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WO2019013278A1 - バイアス制御回路及びバイアス制御方法 - Google Patents

バイアス制御回路及びバイアス制御方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019013278A1
WO2019013278A1 PCT/JP2018/026308 JP2018026308W WO2019013278A1 WO 2019013278 A1 WO2019013278 A1 WO 2019013278A1 JP 2018026308 W JP2018026308 W JP 2018026308W WO 2019013278 A1 WO2019013278 A1 WO 2019013278A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bias voltage
bias
optical phase
optical
modulation unit
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/026308
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
広人 川上
桑原 昭一郎
平野 章
Original Assignee
日本電信電話株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電信電話株式会社 filed Critical 日本電信電話株式会社
Priority to CN201880045927.3A priority Critical patent/CN110870225B/zh
Priority to US16/629,174 priority patent/US10823989B2/en
Priority to JP2019529778A priority patent/JP6826198B2/ja
Publication of WO2019013278A1 publication Critical patent/WO2019013278A1/ja

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/03Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
    • G02F1/0327Operation of the cell; Circuit arrangements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • GPHYSICS
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • H04B10/516Details of coding or modulation
    • H04B10/548Phase or frequency modulation
    • H04B10/556Digital modulation, e.g. differential phase shift keying [DPSK] or frequency shift keying [FSK]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00Function characteristic
    • G02F2203/50Phase-only modulation

Definitions

  • the present invention relates to a bias control circuit and a bias control method.
  • Priority is claimed on Japanese Patent Application No. 2017-138410, filed July 14, 2017, the content of which is incorporated herein by reference.
  • a QAM Quadrature Amplitude Modulation
  • the simplest QAM is 4-ary QAM, which is called QPSK (Quadrature Phase Shift Keying).
  • QPSK Quadrature Phase Shift Keying
  • the explanation will be mainly made with QPSK for simplicity, but the present application is not limited to QPSK, and can be used for all QAM signals.
  • FIG. 6 is a diagram showing a typical configuration example of an optical transmitter that generates an n 2 -ary QAM signal using an IQ optical modulator according to the prior art. For the sake of simplicity, here, complicated processing such as pre-dispersion compensation is not performed.
  • the CW light (continuous light) input to the IQ optical modulator M is split into two by the first optical coupler 1 and input to the first optical phase modulation unit 2 and the second optical phase modulation unit 3 Be done.
  • the first optical phase modulation unit 2 and the second optical phase modulation unit 3 are usually configured by an MZI (Mach-Zehnder Interferometer) type optical modulator, and a first n-value data signal Data 1 , Has a function of relatively changing the light phase or the light intensity corresponding to the logic of Data 1 and the second n-value data signals Data 2 and Data 2.
  • MZI Machine-Zehnder Interferometer
  • the output of the first optical phase modulation unit 2 and the output of the second optical phase modulation unit 3 have a position of ⁇ 3 by the optical phase shifter 4 having an orthogonal bias electrode 101 to which a third bias voltage described later is applied.
  • a signal obtained by multiplexing by the second optical coupler 5 is output as an n 2 -level optical QAM signal.
  • the best optical QAM signal is obtained when the light phase difference ⁇ 3 is + ⁇ / 2 or ⁇ / 2. This corresponds to 1 ⁇ 4 of the carrier wavelength, but the tuning is very severe as the wavelength is generally on the order of micrometers.
  • the optical quality of the optical QAM signal is sensitive to the error of the optical phase shifter 4, it is extremely important to adjust the amount of phase change of the optical phase shifter 4 to the correct value.
  • the optical phase shifter 4 is disposed downstream of the second optical phase modulator 3.
  • the optical phase shifter 4 may be disposed downstream of the first optical phase modulator 2.
  • both of them may be provided with an optical phase shifter.
  • the light phase shifter is disposed only at the subsequent stage of the second light phase modulation unit 3.
  • n values of each of the first n-value data signal and the second n-value data signal, and the optical phase at the output of the first optical phase modulation unit 2 and the second optical phase modulation unit 3 And the relationship of light intensity will be described.
  • an MZI type optical modulator for the first optical phase modulator 2 and the second optical phase modulator 3.
  • the first optical phase modulator 2 is driven by a first n-value data signal
  • the second optical phase modulator 3 is driven by a second n-value data signal.
  • Each of these data signals is an n-value signal.
  • the first drive amplifier 6 amplifies the first n-value data signal into two types of signals of positive phase and negative phase to generate Data 1 and Data 1
  • the second drive amplifier 7 generates a second n-value data signal.
  • the value data signal is amplified into two types of signals of positive phase and negative phase to generate Data 2 and Data 2.
  • the amplified n-value data signals Data1 and Data1 are respectively applied to the two arms of the first optical phase modulator 2 via the first drive signal electrodes 61a and 61b, as shown in FIG. As shown, a phase shift of ⁇ ⁇ 1 occurs.
  • the amplified n-value data signals Data2 and Data2 are respectively applied to the two arms of the second optical phase modulation unit 3 via the second drive signal electrodes 71a and 71b, As shown in FIG. 6, a phase shift of ⁇ ⁇ 2 occurs.
  • the value of the phase delay phi 1 and phi 2 is changed in response to the value of n species with each data signal.
  • first bias power supply 8 and the first differential output DC amplifier 203 generate DC voltages (data bias voltages) V bias1 and -V bias1 , and via the first data bias electrodes 81a and 81b, The optical phase shift of + ⁇ 1 and ⁇ 1 is further added.
  • second bias power supply 9 and the second differential output DC amplifier 204, DC voltage (data bias voltage) V bias2, the -V bias2 occurs, the second data bias electrode 91a, through the 91b , + ⁇ 2 and ⁇ 2 are further added.
  • the notations of the various voltages are defined as follows.
  • the n types of signal levels possessed by the differential signal (Data 1 to Data 1) generated by the first drive amplifier 6 are represented by V 0 , V 1 ,... V m , -V m ,... -V 1 , -V 0
  • V 0 to V m 0.
  • m (n / 2) ⁇ 1.
  • the differential signal (Data 2-Data 2) generated by the second drive amplifier 7 has n
  • the types of signal levels are also V 0 , V 1 ,... V m , -V m ,... -V 1 , -V 0 .
  • V bias1, V bias2 the first optical phase modulating portion 2 and the second optical phase modulating unit 3 chosen so biased to null point. That is, when the differential voltage of the signal generated by the first drive amplifier 6 and the second drive amplifier 7 is 0, the output light of the first optical phase modulation unit 2 and the second optical phase modulation unit 3 Set to quench.
  • the IQ optical modulator M shown in FIG. 6 has a configuration in which each drive signal electrode applies opposite voltages of positive and negative to two waveguides, and a total of four electrodes exist.
  • This type of IQ optical modulator is called dual drive type.
  • the single drive type IQ optical modulator has only two drive signal electrodes. In such a configuration, an electric field is simultaneously applied to the two optical waveguides in the first optical phase modulation unit 2 by the first drive signal electrode, and a second optical phase modulation unit is formed by the second drive signal electrode. An electric field is simultaneously applied to the two optical waveguides inside 3. The anisotropy of these four optical waveguides can realize the same function as that of the dual drive type.
  • the n-value data signals applied to the first drive signal electrode and the second drive signal electrode are V 0 , V 1 ,... V m , ⁇ V m ,.
  • There are n types of voltages -V 1 and -V 0 and the amplitude of each drive signal is set so as not to exceed twice the half-wave voltage V ⁇ .
  • the above description relates to V ⁇ in the RF ports (the first drive signal electrodes 61a and 61b, and the second drive signal electrodes 71a and 71b), but the DC ports to which bias voltages are applied are also V ⁇ . Can be defined.
  • V bias1 As V bias1 is increased, the optical phase ⁇ 1 also changes, but the amount of change in bias voltage (FIG. 6) is required to increase the optical phase difference between the optical waveguides (2 ⁇ ⁇ 1 in the configuration of FIG. 6) by ⁇ .
  • the change amount of 2 ⁇ V bias1 is V ⁇ in the DC port (the first data bias electrodes 81 a and 81 b).
  • the second data bias electrodes 91a and 91b In the quadrature bias electrode 101, the change in the bias voltage required optical phase theta 3 to increase by [pi (change in V bias3 in the configuration of FIG. 6) becomes the V ⁇ of DC ports (quadrature bias electrode 101).
  • the electric field E 2 of the second optical phase modulating portion 3 of the output light, V 0, also the relationship between -V 0 and V bias2, is the same as FIG.
  • the graph in FIG. 7 is a slope rising to the right, the graph may be a slope falling to the right if E 1 and E 2 are 0 when the drive signal is 0.
  • the direction of the inclination is important when performing signal processing such as pre-dispersion compensation, but the description is omitted here.
  • the constellation of the output light of the IQ light modulator M is in the form of a grid as shown in FIG.
  • the light electric field E 1 and the light electric field E 2 are respectively an In-Phase component and a Quadrature component, and these may be abbreviated as an I component and a Q component.
  • FIG. Figure 9 is a block diagram showing a configuration of n 2 values QAM transmitter comprising a bias control circuit.
  • Asymmetric bias dithering V 0, V 1, ... at least one of V m is smaller than V [pi, and the ⁇ V bias1 and ⁇ V bias2 superposing slow dither signals whose phases are orthogonal.
  • ⁇ V bias1 and each dither signal applied to each of the ⁇ V bias2 in decoding the forward ⁇ cos ( ⁇ d ⁇ t) to be expressed as ⁇ sin ( ⁇ d ⁇ t) .
  • t time
  • ⁇ d is angular frequency.
  • the dither signal of cos ( ⁇ d ⁇ t) output from the first oscillator 82 is superimposed on the output voltage of the first bias power supply 8 by the first adder 83, and the second oscillator 92 is generated. This is realized by superimposing the sin ( ⁇ d ⁇ t) dither signal output from the second adder 93 on the output voltage of the second bias power supply 9.
  • V bias1, V bias2 and V bias3 are optimal value near when the other one is shifted from the optimum value by the bias drift, the modulator output (output light from the IQ modulator M
  • optical power is a value that is much longer than the symbol period of the signal (typically 100 psec) and averaged over a shorter period than the dithering period (typically 1 msec). I assume.
  • Non-Patent Documents 1 to 3 when V bias1 is drifting, the optical power of the modulator output fluctuates in synchronization with cos ( ⁇ d ⁇ t). When V bias2 drifts, the optical power of the modulator output fluctuates in synchronization with sin ( ⁇ d ⁇ t). When V bias3 is drifting, the optical power of the modulator output fluctuates in synchronization with sin (2 ⁇ d ⁇ t). This property can be used to correct the drift of each bias and control the bias voltage.
  • This control can be realized as follows.
  • the modulator output light is branched by the light branching coupler 11, and the light power is monitored by the light power monitor 12.
  • the value of the obtained optical power is synchronously detected using the first synchronous detection circuit 84, the second synchronous detection circuit 94, and the third synchronous detection circuit 103.
  • the reference clock of each synchronous detection circuit uses the outputs of the first oscillator 82 and the second oscillator 92 described above and the third oscillator 102.
  • the third oscillator 102 outputs a sine wave of sin (2 ⁇ d ⁇ t).
  • the synchronous detection result obtained by the first synchronous detection circuit 84, the second synchronous detection circuit 94 and the third synchronous detection circuit 103 has a positive or negative value determined by the magnitude and direction of the drift of each bias.
  • the first bias power supply 8 and the second bias are supplied via the first loop gain adjustment circuit 504, the second loop gain adjustment circuit 505, and the third loop gain adjustment circuit 503.
  • each bias can be maintained at an appropriate value.
  • V bias1 drifts, when shifted from the optimum value (null point) by an amount [Delta] V bias1, showing an example of the output of the first synchronous detection circuit 84 in the simulation.
  • the unit of the horizontal axis ⁇ V bias1 is V ⁇ .
  • a plurality of zero crossing points of slopes rising to the right or falling to the right appear. These two types of zero cross points correspond to the maximum value or the minimum value of the modulator output light, respectively.
  • V bias1 0
  • the first loop gain adjustment circuit 504 is used to decrease V bias1 if the output of the first synchronous detection circuit 84 is positive, and increase V bias1 if the output of the first synchronous detection circuit 84 is negative.
  • V bias1 ⁇ 2 V ⁇
  • V bias1, V bias2 and V bias3 have been described as to drift. However, immediately after that it initiated the bias control process, V bias1, V bias2 and V bias3 are not necessarily located in the respective optimum values. If multiple biases are drifting at the same time, the synchronous detection characteristics become complicated because the biases of each bias cause an interaction.
  • the drift amount [Delta] V bias2 of V bias2 is -0.2Buipai, under the condition that the drift amount [Delta] V bias3 of V bias3 is + a 0.2Buipai, and [Delta] V bias1 output relationship of the first synchronous detection circuit 84 Shown by simulation. As compared with FIG. 10, the zero cross point of the slope rising to the right is significantly shifted (see the arrow in FIG. 11). For this reason, the feedback loop causes V bias1 to converge to an incorrect value.
  • Patent Document 1 proposes a start-up sequence that enables correct bias control even when a plurality of biases deviate from the optimal value at the same time. This technique utilizes the symmetry of the variation of the synchronous detection characteristic that occurs when V bias3 is varied by half-wave voltage V ⁇ .
  • FIG. 12A to 12C are diagrams showing examples of constellation of n 2 -level optical QAM signal.
  • n 2
  • the optical power P of the optical QAM signal is proportional to the sum of squares of the magnitudes of the vectors of the optical fields of the symbols A to D. As shown in FIG.
  • FIG. 12A shows the constellation when the [Delta] V bias1 drifts by -0.5Buipai
  • FIG. 12C shows a constellation in a case where [Delta] V bias1 drifts by + 0.5V ⁇ .
  • the symbols 14A, 14B and 14C shown in the graph of the figure correspond to the constellations of FIGS. 14A, 14B and 14C, respectively.
  • FIGS. 16A to 16C are obtained.
  • the positional relationship between the constellation and the origin interchanges FIGS. 14A and 14C with FIGS. 16A and 16C. That is, when FIG. 16C is rotated by 180 degrees, although the arrangement of symbols and the positive or negative of the E1 axis change, the positional relationship between the shape of the constellation and the origin becomes the same as FIG. 14A. Further, when FIG. 16A is rotated by 180 degrees, although the arrangement of symbols and the positive or negative of the E1 axis change, the positional relationship between the shape of the constellation and the origin becomes the same as FIG. 14C.
  • Deviation d2 from [Delta] V bias1 0 the value of [Delta] V bias1 that optical power P is the minimum value is opposite sign to the FIG. 15 (see arrows in FIG. 17).
  • the present invention has an object to provide a bias control circuit and a bias control method capable of causing a bias value of an optical transmitter for multilevel QAM to converge more quickly.
  • One aspect of the present invention is a bias control circuit that performs bias control of an optical modulator, wherein the optical modulator is a first n-value data having n types of values of phase or intensity of input light.
  • a first optical phase modulation unit that changes according to a signal
  • a second optical phase modulation unit that changes the phase or intensity of input light according to a second n-value data signal having n types of values
  • providing an optical phase difference of + ⁇ / 2 or - ⁇ / 2 by delaying at least one of the output light from the first optical phase modulation unit and the output light from the second optical phase modulation unit.
  • An optical phase shifter and combining the output light from the first optical phase modulation unit to which the optical phase difference is given by at least one of the optical phase shifters and the output light from the second optical phase modulation unit And a multiplexer that outputs multi-level QAM signals generated by A first bias voltage for setting the light output from the first optical phase modulation unit to be extinguished when the first n-value data signal is at a zero level; And a second bias voltage for setting the output light from the second optical phase modulator to be extinguished when the second n-value data signal is at zero level.
  • a second bias power source for generating a third bias power source for generating a third bias voltage for adjusting the phase shift amount of the optical phase shifter, and the optical power of the output light from the optical modulator The first bias voltage generated by the first bias power supply, the second bias voltage generated by the second bias power supply, and the optical power monitor to be monitored and the monitor result by the optical power monitor And a controller configured to control the third bias voltage generated by the third bias power supply, the controller fixing the second bias voltage and setting the third bias voltage to a half-wave voltage.
  • a set of a first candidate bias voltage which is the first bias voltage and a second candidate bias voltage when the light power is controlled to converge near the maximum value or the minimum value before and after the increase or decrease, respectively.
  • Loop processing is repeated while changing the second bias voltage in a predetermined range, and the difference between the first candidate bias voltage and the second candidate bias voltage is generated for each of the plurality of sets recorded.
  • one embodiment of the present invention is a bias control circuit which performs bias control of an optical modulator, and the optical modulator is characterized by the first n having n types of values of phase or intensity of input light.
  • a first optical phase modulation unit that changes according to the value data signal, and a second optical phase that changes the phase or intensity of the input light according to a second n-value data signal having n types of values
  • Combining unit that outputs multi-level QAM signal generated by combining
  • the bias control circuit is configured to set so that the output light from the first optical phase modulation unit is extinguished when the first n-value data signal is at zero level.
  • a second bias power supply for generating a bias voltage of the second light source, and a second bias power supply for setting the output light from the second optical phase modulator to be extinguished when the second n-value data signal is at a zero level
  • a third bias power supply generating a third bias voltage for adjusting the amount of phase shift of the optical phase shifter, and a third bias power supply generating a bias voltage of An optical power monitor for monitoring optical power, and the first bias voltage generated by the first bias power supply and the second bias generated by the second bias power supply based on the monitoring result by the optical power monitor
  • a control unit for controlling the third bias voltage generated by the third bias power supply, the control unit fixing the second bias voltage and controlling the first n-value data signal The predetermined frequency to be superimposed on the optical power
  • the loop process is repeated while changing the bias voltage of 2 within a predetermined range, and the first candidate bias voltage and the second candidate via are repeated for each of the plurality of sets recorded. Calculating a difference from the voltage, and generating a value between the first candidate bias voltage and the second candidate bias voltage of a selected set based on the calculated difference from the first bias power supply; A voltage determination process determined as a bias voltage of 1 is performed.
  • control unit may determine that the second bias voltage is to be generated from the second bias power supply when the selected set is obtained.
  • control unit performs the loop processing and the voltage determination processing by switching the first bias voltage and the second bias voltage, and generates the second bias power supply.
  • the second bias voltage may be determined.
  • control unit controls the third bias voltage using the determined first bias voltage and the determined second bias voltage, and The lifting process may be ended.
  • the Pockels effect or the thermal expansion of the optical waveguide may be used to adjust the optical phase by the first bias voltage, the second bias voltage, and the third bias voltage.
  • One aspect of the present invention is a bias control method of an optical modulator performed by a bias control circuit, wherein the optical modulator has a phase or intensity of input light, and a first n having n types of values.
  • a first optical phase modulation unit that changes according to the value data signal, and a second optical phase that changes the phase or intensity of the input light according to a second n-value data signal having n types of values
  • the first bias power supply extinguishes the output light from the first optical phase modulator when the first n-value data signal is at a zero level.
  • Generating a first bias voltage for setting the second light source and the second bias power supply is configured to extinguish the output light from the second optical phase modulator when the second n-value data signal is at a zero level
  • the second bias power supply generates the first bias voltage generated by the first bias power supply and the second bias power supply generates the second bias power supply based on the monitoring result of the optical power of the output light from the optical modulator.
  • Bias electricity And a bias voltage control step of controlling the third bias voltage generated by the third bias power supply, the control unit fixing the second bias voltage and setting the third bias voltage to a half-wave voltage Of the first candidate bias voltage and the second candidate bias voltage which are the first bias voltage when the light power is controlled to converge in the vicinity of the maximum value or the minimum value before and after each increase or decrease.
  • a loop processing step of repeating a process of recording a set while changing the second bias voltage within a predetermined range; and the control unit is configured to select the first candidate bias for each of the plurality of sets recorded in the loop processing step. Calculating a difference between the voltage and the second candidate bias voltage, and selecting the first candidate pair selected based on the calculated difference;
  • a value between the scan voltage and the second candidate bias voltage has a voltage determination step of determining as said first bias voltage generated from the first bias power.
  • One aspect of the present invention is a bias control method of an optical modulator performed by a bias control circuit, wherein the optical modulator has a phase or intensity of input light, and a first n having n types of values.
  • a first optical phase modulation unit that changes according to the value data signal, and a second optical phase that changes the phase or intensity of the input light according to a second n-value data signal having n types of values
  • the first bias power supply extinguishes the output light from the first optical phase modulator when the first n-value data signal is at a zero level.
  • Generating a first bias voltage for setting the second light source and the second bias power supply is configured to extinguish the output light from the second optical phase modulator when the second n-value data signal is at a zero level
  • the second bias power supply generates the first bias voltage generated by the first bias power supply and the second bias power supply generates the second bias power supply based on the monitoring result of the optical power of the output light from the optical modulator.
  • Bias electricity And a bias voltage control step of controlling the third bias voltage generated by the third bias power supply, the control unit fixing the second bias voltage, and an amplitude of the first n-value data signal.
  • dithering of a predetermined frequency is added to the first bias voltage and the third bias voltage is increased or decreased by a half-wave voltage before and after each of the predetermined frequency superimposed on the optical power.
  • the difference between the first candidate bias voltage and the second candidate bias voltage is calculated, and between the first candidate bias voltage and the second candidate bias voltage of a set selected based on the calculated difference. Determining a value of V as the first bias voltage generated from the first bias power supply.
  • the present invention it is possible to make the bias value of the optical transmitter for multilevel QAM converge more quickly.
  • Embodiments of the present invention relate to automatic bias voltage control of a multilevel QAM optical transmitter.
  • the present invention relates to a controller that controls a startup sequence that controls bias to an optimal value more reliably at the start of automatic control.
  • V biasj (j the light power P becomes the maximum value or the minimum value Consider the case where the condition that “1, 2) hardly changes” is satisfied.
  • V biasj (j the light power P becomes the maximum value or the minimum value
  • 18A and 18B are a diagram showing the constellation before and after the n 2 value light QAM signal of the theta 3 was ⁇ decrease when d1 and d2 are equal.
  • n 2.
  • FIG. 18A shows the constellation before ⁇ 3 has been increased by ⁇
  • FIG. 18B shows the constellation after ⁇ 3 has been increased by ⁇ .
  • the shape of the constellation of which the arrangement of the symbols are interchanged is the same, the positional relationship between the shape and origin of the constellation is unchanged.
  • Figure 19 is a graph showing changes in optical power P before and after the theta 3 was ⁇ decrease.
  • ⁇ V bias2 0.0
  • Conditions such as drive amplitude are the same as those in FIGS.
  • V bias1 and d2 (Fig. 15, see FIG. 17) for determining the V bias1, V bias2 from locate a region having a small absolute value of, for example Even when the configuration of the IQ light modulator is not ideal, ABC can be realized with higher accuracy than the technique shown in Patent Document 1.
  • the value of the optical power P of the output of the IQ modulator controls the V bias1 and V bias2 so that the maximum or minimum value. Whether the optical power P takes the maximum value or the minimum value when the respective bias values are optimum depends on the drive amplitude and the signal format, so the discriminant D shown in Non-Patent Document 2 etc. Need to be
  • V bias1 or V bias2 The dither detection is performed to perform synchronous detection, and the synchronous detection result may be set to 0 after selecting the slope of the synchronous detection result.
  • FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an optical transmitter 100 according to a first embodiment of the present invention.
  • the optical transmitter 100 is an n 2 QAM transmitter.
  • the optical transmitter 100 includes an IQ optical modulator M, a first drive amplifier 6, a second drive amplifier 7, and a bias control circuit 400.
  • the bias control circuit 400 includes an optical demultiplexing coupler 11, an optical power monitor 12, a first oscillator 82, a first synchronous detection circuit 84, a first loop gain adjustment circuit 504, a first bias power supply 8, and a first addition.
  • a first differential output DC amplifier 203, a second oscillator 92, a second synchronous detection circuit 94, a second loop gain adjustment circuit 505, a second bias power supply 9, a second adder 93, A second differential output DC amplifier 204, a third oscillator 102, a third synchronous detection circuit 103, a third loop gain adjustment circuit 503, a third bias power supply 10, and a controller 600 are provided.
  • the optical transmitter 100 shown in FIG. 1 differs from the QAM transmitter shown in FIG. 9 in that the bias control circuit 400 which is an ABC circuit includes a controller 600.
  • the first drive amplifier 6 amplifies the first n-value data signal into two types of signals of positive phase and negative phase to generate Data 1 and Data 1.
  • the second drive amplifier 7 amplifies the second n-value data signal into two types of signals of positive phase and negative phase to generate Data 2 and Data 2.
  • the IQ optical modulator M is similar to the configuration shown in FIG. 6 and generates an n 2 -ary QAM signal.
  • the first optical coupler 1 (FIG. 6) divides the CW light (continuous light) into two, and the first optical phase modulator 2 (FIG. 6) and the second optical phase modulator 3 (FIG. 6) Enter in
  • the first optical phase modulation unit 2 (FIG. 6) branches the CW light input from the first optical coupler 1 (FIG. 6) into two waveguides, and Data 1 and ⁇ generated by the first drive amplifier 6 Data 1 is applied to the optical signal of each waveguide via the first drive signal electrodes 61a and 61b.
  • the first data bias electrodes 81a and 81b perform optical phase shifts of + ⁇ 1 and ⁇ 1 by DC voltages (first bias voltages) V bias1 and ⁇ V bias1 from the first differential output DC amplifier 203. to add.
  • the first optical phase modulation unit 2 (FIG. 6) multiplexes the optical signals of the two waveguides whose optical phase differences are adjusted, and then outputs the optical signal obtained by multiplexing.
  • the second optical phase modulation unit 3 branches the CW light input from the first optical coupler 1 (FIG. 6) into two waveguides, and Data 2 and ⁇ generated by the second drive amplifier 7 Data 2 is applied to the optical signal of each waveguide via the second drive signal electrodes 71a and 71b.
  • Second data bias electrode 91a, 91b is the DC voltage from the second differential output DC amplifier 204 (second bias voltage) V bias2 and -V bias2, of + theta 2 and - [theta] 2 optical phase shift to add.
  • the second optical phase modulation unit 3 (FIG. 6) multiplexes the optical signals of the two waveguides whose optical phase differences are adjusted, and then outputs the optical signal obtained by multiplexing.
  • At least one of the output of the first optical phase modulator 2 and the output of the second optical phase modulator 3 is ⁇ 3 by the optical phase shifter 4 (FIG. 6) having the orthogonal bias electrode 101 to which the orthogonal bias voltage is applied.
  • the phase difference is added, and the signal obtained by multiplexing is output by the second optical coupler 5 (FIG. 6) as an n 2 -level QAM optical signal.
  • the optical demultiplexing coupler 11 branches the output light from the IQ optical modulator M and outputs the branched light to the optical power monitor 12.
  • the optical power monitor 12 monitors the optical power of the output light branched by the optical demultiplexing coupler 11.
  • the first synchronous detection circuit 84 performs synchronous detection based on the reference clock output from the first oscillator 82 and the monitoring result of the optical power monitor 12.
  • the first synchronous detection circuit 84 feeds back the synchronous detection result as an error signal to the first bias power supply 8 through the first loop gain adjustment circuit 504.
  • the first adder 83 superimposes the dither signal of cos ( ⁇ d ⁇ t) output from the first oscillator 82 on the output voltage of the first bias power supply 8.
  • the first differential output DC amplifier 203 supplies DC voltages V bias1 and ⁇ V bias1 generated from the output voltage of the first adder 83 to the first data bias electrodes 81a and 81b.
  • the second synchronous detection circuit 94 performs synchronous detection based on the reference clock output from the second oscillator 92 and the monitor result of the optical power monitor 12.
  • the second synchronous detection circuit 94 feeds back the synchronous detection result as an error signal to the second bias power supply 9 via the second loop gain adjustment circuit 505.
  • the second adder 93 superimposes the sin ( ⁇ d ⁇ t) dither signal output from the second oscillator 92 on the output voltage of the second bias power supply 9.
  • the second differential output DC amplifier 204 supplies the DC voltages V bias2 and ⁇ V bias2 generated from the output voltage of the second adder 93 to the second data bias electrodes 91 a and 91 b.
  • the third synchronous detection circuit 103 performs synchronous detection based on the reference clock output from the third oscillator 102 and the monitoring result of the optical power monitor 12.
  • the third synchronous detection circuit 103 feeds back the synchronous detection result as an error signal to the third bias power supply 10 via the third loop gain adjustment circuit 503.
  • the third bias power supply 10 supplies the orthogonal bias voltage V bias3 to the orthogonal bias electrode 101.
  • the controller 600 controls the first bias power supply 8, the second bias power supply 9, and the third bias power supply 10 with reference to the above-described three error signals obtained from the monitoring result of the optical power monitor 12, first bias power source 8, by changing the V bias1, V bias2 and V bias3 output from each of the second bias power supply 9 and the third bias power source 10, which changes are documented.
  • the controller 600 moves these three types of control loops by time sharing in the start-up sequence immediately after the transmitter start-up. Order performs control of the data bias V bias1 or V bias2 earlier, then controls the V bias3. Although both the control of the control and V bias2 of V bias1 is may be a first, here assumed to be controlled before the V bias1.
  • FIG. 2 is a flow chart showing processing of the bias control circuit 400. The process of each step of the start-up sequence will be described using the flow shown in FIG.
  • step S105 the controller 600 fixes the value of V bias2 and V bias3 to the initial value. This is realized by sending a command from the controller 600 to the second loop gain adjustment circuit 505 and the third loop gain adjustment circuit 503, and setting these loop gains to 0 ( ⁇ dB dB).
  • step S110 the controller 600 substitutes an initial value 1 for the variable j.
  • This variable j is a variable indicating the number of rows in the data table.
  • step S115 the controller 600 controls V bias1 so that the output of the first synchronous detection circuit 84 approaches zero. More specifically, when the controller 600 adds dithering of the frequency f to the amplitude of V bias 1 , the frequency component of an integral multiple of the frequency f superimposed on the output from the optical power monitor 12 becomes near 0. To control V bias1 . This is realized by sending a command from the controller 600 to the first loop gain adjustment circuit 504 and setting the loop gain to an appropriate value. The optimum magnitude of the loop gain is determined by the power of the CW light input to the IQ light modulator M and the sensitivity of the light power monitor 12. The positive or negative of the feedback signal is determined by the positive or negative of the slope of the target 0 cross point.
  • step S120 the controller 600 records the convergence value of V bias1 in the first column j row of the data table, and the process proceeds to step S125.
  • step S125 the controller 600 increases V bias3 by V ⁇ .
  • step S130 the controller 600 moves the control loop for only V bias1 so that the output of the first synchronous detection circuit 84 approaches 0, as in step S115.
  • step S135 the controller 600 records the convergence value of V bias1 in the second column j row of the data table, and the process proceeds to step S140.
  • step S140 the controller 600 records the value of V bias2 in the third column j row of the data table.
  • step S145 the controller 600 increases the value of V bias2 by a predetermined step width.
  • step S150 the controller 600, a result of increasing the value of V bias2, determines whether falls within Scope of V bias2 is predetermined. If it is determined that V bias2 is within the inspection range, the controller 600 performs the process of step S155, adds 1 to the value of j, and the process returns to step S115.
  • step S150 when the controller 600 determines that V bias2 has exceeded the predetermined inspection range, the controller 600 exits the loop, and the process proceeds to step S160.
  • step S160 the controller 600 checks the data table to obtain j which minimizes the difference between the values in the first and second columns.
  • step S165 the controller 600 fixes the value of V bias1 to the average value of the j-th row and the first column and the j-th row and the second column of the data table.
  • step S170 the controller 600 fixes the value of V bias2 to the value of the j-th row and the third column of the data table.
  • the bias control circuit 400 ends the startup sequence of ABC, shifts to the normal operation state, and performs ABC in service.
  • the optical power of the output of the IQ optical modulator is determined in step S115 and step S130 of FIG.
  • V bias1 may be controlled to maximize or minimize the value of power P. Further, whether V bias1 should be maximum or minimum can be uniquely determined using the discriminant D shown in Non-Patent Document 2 as described above.
  • V bias3 is changed to V bias3 + V ⁇ in step S125.
  • V bias3 may be increased by V ⁇ , and if j is an even number, V bias3 may be decreased by V ⁇ (or vice versa).
  • the loop is repeated until V bias2 exceeds the examination range, but the difference between the values of the first and second columns in the j-th row and the second column of the data table is 0 during the loop. If it does, then there is no need to loop around and collect data. However as a practical matter, the circuit noise and IQ modulator M of imperfections in the first synchronous detection circuit 84, and step size V bias2 is because it is non-zero, the first column of the data table and the second column The probability that the difference between the values is exactly zero is very small. Therefore, the controller 600 calculates the difference between the first column and the second column in the j-th row of the data table between step S140 and step S145 in FIG. 2, and the value is smaller than a predetermined threshold value. If it does, the loop is exited, and the processing from step S160 may be performed according to the value of j at that time.
  • the size of the step width of V bias2 is the size of the error ( ⁇ V bias2 ) of V bias2 at the end of the start-up sequence. Decide. The smaller the step size, the smaller the error, but the longer the convergence time. To solve this problem, in the second embodiment, at the time of the completion of the step S105 ⁇ step S165 of FIG. 2, again repeats steps S105 ⁇ step S165 after having replaced the V bias1 and V bias2.
  • step S205 to step S250 in FIG. 3 are flowcharts showing processing of the bias control circuit 400 of the present embodiment.
  • the processing of the bias control circuit 400 from step S205 to step S250 in FIG. 3 is substantially the same as step S105 to step S155 in FIG. 2 of the first embodiment, but in the present embodiment, step S140 in FIG. Otherwise, the value of Vbias2 is not recorded in the third column of the data table.
  • the bias control circuit 400 After interchanging the V bias1 and V bias2, it performs substantially the same processing as to the steps S205 ⁇ step S250 of FIG. However, in steps S320 and S335, candidate values of V bias2 are recorded in the third and fourth columns of the data table.
  • step S305 the controller 600 fixes the values of V bias1 and V bias3 to the initial values, and substitutes the initial value 1 for the variable j in step S310.
  • step S315 the controller 600 controls V bias2 so that the output of the second synchronous detection circuit 94 approaches 0, and after the control loop converges, in step S320, the convergence value of V bias2 is set to the third value of the data table. Record in column j row.
  • step S325 the controller 600 increases V bias3 by V ⁇ .
  • step S330 the controller 600 moves the control loop for only V bias2 so that the output of the second synchronous detection circuit 94 approaches 0, and after the control loop converges, the convergence value of V bias2 is data table in step S335.
  • step S340 the controller 600 increases the value of V bias1 by a predetermined step width, and in step S345, determines whether the increased V bias1 falls within a predetermined investigation range. If it is determined that the increased V bias1 is within the inspection range, the controller 600 performs the process of step S350, adds 1 to the value of j, and the process returns to step S315. In step S345, when the controller 600 determines that V bias1 has exceeded the predetermined inspection range, the controller 600 exits the loop, and the process proceeds to step S355.
  • Steps S355 and S360 in FIG. 4 are the same as steps S160 and S165 in the first embodiment shown in FIG. That is, in step S 355, the controller 600 checks the data table to obtain j that minimizes the difference between the values in the first column and the second column. In step S360, the controller 600 fixes the value of V bias1 to the average value of the j-th row and the first column and the j-th row and the second column of the data table.
  • step S365 and step S370 in FIG. 4 the controller 600 uses the third column of the data table, and a fourth column, to secure the V bias2 in the same manner as V bias1. That is, in step S365, the controller 600 checks the data table and obtains j that minimizes the difference between the values in the third and fourth columns. In step S370, the controller 600 fixes the value of V bias2 to the average value of the j-th row and the third column and the j-th row and the fourth column of the data table.
  • the bias control circuit 400 ends the startup sequence of ABC, shifts to the normal operation state, and performs ABC in service.
  • the value is the maximum or minimum value of the optical power P of the output of the IQ modulator M, or with controlled V bias1, V bias2 so that the vicinity of the maximum or minimum value.
  • the method described in Non-Patent Document 3 can be used.
  • FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of an optical transmitter 100a according to a variation of the first and second embodiments in which the method described in Non-Patent Document 3 is used in combination.
  • the optical transmitter 100a shown in this figure differs from the optical transmitter 100 shown in FIG. 1 in that a bias control circuit 400a is provided instead of the bias control circuit 400.
  • the bias control circuit 400a includes a controller 600a in place of the controller 600 shown in FIG.
  • the first switch 301 is provided in part of the output of the first oscillator 82.
  • the first switch 301 is periodically switched by the controller 600a.
  • V bias1 the output of the first oscillator 82 is sent to the gain adjustment terminal of the first drive amplifier 6 to dither the drive amplitude.
  • V bias 3 the output of the first oscillator 82 is sent to the first adder 83 to dither V bias 1.
  • the second switch 311 is provided in part of the output of the second oscillator 92.
  • the second switch 311 is periodically switched by the controller 600a.
  • the time control of the V bias2 the output of the second oscillator 92 is sent to the gain adjustment terminal of the second driving amplifier 7 by the second switch 311 to dither the drive amplitude.
  • the time control of the V bias3 output of the second oscillator 92, the second switch 311 is sent to a second adder 93, to dither the V bias2.
  • V bias1 is controlled so that the output of the synchronous detection circuit 84 is not zero but approaches maximum or minimum. More specifically, when the controller 600a adds dithering of the frequency f to the drive amplitude of the first drive amplifier 6, the frequency component of an integral multiple of the frequency f superimposed on the output from the optical power monitor 12 is Control V bias1 to be the maximum or minimum proximity.
  • the controller 600a controls V bias2 so that the output of the second synchronous detection circuit 94 is not 0 but approaches maximum or minimum in steps S315 and S330 in FIG. Whether to select the maximum or the minimum is determined by the sign of the proportionality factor between the control signal to the gain adjustment terminal and the increase or decrease of the actual gain.
  • the drive amplitude-independent by the present embodiment becomes possible to control the V bias1, V bias2.
  • Vbias1 or Vbias2 should be controlled so that the output of the first synchronous detection circuit 84 or the output of the second synchronous detection circuit 94 approaches to the gain adjustment terminal It depends on the positive / negative of the proportionality factor of the control signal of and the increase / decrease of the actual gain.
  • the first embodiment describes the synchronous detection results by dithering the V bias1 or V bias2 configuration to 0, when the object of synchronous detection is higher dither frequency component, synchronous detection result In some cases it is better not to have 0 as a maximum or a minimum. Therefore, whether the synchronization detection result should be approached to maximum, minimum or 0 may be confirmed experimentally by device testing when the signal format and the configuration of the synchronization detection circuit are determined.
  • the optical transmitter controls the bias of the optical modulator (for example, the IQ optical modulator M) and the optical modulator ( For example, the bias control circuit 400, 400a).
  • the optical modulator includes a first optical phase modulator (for example, a first optical phase modulator 2), a second optical phase modulator (for example, a second optical phase modulator 3), and an optical phase shifter. (For example, an optical phase shifter 4) and a multiplexer (for example, a second optical coupler 5).
  • the first optical phase modulation unit changes the phase or intensity of the input light according to the first n-value data signal having n types of values, and outputs the light whose phase or intensity is changed.
  • the second optical phase modulation unit changes the phase or intensity of the input light according to a second n-value data signal having n types of values, and outputs the light whose phase or intensity is changed.
  • the optical phase shifter delays the output light from the first optical phase modulator and / or the output light from the second optical phase modulator by delaying the output light to + ⁇ / 2 or ⁇ / 2.
  • the combining unit is formed by combining the output light from the first optical phase modulation unit and the output light from the second optical phase modulation unit, at least one of which is provided with the optical phase difference by the optical phase shifter. Output a QAM signal of value.
  • the bias control circuit includes a first bias power supply (for example, the first bias power supply 8), a second bias power supply (for example, the second bias power supply 9), and a third bias power supply (for example, the third).
  • a bias power supply 10 for example, an optical power monitor (for example, an optical power monitor 12), and a control unit (for example, controllers 600 and 600a).
  • a first bias voltage for example, V bias1 for setting that the output light from the first optical phase modulation unit is quenched when the first n-value data signal is at zero level.
  • a second bias voltage for example, V bias2 for setting that the output light from the second optical phase modulation unit is quenched when the second n-value data signal is at zero level. Generate).
  • the third bias power supply generates a third bias voltage (eg, V bias3 ) which is a bias voltage for adjusting the phase shift amount of the optical phase shifter.
  • the optical power monitor monitors the optical power of the output light from the optical modulator.
  • the control unit generates a first bias voltage generated by the first bias power supply, a second bias voltage generated by the second bias power supply, and a third bias power supply generated based on the monitoring result of the optical power monitor. Control the bias voltage of 3.
  • the control unit fixes the second bias voltage and increases or decreases the third bias voltage by a half-wave voltage in the start-up sequence of the bias control circuit before and after the maximum or minimum light power.
  • Loop that repeats the process of recording the set of the first candidate bias voltage and the second candidate bias voltage, which is the first bias voltage when it is controlled to converge in the vicinity of, while changing the second bias voltage in a predetermined range Do the processing.
  • control unit fixes the second bias voltage and adds dithering of a predetermined frequency to the amplitude of the first n-value data signal or the first bias voltage in the startup sequence of the bias control circuit, and Third, when control is performed so that components of integral multiples of a predetermined frequency superimposed on the light power are converged to 0, maximum, or minimum, before and after the bias voltage of 3 is increased or decreased by a half-wave voltage.
  • a loop process of repeating a process of recording a set of a first candidate bias voltage and a second candidate bias voltage which is a bias voltage of 1 while changing the second bias voltage in a predetermined range is performed.
  • the n-value data signal to which dithering is not added has an amplitude because it is an RF signal, and the amplitude of the n-value data signal after dithering application slightly increases or decreases.
  • the bias voltage is DC, it does not have an amplitude, and after dithering is applied, the first bias voltage is almost constant while having a slight amplitude fluctuation.
  • the control unit calculates the difference between the first candidate bias voltage and the second candidate bias voltage for each of the plurality of sets recorded after performing any of the above loop processing, and is selected based on the calculated difference.
  • the value between the first candidate bias voltage and the second candidate bias voltage of the set, specifically, the average of the first candidate bias voltage and the second candidate bias voltage included in the selected set, the first bias A voltage determination process to be determined as a first bias voltage generated from a power supply is performed.
  • the control unit determines that the second bias power supply generates a second bias voltage when the selected set is obtained.
  • the control unit may determine the second bias voltage by switching the first bias voltage and the second bias voltage and performing the above-mentioned loop processing and voltage determination processing.
  • the control unit performs the existing automatic bias control using the determined first bias voltage and the determined second bias voltage to control the third bias voltage, and ends the start-up process of the bias control circuit. .
  • the Pockels effect or the thermal expansion of the optical waveguide is used to adjust the optical phase by the first bias voltage, the second bias voltage, and the third bias voltage.
  • the initial value of each bias at the start of operation of the control circuit is whatever value: Also, even if the imbalance in the operation of the modulator and the interaction of each bias can not be ignored, each bias can converge to an appropriate bias value without converging to an inappropriate value, and the state can be maintained. It becomes.
  • the present invention is applicable to a transmitter that generates a multilevel QAM optical signal.

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Abstract

バイアス制御回路の制御部は、第2のバイアス電圧を固定しかつ第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、光変調器が出力する多値のQAM信号の光パワを最大値又は最小値の近傍に収束させるよう制御したときの第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理を行う。制御部は、記録された複数の組それぞれについて第一候補バイアス電圧と第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した差分に基づいて選択した組の第一候補バイアス電圧と第二候補バイアス電圧との間の値を、第1のバイアス電圧の値として決定する。

Description

バイアス制御回路及びバイアス制御方法
 本発明は、バイアス制御回路及びバイアス制御方法に関する。
 本願は、2017年7月14日に日本へ出願された日本特願2017-138410号に対して優先権を主張し、その内容をここに援用する。
 光伝送システムに用いる伝送符号として、低いシンボルレートで大容量の光信号を送信可能なQAM(Quadrature Amplitude modulation)信号が注目を集めている。最も単純なQAMは4値QAMであり、QPSK(Quadrature Phase Shift Keying)と呼ばれる。本願では簡単のために主としてQPSKで説明を行うが、本願はQPSKに限らず、全てのQAM信号に用いることが可能である。なお、以下の説明において、図面及び数式上では、文字の上にバーが付与された符号があるが、明細書中では、「 ̄」の次に文字を記すことでこれを表す。
 図6は、従来技術による、IQ光変調器を用いてn値QAM信号を生成する光送信器の典型的な構成例を示す図である。簡単のために、ここでは前置分散補償などの複雑な処理は行わないものとする。IQ光変調器Mに入力されたCW光(連続光)は、第1の光カプラ1により2つに分割され、第1の光位相変調部2と第2の光位相変調部3とに入力される。これら第1の光位相変調部2及び第2の光位相変調部3は、通常、MZI(Mach-Zehnder Interferometer:マッハツェンダ干渉計)型の光変調器によって構成され、第1のn値データ信号Data1、 ̄Data1、及び第2のn値データ信号Data2、 ̄Data2のロジックに対応して、光位相または光強度を相対的に変化させる機能を持つ。
 第1の光位相変調部2の出力及び第2の光位相変調部3の出力は、後述する第3のバイアス電圧が印加される直交バイアス電極101を有する、光位相シフタ4によってθの位相差が加えられた上で、第2の光カプラ5により合波され、合波により得られた信号がn値光QAM信号として出力される。光の位相差θが+π/2または-π/2で最良の光QAM信号が得られる。これは、キャリア波長の1/4に相当するが、波長は一般にマイクロメータのオーダであるため、調整は、極めてシビアである。また、光QAM信号の光品質は、光位相シフタ4の誤差に敏感であるため、光位相シフタ4の位相変化量を正しい値に調整するのは極めて重要である。
 一般に、θの調整は、光位相シフタ4に与える、第3のバイアス電源10から供給される第3のバイアス電圧(直交バイアス電圧)Vbias3を調整することで行われる。同図において、光位相シフタ4は、第2の光位相変調部3の後段に配置しているが、第1の光位相変調部2の後段に光位相シフタ4が配置されていても良く、また、双方に光位相シフタを備えても良い。以下、説明を簡単にするために、第2の光位相変調部3の後段にのみ光位相シフタが配置されているものとする。
 次に、第1のn値データ信号及び第2のn値データ信号の各々がもつn種の値と、第1の光位相変調部2及び第2の光位相変調部3の出力における光位相及び光強度の関係について説明する。前述の通り、第1の光位相変調部2及び第2の光位相変調部3には、MZI型の光変調器を用いるのが一般的である。第1の光位相変調部2は、第1のn値データ信号により駆動され、第2の光位相変調部3は、第2のn値データ信号により駆動される。これらのデータ信号は各々、n値の信号である。第1の駆動アンプ6は、第1のn値データ信号を正相、逆相の2種類の信号に増幅してData1及び ̄Data1を生成し、第2の駆動アンプ7は、第2のn値データ信号を正相、逆相の2種類の信号に増幅し、Data2及び ̄Data2を生成する。
 増幅されたn値データ信号Data1及び ̄Data1はそれぞれ、第1の光位相変調部2が持つ2つのアームの各々に、第1の駆動信号用電極61a、61bを介して印加され、図6に示すように、±φの位相シフトを生じさせる。同様に、増幅されたn値データ信号Data2及び ̄Data2はそれぞれ、第2の光位相変調部3が持つ2つのアームの各々に、第2の駆動信号用電極71a、71bを介して印加され、図6に示すように、±φの位相シフトを生じさせる。位相遅延φ及びφの値は、各データ信号が持つn種の値に対応して変化する。
 また、第1のバイアス電源8及び第1の差動出力DCアンプ203は、DC電圧(データバイアス電圧)Vbias1及び-Vbias1を発生し、第1のデータバイアス電極81a、81bを介して、+θ及び-θの光位相シフトを更に追加する。同様に、第2のバイアス電源9及び第2の差動出力DCアンプ204は、DC電圧(データバイアス電圧)Vbias2、-Vbias2を発生し、第2のデータバイアス電極91a、91bを介して、+θ、-θの光位相シフトを更に追加する。
 次に、上記各種の電圧の表記を以下のように定義する。第1の駆動アンプ6によって生成される差動信号(Data1- ̄Data1)が有するn種類の信号レベルを、V、V、…V、-V、…-V、-Vと表記し、V~V>0であるものとする。ここでm=(n/2)-1である。一般に、第1の光位相変調部2と第2の光位相変調部3の光学特性は同等であるので、第2の駆動アンプ7によって生成される差動信号(Data2- ̄Data2)が有するn種類の信号レベルも、やはりV、V、…V、-V、…-V、-Vとする。
 Vbias1、Vbias2は、第1の光位相変調部2及び第2の光位相変調部3がヌル点にバイアスされるように選ぶ。すなわち、第1の駆動アンプ6、第2の駆動アンプ7によって生成される信号の差動電圧が0である時に、第1の光位相変調部2及び第2の光位相変調部3の出力光が消光するように設定する。
 ここで、第1の光位相変調部2及び第2の光位相変調部3の半波長電圧Vπについて、図6を用いて説明する。第1の光位相変調部2はMZI型変調器であり、ここには2つの導波路が組み込まれている。これら2つの導波路に加わる電圧Data1及び ̄Data1が共に0であるときに、前述のとおり第1の光位相変調部2の出力が消光する。Data1=Vx、 ̄Data1=-Vxに変化した時、第1の光位相変調部2の光出力が最大強度に達するならば、2Vxを第1の光位相変調部2のRFポートにおける半波長電圧Vπと呼ぶ。Data1=-Vx、 ̄Data1=Vxの場合でも、第1の光位相変調部2の光出力はやはり最大になるが、この場合は先の例と比較して、光出力の光位相はπだけ異なっている。第1の光位相変調部2はこの性質を利用して光の位相を変更するので、Data1及び ̄Data1は各々最大で2Vx=Vπの振幅を持ち、(Data1― ̄Data1)は最大で2Vπの振幅を持つよう設計されている。第2の光位相変調部3も同様である。
 なお、図6に示したIQ光変調器Mは、各駆動信号用電極が2つの導波路に正負の相反する電圧を印加する構成となっており、合計4つの電極が存在する。このようなタイプのIQ光変調器をデュアル駆動型とよぶ。一方、シングル駆動型のIQ光変調器は駆動信号用電極が2つしかない。このような構成では、第1の駆動信号用電極で第1の光位相変調部2の内部の2つの光導波路に同時に電界を加え、第2の駆動信号用電極で第2の光位相変調部3の内部の2つの光導波路に同時に電界を加える。これら4つの光導波路の異方性により、デュアル駆動型と同様の機能を実現できる。このような変調器構成の場合においても、第1の駆動信号用電極及び第2の駆動信号用電極に与えられるn値のデータ信号はV、V、…V、-V、…-V、-Vのn種類の電圧であり、各駆動信号の振幅は半波長電圧Vπの2倍を超えないように設定する。
 以上の説明はRFポート(第1の駆動信号用電極61a、61b、第2の駆動信号用電極71a、71b)におけるVπについての説明であるが、各バイアス電圧が印加されるDCポートについてもVπを定義できる。Vbias1を増加させると、光位相θ1も変化するが、光導波路間の光位相差(図6の構成では2×θ1)をπだけ増加させるのに要するバイアス電圧の変化量(図6の構成では2×Vbias1の変化量)が、DCポート(第1のデータバイアス電極81a、81b)におけるVπとなる。第2のデータバイアス電極91a、91bにおいても同様である。直交バイアス電極101では、光位相θをπだけ増加させるのに要するバイアス電圧の変化(図6の構成ではVbias3の変化)が、DCポート(直交バイアス電極101)のVπとなる。
 第1の光位相変調部2の出力光の電場Eと、V、V、…V、-V、…-V、-V及びVbias1の関係を図7に示す。以下、説明を容易にするために、n=2、m=0のQPSK信号に限定して説明を行う。駆動信号の電位を横軸、出力光の電場Eを縦軸にとると、正弦波を描くが、データバイアス電圧Vbias1が正常に印加されている場合は、符号L1の線とその線上の点で示したように、V、-Vによって生成される出力光の電場E11及びE12は0レベルに対して対称的な値となる。一方で、データバイアス電圧Vbias1が適正でなくΔVbias1だけずれている場合は、符号L2の線とその線上の点で示したように、V、-Vによって生成される出力光の電界E11 とE12 は0レベルに対して非対称となる。ずれの量が-ΔVbias1である場合は、符号L3の線とその線上の点で示したように、V、-Vによって生成される出力光の電界E11 とE12 は0レベルに対して非対称となる。ここで注意すべきことは、|E11 |=|E12 |であり、かつ|E11 |=|E12 |である。
 第2の光位相変調部3の出力光の電場Eと、V、-V及びVbias2の関係についても、図7と同様である。なお、図7ではグラフが右上がりの傾斜であるが、駆動信号が0のときE、Eが0となるならばグラフが右下がりの傾斜であってもよい。傾斜の向きをどちらにするかは、前置分散補償などの信号処理を行う場合には重要となるが、ここでは説明を割愛する。
 Vbias3が光位相シフタ4に正常に印加されている場合は、θ=π/2または-π/2であり、第1の光位相変調部2及び第2の光位相変調部3の出力光の光電界のベクトルは直交するよう保たれているので、IQ光変調器Mの出力光のコンスタレーションは、図8に示すような格子状のものになる。光電界E、光電界Eはそれぞれ、In-Phase成分及びQuadrature成分であり、これらを略してI成分、Q成分と呼ぶこともある。
 ところで、Vbias1、Vbias2、及びVbias3の最適値はバイアスドリフトと呼ばれる現象により時間と共に変動することが知られている。この経時変化は、LiNbOを用いた変調器において大きく、半導体型の変調器においては小さいことが知られている。しかし、半導体型の変調器においても、Vbias1、Vbias2、及びVbias3の最適値は信号波長やMZIの光路長の僅かな製造誤差に依存し、一意には定まらない。このため商用のトランシーバにおいては、自動バイアス制御(ABC:Auto Bias Control)が必須となる。QAM信号生成用のIQ光変調器の自動バイアス制御は、非特許文献1、2、3に詳細に記載した非対称バイアスディザリングを用いることによって可能となる。
 図9を用いて、典型的な非対称バイアスディザリングによるバイアス制御回路の動作を説明する。図9は、このバイアス制御回路を備えるn値QAM送信器の構成を示すブロック図である。図9において、図6と同一の部分には同一の符号を付している。非対称バイアスディザリングでは、V、V、…Vのうちの少なくとも一つはVπより小さく設定し、かつ±Vbias1及び±Vbias2には位相が直交する低速なディザ信号を重畳させる。ここでは、±Vbias1及び±Vbias2のそれぞれに印加されるディザ信号を複号同順で各々±cos(ω×t)、±sin(ω×t)と表すことにする。ここでtは時間であり、ωは角周波数である。
 このディザリングは、第1の発振器82から出力されたcos(ω×t)のディザ信号を第1の加算器83により第1のバイアス電源8の出力電圧に重畳し、第2の発振器92から出力されたsin(ω×t)のディザ信号を、第2の加算器93により第2のバイアス電源9の出力電圧に重畳することにより実現される。
 ここで、Vbias1、Vbias2及びVbias3のうち2つは最適値近傍であるが、他の一つがバイアスドリフトによって最適値からシフトした時に、変調器出力(IQ光変調器Mからの出力光)の光パワが非対称バイアスディザリングによりどのように変化するかを考える。ここで、「光パワ」とは、信号のシンボル周期(典型値は100psec)よりは遥かに長く、かつディザリングの周期(典型値は1msec)よりは短い周期で平均を取った値であるものとする。
 非特許文献1~3において詳細に説明しているように、Vbias1がドリフトしているときは変調器出力の光パワはcos(ω×t)に同期して変動する。Vbias2がドリフトしているときは変調器出力の光パワはsin(ω×t)に同期して変動する。Vbias3がドリフトしているときは変調器出力の光パワはsin(2ω×t)に同期して変動する。この性質を利用して、各バイアスのドリフトを補正し、バイアス電圧を制御することができる。
 この制御は、以下のようにして実現できる。変調器出力光を光分波カプラ11で分岐し、光パワモニタ12でその光パワをモニタする。次に、得られた光パワの値を、第1の同期検波回路84、第2の同期検波回路94及び第3の同期検波回路103を用いて同期検波する。これら各同期検波回路のリファレンスクロックは、前述の第1の発振器82及び第2の発振器92と、第3の発振器102との出力を用いる。ここで第3の発振器102は、sin(2ω×t)の正弦波を出力する。第1の同期検波回路84、第2の同期検波回路94及び第3の同期検波回路103によって得られる同期検波結果は、各バイアスのドリフトの大きさと方向によって定まる正または負の値をもつ。この同期検波結果を誤差信号として、第1のループゲイン調整回路504、第2のループゲイン調整回路505、第3のループゲイン調整回路503を介して、第1のバイアス電源8、第2のバイアス電源9、第3のバイアス電源10へ帰還することにより、各バイアスを適正値に保つことが出来る。
 図10に、Vbias1のみがドリフトし、最適値(ヌル点)から量ΔVbias1だけシフトした場合における、第1の同期検波回路84の出力の例をシミュレーションで示す。横軸のΔVbias1は、単位をVπとする。図10には、右上がりまたは右下がりのスロープの0クロスポイントが複数点現れる。これら2種類の0クロスポイントは、変調器出力光の最大値または最小値にそれぞれ対応する。この例では、最良のVbias1(ΔVbias1=0)において、右上がりのスロープの0クロスポイントとなるが、どちらのスロープでVbias1が最良となるかは変調フォーマット及び駆動振幅に依存する。詳細な議論は非特許文献2を参照されたい。第1のループゲイン調整回路504を用いて、第1の同期検波回路84の出力が正であればVbias1を減少させ、第1の同期検波回路84の出力が負であればVbias1を増加させるようフィードバックループを構成すれば、常にVbias1を最適の値に保つことが可能となる。なお、ΔVbias1=±2Vπにおいても右上がりの0クロスポイントが生じるが、これはMZIの周期性によるものであり、フィードバックループがこれらの値に収束しても最良なQAM信号を得ることが出来る。
 Vbias2のみがドリフトを起こした場合も同様である。Vbias3のみがドリフトした場合は処理が若干異なるが、非特許文献1~2に詳細に記したように、概ね似たような処理でバイアス電圧の制御が可能である。
 以上の説明では、Vbias1、Vbias2及びVbias3のいずれか一つのみがドリフトするものとして説明を行った。しかし、バイアス制御処理を開始した直後においては、Vbias1、Vbias2及びVbias3が各々最適値にあるとは限らない。複数のバイアスが同時にドリフトしている場合は、各バイアスの狂いが相互作用を起こすため、同期検波特性は複雑なものとなる。
 図11に、Vbias2のドリフト量ΔVbias2が-0.2Vπ、Vbias3のドリフト量ΔVbias3が+0.2Vπであるという条件下における、ΔVbias1と第1の同期検波回路84の出力の関係をシミュレーションで示す。図10と比較すると、右上がりのスロープの0クロスポイントが大幅にずれる(図11図中の矢印を参照)。このため、フィードバックループはVbias1を適正でない値に収束させてしまう。
 この例からわかるように、バイアス制御回路の立ち上げ直前において複数のバイアスが甚だしく最適値からずれている場合は、適切な立ち上げシーケンスを用いないと、全バイアスを適正値に制御することは難しい。最悪な場合は、偽の安定点にはまり込んで、各バイアスが最適でない状態でABCがロックしてしまう。
 特許文献1では、複数のバイアスが同時に最適値からずれている場合においても正しいバイアス制御が可能となる立ち上げシーケンスを提案している。この技術は、Vbias3を半波長電圧Vπだけ変動させた時に生じる同期検波特性の変化量の対称性を利用する。
 特許文献1の立ち上げシーケンスを説明するために、まず、図10、図11に見られる、同期検波結果の0クロスポイントのずれがなぜ生じるのかを簡単に説明する。説明を容易にするために、まずIQ光変調器は理想的な構成で、MZIにはインバランスがないものとし、かつ各バイアスの相互作用が無視できるものと仮定する。また、θ1~θの変化量は各々Vbias1~Vbias3に比例するものとする。
 図12A~図12Cは、n値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。ここではn=2であり、差動の駆動信号(Dataj- ̄Dataj)の振幅はRFポートにおける半波長電圧Vπの半分よりも小さく設定している(j=1,2)。各バイアス電圧が適正値であるならば、光QAM信号のコンスタレーションは、図12Bに示す形となる。光QAM信号の光パワPは、シンボルA~Dの光電界のベクトルの大きさの二乗の和に比例する。図7に示したように、データバイアス電圧Vbiasjが最適、すなわちΔVbiasj=0であれば|Ej1|=|Ej2|であり、各シンボルのE成分の光電界の絶対値は全て等しくなる(j=1,2)。
 図12Bの状態から、データバイアス電圧Vbias1のみがΔVbias1=+0.5Vπまたは-0.5Vπだけドリフトし、他のバイアスは適正値を保ち続けるとする。図12Aは、ΔVbias1が-0.5Vπだけドリフトした場合のコンスタレーションを示し、図12Cは、ΔVbias1が+0.5Vπだけドリフトした場合のコンスタレーションを示す。ΔVbias3=0であるからθ=π/2であるが、コンスタレーションの外形は正方形ではなくなり、また光パワPは、ΔVbias1に依存して変化する。図7に示したように|E11 |=|E12 |かつ|E11 |=|E12 |の関係があるため、ドリフトがΔVbias1=-0.5Vπである場合のコンスタレーション(図12A)と、ΔVbias1の符号が反転してドリフトが+0.5Vπとなった場合のコンスタレーション(図12C)とでは、コンスタレーションの形状がE軸を対称軸とする鏡像の関係になる。このため光パワPはΔVbias1の絶対値のみに依存し、ΔVbias1の符号によらない。
 図13に、ΔVbias2=ΔVbias3=0の条件での、ΔVbias1に対する光パワPの変化を示す。同図のグラフ中に示した12A,12B,12Cのシンボルはそれぞれ、図12A、図12B、図12Cのコンスタレーションに対応する。図13から、光パワPはΔVbias1=0で最小値を作ることがわかる。図9に示す第1の同期検波回路84は、E成分の光電界をディザリングした結果の光パワPの変動を検出しているが、ΔVbias1=0では光パワPが最小値をとるため、第1の同期検波回路84の出力はΔVbias1=0で0となる。これは、図10において示したシミュレーション結果と一致する。
 図14A~図14Cは、Vbias2及びVbias3のバイアス電圧が適正値と異なっている場合のn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。Vbias2及びVbias3のバイアス電圧が適正値と異なっている場合、θは直角ではないため、コンスタレーションは例えば図14Bに示すように歪む。この場合は先述の例とは異なり、Vbias1のドリフトがΔVbias1=+0.5Vπであるときのコンスタレーションの形状(図14C)と、ΔVbias1=-0.5Vπであるときのコンスタレーションの形状(図14A)とは鏡像の関係にならない。このため光パワPはΔVbias1=0では最小値を作らない。
 図15に、ΔVbias2=-0.2Vπ、ΔVbias3=0.2Vπの条件での、ΔVbias1に対する光パワPの変化を示す。同図のグラフ中に示した14A,14B,14Cのシンボルはそれぞれ、図14A、図14B、図14Cのコンスタレーションに対応する。図15では、光パワPの最小値がΔVbias1=0からずれている。図15にΔVbias1=0からのずれの量d1を矢印で示す。このずれのため、第1の同期検波回路84の出力も、ΔVbias1=0からずれたところで0となる。このずれが、図11に示したシミュレーション結果で現れたずれの原因となる。
 次に、図14A~図14Cに示した各コンスタレーションについて、θをθ+πに変換することを考える。これは、直交バイアス電圧Vbias3を人為的にVπだけ変更し、ΔVbias3=-0.8Vπとすることで実現できる。ここでは各バイアスの相互作用が無視できると仮定しているから、Vbias3が変化してもΔVbias1及びΔVbias2は不変である。
 結果として、図16A~図16Cに示すようなコンスタレーションが得られる。図14A~図14Cと比較すると、コンスタレーションと原点の位置関係は、図14A及び図14Cと図16A及び図16Cとが入れ替わる。すなわち、図16Cを180度回転させると、シンボルの配置およびE1軸の正負が変わるものの、コンスタレーションの形状と原点との位置関係は図14Aと同じになる。また、図16Aを180度回転させると、シンボルの配置およびE1軸の正負が変わるものの、コンスタレーションの形状と原点との位置関係は図14Cと同じになる。前述のとおり、光QAM信号の光パワPは、シンボルA~Dの光電界のベクトルの大きさの二乗の和で決まる。このため、シンボル配置の入れ替えやE1軸の正負とは無関係に、図14Aにおける光パワPと図16Cにおける光パワPとは同一である。また、図14Cにける光パワPと図16Aにおける光パワPとは同一である。図17に、ΔVbias2=-0.2Vπ、ΔVbias3=-0.8Vπの条件での、ΔVbias1に対する光パワPの変化を示す。同図のグラフ中に示した16A,16B,16Cのシンボルはそれぞれ、図16A、図16B、図16Cのコンスタレーションに対応する。光パワPが最小値となるΔVbias1の値のΔVbias1=0からのずれd2は、図15とは逆の符号となる(図17の矢印参照)。
 先述のとおり、IQ光変調器Mは理想的な構成で、MZIにはインバランスがないものとし、かつ各バイアスの相互作用が無視できるという仮定したが、この仮定のもとではd1=-d2の関係がある。特許文献1ではこの反対称性を利用して、Vbias3を人為的にVπ変更しつつ第1の同期検波回路84の出力が0となるVbias1を探し、得られたVbias1の平均値を取ることによって、Vbias1の最適値(すなわちΔVbias1=0となるVbias1)を求めている。Vbias2についても同様の手段で最適化が可能となる。Vbiasj(j=1,2)が最適化されたならば、非特許文献1、2の技術を用いてVbias3を容易に最適化することが可能となる。
日本特許第5671130号公報
Hiroto Kawakami, Eiji Yoshida, and Yutaka Miyamoto, "Auto Bias Control Technique Based on Asymmetric Bias Dithering for Optical QPSK Modulation", Journal of Lightwave Technology, Vol. 30, No. 7, April 2012, pp. 962-968 Hiroto Kawakami, Takayuki Kobayashi, Eiji Yoshida, and Yutaka Miyamoto, "Auto bias control technique for optical 16-QAM transmitter with asymmetric bias dithering", Optics Express B308, Vol. 19, No. 26, December 2011 Hiroto Kawakami, Shoichiro Kuwahara, Akira Hirano, "Drive-amplitude-independent Auto Bias Control Circuit for QAM Signals and Its Demonstration with an InP-based IQ Modulator", 42nd European Conference and Exhibition on Optical Communications, W4 P1 SC 4, September 2016, pp. 815-817
 しかしながら、今日ではIQ光変調器のバリエーションが増えたため、前述の特許文献1に示した技術では対応が困難な例が出てきた。一つの例として、半導体型のIQ光変調器では、第1の光位相変調部2あるいは第2の光位相変調部3の各々が持つ2つのアームで生じる非線形光学効果の大きさがインバランスになりがちであり、図6に示した位相シフト量+φ及び-φ(j=1,2)の反対称性が崩れることがある。また別の例として、最近では図6における位相シフト量±θ(j=1,2)および+θを調整するにあたり、従来広く用いられたポッケルス効果に代えてヒータによる光導波路の熱膨張を利用するIQ光変調器も開発されている。このようなIQ光変調器においては、比較的狭い領域に複数のヒータが配列されるため熱クロストークが無視できず、ΔVbias1を0に調整していく過程でΔVbiasj(j=2,3)が0から乖離してゆく、という現象が起こり得る。このような例では、特許文献1に示した技術では迅速な収束が見込めず、立ち上げシーケンスを終了後もしばらくは各バイアス値が不安定な状態が続いてしまう。
 上記事情に鑑み、本発明は、多値QAM用光送信器のバイアス値をより早く収束させることが可能なバイアス制御回路及びバイアス制御方法を提供することを目的としている。
 本発明の一態様は、光変調器のバイアス制御を行うバイアス制御回路であって、前記光変調器は、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更する第1の光位相変調部と、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更する第2の光位相変調部と、前記第1の光位相変調部からの出力光及び前記第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより+π/2または-π/2の光位相差を与える光位相シフタと、少なくとも一方に前記光位相シフタによる前記光位相差が与えられた前記第1の光位相変調部からの前記出力光及び前記第2の光位相変調部からの前記出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する合波部とを有しており、前記バイアス制御回路は、前記第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧を発生する第1のバイアス電源と、前記第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧を発生する第2のバイアス電源と、前記光位相シフタの位相シフト量を調整するための第3のバイアス電圧を発生する第3のバイアス電源と、前記光変調器からの出力光の光パワをモニタする光パワモニタと、前記光パワモニタによるモニタ結果に基づいて、前記第1のバイアス電源が発生する前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電源が発生する前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電源が発生する前記第3のバイアス電圧を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記第2のバイアス電圧を固定しかつ前記第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、前記光パワを最大値又は最小値の近傍に収束するよう制御したときの前記第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、前記第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理を行い、記録された複数の前記組それぞれについて前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した前記差分に基づいて選択した組の前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との間の値を、前記第1のバイアス電源から発生させる前記第1のバイアス電圧として決定する電圧決定処理を行う。
 また、本発明の一態様は、光変調器のバイアス制御を行うバイアス制御回路であって、前記光変調器は、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更する第1の光位相変調部と、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更する第2の光位相変調部と、前記第1の光位相変調部からの出力光及び前記第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより+π/2または-π/2の光位相差を与える光位相シフタと、少なくとも一方に前記光位相シフタによる前記光位相差が与えられた前記第1の光位相変調部からの前記出力光及び前記第2の光位相変調部からの前記出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する合波部とを有しており、前記バイアス制御回路は、前記第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧を発生する第1のバイアス電源と、前記第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧を発生する第2のバイアス電源と、前記光位相シフタの位相シフト量を調整するための第3のバイアス電圧を発生する第3のバイアス電源と、前記光変調器からの出力光の光パワをモニタする光パワモニタと、前記光パワモニタによるモニタ結果に基づいて、前記第1のバイアス電源が発生する前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電源が発生する前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電源が発生する前記第3のバイアス電圧を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記第2のバイアス電圧を固定しかつ前記第1のn値データ信号の振幅又は前記第1のバイアス電圧に所定の周波数のディザリングを加えかつ前記第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、前記光パワに重畳される前記所定の周波数の整数倍の成分を0、最大又は最小の近傍に収束するよう制御したときの前記第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、前記第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理を行い、記録された複数の前記組それぞれについて前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した前記差分に基づいて選択した組の前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との間の値を、前記第1のバイアス電源から発生させる前記第1のバイアス電圧として決定する電圧決定処理を行う。
 上述のバイアス制御回路において、前記制御部は、選択された前記組が得られたときの前記第2のバイアス電圧を、前記第2のバイアス電源から発生させると決定するようにしてもよい。
 上述のバイアス制御回路において、前記制御部は、前記第1のバイアス電圧と前記第2のバイアス電圧とを入れ替えて前記ループ処理及び前記電圧決定処理を行い、前記第2のバイアス電源から発生させる前記第2のバイアス電圧を決定するようにしてもよい。
 上述のバイアス制御回路において、前記制御部は、決定された前記第1のバイアス電圧及び決定された前記第2のバイアス電圧を用いて前記第3のバイアス電圧を制御し、当該バイアス制御回路の立ち上げ処理を終了するようにしてもよい。
 上述のバイアス制御回路において、前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電圧による光位相の調整に、ポッケルス効果または光導波路の熱膨張を用いるようにしてもよい。
 本発明の一態様は、バイアス制御回路が実行する光変調器のバイアス制御方法であって、前記光変調器は、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更する第1の光位相変調部と、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更する第2の光位相変調部と、前記第1の光位相変調部からの出力光及び前記第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより+π/2または-π/2の光位相差を与える光位相シフタと、少なくとも一方に前記光位相シフタによる前記光位相差が与えられた前記第1の光位相変調部からの前記出力光及び前記第2の光位相変調部からの前記出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する合波部とを備えており、前記バイアス制御回路において、第1のバイアス電源が、前記第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧を発生し、第2のバイアス電源が、前記第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧を発生し、第3のバイアス電源が、前記光位相シフタの位相シフト量を調整するための第3のバイアス電圧を発生するバイアス電圧発生ステップと、制御部が、前記光変調器からの出力光の光パワのモニタ結果に基づいて、前記第1のバイアス電源が発生する前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電源が発生する前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電源が発生する前記第3のバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御ステップと、前記制御部が、前記第2のバイアス電圧を固定しかつ前記第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、前記光パワを最大値又は最小値の近傍に収束するよう制御したときの前記第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、前記第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理ステップと、前記制御部が、前記ループ処理ステップにおいて記録された複数の前記組それぞれについて前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した前記差分に基づいて選択した組の前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との間の値を、前記第1のバイアス電源から発生させる前記第1のバイアス電圧として決定する電圧決定ステップと、を有する。
 本発明の一態様は、バイアス制御回路が実行する光変調器のバイアス制御方法であって、前記光変調器は、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更する第1の光位相変調部と、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更する第2の光位相変調部と、前記第1の光位相変調部からの出力光及び前記第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより+π/2または-π/2の光位相差を与える光位相シフタと、少なくとも一方に前記光位相シフタによる前記光位相差が与えられた前記第1の光位相変調部からの前記出力光及び前記第2の光位相変調部からの前記出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する合波部とを備えており、前記バイアス制御回路において、第1のバイアス電源が、前記第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧を発生し、第2のバイアス電源が、前記第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧を発生し、第3のバイアス電源が、前記光位相シフタの位相シフト量を調整するための第3のバイアス電圧を発生するバイアス電圧発生ステップと、制御部が、前記光変調器からの出力光の光パワのモニタ結果に基づいて、前記第1のバイアス電源が発生する前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電源が発生する前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電源が発生する前記第3のバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御ステップと、前記制御部が、前記第2のバイアス電圧を固定しかつ前記第1のn値データ信号の振幅又は前記第1のバイアス電圧に所定の周波数のディザリングを加えかつ前記第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、前記光パワに重畳される前記所定の周波数の整数倍の成分を0、最大又は最小の近傍に収束するよう制御したときの前記第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、前記第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理ステップと、前記制御部が、前記ループ処理ステップにおいて記録された複数の前記組それぞれについて前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した前記差分に基づいて選択した組の前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との間の値を、前記第1のバイアス電源から発生させる前記第1のバイアス電圧として決定する電圧決定ステップと、を有する。
 本発明により、多値QAM用光送信器のバイアス値をより早く収束させることが可能となる。
本発明の第1実施形態によるバイアス制御回路を備えた光送信器の構成を示すブロック図である。 同実施形態によるバイアス制御回路の処理を示すフロー図である。 第2実施形態によるバイアス制御回路の処理を示すフロー図である。 同実施形態によるバイアス制御回路の処理を示すフロー図である。 第3実施形態によるn値QAM送信器のバイアス制御回路を備えた光送信器の構成を示すブロック図である。 従来技術による光送信器の構成例を示す図である。 従来技術による光送信器の第1の光位相変調部の出力光の電場と、データ信号の電圧及びデータバイアス電圧の関係を示す図である。 従来技術によるIQ光変調器の出力光のコンスタレーションを示す図である。 従来技術によるバイアス制御回路を備えた光送信器の構成を示すブロック図である。 従来技術による第1の同期検波回路の出力例を示す図である。 従来技術による第1の同期検波回路の出力例を示す図である。 従来技術によるn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。 従来技術によるn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。 従来技術によるn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。 従来技術による光パワの変化を示す図である。 従来技術によるn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。 従来技術によるn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。 従来技術によるn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。 従来技術による光パワの変化を示す図である。 従来技術によるn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。 従来技術によるn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。 従来技術によるn値光QAM信号のコンスタレーションの例を示す図である。 従来技術による光パワの変化を示す図である。 θをπ増減させる前のn値光QAM信号のコンスタレーションを示す図である。 θをπ増減させた後のn値光QAM信号のコンスタレーションを示す図である。 θをπ増減させた前後のVbias1に対する光パワの変化を示す図である。
 以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。本発明の実施形態は、多値QAM用光送信器のバイアス電圧自動制御に関する。特に、自動制御の開始時点においてより確実にバイアスを最適値に制御する立ち上げシーケンスをつかさどるコントローラに関する。
 本発明の実施形態を説明する前に、「任意のθについて、θをθ+πに変換するという操作を行っても、光パワPが最大値または最小値となるVbiasj(j=1,2)が殆ど変化しない」という条件が満たされるのはどのような場合であるかを考える。この条件は、言い換えれば「任意の直交バイアス電圧Vbias3について、Vbias3を人為的にVπだけ変更するという操作を行っても、図15に示すd1と図17に示すd2の符号と絶対値がほぼ等しい」となる。
 IQ光変調器は理想的な構成で、MZIにはインバランスがないものとし、かつ各バイアスの相互作用が無視できるものと仮定できるなら、先述の条件を満たすには、d1=d2=0であればよい。このとき、θの変換の前後でΔVbiasj=0であり、図7及び図8に示したE11、E12、E21、E22は、Ej1=-Ej2となる(j=1,2)。図18Aおよび図18Bは、d1とd2が等しいときにθをπ増減させた前後のn値光QAM信号のコンスタレーションを示す図である。ここではn=2である。図18Aはθをπ増加させる前のコンスタレーションを示し、図18Bはθをπ増加させた後のコンスタレーションを示している。図18Aおよび図18Bに示すように、θをπ増減させても、シンボルの配置が入れ替わるもののコンスタレーションの形状としては同一であり、コンスタレーションの形状と原点との位置関係は変わらない。
 図19は、θをπ増減させた前後の光パワPの変化を示す図である。同図では、ΔVbias2=0.0、ΔVbias3=-0.8Vπまたは+0.2Vπの条件での、ΔVbias1に対する光パワPの変化を示している。駆動振幅などの条件は、図13~図17と同じである。ΔVbias3が-0.8Vπと+0.2Vπのどちらであっても光パワPは同一であり、ΔVbias1=0で光パワPの値は最小値となる。
 ここから次のことが言える。すなわち、「任意の直交バイアス電圧Vbias3について、Vbias3を人為的にVπだけ変更するという操作の前後で、光パワPが最大値または最小値を維持するならば、そのときVbiasjは最適値(ΔVbiasj=0)である(j=1,2)」。
 ここまでの説明では、IQ光変調器は理想的な構成で、MZIにはインバランスがないものとし、かつ各バイアスの相互作用が無視できるものと仮定してきた。この仮定が成り立たない、あまり理想的ではないIQ光変調器においては、Vbias3を人為的にVπ変更する過程でΔVbiasjが変動することがある。また、インバランスなIQ光変調器では図18A及び図18Bに示すようなひし形のコンスタレーションにならず、辺ADと辺BCが平行にならないこともある。このような場合は、図15に示したd1と図17に示したd2の片方が0であっても、他方が0とはやや異なる値をとることがありえる。
 このため、先述の結論は下記のように修正される。すなわち、「任意の直交バイアス電圧Vbias3について、Vbias3を人為的にVπだけ変更するという操作の前後で、光パワPが最大値または最小値となるVbiasjの値がほぼ等しいのであれば、Vbiasjは最適値(ΔVbiasj=0)にほぼ等しい(j=1,2)」。
 本発明の実施形態ではこの性質を使って、Vbias1、Vbias2を粗調整し、最適値近傍に引き込む。Vbias3の激しい変動を伴うために光通信サービスの運用中には行うことは困難な場合があるが、ABC回路の立ち上げシーケンスに適用することにより、偽の最適点にはまり込む状況を回避できる。立ち上げシーケンス終了後、インサービスでのABC実行時においてバイアスドリフトが生じたとしても、各バイアスが最適値近傍の値であるため、非特許文献1~3に記載の方法でABCが可能となる。
 本発明の実施形態では、特許文献1に示した技術とは異なり、まずd1とd2(図15、図17参照)の絶対値が小さい領域を探し出してからVbias1、Vbias2を決めるため、例えIQ光変調器の構成が理想的でない場合であっても、特許文献1に示した技術より高い精度でABCを実現できる。
 上記の説明は、小振幅の光QPSK信号を例としたが、一般のQAM信号についても概ね同様の議論が成立する。駆動振幅及び信号フォーマットによっては若干の修正が必要であるが、それについては第2実施形態にて説明を行う。
[A.第1実施形態]
 本発明の第1実施形態では、IQ光変調器の出力の光パワPの値が最大値または最小値となるようにVbias1及びVbias2を制御する。各バイアス値が最適である時に光パワPが最大値をとるか最小値をとるかは、駆動振幅と信号フォーマットに依存するため、非特許文献2において示される判別式Dなどを用いて予め調べておく必要がある。
 IQ光変調器の出力の光パワPの値を最大または最小とするには、山登り法などを使うこともできるが、より現実的には、背景技術で説明したように、Vbias1またはVbias2をディザリングして同期検波を行い、同期検波結果の傾斜を選択した上で同期検波結果を0とすればよい。
 図1は、本発明の第1実施形態による光送信器100の構成を示すブロック図である。同図において、図9に示す従来技術のQAM送信器と同一の部分には同一の符号を付している。光送信器100は、n値QAM送信器である。光送信器100は、IQ光変調器Mと、第1の駆動アンプ6と、第2の駆動アンプ7と、バイアス制御回路400とを有する。バイアス制御回路400は、光分波カプラ11、光パワモニタ12、第1の発振器82、第1の同期検波回路84、第1のループゲイン調整回路504、第1のバイアス電源8、第1の加算器83、第1の差動出力DCアンプ203、第2の発振器92、第2の同期検波回路94、第2のループゲイン調整回路505、第2のバイアス電源9、第2の加算器93、第2の差動出力DCアンプ204、第3の発振器102、第3の同期検波回路103、第3のループゲイン調整回路503、第3のバイアス電源10及びコントローラ600を備える。図1に示す光送信器100が、図9に示すQAM送信器と異なる点は、ABC回路であるバイアス制御回路400がコントローラ600を備える点である。
 第1の駆動アンプ6は、第1のn値データ信号を正相、逆相の2種類の信号に増幅してData1及び ̄Data1を生成する。第2の駆動アンプ7は、第2のn値データ信号を正相、逆相の2種類の信号に増幅し、Data2及び ̄Data2を生成する。
 IQ光変調器Mは、図6に示す構成と同様であり、n値QAM信号を生成する。第1の光カプラ1(図6)は、CW光(連続光)を2つに分割し、第1の光位相変調部2(図6)及び第2の光位相変調部3(図6)に入力する。第1の光位相変調部2(図6)は、第1の光カプラ1(図6)から入力したCW光を2つの導波路に分岐し、第1の駆動アンプ6が生成したData1及び ̄Data1を第1の駆動信号用電極61a、61bを介して各導波路の光信号に印加する。第1のデータバイアス電極81a、81bは、第1の差動出力DCアンプ203からのDC電圧(第1のバイアス電圧)Vbias1及び-Vbias1により、+θ及び-θの光位相シフトを追加する。第1の光位相変調部2(図6)は、光位相差が調整された2つの導波路の光信号を合波した後、合波により得られた光信号を出力する。
 第2の光位相変調部3(図6)は、第1の光カプラ1(図6)から入力したCW光を2つの導波路に分岐し、第2の駆動アンプ7が生成したData2及び ̄Data2を第2の駆動信号用電極71a、71bを介して各導波路の光信号に印加する。第2のデータバイアス電極91a、91bは、第2の差動出力DCアンプ204からのDC電圧(第2のバイアス電圧)Vbias2及び-Vbias2により、+θ及び-θの光位相シフトを追加する。第2の光位相変調部3(図6)は、光位相差が調整された2つの導波路の光信号を合波した後、合波により得られた光信号を出力する。
 第1の光位相変調部2の出力及び第2の光位相変調部3の出力の少なくとも一方は、直交バイアス電圧が印加される直交バイアス電極101を有する光位相シフタ4(図6)によってθの位相差が加えられた上で、第2の光カプラ5(図6)により合波され、合波により得られた信号がn値QAM光信号として出力される。
 バイアス制御回路400において、光分波カプラ11はIQ光変調器Mからの出力光を分岐して光パワモニタ12に出力する。光パワモニタ12は、光分波カプラ11が分岐した出力光の光パワをモニタする。
 第1の同期検波回路84は、第1の発振器82から出力されるリファレンスクロックと、光パワモニタ12によるモニタ結果を基に、同期検波を行う。第1の同期検波回路84は、第1のループゲイン調整回路504を介して第1のバイアス電源8に同期検波結果を誤差信号として帰還する。第1の加算器83は、第1の発振器82から出力されたcos(ω×t)のディザ信号を第1のバイアス電源8の出力電圧に重畳する。第1の差動出力DCアンプ203は、第1の加算器83の出力電圧から発生させたDC電圧Vbias1及び-Vbias1を第1のデータバイアス電極81a、81bに供給する。
 第2の同期検波回路94は、第2の発振器92から出力されるリファレンスクロックと、光パワモニタ12によるモニタ結果を基に、同期検波を行う。第2の同期検波回路94は、第2のループゲイン調整回路505を介して第2のバイアス電源9に同期検波結果を誤差信号として帰還する。第2の加算器93は、第2の発振器92から出力されたsin(ω×t)のディザ信号を第2のバイアス電源9の出力電圧に重畳する。第2の差動出力DCアンプ204は、第2の加算器93の出力電圧から発生させたDC電圧Vbias2及び-Vbias2を第2のデータバイアス電極91a、91bに供給する。
 第3の同期検波回路103は、第3の発振器102から出力されるリファレンスクロックと、光パワモニタ12によるモニタ結果を基に、同期検波を行う。第3の同期検波回路103は、第3のループゲイン調整回路503を介して第3のバイアス電源10に、同期検波結果を誤差信号として帰還する。第3のバイアス電源10は、直交バイアス電圧Vbias3を直交バイアス電極101に供給する。コントローラ600は、光パワモニタ12によるモニタ結果から得られた前述の3種の誤差信号を参照して、第1のバイアス電源8、第2のバイアス電源9及び第3のバイアス電源10を制御し、第1のバイアス電源8、第2のバイアス電源9及び第3のバイアス電源10のそれぞれから出力されるVbias1、Vbias2及びVbias3を変化させ、その変化を記録する。
 本実施形態のバイアス制御回路400の構成では、制御ループが3種類あるが、送信器立ち上げ直後の立ち上げシーケンスにおいて、コントローラ600はこれら3種の制御ループをタイムシェアリングで動かす。順番は、データバイアスのVbias1またはVbias2の制御を先に行い、次にVbias3の制御を行う。Vbias1の制御とVbias2の制御はどちらが先であっても構わないが、ここではVbias1を先に制御するものとする。
 図2は、バイアス制御回路400の処理を示すフロー図である。同図に示すフローを用いて、立ち上げシーケンスの各ステップの処理を説明する。
 ステップS105において、コントローラ600は、Vbias2及びVbias3の値を初期値に固定する。これは、コントローラ600から第2のループゲイン調整回路505及び第3のループゲイン調整回路503にコマンドを送り、これらのループゲインを0(-∞dB)とすることで実現される。次にステップS110において、コントローラ600は、変数jに初期値1を代入する。この変数jはデータテーブルの行数を示す変数である。
 次に、ステップS115において、コントローラ600は、第1の同期検波回路84の出力が0に近づくよう、Vbias1を制御する。より具体的には、コントローラ600は、Vbias1の振幅に周波数fのディザリングを加えたときに、光パワモニタ12からの出力に重畳される周波数fの整数倍の周波数成分が0の近傍となるようにVbias1を制御する。これは、コントローラ600から第1のループゲイン調整回路504にコマンドを送り、ループゲインを適切な値にすることで実現される。最適なループゲインの大きさは、IQ光変調器Mに入力されるCW光のパワ及び光パワモニタ12の感度で決まる。帰還信号の正負は、ターゲットとする0クロスポイントの、スロープの正負により決まる。
 制御ループが収束した後、処理が図2のステップS120に移行する。ステップS120において、コントローラ600は、Vbias1の収束値をデータテーブルの第1列j行に記録して、処理がステップS125に移行する。ステップS125において、コントローラ600は、Vbias3をVπだけ増加させる。ステップS130において、コントローラ600はステップS115と同様に、第1の同期検波回路84の出力が0に近づくよう、Vbias1のみについて制御ループを動かす。
 制御ループが収束した後、処理が図2のステップS135に移行する。ステップS135において、コントローラ600は、Vbias1の収束値をデータテーブルの第2列j行に記録して、処理がステップS140に移行する。ステップS140において、コントローラ600は、Vbias2の値をデータテーブルの第3列j行に記録する。
 ステップS145において、コントローラ600は、Vbias2の値を予め定められた刻み幅だけ増加させる。ステップS150において、コントローラ600は、Vbias2の値を増加させた結果、Vbias2が予め定められた調査範囲内に収まっているか否かを判定する。Vbias2が調査範囲内に収まっていると判断した場合、コントローラ600は、ステップS155の処理を行い、jの値に1を加算し、処理がステップS115に戻る。
 ステップS150において、コントローラ600は、Vbias2が予め定められた調査範囲内を越えたと判断したときにループを抜け、処理がステップS160に移行する。ステップS160において、コントローラ600は、データテーブルをチェックし、1列目と2列目の値の差が最も小さくなるjを得る。ステップS165において、コントローラ600は、Vbias1の値を、データテーブルの第j行1列目と第j行2列目の平均値に固定する。ステップS170において、コントローラ600は、Vbias2の値を、データテーブルの第j行3列目の値に固定する。この段階で、Vbias1及びVbias2は最適値(ΔVbias1=0、ΔVbias2=0)の近傍にある。そこで、ステップS175において、コントローラ600は、従来技術、例えば、非特許文献1、2に記載の方法を用いて、Vbias3の制御を行い、Vbias3を最適値(ΔVbias3=0)とする。ここで、バイアス制御回路400は、このABCの立ち上げシーケンスを終了して通常運用状態に移行し、インサービスでのABCを行う。
 なお、IQ光変調器の出力の光パワPの値を最大または最小とするために上述した山登り法を用いる場合には、図2のステップS115およびステップS130において、IQ光変調器の出力の光パワPの値が最大または最小となるようにVbias1を制御すればよい。また、Vbias1を最大とすべきか最小とすべきかは、上述の通り、非特許文献2において示される判別式Dなどを用いて一意に定めることができる。
[B.第1実施形態のバリエーション]
 上記の「A.第1実施形態」で説明した実施形態では、ステップS125において、Vbias3をVbias3+Vπに変更している。しかし通常は、Vbias3の制御範囲には限界があるため、常にVbias3を増加させる(または常にVbias3を減少させる)のは困難である。そのため、jが奇数であったらVbias3をVπだけ増加し、jが偶数であったらVbias3をVπだけ減少させる(またはその逆)という方法をとってもよい。
 また、「A.第1実施形態」では、Vbias2が調査範囲を越えるまでループを繰り返しているが、ループ中においてデータテーブルのj行目の1列目と2列目の値の差が0になったなら、それ以上はループを回してデータを集積する必要はない。ただし現実問題として、第1の同期検波回路84の回路雑音やIQ光変調器Mの不完全さ、及びVbias2の刻み幅がノンゼロであることから、データテーブルの1列目と2列目の値の差が厳密に0になる確率は非常に小さい。そこで、コントローラ600は、図2のステップS140とステップS145の間でデータテーブルのj行目の1列目と2列目の差を計算し、その値が予め定められたしきい値よりも小さくなったらループを抜け、そのときのjの値により、ステップS160からの処理を行うようにしても良い。
[C.第2実施形態]
 上記の「A.第1実施形態」及び「B.第1実施形態のバリエーション」では、Vbias2の刻み幅の大きさが、立ち上げシーケンス終了時のVbias2の誤差(ΔVbias2)の大きさを決める。刻み幅が小さければ誤差は小さくなる一方、収束に要する時間が増大する。この問題を解消するため、第2実施形態では、図2に示すステップS105~ステップS165を終了した時点で、Vbias1とVbias2を入れ替えた上で再度ステップS105~ステップS165を繰り返す。
 図3及び図4は、本実施形態のバイアス制御回路400の処理を示すフロー図である。図3のステップS205~ステップS250までのバイアス制御回路400の処理は、第1実施形態の図2のステップS105~ステップS155とほぼ同様であるが、本実施形態では、図2のステップS140は実行せず、データテーブルの第3列にVbias2の値を記録はしない。
 図4のステップS305~ステップS350までは、バイアス制御回路400は、Vbias1とVbias2とを入れ替えた上で、図3のステップS205~ステップS250までとほぼ同じ処理を行う。ただし、ステップS320、ステップS335においては、Vbias2の候補値をデータテーブルの第3列と第4列に記録する。
 すなわち、ステップS305において、コントローラ600は、Vbias1及びVbias3の値を初期値に固定し、ステップS310において、変数jに初期値1を代入する。ステップS315において、コントローラ600は、第2の同期検波回路94の出力が0に近づくようVbias2を制御し、制御ループが収束した後、ステップS320において、Vbias2の収束値をデータテーブルの第3列j行に記録する。ステップS325において、コントローラ600は、Vbias3をVπだけ増加させる。ステップS330において、コントローラ600は第2の同期検波回路94の出力が0に近づくよう、Vbias2のみについて制御ループを動かし、制御ループが収束した後、ステップS335において、Vbias2の収束値をデータテーブルの第4列j行に記録する。ステップS340において、コントローラ600は、Vbias1の値を予め定められた刻み幅だけ増加させ、ステップS345において、増加させたVbias1が予め定められた調査範囲内に収まっているか否かを判定する。増加させたVbias1が調査範囲内に収まっていると判断した場合、コントローラ600は、ステップS350の処理を行ってjの値に1を加算し、処理がステップS315に戻る。ステップS345において、コントローラ600は、Vbias1が予め定められた調査範囲内を越えたと判断したときにループを抜け、処理がステップS355に移行する。
 図4のステップS355及びステップS360は、図2に示す第1実施形態のステップS160及びS165と同じである。つまり、ステップS355において、コントローラ600は、データテーブルをチェックし、1列目と2列目の値の差が最も小さくなるjを得る。ステップS360において、コントローラ600は、Vbias1の値を、データテーブルの第j行1列目と第j行2列目の平均値に固定する。
 図4のステップS365及びステップS370において、コントローラ600は、データテーブルの第3列と、第4列とを用いて、Vbias1と同様の手順でVbias2を固定する。つまり、ステップS365において、コントローラ600は、データテーブルをチェックし、3列目と4列目の値の差が最も小さくなるjを得る。ステップS370において、コントローラ600は、Vbias2の値を、データテーブルの第j行3列目と第j行4列目の平均値に固定する。
 この段階で、Vbias1及びVbias2は最適値(ΔVbias1=0、ΔVbias2=0)の近傍にある。そこで、ステップS375では、コントローラ600は、従来技術、例えば、非特許文献1、2に記載の方法を用いてVbias3の制御を行い、Vbias3を最適値(ΔVbias3=0)とする。ここで、バイアス制御回路400は、このABCの立ち上げシーケンスを終了して通常運用状態に移行し、インサービスでのABCを行う。
[D.第3実施形態]
 上記の実施形態では全て、IQ光変調器Mの出力の光パワPの値が最大値または最小値、あるいは、最大値または最小値の近傍となるようにVbias1、Vbias2を制御した。しかしながら、非特許文献2に記載の判別式Dが0または0に非常に近い場合は、Vbias1、Vbias2がどのような値であれ光パワPの値が殆どあるいは全く変化しない。具体的には、これは信号フォーマットがQPSKであり、図6に記載のDataj及び ̄Datajの振幅が各々第jの光位相変調部のRFポートにおける半波長電圧Vπの約半分に等しい場合に生じる(ここでj=1,2)。このような駆動振幅依存性を避けるためには、非特許文献3に記載の手法を用いることができる。
 図5は、非特許文献3に記載の手法を併用した第1及び第2実施形態のバリエーションによる、光送信器100aの構成を示すブロック図である。同図において、図1に示す光送信器100と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。同図に示す光送信器100aが、図1に示す光送信器100と異なる点は、バイアス制御回路400に代えてバイアス制御回路400aを備える点である。バイアス制御回路400aは、図1に示すコントローラ600に代えて、コントローラ600aを備える。
 さらに、本実施形態のバイアス制御回路400aの構成では、第1の発振器82の出力の一部に第1のスイッチ301を設ける。第1のスイッチ301はコントローラ600aにより周期的に切り替えが行われる。Vbias1の制御時には、第1の発振器82の出力は第1の駆動アンプ6の利得調整端子に送られ、駆動振幅をディザリングする。Vbias3の制御時には、第1の発振器82の出力は、第1の加算器83に送られ、Vbias1をディザリングする。
 また、本実施形態のバイアス制御回路400aの構成では、第2の発振器92の出力の一部に第2のスイッチ311を設ける。第2のスイッチ311はコントローラ600aにより周期的に切り替えが行われる。Vbias2の制御時には、第2の発振器92の出力は第2のスイッチ311により第2の駆動アンプ7の利得調整端子に送られ、駆動振幅をディザリングする。Vbias3の制御時には第2の発振器92の出力は、第2のスイッチ311により第2の加算器93に送られ、Vbias2をディザリングする。
 本実施形態における立ち上げシーケンスの制御フローは図2(あるいは図3~図4)と殆ど同一ではあるが、図2のステップS115およびステップS130、図3のステップS215およびステップS230において、第1の同期検波回路84の出力が0ではなく、最大または最小に近づくようにVbias1を制御する。より具体的には、コントローラ600aは、第1の駆動アンプ6の駆動振幅に周波数fのディザリングを加えたときに、光パワモニタ12からの出力に重畳される周波数fの整数倍の周波数成分が最大又は最小の近傍となるようにVbias1を制御する。また、コントローラ600aは、図4のステップS315およびステップS330において、第2の同期検波回路94の出力が0ではなく、最大または最小に近づくようにVbias2を制御する。最大を選ぶか最小を選ぶかは、利得調整端子への制御信号と実際の利得の増減との比例係数の正負によって決まる。本実施形態によって駆動振幅無依存にVbias1、Vbias2の制御が可能となる。
 なお、いま述べたように、第1の同期検波回路84の出力または第2の同期検波回路94の出力が、どの値に近づくようにVbias1またはVbias2を制御するかは、利得調整端子への制御信号と実際の利得の増減との比例係数の正負によって決まる。また第1実施形態では、Vbias1あるいはVbias2をディザリングして同期検波結果を0とする構成について説明したが、同期検波の対象が高次のディザ周波数成分である場合には、同期検波結果を0ではなく最大または最小とした方が良いこともありうる。したがって、同期検波結果を最大、最小、または0のいずれに近付けるべきかは、信号フォーマットと同期検波回路の構成が定まった時点で装置試験により実験的に確認するようにしてもよい。
[E.第1~3実施形態のバリエーション]
 今まで述べた実施形態では、光位相θ1、θ、θ(図6参照)の制御をポッケルス効果で行うものと仮定して、正負の電圧Vbias1、Vbias2及び電圧Vbias3を用いた。しかし、近年では光位相θ1、θ、θの制御をヒータの熱で行うタイプのIQ光変調器も存在する。このような変調器においてもシーケンスの制御フローは、図2~図4に示す制御フローと本質的な変更はない。しかし、ヒータ電力の変化は印加電圧の正負によらないため、このタイプのIQ光変調器では第1の差動出力DCアンプ203や第2の差動出力DCアンプ204を用いることは無意味であるから省く。Vbias1、Vbias2を第1及び第2のデータバイアス電極の片端81a、91aのみに印加し、他端の81b、91bは接地しておくなどの変更で、他の実施形態と同様に制御が可能となる。
 以上説明した実施形態によれば、光送信器(例えば、光送信器100、100a)は、光変調器(例えば、IQ光変調器M)と、光変調器のバイアス制御を行うバイアス制御回路(例えば、バイアス制御回路400、400a)とを有する。光変調器は、第1の光位相変調部(例えば、第1の光位相変調部2)と、第2の光位相変調部(例えば、第2の光位相変調部3)と、光位相シフタ(例えば、光位相シフタ4)と、合波部(例えば、第2の光カプラ5)とを有する。第1の光位相変調部は、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更し、位相又は強度が変更された光を出力する。第2の光位相変調部は、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更し、位相又は強度が変更された光を出力する。光位相シフタは、第1の光位相変調部からの出力光及び第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより、それら出力光に+π/2または-π/2の光位相差を与える。合波部は、少なくとも一方に光位相シフタによる光位相差が与えられた第1の光位相変調部からの出力光及び第2の光位相変調部からの出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する。
 バイアス制御回路は、第1のバイアス電源(例えば、第1のバイアス電源8)と、第2のバイアス電源(例えば、第2のバイアス電源9)と、第3のバイアス電源(例えば、第3のバイアス電源10)と、光パワモニタ(例えば、光パワモニタ12)と、制御部(例えば、コントローラ600、600a)とを備える。第1のバイアス電源は、第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧(例えば、Vbias1)を発生する。第2のバイアス電源は、第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧(例えば、Vbias2)を発生する。第3のバイアス電源は、光位相シフタの位相シフト量を調整するためのバイアス電圧である第3のバイアス電圧(例えば、Vbias3)を発生する。光パワモニタは、光変調器からの出力光の光パワをモニタする。制御部は、光パワモニタによるモニタ結果に基づいて、第1のバイアス電源が発生する第1のバイアス電圧、第2のバイアス電源が発生する第2のバイアス電圧及び第3のバイアス電源が発生する第3のバイアス電圧を制御する。
 制御部は、バイアス制御回路の立ち上げシーケンスにおいて、第2のバイアス電圧を固定しかつ第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、光パワを最大値又は最小値の近傍に収束するよう制御したときの第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理を行う。あるいは、制御部は、バイアス制御回路の立ち上げシーケンスにおいて、第2のバイアス電圧を固定しかつ第1のn値データ信号の振幅又は第1のバイアス電圧に所定の周波数のディザリングを加えかつ第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、光パワに重畳される所定の周波数の整数倍の成分を0、最大又は最小の近傍に収束するよう制御したときの第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理を行う。なお、ディザリングを加えていないn値データ信号はRF信号であるため振幅を持っており、ディザリング印加後のn値データ信号の振幅は僅かに増減する。一方、バイアス電圧はDCであるため振幅を持たず、ディザリング印加後は、第1のバイアス電圧はほぼ一定ながら、僅かな振幅で変動を持つ。制御部は、上記のいずれかのループ処理を行った後、記録された複数の組それぞれについて第一候補バイアス電圧と第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した差分に基づいて選択した組の第一候補バイアス電圧と第二候補バイアス電圧との間の値、具体的には、選択した組に含まれる第一候補バイアス電圧と第二候補バイアス電圧との平均を、第1のバイアス電源から発生させる第1のバイアス電圧として決定する電圧決定処理を行う。
 制御部は、選択された組が得られたときの第2のバイアス電圧を、第2のバイアス電源から発生させると決定する。あるいは、制御部は、第1のバイアス電圧と第2のバイアス電圧とを入れ替えて上記のループ処理及び電圧決定処理を行って第2のバイアス電圧を決定してもよい。制御部は、決定した第1のバイアス電圧及び決定した第2のバイアス電圧を用いて既存の自動バイアス制御を行って第3のバイアス電圧を制御し、当該バイアス制御回路の立ち上げ処理を終了する。第1のバイアス電圧、第2のバイアス電圧及び第3のバイアス電圧による光位相の調整には、ポッケルス効果または光導波路の熱膨張が用いられる。
 以上説明した実施形態によれば、非対称バイアスディザリングまたはその応用による多値QAM用光変調器のバイアス制御回路において、制御回路の動作開始時における各バイアスの初期値がいかなる値であろうとも、また変調器の動作のインバランスや各バイアスの相互作用が無視できない場合においても、各バイアスが不適切な値に収束することなく適切なバイアス値に収束し、かつその状態を保持することが可能となる。
 以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。
 本発明は、多値QAM光信号を生成する送信器に利用可能である。
M…IQ光変調器
1…第1の光カプラ
2…第1の光位相変調部
3…第2の光位相変調部
4…光位相シフタ
5…第2の光カプラ
6…第1の駆動アンプ
7…第2の駆動アンプ
8…第1のバイアス電源
9…第2のバイアス電源
10… 第3のバイアス電源
11…光分波カプラ
12…光パワモニタ
61a、61b…第1の駆動信号用電極
71a、71b…第2の駆動信号用電極
81a、81b…第1のデータバイアス電極
82…第1の発振器
83…第1の加算器
84…第1の同期検波回路
91a、91b…第2のデータバイアス電極
92…第2の発振器
93…第2の加算器
94…第2の同期検波回路
100、100a…光送信器
101…直交バイアス電極
102…第3の発振器
103…第3の同期検波回路
203…第1の差動出力DCアンプ
204…第2の差動出力DCアンプ
301…第1のスイッチ
311…第2のスイッチ
400、400a…バイアス制御回路
503…第3のループゲイン調整回路
504…第1のループゲイン調整回路
505…第2のループゲイン調整回路
600、600a…コントローラ

Claims (8)

  1.  光変調器のバイアス制御を行うバイアス制御回路であって、
     前記光変調器は、
     入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更する第1の光位相変調部と、
     入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更する第2の光位相変調部と、
     前記第1の光位相変調部からの出力光及び前記第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより+π/2または-π/2の光位相差を与える光位相シフタと、
     少なくとも一方に前記光位相シフタによる前記光位相差が与えられた前記第1の光位相変調部からの前記出力光及び前記第2の光位相変調部からの前記出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する合波部とを有しており、
     前記バイアス制御回路は、
     前記第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧を発生する第1のバイアス電源と、
     前記第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧を発生する第2のバイアス電源と、
     前記光位相シフタの位相シフト量を調整するための第3のバイアス電圧を発生する第3のバイアス電源と、
     前記光変調器からの出力光の光パワをモニタする光パワモニタと、
     前記光パワモニタによるモニタ結果に基づいて、前記第1のバイアス電源が発生する前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電源が発生する前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電源が発生する前記第3のバイアス電圧を制御する制御部とを備え、
     前記制御部は、前記第2のバイアス電圧を固定しかつ前記第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、前記光パワを最大値又は最小値の近傍に収束するよう制御したときの前記第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、前記第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理を行い、記録された複数の前記組それぞれについて前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した前記差分に基づいて選択した組の前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との間の値を、前記第1のバイアス電源から発生させる前記第1のバイアス電圧として決定する電圧決定処理を行う、
     バイアス制御回路。
  2.  光変調器のバイアス制御を行うバイアス制御回路であって、
     前記光変調器は、
     入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更する第1の光位相変調部と、
     入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更する第2の光位相変調部と、
     前記第1の光位相変調部からの出力光及び前記第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより+π/2または-π/2の光位相差を与える光位相シフタと、
     少なくとも一方に前記光位相シフタによる前記光位相差が与えられた前記第1の光位相変調部からの前記出力光及び前記第2の光位相変調部からの前記出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する合波部とを有しており、
     前記バイアス制御回路は、
     前記第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧を発生する第1のバイアス電源と、
     前記第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧を発生する第2のバイアス電源と、
     前記光位相シフタの位相シフト量を調整するための第3のバイアス電圧を発生する第3のバイアス電源と、
     前記光変調器からの出力光の光パワをモニタする光パワモニタと、
     前記光パワモニタによるモニタ結果に基づいて、前記第1のバイアス電源が発生する前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電源が発生する前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電源が発生する前記第3のバイアス電圧を制御する制御部とを備え、
     前記制御部は、前記第2のバイアス電圧を固定しかつ前記第1のn値データ信号の振幅又は前記第1のバイアス電圧に所定の周波数のディザリングを加えかつ前記第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、前記光パワに重畳される前記所定の周波数の整数倍の成分を0、最大又は最小の近傍に収束するよう制御したときの前記第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、前記第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理を行い、記録された複数の前記組それぞれについて前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した前記差分に基づいて選択した組の前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との間の値を、前記第1のバイアス電源から発生させる前記第1のバイアス電圧として決定する電圧決定処理を行う、
     バイアス制御回路。
  3.  前記制御部は、選択された前記組が得られたときの前記第2のバイアス電圧を、前記第2のバイアス電源から発生させると決定する、
     請求項1又は請求項2に記載のバイアス制御回路。
  4.  前記制御部は、前記第1のバイアス電圧と前記第2のバイアス電圧とを入れ替えて前記ループ処理及び前記電圧決定処理を行い、前記第2のバイアス電源から発生させる前記第2のバイアス電圧を決定する、
     請求項1又は請求項2に記載のバイアス制御回路。
  5.  前記制御部は、決定された前記第1のバイアス電圧及び決定された前記第2のバイアス電圧を用いて前記第3のバイアス電圧を制御し、当該バイアス制御回路の立ち上げ処理を終了する、
     請求項3又は請求項4に記載のバイアス制御回路。
  6.  前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電圧による光位相の調整に、ポッケルス効果または光導波路の熱膨張を用いる、
     請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のバイアス制御回路。
  7.  バイアス制御回路が実行する光変調器のバイアス制御方法であって、
     前記光変調器は、
     入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更する第1の光位相変調部と、
     入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更する第2の光位相変調部と、
     前記第1の光位相変調部からの出力光及び前記第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより+π/2または-π/2の光位相差を与える光位相シフタと、
     少なくとも一方に前記光位相シフタによる前記光位相差が与えられた前記第1の光位相変調部からの前記出力光及び前記第2の光位相変調部からの前記出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する合波部とを備えており、
     前記バイアス制御回路において、
     第1のバイアス電源が、前記第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧を発生し、第2のバイアス電源が、前記第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧を発生し、第3のバイアス電源が、前記光位相シフタの位相シフト量を調整するための第3のバイアス電圧を発生するバイアス電圧発生ステップと、
     制御部が、前記光変調器からの出力光の光パワのモニタ結果に基づいて、前記第1のバイアス電源が発生する前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電源が発生する前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電源が発生する前記第3のバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御ステップと、
     前記制御部が、前記第2のバイアス電圧を固定しかつ前記第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、前記光パワを最大値又は最小値の近傍に収束するよう制御したときの前記第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、前記第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理ステップと、
     前記制御部が、前記ループ処理ステップにおいて記録された複数の前記組それぞれについて前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した前記差分に基づいて選択した組の前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との間の値を、前記第1のバイアス電源から発生させる前記第1のバイアス電圧として決定する電圧決定ステップと、
     を有するバイアス制御方法。
  8.  バイアス制御回路が実行する光変調器のバイアス制御方法であって、
     前記光変調器は、
     入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更する第1の光位相変調部と、
     入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更する第2の光位相変調部と、
     前記第1の光位相変調部からの出力光及び前記第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより+π/2または-π/2の光位相差を与える光位相シフタと、
     少なくとも一方に前記光位相シフタによる前記光位相差が与えられた前記第1の光位相変調部からの前記出力光及び前記第2の光位相変調部からの前記出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する合波部とを備えており、
     前記バイアス制御回路において、
     第1のバイアス電源が、前記第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧を発生し、第2のバイアス電源が、前記第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧を発生し、第3のバイアス電源が、前記光位相シフタの位相シフト量を調整するための第3のバイアス電圧を発生するバイアス電圧発生ステップと、
     制御部が、前記光変調器からの出力光の光パワのモニタ結果に基づいて、前記第1のバイアス電源が発生する前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電源が発生する前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電源が発生する前記第3のバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御ステップと、
     前記制御部が、前記第2のバイアス電圧を固定しかつ前記第1のn値データ信号の振幅又は前記第1のバイアス電圧に所定の周波数のディザリングを加えかつ前記第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、前記光パワに重畳される前記所定の周波数の整数倍の成分を0、最大又は最小の近傍に収束するよう制御したときの前記第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、前記第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理ステップと、
     前記制御部が、前記ループ処理ステップにおいて記録された複数の前記組それぞれについて前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した前記差分に基づいて選択した組の前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との間の値を、前記第1のバイアス電源から発生させる前記第1のバイアス電圧として決定する電圧決定ステップと、
     を有するバイアス制御方法。
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