来的信号为负半周，削弱了输人信号，如图5-51（。）所示。这种反馈叫负反馈。 正反馈电路能增强放大器的输人信号，因而输出信号也将增大，所以正反馈器可以提高放大器的增益。再生式收音机就是在高放或中放电路中加有正反馈，使收音机的灵敏度和选择性都得到了提高。但是，正反馈会使放大器的失真和噪声增大，通频带变窄，稳定性变差，若反馈量过大，还会引起自激振荡，产生啸叫，影响放大器的正常工作。总之，正反馈虽然能提高放大器增益，但降低了放大器的质量。所以正反馈放大器常用在质量要求不高的简易接收机中。 负反馈电路虽然会削弱放大器的输人信号，降低放大器的增益，但可以减小失真，提高放大器的稳定性，所以适当加人一些负反馈，可以大幅度提高放大器的质量。一部性能优良的扩音机或收音机，常常采用多种形式的负反馈电路。（1)反馈电路的分类 负反馈的电路形式是多种多样的，但是，根据负反馈信号和输出信号之间的关系，可以把负反馈分成电压负反馈和电流负反馈两种。 电压负反馈：如果负反馈电压u反与输出电压u。成正比关系，那么这种负反馈就叫电压负反馈。图5-52是电压负反馈的接法。电压负反馈的反馈网路是与放大器输出回路并联的

晶体三极管，又称晶体管，是一种半导体元件，用于放大电流、开关以及进行信号处理。晶体三极管的主要结构包括P型半导体、N型半导体及夹在中间的N型或P型半导体，分别称为发射极、基极和集电极。下面就晶体三极管的结构、作用和工作原理进行详细解析：一、晶体三极管的结构：1. 发射极：是与外界输入信号相连的极，通常是N型半导体。2. 基极：控制晶体管的导通与截止，是CS4236B-KQ晶体管的控制极，通常是P型半导体。3. 集电极：晶体管输出端，通常是N型半导体。二、晶体三极管的作用：1. 放大电流：通过控制基极电流可以放大输入信号到输出端的电流，实现信号放大的功能。2. 开关：晶体三极管能够实现开关功能，控制一个电路是否通断。3. 信号处理：晶体三极管可以用于模拟电子设备中的信号处理，如调制解调、频率调理等。三、晶体三极管的工作原理：1. 放大作用：当在基极施加正向电压时，会使发射极和基极之间形成电流流动，从而控制集电极的电流放大。2. 开关作用：当在基极施加足够高的正向电压时，晶体三极管进入饱和区，此时充分导通；当基极电压较低时，晶体三极管进入截止区，不导通。综上所述，晶体三极管是一种重要的半导体器件，其结构简单，但具有多种功能，包括放大、开关和信号处理等。通过控制基极电流，可以实现对输入信号的调控和放大，广泛应用于电子领域的各个方面。

晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。 2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。 名称 共发射极电路 共集电极电路（射极输出器） 共基极电路 输入阻抗 中（几百欧～几千欧） 大（几十千欧以上） 小（几欧～几十欧） 输出阻抗 中（几千欧～几十千欧） 小（几欧～几十欧） 大（几十千欧～几百千欧） 电压放大倍数 大 小（小于1并接近于1） 大 电流放大倍数 大（几十） 大（几十） 小（小于1并接近于1） 功率放大倍数 大（约30～40分贝） 小（约10分贝） 中（约15～20分贝） 频率特性 高频差 好 应用 多级放大器中间级，低频放大 输入级、输出级或作阻抗匹配用 高频或宽频带电路及恒流源电路

三极管的结构。它由发射结、集电结和N型半导体与P型半导体构成，有三个电极，即基极 (B)、发射极 (E)、集电极 (C)。对于PNP型三极管山两块P型和一块N型半导体构成，对于NPN型半导体则由两块N型和一块P型半导体构成。在P型与N型半导体的交界处形成的部分称为PN结，基极与集电极之间的PN结称为集电结，基极与发射极之间的pN结称为发射结。 晶体三极管的种类很多，分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等进行分类。 1)按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管.锗材料的NPN与PNP三极管。 2)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。3)按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。5)按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。6)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。

晶体三极管是电子电路中最常见的器件之一。在各种电子电路中的应用十分广泛。但是，判定三极管的好坏及极性是初学者碰到的一个难点。 多给自己一点信心，看完以下内容后。你就可以自信的说：我也能把三极管的B，C，E揪出来了。 首先我们要理解一个常识上的问题，数字万用表处于二极管档时，红表笔代表正电极。 开始动手，选数字万用表的二极管挡，用红表笔去接三极管的某一管脚，用黑笔分别接另外两个管脚，如果表的液晶屏上两次都显示有零点几伏的电压。那么此管应为NPN管且红表笔所接的那一个管脚是基极。如果两次所显的为‘OL’那么红表笔所接的的那一个管脚便是PNP型管的基极。 在判别出管子的型号和基极的基础上，可以再判别发射极和集电极。仍用二极管挡，对于 NPN管 令红表笔接其‘B’极，黑表笔分别接另两个脚上，两次测得的极间电压中，电压微高的那一极为‘E’极，电压低一些的那极为‘C’极。如果是 PNP管，令黑表笔接其‘B’极，同样所得电压高的为‘E’极电压低一些的为‘C’。---例如：用红表笔接 C9018的中间那个脚，黑表笔分别接另外两个管脚，可得0.719伏，0.731伏两个电压值。 其中0.719伏为“B”与“C”之间的电压，0.731伏为“B” 与“E”之间的电压。 判别三极管的好坏，只要查一下三极管各PN结是否损坏，通过万用表测量其发射极，集电极的正向电压和反向电压来判定。如果测得的正向电压与反向电压相似且几乎为零。或正向电压为‘OL’说明三极管已经短路或断路。 现在感觉如何!与用电阻法量测三极管相比较，哪一种更爽？ 附： 经试验已测得：A1078,C3332,C9545,N222

美国哥伦比亚大学纳米研究中心的科学家在微电子学的最前沿领域――分子电子学取得突破性进展，将单一分子整合成功能型纳米级电子元件，并研究其在电子学和化学方面的优良特性。 据研究负责人科林·纽克斯教授介绍，纳米管一直就是科学界研究的重点。哥伦比亚大学的科学家发明了一种独特的方法，用单一有机分子连接碳纳米管，从而大大减少集成电路的规模。并且纳米管成功连接成稳定的排列，不但能显著增加速度，还增加了电子传导的功率。 这项创新性研究成果不但使得实时疾病诊断和治疗、手术机器人等医学技术更上一个新台阶，而且将给信息存储和检索以及超级计算机领域的研究带来广阔的前景。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

一、三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管。 而每一种又有NPN和PnP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PnP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 二、三极管的特性曲线 1、输入特性图2（b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube

一、三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。电流放大原理。 图1、晶体三极管（NPN）的结构图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直

表一：彩电B类电源、行管。 型号 反压V 电流A 功率W 放大倍数 频率 类型 型号 反压V 电流A 功率W 放大倍数 频率 类型 BU108 1500 5 12.5 BU2525DF 1500 12 125 BU208A 1500 5 12.5 BUW11AF 1000 5 100 BU208D 1500 5 12.5 BUW12AF 1000 8 125 BU209A 1500 5 12.5 BUW13AF 1000 15 175 BU308 1500 5 12.5 BUW14AF 1000 20 175 BU500 1500 6 75 BUW48AF 1000 60 150 BU508A 1500 7.5 75 BUT11A 1000 5 100 BUY71 2200 2 40 BUS12A 1000 8 125 BU2506AF 1500 3.5 50 BUS13A 1000 15 175 BU2506DF 1500 3.5 50 BUS14A 1000 30 250 BU2507AF 1500 6 45 BUX48A 1000 7 175 BU2507DF 1500 6 125 BUX48B 1100 10 175 BU2508AF 1500 8 45 BUX48C 1200 15 175 BU2508DF 1500 8 125 BUX84

晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。 2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。 名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路 输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧） 输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧） 电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大 电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1） 功率放大倍数大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝） 应用 多级放大器中间级，低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路

、三极管的电流放大原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 图1、晶体三极管（NPN）的结构 图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电

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