JP6421463B2 - 基板検査装置、及び基板検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板の検査を行うための基板検査装置、及び基板検査方法に関する。

基板に複数の配線パターンが形成されている場合に、各配線パターンが正しく絶縁されているか否かを検査する絶縁検査（リーク検査）が行われている。絶縁検査は、検査対象の配線パターン間に電圧を印加し、その配線パターン間に電流が流れるか否かを検出することによって行われる。しかしながら、配線パターン間に絶縁不良が生じている場合、この配線パターン間に絶縁検査用の電圧を印加すると、絶縁不良箇所に電流が流れて発熱し、絶縁不良箇所が焼損するおそれがある。

そこで、まず、絶縁不良箇所を焼損させないような低電圧を配線パターン間に印加して電流が流れなかった配線間にのみ高電圧で絶縁検査を印加し、高電圧の絶縁検査で電流が流れなかった配線間には絶縁不良がない（絶縁が良好である）と判断する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開平６−２３００５８号公報

しかしながら、本発明者らは、低電圧を配線パターン間に印加して電流が流れなかった配線間にのみ高電圧で絶縁検査を印加し、高電圧の絶縁検査で電流が流れなかった配線間は絶縁が良好であると判断する検査方法では、絶縁不良箇所を誤って絶縁良好と判断してしまう（絶縁不良を見逃してしまう）おそれがあることを新たに見出した。

本発明の目的は、絶縁検査の検査精度を向上することができる基板検査装置、及び基板検査方法を提供することである。

本発明に係る基板検査装置は、互いに離間して配置された三以上の配線の相互間の絶縁を検査する基板検査装置であって、前記三以上の配線のうち互いに隣接する二配線を一対として複数対の配線間にそれぞれ電位差を生じさせ、前記各対の配線間に流れる電流に基づき前記各対の配線間の絶縁の良否をそれぞれ判定する低電圧絶縁検査を実行する低電圧検査部と、前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が不良と判定された対の配線間の抵抗値を測定する抵抗測定処理を実行する抵抗測定部と、前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が予め設定された基準値を下回る対の一方の配線を含む他の対の配線であって、かつ前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が良好と判定された対の配線間に対して、その低電圧絶縁検査における前記電位差よりも大きな電位差を生じさせ、その対の配線間に流れる電流に基づきその対の配線間の絶縁の良否を判定する高電圧絶縁検査を実行する高電圧検査部とを備える。

また、本発明に係る基板検査方法は、互いに離間して配置された三以上の配線の相互間の絶縁を検査する基板検査方法であって、前記三以上の配線のうち互いに隣接する二配線を一対として複数対の配線間にそれぞれ電位差を生じさせ、前記各対の配線間に流れる電流に基づき前記各対の配線間の絶縁の良否をそれぞれ判定する低電圧絶縁検査を実行する低電圧検査工程と、前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が不良と判定された対の配線間の抵抗値を測定する抵抗測定処理を実行する抵抗測定工程と、前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が予め設定された基準値を下回る対の一方の配線を含む他の対の配線であって、かつ前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が良好と判定された対の配線間に対して、その低電圧絶縁検査における前記電位差よりも大きな電位差を生じさせ、その対の配線間に流れる電流に基づきその対の配線間の絶縁の良否を判定する高電圧絶縁検査を実行する高電圧検査工程とを含む。

本発明者らは、検査対象の配線対の一方の配線を含む他の配線対、すなわち検査対象の配線対と隣接する配線対に絶縁不良があった場合、その絶縁不良の影響で、検査対象の配線対の絶縁不良が検出できない（見逃される）場合があることを見出した。さらに本発明者らは、検査対象の配線対と隣接する配線対の絶縁不良が所定の基準値を下回る低抵抗の絶縁不良であった場合、そのような低抵抗の絶縁不良がある配線対と隣接する配線対については、絶縁不良を検出できることを見出した。

そこで、これらの構成によれば、互いに離間して配置された三以上の配線相互間の絶縁を検査する際に、互いに隣接する一対の配線間に電位差を生じさせて低電圧絶縁検査が実行される。そして、低電圧絶縁検査において絶縁が不良と判定された対の配線間の抵抗値が測定され、測定された抵抗値が基準値を下回る対があった場合にその対と隣接する対の配線であって、かつ低電圧絶縁検査において絶縁が良好と判定された対の配線間に対して、その低電圧絶縁検査における電位差よりも大きな電位差を生じさせて高電圧絶縁検査が実行される。

これによれば、検査対象の配線対と隣接する配線対に絶縁不良があった場合であっても、その絶縁不良の抵抗値が小さく、検査対象の配線対の絶縁不良が検出可能である場合にその検査対象の配線対の絶縁の良否を判定する高電圧絶縁検査が実行されるので、絶縁不良箇所を誤って絶縁良好と判断してしまうおそれが低減され、絶縁検査の検査精度を向上することができる。

また、前記高電圧検査部は、前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が前記基準値を上回る対の一方の配線を含む他の対の配線に対して、前記高電圧絶縁検査の実行を禁止することが好ましい。

本発明者らは、抵抗測定処理において測定された抵抗値が基準値を上回る対の一方の配線を含む他の対の配線、すなわち絶縁不良の抵抗値が基準値を上回る配線対と隣接する配線対について高電圧の絶縁検査を実行すると、検査対象の配線対の絶縁不良が検出できない（見逃される）おそれがあることを見出した。そこでこの構成によれば、絶縁不良の抵抗値が基準値を上回る配線対と隣接する配線対については、高電圧絶縁検査が実行されないので、信頼性の低い高電圧絶縁検査の実行が回避される結果、絶縁検査の検査精度を向上することができる。

また、前記高電圧検査部は、前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が不良と判定された対の配線間に対して、前記高電圧絶縁検査の実行を禁止することが好ましい。

この構成によれば、低電圧絶縁検査において絶縁が不良と判定され、従って絶縁不良がある配線間に対して高電圧絶縁検査が実行されず、従って絶縁不良箇所に高電圧が印加されないので、高電圧による絶縁不良箇所の焼損を回避することが可能となる。

また、前記配線の二カ所にそれぞれ接触する第１及び第２プローブを、前記各配線に対応して複数組さらに備え、前記抵抗測定部は、前記抵抗測定処理において、測定対象となる前記対の一方の配線に対応する第１プローブと他方の配線に対応する第１プローブとの間に電流を供給し、その一方の配線に対応する第２プローブと他方の配線に対応する第２プローブとの間の電圧を検出し、その検出された電圧に基づいて前記測定対象の対の配線間の抵抗値を算出することが好ましい。

この構成によれば、配線間の抵抗を測定しようとする配線対の、一方の配線に二つのプローブが接触され、他方の配線に二つのプローブが接触される。そして、配線間に電流を供給するプローブとは別のプローブによって配線間の電圧が検出されるので、いわゆる四端子法による高精度の抵抗測定が可能となる。従って、抵抗測定処理における抵抗測定精度が向上する結果、各配線対が高電圧絶縁検査の実行対象か否かの判定精度が向上するので、絶縁検査の検査精度を向上することができる。

また、前記低電圧絶縁検査における前記電位差は、前記隣接する二配線間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部、又は微粒子状の複数の導体粒子が前記二配線間に分布する不良部が生じていた場合に、これらの不良部で焼損を生じさせない電圧にされていることが好ましい。

この構成によれば、検査対象の二配線間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部、又は微粒子状の複数の導体粒子が分布する不良部が生じていた場合に、絶縁検査でこれらの不良部を焼損させてしまうおそれが低減される。

また、前記低電圧絶縁検査における前記電位差は、０．１ｍＡ〜２ｍＡの所定の電流を前記不良部に流すことにより生じる電圧と０．２Ｖ〜２０Ｖの所定の電圧とのうち、いずれか低い電圧であることが好ましい。

低電圧絶縁検査における電位差を、０．１ｍＡ〜２ｍＡの所定の電流を前記不良部に流すことにより生じる電圧と０．２Ｖ〜２０Ｖの所定の電圧とのうち、いずれか低い電圧とすれば、検査対象の二配線間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部、又は微粒子状の複数の導体粒子が分布する不良部が生じていた場合に、絶縁検査でこれらの不良部を焼損させてしまうおそれを低減できる。

また、前記高電圧絶縁検査における前記電位差は、前記対の配線間の間隔を狭まらせる不良が生じた場合に前記対の配線間にスパークを生じさせる電圧にされていることが好ましい。

この構成によれば、配線間には間隔が空いており、導通はしていないものの配線間の間隔が狭まって絶縁距離が低下する絶縁不良が生じている場合に、高電圧絶縁検査において配線間にスパークを生じさせ、その絶縁不良を検出することが可能となる。

また、前記高電圧絶縁検査における前記電位差は、２ｍＡを超える所定の電流を前記不良部に流すことにより生じる電圧と、２０Ｖを超える所定の電圧とのうち、いずれか低い電圧にされていることが好ましい。

高電圧絶縁検査における電位差を、２ｍＡを超える所定の電流を不良部に流すことにより生じる電圧と、２０Ｖを超える所定の電圧とのうち、いずれか低い電圧にすれば、高電圧絶縁検査において、対の配線間の間隔を狭まらせる不良を検出することが可能となる。

また、前記基準値は、前記隣接する二配線間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部と、微粒子状の複数の導体粒子が前記二配線間に分布する不良部とを判別するべく設定された抵抗値であることが好ましい。

本発明者らは、検査対象の配線対と隣接する配線対間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された絶縁不良がある場合、そのような絶縁不良がある配線対と隣接する配線対については、絶縁不良を検出できることを見出した。そこでこの構成によれば、検査対象の配線対と隣接する配線対間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された絶縁不良がある場合に、その検査対象の配線対の絶縁の良否を判定する高電圧絶縁検査が実行されるので、絶縁不良箇所を誤って絶縁良好と判断してしまうおそれが低減され、絶縁検査の検査精度を向上することができる。

また、前記基準値は、略２５Ωであることが好ましい。

略２５Ωは、隣接する二配線間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部と、微粒子状の複数の導体粒子が二配線間に分布する不良部とを判別するための基準値として適している。

また、前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が前記基準値を下回る対の配線間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部があると推定する不良原因推定部をさらに備えることが好ましい。

この構成によれば、配線対の配線間の抵抗値が基準値を下回る場合に、その配線対間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部があると推定されるので、絶縁不良の詳細な態様を知ることができる。

また、前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が前記基準値を上回る対の配線間に、微粒子状の複数の導体粒子が分布する不良部があると推定する不良原因推定部をさらに備えることが好ましい。

この構成によれば、配線対の配線間の抵抗値が基準値を上回る場合に、その配線対間に、微粒子状の複数の導体粒子が分布する不良部があると推定されるので、絶縁不良の詳細な態様を知ることができる。

また、前記高電圧絶縁検査において絶縁不良と判定された対の配線間に、その対の配線間の間隔を狭まらせる不良部があると推定する不良原因推定部をさらに備えることが好ましい。

この構成によれば、高電圧絶縁検査において絶縁不良と判定された場合に、その配線対間に、その対の配線間の間隔を狭まらせる不良部があると推定されるので、絶縁不良の詳細な態様を知ることができる。

このような構成の基板検査装置、及び基板検査方法は、絶縁検査の検査精度を向上することができる。

本発明の一実施形態に係る基板検査装置の構成の一例を概略的に示す正面図である。 検査対象となる基板表面の配線パターンに生じる不良の態様を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る基板検査装置の電気的構成の一例を大略的に示す回路図、及びブロック図である。 本発明の一実施形態に係る基板検査装置の電気的構成の一例を大略的に示す回路図、及びブロック図である。 図３に示す電源の出力特性の一例を示すグラフである。 本発明の一実施形態に係る基板検査方法を用いる基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図３，図４に示す基板検査装置の動作を説明するための説明図である。

以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板検査装置の構成の一例を概略的に示す正面図である。図１に示す基板検査装置１は、検査対象の基板１００に形成された回路パターンを検査するための装置である。

基板１００は、例えばプリント配線基板である。なお、基板１００は、例えばフレキシブル基板、セラミック多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板であってもよい。

図１に示す基板検査装置１は、検査装置本体２と、検査治具３Ｕ，３Ｄとを備えている。検査装置本体２は、検査部４Ｕ，４Ｄ、検査部移動機構５Ｕ，５Ｄ、基板固定装置６、及びこれらの各部を収容する筐体７を主に備えている。基板固定装置６は、検査対象の基板１００を所定の位置に固定するように構成されている。検査部移動機構５Ｕ，５Ｄは、検査部４Ｕ，４Ｄを筐体７内で適宜移動させる。

検査部４Ｕは、基板固定装置６に固定された基板１００の上方に位置する。検査部４Ｄは、基板固定装置６に固定された基板１００の下方に位置する。検査部４Ｕ，４Ｄは、基板１００に形成された回路パターンを検査するための検査治具３Ｕ，３Ｄを着脱可能に構成されている。

検査治具３Ｕ，３Ｄには、それぞれ、複数のプローブＰｒが取り付けられている。プローブＰｒは、タングステン（Ｗ）、ハイス鋼（ＳＫＨ）、ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）等の靭性に富む金属その他の導電体で形成されるとともに、屈曲可能な弾性（可撓性）を有するワイヤ状（棒状）に形成される。プローブＰｒの直径は、例えば１００μｍ程度にされている。

各プローブＰｒは、検査対象となる基板１００の配線パターン上に設定された検査点の位置と対応するように配置されている。これにより、検査治具３Ｕの各プローブＰｒは、基板１００上面の各検査点にそれぞれ接触し、検査治具３Ｄの各プローブＰｒは、基板１００下面の各検査点にそれぞれ接触するようにされている。

図２は、検査対象となる基板１００表面の配線パターンに生じる絶縁不良の態様を示す説明図である。図２では、基板１００の表面に３本の配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３が互いに離間して並設されている例を示している。配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３の両端部には、例えばＩＣ（Integrated Circuit）や抵抗、キャパシタ等の電子部品を半田付けするためのパッドＬが設けられている。パッドＬは、検査時にプローブＰｒを接触させる検査点として好適である。

図２（ａ）は、配線パターンＰ１，Ｐ２間に、架け渡されるように細線状の導体が形成されたヘアショート不良Ｆ１と、配線パターンＰ１から配線パターンＰ２へ向かって細線状の導体が延びる細線不良Ｆ２とを示している。基板１００を製造する工程では、基板１００の表面にエッチングで配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３を形成した後、配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３が形成された基板表面を研磨する場合がある。配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３が研磨されると、配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３の縁部に、ささくれが生じる場合がある。

このようにして配線パターンＰ１に生じたささくれが、隣接する配線パターンＰ２に架け渡されるように形成され、配線パターンＰ２と接触すると、ヘアショート不良Ｆ１となる。ヘアショート不良Ｆ１が生じると、配線パターンＰ１，Ｐ２間は導通する。ヘアショート不良Ｆ１の抵抗（配線パターンＰ１，Ｐ２間の抵抗値Ｒｘ）は、約２５Ω以下である場合が多い。ヘアショート不良Ｆ１の細線状導体の太さはミクロンオーダーとなり、絶縁検査に一般に用いられる２５０Ｖ程度の検査電圧がこのような細線状導体に加えられ、大きな電流が流れると焼損してしまうおそれがある。

また、このようにして配線パターンＰ１に生じたささくれが、隣接する配線パターンＰ２に届かなかった場合、細線不良Ｆ２となる。細線不良Ｆ２が生じると、細線不良Ｆ２の先端部が配線パターンＰ２に近づくために、配線パターンＰ１，Ｐ２間の絶縁距離が減少して配線パターンＰ１，Ｐ２間の絶縁耐圧が減少する。この場合、配線パターンＰ１，Ｐ２に高電圧が印加された際に、細線不良Ｆ２の先端部と配線パターンＰ２との間にスパークが生じるおそれがある。

図２（ｂ）は、配線パターンＰ１，Ｐ２間に、微粒子状の複数の導体粒子が分布して形成された微粒子不良Ｆ３と、配線パターンＰ２に配線パターンＰ３へ向かって突出した突起部が形成された突起不良Ｆ４とを示している。

微粒子不良Ｆ３は、例えば上述のように銅の配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３が研磨された際に生じた削りくずが、微粒子状になったものである。このような導体（銅）の微粒子が配線パターンＰ１，Ｐ２間に分布すると、配線パターンＰ１，Ｐ２間の絶縁抵抗値Ｒｘが低下する。微粒子不良Ｆ３が生じた場合、配線パターンＰ１，Ｐ２間の抵抗値Ｒｘは、１０ＭΩ〜１００ＭΩ程度であることが多い。微粒子不良Ｆ３が生じた配線パターンＰ１，Ｐ２間に絶縁検査に一般に用いられる２５０Ｖ程度の検査電圧が加えられると、微粒子不良Ｆ３の生じた箇所が焼損してしまうおそれがある。

さらに、本発明者らは、微粒子不良Ｆ３が配線パターンＰ１，Ｐ２間に生じた場合、配線パターンＰ１，Ｐ２間の絶縁抵抗が低下するのみならず、配線パターンＰ１と配線パターンＰ２とが容量結合することを見出した。

突起不良Ｆ４は、例えば配線パターンＰ２形成時のエッチング不良などによって形成されたものである。突起不良Ｆ４が生じると、突起不良Ｆ４の先端部が配線パターンＰ３に近づくために、配線パターンＰ２，Ｐ３間の絶縁距離が減少して配線パターンＰ２，Ｐ３間の絶縁耐圧が減少する。この場合、配線パターンＰ２，Ｐ３に高電圧が印加された際に、突起不良Ｆ４の先端部と配線パターンＰ３との間にスパークが生じるおそれがある。

図３、図４は、本発明の一実施形態に係る基板検査装置１の電気的構成の一例を大略的に示す回路図、及びブロック図である。基板検査装置１は、プローブＰｒとして、プローブＰｒ１〜Ｐｒ６を備える。プローブＰｒ１，Ｐｒ３，Ｐｒ５は第１プローブの一例に相当し、プローブＰｒ２，Ｐｒ４，Ｐｒ６は第２プローブの一例に相当する。また、基板検査装置１は、電源Ｅ、電圧検出部８、電流検出部９、切替スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ１１〜ＳＷ１４，ＳＷ２１〜ＳＷ２４，ＳＷ３１〜ＳＷ３４，ＳＷ４１〜ＳＷ４４，ＳＷ５１〜ＳＷ５４，ＳＷ６１〜ＳＷ６４、制御部１０、及び表示部２０を備える。

図３に示す例では、基板１００の表面に、配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３が互いに離間して配置され、配線パターンＰ１の一方のパッドＬにプローブＰｒ１が接触し、配線パターンＰ１の他方のパッドＬにプローブＰｒ２が接触し、配線パターンＰ２の一方のパッドＬにプローブＰｒ３が接触し、配線パターンＰ２の他方のパッドＬにプローブＰｒ４が接触し、配線パターンＰ３の一方のパッドＬにプローブＰｒ５が接触し、配線パターンＰ３の他方のパッドＬにプローブＰｒ６が接触する例を示している。また、配線パターンＰ１，Ｐ２間に生じた絶縁不良の抵抗値をＲｘで示している。

スイッチＳＷ１１〜ＳＷ６４は、例えばトランジスタ等の半導体スイッチング素子やリレースイッチ等により構成された開閉スイッチである。スイッチＳＷ１１〜ＳＷ６４は、制御部１０からの制御信号に応じて開閉する。

なお、配線パターンは三つに限られず、三以上あればよい。配線パターンが四以上あった場合であっても各配線パターンに対応してプローブＰｒやスイッチＳＷが設けられる。

電源Ｅは、制御部１０からの制御信号に応じて出力電圧、電流を制御可能な電源回路である。電源Ｅの出力電圧は、検査対象となる一対の配線パターン間に生じる電圧に相当する。電源Ｅは、制御部１０からの制御信号に応じて、例えば低電圧モードと高電圧モードとを切り替え可能にされている。

図５は、図３に示す電源Ｅの出力特性の一例を示すグラフである。横軸は、電源Ｅの負荷抵抗、すなわち検査対象となる一対の配線間の抵抗値Ｒｘを示している。左縦軸は電源Ｅの出力電流を示し、右縦軸は電源Ｅの出力電圧を示している。また、出力電圧Ｖ１（実線）は電源Ｅの低電圧モードでの出力電圧を示し、出力電流Ｉ１（破線）は電源Ｅの低電圧モードでの出力電流を示している。出力電圧Ｖ２（実線）は電源Ｅの高電圧モードでの出力電圧を示し、出力電流Ｉ２（破線）は電源Ｅの高電圧モードでの出力電流を示している。

電源Ｅは、出力電圧及び出力電流を制限する機能を有している。電源Ｅは、低電圧モードでは、出力電圧Ｖ１を予め設定された低電圧制限値ＶＬ以下に制限し、検査対象配線間に絶縁不良が生じて電流が流れたときは、不良箇所を流れる出力電流Ｉ１を予め設定された低電流制限値ＩＬ以下に制限する。その結果、電源Ｅは、低電圧モードでは、その出力電圧Ｖ１が低電圧制限値ＶＬに満たないときはその出力電流Ｉ１を低電流制限値ＩＬに維持し、その出力電圧Ｖ１が低電圧制限値ＶＬになったときは、その出力電圧Ｖ１を低電圧制限値ＶＬに維持するように、その出力電流Ｉ１を低電流制限値ＩＬ以下の電流値に調節する。これにより、低電圧モードでは、電源Ｅは、検査対象となる一対の配線パターン間（抵抗値Ｒｘ）に低電流制限値ＩＬを流した場合に生じる電圧と、低電圧制限値ＶＬとのうち、いずれか低い電圧を出力することになる。

一方、電源Ｅは、高電圧モードでは、出力電圧Ｖ２を予め設定された高電圧制限値ＶＨ以下に制限し、検査対象配線間に絶縁不良が生じて電流が流れたときは、不良箇所を流れる出力電流Ｉ２を予め設定された高電流制限値ＩＨ以下に制限する。その結果、電源Ｅは、高電圧モードでは、その出力電圧Ｖ２が高電圧制限値ＶＨに満たないときはその出力電流Ｉ２を高電流制限値ＩＨに維持し、その出力電圧Ｖ２が高電圧制限値ＶＨになったときは、その出力電圧Ｖ２を高電圧制限値ＶＨに維持するように、その出力電流Ｉ２を高電流制限値ＩＨ以下の電流値に調節する。これにより、高電圧モードでは、電源Ｅは、検査対象となる一対の配線パターン間の抵抗値Ｒｘに高電流制限値ＩＨを流した場合に生じる電圧と、高電圧制限値ＶＨとのうち、いずれか低い電圧を出力することになる。

低電圧制限値ＶＬは、微粒子不良Ｆ３が生じていた場合に不良箇所を焼損させないような電圧値が、例えば実験的に求められて設定されている。低電圧制限値ＶＬとしては、例えば０．２Ｖ〜２０Ｖ程度の電圧を用いることができ、例えば１０Ｖを好適に用いることができる。

低電流制限値ＩＬとしては、ヘアショート不良Ｆ１が生じた場合に細線状導体を焼損させないような電流値が、例えば実験的に求められて設定されている。低電流制限値ＩＬとしては、例えば０．１ｍＡ〜２ｍＡ程度の電流を用いることができ、例えば１ｍＡを好適に用いることができる。

高電圧制限値ＶＨとしては、例えば細線不良Ｆ２や突起不良Ｆ４のように、配線パターン間の絶縁距離を減少させる不良が生じている場合に、スパークを発生させることができる高電圧が設定されている。高電圧制限値ＶＨとしては、例えば一般的な絶縁試験に用いられる検査電圧を用いることができ、例えば２０Ｖを超え、１ＫＶ以下、あるいは１００Ｖ〜５００Ｖ程度の電圧、より好適には２５０Ｖ程度の電圧を用いることができる。

高電流制限値ＩＨは、基板検査装置１の回路や基板１００を過電流による損傷から保護するための制限電流値にされており、例えば２ｍＡを超え、１Ａ以下、あるいは１０ｍＡ〜５０ｍＡ程度の電流、より好適には２０ｍＡとすることができる。これにより、同じ一対の配線パターン間に対して低電流制限値ＩＬが流れた場合と高電流制限値ＩＨが流れた場合とでは、低電流制限値ＩＬが流れた場合にその一対の配線パターン間に生じる電位差よりも高電流制限値ＩＨが流れた場合にその一対の配線パターン間に生じる電位差の方が大きくなるようにされている。

電源Ｅの負極は回路グラウンドに接続されている。電源Ｅの正極は、スイッチＳＷ１１，ＳＷ２１，ＳＷ３１，ＳＷ４１，ＳＷ５１，ＳＷ６１の一端に接続されている。

切替スイッチＳＷ１は、例えばトランジスタ等の半導体スイッチやリレースイッチ等により構成された切り替えスイッチである。切替スイッチＳＷ１は、端子ｔ０，ｔ１，ｔ２を備えている。切替スイッチＳＷ１は、制御部１０からの制御信号に応じて、端子ｔ０の接続先を端子ｔ１と端子ｔ２との間で切り替える。

端子ｔ０は、スイッチＳＷ１２，ＳＷ２２，ＳＷ３２，ＳＷ４２，ＳＷ５２，ＳＷ６２の一端に接続されている。端子ｔ１は、回路グラウンドに接続されている。端子ｔ２は、電流検出部９を介して回路グラウンドに接続されている。

電流検出部９は、例えばシャント抵抗やホール素子等を用いて構成された電流測定回路である。電流検出部９は、切替スイッチＳＷ１が端子ｔ２側に切り替えられたとき、スイッチＳＷ１１〜ＳＷ６４によって選択された二つのプローブＰｒ間に流れる電流を検出し、その電流値を制御部１０へ送信する。

電圧検出部８は、例えばアナログデジタルコンバータ等を用いて構成された電圧測定回路である。例えば電圧検出部８の正極は、スイッチＳＷ１３，ＳＷ２３，ＳＷ３３，ＳＷ４３，ＳＷ５３，ＳＷ６３の一端に接続され、負極は、スイッチＳＷ１４，ＳＷ２４，ＳＷ３４，ＳＷ４４，ＳＷ５４，ＳＷ６４の一端に接続されている。

スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ１３，ＳＷ１４の他端はプローブＰｒ１に接続され、スイッチＳＷ２１，ＳＷ２２，ＳＷ２３，ＳＷ２４の他端はプローブＰｒ２に接続され、スイッチＳＷ３１，ＳＷ３２，ＳＷ３３，ＳＷ３４の他端はプローブＰｒ３に接続され、スイッチＳＷ４１，ＳＷ４２，ＳＷ４３，ＳＷ４４の他端はプローブＰｒ４に接続され、スイッチＳＷ５１，ＳＷ５２，ＳＷ５３，ＳＷ５４の他端はプローブＰｒ５に接続され、スイッチＳＷ６１，ＳＷ６２，ＳＷ６３，ＳＷ６４の他端はプローブＰｒ６に接続されている。

なお、プローブＰｒ１〜Ｐｒ６とスイッチＳＷ１１〜ＳＷ６４との間には、短絡防止用の抵抗を介設することが好ましいが、図示を省略している。

図４に示す表示部２０は、例えば液晶表示装置などの表示装置である。

図４に示す制御部１０は、例えば所定の演算処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）と、データを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）と、所定の制御プログラムを記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）やＨＤＤ（Hard Disk Drive）等の記憶部と、これらの周辺回路等を備えて構成されている。制御部１０は、記憶部に記憶された制御プログラムを実行することにより、導通検査部１１、低電圧検査部１２、抵抗測定部１３、高電圧検査部１４、及び不良原因推定部１５として機能する。

導通検査部１１は、各配線パターンＰに対応するプローブＰｒ間に電流を供給することにより各配線パターンの導通を検査する。図３に示す例では、プローブＰｒ１，Ｐｒ２が配線パターンＰ１に対応し、プローブＰｒ３，Ｐｒ４が配線パターンＰ２に対応し、プローブＰｒ５，Ｐｒ６が配線パターンＰ３に対応している。

低電圧検査部１２は、配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうち互いに隣接する配線パターンＰ１，Ｐ２、配線パターンＰ２，Ｐ３をそれぞれ一対として各対の配線間に電位差を生じさせ、各対の配線間に流れる電流に基づき各対の配線間の絶縁の良否をそれぞれ判定する低電圧絶縁検査を実行する。

抵抗測定部１３は、低電圧絶縁検査において絶縁が不良と判定された対の配線パターン間の抵抗値を測定する抵抗測定処理を実行する。

高電圧検査部１４は、抵抗測定処理において測定された抵抗値が予め設定された基準値Ｒｒｅｆを下回る対の一方の配線を含む他の対の配線であって、かつ低電圧絶縁検査において絶縁が良好と判定された対の配線間に対して、その低電圧絶縁検査における電位差よりも大きな電位差を生じさせ、その対の配線間に流れる電流に基づきその対の配線間の絶縁の良否を判定する高電圧絶縁検査を実行する。

不良原因推定部１５は、抵抗測定部１３による抵抗測定結果、低電圧検査部１２及び高電圧検査部１４による検査結果に基づき、絶縁不良の原因を推定する。

次に、上述のように構成された基板検査装置１の動作について説明する。図６は、本発明の一実施形態に係る基板検査方法を用いる基板検査装置１の動作の一例を示すフローチャートである。図７は、図３，図４に示す基板検査装置１の動作を説明するための説明図である。まず、導通検査部１１は、配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３の導通検査を実行する（ステップＳ１）。

以下の説明において、オンさせる旨記載したスイッチＳＷ以外のスイッチＳＷは、すべてオフしているものとする。

具体的には、導通検査部１１は、配線パターンＰ１の導通検査を行うときは、スイッチＳＷ１１をオンさせて電源ＥをプローブＰｒ１に接続し、スイッチＳＷ２２をオン、切替スイッチＳＷ１を端子ｔ２側に切り替えてプローブＰｒ２を電流検出部９を介して回路グラウンドに接続する。また、導通検査部１１は、スイッチＳＷ１３をオンさせて電圧検出部８の一端をプローブＰｒ１に接続し、スイッチＳＷ２４をオンさせて電圧検出部８の他端をプローブＰｒ２に接続する。

これにより、導通検査部１１は、電源Ｅによって所定の電流を配線パターンＰ１に流させ、配線パターンＰ１に流れた電流を電流検出部９によって検出させ、配線パターンＰ１の両端間に生じた電圧を電圧検出部８によって検出させる。そして、導通検査部１１は、電圧検出部８によって検出された電圧値を電流検出部９によって検出された電流値で除算することにより、配線パターンＰ１の抵抗値Ｒ１を算出する。導通検査部１１は、抵抗値Ｒ１を予め設定された導通判定値と比較し、抵抗値Ｒ１が導通判定値以下であれば配線パターンＰ１は導通している（良好）と判定し、抵抗値Ｒ１が導通判定値を超えていれば配線パターンＰ１は断線している（不良）と判定する。そして、導通検査部１１は、例えばその判定結果を表示部２０に表示して報知する。

導通検査部１１は、同様の処理を配線パターンＰ２，Ｐ３に対して繰り返すことにより、配線パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３の導通検査を実行する。

次に、低電圧検査部１２は、各配線パターン対に対して低電圧絶縁検査を実行する（ステップＳ２：低電圧検査工程）。具体的には、配線パターンＰ１，Ｐ２の対である配線パターン対Ｐ１−Ｐ２と、配線パターンＰ２，Ｐ３の対である配線パターン対Ｐ２−Ｐ３とに対して低電圧絶縁検査を実行する。

配線パターン対Ｐ１−Ｐ２に対して低電圧絶縁検査を実行するときは、低電圧検査部１２は、スイッチＳＷ１１をオンさせて電源ＥをプローブＰｒ１に接続し、スイッチＳＷ３２をオンさせ、切替スイッチＳＷ１を端子ｔ２側に切り替えてプローブＰｒ３を電流検出部９を介して回路グラウンドに接続する。また、低電圧検査部１２は、スイッチＳＷ２３，ＳＷ４４をオンさせて電圧検出部８を配線パターン対Ｐ１−Ｐ２に接続し、電圧検出部８によってプローブＰｒ２，Ｐｒ４を介して配線パターンＰ１，Ｐ２間の電圧を検出させる。また、低電圧検査部１２は、電源Ｅを低電圧モードで出力させる。

そして、低電圧検査部１２は、例えば電圧検出部８により検出された配線パターンＰ１，Ｐ２間の電圧が低電圧制限値ＶＬよりわずかに低い電圧に設定された判定電圧ＶＬｊ以上であり、かつ電流検出部９により検出された電流すなわち配線パターンＰ１，Ｐ２間を流れた電流Ｉ１が、予め設定された判定電流Ｉｊに満たない場合、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２には絶縁不良がないと判定し、電流Ｉ１が判定電流Ｉｊ以上の場合、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２には絶縁不良があると判定する。

低電圧検査部１２は、同様の処理を配線パターン対Ｐ２−Ｐ３に対して繰り返すことにより、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２と配線パターン対Ｐ２−Ｐ３との低電圧絶縁検査を実行する。

低電圧絶縁検査では、配線パターン対における絶縁不良の有無が判らない状態で電圧、電流を印加する。しかしながら、低電圧絶縁検査では、電源Ｅが低電圧モードで出力するので、検査対象の配線パターン対間にヘアショート不良Ｆ１や微粒子不良Ｆ３が存在した場合であっても、これらの不良箇所が焼損しないようにされている。

次に、低電圧検査部１２は、低電圧絶縁検査で絶縁不良のなかった配線パターン対を種別Ａに分類し、絶縁不良のあった配線パターン対を種別Ｂに分類する（ステップＳ３、図７参照）。

例えば、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２間に不良がない場合や細線不良Ｆ２、突起不良Ｆ４が存在する場合、低電圧絶縁検査で配線パターン対Ｐ１−Ｐ２間に電流が流れないので配線パターン対Ｐ１−Ｐ２は絶縁不良なしと判定され、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２は種別Ａに分類される。例えば、図２（ａ）に示す配線パターン対Ｐ２−Ｐ３や図２（ｂ）に示す配線パターン対Ｐ２−Ｐ３は、種別Ａに分類される。

一方、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２間にヘアショート不良Ｆ１や微粒子不良Ｆ３が存在した場合、低電圧絶縁検査で配線パターン対Ｐ１−Ｐ２間に電流が流れ、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２は絶縁不良ありと判定され、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２は種別Ｂに分類される。

次に、抵抗測定部１３は、種別Ｂに分類された配線パターン対について、配線パターン対相互間の抵抗値Ｒｘを測定する（ステップＳ４：抵抗測定工程）。具体的には、例えば配線パターン対Ｐ１−Ｐ２が種別Ｂに分類されていた場合、抵抗測定部１３は、スイッチＳＷ１１をオンさせて電源ＥをプローブＰｒ１に接続し、スイッチＳＷ３２をオンさせ、切替スイッチＳＷ１を端子ｔ２側に切り替えてプローブＰｒ３を電流検出部９を介して回路グラウンドに接続する。これにより、配線パターンＰ１，Ｐ２間（抵抗値Ｒｘ）に流れた電流が電流検出部９によって検出される。

また、抵抗測定部１３は、スイッチＳＷ２３，ＳＷ４４をオンさせて電圧検出部８を配線パターン対Ｐ１−Ｐ２に接続し、電圧検出部８によって配線パターンＰ１，Ｐ２間の電圧を検出させる。また、抵抗測定部１３は、電源Ｅを例えば低電圧モードで出力させる。

そして、抵抗測定部１３は、電圧検出部８によって検出された電圧値を電流検出部９によって検出された電流値で除算することにより、配線パターンＰ１，Ｐ２間の抵抗値Ｒｘを算出する。

このとき、電源Ｅから供給された電流は、スイッチＳＷ１１、プローブＰｒ１、絶縁不良箇所（抵抗値Ｒｘ）、プローブＰｒ３、スイッチＳＷ３２、切替スイッチＳＷ１、及び電流検出部９を介して回路グラウンドへ流れる。一方、電圧検出部８は、その一端からスイッチＳＷ２３、プローブＰｒ２、絶縁不良箇所（抵抗値Ｒｘ）、プローブＰｒ４、スイッチＳＷ４４を介してその他端に至る電圧計測経路によって、絶縁不良箇所に電流が流れることにより生じた電圧を検出する。

この場合、電源Ｅから供給された電流は、電圧検出部８の電圧計測経路中、絶縁不良箇所（抵抗値Ｒｘ）以外の箇所には流れないから、電圧検出部８の検出電圧には、電源Ｅからの供給電流がプローブＰｒ２，Ｐｒ４等の電圧検出回路に流れて生じた電圧は含まれない。すなわち、抵抗測定部１３は、絶縁不良箇所の抵抗値Ｒｘを、四端子測定法により高精度に測定することができる。

このとき、四端子測定法で用いられる四つのプローブＰｒ１〜Ｐｒ４は、ステップＳ１において、配線パターンＰ１，Ｐ２の導通検査のために用いられるプローブである。すなわち、四端子測定法のためにプローブを追加することなく、配線パターンＰ１，Ｐ２の導通検査のために用いられるプローブを四端子測定法で用いることができるので、抵抗測定部１３は、コストを増大させることなく絶縁不良箇所の抵抗値Ｒｘを高精度で測定することができる。

次に、抵抗測定部１３は、測定した抵抗値Ｒｘと基準値Ｒｒｅｆとを比較し、抵抗値Ｒｘが基準値Ｒｒｅｆに満たない配線パターン対を種別Ｃに分類し、抵抗値Ｒｘが基準値Ｒｒｅｆ以上の配線パターン対を種別Ｄに分類する（ステップＳ５：図７参照）。

基準値Ｒｒｅｆは、ヘアショート不良Ｆ１の抵抗値と、微粒子不良Ｆ３の抵抗値とを判別可能な値を例えば実験的に求められて設定されている。基準値Ｒｒｅｆは、例えば略２５Ωに設定することができる。

この場合、種別Ｃに分類された配線パターン対にはヘアショート不良Ｆ１が生じている可能性が高い。種別Ｄに分類された配線パターン対には微粒子不良Ｆ３が生じている可能性が高い。例えば、図２（ａ）に示す配線パターン対Ｐ１−Ｐ２は種別Ｃに分類され、図２（ｂ）に示す配線パターン対Ｐ１−Ｐ２は種別Ｄに分類される。

次に、高電圧検査部１４は、種別Ｃの配線パターン対と隣接する配線パターン対のうち、種別Ａに属する配線パターン対を種別Ｅに分類する（ステップＳ６：図７参照）。例えば、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２が種別Ｃに分類された場合、高電圧検査部１４は、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２と隣接する配線パターン対Ｐ２−Ｐ３が種別Ａに属するか否かを判定し、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３が種別Ａに属する場合、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３が種別Ｅに分類される。なお、ある配線パターン対のいずれか一方の配線を含む配線パターン対のことを、ある配線パターン対と隣接する配線パターン対と称する。

次に、高電圧検査部１４は、種別Ｄの配線パターン対と隣接する配線パターン対のうち、種別Ａに属する配線パターン対を種別Ｆに分類する（ステップＳ７：図７参照）。例えば、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２が種別Ｄに分類された場合、高電圧検査部１４は、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２と隣接する配線パターン対Ｐ２−Ｐ３が種別Ａに属するか否かを判定し、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３が種別Ａに属する場合、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３が種別Ｆに分類される。

次に、高電圧検査部１４は、種別Ａに属し、種別Ｂの配線パターン対と隣接しない配線パターン対を種別Ｇに分類する（ステップＳ８）。

次に、高電圧検査部１４は、種別Ｅ、Ｇに属する配線パターン対に対し、高電圧絶縁検査を実行し、絶縁不良の有無を判定する。不良原因推定部１５は、高電圧絶縁検査で絶縁不良ありと判定された配線パターン対に対して、細線不良Ｆ２又は突起不良Ｆ４が生じていると推定し、その推定結果を表示部２０に表示するなどして報知する（ステップＳ９：高電圧検査工程）。

具体的には、高電圧検査部１４は、例えば配線パターン対Ｐ２−Ｐ３が種別Ｅに属する場合、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３に高電圧絶縁検査を実行するべくスイッチＳＷ３１をオンさせて電源ＥをプローブＰｒ３に接続し、スイッチＳＷ５２をオンさせ、切替スイッチＳＷ１を端子ｔ２側に切り替えてプローブＰｒ５を電流検出部９を介して回路グラウンドに接続する。また、高電圧検査部１４は、スイッチＳＷ４３，ＳＷ６４をオンさせて電圧検出部８を配線パターン対Ｐ２−Ｐ３に接続し、電圧検出部８によって配線パターンＰ２，Ｐ３間の電圧を検出させる。そして、高電圧検査部１４は、電源Ｅを高電圧モードで出力させる。

そして、高電圧検査部１４は、例えば電圧検出部８により検出された配線パターンＰ２，Ｐ３間の電圧が高電圧制限値ＶＨよりわずかに低い電圧に設定された判定電圧ＶＨｊ以上であり、かつ電流検出部９により検出された電流すなわち配線パターンＰ２，Ｐ３間を流れた電流Ｉ２が、判定電流Ｉｊに満たない場合、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３には絶縁不良がないと判定し、電流Ｉ２が判定電流Ｉｊ以上の場合、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３には絶縁不良（細線不良Ｆ２又は突起不良Ｆ４）があると判定する。

高電圧絶縁検査では、細線不良Ｆ２や突起不良Ｆ４が生じている箇所に高電圧を印加し、スパークさせることで流れた放電電流を検出することによって、不良を検出する。スパークは、高電圧を印加した直後に発生するので、高電圧検査部１４は、検査対象配線パターン対に電圧を印加した直後に過渡的に流れた電流Ｉ２の検出値に基づき絶縁不良の有無を判定する。

低電圧絶縁検査で絶縁不良ありと判定され、種別Ｂに分類された配線パターン対には、ヘアショート不良Ｆ１や微粒子不良Ｆ３が生じているおそれがあるため、このような配線パターン対に対して高電圧絶縁検査を実行すると、基板１００を焼損させてしまうおそれがある。しかしながら、ステップＳ８によれば、種別Ａに含まれる種別Ｅ，Ｆの配線パターン対を高電圧絶縁検査の対象とするので、種別Ｂの配線パターン対には高電圧絶縁検査が行われない。その結果、高電圧絶縁検査で基板１００を焼損させてしまうおそれが低減される。

種別Ａのうち、種別Ｆの配線パターン対、すなわち図２（ｂ）の配線パターン対Ｐ２−Ｐ３のように、隣接する配線パターン対に微粒子不良Ｆ３が生じているおそれのある配線パターン対には、高電圧検査部１４は、高電圧絶縁検査を行わない（禁止する）。

本発明者らは、上述したように、微粒子不良Ｆ３が配線パターンＰ１，Ｐ２間に生じた場合、配線パターンＰ１と配線パターンＰ２とが容量結合することを見出した。そのため、図２（ｂ）の配線パターン対Ｐ２−Ｐ３のように、隣接する配線パターン対Ｐ１−Ｐ２に微粒子不良Ｆ３が生じている場合、高電圧絶縁検査を行って配線パターン対Ｐ２−Ｐ３に高電圧を印加すると、配線パターンＰ２に印加された高電圧が容量結合のために過渡的に吸収されてしまう。その結果、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３に突起不良Ｆ４や細線不良Ｆ２が生じていても、その不良箇所でスパークが発生しない。

本発明者らは、このように、種別Ｆの配線パターン対に対して高電圧絶縁検査を行うと、不良箇所でスパークが発生しないために、突起不良Ｆ４や細線不良Ｆ２等の絶縁不良を検出することができず、絶縁不良を見逃してしまうおそれがあることを見出した。

そこで、高電圧検査部１４は、種別Ｆの配線パターン対に対して高電圧絶縁検査を行わない。これにより、誤って絶縁不良を見逃してしまうおそれが低減され、絶縁検査の検査精度を向上することができる。

また、種別Ｇの配線パターン対は、この両側に隣接する配線パターン対にもヘアショート不良Ｆ１や微粒子不良Ｆ３が生じていないと考えられ、隣接する配線パターン対の影響で検査精度が低下するおそれがない。そこで、高電圧検査部１４は、種別Ｇの配線パターン対に対して高電圧絶縁検査を実行し、その検査結果を報知する。

また、種別Ｅの配線パターン対は、例えば図２（ａ）の配線パターン対Ｐ２−Ｐ３のように、隣接する配線パターン対Ｐ１−Ｐ２に種別Ｃすなわちヘアショート不良Ｆ１が生じている。図３において、配線パターン対Ｐ１−Ｐ２にヘアショート不良Ｆ１が生じている状態で配線パターン対Ｐ２−Ｐ３に対して高電圧絶縁検査を行う場合、プローブＰｒ１，Ｐｒ２に繋がるスイッチＳＷ１１〜ＳＷ１４，ＳＷ２１〜ＳＷ２４はオフしているから、隣接する配線パターン対Ｐ１−Ｐ２はフローティング状態となっている。そのため、配線パターンＰ２と配線パターンＰ１とは、ヘアショート不良Ｆ１で短絡されて同電位になる。

従って、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３間に高電圧を印加しても、過渡電圧が吸収されることはなく、配線パターン対Ｐ２−Ｐ３間に細線不良Ｆ２や突起不良Ｆ４があればスパークが発生して絶縁不良を検出することができる。そこで、高電圧検査部１４は、種別Ｅの配線パターン対に対して高電圧絶縁検査を実行し、その検査結果を報知する。これにより、高電圧絶縁検査の検査精度が低下しないことが明らかな種別Ｇの配線パターン対のみならず、絶縁不良のある配線パターン対と隣接する種別Ｅの配線パターン対についても高電圧絶縁検査を実施することができるので、検査精度を向上させることができる。

高電圧絶縁検査の対象となる種別Ａには、不良が存在しない良品配線パターン対と、細線不良Ｆ２又は突起不良Ｆ４が生じた不良配線パターン対とが含まれている。従って、高電圧絶縁検査で絶縁不良と判定された配線パターン対には、細線不良Ｆ２又は突起不良Ｆ４が生じていると考えられる。そこで、不良原因推定部１５は、高電圧絶縁検査で絶縁不良ありと判定した配線パターン対に対して、細線不良Ｆ２又は突起不良Ｆ４が生じていると推定し、その推定結果を表示部２０に表示するなどして報知する（ステップＳ９）。

次に、高電圧検査部１４は、種別Ｆに属する配線パターン対に対し、高電圧絶縁検査が実施されていない旨のメッセージを表示部２０に表示するなどして報知する（ステップＳ１０）。これにより、ユーザは、種別Ｆに属する配線パターン対には、細線不良Ｆ２や突起不良Ｆ４が生じているおそれがあることを知ることができる。

次に、不良原因推定部１５は、種別Ｃに属する配線パターン対に対し、ヘアショート不良Ｆ１が生じていると推定し、その推定結果を表示部２０に表示するなどして報知する（ステップＳ１１）。これにより、ユーザは、種別Ｃに属する配線パターン対に、ヘアショート不良Ｆ１が生じているおそれがあることを知ることができる。

次に、不良原因推定部１５は、種別Ｄに属する配線パターン対に対し、微粒子不良Ｆ３が生じていると推定し、その推定結果を表示部２０に表示するなどして報知する（ステップＳ１２）。これにより、ユーザは、種別Ｄに属する配線パターン対に、微粒子不良Ｆ３が生じているおそれがあることを知ることができる。

なお、抵抗測定部１３は、電流供給用のプローブＰｒ１，Ｐｒ３と電圧検出用のプローブＰｒ２，Ｐｒ４を用いて四端子法による抵抗測定を行う例を示したが、抵抗測定部１３は、電流供給用と電圧供給用とでプローブを共用し、二端子法による抵抗測定を行ってもよい。また、導通検査部１１を備えず、各配線パターンにそれぞれ一つずつプローブを接触させる構成であってもよい。

また、高電圧検査部１４は、種別Ｆの配線パターン対に対しては高電圧絶縁検査を実行しない例を示したが、高電圧検査部１４は、種別Ｆの配線パターン対に対して高電圧絶縁検査を実行してもよい。そして、高電圧検査部１４は、ステップＳ１０において、種別Ｆの配線パターン対に対する高電圧絶縁検査の判定結果は信頼性が低い旨報知するようにしてもよい。

また、スイッチＳＷ１１〜ＳＷ６４は、検査対象となる配線パターン対と接触するプローブに接続されたスイッチ以外はオフする例を示したが、検査対象の配線パターン対が種別Ｅであった場合にその検査対象の配線パターン対と隣接する配線であって、種別Ｃの配線パターン対に含まれる配線と接触するプローブに接続されたスイッチをオフし、そのプローブ及び検査対象となる配線パターン対と接触するプローブを除く他のプローブは、回路グラウンドに接続されるようにスイッチを制御してもよい。

また、基準値Ｒｒｅｆは、ヘアショート不良Ｆ１の抵抗値と、微粒子不良Ｆ３の抵抗値とを判別可能な値が設定される例を示したが、必ずしもこの例に限らない。基準値Ｒｒｅｆは、絶縁不良箇所でのスパークを吸収するような容量結合を生じる不良（種別Ｄ）と、それ以外の不良（種別Ｃ）とを判別可能な値であればよい。また、種別Ｄは絶縁不良箇所でのスパークを吸収するような容量結合を生じる不良であればよく、微粒子不良Ｆ３に限らない。また、種別Ｃは、絶縁不良箇所でのスパークを吸収するような容量結合を生じない不良であればよく、ヘアショート不良Ｆ１に限られない。

１ 基板検査装置
２ 検査装置本体
３Ｕ，３Ｄ 検査治具
８ 電圧検出部
９ 電流検出部
１０ 制御部
１１ 導通検査部
１２ 低電圧検査部
１３ 抵抗測定部
１４ 高電圧検査部
１５ 不良原因推定部
２０ 表示部
１００ 基板
Ｅ 電源
Ｆ１ ヘアショート不良
Ｆ２ 細線不良
Ｆ３ 微粒子不良
Ｆ４ 突起不良
ＩＨ 高電流制限値
ＩＬ 低電流制限値
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ 配線パターン
Ｐ１−Ｐ２ 配線パターン対
Ｐ２−Ｐ３ 配線パターン対
Ｐｒ１，Ｐｒ３，Ｐｒ５ プローブ（第１プローブ）
Ｐｒ２，Ｐｒ４，Ｐｒ６ プローブ（第２プローブ）
Ｒｒｅｆ 基準値
Ｒｘ 抵抗値
ＳＷ１ 切替スイッチ
ＳＷ１１〜ＳＷ６４ スイッチ
Ｖ１ 出力電圧
Ｖ２ 出力電圧
ＶＨ 高電圧制限値
ＶＨｊ 判定電圧
ＶＬ 低電圧制限値
ＶＬｊ 判定電圧

Claims (14)

1. 互いに離間して配置された三以上の配線の相互間の絶縁を検査する基板検査装置であって、
   前記三以上の配線のうち互いに隣接する二配線を一対として複数対の配線間にそれぞれ電位差を生じさせ、前記各対の配線間に流れる電流に基づき前記各対の配線間の絶縁の良否をそれぞれ判定する低電圧絶縁検査を実行する低電圧検査部と、
   前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が不良と判定された対の配線間の抵抗値を測定する抵抗測定処理を実行する抵抗測定部と、
   前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が予め設定された基準値を下回る対の一方の配線を含む他の対の配線であって、かつ前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が良好と判定された対の配線間に対して、その低電圧絶縁検査における前記電位差よりも大きな電位差を生じさせ、その対の配線間に流れる電流に基づきその対の配線間の絶縁の良否を判定する高電圧絶縁検査を実行する高電圧検査部とを備え、
   前記高電圧検査部は、前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が前記基準値を上回る対の一方の配線を含む他の対の配線に対して、前記高電圧絶縁検査の実行を禁止する基板検査装置。
2. 互いに離間して配置された三以上の配線の相互間の絶縁を検査する基板検査装置であって、
   前記三以上の配線のうち互いに隣接する二配線を一対として複数対の配線間にそれぞれ電位差を生じさせ、前記各対の配線間に流れる電流に基づき前記各対の配線間の絶縁の良否をそれぞれ判定する低電圧絶縁検査を実行する低電圧検査部と、
   前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が不良と判定された対の配線間の抵抗値を測定する抵抗測定処理を実行する抵抗測定部と、
   前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が予め設定された基準値を下回る対の一方の配線を含む他の対の配線であって、かつ前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が良好と判定された対の配線間に対して、その低電圧絶縁検査における前記電位差よりも大きな電位差を生じさせ、その対の配線間に流れる電流に基づきその対の配線間の絶縁の良否を判定する高電圧絶縁検査を実行する高電圧検査部とを備え、
   前記高電圧検査部は、さらに、前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が前記基準値を上回る対の一方の配線を含む他の対の配線であって、かつ前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が良好と判定された対の配線間に対して前記高電圧絶縁検査を実行し、その配線間に対する前記高電圧絶縁検査の判定結果は信頼性が低い旨報知する基板検査装置。
3. 前記高電圧検査部は、前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が不良と判定された対の配線間に対して、前記高電圧絶縁検査の実行を禁止する請求項１又は２記載の基板検査装置。
4. 前記配線の二カ所にそれぞれ接触する第１及び第２プローブを、前記各配線に対応して複数組さらに備え、
   前記抵抗測定部は、前記抵抗測定処理において、測定対象となる前記対の一方の配線に対応する第１プローブと他方の配線に対応する第１プローブとの間に電流を供給し、その一方の配線に対応する第２プローブと他方の配線に対応する第２プローブとの間の電圧を検出し、その検出された電圧に基づいて前記測定対象の対の配線間の抵抗値を算出する請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板検査装置。
5. 前記低電圧絶縁検査における前記電位差は、前記隣接する二配線間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部、又は微粒子状の複数の導体粒子が前記二配線間に分布する不良部が生じていた場合に、これらの不良部で焼損を生じさせない電圧にされている請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板検査装置。
6. 前記低電圧絶縁検査における前記電位差は、０．１ｍＡ〜２ｍＡの所定の電流を前記不良部に流すことにより生じる電圧と０．２Ｖ〜２０Ｖの所定の電圧とのうち、いずれか低い電圧である請求項５に記載の基板検査装置。
7. 前記高電圧絶縁検査における前記電位差は、前記対の配線間の間隔を狭まらせる不良が生じた場合に前記対の配線間にスパークを生じさせる電圧にされている請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板検査装置。
8. 前記高電圧絶縁検査における前記電位差は、２ｍＡを超える所定の電流を前記不良部に流すことにより生じる電圧と、２０Ｖを超える所定の電圧とのうち、いずれか低い電圧にされている請求項７に記載の基板検査装置。
9. 前記基準値は、前記隣接する二配線間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部と、微粒子状の複数の導体粒子が前記二配線間に分布する不良部とを判別するべく設定された抵抗値である請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板検査装置。
10. 前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が前記基準値を下回る対の配線間に、線状に延びる導体が架け渡されるように形成された不良部があると推定する不良原因推定部をさらに備える請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板検査装置。
11. 前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が前記基準値を上回る対の配線間に、微粒子状の複数の導体粒子が分布する不良部があると推定する不良原因推定部をさらに備える請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板検査装置。
12. 前記高電圧絶縁検査において絶縁不良と判定された対の配線間に、その対の配線間の間隔を狭まらせる不良部があると推定する不良原因推定部をさらに備える請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板検査装置。
13. 互いに離間して配置された三以上の配線の相互間の絶縁を検査する基板検査方法であって、
    前記三以上の配線のうち互いに隣接する二配線を一対として複数対の配線間にそれぞれ電位差を生じさせ、前記各対の配線間に流れる電流に基づき前記各対の配線間の絶縁の良否をそれぞれ判定する低電圧絶縁検査を実行する低電圧検査工程と、
    前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が不良と判定された対の配線間の抵抗値を測定する抵抗測定処理を実行する抵抗測定工程と、
    前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が予め設定された基準値を下回る対の一方の配線を含む他の対の配線であって、かつ前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が良好と判定された対の配線間に対して、その低電圧絶縁検査における前記電位差よりも大きな電位差を生じさせ、その対の配線間に流れる電流に基づきその対の配線間の絶縁の良否を判定する高電圧絶縁検査を実行する高電圧検査工程とを含み、
    前記高電圧検査工程は、前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が前記基準値を上回る対の一方の配線を含む他の対の配線に対して、前記高電圧絶縁検査の実行を禁止する基板検査方法。
14. 互いに離間して配置された三以上の配線の相互間の絶縁を検査する基板検査方法であって、
    前記三以上の配線のうち互いに隣接する二配線を一対として複数対の配線間にそれぞれ電位差を生じさせ、前記各対の配線間に流れる電流に基づき前記各対の配線間の絶縁の良否をそれぞれ判定する低電圧絶縁検査を実行する低電圧検査工程と、
    前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が不良と判定された対の配線間の抵抗値を測定する抵抗測定処理を実行する抵抗測定工程と、
    前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が予め設定された基準値を下回る対の一方の配線を含む他の対の配線であって、かつ前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が良好と判定された対の配線間に対して、その低電圧絶縁検査における前記電位差よりも大きな電位差を生じさせ、その対の配線間に流れる電流に基づきその対の配線間の絶縁の良否を判定する高電圧絶縁検査を実行する高電圧検査工程とを含み、
    前記高電圧検査工程は、さらに、前記抵抗測定処理において測定された抵抗値が前記基準値を上回る対の一方の配線を含む他の対の配線であって、かつ前記低電圧絶縁検査において前記絶縁が良好と判定された対の配線間に対して前記高電圧絶縁検査を実行し、その配線間に対する前記高電圧絶縁検査の判定結果は信頼性が低い旨報知する基板検査方法。

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