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TWI660181B - 基板檢查裝置以及基板檢查方法 - Google Patents

基板檢查裝置以及基板檢查方法 Download PDF

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TWI660181B
TWI660181B TW104117690A TW104117690A TWI660181B TW I660181 B TWI660181 B TW I660181B TW 104117690 A TW104117690 A TW 104117690A TW 104117690 A TW104117690 A TW 104117690A TW I660181 B TWI660181 B TW I660181B
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insulation
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Inventor
山下宗寛
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日商日本電產理德股份有限公司
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Abstract

本發明提供能提升絕緣檢查的檢查精度的基板檢查裝置以及基板檢查方法。基板檢查裝置具備：低電壓檢查部，其執行低電壓絕緣檢查，在該低電壓絕緣檢查中，使佈線圖案對間産生電位差，基於在佈線圖案對間流過的電流來判定佈線圖案對間的絕緣良好與否；電阻測定部，其執行電阻測定處理，測定在低電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的對的佈線間的電阻值；以及高電壓檢查部，其執行高電壓絕緣檢查，在該高電壓絕緣檢查中，使作為包含電阻測定處理中測定出的電阻值低於預先設定的基準值的對的一方的佈線的其它對的佈線、且在低電壓絕緣檢查中判定為絕緣良好的對的佈線之間，産生大於該低電壓絕緣檢查中的電位差的電位差，基於在該對的佈線間流過的電流來判定該對的佈線間的絕緣良好與否。

Description

基板檢查裝置以及基板檢查方法
本發明涉及用於進行基板的檢查的基板檢查裝置以及基板檢查方法。
在基板形成多個佈線圖案的情况下，進行絕緣檢查（漏電檢查），檢查各佈線圖案是否正確地絕緣。對檢查對象的佈線圖案之間施加電壓，檢測在該佈線圖案之間是否流過電流，由此來進行絕緣檢查。但是，若在佈線圖案之間出現絕緣不良的情况下對該佈線圖案之間施加絕緣檢查用的電壓，則電流流過絕緣不良部位而發熱，有可能會燒壞絕緣不良部位。
於是已知如下技術（例如參考專利文獻1）：首先對佈線圖案之間施加不會使絕緣不良部位燒壞的低電壓，僅對未流過電流的佈線間以高電壓施加絕緣檢查，判斷為在高電壓的絕緣檢查下未流過電流的佈線間沒有絕緣不良（絕緣為良好）。
專利文獻 專利文獻1：JP特開平6－230058號公報
但是，發明人發現，對佈線圖案之間施加低電壓並僅對未流過電流的佈線間以高電壓施加絕緣檢查，將在高電壓的絕緣檢查下未流過電流的佈線間判定為絕緣良好，在這樣的檢查方法中，有可能會誤將絕緣不良部位判斷為絕緣良好（放過絕緣不良）。
本發明提供能提升絕緣檢查的檢查精度的基板檢查裝置以及基板檢查方法。
本發明所涉及的基板檢查裝置檢查相互分開配置的3個以上的佈線圖案的相互間的絕緣，所述基板檢查裝置具備：低電壓檢查部，其執行低電壓絕緣檢查，在該低電壓絕緣檢查中，將所述3個以上的佈線圖案當中彼此相鄰的2個佈線圖案作為一對，使多對佈線圖案之間分別産生電位差，基於在所述各對的佈線圖案之間流過的電流來分別判定所述各對的佈線圖案之間的絕緣良好與否；電阻測定部，其執行電阻測定處理，該電阻測定處理測定在所述低電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的對的佈線圖案之間的電阻值；以及高電壓檢查部，其執行高電壓絕緣檢查，在該高電壓絕緣檢查中，在包含所述電阻測定處理中測定出的電阻值低於預先設定的基準值的對的一方的佈線圖案的其它對的佈線圖案之間、且在所述低電壓絕緣檢查中判定為絕緣良好的對的佈線圖案之間，産生大於該低電壓絕緣檢查中的所述電位差的電位差，基於在該對的佈線圖案之間流過的電流來判定該對的佈線圖案之間的絕緣良好與否。
另外，本發明所涉及的基板檢查方法檢查相互分開配置的3個以上的佈線圖案的相互間的絕緣，所述基板檢查方法包含：低電壓檢查工序，執行低電壓絕緣檢查，在該低電壓絕緣檢查中，將所述3個以上的佈線圖案當中彼此相鄰的2個佈線圖案作為一對，使多對佈線圖案之間分別産生電位差，基於在所述各對的佈線圖案之間流過的電流來分別判定所述各對的佈線圖案之間的絕緣良好與否；電阻測定工序，執行電阻測定處理，該電阻測定處理測定在所述低電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的對的佈線圖案之間的電阻值；和高電壓檢查工序，執行高電壓絕緣檢查，在該高電壓絕緣檢查中，在包含所述電阻測定處理中測定出的電阻值低於預先設定的基準值的對的一方的佈線圖案的其它對的佈線圖案之間、且在所述低電壓絕緣檢查中判定為絕緣良好的對的佈線圖案之間，産生大於該低電壓絕緣檢查中的所述電位差的電位差，基於在該對的佈線圖案之間流過的電流來判定該對的佈線圖案之間的絕緣良好與否。
發明人發現，在包含檢查對象的佈線圖案對的一方的佈線圖案的其它佈線圖案對、即與檢查對象的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對中有絕緣不良的情况下，由於該絕緣不良的影響，有時會不能檢測出（放過）檢查對象的佈線圖案對的絕緣不良。進而，發明人發現，在與檢查對象的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對的絕緣不良是低於給定的基準值的低電阻的絕緣不良的情况下，對於與有這樣的低電阻的絕緣不良的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對，能檢測出絕緣不良。
於是，根據這些構成，在檢查相互分開配置的3個以上的佈線圖案相互間的絕緣時，使彼此相鄰的一對佈線圖案之間産生電位差來執行低電壓絕緣檢查。然後，測定在低電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的對的佈線圖案之間的電阻值，在有測定出的電阻值低於基準值的對的情况下，使與該對相鄰且在低電壓絕緣檢查中判定為絕緣良好的對的佈線圖案之間産生大於其低電壓絕緣檢查中的電位差的電位差，來執行高電壓絕緣檢查。
據此，即使在與檢查對象的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對有絕緣不良的情况下，也由於在該絕緣不良的電阻值小、能檢測檢查對象的佈線圖案對的絕緣不良的情况下執行判定該檢查對象的佈線圖案對的絕緣良好與否的高電壓絕緣檢查，因此減低了將絕緣不良部位誤判斷為絕緣良好的可能性，能提升絕緣檢查的檢查精度。
較佳地，所述高電壓檢查部對包含所述電阻測定處理中測定出的電阻值超過所述基準值的對的一方的佈線圖案的其它對的佈線圖案禁止所述高電壓絕緣檢查的執行。
發明人發現，若對包含電阻測定處理中測定出的電阻值超過基準值的對的一方的佈線圖案的其它對的佈線圖案、即與絕緣不良的電阻值超過基準值的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對執行高電壓的絕緣檢查，則有不能檢測出（放過）檢查對象的佈線圖案對的絕緣不良的可能性。為此，根據該構成，由於不對與絕緣不良的電阻值超過基準值的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對執行高電壓絕緣檢查，因此避免了可靠性低的高電壓絕緣檢查的執行，其結果能提升絕緣檢查的檢查精度。
較佳地，所述高電壓檢查部對在所述低電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的對的佈線圖案之間禁止所述高電壓絕緣檢查的執行。
根據該構成，不對在低電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良因而有絕緣不良的佈線圖案之間執行高電壓絕緣檢查，因此不對絕緣不良部位施加高電壓，所以能避免高電壓引起的絕緣不良部位的燒壞。
較佳地，還對應於所述各佈線圖案具備多組分別與所述佈線圖案的兩處接觸的第1以及第2探頭，所述電阻測定部在所述電阻測定處理中，檢測在與成為測定對象的所述對的一方的佈線圖案的一端對應的第1探頭和與另一方的佈線圖案的一端對應的第1探頭之間的所述測定對象的對的佈線圖案之間流過的電流，檢測與該一方的佈線圖案的另一端對應的第2探頭和與另一方的佈線圖案的另一端對應的第2探頭之間的所述測定對象的對的佈線圖案之間的電壓，基於該檢測出的所述電流和所述電壓來算出所述測定對象的對的佈線圖案之間的電阻值。
根據該構成，2個探頭與要測定佈線圖案之間的電阻的佈線圖案對的一方的佈線圖案接觸，兩個探頭與另一方的佈線圖案接觸。然後，用與對佈線圖案之間提供電流的探頭不同的探頭檢測佈線圖案之間的電壓，因此能進行基於所謂的四端子法的高精度的電阻測定。因此，電阻測定處理中的電阻測定精度提升，結果各佈線圖案對是否是高電壓絕緣檢查的執行對象的判定精度提升，因而能提升絕緣檢查的檢查精度。
較佳地，所述低電壓絕緣檢查中的所述電位差設為如下電壓：在出現了線狀延伸的導體跨架在所述相鄰的2個佈線圖案之間地形成的不良部、或微粒子狀的多個導體粒子分布在所述2個佈線圖案之間的不良部的情况下，不會使這些不良部燒壞的電壓。
根據該構成，在出現了線狀延伸的導體跨架在檢查對象的2個佈線圖案之間地形成的不良部、或微粒子狀的多個導體粒子分布的不良部的情况下，能減低絕緣檢查中燒壞這些不良部的可能性。
較佳地，所述低電壓絕緣檢查中的所述電位差是使0.1mA～2mA的給定的電流流過所述不良部而産生電壓、以及0.2V～20V的給定的電壓當中較低的電壓。
若將低電壓絕緣檢查中的電位差設為使0.1mA～2mA的給定的電流流過所述不良部而産生的電壓、和0.2V～20V的給定的電壓當中任意的低的電壓，則在出現了線狀延伸的導體跨架在檢查對象的2個佈線圖案之間地形成的不良部、或微粒子狀的多個導體粒子分布的不良部的情况下，能減低絕緣檢查中燒壞這些不良部的可能性。
較佳地，將所述高電壓絕緣檢查中的所述電位差設為如下電壓：在出現了使所述對的佈線圖案之間的間隔變窄的不良部的情况下使所述對的佈線圖案之間産生電火花的電壓。
根據該構成，在佈線圖案之間空開間隔、不導通的構成的佈線圖案之間的間隔變窄而出現絕緣距離降低的絕緣不良的情况下，在高電壓絕緣檢查中使佈線圖案之間産生電火花，能檢測該絕緣不良。
較佳地，所述高電壓絕緣檢查中的所述電位差設為如下電壓：使超過2mA的給定的電流流過所述不良部而産生的電壓、和超過20V的給定的電壓當中較低的電壓。
若將高電壓絕緣檢查中的電位差設為使超過2mA的給定的電流流過不良部而産生的電壓、和超過20V的給定的電壓當中任意的低的電壓，則在高電壓絕緣檢查中能檢測使對的佈線圖案之間的間隔變窄的不良。
較佳地，所述基準值是為了判別線狀延伸的導體跨架在所述相鄰的2個佈線圖案之間地形成的不良部、和微粒子狀的多個導體粒子分布在所述2個佈線圖案之間的不良部而設定的電阻值。
發明人發現，在與檢查對象的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對之間有線狀延伸的導體跨架而形成的絕緣不良的情况下，對與有這樣的絕緣不良的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對能檢測絕緣不良。為此，根據該構成，由於在與檢查對象的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對之間有線狀延伸的導體跨架而形成的絕緣不良的情况下，執行判定該檢查對象的佈線圖案對的絕緣良好與否的高電壓絕緣檢查，因此減低了將絕緣不良部位誤判斷為絕緣良好的可能性，能提升絕緣檢查的檢查精度。
較佳地，所述基準值是大致25Ω。
大致25Ω適於作為用於判別線狀延伸的導體跨架在相鄰的2個佈線圖案之間而形成的不良部、和微粒子狀的多個導體粒子分布在2個佈線圖案之間的不良部的基準值。
較佳地，還具備不良原因推定部，其推定為在所述電阻測定處理中測定出的電阻值低於所述基準值的對的佈線圖案之間有線狀延伸的導體跨架而形成的不良部。
根據該構成，由於在佈線圖案對的佈線圖案之間的電阻值低於基準值的情况下推定為在該佈線圖案對間有線狀延伸的導體跨架而形成的不良部，因此能獲知絕緣不良的詳細的形態。
較佳地，還具備不良原因推定部，其推定為在所述電阻測定處理中測定出的電阻值超過所述基準值的對的佈線圖案之間有微粒子狀的多個導體粒子分布的不良部。
根據該構成，由於在佈線圖案對的佈線圖案之間的電阻值超過基準值的情况下，推定為在該佈線圖案對間有微粒子狀的多個導體粒子分布的不良部，因此能獲知絕緣不良的詳細的方式。
較佳地，還具備不良原因推定部，其推定為在所述高電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的對的佈線圖案之間有使該對的佈線圖案之間的間隔變窄的不良部。
根據該構成，由於在高電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的情况下，推定為在該佈線圖案對之間有使該對的佈線圖案之間的間隔變窄的不良部，因此能獲知絕緣不良的詳細的形態。
這樣的構成的基板檢查裝置、以及基板檢查方法能提升絕緣檢查的檢查精度。
以下根據附圖說明本發明所涉及的實施方式。另外，各圖中標注相同標號的構成表示是相同構成，省略其說明。第1圖是概略表示本發明的1個實施方式所涉及的基板檢查裝置的構成的一例的主視圖。第1圖所示的基板檢查裝置1是用於檢查形成在檢查對象的基板100上的電路圖案的裝置。
基板100例如是印刷布線基板。另外，基板100例如可以是柔性基板、陶瓷多層布線基板、液晶顯示器或電漿顯示器用的電極板、以及半導體封裝用的封裝基板或膜載體（film carrier）等各種基板。
第1圖所示的基板檢查裝置1具備：檢查裝置主體2、以及檢查夾具3U、3D。檢查裝置主體2主要具備：檢查部4U、4D、檢查部移動機構5U、5D、基板固定裝置6、以及收容這些各部的框體7。基板固定裝置6構成為將檢查對象的基板100固定在給定的位置。檢查部移動機構5U、5D使檢查部4U、4D在筐體7內適當移動。
檢查部4U位於固定在基板固定裝置6的基板100的上方。檢查部4D位於固定在基板固定裝置6的基板100的下方。檢查部4U、4D構成為能拆裝用於檢查形成在基板100的電路圖案的檢查夾具3U、3D。
在檢查夾具3U、3D分別安裝多個探頭Pr。探頭Pr由鎢（W）、高速鋼（SKH）、鈹銅（BeCu）等富有韌性的金屬等的導電體形成，並形成為能彎折、有彈性（可撓性）的絲狀（棒狀）。探頭Pr的直徑例如為100μm程度。
各探頭Pr與設定在成為檢查對象的基板100的佈線圖案上的檢查點的位置對應而配置。由此，檢查夾具3U的各探頭Pr分別與基板100上表面的各檢查點接觸，檢查夾具3D的各探頭Pr分別與基板100下表面的各檢查點接觸。
第2圖是表示在成為檢查對象的基板100表面的佈線圖案出現的絕緣不良的形態的說明圖。在第2圖中，示出了在基板100的表面相互分開地並設3條佈線圖案P1、P2、P3的示例。在佈線圖案P1、P2、P3的兩端部設置用於焊接例如IC（Integrated Circuit）或電阻、電容器等的電子部件的焊盤L。焊盤L在檢查時適於作為使探頭Pr接觸的檢查點。
第2圖（a）部分示出跨架在佈線圖案P1、P2間按細線狀延伸的導體跨架形成的毛狀物短路（hair short）不良F1、和從佈線圖案P1向佈線圖案P2延伸細線狀的導體的細線不良F2。在製造基板100的工序中，在以蝕刻在基板100的表面形成佈線圖案P1、P2、P3後，有時要研磨形成了佈線圖案P1、P2、P3的基板表面。若佈線圖案P1、P2、P3被研磨，則有可能會在佈線圖案P1、P2、P3的緣部出現毛刺。
若如此出現在佈線圖案P1的毛刺跨架到相鄰的佈線圖案P2地形成，與佈線圖案P2接觸，則成為毛狀物短路不良F1。若出現毛狀物短路不良F1，佈線圖案P1、P2間就會導通。毛狀物短路不良F1的電阻（佈線圖案P1、P2間的電阻值Rx）多數情况為約25Ω以下。毛狀物短路不良F1的細線狀導體的粗細成為微米級，若將絕緣檢查中一般使用的250V程度的檢查電壓加到這樣的細線狀導體、流過大的電流，就有可能會燒壞。
另外，在如此出現在佈線圖案P1的毛刺未抵達相鄰的佈線圖案P2的情况下，成為細線不良F2。若出現細線不良F2，則由於細線不良F2的前端部靠近佈線圖案P2，因此佈線圖案P1、P2間的絕緣距離(間隔)減少從而佈線圖案P1、P2間的絕緣耐壓減少。這種情况下，在對佈線圖案P1、P2施加高電壓時，有可能會在細線不良F2的前端部與佈線圖案P2之間出現電火花（spark）。
第2圖（b）部分示出在佈線圖案P1、P2間微粒子狀的多個導體粒子分布而形成的微粒子不良F3、和在佈線圖案P2形成朝向佈線圖案P3突出的突起部的突起不良F4。
微粒子不良F3例如是上述那樣研磨銅的佈線圖案P1、P2、P3時産生的切屑成為微粒子狀的産物。若這樣的導體（銅）的微粒子分布在佈線圖案P1、P2間，就會降低佈線圖案P1、P2間的絕緣電阻值Rx。在出現微粒子不良F3的情况下，佈線圖案P1、P2間的電阻值Rx多為10MΩ～100MΩ程度。若對出現了微粒子不良F3的佈線圖案P1、P2間施加絕緣檢查中一般使用的250V程度的檢查電壓，則有可能會燒壞出現微粒子不良F3的部位。
進而，發明人發現，在佈線圖案P1、P2間出現微粒子不良F3的情况下，不僅佈線圖案P1、P2間的絕緣電阻降低，而且佈線圖案P1和佈線圖案P2還會進行電容耦合。
突起不良F4是由於例如佈線圖案P2形成時的蝕刻不良等而形成的産物。若出現突起不良F4，則由於突起不良F4的前端部靠近佈線圖案P3，因此佈線圖案P2、P3間的絕緣距離(間隔)減少從而佈線圖案P2、P3間的絕緣耐壓減少。這種情况下，在對佈線圖案P2、P3施加高電壓時，有可能在突起不良F4的前端部與佈線圖案P3間出現電火花（瞬間放電）。
第3圖、第4圖是大致表示本發明的1個實施方式所涉及的基板檢查裝置1的電氣構成的一例的電路圖以及框圖。基板檢查裝置1具備探頭Pr1～Pr6作為探頭Pr。探頭Pr1、Pr3、Pr5相當於第1探頭的一例，探頭Pr2、Pr4、Pr6相當於第2探頭的一例。另外，基板檢查裝置1具備：電源E、電壓檢測部8、電流檢測部9、切換開關SW1、開關SW11～SW14、SW21～SW24、SW31～SW34、SW41～SW44、SW51～SW54、SW61～SW64、控制部10、以及顯示部20。
在第3圖所示的示例中，示出了如下例子：在基板100的表面相互分開地配置佈線圖案P1、P2、P3，探頭Pr1與佈線圖案P1的一方的焊盤L接觸，探頭Pr2與佈線圖案P1的另一方的焊盤L接觸，探頭Pr3與佈線圖案P2的一方的焊盤L接觸，探頭Pr4與佈線圖案P2的另一方的焊盤L接觸，探頭Pr5與佈線圖案P3的一方的焊盤L接觸，探頭Pr6與佈線圖案P3的另一方的焊盤L接觸。另外，用Rx表示在佈線圖案P1、P2間出現的絕緣不良的電阻值。
開關SW11～SW64例如是由晶體管等的半導體開關元件或繼電器開關等構成的通斷開關。開關SW11～SW64對應於來自控制部10的控制訊號進行通斷。
另外，佈線圖案並不限於3個，只要是3個以上即可。在佈線圖案為4個以上的情况下，也對應於各佈線圖案設置探頭Pr和開關SW。
電源E是能按照來自控制部10的控制訊號控制輸出電壓、電流的電源電路。電源E的輸出電壓相當於在成為檢查對象的一對佈線圖案之間産生的電壓。電源E能按照來自控制部10的控制訊號來切換例如低電壓模式和高電壓模式。
第5圖是表示第3圖所示的電源E的輸出特性的一例的圖表。橫軸表示電源E的負載電阻、即成為檢查對象的一對布線間的電阻值Rx。左縱軸表示電源E的輸出電流，右縱軸表示電源E的輸出電壓。另外，輸出電壓V1（實線）表示電源E的低電壓模式下的輸出電壓，輸出電流I1（虛線）表示電源E的低電壓模式下的輸出電流。輸出電壓V2（實線）表示電源E的高電壓模式下的輸出電壓，輸出電流I2（虛線）表示電源E的高電壓模式下的輸出電流。
電源E具有限制輸出電壓以及輸出電流的功能。在低電壓模式下，電源E將輸出電壓V1限制在預先設定的低電壓限制值VL以下，在檢查對象布線間出現絕緣不良而流過電流時，將流過不良部位的輸出電流I1限制在預先設定的低電流限制值IL以下。其結果，在低電壓模式下，電源E在其輸出電壓V1不足低電壓限制值VL時將其輸出電流I1維持在低電流限制值IL，在其輸出電壓V1成為低電壓限制值VL時，將其輸出電流I1調節到低電流限制值IL以下的電流值，以便將其輸出電壓V1維持在低電壓限制值VL。由此，在低電壓模式下，電源E輸出在成為檢查對象的一對佈線圖案之間（電阻值Rx）流過低電流限制值IL的情况下産生的電壓、和低電壓限制值VL當中任意的低的電壓。
另一方面，在高電壓模式下，電源E將輸出電壓V2限制在預先設定的高電壓限制值VH以下，在檢查對象布線間出現絕緣不良而流過電流時，將流過不良部位的輸出電流I2限制在預先設定的高電流限制值IH以下。其結果，在高電壓模式下，電源E在其輸出電壓V2不足高電壓限制值VH時將其輸出電流I2維持在高電流限制值IH，在其輸出電壓V2成為高電壓限制值VH時，將其輸出電流I2調節到高電流限制值IH以下的電流值，以便將其輸出電壓V2維持在高電壓限制值VH。由此，在高電壓模式下，電源E輸出在成為檢查對象的一對佈線圖案之間的電阻值Rx流過高電流限制值IH的情况下産生的電壓、和高電壓限制值VH當中任意的低的電壓。
例如實驗性地求得在出現微粒子不良F3的情况下不使不良部位燒壞的電壓值，來設定低電壓限制值VL。作為低電壓限制值VL，例如能使用0.2V～20V程度的電壓，例如能合適地使用10V。
例如實驗性地求得出現毛狀物短路不良F1的情况下不使細線狀導體燒壞的電流值，來設定為低電流限制值IL。作為低電流限制值IL，例如能使用0.1mA～2mA程度的電流，例如能合適地使用1mA。
作為高電壓限制值VH，設定在出現了例如細線不良F2或突起不良F4那樣使佈線圖案之間的絕緣距離(間隔)減少的不良的情况下能使電火花産生的高電壓。作為高電壓限制值VH，能使用例如一般的絕緣試驗中所用的檢查電壓，例如能使用超過20V、1KV以下，或者100V～500V程度的電壓，更適於使用250V程度的電壓。
將高電流限制值IH設為用於保護基板檢查裝置1的電路和基板100不受過電流的損傷的限制電流值，例如能設為超過2mA、1A以下，或者10mA～50mA程度的電流，更適於設為20mA。由此，在對相同的一對佈線圖案之間流過低電流限制值IL的情况下和流過高電流限制值IH的情况下，流過高電流限制值IH的情况下在該一對佈線圖案之間産生的電位差大於流過低電流限制值IL的情况下在該一對佈線圖案之間産生的電位差。
電源E的負極與電路接地連接。電源E的正極與開關SW11、SW21、SW31、SW41、SW51、SW61的一端連接。
切換開關SW1是由例如晶體管等的半導體開關或繼電器開關等構成的切換開關。切換開關SW1具備端子t0、t1、t2。切換開關SW1按照來自控制部10的控制訊號將端子t0的連接目標在端子t1與端子t2間切換。
端子t0與開關SW12、SW22、SW32、SW42、SW52、SW62的一端連接。端子t1與電路接地連接。端子t2經由電流檢測部9與電路接地連接。
電流檢測部9是使用例如分流電阻或霍爾元件等構成的電流測定電路。在切換開關SW1切換到端子t2側時，電流檢測部9檢測流過由開關SW11～SW64選擇的2個探頭Pr間的電流，將其電流值發送給控制部10。
電壓檢測部8是使用例如模擬數字轉換器等構成的電壓測定電路。例如電壓檢測部8的正極與開關SW13、SW23、SW33、SW43、SW53、SW63的一端連接，負極與開關SW14、SW24、SW34、SW44、SW54、SW64的一端連接。
開關SW11、SW12、SW13、SW14的另一端與探頭Pr1連接，開關SW21、SW22、SW23、SW24的另一端與探頭Pr2連接，開關SW31、SW32、SW33、SW34的另一端與探頭Pr3連接，開關SW41、SW42、SW43、SW44的另一端與探頭Pr4連接，開關SW51、SW52、SW53、SW54的另一端與探頭Pr5連接，開關SW61、SW62、SW63、SW64的另一端與探頭Pr6連接。
另外，優選在探頭Pr1～Pr6與開關SW11～SW64間插設短路防止用的電阻，但省略圖示。
第4圖所示的顯示部20例如是液晶顯示裝置等的顯示裝置。
第4圖所示的控制部10具備例如執行給定的運算處理的CPU（Central Processing Unit，中央處理器）、暫時存儲數據的RAM（Random Access Memory，隨機存取存儲器）、存儲給定的控制程序的ROM（Read Only Memory，只讀存儲器）或HDD（Hard Disk Drive，硬盤驅動器）等的存儲部、和它們的外圍電路等而構成。控制部10通過執行存儲在存儲部的控制程序而作為導通檢查部11、低電壓檢查部12、電阻測定部13、高電壓檢查部14、以及不良原因推定部15發揮功能。
導通檢查部11通過對與各佈線圖案P對應的探頭Pr間提供電流來檢查各佈線圖案的導通。在第3圖所示的例子中，探頭Pr1、Pr2與佈線圖案P1對應，探頭Pr3、Pr4與佈線圖案P2對應，探頭Pr5、Pr6與佈線圖案P3對應。
低電壓檢查部12將佈線圖案P1、P2、P3當中彼此相鄰的佈線圖案P1、P2、佈線圖案P2、P3分布作為一對，並使各對的佈線間産生電位差，執行基於流過各對的佈線間的電流來分別判定各對的佈線間的絕緣良好與否的低電壓絕緣檢查。
電阻測定部13執行電阻測定處理，測定在低電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的對的佈線圖案之間的電阻值。
高電壓檢查部14使包含電阻測定處理中測定出的電阻值低於預先設定的基準值Rref的對的一方的佈線且低電壓絕緣檢查中判斷為絕緣良好的其它對的佈線間産生大於其低電壓絕緣檢查中的電位差的電位差，執行基於流過該對的佈線間的電流來判定該對的佈線間的絕緣良好與否的高電壓絕緣檢查。
不良原因推定部15基於電阻測定部13的電阻測定結果、低電壓檢查部12以及高電壓檢查部14的檢查結果來推定絕緣不良的原因。
接下來說明上述那樣構成的基板檢查裝置1的動作。第6圖是表示使用本發明的1個實施方式所涉及的基板檢查方法的基板檢查裝置1的動作的一例的流程圖。第7圖是用於說明第3圖、第4圖所示的基板檢查裝置1的動作的說明圖。首先，導通檢查部11執行佈線圖案P1、P2、P3的導通檢查（步驟S1）。
在以下的說明中，除了記載了使其接通的意思的開關SW以外的開關SW全都為斷開。
具體地，導通檢查部11在進行佈線圖案P1的導通檢查時，使開關SW11接通，從而將電源E連接到探頭Pr1，使開關SW22接通，將切換開關SW1切換到端子t2側，從而將探頭Pr2經由電流檢測部9連接到電路接地。另外，導通檢查部11使開關SW13接通，從而將電壓檢測部8的一端連接到探頭Pr1，使開關SW24接通，從而將電壓檢測部8的另一端連接到探頭Pr2。
由此，導通檢查部11通過電源E使給定的電流流過佈線圖案P1，用電流檢測部9檢測流過佈線圖案P1的電流，用電壓檢測部8檢測在佈線圖案P1的兩端間産生的電壓。然後，導通檢查部11通過將由電壓檢測部8檢測到的電壓值除以由電流檢測部9檢測到的電流值來算出佈線圖案P1的電阻值R1。導通檢查部11將電阻值R1和預先設定的導通判定值進行比較，若電阻值R1為導通判定值以下，則判定為佈線圖案P1導通（良好），若電阻值R1超過導通判定值，則判定為佈線圖案P1斷線（不良）。然後，導通檢查部11例如將該判定結果顯示在顯示部20來進行報知。
導通檢查部11對佈線圖案P2、P3反覆同樣的處理，由此執行佈線圖案P1、P2、P3的導通檢查。
接下來，低電壓檢查部12對各佈線圖案對執行低電壓絕緣檢查（步驟S2：低電壓檢查工序）。具體地，對佈線圖案P1、P2的對即佈線圖案對P1－P2、佈線圖案P2、P3的對即佈線圖案對P2－P3執行低電壓絕緣檢查。
在對佈線圖案對P1－P2執行低電壓絕緣檢查時，低電壓檢查部12使開關SW11接通，從而將電源E連接到探頭Pr1，使開關SW32接通，將切換開關SW1切換到端子t2側，從而將探頭Pr3經由電流檢測部9連接到電路接地。另外，低電壓檢查部12使開關SW23、SW44接通，從而將電壓檢測部8連接到佈線圖案對P1－P2，用電壓檢測部8經由探頭Pr2、Pr4檢測佈線圖案P1、P2間的電壓。另外，低電壓檢查部12使電源E在低電壓模式下輸出。
然後，低電壓檢查部12在例如由電壓檢測部8檢測到的佈線圖案P1、P2間的電壓為設定成稍低於低電壓限制值VL的電壓的判定電壓VLj以上、且由電流檢測部9檢測到的電流即在佈線圖案P1、P2間流過的電流I1不足預先設定的判定電流Ij的情况下，判定為在佈線圖案對P1－P2沒有絕緣不良，在電流I1為判定電流Ij以上的情况下，判定為在佈線圖案對P1－P2有絕緣不良。
低電壓檢查部12對佈線圖案對P2－P3反復同樣的處理，由此執行佈線圖案對P1－P2和佈線圖案對P2－P3的低電壓絕緣檢查。
在低電壓絕緣檢查中，在不知有無佈線圖案對中的絕緣不良的狀態下施加電壓、電流。但是，在低電壓絕緣檢查中，由於電源E在低電壓模式下進行輸出，因此即使在檢查對象的佈線圖案對間存在毛狀物短路不良F1或微粒子不良F3的情况下，也不會燒壞這些不良部位。
接下來，低電壓檢查部12將低電壓絕緣檢查中沒有絕緣不良的佈線圖案對分類為類別A，將有絕緣不良的佈線圖案對分類為類別B（參考步驟S3、第7圖）。
由於例如在佈線圖案對P1－P2間沒有不良的情况下，或存在細線不良F2、突起不良F4的情况下，在低電壓絕緣檢查中不在佈線圖案對P1－P2間流過電流，因此將佈線圖案對P1－P2判定為沒有絕緣不良，將佈線圖案對P1－P2分類為類別A。例如，將第2圖（a）部分所示的佈線圖案對P2－P3和第2圖（b）部分所示的佈線圖案對P2－P3分類為類別A。
另一方面，在佈線圖案對P1－P2間存在毛狀物短路不良F1或微粒子不良F3的情况下，在低電壓絕緣檢查中在佈線圖案對P1－P2間流過電流，將佈線圖案對P1－P2判定為有絕緣不良，將佈線圖案對P1－P2分類為類別B。
接下來，電阻測定部13對分類為類別B的佈線圖案對測定佈線圖案對相互間的電阻值Rx（步驟S4：電阻測定工序）。具體地，例如在將佈線圖案對P1－P2分類為類別B的情况下，電阻測定部13使開關SW11接通，從而將電源E連接到探頭Pr1，使開關SW32接通，將切換開關SW1切換到端子t2側，從而將探頭Pr3經由電流檢測部9連接到電路接地。由此，能用電流檢測部9檢測在佈線圖案P1、P2間（電阻值Rx）流過的電流。
另外，電阻測定部13使開關SW23、SW44接通，從而將電壓檢測部8連接到佈線圖案對P1－P2，通過電壓檢測部8檢測佈線圖案P1、P2間的電壓。另外，電阻測定部13使電源E在例如低電壓模式下進行輸出。
然後，電阻測定部13通過將由電壓檢測部8檢測到的電壓值除以由電流檢測部9檢測到的電流值來算出佈線圖案P1、P2間的電阻值Rx。
此時，從電源E提供的電流經由開關SW11、探頭Pr1、絕緣不良部位（電阻值Rx）、探頭Pr3、開關SW32、切換開關SW1、以及電流檢測部9流向電路接地。另一方面，電壓檢測部8通過從其一端經由開關SW23、探頭Pr2、絕緣不良部位（電阻值Rx）、探頭Pr4、開關SW44直至其另一端的電壓測量路徑來檢測因在絕緣不良部位流過電流而産生的電壓。
這種情况下，由於從電源E提供的電流在電壓檢測部8的電壓測量路徑中不流過絕緣不良部位（電阻值Rx）以外的部位，因此在電壓檢測部8的檢測電壓中不含來自電源E的提供電流在探頭Pr2、Pr4等的電壓檢測電路流過而産生的電壓。即，電阻測定部13能通過四端子測定法高精度地測定絕緣不良部位的電阻值Rx。
這時，四端子測定法中所用的4個探頭Pr1～Pr4是在步驟S1中用於佈線圖案P1、P2的導通檢查的探頭。即，由於不用為了四端子測定法而追加探頭，能將用於佈線圖案P1、P2d的導通檢查的探頭用在四端子測定法中，因此，電阻測定部13能不增大成本地高精度測定絕緣不良部位的電阻值Rx。
接下來，電阻測定部13將測定的電阻值Rx和基準值Rref進行比較，將電阻值Rx不足基準值Rref的佈線圖案對分類為類別C，將電阻值Rx為基準值Rref以上的佈線圖案對分類為類別D（參考步驟S5：第7圖）。
例如實驗性地求取能對毛狀物短路不良F1的電阻值、和微粒子不良F3的電阻值進行判別的值，來設定基準值Rref。基準值Rref例如可以設定在大致25Ω。
這種情况下，在分類為類別C的佈線圖案對出現毛狀物短路不良F1的可能性高。在分類為類別D的佈線圖案對出現微粒子不良F3的可能性高。例如，將第2圖（a）部分所示的佈線圖案對P1－P2分類為類別C，將第2圖（b）部分所示的佈線圖案對P1－P2分類為類別D。
接下來，高電壓檢查部14將與類別C的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對當中屬於類別A的佈線圖案對分類為類別E（參考步驟S6：第7圖）。例如，在將佈線圖案對P1－P2分類為類別C的情况下，高電壓檢查部14判定與佈線圖案對P1－P2相鄰的佈線圖案對P2－P3是否屬於類別A，在佈線圖案對P2－P3屬於類別A的情况下，將佈線圖案對P2－P3分類為類別E。另外，將包含某佈線圖案對的任意一方的佈線的佈線圖案對稱作與某佈線圖案對相鄰的佈線圖案對。
接下來，高電壓檢查部14將與類別D的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對當中屬於類別A的佈線圖案對分類為類別F（參考步驟S7：第7圖）。例如，在將佈線圖案對P1－P2分類為類別D的情况下，高電壓檢查部14判定與佈線圖案對P1－P2相鄰的佈線圖案對P2－P3是否屬於類別A，在佈線圖案對P2－P3屬於類別A的情况下，將佈線圖案對P2－P3分類為類別F。
接下來，高電壓檢查部14將屬於類別A、且不與類別B的佈線圖案對相鄰的佈線圖案對分類為類別G（步驟S8）。
接下來，高電壓檢查部14對屬於類別E、G的佈線圖案對執行高電壓絕緣檢查，判定有無絕緣不良。不良原因推定部15對高電壓絕緣檢查中判定為有絕緣不良的佈線圖案對推定為出現細線不良F2或突起不良F4，將其推定結果顯示在顯示部20等來進行報知（步驟S9：高電壓檢查工序）。
具體地，高電壓檢查部14例如在佈線圖案對P2－P3屬於類別E的情况下，為了對佈線圖案對P2－P3執行高電壓絕緣檢查而使開關SW31接通，從而將電源E連接到探頭Pr3，使開關SW52接通，將切換開關SW1切換到端子t2側，從而使探頭Pr5經由電流檢測部9連接到電路接地。另外，高電壓檢查部14使開關SW43、SW64接通，從而將電壓檢測部8連接到佈線圖案對P2－P3，通過電壓檢測部8檢測佈線圖案P2、P3間的電壓。然後，高電壓檢查部14使電源E在高電壓模式下進行輸出。
然後，高電壓檢查部14例如在由電壓檢測部8檢測出的佈線圖案P2、P3間的電壓為設定成稍低於高電壓限制值VH的電壓的判定電壓VHj以上、且由電流檢測部9檢測出的電流即在佈線圖案P2、P3間流過的電流I2不足判定電流Ij的情况下，判定為在佈線圖案對P2－P3沒有絕緣不良，在電流I2為判定電流Ij以上的情况下，判定為在佈線圖案對P2－P3有絕緣不良（細線不良F2或突起不良F4）。
在高電壓絕緣檢查中，對出現細線不良F2或突起不良F4的部位施加高電壓，檢測使其電火花而流過的放電電流，由此檢測不良。電火花由於發生在剛施加高電壓後，因此，高電壓檢查部14基於對檢查對象佈線圖案對剛施加電壓後過渡性地流過的電流I2的檢測值來判定有無絕緣不良。
由於低電壓絕緣檢查中判定為有絕緣不良、分類為類別B的佈線圖案對中有可能出現毛狀物短路不良F1或微粒子不良F3，因此若對這樣的佈線圖案對執行高電壓絕緣檢查，就有可能會燒壞基板100。但是，根據步驟S8，由於將類別A中所含的類別E、G的佈線圖案對作為高電壓絕緣檢查的對象，因此不對類別B的佈線圖案對進行高電壓絕緣檢查。其結果，減低了高電壓絕緣檢查中燒壞基板100的可能性。
高電壓檢查部14不（禁止）對類別A當中的類別F的佈線圖案對、即如第2圖（b）部分的佈線圖案對P2－P3那樣有在相鄰的佈線圖案對出現微粒子不良F3的可能性的佈線圖案對進行高電壓絕緣檢查。
發明人發現，在如上述那樣在佈線圖案P1、P2間出現微粒子不良F3的情况下，佈線圖案P1和佈線圖案P2會進行電容耦合。為此，在如第2圖（b）部分的佈線圖案對P2－P3那樣在相鄰的佈線圖案對P1－P2出現了微粒子不良F3的情况下，若進行高電壓絕緣檢查而對佈線圖案對P2－P3施加高電壓，則對佈線圖案P2施加的高電壓因電容耦合而過渡性地被吸收。其結果，即使在佈線圖案對P2－P3出現突起不良F4或細線不良F2，也不會在該不良部位發生電火花。
發明人發現，若如此地對類別F的佈線圖案對進行高電壓絕緣檢查，則由於不良部位不發生電火花，因此不能檢測到突起不良F4或細線不良F2等的絕緣不良，有可能會放過絕緣不良。
於是，高電壓檢查部14不對類別F的佈線圖案對進行高電壓絕緣檢查。由此減低了誤放過絕緣不良的可能性，能提升絕緣檢查的檢查精度。
另外，類別G的佈線圖案對認為在與其兩側相鄰的佈線圖案對中也未出現毛狀物短路不良F1或微粒子不良F3，沒有在相鄰的佈線圖案對的影響下檢查精度降低的可能性。為此，高電壓檢查部14對類別G的佈線圖案對執行高電壓絕緣檢查，報知其檢查結果。
另外，類別E的佈線圖案對例如如第2圖（a）部分的佈線圖案對P2－P3那樣，在相鄰的佈線圖案對P1－P2出現類別C即毛狀物短路不良F1。在第3圖中，在佈線圖案對P1－P2中出現毛狀物短路不良F1的狀態下對佈線圖案對P2－P3進行高電壓絕緣檢查的情况下，由於與探頭Pr1、Pr2相連的開關SW11～SW14、SW21～SW24斷開，因此相鄰的佈線圖案對P1－P2成為浮動（floating）狀態。為此，佈線圖案P2和佈線圖案P1因毛狀物短路不良F1而短路，成為同電位。
因此，即使對佈線圖案對P2－P3間施加高電壓，過渡電壓也不會被吸收，若在佈線圖案對P2－P3間有細線不良F2或突起不良F4，就會發生電火花，從而能檢測絕緣不良。由此，高電壓檢查部14對類別E的佈線圖案對執行高電壓絕緣檢查，報知其檢查結果。由此，由於不僅能對明確高電壓絕緣檢查的檢查精度不會降低的類別G的佈線圖案對實施高電壓絕緣檢查，還能對與有絕緣不良的佈線圖案對相鄰的類別E的佈線圖案對實施高電壓絕緣檢查，因此能提升檢查精度。
在成為高電壓絕緣檢查的對象的類別A中包含不存在不良的良品佈線圖案對、和出現細線不良F2或突起不良F4的不良佈線圖案對。因此，認為在高電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的佈線圖案對中出現了細線不良F2或突起不良F4。於是，不良原因推定部15對高電壓絕緣檢查中判定為有絕緣不良的佈線圖案對推定為産生了細線不良F2或突起不良F4，將其推定結果顯示在顯示部20等來進行報知（步驟S9）。
接下來，高電壓檢查部14將不對屬於類別F的佈線圖案對實施高電壓絕緣檢查的意思的消息顯示在顯示部20等，來進行報知（步驟S10）。由此，用戶能獲知在屬於類別F的佈線圖案對中有出現了細線不良F2或突起不良F4的可能性。
接下來，不良原因推定部15對屬於類別C的佈線圖案對推定為出現了毛狀物短路不良F1，將其推定結果顯示在顯示部20等來進行報知（步驟S11）。由此，用戶能獲知在屬於類別C的佈線圖案對中有出現了毛狀物短路不良F1的可能性。
接下來，不良原因推定部15對屬於類別D的佈線圖案對推定為出現微粒子不良F3，將其推定結果顯示在顯示部20等來進行報知（步驟S12）。由此，用戶能獲知在屬於類別D的佈線圖案對有出現了微粒子不良F3的可能性。
另外，示出了電阻測定部13使用電流提供用的探頭Pr1、Pr3和電壓檢測用的探頭Pr2、Pr4來進行基於四端子法的電阻測定的示例，但也可以電阻測定部13在電流提供用和電壓提供用中共用探頭，進行基於二端子法的電阻測定。另外，也可以構成為不具備導通檢查部11，使探頭分別一個一個地接觸各佈線圖案。
另外，示出了高電壓檢查部14不對類別F的佈線圖案對執行高電壓絕緣檢查的示例，但高電壓檢查部14也可以對類別F的佈線圖案對執行高電壓絕緣檢查。然後，高電壓檢查部14也可以在步驟S10報知針對類別F的佈線圖案對的高電壓絕緣檢查的判定結果可靠性低的意思。
另外，示出了開關SW11～SW64除了和與成為檢查對象的佈線圖案對接觸的探頭連接的開關以外都斷開的示例，但也可以在檢查對象的佈線圖案對為類別E的情况下，對開關進行控制，將與該檢查對象的佈線圖案對相鄰且包含在類別C的佈線圖案對中的佈線相接觸的探頭所連接的開關斷開，使除去該探頭以及與成為檢查對象的佈線圖案對接觸的探頭以外的其它探頭連接到電路接地。
另外，示出了將基準值Rref設定為能對毛狀物短路不良F1的電阻值、和微粒子不良F3的電阻值進行判別的值的示例，但並不一定限定於該示例。基準值Rref只要是能判別産生吸收絕緣不良部位處的電火花那樣的電容耦合的不良（類別D）、和這以外的不良（類別C）的值即可。另外，類別D只要是産生吸收絕緣不良部位處的電火花這樣的電容耦合的不良即可，並不限於微粒子不良F3。另外，類別C只要是不産生吸收絕緣不良部位處的電火花這樣的電容耦合的不良即可，並不限於毛狀物短路不良F1。
1‧‧‧基板檢查裝置
2‧‧‧檢查裝置主體
3U、3D‧‧‧檢查夾具
4U、4D‧‧‧檢查部
5U、5D‧‧‧檢查部移動機構
6‧‧‧基板固定裝置
7‧‧‧框體
8‧‧‧電壓檢測部
9‧‧‧電流檢測部
10‧‧‧控制部
11‧‧‧導通檢查部
12‧‧‧低電壓檢查部
13‧‧‧電阻測定部
14‧‧‧高電壓檢查部
15‧‧‧不良原因推定部
20‧‧‧顯示部
100‧‧‧基板
E‧‧‧電源
F1‧‧‧毛狀物短路不良
F2‧‧‧細線不良
F3‧‧‧微粒子不良
F4‧‧‧突起不良
I1、I2‧‧‧輸出電流
Ij‧‧‧電流
IH‧‧‧高電流限制值
IL‧‧‧低電流限制值
L‧‧‧焊盤
P1、P2、P3‧‧‧佈線圖案
P1－P2‧‧‧佈線圖案對
P2－P3‧‧‧佈線圖案對
Pr1、Pr3、Pr5‧‧‧探頭（第1探頭）
Pr2、Pr4、Pr6‧‧‧探頭（第2探頭）
Rref‧‧‧基準值
Rx‧‧‧電阻值
S1~S12‧‧‧步驟
SW1‧‧‧切換開關
SW11～SW64‧‧‧開關
t0、t1、t2‧‧‧端子
V1‧‧‧輸出電壓
V2‧‧‧輸出電壓
VH‧‧‧高電壓限制值
VHj、VLj‧‧‧判定電壓
VL‧‧‧低電壓限制值
第1圖是概略表示本發明的1個實施方式所涉及的基板檢查裝置的構成的一例的主視圖。
第2圖是表示在成為檢查對象的基板表面的佈線圖案出現的不良的形態的說明圖。
第3圖是大致表示本發明的1個實施方式所涉及的基板檢查裝置的電氣構成的一例的電路圖。
第4圖是大致表示本發明的1個實施方式所涉及的基板檢查裝置的電氣構成的一例的框圖。
第5圖是表示第3圖所示的電源的輸出特性的一例的圖表。
第6圖是表示使用本發明的1個實施方式所涉及的基板檢查方法的基板檢查裝置的動作的一例的流程圖。
第7圖是用於說明第3圖、第4圖所示的基板檢查裝置的動作的說明圖。

Claims (14)

  1. 一種基板檢查裝置，其檢查相互分開配置的3個以上的一佈線圖案的相互間的絕緣，其包含： 一低電壓檢查部，其執行一低電壓絕緣檢查，在該低電壓絕緣檢查中，將3個以上的該佈線圖案當中彼此相鄰的2個該佈線圖案作為一對，使多對該佈線圖案之間分別産生一電位差，基於在各對的佈線圖案之間流過的一電流來分別判定所述各對的該佈線圖案之間的絕緣良好與否； 一電阻測定部，其執行一電阻測定處理，該電阻測定處理測定在該低電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的該對的該佈線圖案之間的一電阻值；以及 一高電壓檢查部，其執行一高電壓絕緣檢查，在該高電壓絕緣檢查中，在包含該電阻測定處理中測定出的一電阻值低於預先設定的一基準值的該對的一方的該佈線圖案的其它對的該佈線圖案之間、且在該低電壓絕緣檢查中判定為該絕緣良好的該對的該佈線圖案之間，産生大於該低電壓絕緣檢查中的該電位差的一電位差，基於在該對的佈線圖案之間流過的一電流來判定該對的該佈線圖案之間的絕緣良好與否。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板檢查裝置，其中， 該高電壓檢查部對包含該電阻測定處理中測定出的電阻值超過該基準值的該對的一方的該佈線圖案的其它對的該佈線圖案禁止該高電壓絕緣檢查的執行。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板檢查裝置，其中，該高電壓檢查部對在該低電壓絕緣檢查中判定為該絕緣不良的對的該佈線圖案之間禁止該高電壓絕緣檢查的執行。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板檢查裝置，其中， 該基板檢查裝置進一步對應於該各佈線圖案具備多組分別與該佈線圖案的兩處接觸的一第1探頭以及一第2探頭， 該電阻測定部在該電阻測定處理中，檢測在與成為測定對象的該對的一方的佈線圖案的一端對應的一第1探頭和與另一方佈線圖案的一端對應的一第1探頭之間的該測定對象的對的該佈線圖案之間流過的一電流，檢測在與該一方的佈線圖案的另一端對應的第2探頭和與另一方的佈線圖案的另一端對應的一第2探頭之間的該測定對象的對的佈線圖案之間的一電壓，基於該檢測出的該電流和該電壓來算出該測定對象的對的佈線圖案之間的電阻值。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板檢查裝置，其中， 該低電壓絕緣檢查中的該電位差設為如下電壓：在出現了線狀延伸的導體跨架在該相鄰的2個佈線圖案之間地形成的不良部、或微粒子狀的多個導體粒子分布在該2個佈線圖案之間的不良部的情况下，不使這些不良部燒壞的一電壓。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基板檢查裝置，其中， 該低電壓絕緣檢查中的該電位差是使0.1mA～2mA的給定的電流流過該不良部而産生的電壓、以及0.2V～20V的給定的電壓當中較低的電壓。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板檢查裝置，其中， 該高電壓絕緣檢查中的該電位差設為如下電壓：在出現了使該對的佈線圖案之間的一間隔變窄的不良部的情况下使該對的佈線圖案之間産生電火花的電壓。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之基板檢查裝置，其中， 該高電壓絕緣檢查中的該電位差設為如下電壓：使超過2mA的給定的電流流過該不良部而産生的電壓、以及超過20V的給定的電壓當中較低的電壓。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板檢查裝置，其中， 該基準值是為了判別線狀延伸的導體跨架在該相鄰的2個佈線圖案之間地形成的不良部、和微粒子狀的多個導體粒子分布在所述2個佈線圖案之間的不良部而設定的一電阻值。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板檢查裝置，其中， 該基準值為25Ω。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板檢查裝置，其中， 該基板檢查裝置進一步包含： 一不良原因推定部，其推定為在該電阻測定處理中測定出的電阻值低於該基準值的對的佈線圖案之間有線狀延伸的導體跨架而形成的不良部。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板檢查裝置，其中， 該基板檢查裝置進一步包含： 該不良原因推定部，其推定為在該電阻測定處理中測定出的電阻值超過該基準值的對的佈線圖案之間有微粒子狀的多個導體粒子分布的不良部。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板檢查裝置，其中， 該基板檢查裝置進一步包含： 一不良原因推定部，其推定為在該高電壓絕緣檢查中判定為絕緣不良的對的佈線圖案之間有使該對的佈線圖案之間的一間隔變窄的一不良部。
  14. 一種基板檢查方法，其檢查相互分開配置的3個以上的佈線圖案的相互間的絕緣，其包含： 一低電壓檢查工序，執行低電壓絕緣檢查，在該低電壓絕緣檢查中，將該3個以上的佈線圖案當中彼此相鄰的2個佈線圖案作為一對，使多對佈線圖案之間分別産生電位差，基於在該各對的佈線圖案之間流過的電流來分別判定該各對的佈線圖案之間的絕緣良好與否； 一電阻測定工序，執行電阻測定處理，該電阻測定處理測定在該低電壓絕緣檢查中判定為該絕緣不良的對的佈線圖案之間的電阻值；和 一高電壓檢查工序，執行高電壓絕緣檢查，在該高電壓絕緣檢查中，在包含該電阻測定處理中測定出的電阻值低於預先設定的基準值的對的一方的佈線圖案的其他對的佈線圖案之間、且在該低電壓絕緣檢查中判定為該絕緣良好的對的佈線圖案之間，産生大於該低電壓絕緣檢查中的該電位差的電位差，基於在該對的佈線圖案之間流過的電流來判定該對的佈線圖案之間的絕緣良好與否。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6780859B2 (ja) * 2017-09-25 2020-11-04 日本電産リード株式会社 基板検査装置、及び基板検査方法
JP6975650B2 (ja) * 2018-01-18 2021-12-01 株式会社荏原製作所 検査用基板を用いる電流測定モジュールおよび検査用基板
JP6696523B2 (ja) * 2018-03-14 2020-05-20 日本電産リード株式会社 抵抗測定方法、抵抗測定装置、及び基板検査装置
CN109727562B (zh) * 2019-01-25 2022-05-06 南京京东方显示技术有限公司 一种面板检测装置及检测方法
US11768242B1 (en) * 2022-08-31 2023-09-26 Fluke Corporation Analyzer and method for regulations testing of a solar installation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1566975A (zh) * 2003-06-23 2005-01-19 Oht株式会社 检查装置和检查方法
CN1720457A (zh) * 2002-11-30 2006-01-11 Oht株式会社 电路图案检查装置及电路图案检查方法
CN102608516A (zh) * 2011-01-21 2012-07-25 Oht株式会社 电路图案检查装置
JP2013234893A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Nidec-Read Corp 絶縁検査方法及び絶縁検査装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5325068A (en) * 1992-07-14 1994-06-28 Abdul Rauf Test system for measurements of insulation resistance
JPH06230058A (ja) * 1993-02-04 1994-08-19 Hitachi Ltd プリント配線板の電気検査方法
JP4368704B2 (ja) * 2004-03-12 2009-11-18 三井金属鉱業株式会社 電子部品実装用プリント配線板の電気検査方法および電気検査装置ならびにコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP4137065B2 (ja) * 2005-02-09 2008-08-20 富士通株式会社 半導体装置、デバイス形成基板、配線接続試験方法、および半導体装置の製造方法
JP3953087B2 (ja) * 2005-10-18 2007-08-01 日本電産リード株式会社 絶縁検査装置及び絶縁検査方法
JP4918339B2 (ja) * 2006-11-30 2012-04-18 日本電産リード株式会社 基板検査装置
JP2008203077A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Micro Craft Kk 回路検査装置及び回路検査方法
JP5177851B2 (ja) * 2008-01-17 2013-04-10 日置電機株式会社 絶縁検査方法及び絶縁検査装置
JP2010175339A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Mitsubishi Electric Corp 絶縁検査装置
JP5542399B2 (ja) * 2009-09-30 2014-07-09 株式会社日立製作所 絶縁回路基板およびそれを用いたパワー半導体装置、又はインバータモジュール
JP2012037314A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Fujitsu Ltd 評価用基板および基板評価方法
JP2013024582A (ja) * 2011-07-15 2013-02-04 Nidec-Read Corp 基板検査装置及び基板検査方法
JP5866943B2 (ja) * 2011-10-06 2016-02-24 日本電産リード株式会社 基板検査装置
JP5865021B2 (ja) * 2011-11-10 2016-02-17 日置電機株式会社 回路基板検査装置
JP5474114B2 (ja) * 2012-03-16 2014-04-16 三菱電機株式会社 車載高電圧機器の漏電抵抗検出装置およびその漏電抵抗検出方法
JP2014020858A (ja) * 2012-07-17 2014-02-03 Nidec-Read Corp 絶縁検査方法及び絶縁検査装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1720457A (zh) * 2002-11-30 2006-01-11 Oht株式会社 电路图案检查装置及电路图案检查方法
CN1566975A (zh) * 2003-06-23 2005-01-19 Oht株式会社 检查装置和检查方法
CN102608516A (zh) * 2011-01-21 2012-07-25 Oht株式会社 电路图案检查装置
JP2013234893A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Nidec-Read Corp 絶縁検査方法及び絶縁検査装置

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Publication number Publication date
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