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红外发光二极管（Infrared Emitting Diode，简称IR LED）是一种能够发射红外光的TPA6211A1DGNR二极管。它是一种特殊的发光二极管，其发射波长通常在700纳米（近红外）到1毫米（远红外）之间。红外发光二极管的工作原理与普通发光二极管类似，都是基于半导体材料的光电效应。当通电时，红外发光二极管中的半导体材料会发生电子与空穴的复合，产生能量差，从而发射出红外光。红外发光二极管的基本结构主要由P型半导体和N型半导体组成，两者通过一个P-N结连接在一起。当正向电流流过二极管时，电子从N型半导体向P型半导体流动，空穴从P型半导体向N型半导体流动。当电子与空穴在P-N结的附近复合时，能量差被释放出来，形成光子。红外发光二极管的发射波长取决于所使用的半导体材料。常见的半导体材料有砷化镓（GaAs）、砷化铝（AlAs）、砷化磷（InP）等。不同的半导体材料具有不同的能带结构和能级分布，从而决定了其发射波长。红外发光二极管有着广泛的应用。以下是几个常见的应用领域：1、红外遥控器：红外发光二极管被用作发射器，在红外遥控器中通过发送不同的红外信号来控制电器设备的开关、音量等。2、红外通信：红外发光二极管被用来传输数据，实现无线通信。例如，红外线传输器可以将电视信号转换为红外信号，并通过红外发光二极管发送给接收器进行解码。3、红外传感器：红外发光二极管可以作为光源，通过接收红外光的反射来检测物体的存在。红外传感器在安防系统、自动门控制、人体检测等领域得到广泛应用。红外发光二极管的接收方式有两种常见的方法：1、直接接收：使用相应的红外接收器，将红外发光二极管发射的红外光直
描述CNY17是一对光耦合对砷化镓红外发光二极管光学耦合到硅NPN光电晶体管。可以发送包括DC电平的信号信息由设备保持高度输入和输出之间的电隔离。CNY17可用于替换继电器和变压器在许多数字接口应用中也是如此作为模拟应用，如CRT调制。特征隔离测试电压5300 VRMS长期稳定性行业标准双列直插式封装无铅元件元件符合RoHS 2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC机构批准Underwriters Lab File＃E52744系统代码H或J.DIN EN 60747-5-2（VDE0884）DIN EN 60747-5-5待定BSI IEC60950 IEC60065FIMKO绝对最大额定值除非另有说明，Tamb = 25°C超过绝对最大额定值的应力可能会对器件造成永久性损坏。 该设备的功能操作是并不暗示超出本文件操作部分中给出的这些或任何其他条件。 暴露于绝对长时间的最大额定值会对可靠性产生不利影响。输入产量耦合器电气特性除非另有说明，Tamb = 25°C最小值和最大值是测试要求。 典型值是设备的特性，是工程的结果评价。 典型值仅供参考，不属于测试要求。输入产量耦合器电流转移率电流传输比和集电极 - 发射极漏电流的破折号（Tamb°C）开关特性开关操作（饱和）典型特性（除非另有说明，Tamb = 25°C）封装尺寸，单位为英寸（mm）
红外遥控器已经广泛使用在彩电、音响系统和各种家用电器中。遥控器的控制距离一般可到6～8米，使用非常方便。因红外遥控方式用量大，所以其红外发射、接收电路均有完整的配套器件，这些器件不仅售价低而且可靠，电路极其简单。电子爱好者完全可以利用这些器件组装各种用途的遥控器，不仅实用而且可增加制作的兴趣。 1.红外发光二极管的特性红外线是不可见光，人眼是觉察不到的。电子技术中是用红外发光二极管(又称红外发射二极管)来产生红外线。常用的红外发光二极管(如SE303· PH303)，其外形和发光二极管LED相似。三极管BG作开关，当基极上加有驱动信号时，BG管饱和导通，红外发光管D也正向导通工作，发出红外光(近红外线约0.93μm)。D的管压降约1.4V，工作电流一般小于20mA。为了适应不同的工作电压，D的回路中常串有R2作为D限流电阻。 当用电路发射红外线去控制相应的受控装置时，其控制的距离与D的发射功率成正比。为了增加红外线的控制距离，红外发光二极管D应工作于脉冲状态，即工作电流是脉动的。因为脉动光(调制光)的有效传送距离与脉冲的峰值电流成正比，只需尽量提高峰值电流Ip，就能增加红外光的发射距离。提高Ip的方法，是减小脉冲占空比，即压缩脉冲的宽度τ，如图10所示。一些彩电红外遥控器，其红外发光管的工作脉冲占空比约为1/4～1/3;一些电气产品红外遥控器，其占空比是1/10。减小脉冲占空比还可使小功率红外发光二极管的发射距离大大增加。常见的红外发光二极管，其功率分为小功率(1mW～10mW)、中功率(20mW～50mW)和大功率(50mW～100mW以上)三大类。使用不同功率的红外
普通发光二极管与红外发光二极管的区别方法用万用表的Rx1O0挡，测量待区分的普通发光二极管和红外发光二极管的正、反向电阻，其中正、反向电阻均接近无穷大的就为普通发光二极管，其正向电阻为30kΩ左右，反向电阻为5OOkΩ以上的就为红外发光二极管。因为普通发光二极管的起始电压为1.6-2V，红外发光二极管的起始电压为1-1.3V。 常见的红外发光二极管有HG型、GL型、SIR型、SIM型、HIR型。表1、表2为GL和HG型红外发光二极管主要参数供选用时参考。 表1GL型红外发光二极管主要参数 表2HG型红外发光二极管主要参数
常用的红外发光二极管（如SE303·PH303），其外形和发光二极管LED相似，发出红外光（近红外线约0.93μm ）。管压降约1.4V ，工作电流一般小于20mA。为了适应不同的工作电压，回路中常串有限流电阻。发射红外线去控制相应的受控装置时，其控制的距离与发射功率成正比。为了增加红外线的控制距离，红外发光二极管工作于脉冲状态，因为脉动光（调制光）的有效传送距离与脉冲的峰值电流成正比，只需尽量提高峰值Ip，就能增加红外光的发射距离。提高Ip 的方法，是减小脉冲占空比，即压缩脉冲的宽度т，一些彩电红外遥控器，其红外发光管的工作脉冲中空比约为1/4~1/3；一些电气产品红外遥控器，其占空比是1/10。减小冲占空比还可使小功率红外发光二极管的发射距离大大增加。常见的红外发光二极管，其功率分为小功率（1mW~10mW）、中功率(20mW~50mW)和大功率(50mW~100mW以上)三大类。要使红外发光二极管产生调制光，只需在驱动管上加上一定频率的脉冲电压。用红外发光二极管发射红外线去控制受控装置时，受控装置中均有相应的红外光一电转换元件，如红外按收二极管，光电三极管等。实用中已有红外发射和接收配对的二极管。红外线发射与接收的方式有两种，其一是直射式，其二是反射式。直射式指发光管和接收管相对安放在发射与受控物的两端，中间相距一定距离；反射式指发光管和接收管并列一起，平时接收管始终无光照，只在发光管发出的红外光遇到反射物
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红外灯发光体是由红外发光二极管（LED）矩阵组合而成。 红外发光二极管是由红外辐射效率高的材料制成的PN结，再外加正向偏压向PN结注入电流，从而激发出红外光。光谱功率分布为中心波长830nm -- 950nm，半峰带宽约40nm左右，它是窄带分布，是普通CCD黑白摄像机可感受的光谱范围。其最大的优点是可以完全无红暴，或仅有微弱红暴；另外，红外发光二极管还具有寿命长的特点。 红暴为有可见红光 ，通常采用940nm～950nm波长的红外发光二极管制成的红外灯，能达到完全无红暴；采用850nm波长的红外发光二极管制成的红外灯，能达到有轻微红暴的效果。 常用的红外发光二极管（如SE303·PH303），其外形和发光二极管LED相似，发出红外光（近红外线约0.93μm ）。管压降约1.4V ，工作电流一般小于20mA。为了适应不同的工作电压，回路中常串有限流电阻。 发射红外线去控制相应的受控装置时，其控制的距离与发射功率成正比。为了增加红外线的控制距离，红外发光二极管工作于脉冲状态，因为脉动光（调制光）的有效传送距离与脉冲的峰值电流成正比，只需尽量提高峰值Ip，就能增加红外光的发射距离。提高Ip 的方法，是减小脉冲占空比，即压缩脉冲的宽度т，一些彩电红外遥控器，其红外发光管的工作脉冲中空比约为1/4~1/3；一些电气产品红外遥控器，其占空比是1/10。减小冲占空比还可使小功率红外发光二极管的发射距离大大增加。常见的红外发光二极管，其功率分为小功率（1mW~10mW）、中功率(20mW~50mW)和大功率(50mW~100mW以上)三大类。要使红外发光二极管产生调制光，只需在驱动管上加上
日本科学家日前借量子点(quantumdot)的帮助，成功地制作出以硅基(silicon-based)发光二极管(LED)，其发光波段为近红外光，且其外部量子效率(externalquantumefficiency)高达0.3%。 这个由日本东京大学的SusumuFukatsu等人组成的团队利用分子束外延技术(molechlarbeamepitaxy)制作出来的组件，主要是在硅基材内嵌入应变锑化镓量子点(strainedGaSbquantumdot)。在绝对温度11K下，以4V的偏压时及3.7mA的电流加以驱动，该组件可以产生波长1.2微米左右的强烈荧光。更有甚者，使用脉冲式电压驱动的实验显示，该发光二极管可以接受调制，因此能用来传送数据。 电子工业对于高效率且高速的硅基发光二极管的研发倍感兴趣，原因是它有助于实现微芯片之间的高速光通讯。这方面的最大问题在于硅只具有间接能带隙(indirectbandgap)，不能自然发光，因此必须透过掺杂其它材料来达成。稍早STMicroelectronics的作法是在硅里掺杂发光铒离子，这个日本研究小组则是使用III-V族量子点来改变硅内部的电子行为。 Fukatsu表示，他们的LED拥有0.3%的量子效率及超过10mW的输出功率，表现虽然不差，但是如果要具有竞争力，必须在室温之下也能达成类似表现。虽然该小组也成功地在室温下驱动这种LED，但是发光效率却下降了两个数量级。目前该小组正在设法引入更多层的量子点材料，以及增加操作频宽，以提升LED的效率。
由于红外发光二极管，它发射1～3μm的红外光，人眼看不到。通常单只红外发光二极管发射功率只有数mW，不同型号的红外LED发光强度角分布也不相同。红外LED的正向压降一般为1.3～2.5V。正是由于其发射的红外光人眼看不见，所以利用上述可见光LED的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是否正常，而无法判定其发光情况正常否。为此，最好准备一只光敏器件（如2CR、2DR型硅光电池）作接收器。用万用表测光电池两端电压的变化情况。来判断红外LED加上适当正向电流后是否发射红外光。其测量电路如图11所示。
常用的红外发光二极管（如SE303·PH303），其外形和发光二极管LED相似，发出红外光（近红外线约0.93μm）。管压降约1.4V，工作电流一般小于20mA。为了适应不同的工作电压，回路中常串有限流电阻。 发射红外线去控制相应的受控装置时，其控制的距离与发射功率成正比。为了增加红外线的控制距离，红外发光二极管工作于脉冲状态，因为脉动光（调制光）的有效传送距离与脉冲的峰值电流成正比，只需尽量提高峰值Ip，就能增加红外光的发射距离。提高Ip的方法，是减小脉冲占空比，即压缩脉冲的宽度т，一些彩电红外遥控器，其红外发光管的工作脉冲中空比约为1/4~1/3；一些电气产品红外遥控器，其占空比是1/10。减小冲占空比还可使小功率红外发光二极管的发射距离大大增加。常见的红外发光二极管，其功率分为小功率（1mW~10mW）、中功率(20mW~50mW)和大功率(50mW~100mW以上)三大类。要使红外发光二极管产生调制光，只需在驱动管上加上一定频率的脉冲电压。 用红外发光二极管发射红外线去控制受控装置时，受控装置中均有相应的红外光一电转换元件，如红外按收二极管，光电三极管等。实用中已有红外发射和接收配对的二极管。 红外线发射与接收的方式有两种，其一是直射式，其二是反射式。直射式指发光管和接收管相对安放在发射与受控物的两端，中间相距一定距离；反射式指发光管和接收管并列一起，平时接收管始终无光照，只在发光管发出的红外光遇到反射物时，接收管收到反射回来的红外线才工作。 双管红外发射电路，可提高发射功率，增加红外发射的作用距离。
测试红外发光二极管的好坏，可以按照测试普通硅二极管正反向电阻的方法测试。 把万用表拨在R×100或R×1K挡，黑表笔接红外发光二极管正极，红表笔接负极，测得正向电阻应在20≈40K；黑表笔接红外发光二极管负极，红表笔接正极，测得反向电阻应大于500K以上。测试方法如图1-1。
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俄罗斯 LED Microsensor NT公司，专注于中红外LED和中红外光电二极管PD研发和生产 可直流工作的LED从1000nm - 1700nm,高于这个波长1800nm-2300nm,2700nm-4600nm只能用于脉冲驱动方式同时提供相应的相应的光电二极管和各种驱动模块 HAWKEYE公司 有40年的制造红外光源的经验，提供可靠的高质量的，可定制的稳态光源和电可调制红外光源。 美国CALSENSORS公司是制造标准或定制PBS硫化铅和PBSE硫化硒红外探测器，红外阵列，和红外光源的厂家。成立于1986年，历史悠久。探测器范围1微米至5.5微米波长范围。主要应用于光谱学，成像，医学，汽车尾气，气体分析和蒸汽分析仪器，非接触温度测量，火焰检测和可燃物控制。 美国Helioworks著名红外光源制造商,生产稳态的，和低频脉冲红外光源，各种功率品种齐全，都配有镀金反射器，能够最大限度反射红外光源。 奥地利SENSORE氧气传感器制造商，提供极限电流式氧化锆氧传感器和配套的变送器。 德国著名的光电器件提供商，成立于1982年，当前主要供应光电二极管，红外光源，热释电探测器，DLTGS探测器，激光二极管，光子计数器，光纤光学配套设备。2014年，收购了MICROWA
Vishay的VOMA617A系列有一个GaAlAs红外发光二极管，它与一个硅平面光电晶体管检测器有光学耦合，并被集成在一个4针的微型扁平封装中。它具有低输入电流、低耦合电容和高隔离电压的高电流传输比。这种耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输，特别是用于汽车，以及要求高可靠性的工业应用。特性AEC-Q101合格高CTR，输入电流小。SOP-4低调包高集电极-发射极电压，VCEO = 80 V。隔离测试电压= 3750 VRMS。低耦合电容应用程序电和噪音隔离信号传输混合动力/电动汽车应用。电池管理48 V板网系统控制
近红外发光二极管 近红外发光二极管型号峰值波长输出功率(mw)正向电压(V)封装备注数据表OD50L880nm50-6001.65-2TO-39金属封装发射角度7 OD100880nm100-13001.65-2TO39金属封装发射角度110 OD469L880nm1703.2-3.8TO-5金属封装发射角度7 OD663880nm170-35004.5-5TO-66金属封装角度120 OD666880nm330-50009-10TO-66金属封装角度120 OD669880nm500-650013.5-15TO-66金属封装角度120近红外发光二极管型号峰值波长输出功率(mw)正向电压(V)封装备注数据表LED780E780nm181.75-1.95T13/4透明封装角度20 LED850W850nm81.55-1.7TO-18金属封装角度110 LED850L850nm181.55-1.7TO-18金属封装角度20 LED870E870nm221.55-1.7T13/4透明封装角度20 L8957870nm21.65mm金属封装用于光学编码器和光学开关 SE5470-003880nm2.6小于1.9TO-46金属封装发射角度20 OD880F880nm171.55TO-46金属封装发射角度8 OD880W880nm201.55TO-46金属封装发射角度80 OD880L880nm201.55TO-46金属封装发射角度35 OP232890nm8小于2TO-46金属封装角度18 OP133935nm5小于1.75TO-46金属封装角度18 SE3455-003935
中红外发光二极管 中红外发光二极管LED和光电二极体PD在光学分析系统中具有很大的潜力。在中红外光谱范围1600-5000nm，对于绝大多数的气体和液体来说有很强的吸收带，比如：甲烷CH4 , 水H2O, 二氧化碳CO2, 一氧化碳CO, 乙炔C2H2, 乙烯C2H4, 乙烷C2H6, 氯甲烷CH3Cl, 氧硫化碳OCS, 氯化氢HCl, 次氯酸HOCl, 溴化氢HBr, 硫化氢H2S, 氢化氰HCN, 氨气NH3, 二氧化氮NO2, 二氧化硫SO2 , 葡萄糖glucose和许多其它物质。下面列出了部分气体在中红外范围的吸收带。 气体吸收带(um)气体吸收带(um)气体吸收带(um)气体吸收带(um)CH43.2-3.45HCL3.3-3.7H2O2.5-2.8,1.8-1.9N24.0-4.54C2H22.99-3.09HOCL2.6-2.9CO24.2-4.3NH32.27,2.94C2H43.1-3.4HBr3.7-4.0OH-2.38-2.63NO+4.08-4.44C2H63.3HI2.27-2.3H2CO3.38-3.7HNO35.74-5.98CH3CL3.22-3.38H2S3.7-4.4,2.5-2.8CO4.4-4.8NO23.4OCS3.45,4.87HCN2.94-3.1HO22.73-3.1SO
Deep UV LEDs Diverse LEDs High Power LEDs MID-IR LEDs LED Chips LED Tester KED661M53 570NM可见光 660NM红光LED 650NM红光LED 660NM红光LED ｜LED｜Plastic Mold LEDs｜Si-PD｜Si-PTr｜Si-APD｜｜ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／Ａｌ ＧａＮ ＵＶ センサ｜ＩｎＧaAs フォトダイオード｜ 形名チップ材質発光波長(nm)光出力半値角2θ(度)パッケージ特長及び用途(mW)(mA)KED050CXH AlGaAs8502.450115TO-46,気密封止発光径：50µm dia., fc=25MHzKED050CXK AlGaAs8505.050125TO-46,エポキシ樹脂レンズ発光径：50µm dia., fc=25MHzKED080DXH AlGaAs8701.220110TO-46,気密封止発光径：80µm dia.KED080RAXH AlInGaP6500.620115TO-46,気密封止発光
近红外发光二极管型号峰值波长输出功率(mw)正向电压(V)封装备注数据表LED780E780nm181.75-1.95T13/4透明封装角度20 LED850W850nm81.55-1.7TO-18金属封装角度110 LED850L850nm181.55-1.7TO-18金属封装角度20 LED870E870nm221.55-1.7T13/4透明封装角度20 L8957870nm21.65mm金属封装用于光学编码器和光学开关 SE5470-003880nm2.6小于1.9TO-46金属封装发射角度20 OD880F880nm171.55TO-46金属封装发射角度8 OD880W880nm201.55TO-46金属封装发射角度80 OD880L880nm201.55TO-46金属封装发射角度35 OP232890nm8小于2TO-46金属封装角度18 OP133935nm5小于1.75TO-46金属封装角度18 SE3455-003935nm4.8小于1.7TO-46金属封装角度90 LED940E940nm181.3-1.45T13/4透明封装角度20 OPE5594940nm801.4-1.7T13/4透明封装角度20,用于烟雾探测 GL514950nm3.1-101.35-1.6TO-18金属封装角度7 LED1050E1050nm2.51.25-1.555mm透明树脂角度15度 LED1200E1200nm2.51.2-1.55mm透明树脂角度15度 LED1300E1300nm21.2-1.55mm透明树脂角度15，可做为蒸汽检测参考光源 LED1550E1550nm2