薄膜电容器是一种电子元件，主要由绝缘材料薄膜构成，能够存储和释放电荷。下面详细介绍薄膜电容器的组成、特点、原理、分类、常见故障以及预防措施。1. 组成：薄膜电容器通常由金属导体（极板）、绝缘材料的薄膜（介质）、引线和封装等组成。常见的薄膜材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚酯等。2. 特点：- 体积小、重量轻；- 工作稳定，频率响应好；- 使用寿命长，绝缘性能优秀；- 具有高精度、高稳定性和低损耗等优点。3. 原理：薄膜电容器的存储电荷能力取决于两极板之间的电介质薄膜，其利用电场在两极板之间形成电场能存储电荷的原理。4. 分类：- 按材料分类：聚丙烯薄膜电容器、CS4385-CQZ聚酯薄膜电容器等；- 按结构分类：箔式薄膜电容器、梯形薄膜电容器等；- 按用途分类：耦合电容器、直流滤波电容器等。5. 常见故障及预防措施：- 常见故障：电容值漂移、泄露电流增加、短路等；- 预防措施：严格控制生产工艺、提高工作环境的干燥度、控制工作温度等。总结：薄膜电容器作为一种重要的电子元件，在各个电子领域中得到广泛应用。了解其组成、特点、原理、分类以及常见故障及预防措施有助于正确选择、使用和维护薄膜电容器。

薄膜电容器是一种利用薄膜作为电介质的BQ24105RHLR电容器。它通常由两个导电层之间夹着一层薄膜构成。薄膜电容器通常被用于高频电路和低成本的电子设备中，由于它们的小体积和高品质因数。本文将介绍薄膜电容器的原理、分类、制造方法、应用和未来发展趋势。一、薄膜电容器的原理薄膜电容器的电容是由两个导电层之间的电介质薄膜的介电常数和面积决定的。当电容器两端施加电压时，电场会在电介质薄膜中形成，导致电子在电容器的导电层之间移动，从而形成电流。电容器的电容可以通过改变电介质薄膜的厚度、介电常数和面积来调节。二、薄膜电容器的分类根据薄膜电容器的电介质材料不同，可以将其分为以下几类：1、聚乙烯薄膜电容器：聚乙烯薄膜电容器是一种常见的薄膜电容器，它的介电常数较小，通常在2.2左右，因此适合用于高频电路中。聚乙烯薄膜电容器的优点是温度系数较小，容易制造和加工。2、聚丙烯薄膜电容器：聚丙烯薄膜电容器的介电常数和温度系数都比聚乙烯薄膜电容器小，因此可以在更高的频率范围内工作。聚丙烯薄膜电容器的优点是具有较好的稳定性和长寿命。3、聚酰亚胺薄膜电容器：聚酰亚胺薄膜电容器是一种高性能的薄膜电容器，它的介电常数非常小，通常在1.3左右，因此可以在更高的频率范围内工作。聚酰亚胺薄膜电容器还具有较高的耐温性和化学稳定性。4、聚醚脂薄膜电容器：聚醚脂薄膜电容器的介电常数相对较大，通常在3.3左右，因此适合用于低频电路中。聚醚脂薄膜电容器具有较好的电容稳定性和长寿命。三、薄膜电容器的制造方法薄膜电容器的制造方法通常包括以下几个步骤：1、制备电介质薄膜：电介质薄膜通常是通过聚合物溶液或薄膜拉伸来制备的。在制备聚合物溶

一、概述薄膜电容是指将金属膜或半导体薄膜沉积在绝缘基板上，然后制成SN74CBTLV3257DBQR电容器。这种电容器具有结构简单、体积小、重量轻、可靠性高等特点，被广泛应用于电子设备领域。本文将从薄膜电容的基本原理、制备工艺、应用领域等方面进行介绍。二、基本原理薄膜电容的基本原理是利用金属膜或半导体薄膜在绝缘基板上形成电极，通过相互之间的电场作用储存电荷，从而形成电容器。薄膜电容的电容值取决于电极面积、电极间距和介质常数等因素。在薄膜电容的制备过程中，需要选择合适的材料作为电极和介质，以及采用适当的工艺进行制备，以保证电容器的性能。三、制备工艺薄膜电容的制备工艺主要包括以下几个步骤：1、基板选择：选择合适的绝缘基板，如玻璃、石英、陶瓷等。2、电极沉积：将金属或半导体材料通过物理蒸发、溅射等方法沉积在基板上，形成电极。3、介质沉积：将绝缘材料通过物理蒸发、溅射等方法沉积在电极上，形成介质层。4、电极制作：通过光刻、蚀刻等工艺将电极和介质层制成所需形状和尺寸。5、片上连接：将电极连接到芯片上，形成电容器。四、应用领域薄膜电容被广泛应用于电子设备领域，如电源管理、模拟电路、数字电路、通信电路等。其应用领域包括：1、电源管理：薄膜电容器可用于直流稳压电源、交流滤波电路、开关电源等。2、模拟电路：薄膜电容器可用于振荡电路、滤波电路、调谐电路等。3、数字电路：薄膜电容器可用于数字信号处理器、存储器、时钟电路等。4、通信电路：薄膜电容器可用于射频电路、微波电路、天线等。五、优点：1、稳定性：薄膜电容器具有较高的稳定性，不容易受温度、湿度等环境因素的影响，可以在较为恶劣的环境下使用。2、精度

薄膜电容器是一种电容器，它的电容值由薄膜的面积、厚度和介电常数决定。薄膜电容器可以用于各种电子设备中，如电源滤波、放大器、滤波器、稳压器等。薄膜电容器的结构分类根据薄膜的材料和制造工艺不同，薄膜电容器EPM3256ATC144-10N可以分为多种类型。以下是常见的薄膜电容器结构分类：1、金属化聚酰亚胺薄膜电容器。这种电容器的薄膜材料是聚酰亚胺，金属化是通过沉积金属箔或真空蒸镀金属薄膜实现的。金属化聚酰亚胺薄膜电容器的特点是电容值大、稳定性好、温度系数小、频率响应好。2、金属化聚丙烯膜电容器。这种电容器的薄膜材料是聚丙烯，金属化是通过真空蒸镀金属薄膜实现的。金属化聚丙烯膜电容器的特点是电容值大、稳定性好、温度系数小、频率响应好。3、金属箔电解电容器。这种电容器的薄膜材料是铝箔，电解液是氧化铝。金属箔电解电容器的特点是电容值大、工作电压高、频率响应好。4、陶瓷电容器。这种电容器的薄膜材料是陶瓷，金属化是通过印刷电极实现的。陶瓷电容器的特点是电容值小、稳定性好、温度系数小、频率响应好。薄膜电容器的特性1、电容值稳定性好。薄膜电容器的电容值随着时间的推移和环境的变化变化很小，因此在各种电子设备中广泛应用。2、温度系数小。薄膜电容器的电容值随着温度的变化变化很小，因此在工作温度变化较大的场合中使用。3、频率响应好。薄膜电容器的电容值随着频率的变化变化很小，因此在高频电路和滤波器中使用。4、工作电压范围广。不同类型的薄膜电容器的工作电压范围不同，但均具有较宽的工作电压范围。薄膜电容器的故障措施1、电容值漂移。薄膜电容器的电容值会随着时间和温度的变化而发生漂移，如果电容值偏离了设定值，需要更

TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC（社长：上釜健宏）成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器（产品名称：Z-match TFSQ0402系列），并将从2011年8月开始量产。

CL20型金属化聚酪薄膜电容器以聚酷膜为介质，以真空蒸发金属化层为电极，采用聚酯压敏胶带包裹、环氧树脂灌封，具有自愈性强、体积小的特点，适用于各种电子仪器、电子设备的直流或脉动电路。其外形如图所示，主要特性参数见表a、b、c。 CL20型金属化聚醋薄膜电容器主要参特性参数 CL20型金属化聚醋薄膜电容器绝缘电阻 CL20型金属化聚醋薄膜电容器标称容量、额定电压与外形尺寸

CB80型高压聚苯乙烯薄膜电容器适用于电子设备中的滤波、倍压等直流或脉动电路。对于额定直流工作电压大于2OkV的电容器，必须浸灌在不含有芳香族的纯净矿物油或硅橡胶等绝缘材料中使用。其外形如图所示，主要特性参数见表一和表二。 图CB80型高压聚苯乙烯薄膜电容器外形 表一CB80型高压聚苯乙烯薄膜电容器主要特性参数 表二CB80型高压聚苯乙烯薄膜电容器标称容量、额定电压与外形尺寸

CBB25型金属化聚丙烯薄膜电容器采用阻燃塑料外壳，用环氧树脂封装，具有体积小、重量轻、自愈性能好、可靠性高、"电性能优良等特点，适用于直流或脉动电路。其外形如图所示，主要特性参数见表一和表二。 图CBB25型金属化聚丙烯薄膜电容器外形 表一CBB25型金属化聚丙烯薄膜电容器主要特性参数 表二CBB25型金属化聚丙烯薄膜电容器标称容量、额定电压与外形尺寸

CL12型聚酷薄膜电容器采用铝箔作为电极，为无感式卷绕结构，采用树脂浸涂包封，具有低电感、高绝缘性能，承受电流大等特点，适用于家用电器、电子仪器、仪表的直流或脉动电路。其外形如图所示，主要特性参数见表a和表b。 CL12型聚酷薄膜电容器主要特性参数 CL12型聚酷薄膜电容器标称容量、额定电压与外形尺寸

CL21S(X)型聚酷薄膜电容器采用金属化聚酷薄膜卷绕或采用金属化叠片技术制成，用环氧树脂灌封，外部用塑料壳包封，具有自愈能力强、比率电容量大、损耗低、容量范围宽、可靠性高等特点;适用于各种电子设备的直流或脉动电路。其外形如图所示，主要特性参数见表a和表b。 CL21S(X)型金属化聚酪薄膜电容器主要特性参数 CL21S(X)型金属化聚酪薄膜电容器标称量、额定电压与外形尺寸

CLK233型金属化聚酷薄膜电容器采用阻燃塑料外壳，用阻燃环氧树脂封装，具有自愈性好、体积小、可靠性高等特点，适用于直流或脉动电路，特别适合航空、航天、兵器等整机电路使用。其外形如图所示，主要特性叁数见表a和表b。 CLK33型金属化聚酪薄膜电容器主要特性参数 CLK33型金属化聚酪薄膜电容器标称容量、额定电压与外形尺寸

CBB65型金属化聚丙烯薄膜电容器采用圆柱形铝外壳(底部可带螺栓)，内部有压力式防爆装置，引出端为焊片结构，具有体积小、重量轻、自愈性好、使用安全可靠等特点，适用于50/60Hz电路中的单相电动机的启动和运转，特别适合空调机、洗衣机、电冰箱以及微型电机等电器使用。其外形如图一所示，主要特性参数见表一和表二。 图一CBB65型金属化聚丙烯薄膜电容器外形 表一CBB65型金属化聚丙烯薄膜电容器主要特性参数 表二CBB65型金属化聚丙烯薄膜电容器标称容量、额定电压与外形尺寸

CBB81型(CBB221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器为内串联无感式结构，用阻燃环氧树脂包封，引脚为单向引出，具有损耗小、绝缘电阻高、能承受高电压与脉冲大电流等特点，适合在彩色电视机、显示器中作行回扫逆程电容器使用，也适用于其他电子设备的高压及脉冲电路。其外形如图一所示，主要特性参数见表一和表二。 图一CBB8l(CBB221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器外形 表一CBB8l(CBB221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器主要特性参数 表二CBB8l(CBB221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器标称容量、额定电压与外形尺寸

表面贴装的薄膜电容器主要使用两种结构类型。最常用的方法包括堆叠一面金属化的电介质薄膜，被称为堆叠薄膜片。另一种结构形式是绕制而不是堆叠，被称为MELF片。也可以使用前面提到的轴向和径向插入式结构方法。 聚酯（Mylar／PET）电容器是薄膜电容器中体积最小且最便宜的。它们是一般用途滤波器的首选元件，其工作频率低于几百kHz，工作温度可达125℃。电容量的范围从1000pF～10μF。除非在要求数百V的额定电压情况下，采用更厚更坚固的薄膜，建议不要使用1000pF以下的电容值。聚亚烯萘（PEN：polyethylene napthalate）薄膜电容器和PET类型相似，但额定电压更高、精度更高。 聚碳酸酯电容器的体积比上述电容器的要大些．但它具有优良的电性能，特别是工作于高温时更是如此。在很宽的温度范围内工作时，其损耗系数较低，返回性能比聚酯电容器要好。聚硫化物电容器与聚碳酸酯电容器的特性相似，但它不能在高于150℃的条件下工作。与PET和PEN类型相比，聚苯硫醚（PPS：polyphenylene sulphide）电容器有最好的性能，在工作和焊接时允许更高的温度。它可以提供更高的精度，通常也比PET和PEN类型的贵。 在各种薄膜电容中，以聚苯乙烯电容器的电性能最好。温度系数可以被精确地控制，几乎是完全线性的一120ppm／℃。由于有可预测的温度特性，这种电容非常适合于LC谐振电路中，其中电感有相应的正温度系数。电容值返回偏差的典型值为0.1 ％，损耗极小，其耗散因数约为0.01％，然而最高工作温度不能超过85℃。聚丙烯电容器与聚苯乙烯电容器的特性相近，尽管它的损耗因数和温度系

摘要：随着技术的进步及产品的成熟,感应加热设备所应用的场合越来越多.如商用电磁炉,注塑机炮筒加热,工业冶炼金属,工件表面加热处理等等…感应加热设备功率也越做越大,从早期的三相12KW,15KW,20KW,到目前的30KW,60KW,120KW…感应加热设备市场前景广阔.薄膜电容器作为感应加热设备关键元器件之一,其可靠性及稳定性在设备中占据重要的地位.本文介绍一款新型的带铝壳散热结构的薄膜电容器模组,应用于感应加热设备上，大大简化了设备内部安装工艺,让机芯可全密封工作. 1、引言： 感应加热技术,早期应用在家用电磁炉上.后来随着高效,节能及环保的优点越来越显著,加上产品技术成熟及使用稳定,感应加热技术逐渐开始往工业领域发展.从早期的单相2KW,到现在的三相100KW及以上,在短短的几年时间里,感应加热技术的发展及产品的应用有了一个质的飞跃.随之设备内部的功率元器件(如整流桥,IGBT模块,薄膜电容器等)要求越来越高,其可靠性及稳定性决定了设备的使用安全及寿命. 2、典型的感应加热设备机芯内部结构 感应加热设备电路结构分为两种.从市面上的产品来看,30KW以内采用的是半桥.30KW以上采用的是全桥.以半桥30KW机芯来看,薄膜电容器的使用情况如下: DC-LINK:30-40μF(800VDC),采用多个分立电容器并联的方式 (3-13个) 高压谐振:单臂1.2-1.4μF(1600VDC),采用多个分立电容器并联的方式 (3-14个) 或单臂0.7-0.8μF(3000VDC),采用多个分立电容器并联的方式 (3-12个) 电容器连接图： 直流滤波电容组 半桥电容器组 从上

薄膜电容器是一种电子元件，用于在电路中存储和释放电荷。它由一层或多层薄膜组成，这些薄膜被沉积或压制在基板上，并与电极结合以形成电容器结构。薄膜电容器通常具有稳定的电容值、较低的漏电流和较好的频率特性，适用于许多不同的应用，如滤波、耦合、解耦和时序控制等。常见的薄膜材料包括聚酯薄膜（Mylar）、聚酰亚胺薄膜（PI）、聚丙烯薄膜（PP）等。薄膜电容器广泛应用于电子产品、通信设备、医疗器械和汽车电子等领域。低功耗半导体产品的理想之选应该考虑到诸多因素，其中内置DAC121C085CIMM/NOPB薄膜电容器的基板是一个重要的选择。内置薄膜电容器可以在密集的集成电路中提供所需的电容量，从而节省空间并减少功耗。此外，内置薄膜电容器还能够提高信号完整性和稳定性，减少电路中的噪音干扰，从而提升整体性能。在选择内置薄膜电容器基板时，需要考虑以下几个方面：1. 材料特性：基板材料应具有良好的介电常数、低损耗角正切以及稳定的温度特性，以确保电容器的性能稳定性和可靠性。2. 制造工艺：基板制造工艺应先进且精密，以确保电容器制造过程中的一致性和可控性，从而提高产品的质量和良品率。3. 封装技术：内置薄膜电容器基板需要与其他元件紧密集成，因此封装技术也至关重要。优秀的封装技术可以确保元件之间的连接稳固可靠，同时有效降低电路布局的复杂度。4. 成本效益：在选择内置薄膜电容器基板时，还需考虑其成本效益。应综合考虑材料、制造工艺、封装技术等方面的成本，并与产品预期性能和市场定位相匹配，以达到最佳性价比。总的来说，内置薄膜电容器基板作为低功耗半导体产品的理想之选，需要综合考虑各方面因素，包括材料特性、制造工艺

卷绕型薄膜电容是一种电容器类型，它采用薄膜作为介质，并通过将金属箔和薄膜层叠在一起，并卷绕成一个圆柱形或其他形状来构成。这种类型的电容器通常用于电子设备中，如COP472WM-3电源模块、通信设备、计算机等，以存储和释放电荷。卷绕型薄膜电容的优点包括：1. 较高的工作温度范围：由于所选材料良好，卷绕型薄膜电容具有更广泛的工作温度范围，适用于各种环境条件下的使用。2. 优良的稳定性：卷绕型薄膜电容具有较高的稳定性，不易受到温度变化、电压波动等因素的影响，能够保持较稳定的电气特性。3. 较低的损耗：相比其他类型的电容器，卷绕型薄膜电容具有较低的损耗，可以提高系统的效率和性能。4. 良好的频率特性：卷绕型薄膜电容在不同频率下表现良好，具有较宽的频率响应范围，适用于多种应用场景。5. 体积小、重量轻：由于采用薄膜作为介质，卷绕型薄膜电容通常具有较小的体积和重量，有利于集成和安装。6. 较好的性价比：与其他类型的电容器相比，卷绕型薄膜电容在性能和成本之间取得了较好的平衡，是一种性能稳定且价格相对较低的选项。总的来说，卷绕型薄膜电容在电子设备中具有广泛的应用前景，其优点包括工作温度范围广、稳定性好、损耗低、频率特性优秀、体积小、重量轻以及性价比较高等特点。

薄膜电容器是一种主要的电子元器件，它在电子设备和系统中发挥着至关重要的作用。薄膜电容器的工作原理基于两个导体（通常是金属）之间存在的电场。这两个导体之间的距离非常小，通常只有几微米（一微米等于一百万分之一米）。在这两个导体之间，通常有一种被称为介质的物质，该物质的特性决定了薄膜电容器的一些重要参数，如电容量、电压等级和能量密度等。薄膜电容器可以分为多种类型，包括金属化薄膜电容器，聚酯薄膜电容器，聚丙烯薄膜电容器，聚苯乙烯薄膜电容器等等。这些类型的薄膜电容器都有各自的特性和应用领域，但是他们都具有一些共同的优点，如高频响应好，损耗小，抗干扰能力强，长寿命等等。薄膜电容器的防潮性能是其一大优点。防潮性能对于电容器的性能和寿命来说是十分重要的。如果电容器在湿度较高的环境中使用，湿气可能会侵入电容器内部，导致电容器性能下降，甚至造成电容器短路。然而，薄膜电容器由于其独特的制作工艺和材质选择，使得其具有出色的防潮性能。在各种各样的电容器中，薄膜电容器是最常见的一种。这主要归功于它们的一些优良特性，如高稳定性、良好的频率特性和长寿命。尤其是，薄膜电容器的防潮表现堪称出类拔萃，这在一定程度上可以归功于它们的制造工艺。薄膜电容器的制造工艺通常包括薄膜沉积、图案化和刻蚀等步骤。在这个过程中，介质材料被均匀地沉积在一个很薄的导体薄片上，然后通过刻蚀技术将其图案化成所需的形状和尺寸。这些步骤通常在真空或近真空的条件下进行，以确保介质薄膜的纯净和均匀。这种制造工艺使得薄膜电容器具有非常好的防潮性能。首先，由于介质材料是在无尘、无湿气的环境中沉积的，因此在制造过程中不会引入水分。其次，薄膜电容器的封装通

薄膜电容器是一种常用的电子元件，通过在薄膜上涂布导电材料制成。下面将详细介绍薄膜电容器的制法、特点、优势以及应用领域。一、制法：1. 制备基板：选择适当的基板材料，如陶瓷、玻璃、塑料等，然后经过切割和清洗等工艺处理，确保表面平整和干净。2. 涂布导电材料：将导电材料溶液或膏状物涂布在基板表面，并进行干燥处理，形成导电层。常用的导电材料有金属薄膜、碳膜和CY62157EV30LL-45ZSXIT导电聚合物等。3. 建立电介质层：通过浸渍、蒸发、溅射等方法，在导电层上形成薄膜状的电介质层，常见的电介质材料有氧化铝、聚丙烯等。4. 导电极形成：在电介质层上再次涂布导电材料，并进行干燥处理，形成导电极。5. 制作引线：连接导电层和导电极的引线通常使用金属丝或导电胶。二、特点：1. 尺寸小：薄膜电容器体积小，重量轻，易于集成和安装。2. 高频响应：薄膜电容器具有较高的频率响应能力，适用于高频电路和射频应用。3. 低损耗：薄膜电容器损耗较低，能够保持更好的电信号传输和转换效率。4. 耐温性好：薄膜电容器在高温环境下仍能保持良好的电性能。三、优势：1. 稳定性强：薄膜电容器的电性能相对稳定，不会因长时间使用或外界环境变化而出现明显的性能衰减。2. 可靠性高：薄膜电容器具有较长的寿命和较低的故障率，能够在各种复杂工作条件下保持可靠的运行。3. 容量范围广：薄膜电容器的容量范围从几皮法拉到几百微法拉不等，满足不同应用场景的需求。四、应用领域：1. 通信设备：薄膜电容器广泛应用于移动通信、无线网络等设备中的射频前端模块，用于信号传输、滤波和匹配等功能。2. 汽车电子：薄膜电容器被广泛应用于汽车电路

薄膜电容是一种被广泛使用的被动电子元件，由一种以金属箔为电极，聚乙酯、聚丙烯等塑料薄膜作为电介质从电极的两端开始重叠，卷绕成圆筒形状的EPF81500AQC240-2电容器。它具有小巧轻便、扁平化、可靠性高等优点，在电子设备中广泛应用。薄膜电容根据不同的制备方法可以分为多种类型，包括钽薄膜电容、铝薄膜电容、聚酯薄膜电容、聚丙烯薄膜电容等。这些不同类型的薄膜电容在结构和性能上有所差异，适用于不同的应用场景。薄膜电容的主要特点有以下几个方面：1. 容量稳定性：薄膜电容的容量稳定性较好，可以满足各种精密电路的要求。相比之下，其他类型的电容器如陶瓷电容器在工作温度和频率变化时容量易发生变化。2. 工作电压范围广：薄膜电容的工作电压范围一般较大，可以适用于不同电子设备的需要。不同类型的薄膜电容的工作电压范围也有所不同，需要根据具体的应用场景进行选择。3. 体积小巧：薄膜电容的厚度一般较薄，使得其体积更小，适合于要求紧凑的电子设备中使用。这也是薄膜电容在手机、平板电脑等便携式电子设备中广泛应用的原因之一。4. 频率特性好：薄膜电容的频率特性较好，可以在较宽的频率范围内工作。这使得薄膜电容在高频信号处理、射频电路等领域有着重要的应用。5. 耐高温性能：部分类型的薄膜电容具有较好的耐高温性能，可以在高温环境下正常工作。这在一些特殊的工业和航空航天等领域有很大的应用潜力。薄膜电容具有体积小、容量大、稳定性好、无极性、介质损耗小等优点，成为各种电子设备和系统中的重要元件之一。 薄膜电容之所以叫薄膜电容，一是以塑料薄膜作为电介质而制成的电容器，二是因其制造工艺和工作原理制作出体积小、容量大、稳定性好

新能源汽车中的薄膜电容是一种关键电子元件，它们通常用于电路中的滤波、耦合、解耦、储能和频率调节等功能。在新能源汽车中，薄膜电容的稳定性、耐高温性能以及长期可靠性尤为重要，因为它们必须能够在恶劣的汽车环境中持续工作。薄膜电容，作为电解电容优秀的替代者，现在在新能源汽车中的用量很大，很受关注。薄膜电容本质上以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜从两端重叠后，卷绕成圆筒状构造的AD830JR电容器。同时，薄膜电容表现出更高耐压、更低ESR、无极性的优势，这使得基于薄膜电容的系统设计更简化，能够在苛刻的环境中可靠地发挥作用。新能源汽车需要考虑到抗震、高温、高压大电流、高可靠性等诸多要求，电解电容虽然容值足够但其他方面已经无法满足，而薄膜电容的这些特性正好契合电动汽车的场景，尤其是OBC、DC/DC上的需求，薄膜电容也因此成为汽车电气化升级历程上的理想器件。最为代表性的应用，就是OBC，从EMI滤波到PFC，到DC-link，到LLC谐振阶段，以及最后的输出，都需要薄膜电容的应用。OBC（On-Board Charger）即车载充电器，是新能源汽车中的一个重要组件，负责将交流电（AC）转换为直流电（DC），以便为电动车的蓄电池充电。OBC的性能直接影响到充电效率、充电速度以及整车的安全性能。在OBC应用中，薄膜电容需要格外注意自愈性、失效开路、低耗散系数这三个特性。尤其是自愈性，良好的自愈能力才意味着器件耐过压能力强，高频性好。自愈性即薄膜电容的介质在被击穿后，能够自行修复恢复正常工作状态。薄膜电容在OBC中起到至关重要的作用，尤其是在功率因数校正（PFC）和

薄膜电容XC9572XL-10VQG44C是一种常见的电容器类型，与其他常用电容器相比，它具有一些独特的优点和缺点。下面是薄膜电容与其他常用电容器的比较。1、优点1.1 稳定性：薄膜电容器具有较好的稳定性，其电容值在长期使用过程中变化较小。这使得它们适用于需要高精度和长寿命的应用，如精密仪器、测量设备等。1.2 高频响应：薄膜电容器具有较好的高频响应特性，能够在高频范围内提供良好的性能。这使得它们适用于需要处理高频信号的电路和设备，如通信设备、无线电设备等。1.3 低失真：薄膜电容器的内部结构和材料选择使其能够提供低失真的性能。这使得它们适用于需要高音质和精确信号重现的应用，如音频设备、音响系统等。1.4 可靠性：薄膜电容器通常具有较高的可靠性和耐久性。它们能够在各种环境条件下正常工作，并且能够承受较高的工作电压和温度。这使得它们适用于一些苛刻的工业和军事应用。2、缺点2.1 尺寸限制：薄膜电容器通常较大，尤其是对于较大电容值的薄膜电容器来说，其尺寸可能会比其他类型的电容器更大。这可能会在一些空间受限的应用中造成问题。2.2 成本较高：相对于一些其它常用电容器，薄膜电容器的成本较高。这主要是由于其制造过程中需要较高的技术和材料成本。这使得它们在一些低成本应用中可能不太适用。2.3 电容值限制：薄膜电容器的电容值通常较小，尤其是对于一些小型薄膜电容器来说。这可能会限制它们在一些高电容值需求的应用中的使用。2.4 温度特性：薄膜电容器的电容值可能会随着温度的变化而发生变化。这可能会在一些温度变化较大的应用中造成问题，需要进行温度补偿或选择适用于高温或低温环境的特殊型号。3、应用领域

薄膜电容是一种广泛应用于电子设备中的电容器。它的主要特点是具有较小的体积、较高的可靠性和较低的成本。在实际应用中，薄膜电容的电容值对电路的性能起着重要的影响。因此，人们往往认为，薄膜电容越大越好。但是，这种说法是正确的吗？本文将从薄膜电容的基本原理、电容值的影响因素、实际应用中的限制等方面进行探讨。一、薄膜电容的基本原理薄膜电容TL082CDR是一种由两个金属电极和一层介质薄膜组成的电容器。当电压施加在电容器的两个电极之间时，电场会在介质薄膜中形成。介质薄膜的厚度、介电常数和面积等参数决定了电容器的电容值。薄膜电容的电容值通常以单位面积的电容值来表示，即电容器的电容值除以电极面积。二、电容值的影响因素薄膜电容的电容值受到多种因素的影响，包括介质薄膜的厚度、介质薄膜的介电常数、电极面积、电极材料、电极距离等。其中，介质薄膜的厚度和介电常数是最重要的影响因素。介质薄膜的厚度越小，电容器的电容值越小；介质薄膜的介电常数越大，电容器的电容值越大。电极面积、电极材料和电极距离等因素对电容值的影响相对较小。三、实际应用中的限制在实际应用中，薄膜电容的电容值受到多种限制。首先，薄膜电容的厚度受到制造工艺的限制，通常在数微米至数十微米之间。因此，如果需要较大的电容值，就需要增加电极面积或使用更高介电常数的材料。但是，增加电极面积会增加电容器的体积，使用更高介电常数的材料会增加电容器的成本。其次，薄膜电容的电容值受到电容器的尺寸限制。由于电容器的尺寸往往受到电路板、封装和安装空间等因素的限制，因此，电容值无法无限制地增大。四、结论综上所述，薄膜电容越大越好这种说法并不完全正确。虽然薄膜电容的电容

薄膜电容两个相互靠近的导体之间有一层不导电的绝缘介质，形成一个电容器。当电容器的两个极板之间增加电压时，电容器会储存电荷。电容器是三大被动设备之一，另外两种被动设备是电阻和电感。根据材料和介质的不同，电容器有很多种，如薄膜电容器、陶瓷电容器、安全电容器和超级电容器。各种电容器的性能和应用不同，各有优势。薄膜电容器BUL310FP是一种以金属箔为电极，以聚丙烯、聚乙酯等塑料薄膜为电解质的电容器。它具有耐压性高、温度范围广、使用寿命长、自愈性好、频率特性好等优点。与其他电容器相比，它具有稳定的性能和高可靠性，适用于高电压和大电流场景。薄膜电容器广泛应用于家用电器、通信、电网、轨道交通、工业控制、照明、新能源(光伏、风能、汽车)等行业。薄膜电容器凭借自身优势立足于此。随着经济的发展和生活水平的提高，许多家庭购买汽车是为了方便旅行。然而，随着环保意识的强烈和新能源汽车的出现，以汽油和柴油为燃料的汽车不再是人们的首选。以可再生资源为动力的新能源汽车比以汽油和柴油为燃料排放废气污染空气的汽车更受欢迎，因为它们不会排放废气污染空气和环境。薄膜电容器是新能源汽车驱动电路的主要组成部分，主要起到储能、平滑、缓冲的作用。逆变器通过转换器将电池DC转换为变化较小的电压，然后通过IGBT开关部件转换为与交流电相似的矩形波，由此产生的浪涌电压非常大，需要使用薄膜电容来平滑、抑制和去除浪涌电压。此外，薄膜电容器还可以作为缓冲电容器来保护电路系统。当电路中出现高频噪声时，薄膜电容器还可以抑制和去除噪声，使新能源汽车不受高频噪声的干扰。薄膜电容器生产流程1、切膜:将金属箔依产品设计的容量，用切膜机裁切成所需之

冈谷电机产业，将于8月内开始在斯里兰卡生产用于消除电流杂音的薄膜电容器。由于收购了FDK的工厂，今后3年间的总投资额约达到20亿日元。该工厂将为印度等电源设备厂商供货。今后3年内将把与主力东莞工厂（广东省）的合计生产能力提高66％，同时还将强化整个亚洲地区的生产和销售能力。 该公司投资230万美元收购了位于斯里兰卡西部Katunayake的FDK光学元件的两家工厂。为了薄膜电容器的生产，将新增蒸镀薄膜机和自动焊接装置以及检测设备等。

日前，Vishay宣布推出用于DC-link应用的新款高性能镀金属直流聚丙烯薄膜电容器---MKP1848S，该器件采用薄型设计，具有业界最宽的CV范围，包括2µF～100µF的容量，以及500VDC、700VDC和1000VDC的电压等级。薄型MKP1848S具有12mm、15mm、18mm和24mm的低外形，为设计者提供了满足其特定应用要求的各种选项。 MKP1848S在标称直流电压HEDM-5605J06和+70℃条件下的寿命超过100,000小时，适用于逆变器、电源、太阳能微逆变器、板上充电器(EV/HEV)、水泵和LED驱动器。 DC-link电容器的容量容差低至±5%，每毫米引线间距的自感小于1nH，峰值电流高达900A，RMS电流达22A。器件采用阻燃的塑料外壳和树脂密封，可在+105℃温度下工作，无铅并符合RoHS，并且将无卤素材料引入到Vishay的薄膜电容器中。

Vishay近日宣布推出一款高性能薄膜电容器MKP1847，此电容器是由镀金属AC聚丙烯组成，新款容量1µF～70µF、寿命超过60,000小时。另外，440V的产品正在开发当中。此款薄膜电容器性能优越，使用寿命长，符合各项认证要求。 长达60,000小时的寿命，加上230V、250V、275V、310V和350V电压等级，使得MKP1847非常适用于UPS系统、电源、逆变器电网接口和焊接设备中的交流RTC8564滤波。器件一般可用于输出滤波及调整LC和LCL电路，减轻不良的频率和谐波造成的影响。 AC电容器的容量容差低至±5%，每毫米引线间距的自感值小于1nH，峰值电流容许高达750A，RMS电流可达32A。此外，MKP1847使用分段式薄膜技术以提高安全性，符合UL810标准。这种结实耐用的器件采用耐火塑料外壳和树脂密封，工作温度可达+105℃，符合RoHS指令2002/95/EC

TDK集团的TDK-EPC公司研发了一系列小型爱普科斯(EPCOS) 金属化聚丙烯(MKP)与金属化聚乙烯对苯二甲酸酯(MKT)薄膜电容器。B32*6T系列、引线间距为37.5mm的新型电容器特点是高度仅为15mm或19mm。这些元件设计用于额定电压63V至2000V（直流），或者是250V至400V（交流）。电容值范围为0.1至82µF。根据其不同类型及技术(MKT或MKP)，这些电容器工作温度最高可达105、110或125摄氏度。 该产品应用范围包括直流链路、变换器以及电源中的直流或交流滤波电路。高度的减少使得该类电容器对于需要低厚度设计的结构尤其适合，比如电磁炉、光电微型变频器、纯平电视机电源和LED照明电器等。高度减小亦提高了电容器的抗机械冲击性能以及抗机械震动性能，使其同时也适用于汽车电子组件。

日本TDK-EPC公司成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器Z-match TFSQ0402系列，并将从2011年8月开始量产。TDK电容的这款新品将多年来在HDD磁头制造方面所积累的"薄膜技术"用于高频元件的工法中，同时实现了面向智能手机等高性能移动设备和高频模块产品的高特性与小型超薄化。尤其值得一提的是，凭借薄膜工法实现了优良的窄公差特性（W公差：±0.05pF），并通过薄膜材料和最佳形状设计，与以往产品相比达到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高达6.8GHz(2.2pF)。通过这些特性，该本产品可在阻抗匹配电路中发挥优良的高频特性，因此命名为"Z-match"。该产品通过采用底面端子结构和高精度切割工艺，实现了较以往产品更高的尺寸精度，在需要高密度封装的模块中也可实现稳定的封装。使用温度范围为-55℃～+125℃，用于手机等移动通信设备的高频电路部分，适合于2.4GHz到5GHz范围内的高频带使用。

TDK电容产品线再出新成员。TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC（社长：上釜健宏）成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器（产品名称：Z-match TFSQ0402系列），并将从2011年8月开始量产。该产品将TDK多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时实现了面向智能手机等高性能移动设备和高频模块产品的高特性与小型超薄化。尤其值得一提的是，凭借薄膜工法实现了优良的窄公差特性（W公差：±0.05pF），并通过薄膜材料和最佳形状设计，与以往产品相比达到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高达6.8GHz(2.2pF)。通过这些特性，该本产品可在阻抗匹配电路中发挥优良的高频特性，因此命名为“Z-match”。该产品通过采用底面端子结构和高精度切割工艺，实现了较以往产品更高的尺寸精度，在需要高密度封装的模块中也可实现稳定的封装。该产品的使用温度范围为-55℃～+125℃，用于手机等移动通信设备的高频电路部分，适合于2.4GHz到5GHz范围内的高频带使用。主要应用·智能手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品主要特点·将HDD磁头的薄膜技术横向推广，在0402尺寸上实现了高特性(低ESL(等价串联电感)低ESR(等价串联电阻)容量公差：±0.05pF)

SQCB7M150JATME特征?低ESR?高Q?高自共振?电容范围0.1 pF至5100pF?175°C能力SQCB（仅限标准电压）应用?射频功率放大器?低噪声放大器?过滤网络?MRI系统电容:    15 pF    容差:    5 %    外壳代码 - in:    1111    外壳代码 - mm:    2828    封装 / 箱体:    1111 (2828 metric)    最小工作温度:    - 55 C    最大工作温度:    + 125 C    长度:    2.79 mm    宽度:    2.79 mm    高度:    0.762 mm

DMT1W1K-F 基本信息：制造商: Cornell Dubilier  产品种类: 薄膜电容器  RoHS:  详细信息  系列: DMT  端接类型: Radial  产品: General Film Capacitors  电介质: Polyester  电容: 1 uF  电压额定值 DC: 100 VDC  容差: 10 %  管脚数量: 2 Pin  引线间隔: 29.7 mm  引线类型: Straight  最小工作温度: - 55 C  最大工作温度: + 125 C  长度: 33.8 mm  宽度: 13.2 mm  高度: 18.5 mm  封装: Bulk  商标: Cornell Dubilier - CDE  电容-nF: 1000 nF  直径: -  引线直径: 0.8 mm  寿命: 500 Hour  产品类型: Film Capacitors  工厂包装数量: 100  子类别: Capacitors &n

属性参数值商品目录薄膜电容容值220nF精度±5%额定电压100V介电材料金属化聚酯工作温度-55℃~+105℃属性参数值商品目录薄膜电容容值220nF精度±5%额定电压100V介电材料金属化聚酯工作温度-55℃~+105℃

品牌：TDK厂家型号：B32562J6474K000封装规格：径向引线,P=15mm商品毛重：0.376克(g) 包装方式：袋装电容体长：16.3mm 电容体高：9.3mm 电容体宽：7.3mm 额定电压：400V 脚间距：15mm 工作温度：-55℃~125℃ 容值：470nF 精度：±10% 介电材料:金属化聚酯型号齐全，原装正品，价格极优，货期快准元坤国际供应的IC芯片、电子元器件，库存货源充足，正品保障，诚信经营。有需要任何型号的采购者，可以与我司联系，我们将为您找到任何一种型号的芯片，包括偏冷门型号均有。CRCW060310K0JNEA贴片电阻VISHAY威世库存现货充足我司主营产品包含：各种类的IC芯片、集成电路、电阻、电容、电感、连接器、二极管、三极管、晶振、传感器等。逻辑芯片、电源芯片、模拟芯片、嵌入式外围芯片、接口芯片、处理器及微控制器、存储器、射频无线、驱动器、放大器、光电耦合器等，都是我司长期为客户提供的主要产品。热门型号AD8500AKSZ-REEL7ADN/AAD8610ARMADIMSOPAME1085ACDTAMEINCSMDAK5351VFAKMSSOPOPA628APBBOPA860IDNULLNULLP105WIRIGBTPIC16C65B-20/PQMICQFP-44PH50S280-5LAMBDA?DC/DC: 280V-5V-PLL52C05PhaseinkNJM4580MDSOPN80C251TB24INTELMT90503AGZARLINKMSM514260C-60JSOKI原装现货库存!!!MAX603CSA-TMAXIMSOP

品牌：TDK厂家型号：B32529C0224J289封装规格：径向引线,P=5mm商品毛重：0.376克(g)包装方式：编带电容体高：6.5mm 容值：220nF 额定电压：63V 电容体长：7.3mm 电容体宽：2.5mm 工作温度：-55℃~125℃ 精度：±5% 介电材料：金属化聚酯 脚间距：5mm公司主营：电子、军工、通讯、工业、造船、仪器仪表、宇航级、军用级、工业级、已停产、冷偏门等高、精、尖集成电路以及其他配套元器件AD、PHILIPS、MAXIM、ALTERA、TI、 ON、Onsemi、Fairchild、TOSHIBA，常年备有大量现货，在香港和美国设有两个全球库房，及时向全球发货。欢迎前来垂询接洽！型号齐全，原装正品，价格极优，货期快准热门型号CY7C1021CV33-10VCCYPRESS原厂原装CY7C264-55PCCYPRESSDIPCY7C420-40PCCYDIPD8284INTCS5336-KPCSDIPCX4237B-XQ3K4D263238I-UC50SAMSUNGQFPLB1867SANYO质量保证/交货快捷LD1010DHARTO-252LM4890IBLXNSCSMD-9LM340LAH-12NATIONAL SEMLM317EMP/NOPBNSHD64645FHITACHIQFPHCPL-0555安捷伦07+HA17431FPAJ-ELRENESASSOP8HA17902PHA11713HITDIPIDT7164S35JIDT新到原装现货！IHW20T120InfineonTO-247AHY5PS561621BFP-25

品牌：TDK厂家型号：B32529D1105J000封装规格：Through Hole,P=5mm商品毛重：0.376克(g)包装方式：袋装脚间距：5mm额定电压：100V容值：1uF工作温度：-55℃~125℃精度：±5%公司主营：电子、军工、通讯、工业、造船、仪器仪表、宇航级、军用级、工业级、已停产、冷偏门等高、精、尖集成电路以及其他配套元器件AD、PHILIPS、MAXIM、ALTERA、TI、 ON、Onsemi、Fairchild、TOSHIBA，常年备有大量现货，在香港和美国设有两个全球库房，及时向全球发货。欢迎前来垂询接洽！型号齐全，原装正品，价格极优，货期快准热门型号BF992PHILIPSSOT-143BD9893F-GE2ROHMSOP16BCW8974F74SCFS原厂原装9926ABXSOP-8 AD847JNZAD全新原装，特价甩卖！ADS1110A3IDBVTTISADE7754ARAD原厂原装2SK2746TOSTO-3P30501SMD-28DP8344VCM6800I30CY37064VP100-100AICYPRESS原厂特价HA17747HITACHIDIP-14H857CMDUSOP-8PLT1175IQ-5IORTO-263LM4050BIM3X-5.0NSSOT-23 -3IRFP4227PBFIR100%全新原装，优势库存ISL6228HRTZIntersilQFN-28AT24C16-10PI-2.7ATMEL74F374SJXFAISOP74AC20HARRIS93C06M8NSSOP-824WC128JCATALYST原装正品

品牌：TDK厂家型号：B32652A6104K000封装规格：Through Hole,P=15mm商品毛重：1.8克(g)包装方式：袋装脚间距（mm）：15精度：±10%容值：100nF额定直流耐压DC：630V工作温度：-55℃ ~ +110℃型号齐全、原装正品、价格极优、货期快准！本公司是一家大型代理渠道商，经营世界各国名牌厂家的集成电路及其它电子元器件，包括Honeywell霍尼韦尔、TI德州仪器、ST意法半导体、ADI亚德诺半导体、INFINEON英飞凌、ON安森美、MICROCHIP美国微芯、Nexperia安世、MORNSUN金升阳、MAXIM美信、TE Connectivity美国泰科、YUDEN太诱、HRS广濑、SGMICRO圣邦微、ams艾迈斯、micron镁光、FUJITSU富士通、TOSHIBA东芝、EPSON爱普生、LINEAR凌特、SAMSUNG三星等等。多年来，公司专注于IC芯片、电子元器件销售，经验丰富，渠道可靠，保证百分百原装正品。主营产品广泛应用于电子、军工、通讯、工业、造船、仪器仪表、新能源、电子技术、半导体、集成电路、工业自动化、科研、电信、网络设备、医疗设备器械、航天航空、电气、电力、水利等，宇航级、军用级、工业级、已停产、冷偏门等高、精、尖集成电路以及其它配套元器件均有。热门型号HSMP-4890-TR1AgilentSOT-23INA126E/250TIVSSOPHA13408HITDIPHD74HC166FPELHITACHISOP-16AN7164PANASONTZIPBYR29-600PHILIPSNULL74AHCT245P

MKK525-D-10-01代理EPCOS全新原装日本进口MKK525-D-10-01因数校正薄膜电容器MKK525-D-10-01原装进口厂家图片产品代码：B25667C5127A375/MKK525-D-10-01产品型号:EPCOS 聚丙烯功率因数校正（PFC）薄膜电容器,-5→+10%厂家品牌：EPCOS(爱普科斯) 联系人：张小姐直线：13316801556    QQ：2501633055产品详细参数：电容值138(x3)μF  电压525V交流  容差-5→+10%  系列B25667应用功率因数校正、调谐和去调电容器组高度200mm  尺寸136(Dia.)x200mm  电介质聚丙烯膜容差负-5%  端子类型螺栓安装最高工作温度+60°C  容差正+10%  最低工作温度-40°C  等值串联电阻值1.92mΩ产品详细信息：MKK525-D-10-01是功率因数校正(PFC)金属聚丙烯膜电容器。B25667A薄膜电容器位波切割，且具有同心绕组。这些PFC采用圆柱形铝箱制成，基座上带螺纹螺栓，并且具有过压断开装置和陶瓷放电模块。EPCOSPFC带经过优化的安全接线端子，适用于室内安装，且采用自然空气冷却（强制空气冷却）。特点聚丙烯膜电介质由非印刷电路板、半干可生物降解树脂制成B25667A薄膜电容器利用自修复技术结构小型连接DELTA3相应用这些电阻器适用于功率因素校正应用。西迈尔公司主营品牌：EPCOS，TDK-Lambda，MW,西门子，施耐德，AB

WIMA的 SMD几乎涵盖了传统通孔塑料薄膜电容器的整个应用范围。所有WIMA SMD系列均采用成熟的盒式技术生产，与非封装或模塑SMD电容器版本相比具有以下优势：在处理和操作期间安全保护电容器元件免受机械和热应力电容范围为0.01μF至2.2μF额定电压为63 V DC至1000 V DC大小代码从1812年到6054年工作温度高达140°C自愈适用于无铅焊接低损耗因数低介电吸收电容值与温度非常恒定符合RoHS 2011/65 / EU标准这些特性和宽电容范围使WIMA SMD能够替代其他电容器技术，成为电子开发的标准组件。应用旁路闭塞耦合和解耦Timing

EPCOS B3275 系列用于 PCB 安装的金属化聚丙烯薄膜电容器针对交流电压性能进行了优化，并提供 250 V RMS、275 VRMS 和 310 VRMS 宽电压范围。这些器件可用于各种不同的应用，包括用于电源转换器、UPS 和电机驱动器的输出 AC 滤波器。特性电压范围：250 VRMS、275 VRMS 和 310 VRMS电容范围：1.0 μF 至 70 μF最高工作温度：+105°C优化交流电压性能高纹波电流处理能力THB 测试 60 °C、95% 相对湿度条件下，VRATED1000 小时在 0.9 VRATED、70 ° C 下使用寿命 > 60.000 小时适用于 PCB 安装应用适用于电源转换器的输出交流滤波UPS电机驱动器

WIMA 2.5 mm PCM 的 MKS 02 电容器系列是采用厚度为 0.8 μm 及以下的超薄塑料薄膜制成的小型塑料薄膜电容器。使用高灵敏度机器进行薄膜处理需要极高的经验和技术。这些电容器在端面处接触，并且由于电容器及其完全接触的电极的引脚间距小而具有非常低的自感。另外，脉冲和载流容量越大，PCM 可以设计得越小，因为如果膜的厚度相同，则需要更长的带长来实现特定的电容值。PCM 2.5 mm 的 WIMA 电容器非常适合高频 HF 去耦，并为空间有限和封装密度高的应用开辟了新的可能性。特性应用电容范围从 3300 pF 到 1.0 μF额定电压 63 VDC 到 400 VDC高体积/电容比和较小的基体PCM 2.5 mm自愈符合 RoHS 2011/65/EU 规范针对一般 DC 应用：阻断旁通耦合、去耦定时

联系人：何小姐Skype:13662278940QQ： 3397630681手机/微信1366227894013662272875/13662279694/13662272772/13662279493/13662275950Email：hebs@pansilicon.com地址：深圳市福田区福明路嘉汇新城汇商中心3103室直接联系我们=成本优化+风险降低+效率提高！！赛矽电子代理ROHM,、PANSILICON  PREWELL、SPECON及RFHIC 、UTC品牌等国际著名品牌元器件，公司客户遍及CATV、汽车制造、医疗器械、军事、航空航天、精密仪器、安防、家电、通信网络以及工业控制射频、微波技术等诸多领域。赛矽电子坚持一贯的诚信作风，为成千上万的中国电子设备制造商提供生产急需的元器件，在全球各地开辟了广泛和稳固的供货渠道。

TDK公司已将其EPCOS薄膜电容器的范围扩展到直流链路应用。B3277xH系列现在为特别恶劣的环境条件提供了类型。鲁棒性验证的温度湿度偏差(有)测试+ 60°C,相对湿度95%,1000小时的额定电压。类型也可以有测试到+ 85°C,相对湿度85%,额定电压为1000小时。的最大操作温度RoHS-compatible组件+ 105°C。根据电压和电容的不同，铅的间距为27.5 mm, 37.5 mm，或52.5 mm。这种类型的52.55毫米网格大小只提供4针版本。在额定电压和工作温度的+ 85°C自愈电容器的使用寿命是50000小时。功能应用程序适合在特别恶劣的环境条件下使用。广泛的额定电压从450伏直流到1100伏直流电。用于光伏系统、变频器和工业应用电源的直流连接电路。AEC-Q200合格电容器也可根据要求提供。

WCAP-FTBP 和 WCAP-FTBE 是用于滤波、阻塞、旁路或能量存储的通用直流薄膜电容器。借助金属化膜技术，这两个系列具有高体积效率和出色的自愈特性。WCAP-FTBP 金属化聚丙烯 DC 电容器 (MKP) 的特点是其温度范围内出色的电压特性、电容容差为 5%，由于金属化聚丙烯膜的特性而具备频率和湿度稳定性。此外，该系列产品以超凡的绝缘电阻、脉冲上升时间和耗散因数而著称。因此，这些器件适用于电源、显示器、电子镇流器和其它要求苛刻的应用。电容范围涵盖 33 nF 至 6.8 μF，电压则为 160 VDC 至 630 VDC，点距介于 7.5 mm 至 27.5 mm。由于聚酯薄膜比聚丙烯膜具有更高的介电，WCAP-FTBE 金属化聚酯直流薄膜电容器 (MKT) 提供了更高的体积容量，电容容差为 10%。如 WCAP-FTBP 那样，由于金属化薄膜的特性，WCAP-FTBE 具有出色的自愈特性，并基于方块样式提供更高的湿度和易燃性保护。WCAP-FTBE 点距为 7.5 mm 至 37.5 mm、电容范围 10 nF 至 6.8 μF，电压范围 100 VDC 至 1000 VDC。WCAP-FTBPMKP建议焊接工艺：波峰焊工作温度：-40°C 至 +105°C气候类别：40/105/56自愈特性WCAP-FTBEMKT建议焊接工艺：波峰焊工作温度：-40°C 至 +85°C气候类别：10/105/56自愈特性WCAP-FTBP监示器、电子镇流器电源其它要求稳定性的应用WCAP-FTBE滤波器电源阻隔、耦合旁路、去耦

松下公司在其现有的金属化薄膜电容器系列产品中引入了ECW-F(D)系列金属化聚丙烯薄膜电容器。ECW-F(D)系列部件是为不需要大量脉冲电流的直流应用而设计的。应用包括功率因数校正和家用电器。松下的内置保险丝功能，结合这些薄膜电容器的小尺寸，使其适合任何需要直流连接的应用。内置的保险丝功能确保ECW-F(D)系列零件在发生不可能的故障时打开，而不是制造短路情况。特性和好处电压范围:450 VDC和630 VDC。μFμF电容范围:0.47到0.47工作温度:-40°C + 105°C宽容:±5%±10%内置保险丝功能(自我修复，自我保护)长寿命、高可靠低损耗，低ESR提高功率效率。小尺寸处理大容量范围。阻燃环氧树脂涂料。优秀的频率特性符合RoHS指令Fuse函数在不太可能发生故障的情况下创建一个开放的电路。铝而不是铝锌金属化:在有压力时不过热。聚丙烯介质能够承受比聚酯纤维更大的压力。可用于高频区，易于评估?为各行各业推荐。应用程序电器(逆变电路)有源滤波器电路高频和高电流电路。工业电源UPS /充电器缓冲器电路