TWI730821B - 多重圖案化方法 - Google Patents

Abstract

一種多重圖案化方法，包括以下步驟。在材料層上形成犧牲層。犧牲層包括交替設置的多個犧牲圖案與多個第一間隙。在多個第一間隙中形成多個第一襯層結構。各個第一襯層結構包括交替設置的多個第一襯層與至少一個第二襯層。第一襯層結構中的兩個第一襯層分別位在相鄰兩個犧牲圖案的側壁。移除多個犧牲圖案，而形成多個第二間隙。在多個第二間隙中形成多個第二襯層結構。各個第二襯層結構包括交替設置的多個第二襯層與至少一個第一襯層。第二襯層結構中的兩個第二襯層分別位在相鄰兩個第一襯層結構的側壁。

Description

多重圖案化方法

本發明是有關於一種半導體製程，且特別是有關於一種多重圖案化方法。

隨著半導體元件正以更高的集積度為目標而朝向微型化的元件發展，必須縮小半導體元件尺寸以增進其集積度。為了縮小半導體元件的尺寸，減小線寬、減小線距與提高圖案轉移的精確度是必需解決的課題。

自對準多重圖案化(self-aligned multiple patterning，SAxP) 製程為解決上述課題的一種手段，例如自對準雙重圖案化(self-aligned double patterning，SADP)製程、自對準四重圖案化(self-aligned quadruple patterning，SAQP)製程或自對準八重圖案化(self-aligned octuple patterning SAOP)製程等。

然而，傳統自對準多重圖案化製程難以彈性地調整目標圖案的數量與寬度，而使得製程缺乏彈性。

本發明提供一種多重圖案化方法，其可使得製程更具有彈性。

本發明提出一種多重圖案化方法，包括以下步驟。提供材料層。在材料層上形成犧牲層。犧牲層包括交替設置的多個犧牲圖案與多個第一間隙。在多個第一間隙中形成多個第一襯層結構。各個第一襯層結構包括交替設置的多個第一襯層與至少一個第二襯層。第一襯層結構中的兩個第一襯層分別位在相鄰兩個犧牲圖案的側壁。移除多個犧牲圖案，而形成多個第二間隙。在多個第二間隙中形成多個第二襯層結構。各個第二襯層結構包括交替設置的多個第二襯層與至少一個第一襯層。第二襯層結構中的兩個第二襯層分別位在相鄰兩個第一襯層結構的側壁。由第一襯層結構與第二襯層結構形成交替設置的第一襯層與第二襯層。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，第一襯層結構的形成方法可包括在第一間隙中依序交替形成第一襯層與第二襯層，以填滿第一間隙。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，在第一間隙中形成第一襯層與第二襯層的方法可包括以下步驟。共形地在第一間隙中形成第一襯材料層。對第一襯材料層進行回蝕刻製程，而形成第一襯層。共形地在第一間隙中形成第二襯材料層。對第二襯材料層進行回蝕刻製程，而形成第二襯層。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，第二襯層結構的形成方法可包括在第二間隙中依序交替形成第二襯層與第一襯層，以填滿第二間隙。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，在第二間隙中形成第二襯層與第一襯層的方法可包括以下步驟。共形地在第二間隙中形成第二襯材料層。對第二襯材料層進行回蝕刻製程，而形成第二襯層。共形地在第二間隙中形成第一襯材料層。對第一襯材料層進行回蝕刻製程，而形成第一襯層。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，同一道回蝕刻製程對材料層的材料、犧牲圖案的材料、第一襯層的材料與第二襯層的材料可具有不同蝕刻率。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，材料層的材料、犧牲圖案的材料、第一襯層的材料與第二襯層的材料之間可不產生化學反應。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，在移除犧牲圖案之前，多個第一襯層結構可分別填滿多個第一間隙。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，在移除犧牲圖案之後，多個第一襯層結構才分別填滿多個第一間隙。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，更可包括以下步驟。在形成第二襯層結構之後，移除第一襯層。利用第二襯層作為罩幕，對材料層進行圖案化，而形成多個目標圖案。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，更可包括以下步驟。在形成第二襯層結構之後，移除第二襯層。利用第一襯層作為罩幕，對材料層進行圖案化，而形成多個目標圖案。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，第一間隙的寬度與第二間隙的寬度可為相同。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，第一間隙的寬度與第二間隙的寬度可為不同。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，第一襯層的寬度與第二襯層的寬度可為相同。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，第一襯層的寬度與第二襯層的寬度可為不同。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，多個第一襯層的寬度可為相同。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，多個第一襯層的寬度可為不同。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，多個第二襯層的寬度可為相同。

依照本發明的一實施例所述，在上述多重圖案化方法中，多個第二襯層的寬度可為不同。

基於上述，在本發明所提出的多重圖案化方法中，先在第一間隙中形成包括交替設置的第一襯層與第二襯層的第一襯層結構，再於第二間隙中形成包括交替設置的第二襯層與第一襯層的第二襯層結構。如此一來，可依據需求來彈性調整第一間隙與第二間隙的寬度、形成在第一間隙中的第一襯層與第二襯層的數量與寬度、以及形成在第二間隙中的第二襯層與第一襯層的數量與寬度等。因此，在利用第一襯層或第二襯層作為罩幕來對材料層進行圖案化時，可藉由對第一襯層或第二襯層的圖案設計來彈性地調整目標圖案的數量與寬度，而使得製程更具有彈性。此外，可依據需求來選擇第一襯層或第二襯層作為罩幕，藉此可進一步提升製程彈性。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖1N為根據本發明一實施例的圖案化製程的剖面圖。

請參照圖1A，提供材料層102。舉例來說，可將材料層102提供至基底100上。基底100可為半導體基底，如矽基底。材料層102可作為預定進行圖案化的膜層。材料層102的材料例如是氮化矽、二氧化矽(silica)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、碳化矽(silicon carbon)或碳氮化矽(silicon carbon nitride)。材料層102的形成方法例如是化學氣相沉積法、物理氣相沉積法(PVD)或旋轉塗佈法(spin-on coating)。在另一些實施例中，基底100可作為預定進行圖案化的材料層，且可根據需求來決定是否省略材料層102。

接著，在材料層102上形成犧牲層104。犧牲層104包括交替設置的多個犧牲圖案106與多個第一間隙G1。犧牲圖案106的材料例如是碳、矽、氮化矽、二氧化矽、鍺(germanium)、矽鍺(SiGe)、多晶矽(polysilicon)、氮氧化矽(SiON)或碳化矽(SiC)。犧牲層104的形成方法例如是先形成犧牲材料層(未示出)，再利用微影蝕刻製程對犧牲材料層進行圖案化。犧牲材料層的形成方法例如是化學氣相沉積法、物理氣相沉積法或旋轉塗佈法。

請參照圖1B至圖1F，在多個第一間隙G1中形成多個第一襯層結構LS1。請參照圖1F，各個第一襯層結構LS1包括交替設置的多個第一襯層108a與至少一個第二襯層110a。第一襯層結構LS1中的兩個第一襯層108a分別位在相鄰兩個犧牲圖案106的側壁。第一襯層結構LS1中的兩個第一襯層108a可位在第一襯層結構LS1的兩相對末端且鄰近於相鄰兩個犧牲圖案106。第一襯層結構LS1的形成方法可包括在第一間隙G1中依序交替形成第一襯層108a與第二襯層110a，以填滿第一間隙G1，舉例說明如下。

請參照圖1B，共形地在第一間隙G1中形成第一襯材料層108。第一襯材料層108的材料例如是鎢(W)、氮化鈦(TiN)、氧化鈦(TiO)、氮化矽、二氧化矽、氮氧化矽、碳氮化矽、非晶矽(amorphous silicon)或多晶矽。第一襯材料層108的形成方法例如是原子層沉積法(atomic layer deposition，ALD)，如電漿增強型原子層沉積法(PEALD)或加熱式原子層沉積法(thermal ALD)。請參照圖1C，對第一襯材料層108進行回蝕刻製程，而形成第一襯層108a。回蝕刻製程例如是乾式蝕刻製程。請參照圖1D，共形地在第一間隙G1中形成第二襯材料層110。第二襯材料層110的材料例如是氮化鈦、鎢、氧化鈦、氮化矽、二氧化矽、氮氧化矽、碳氮化矽、非晶矽或多晶矽。第二襯材料層110的形成方法例如是原子層沉積法，如電漿增強型原子層沉積法或加熱式原子層沉積法。請參照圖1E，對第二襯材料層110進行回蝕刻製程，而形成第二襯層110a。回蝕刻製程例如是乾式蝕刻製程。接著，可再次進行圖1B至圖1C的步驟，而獲得如圖1F所示的填滿第一間隙G1的第一襯層結構LS1，但本發明並不以此為限。

在另一些實施例中，在第一間隙G1具有較小寬度的情況下，可不重複進行圖1B至圖1C的步驟，而由兩個第一襯層108a與一個第二襯層110a填滿第一間隙G1，亦即第一襯層結構LS1可僅包括兩個第一襯層108a與一個第二襯層110a。在另一些實施例中，在第一間隙G1具有更大寬度的情況下，可重複進行圖1B至圖1E的步驟，以依序交替形成多個第一襯層108a與多個第二襯層110a來填滿第一間隙G1，亦即第一襯層結構LS1可包括多個第一襯層108a與多個第二襯層110a。換言之，第一襯層結構LS1中的第一襯層108a的數量與第二襯層110a的數量並不以圖1F中的數量為限，只要第一襯層結構LS1包括交替設置的多個第一襯層108a與至少一個第二襯層110a即屬於本發明所涵蓋的範圍。

在上述第一襯層結構LS1的製程中，同一道回蝕刻製程對材料層102的材料、犧牲圖案106的材料、第一襯層108a的材料與第二襯層110a的材料可具有不同蝕刻率，因此可藉由回蝕刻製程對材料層102的材料、犧牲圖案106的材料、第一襯層108a的材料與第二襯層110a的材料之間的高蝕刻選擇比，來形成第一襯層結構LS1。此外，材料層102的材料、犧牲圖案106的材料、第一襯層108a的材料與第二襯層110a的材料彼此之間可不產生化學反應，以形成品質良好的第一襯層結構LS1。

請參照圖1G，移除多個犧牲圖案106，而形成多個第二間隙G2。犧牲圖案106的移除方法例如是灰化法(ashing)、乾式蝕刻法或濕式蝕刻法。在本實施例中，第一間隙G1的寬度W1與第二間隙G2的寬度W2是以相同為例，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，第一間隙G1的寬度W1與第二間隙G2的寬度W2可為不同。

請參照圖1H至圖1L，在多個第二間隙G2中形成多個第二襯層結構LS2。請參照圖1L，各個第二襯層結構LS2包括交替設置的多個第二襯層110a與至少一個第一襯層108a。第二襯層結構LS2中的兩個第二襯層110a分別位在相鄰兩個第一襯層結構LS1的側壁。第二襯層結構LS2中的兩個第二襯層110a可位在第二襯層結構LS2的兩相對末端且鄰近於相鄰兩個第一襯層結構LS1。此外，由第一襯層結構LS1與第二襯層結構LS2形成交替設置的第一襯層108a與第二襯層110a。第二襯層結構LS2的形成方法可包括在第二間隙G2中依序交替形成第二襯層110a與第一襯層108a，以填滿第二間隙G2，舉例說明如下。

請參照圖1H，共形地在第二間隙G2中形成第二襯材料層110。第二襯材料層110的材料例如是氮化鈦、鎢、氧化鈦、氮化矽、二氧化矽、氮氧化矽、碳氮化矽、非晶矽或多晶矽。第二襯材料層110的形成方法例如是原子層沉積法，如電漿增強型原子層沉積法或加熱式原子層沉積法。請參照圖1I，對第二襯材料層110進行回蝕刻製程，而形成第二襯層110a。回蝕刻製程例如是乾式蝕刻製程。請參照圖1J，共形地在第二間隙G2中形成第一襯材料層108。第一襯材料層108的材料例如是鎢、氮化鈦、氧化鈦、氮化矽、二氧化矽、氮氧化矽、碳氮化矽、非晶矽或多晶矽。第一襯材料層108的形成方法例如是原子層沉積法，如電漿增強型原子層沉積法或加熱式原子層沉積法。請參照圖1K，對第一襯材料層108進行回蝕刻製程，而形成第一襯層108a。回蝕刻製程例如是乾式蝕刻製程。接著，可再次進行圖1H至圖1I的步驟，而獲得如圖1L所示的填滿第二間隙G2的第二襯層結構LS2，但本發明並不以此為限。

在另一些實施例中，在第二間隙G2具有較小寬度的情況下，可不重複進行圖1H至圖1I的步驟，而由兩個第二襯層110a與一個第一襯層108a填滿第二間隙G2，亦即第二襯層結構LS2可僅包括兩個第二襯層110a與一個第一襯層108a。在另一些實施例中，在第二間隙G2具有更大寬度的情況下，可重複進行圖1H至圖1K的步驟，以依序交替形成多個第二襯層110a與多個第一襯層108a來填滿第二間隙G2，亦即第二襯層結構LS2可包括多個第二襯層110a與多個第一襯層108a。換言之，第二襯層結構LS2中的第二襯層110a的數量與第一襯層108a的數量並不以圖1L中的數量為限，只要第二襯層結構LS2包括交替設置的多個第二襯層110a與至少一個第一襯層108a即屬於本發明所涵蓋的範圍。

在上述第二襯層結構LS2的製程中，同一道回蝕刻製程對材料層102的材料、第一襯層108a的材料與第二襯層110a的材料可具有不同蝕刻率，因此可藉由回蝕刻製程對材料層102的材料、第一襯層108a的材料與第二襯層110a的材料之間的高蝕刻選擇比，來形成第二襯層結構LS2。此外，材料層102的材料、第一襯層108a的材料與第二襯層110a的材料彼此之間可不產生化學反應，以形成品質良好的第二襯層結構LS2。

在本實施例中，第一襯層108a的寬度與第二襯層110a的寬度是以相同為例，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，第一襯層108a的寬度與第二襯層110a的寬度可為不同。在本實施例中，多個第一襯層108a的寬度可為相同，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，多個第一襯層108a的寬度可為不同。在本實施例中，多個第二襯層110a的寬度可為相同，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，多個第二襯層110a的寬度可為不同。此外，第一襯層結構LS1的頂部輪廓與第二襯層結構LS2的頂部輪廓並不限於圖1L中的形狀。第一襯層結構LS1的頂部輪廓與第二襯層結構LS2的頂部輪廓可能會因為蝕刻製程參數的不同而有所改變。

請參照圖1M，在形成第二襯層結構LS2之後，可移除第一襯層108a。第一襯層108a的移除方法例如是濕式蝕刻法或乾式蝕刻法。

接著，利用第二襯層110a作為罩幕，對材料層102進行圖案化，而形成多個目標圖案102a。對材料層102進行圖案化的方法例如是乾式蝕刻法。

請參照圖1N，在形成目標圖案102a之後，可移除第二襯層110a。第二襯層110a的移除方法例如是濕式蝕刻法或乾式蝕刻法。

基於上述實施例可知，在上述多重圖案化方法中，先在第一間隙G1中形成包括交替設置的第一襯層108a與第二襯層110a的第一襯層結構LS1，再於第二間隙G2中形成包括交替設置的第二襯層110a與第一襯層108a的第二襯層結構LS2。如此一來，可依據需求來彈性調整第一間隙G1與第二間隙G2的寬度、形成在第一間隙G1中的第一襯層108a與第二襯層110a的數量與寬度、以及形成在第二間隙G2中的第二襯層110a與第一襯層108a的數量與寬度等。因此，在利用第一襯層108a或第二襯層110a作為罩幕來對材料層102進行圖案化時，可藉由對第一襯層108a或第二襯層110a的圖案設計來彈性地調整目標圖案102a的數量與寬度，而使得製程更具有彈性。

圖2A至圖2B為根據本發明另一實施例的圖案化製程的剖面圖。圖2A至圖2B為接續圖1L的步驟之後的製作流程剖面圖。

請參照圖2A，在形成圖1L的結構之後，可移除第二襯層110a。第二襯層110a的移除方法例如是濕式蝕刻法或乾式蝕刻法。

接著，利用第一襯層108a作為罩幕，對材料層102進行圖案化，而形成多個目標圖案102b。對材料層102進行圖案化的方法例如是乾式蝕刻法。

請參照圖2B，在形成目標圖案102a之後，可移除第一襯層108a。第一襯層108a的移除方法例如是濕式蝕刻法或乾式蝕刻法。

基於上述實施例可知，在上述多重圖案化方法中，可依據需求來選擇第一襯層108a或第二襯層110a作為罩幕，藉此可進一步提升製程彈性。

在上述實施例中，在移除多個犧牲圖案106之前，多個第一襯層結構LS1可分別填滿多個第一間隙G1，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，在移除多個犧牲圖案106之後，多個第一襯層結構LS1才分別填滿多個第一間隙G1，舉例說明如下。

圖3A至圖3C為根據本發明另一實施例的圖案化製程的剖面圖。圖3A至圖3C為接續圖1A的步驟之後的製作流程剖面圖。

請參照圖3A，在形成圖1A中的犧牲層104之後，可在第一間隙G1中依序交替形成第一襯層108a與第二襯層110a，但第一襯層108a與第二襯層110a並未填滿第一間隙G1。圖3A中的第一間隙G1的寬度可大於圖1A中的第一間隙G1的寬度。依序交替形成第一襯層108a與第二襯層110a的方法可參照上述實施例的內容，於此不再說明。此外，圖3A與圖1A中相同的構件以相同的符號表示並省略其說明。

請參照圖3B，移除多個犧牲圖案106，而形成多個第二間隙G2。犧牲圖案106的移除方法例如是灰化法、乾式蝕刻法或濕式蝕刻法。在本實施例中，第一間隙G1的寬度W1可大於第二間隙G2的寬度W2，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，第一間隙G1的寬度W1可小於第二間隙G2的寬度W2。在另一些實施例中，第一間隙G1的寬度W1與第二間隙G2的寬度W2可為相同。

請參照圖3C，可在第二間隙G2中依序交替形成第二襯層110a與第一襯層108a，以形成填滿第二間隙G2的第二襯層結構LS2。此外，在形成第二襯層結構LS2的過程中，可形成填滿第一間隙G1的第一襯層結構LS1。此外，由第一襯層結構LS1與第二襯層結構LS2形成交替設置的第一襯層108a與第二襯層110a。依序交替形成第二襯層110a與第一襯層108a的方法可參照上述實施例的內容，於此不再說明。

基於上述實施例可知，在上述多重圖案化方法中，可依據需求來選擇在移除犧牲圖案106之前或之後，形成填滿第一間隙G1的第一襯層結構LS1，藉此可進一步提升製程彈性。

綜上所述，在上述實施例的多重圖案化方法中，可依據需求來彈性調整第一間隙與第二間隙的寬度、形成在第一間隙中的第一襯層與第二襯層的數量與寬度、以及形成在第二間隙中的第二襯層與第一襯層的數量與寬度等。因此，在利用第一襯層或第二襯層作為罩幕來對材料層進行圖案化時，可藉由對第一襯層或第二襯層的圖案設計來彈性地調整目標圖案的數量與寬度，而使得製程更具有彈性。此外，可依據需求來選擇第一襯層或第二襯層作為罩幕，藉此可進一步提升製程彈性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100:基底 102:材料層 102a,102b:目標圖案 104:犧牲層 106:犧牲圖案 108:第一襯材料層 108a:第一襯層 110:第二襯材料層 110a:第二襯層 G1:第一間隙 G2:第二間隙 LS1:第一襯層結構 LS2:第二襯層結構 W1,W2:寬度

圖1A至圖1N為根據本發明一實施例的圖案化製程的剖面圖。 圖2A至圖2B為根據本發明另一實施例的圖案化製程的剖面圖。 圖3A至圖3C為根據本發明另一實施例的圖案化製程的剖面圖。

100:基底

102:材料層

108a:第一襯層

110a:第二襯層

G1:第一間隙

G2:第二間隙

LS1:第一襯層結構

Claims (19)

1. 一種多重圖案化方法，包括： 提供材料層； 在所述材料層上形成犧牲層，其中所述犧牲層包括交替設置的多個犧牲圖案與多個第一間隙； 在多個所述第一間隙中形成多個第一襯層結構，各個所述第一襯層結構包括交替設置的多個第一襯層與至少一個第二襯層，其中所述第一襯層結構中的兩個所述第一襯層分別位在相鄰兩個所述犧牲圖案的側壁； 移除多個所述犧牲圖案，而形成多個第二間隙；以及 在多個所述第二間隙中形成多個第二襯層結構，各個所述第二襯層結構包括交替設置的多個所述第二襯層與至少一個所述第一襯層，其中所述第二襯層結構中的兩個所述第二襯層分別位在相鄰兩個所述第一襯層結構的側壁，且由多個所述第一襯層結構與多個所述第二襯層結構形成交替設置的多個所述第一襯層與多個所述第二襯層。
2. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中所述第一襯層結構的形成方法包括： 在所述第一間隙中依序交替形成所述第一襯層與所述第二襯層，以填滿所述第一間隙。
3. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中在所述第一間隙中形成所述第一襯層與所述第二襯層的方法包括： 共形地在所述第一間隙中形成第一襯材料層； 對所述第一襯材料層進行回蝕刻製程，而形成所述第一襯層； 共形地在所述第一間隙中形成第二襯材料層；以及 對所述第二襯材料層進行回蝕刻製程，而形成所述第二襯層。
4. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中所述第二襯層結構的形成方法包括： 在所述第二間隙中依序交替形成所述第二襯層與所述第一襯層，以填滿所述第二間隙。
5. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中在所述第二間隙中形成所述第二襯層與所述第一襯層的方法包括： 共形地在所述第二間隙中形成第二襯材料層； 對所述第二襯材料層進行回蝕刻製程，而形成所述第二襯層； 共形地在所述第二間隙中形成第一襯材料層；以及 對所述第一襯材料層進行回蝕刻製程，而形成所述第一襯層。
6. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中同一道回蝕刻製程對所述材料層的材料、所述犧牲圖案的材料、所述第一襯層的材料與所述第二襯層的材料具有不同蝕刻率。
7. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中所述材料層的材料、所述犧牲圖案的材料、所述第一襯層的材料與所述第二襯層的材料之間不產生化學反應。
8. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中在移除多個所述犧牲圖案之前，多個所述第一襯層結構分別填滿多個所述第一間隙。
9. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中在移除多個所述犧牲圖案之後，多個所述第一襯層結構才分別填滿多個所述第一間隙。
10. 如請求項1所述的多重圖案化方法，更包括： 在形成多個所述第二襯層結構之後，移除多個所述第一襯層；以及 利用多個所述第二襯層作為罩幕，對所述材料層進行圖案化，而形成多個目標圖案。
11. 如請求項1所述的多重圖案化方法，更包括： 在形成多個所述第二襯層結構之後，移除多個所述第二襯層；以及 利用多個所述第一襯層作為罩幕，對所述材料層進行圖案化，而形成多個目標圖案。
12. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中所述第一間隙的寬度與所述第二間隙的寬度相同。
13. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中所述第一間隙的寬度與所述第二間隙的寬度不同。
14. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中所述第一襯層的寬度與所述第二襯層的寬度相同。
15. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中所述第一襯層的寬度與所述第二襯層的寬度不同。
16. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中多個所述第一襯層的寬度相同。
17. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中多個所述第一襯層的寬度不同。
18. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中多個所述第二襯層的寬度相同。
19. 如請求項1所述的多重圖案化方法，其中多個所述第二襯層的寬度不同。

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