TWI275582B

TWI275582B - Dielectric ceramic composition and electronic device

Info

Publication number: TWI275582B
Application number: TW094128359A
Authority: TW
Inventors: Kazushige Ito; Akira Sato
Original assignee: Tdk Corp
Priority date: 2004-08-30
Filing date: 2005-08-19
Publication date: 2007-03-11
Also published as: US20060046922A1; ATE421159T1; EP1630833B1; TW200615246A; US7262146B2; DE602005012347D1; KR100673933B1; EP1630833A1; ATE529871T1; EP1916681B1; EP1916681A1; KR20060050802A

Description

1275582 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於-種具有耐還原性的介電質陶瓷組成物’特別是關於-種使用介電質陶竞組成物的積層陶究電容等之電子元件。【先前技術】作為電子元件之積層陶瓷電容除了相對介電常數高、絕緣電阻IR的壽命長、DC偏壓特性好（相對介電常數經過時間變化少）之外’更要求溫度特性（好。特別是根據用途在嚴格的條件下，要求電容的溫度特性必須平均。近年來，汽車的引擎空間内搭載的引擎電子控制單元（ECU)、曲軸角度感測器、防鎖死煞車系統（Antil〇ck BraUng System， ABS)模組等的各種電子裝置使用積層陶瓷電容。由於此種電子裝置係用來安定引擎控制、驅動控制以及煞車控制，因此須要求電路的溫度安定性。此種電子裝置所使用的環境是假設在寒冷的冬季下降至-20°C度以下，且引擎啟動後，夏季上升到13〇t：程度以上的溫度。最近的電子裝置與其控制對象機器傾向於削減检起銅線線束，而電子裝置係設置於車外，因此對於電子裝置的裱境變得更為嚴格。然而，此種電子裝置所使用的電容在廣泛溫度範圍的溫度特性必須平坦。具體而言，電容溫度特性不僅僅需滿足EIA規格的X7R特性（-55〜125°C △C/C=土 15%以内），更需滿足eia規格的X8R特性（一55〜15〇

2030-7351-PF 5 1275582 • °C、AC/C=±15%以内）之介電質陶瓷組成物為必要的。滿足X8R特性的介電質陶瓷組成物有幾個提案。特開平10-25157號公報、特開平9 — 4〇465號公報中，提出為了使BaTi〇3作為主要成分的介電質陶瓷組成物能滿足 X8R特性，藉由把肫^⑴中的Ba置換為Bi、托等，使居禮溫度朝向高溫側偏移。再者，藉由選擇BaTi〇3 + Zn〇 + Nb2〇5的組成，使其能滿足X8R特性（特開平4-295048號公報、特開平 4-292458號公報、特開平4-292459號公報、特開平卜ι〇93ΐ9 攀號公報、特開平6-243 721號公報）。然而，此種任一組成系列中，容易蒸發飛散的pb、Bi、 Zn之使用會使空氣中等的氧化性氣壓的燒成提前。因此，電容的内部電極無法使用較便宜的Ni等的基本金屬，而有必須使用Pd、Au、Ag等的較貴的金屬之問題。相對於此，為了達到高相對介電常數、滿足X8R特性、在還原性大氣中的燒成之目的，本申請人已提出了以下所鲁揭示的介電質陶竟組成物（特開2〇〇〇 —154〇57號公報）。此特開2000-1 54057號公報記載的介電質陶瓷組成物包含：以 BaT1〇3作為主成分；從Mg〇、Ca〇、Ba〇、&〇與以2〇3所選擇的至少一者作為第一副成分；以（Ba，Ca)xSi〇2+x(其中，〜1.2)作為第二副成分；從^〇5、肋〇3與肋3所選擇的至少一者作為第三副成分；以及含有1?的氧化物（1?為從k、 Er、Tm、Yb與Lu選擇的至少一者）作為第四副成分，其中相對於上述主成分1〇〇摩爾的各副成分的比率為：第一副成刀〇· 1 3· 0摩爾，第二副成分：2〜1〇摩爾，第三副成分：

2030-7351-PF 6 1275582 〇· 〜0. 5摩爾’第四副成分：爾數為R單獨的比率）。〇· 5〜7摩爾（第四副成分的摩明人已經提出以下所揭示的介電質陶瓷組成物（特開200H92264號公報）。此特開2〇〇卜1 92264號公報所記載的介電質陶竞組成物至少包括：含有欽酸鎖的主成刀，攸MgO、CaO、BaO、SrO與Cr2〇3所選擇的至少一者作為第-副成分’·含有以氧切為主成分的第二副成分；從仏、M〇0祕所選擇的至少—者作為第三副成分；含有 _氧化物ΟΠ為從Sc、Er、Tm、几與以選擇的至少一者）的第四副成分Μ及含有CaZrG3或⑽+Zr()2的第五副成分，其中相對於上述主成分100摩爾的各副成分的比率為·第— 副成分：〇.卜3摩爾’第二副成分：2，摩爾，第三副成分：〇·〇卜0.5摩爾，第四副成分：0.5〜7摩爾（第四副成分的摩爾數為R1單獨的比率）’以及第五副成分:〇<第五副成分<5 摩爾。 ★在上述申請人之任一申請中’相對於主成分1〇〇摩爾的 Mg〇等的第一副成分的比率都是〇 · 1摩爾以上。再者，申請人已經提出以下所揭示的介電質陶竟組成 '(特開2002-255639號公報）。此特開2〇〇2_255639號公報所記載的介電質陶瓷組成物至少包括:含有鈦酸鋇的主成分；含有AE的氧化物(AE係從Mg、备如與^所選擇的至小一者）的第一副成分；以及含的氧化物（1?為從γ、聆、如以及Ε，擇的至少一者)的第二副成分；其中相對於上述主成分100摩爾的各副成分的比率為：第一副成分：〇摩爾〈

2030-7351-PF 7 1275582 第一田彳成分<〇· 1摩爾，第二副成分：j摩爾〈第二副成分u 摩爾。根據申請人的上述特開2〇〇〇 —1 54057號公報、特開 2001-1 92264號公報以及特開2002 —255639號公報的技術，可確貫使介電率增高、滿足χ8κ特性、且可在還原性大氣中燒成。然而，為滿足X8R特性，從室溫到高溫的IR溫度相關性變差’製品而言的實際使用變得困難。【發明内容】本發明之目的在於提供一種除了可維持相對介電常數高、絕緣電阻壽命、使電容溫度特性滿足Eu規格的调特性（-55〜150°C ’（△〇在±15%以内）、可在還原性大氣中燒成’更可改善IR溫度相關性的介電質陶_亮組成物。再者，本發明藉由使用此種介電質陶莞組成物可實現小型化、大容量化’特別是提供-種薄層、小型化的對應的積層陶究電谷專的電子元件。為了達成上述目的，根據本發明的第一形態，提供一種介電質陶甍組成物’包括:含有鈦酸鋇的主成分；含有從MgO、Ca0、Ba0與Sr0所選擇的至少一者的第一副成分；作為燒結助劑的功能之第二副成分；含有從V2〇5、m〇_w〇3 所選擇的至少一者的第三副成分;含有Rl的氧化物⑽從 Sc、Er、Tm、_Lu所選擇的至少—者）的第四副成分；含有㈣〇3或㈤伽2的第五副成分；以及含有㈣氧化物α

2030-7351-PF 8 1275582 係6配位時的有效離子半徑在0· 065〜0. 〇85nm的範圍之陽離子7G素群中選擇的至少一者）的第八副成分，其中相對於上述主成分100摩爾的第八副成分的比率為：〇〜4摩爾（其中， 0與4除外，換算成A氧化物的值）。根據本發明之第一形態，上述第八副成分所包含的氧化物的上述A最好是&A1、Cr、Ga、Ge的陽離子元素群中選擇出至少一者。 ' 根據第-形態，相對於上述主成分i卿爾的各副成分比率最好是·· 第一副成分第二副成分第三副成分第四副成分 R1單獨的比率）；〇· 1〜3· 0摩爾； 2〜10摩爾；〇· 01〜0· 5摩爾；〇· 5〜7摩爾（第四副成分的摩爾數量係以第五副成分：0〈第五副成分0摩爾。根據第％悲，以第六副成分而言’最好是更包含R 的氧化物m係從Y、Dy、Ho、Tb、G(mEu中選擇出至少者），上述第六副成分的含有量相對於含有鈦酸鋇的主成矣 100摩爾係9摩爾以下（第丄利士、八Μ麻e r、弟八田丨J成分的摩爾數量係R2單獨^ 比率）。 ’

根據第-形態’第四副成分與第六副成分的合計含有量相對於含有鈦酸鋇的主成分_摩爾係13摩爾以下（第四副成分與第六副成分的摩爾數量係RmR2單獨的比率）。根據第一形態’上述第二副成分最好是從Si〇2、MO(M

2030-7351-PF 1275582 是從Ba、Ca、Sr_g中選擇出的至少—者的元素以選擇出的至少-者所代表。第二副成分可被認為作為 k結助劑的功能。上述第五副成分中，WZr的比例係任意的，最好是 cm κ 5 ’更最好是Ga/Zr=G· 8]. 5，特別最好是

Ca/Zr=〇·9〜1.1 〇、、根據第一形態，最好是更含有MnO作為第七副成分，上述第七田彳成为的含有篁相對於含有鈦酸鋇的主成分ι〇〇摩爾係0· 5摩爾以下。另外，根據本發明的第二形態，提供一組成物包括：含有欽酸鎖的主成分；含有Mg0的第一副^ 分；作為燒結助劑的功能之第二副成分；含冑從V2〇5、m〇〇3 與W〇3所選擇的至少一者的第三副成分；含有以的氧化物. (R1為從Sc、Er、Tm、Yb與LU選擇的至少一者）的第四副成为，含有CaZr〇3或CaO+Zr〇2的第五副成分；含有Mn〇或Cr2〇3 的第七副成分；以及含有ΑΙΑ的第八副成分’其中相對於上述主成分1 00摩爾的第一副成分、第七副成分、第八副成分的比率為：第一副成分：0· 2〜0· 75摩爾；第七副成分·· 0· 1〜0· 3摩爾（其中，第七副成分的摩爾數量係以Μη元素或Cr元素换算的比率）；弟八副成分·· 0·5〜4摩爾（其令，4除外）。本發明可提供一種介電體陶瓷組成物，上述第一副成分所含有的Mg元素與上述第七副成分所含有的“元素之摩 2030-7351-PF 10 1275582 爾比例為0.3以^111 + (：1〇/财衫0.5的關係。第分別包括作為第—副成分為第八副成分的Al2〇3,且作為第—副成分__含有= 作^七副成分的㈣3的含有量係以上述的關係點^ 形態具有的最大的特徵。一、第一形怎中，相對於上述主成分1〇〇摩爾的第二〜五成分的比率最好是：田第二副成分弟三副成分第四副成分 R1單獨的比率）； 2〜10摩爾；〇· 01〜〇· 5摩爾；〇· 5〜7摩爾（第四副成分的摩爾數量係以第五副成分：0<第五副成分d摩爾。根據第二形態，以第六副成分而言，最好是更包含^ 的氧化物（R2係從Y、Dy、Ho、Tb、⑸與肋中選擇出至少一者），上述第六副成分的含有量相對於含有鈦酸鋇的主成八 #⑽摩爾係9摩爾以下（第六副成分的摩爾數量係R2單獨: 比率）。根據第二形態，第四副成分與第六副成分的合計含有量相對於含有鈦酸鋇的主成分1〇〇摩爾係13摩爾以下（第四副成分與第六副成分的摩爾數量係^與以單獨的比率）。根據第二形態，上述第一副成分最好是更包含從 BaO與SrO選擇出的至少一者以上。根據第二形態’上述第二副成分最好係從si〇2、關是從Ba、Ca、3^:與心中選擇出的至少一者的元素）、Li2〇以

2030-7351-PF 11 I275582 及B2〇3選擇出的至少一者所代表。本發明的第一形態與第二形態的電子元件為具有介電 -a的電子元件，並不特別限定，例如：具有介電體層與内部電極層共同交互堆積的電容元件本體的積層陶竟電容几件。本發明中，上述介電體層係構成在上述第一形態或者第二形態之任-的介電體陶瓷組成物。内部電極層所含有的導電材而言，並不特別限定，如：Ni*Ni合金。鲁▲本發明的第一形態與第二形態的電子元件，具體而 1，可由積層陶瓷電容、壓電裝置、晶片電感、晶片變阻裔、晶片電熱調節器、晶片電阻器、其他表面黏著（SMD) 晶片型電子元件為例。「再者，本說明書所記載的離子半徑係基於「R.D.Shannon，ActaCrystall〇gr.，Α32，75ι(ΐ976)」的值。本發明之目的不會影響溫度特性（X8R特性），係關於可 φ改善IR溫度相關性的特定元素群進行研究結果，他位時的有效離子半徑在一定範圍之陽離子元素群為有效的，根據此知識而完成本發明（第一形態之發明）。 ▲ IR溫度相關性”係絕緣電阻ir對於溫度變化等是 f k動之辨別的指標。此㈣度相關性係可藉由計算出既。疋溫度（例如·· 150艺的”相對於基準溫度（例如··室溫25 C )的曼化b (變化率）來評估。複數溫度間的I趙化率較小的IR溫度相關性可判斷為良好，而變化率越大的則可

2030-7351-PF 12 1275582 的X8R，在X8R的溫度範圍内（特別是從室溫到高溫）的〖只溫度相關性惡劣，使得產品的實際使用變得困難。本發明係以室溫（25t )與高溫部（15(rc )作為複數的溫度之例子，分別的溫度下的絕緣電阻為IR25、IRm，計算出由以下公式（1)所代表的「1R有效位數差」的大小來評估 IR溫度相關性是好是壞。 l〇g(IRi5〇/IR25)…公式（1)

述公式（1)所表示的於本發明，相對於相對介電常數高、可滿足x8r特性的介電質組成，添加特定的元素群構成的第人副成分。藉此，本發明之介電質陶究組成物不僅滿足X8R特性，且從室溫 (2 51 )到高溫部（！ 5 〇 t )的！ R溫度相關性小。具體而古，上有效位數差」可為—2. 〇〇以上。本發明之介電質陶竟組成物為了相對介電常數高、電容溫度特性滿足EIA規定的X8R特性，使用本發明的介電質陶竟組成物之陶竟電容等的電子元件即使在如汽車的引擎的咼溫下曝曬的環境下亦可適當地使用。再者，本發明之介電質陶究組成物由於沒有包含蒸發飛散且便宜的Pb、B ；[、7n•表 m 中燒結。 Zn等疋素’因此，可在還原態大氣一換a之，精由本發明，提供一種可維持相對介電常數 L絕緣電阻壽命、使電容溫度特性滿㈣A規格的㈣特 ^ ^ ^ 戍更了改善1化溫度相關性的介電質陶瓷組成物。使用本發明的介電質陶珞έ 4 电貝陶是組成物的陶瓷電容等的電子

2030-7351-PF 13 1275582 元件製造時，内部電極而言，可使用Ni與Ni合金等的基本金屬，使電子元件實現低成本化。再者，在還原性大氣中燒成介電質陶莞組成物，所取得的電子元件滿足X8R特性，直流電壓所施加的電容引擎特性良好（=電容的經過時間變化小），絕緣電阻的惡化變小，且信賴性更好。換言之，具有本發明的介電質陶莞組成物所構成的介電體層之積層陶瓷電容等的電子元件在如汽車的電子裝置的嚴苛環境下所使料各種機器内可有安定的動作，因此可使得適用的機器信賴性向上提升。藉由上述，本發明的介電質組成可期待即使隨著介電體層的薄層化’有抑制高溫領域的溫度變化率的惡化方式之效果。 ”再者，關於本發明之介電f陶竟組成物，絕緣電阻纪壽命增長，且DC偏壓特性(介電率的直流電壓施加相關性與γ偏壓特性（直流電壓施加時的電容溫度特性）安定。特別是添加第人副成分可認η偏壓特性有顯著的提升。又再者’關於本發明之介電質陶瓷組成物，不含有外、 Βι等的有害物質，使影響較小。處理#對於環境的不良性之2^使用本發明之介電質陶£組成物，提供優良特本發明:容等的電子元件變得容易。再者，若使用足遺㈣1電質陶莞組成物，即使介電體層薄層化，可滿、性，且有防止絕緣電阻的壽命減低的效果。因 ’積層陶究電容等的電子元件中，可實現小型且

2030-7351-PF 1275582 寺另i疋可使其容易對應地薄層小型化。因此，高集積電路的安裝變得更為容易。 ^ I知的’丨電質陶瓷組成物中，隨著約一層的介電體層的薄層化’特別是高溫側的電容溫度特性傾向於惡化。換吕，鬲溫側的電容溫度變化率曲線傾向於朝向順時針方向相對於此，於本發明，使高溫側的電容溫度變化率曲線可朝向逆時針方向。如果應用此現象於滿足X7R特性的電 •子件，可實現約一層的介電體層比先前技術更薄層化。再者，關於第二形態的發明，以第八副成分而言，必須含有Ah〇3，在第一副成分必須含有MgO的含有量與含有 MnO或fnO3的第七副成分的含有量的比例為一定範圍，換古之’第一副成分所含有的Mg元素與第七副成分所含有的 Mn、Cr7〇素之摩爾比例為〇3g(Mn + Cr)/Md5的範圍，因此，除了上述各效果，可改善高溫加速壽命。為了讓本發明之上述和其它目的、特徵、和優點能更，明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖詳細說明如下。【實施方式】第一實施例以下說明關於本發明的第一實施例。第-實施例中，電子元件係如第1圖所示的積層陶瓷電容為例’以說明其構造及製造方法。積層陶瓷電容

2030-7351-PF 1275582 声陶所二作為關於第一實施例的電子元件的積曰陶光電I 1，包括由介電體層2與内部電極層3交互堆

積而構成的電容元件本體I此電容元件本體H)的兩端料成父互配置在疋件本體1G内部的内部電極層3以及個別導通的-對外部電極4β内部㈣3之各端面係以交互露出相對於元件本體1G的二端部表面而堆積。—對的外邛電極4形成在疋件本體1〇的二端部，且連接於交互配置的内部電極層3之露出端面，進而構成電容電路。電容元件本體10的外型與尺寸並沒有特別限定，可根據用途適當地設定。通常外型為大約長方體型狀，尺寸通常可為縱（0.4〜5.6mm)X橫（〇·2〜5.〇mm)x高（0·2〜19随）。介電體介電體層2係含有本發明的第一形態之介電質陶瓷組成物。本發明之第一形態之介電質陶瓷組成物包含：含有碳酸鋇之主成分（碳酸鋇最好是由組成式BanJi〇2+m所表示、上述組成式中的m為0· 995<mSl. 〇 1 〇，且Ba與Ti的比例為 0· 995sBa/Tisl· 010);含有從MgO、CaO、BaO 與 SrO所選擇的至少一者的第一副成分；作為燒結助劑的功能之第二副成分，含有從V2〇5、Mo〇3與W〇3所選擇的至少一者的第二副成分；含有R1的氧化物（R1為從Sc、Er、Tm、Yb與Lu選擇的至少一者）的第四副成分；含有CaZr〇3或CaO+ZrCh的第五副成分；以及含有A的氧化物（A係6配位時的有效離子半徑在 0. 0 65-0· 085 nm的範圍之陽離子元素群中選擇的至少一者） 2030-7351-PF 16 1275582 的第八副成分。第八副成分的陽離子元素群可包含1 (0. 067nm)、

Ge(0· 0 6 7nm)、Α1(0· 0675nm)、Cu(0· 068nin)、Fe(0· 069nm)、 Ni( 0. 070nm)、Au(0. 071nm)、As(0· 072nm)、Cr(0· 0755nm)、

Ga(0. 076nm)、At(0·076nm)、0s(0·077nm)、Nb(0·078nm)、 Ta(0· 078nm)、Co(0.079nm)、Rh(0.080nm)、Ir(0.082nm)、

Ru(0. 082nm)、Sn(0· 083nm)，然而不包含 p(〇. 〇52nm)、 K(0_ 152nm)。再者，括弧内的數字表示6配位時的有效離子半徑，以下相同。上述陽離子元素之中，6配位時的有效離子半徑最好』使用0. 065-0· 085nm的範圍。其中最好的元素群為包含！ Ge、AhCu'Fe'Ni、Au、^、以、^、^，更最好是自含A1、Cr、Ga、Ge的陽離子元素群中選擇出至少一者來崔用’更最好是至少使用A卜兩種以上的組合使用時，特& 好的組合為 Al+Cr、Al + Ga、Al+Ge。 ' 第八副成分的含有量相對於上述主成分100摩爾，幻氧化物來換算的值為〇〜4摩爾（其中，除外） ^•5摩爾（其中，〇除外），更最好是⑴.5摩爾，更最= 疋1〜2摩爾’特別是H·5摩爾。第八副成分的含有旦少，IR温度相關性改善效果變得不^。另 $里右太量過多的話’電容溫度特性傾向於惡化。特別含有過1摩爾的第八副成分，可確句】疋备添加超第八副成分的上述比率二^ 义〜千不疋早獨A的摩騙士 w

氧化物的摩爾比例。換言彳，而是A 以第八副成分而言，

2030-7351-PF 17 1-275582 的氧化物時’第八副成分的比是1摩:者—比率為!摩爾的的比率則不素(氧二上的複數- 係上述範圍。換言之，笛\ _ 、上述主成分100摩爾最好率可為任意的。, 7副成分中的各氧化物的構成比於Bai目m成分的BaTiQ3之上述各副成分的比率，相對於BaTi〇3l〇〇摩爾為：第一副成分：〇· 1〜3· 〇摩爾；弟二副成分第三副成分第四副成分第五副成分最好是： 2〜10摩爾；〇· 01〜0· 5摩爾； 0· 5〜7摩爾； 0〈第五副成分<5摩爾第二副成分第二副成分第四副成分笫五副成分〇· 5〜2. 5摩爾； 2· 0〜5. 0摩爾；〇·卜〇. 4摩爾；〇· 5〜5· 0摩爾；〇· 5〜3摩爾。再者，第四副成分的上述比率不是㈣氧化物的摩爾比例mi單獨的摩爾比率。換言之，舉例之第四副成分而吕’使用Yb的氧化物的場合時，帛四副成分的比率為 lmol時，係代表YbW的比率不是lm〇1，而是Yb的比率為lm〇1 的意思。 2030-7351-PF 18 1275582 於本說明書，構成主成分與副成組成來表示，然而，各氧化物氧：：物係以化學計量組成偏離。注音，女^、妁虱化狀譃亦可從化成各副成分的氧化物所含有係由換算構成的氧化物而求得。 μ上述化學計量組藉由使其含有上述第一〜率，且滿足X8R特性。第_ 刀可同時維持高介電如下所述。第〜五副成分的最佳含有量與理由第田J成刀（Mg〇、Ca〇、Ba(^Sr〇)可顯示使電容、西产寺性平坦化的效果。若第一副成分的含：：度變化率會變大。另-方面，若含有量過多，燒"!：：化。再者，第-副成分中的各氧化物的構成比率為任意二弟-副成分是作為燒結助劑的功能的副成分。此種作為燒結助3劑的功能的化合物而言，最好是使用從Si〇2、 M0(但，Μ是從以、心&與_選擇出的至少_者的元素）、 W以廳選擇出的至少一者所表示的化合物。此種第二副成分除了作為燒結助劑的作用之外，有改善當薄層化時的初期絕緣抵抗的不良率。若第二副成分的含有量：少，、電容溫度特性變差，且IR(絕緣電阻）減低。另一方面，含有量若過多’ IR壽命變得不足，且產生介電率急速減低。3 更最好是，上述第二副成分以（Ba，Ca)xSi〇2+x(注意， χ=0· 7〜1· 2)所表不。第二副成分的更好形態的[(μ， Ca)xSi〇2+x]中的BaO與CaO在第一副成分中也有包含，然而，由於複合氧化物的（Ba, Ca)xSi〇2+x熔點低，相對於主 2030-7351-PF 19 1275582 成分的反應性良好，本發明中，最好是以上述複曰氧化物來添加。第二副成分的更好形態的的[(Ba，

Ca)xSi〇2+x]中的χ最好是〇7〜12，更最好是〇·8〜1；[。若X 太小，即Si 〇2過多，與主成分的BaTi〇3反應使得介電體特性惡化。另一方面，若x太大，熔點變高而使得燒結性惡化，其為不好。再者，以與以的比率為任意的，只有包含其中一者亦可。第三副成分（V2〇s、M〇〇3與w〇3)顯示有在居禮溫度以上的電容溫度特性平坦化之效果且以壽命向上提升之效果。右第二副成分的含有量太少的話，此種效果會變得不足。另一方面，若第三副成分的含有量過多，^會明顯地降低。再者，第三副成分中的各氧化物的構成比率為任意的。第四田彳成分（R1氧化物）顯示有使居禮溫度偏移朝向高 =側且電容溫度特性平坦化之效果。若第四副成分的含有 K太少的話，此種效果會變得不足，電容溫度特性會變差。 •另一方面，若含有量過多時，燒結性會傾向於惡化。第四田彳成刀之中，特性改善效果較高，且便宜，因此最好是几氧化物。第五副成分（CaZrOO顯示有使居禮溫度偏移朝向高溫侧且電容溫度特性平坦化之效果。又，有改善㈣、直流絕緣破壞強度的效果，但是，若第五副成分的含量過高， IR加速壽命會明顯地惡化，電容溫度特性（X8R特性）會變得更差本發明不特別限定CaZrCh的添加形態，可選擇從ca〇等的Ca構成的氧化物、從CaC〇3等的Ca來構成的氧化物、

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CaCCh等的奴酸鹽、有機化合物、cazr〇3等。不特別限定ca 與Zr的比率，只要是決定不會使主成分的BaTi〇3固溶的程度即可，但是相對於Zr的Ca的摩爾比例（Ca/zr)最好是〇· 5〜1.5，更最好是〇.8〜1.5’更最好是om 藉由調整第四副成分（R1氧化物）與第五副成分

(CaZrOO的含有量，使電容温度特性（X8R特性）平坦化、可改善高溫加速壽命、CR值。特別是，上述數值的範圍内，抑制異相的析出’可使組織均等化。若第四副成分的含有

量過多，容易析出巨大的針狀結晶的燒綠石（pyr〇chl〇re) 相，積層陶瓷電容的介電體層之間的厚度變薄的時候會有顯著的惡化(CR值的減少）。另一方面，若第四副成分的含 2量太少’無法滿；^容溫度特性。第五副成分的含有量右k夕雖Λ、;'改善CR值、直流破壞電壓νβ ,電容溫度特性會惡化，且IR加速壽命也變差。關於第一形態的介電質陶瓷組成物，必要時，以第六副成分而言，R2氧化物（其中，R2係從γ、Dy、H〇、几、Gd ” Eu中選•擇出至少一者）最好是含有以下（最好是〇·5 9mol)。此第六副成分（R2氧化物）顯示有改善11?與IR 哥命的效果’且電容溫度特性的不好影響也少。铁而，若職化物的含有量過多，燒結性會傾向於惡化。；六副成分中，特性改善效果高，且因為便宜，最好是丫氧化物。第四副成分與第六副成分合計的含有量相對於主成分的BaTi〇:10〇mol，最好是胸以下， (其中’第四副成分與第六副成分的摩爾數量係RWR2單獨

2030-7351-PF 21 K75582 的比率）。保持良好的燒結性。再者，關於第一形態之介電質陶瓷組成物中，最好是含有MnO作為第七副成分。此第七副成分顯示促進燒結的效果，且使IR增高、使IR壽命向上提升的效果。為得足夠的此種效果，相對MBaTi(M00m〇1，第七副成分的Z率最好為O.Olmol以上。然而，若第七副成分過多的話，電容溫度特性會有不好影響，最好是0.5mol以下。、再者’ Sr、Zr與Sn的至少一種鈣鈦礦結構所構成的主成刀中的Ba或丁！置換的場合時，居禮溫度朝向低溫侧偏移，125°C以上的電容溫度特性會變差。因此，包含此種元素的BaTiCh [例如：（Ba，Sr)Ti〇3]作為主成分最好不使用。然而，如果是含有的level(介電質陶瓷組成物整體的 O.lmol%程度以下）作為不純物，特別沒有問題。第一形態的介電質陶瓷組成物的平均結晶粒徑並沒有特別限定，根據介電體層的厚度等，例如：〇·的範圍來適當決定即可。介電體層越薄時，電容溫度特性會惡化，且平均結晶粒徑越小會傾向於惡化H #平均結晶粒徑必須小的場合時，本發明的介電質陶竟組成物具體而言，平均結晶粒徑為G.H.W 的場合特別有效。再者，平均結晶粒徑弱小的話’ IR壽命會變長，且直流電場下的電容經過時間變化變少，由此點可看出，平均結晶粒徑最好是如上述一樣小。關於第一形悲的介電質陶瓷組成物的居禮溫度（從強

2030-7351-PF 产、. 22 Ι275582 電體到般介電體的互相轉移溫度）可藉由選擇其組成 ^隻更然而，為了滿足X8R特性，最好是i2(TC以上，更 =好疋123C以上。再者’居禮溫度可藉由脱（微差掃描熱置測量）等來測量。、關於第形態的介電質陶瓷組成物所構成的介電體層、厚度而口層大約通常是40 # m以下，特別是30; m以下。厚度的下限通常為0.5#m。 • +關於第一形態的介電質陶瓷組成物可有效改善此種具薄層化的"電體層的積層陶瓷電容的電容溫度特性。再者，介電體層的積層數量通常為2〜300左右。使用第形怨的介電質陶瓷組成物的積層陶瓷電容係在80f以上，特別是125〜150°C的環境下被使用作為機器用一-件為適田的。接者，在此種溫度範圍，電容的溫度特性滿足EIA規格的_生，更滿足X8R的特性。再者，可同時滿足EIAI規袼的時性[在—25〜8代的電容變化率±1⑽以 _内（基準溫度2Q°C)]、EIA規格的X7R特性（m25°C， AC=土 15%以内）。、、’ 幻如至’皿（2 5 C )與高溫部（15 0 °C )的分別的溫度下的絕緣電阻為IR25、-。時，可由以下公式⑴所代表的1R有效位數差」$〜2· 00以上。換言之，IR溫度相關性是小的。公式（1) log(IRi5〇/IR25) ... 通常為0 · 0 2 V / # m以上，特別 // m以上，一般為5V/ # m以下積層陶曼電谷在介電體層疋0.2V//zm以上’更為〇·5γ/

2030-7351-PF 23 1275582 的父流電場’與此重最^-- 更且亦可加上5V//Z ffl以下的直即使加上此種電埸，雪~ α 广叼直机電％電谷的溫度特性係安定的。内部電極贈本表明不特別限定内邱雷人_ 門⑷電極體3含有的導電材料，鈥而 ;丨電體層2的構成材料最好 ·、 # — & i ^入取好疋具有耐還原性且可使用比較便且的基礎金屬。以導雷 +、λί•入^ 、 · 導電材科而言，最好是基礎金屬的Ni 或Nie金。以w合金而言， η 联好疋由Mu、Cr、 Co與Α1中選好是以。上的元素與Ni的合金。合金中的以含有量最量成分最好包含0. 1 再者，Ni或Ni合金中，ρ等的各種微重量％程度以下。内部電極層3的厚度根據用途而適當決定即可，通常最好是0.5-5“，特別是〇·5_2·5㈣。 n 外部電極 —本發明不特別限定含有外部電極4的導電材料，然而， _本實施形態可使用便宜的Ni、Cu與其合金。外部電極4的厚度可根據用途等適當地決^，然而，通常最好是10 - 5 0 " m 〇禮jIl陶瓷電容的製造方法關於使用本發明的第一形態的介電質陶竟組成物的積層陶竟電容，與習知的積層陶=是電容的相同，藉由使用聚料的一般印刷法與片狀方式來製作綠晶片，在^結之後，

藉由印刷或轉寫外部電極且燒結而製造。以下具體說明製造方法。 2030-7351-PF 24 1275582 、準備3有；|電體層用的聚料的介電質陶竟組合物粉末’塗料後’進而調整為介電體層用的漿料。 "電體層用的漿料可為由介電f陶变組成物粉末與有機染色賴拌而成的有機的塗料，亦可為水系塗料。以介電質陶成物粉末而言，可使用上述氧化物與混合物、複合減物，其他的話，藉由燒結上述氧化物、複合氧化物而成的各種化合物，例如碳酸鹽、草酸鹽、琐酸鹽、氫氧化物、有機金屬化合物等可適當地選擇、混入使用。介電質陶究組成物粉末中的各化合物的含有量可: 燒結後的上述介電質陶竟組成物的組成所決定。在塗料之别的狀態，介電曾常平均為成Μ末的粒徑通 ^ 2染色劑係溶解黏結駭有機溶财的物品。本發明不特別限定用於有機毕声办 + 音、〇 M u 黏結劑。可由乙基織維者…、、·丁 Μ的一般各種黏結劑來適當地選擇。再亦不特別限定使用的有機溶劑，根據印刷法血片狀法專的利用方法，可由香油腦、胃的各種有機溶劑來適當地選擇。、再者，當以水系塗料作為介電體的使水溶性黏結劑與分散劑等溶解於水㈣^時，盘介雷I#及祖、曰人、、水系染色劑最好 “電體原枓混合。並不特別限定用於性黏結劑，可使用例如聚乙稀醇、纖唯色劑的水溶酸樹腊等。纖維素从及水溶性丙烯内部電極層用聚料係藉由各種介電性金屬與合金等的

2030-7351-.PF 25 1275582 導電材料或燒杜德卜1、道^ 曰人、、。後上述導電材所變成的各種氧化物、有機 ρ ϋ “树脂酸鹽等與上述有機染色劑混合調製而成。外部電極用衆料可由上述内部電極用聚料同樣方式調旦本毛明不特別限定上述各裝料中的有機染色劑的含有篁’通常的含有量’舉例而言，最好是黏結劑為卜5重量％， ::係1。，重量%即可。再者，各漿料中根據必要最好含 k各種刀㈣、可塑劑、介電體、絕緣體等所選擇的添加物。總含有量最好是丨0重量％以下。使用印刷法，將介電體層用聚料以及内部電極層漿料積層印刷在PET等的基板上後，切斷成一定形狀後:從基板剝離而成為綠晶片。再者，當使用印刷法時，使用介電體層用裝料來形成綠帶’在此上面印刷内部電極層用浆料後，堆積而做成綠晶片。在燒結之前，在綠晶片上實施取出黏結劑處理。取出黏結劑處理可根據内部電極用漿料中的導電材料的種類來適當地決定。當使用作為導電材料的Ni_合金等的美本二:，取出…大氣中的氧氣分壓最好是〜10 Pa。右氧氣分壓未達到上述範圍的話，取出黏社劑效果會減低。又1氧氣分壓超過上述_的話，= 電極層會傾向於氧化。再者’除了上述以外的取出黏結劑的條件，升、、W速产最好是5〜3〇〇口小時，更最好是1〇〜1〇〇t/小時。保:溫^

2030-7351-PF 26 !275582 最好在180~40(TC，更最好是200〜35(rc。溫度保持時間最好，0.5〜24小時，更最好是2〜20小時。另外，燒結氣^最好是在空氣中或還原氣壓。在還原氣壓中的大氣氣體最好疋使用加濕的N2與H2的混合氣體。綠晶片燒結時的氣壓最好是根據内部電極用漿料中、導電材料的種類來適當地決定。使用作為導電材料的“= Ni合金的基本金屬時，燒結氣壓中的氧氣分壓最好是 l〇'l〇-3Pa。若氧氣分壓未達到上述範圍的話，造成内；電極層的導電材料異常燒結，進而造成中途中斷。又，^ 氧氣分壓超過上述範圍的話，内部電極層會傾向於氧化。再者，燒結時的保持溫度最好是丨丨〇〇〜丨4〇〇亡，更最好是126〇〜13赃。當保持溫度未滿足上述範圍，且稍密度變得不足。若超過上述範圍，内部電極層的導電材料異常燒結而造成中if、内冑電極層構成材肖的擴散而導致電溶溫度特性惡化，且容易產生介電體陶瓷組合物的還原。除了此燒結條件之外，升溫速度最好是5〇〜500^/小時，更最好是200〜3〇(TC/小時。溫度保持時間最好是〇5〜8 小時，更最好是卜3小時。冷卻逮度最好是5〇〜5〇〇ec/小時，更最好是200〜300。。/小_。另外’燒結氣壓最好是在還原氣壓。還原氣體最好是使用加濕的〜與仏的混合氣體。在還原氣體中燒成之後，在電容元件本體施行退火。根據本實施例，退火之目的係再氧化介電體層，且藉此可顯著地增長IR壽命，提升可靠性。退火大氣中的氧氣分壓是〇·1 Pa以上，更最好是 2030-7351-PF 27 Γ275582 厂，Pa。氧氣分屋若未滿上述範圍的話，介電體層的再氧化困難，若超過上述範圍的話，内部電極層傾向於氧化。退火時的保持溫度（退火溫度）是u〇〇t以下，特好是500t~ll0(TC。保持溫度若未滿上述範圍，介電體層的氧化變得不足，因此IR減低，而IR壽命容易變短。另二方面，保持溫度超過上述範圍的話，内部電極層氧化而不僅電容減低，内部電級層與介電體層本體產生反應，電容鲁溫度特性惡化’ IR減低，進而容易造成以壽命的減短。再者’退火是僅由升溫過程以及降溫過程的構成即可。換古之，溫度保持時間亦可為零。在此場合，保持溫度為最二溫度的意思。 ° 上述以外的退火條件而言，溫度保持時間最好是〇〜2〇小時，更最好是2〜10小時。冷卻速度最好是5〇〜5〇〇它/小時’更最好是100〜30(TC/小時。再者，退火氣壓的大氣氣壓最好是使用例如：加濕的N2氣體。 •…上述取出黏著劑處理、燒結與退火時，可使用例如潤濕裔等來使N2氣體與混合氣體等加濕。在此場合，㈤好是5〜75t 〇酿上述取出黏著劑處理、燒結與退火可連續執行或分別執打。當連縯執行的場合時，在取出黏著劑處理之後，在沒有冷卻時改變氣壓，持續直到升溫至燒成時的保持溫度以執行燒結。接下來冷卻，最好是達到退火的保持溫度時，變更氣壓來執行退火。另一方面，單獨執行時，當燒成時，直到取出黏著劑處理時的保持溫度，在心氣體或加濕的化

2030-7351-PF 28 1275582 ::下升溫之後’變更氣壓，且最好持續升溫。當冷卻直變退火時的保持溫度，最好是在N2氣體或加濕的域體下卻。再者’退火時，在N2氣體氣壓下升溫直的寺 >皿度之後，τ改變氣壓，亦可退火的全部過程在加濕的Ν2氣體氣壓下。 2上料而取得的電容元件本體，例如：藉由滾筒磨宜二、砂等來實施端面研磨’且印刷外部電極用漿料或轉寫在其上燒結而幵{成外1雷 A 極4°外部電㈣«的燒結條〇疋+例而S，加濕的N2與Hz的混合氣體中，600〜800 表鐘〜1小時内。接下纟，在必要時，於外部電極4 表面上藉由電鍍等來形成覆蓋層。猎此製造的本發明的積層陶竟電容係藉裝於印刷基板上、可使用於各種電子機器等。“、、且善一實施例以下根據本發明的第二實施例進行說明。關於第；實施例’與第一實施例相同，電子產品而言，法。目所不的積層陶究電容1為例，說明其構造與製造方形態的介電質第二實施例中，介電體層2所含有的第陶瓷組成物與第一實施例不同。關於第一形態的介電曾_ $ ^ 坌電貝陶瓷組成物必須包括含有Mg0 的第一副成分以及冬古Λ〗 ^ 3有…203的的第八副成分，並且第一即成分的MgO的含有量盥箆 ^ .,+ "弟七田,^成/刀的MnO或或Cr2〇3的含有量與上述關係的點為最大特徵。

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29 Γ275582 以下說明中’省略與第一實施例重複的部分的說明，僅說明不同的部分。介電介電體層2包含本發明的第二形態的介電質陶瓷組成物。本發明的第二形態的介電質陶瓷組成物包括··含有鈦酸鋇（碳酸鋇最好是由組成式BaJio⑽所表示、上述組成式中的m為0.995^^.0^ ，且Ba與n的比例為〇· 995<Ba/Thl· 〇1〇)的主成分；含有Mg〇的第一副成分；作為燒結助劑的功能之第二副成分；含有從V2〇5、此〇3與w〇3 所選擇的至少一者的第三副成分；含有以的氧化物（R1為從 Sc、Er、Tin、Yb與Lu選擇的至少一者）的第四副成分；含有 CaZrCh或CaO+Zr〇2的第五副成分；含有如〇或Cr2〇3的第七副成分；以及含有A 1 2〇3的第八副成分。第八副成分不大會受到電容溫度特性影響，有改善^ _溫度相關性的效果。在第二實施形態中，對於滿足X8R特性的介電體組成，使其具有一定量的含有AiA3的第八副成分。第八副成分相對於上述主成分100摩爾，以Ah03換算為 0.5〜4摩爾（其中，4除外），最好是〇5〜3.5摩爾（其中，#〇除外），更最好是1〜2摩爾，又最好是卜15摩爾。如果第八副成分的含有量太少的話，改善1{^溫度相關性的效果會不足。另一方面，含有$太多的話，電容溫度特性會傾向於惡化。 _二形態时電質陶竟組成物加入上述一定量的 2030-7351-PF 30 1275582 第八副成分’且含有一定量的第一副成分與第七副成分，而且’第-副成分必須含有的Mg0的含有量以及含有齡或 Cr2〇3的第七副成分的含有量的一定關係為最大的特徵。藉由此種構成，可維持第八副成分的添加效果㈣溫度㈣性的改善效果，並且使高溫加速壽命向上提升。第-副成分(MgO為必須，Ca0、Ba〇編為任意的)顯示使電容溫度特性平坦化的效果。特別是，第—副成分必

須含有的MgO具有使高溫加速壽命向上提升的效果以及tc 偏壓特性向上提升的效果。第—副成分的含有量相對於上述主成分1〇〇摩爾，以各氧化物來換算為〇 2〜〇 75摩爾，最好是0.3〜0.7摩爾，更最好是〇. 35〜〇5摩爾。如果第一副成 ^的含有量太少的話，電容溫度變化率會變大，高溫力^速哥命傾向於惡化。另一方面，若含有量過多，高溫加速壽命會惡化。再者，Ca0、Ba〇、Sr〇為任意的成分，因應必要時來添加即可。第七副成分（MnO或CdOO使耐還原性向上提升，顯示有抑制介電體層的半導體化的效果、提高11?的效果以及高溫加速壽命向上提升的效果。第七副成分的含有量相對於上述主成分100摩爾，以Μη元素或Cr元素來換算為0·卜〇·3摩爾，最好是0· 15〜〇· 3摩爾，更最好是〇. 2〜0· 25摩爾。若第七副成分的含有量太少的話，介電體層會傾向於半導體化。另一方面，若含有量過多，電容溫度特性會有惡化的場合。〜再者，作為第七副成分的CrW而言，構成Crw的（^元

2030-7351-PF 31 1275582 素的6配位時的有效離子半徑為了成為在0· 065-0· 085nm的 I巳圍’上述第一實施例中，成為第八副成分所屬的，然而，在第二實施例中，重點在於CnO3具有的上述效果（耐還原性向上提升、抑制介電體層的半導體化、提高IR以及高溫加速壽命向上提升的效果），添加Cr2〇3這點與第一實施例不同。接下來’根據本發明第二形態之介電質陶瓷組成物，第一副成分的含有量與第七副成分的含有量在上述範圍，且在第一副成分必須含有的Mg〇的含有量與第七副成分所含有的ΜπΟ或CnO3的含有量有一定關係。換言之，為了使第一副成分所含有的Mg元素的含有量以及第七副成分所含有的Μη元素、Cr元素之摩爾比例為〇· 3^(Mn + Cr)/Mg2〇· 5的範圍’要控制第一副成分的Mg〇的含有量與第七副成分的Mn0 或CnO3的含有量。藉由使Mg〇的含有量與第七副成分（Mn〇或Cr2〇3)的含有量在此種關係，可使得Mg〇、第七副成分的 MnO或Cr2〇3的添加效果足狗地增強。 (Mn+Cr)/Mg在上述範圍以外的話，Mg〇與第七副成分 (MnO或CnOO的添加效果變得不足，高溫加速壽命會惡化。再者，藉此，考量MgO與第七副成分的添加效果變得不足的理由是因為藉由添加作為第八副成分的A丨2〇3，會造成Mg〇與第七副成分（MnO或Cr2〇3)在介電體層中偏析。對此，第一形態中，藉由使（Mn+cr)/jjg在上述範圍，可有效地防止MgO與第七副成分的偏析，使得此種Mg〇與第七副成分的添加效果十足的發揮，特別是使高溫加速壽命

2030-7351-PF 32 (s： 1-275582 時^^再者’第七副成分而言，在不使用㈤3的場合〃電負陶竞組成物中，變成沒有實f地包含以元素。 :此五：此場合時，(Mn+Cr)/Mg變成與勛，實質上同樣意 :二使用Mn〇的場合時，在介電質陶竟組成物中，义/又有貫質地包含Mn元素。（Mn+Cr)/Mg變成與⑽忌上同樣意思。、、、^述第、第七、第八副成分以外的副成分而言，上述第二至第五副成分的比率最好與上述第一實施形態相同。使其含有第二至第五副成分，可維持高介電率更可足X8R特性。 ^再者’ s第二形態之介電質陶瓷組成&，必要的話，第六副成分而言最好包含R2氧化物（其中，R2係從γ、Dy、 H〇、Tb、Gd與Eu中選擇出至少—者）。第六副成分的比率最好與上述第一實施形態相同。第二形態之介電質陶瓷組成物中，添加一定量之含有 Aiw的第八副成分之外，必要包含在第一副成分之Mg〇的含有量以及含有MnO或Cr.的第七副成分的含有量之比例係在上述一定範圍。因此，加上上述第一實施形態之效果，更具有可改善面溫加速壽命的效果。内部電極層3、外部電極4最好是與上述第一實施形態相同之構成。再者’第二實施形態之積層陶瓷電容可利用與上述第一實施形態相同之方法來製造。以上說明本發明之實施形態，然而，本發明並不限定 2030-7351-PF 33 1275582 於此種實施形態，在不脫離本發明的要旨之範圍内，可由各種形態來實施。舉例而言，於上述實施形態，關於本發明的電子產品而a，以積層陶竟電容為例，然而，本發明不限定電子產品為積層陶瓷電容，只要是具有由上述組成的介電質陶兗組成物所構成的介電體層之任何產品即可。實施例

接下來，提供使本發明之實施形態更具體化之實施例，以更詳細說明本發明。然而，本發明不限定於此種實施例。實施例1 以下’實施例1、2以及比較例1係關於本發明第一形態之實施例。首先’製作介電體材料的初始原料而言，準備平均粒徑〇· 1〜1 // m的主成分原料（BaTi〇3)以及第一〜八副成分原料。

MgO與MnO的原料係使用碳酸鹽（第一副成分·· MgC〇 3、第七副成分·· MnC〇3)，其他原料係使用氧化物（第二副成分：（BauCa 〇.4)SiO 3、第三副成分·· v2〇5、第四副成分： Yb2〇3、第五副成分：CaZr〇3、第六副成分：γ.、第八副成分：AD。再者，第二副成分的（Ba。6Ca。4)Si〇 3係藉由球磨法於16小時内濕式混合BaC〇3、caC〇3與Si〇2,使其乾燥後’在1150°C空氣中燒成，最後，藉由球磨法於ι〇〇小時内濕式叔碎來製造而成。並且，第五副成分的Cazr〇3係藉由

2030-7351-PF 34 1275582 球磨法於16小時内濕式混合，乾燥後，在115〇 C空氣中燒成’最後，藉由球磨法於24小時内濕式粉碎來製造而成。另外’主成分的BaTi〇3係分別秤量BaC〇3與Ti〇2，藉由球磨法約16小時内濕式混合，使其乾燥，在11〇〇〇c空氣中燒成’且使用藉由球磨法於丨6小時内濕式粉碎來製造，進而取得相同之特性。再者，使用藉由水熱合成粉體、草酸鹽法等所製作而成的主成分的BaTi(h進而取得相同之特 •性。此種原料燒成後的組成相對於主成分的BaTiChlOO摩爾係由表1所示來配合，藉由球磨法於16小時内濕式混合，使其乾燥而形成介電體材料。接下來’取得之乾燥後的介電體材料·· 1 0 0重量比率、丙烯酸樹脂：4· 8重量比率、醋酸乙酯：100重量比率、礦物油（mineral spirit): 6重量比率、丙酮：4.0重量比率 _以球磨法混合，泥漿化，進而取得介電體層用漿料。接下來’藉由三個滾筒來混合平均粒徑〇2〜〇8//111的 Νι粒子：1〇〇重量比率、有機染色劑（將8重量比率的乙基纖維素洛解於92重量比率的二乙二醇丁基醚而成的）：40重量比率以及一乙二醇丁基醚：丨〇重量比率，使其泥漿化，進而取得内部電極用漿料。

接下來’藉由混合平均粒徑〇 · 5 # ^的C u粒子·· 1 〇〇重量比率、有機染色劑（將8重量比率的乙基纖維素樹脂溶解於重里比率的一乙二醇丁基醚而成的）·· 35重量比率以及二 2030-7351-PF 35 1275582 ，丁基ϋ · 7重1比率，使其泥漿化，進而取得極用漿料。 r ^ 其後，使用上述介電體層用漿料在PET薄膜上形成厚产綠帶，印刷内部電極用漿料在綠帶上後，將綠i J ,膜分離。接下來，堆積此種綠帶以及保護用綠帶（不用印刷内部電㈣漿料的部分）、壓製而取得綠晶片。具有内部電極的片狀的積層數量係4層。接下來，切斷綠晶片成一定大小，執行取出黏著劑處理、燒結以及退火，進而取得積層陶瓷燒結體。取出黏著劑條件處理係在升溫速度：丨/小時，保持溫度：28G°C，溫度保持時間：8小時，以及空氣氣壓的條件下執行。〃。燒結係在升溫速度：20(TC/小時，保持溫度：128〇〜132〇 °C、，保持時間·· 2小時，冷卻速度：3〇(rc /小時，加濕的N2 + H2 的混合氣體（氧氣分壓·· l〇-9Pa)的條件下執行。士退火條件係在保持溫度：9〇(TC，溫度保持時間：9小 %，冷卻速度：3001/小時，以及加濕的N2氣體（氧氣分壓： l〇'5Pa)的條件下執行。再者，燒結與退火時的氣壓氣體的加濕係使用以水溫5-75°C的潤濕器。得如第1圖所示的積層陶瓷電容1的試樣。接下來，積層陶瓷燒結體外部電極用漿料轉寫在端面上中，在80°C、10分鐘之間燒成的端面以喷砂來研磨後，將，在加濕的N2 + H2的混合氣體 ’而形成外部電極，進而取以此方式所取得的各電容試樣的尺寸為

2030-7351-PF 1275582 3· 2mmxl · 6mmx0· 6mm，被内部電極層所挾持的介電體層的數量為4,其厚度為3.5/zm，且内部電極層的厚度為^“、。對於所取得的電容試樣來評估11?溫度相關性（有效位數差）、電容溫度特性（TC)以及TC偏壓。結果如表j所示。 IR溫度相關性係測量所取得的試樣在15〇〇c的絕緣電阻IRuo以及所取得的試樣在25°C的絕緣電阻ir25，由以下公式（1)所表示的有效位數差來計算評估。評估基準在—2〇〇以上為良好。 l〇g(IRl5〇/IR25)…公式（1) 再者，在測量各溫度的絕緣電阻時，使用溫度可變J R 測定器，以測量電壓7· OV///m以及電壓施加時間60s來測量。電容溫度特性（TC)對於所取得的試樣，在-55t：〜+ 15〇 °C的溫度範圍内測量靜電電容。靜電電容的測量係使用數位LCR計量器（YHP製4274A)，在周波數ikHz，輸入信號位準 1 Vrms的條件下來測量。接下來，在此種溫度範圍内的最差電容溫度特性的150°C的溫度環境下，計算其靜電電容的變化率UC/C，單位為10%)，調查是否滿足EIA規格的X8R特性 (-55〜+ 150°(：，4(：/(：土15%以内）。若滿足的部分為@，不滿足的部分為X 〇 TC偏壓係以數位LCR計量器（YHP製4274A)在1kHz、 lVrms、7· OV/ /z m的偏壓電壓（直流電壓）且使其從—55°C到 150°C溫度變化來測量所取得的試樣。從25°C的偏壓電壓沒有施加中的測定值的靜電電容的變化率來計算評估。再 37

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1275582 者’使用LCR計量器來測量靜電電容，係在周波數ikjjz、輸入信號位準lVrms的條件下來測量。評估基準係在_4〇%以上為良好。再者，對於所取得的電容試樣一併評估介電率（ε)、介電損失（tanS)、直流電場下的IR壽命、直流絕緣破壞強度、 DC偏壓特性（介電率的直流電壓施加相關性）。對於電容試樣’在基準溫度25°C、藉由數位LCR計量器 (YHP製4274A)在周波數1kHz、輸入信號位準（測量電壓）1 · 0Vrms的條件下所測量的靜電容量來計算介電率ε(無單位）。其結果係任一試樣在1 000以上的話則是取得良好的結果。介電損失（tan5)係對於電容的試樣在基準溫度25。〇、藉由數位LCR計量器（YHP製4274A)在周波數1kHz、輸入信號位準（測量電壓）1. 〇Vrms的條件下來測量。其結果係任一試樣在10%以下的話則是取得良好的結果。直々1L電％下的壽命係對於電容的試樣在2〇〇它、1 QV/ # m的電場下執行加速試驗，計算直到絕緣電阻變成ιμω以下的時間為壽命時間。其結果係任一試樣在〗〇小時以上的話則疋取得良好的結果。直流絕緣破壞強度係對於電容的試樣以1 00V/Sec的速度來施加直流電壓，測量當檢查有100mA的漏電流時的電壓 (直流破壞電壓VB、單位為v/,#m)，進而計算其平均值。其結果係任一試樣在1〇〇V/ # m以上的話則是取得良好的結果0

2030-7351-PF 38 ⑧ 1275582 DC偏壓特性係對於電容的試樣在一定溫度（25°C )測量在各試樣上漸漸給予直流電壓時的靜電電容的變化 (△C/C)，依繪製的結果，確認在任一試樣即使給予高壓電壓仍很難減少靜電電容，且具有穩定的DC偏壓特性。表1 試樣號碼第八副成分靜電電容的溫度變化率 (%) + 150°C X8R 特性 TC偏壓 (%) IR溫度相關性添加量（摩爾） 1* 0 -7. 5 ◎ -38. 0 -2.45 2 0.5 -8. 6 ◎ -37. 1 -1. 91 3 1 -9· 3 ◎ -36. 1 -1. 86 4 1.5 -9_ 8 ◎ ~31. 1 -1· 61 5 2 -10. 3 ◎ -27. 3 -1· 51 6 2. 5 -11. 5 ◎ -25. 1 -1.39 7 3 -12. 7 ◎ -23· 5 -1· 35 8 3. 5 -13. 8 ◎ -22. 8 -1. 31 9氺 4 -16. 7 X -21. 3 -1. 29 「*」指 1示的試樣表示比較例。然而，第一副成分：MgC〇3=l. Omol 第二副成分：（Ba〇.6Ca〇.4)Si〇3=3.0in〇l ; 第三副成分：V2〇5=0. lmol ; 第四副成分：Yb2〇3=l. 75mol(以Yb來換算為3· 5mol); 第五副成分：CaZr〇3=l. 5mol ; 第六副成分·· Υ2〇3=2. Omol ; 第七副成分：MnC〇3=0. 374mol ; 第八副成分：AI2O3 ; 上述添加量係相對於任何主成分1 〇〇mo 1的添加量。如表1所示，如果第八副成分的含有量太少，雖然滿足 X8R特性，IR有效位數差卻變成超過—2 〇〇，IR溫度相關性會惡化，並且TC偏壓特性也會惡化。若第八副成分的含有量太多’雖然改善IR溫度相關性，無法滿足X8R特性。實施例2 除了如表2〜5使第八副成分原料的種類與其添加量變 2030-7351-PF 39 1275582 化之外’其餘與實施例1相同來製造積層陶瓷電容的試樣，同樣給予評估。

表2 試樣第八副成分靜電電容的溫度變化率 X8R TC偏壓 IR溫度號碼添加量（摩爾） ⑻+ 15(TC 特性 (%) 相關性 1* 0 -7_ 5 ◎ -38. 0 -2.45 11 0. 5 -7· 9 ◎ -37. 6 -1· 97 12 1 -10.2 ◎ -36. 7 -1. 91 13 1.5 -11.4 ◎ -32. 3 -1. 64 14 2 -12. 8 ◎ - 28· 1 -1. 59 15 2.5 -13. 7 ◎ ~26. 0 -1.43 16 3 -13.4 ◎ -24.2 -1.38 17 3. 5 —----- -14. 5 ◎ -23. 6 -1. 34 18氺 r木， 4 娌士沾钟從士《 . -18. 9 X -22. 7 -1 · 31 、*」彳示示的試樣表示比較例。然而，主成分的組成、第一〜七副成分的組成以及其添加量與表！相同。第八副成分：Cr2〇3 表3 試樣第八副成分靜電電容的溫度變化率 X8R TC偏壓 IR溫度相關性號碼添加量（摩1 ) (°/〇) + 150°C 特性 (%) 1氺 0 -7_5 ◎ -38. 0 -2. 45 20 0· 5 -8. 0 ◎ -37.5 -1· 95 21 1 -9. 6 ◎ ~36. 1 -1· 90 22 1.5 -10· 6 ◎ -32. 1 -1. 70 23 2 -11 · 2 ◎ -27.8 -1. 55 」4 2.5 -12.4 ◎ -25:4 -1.40 25 3 -13.4 ◎ -23. 7 -1 · 3 2 26 3. 5 -14.5 ◎ -23. 1 -1. 3 6 27* 4 標示的封槎主$ -17.9 •l· 击吞。 X -22. 1 -1 · 31 然而，主成分的組成、第-第八副成分：Ge2〇2 七副成分的組成以及其添加量與表1相同 2030-7351-PF 40 1275582 表4 試樣第八副成分靜電電容的溫度變化率 X8R TC偏壓 IR溫度號碼添加量（摩爾） (°/〇) + 150°C 特性 (%) 相關性 1氺 0 -7.5 ◎ -38. 〇 -2.45 29 0. 5 -8· 2 ◎ -37.4 -1· 97 30 1 -9. 4 ◎ J -35. 9 -1· 92 31 1.5 -10.4 ◎ -32.4 -1· 73 32 2 -11. 0 ◎ - 28· 1 -1 · 58 33 2.5 -12. 2 ◎ -25.8 -1.42 34 3 ~13. 2 ◎ -23. 8 -1· 34 35 3. 5 -14. 4 ◎ -23_ 6 -1. 37 36* 厂少. 4 -17. 8 .L Jiil] 〇 X -22. 7 -1. 29 然而，主成分的組成、第一~七副成分的組成以及其添加量與表1相同。第八副成分：Ga2〇3 如表2〜4所示，第八副成分原料即使變化為Cr2〇3 G e2 02、G a2 03，可確認與實施例1的A12 03得到相同的效果< 表5 試樣號碼第八副成分靜電電容的溫度變化率（％) + 150°C X8R 特性 TC偏壓 (%) —------- IR溫度相關性 ΑΙ2Ο3 Cr2〇a 添加量（摩爾） 1* 0 0 -7.5 ◎ -38. 0 一2 38 1 0. 25 - 8. 1 ◎ 二37· 5 ~36. 5 -1. 70 一 1 4Q 39 1 0· 5 -9. 1 ◎ _40 1 0.75 -10· 5 ◎ '—一一 -31. 8 — 丄· ^±Ό -1 QQ 41 1 1 -11.8 ◎ -27.8 42 1 1.5 -12. 8 ◎ -25. 7 — χ · ΟΌ ^29_ 43 1 2 -14. 5 ◎ - 24· 1 44* 1 3 -15.9 X -23. 1 — -22.6 45* 1 3_ 5 -17. 5 X 「*」標示的試樣表示比Ί 〖交例。主成分的組成、第*---b b 第八副成分·· Al2〇3 + Cr2〇3 2030-7351-PF 41 1275582 如表5所示，即使第八副成分變成^.^。⑴的複合型式，可確認與單獨添加Alz〇3得到相同的效果。也較例1 除了如表6使第八副成分原料的種類與其添加量變化之外，其餘與實施例1相同來製造積層陶瓷電容的試樣，同樣給予評估。試樣號碼第八副成分靜電電容的溫度變化率（％)H50°C X8R 特性 TC偏壓 (%) IR溫度相關性 P2O5 κ2〇添加量 (摩爾） 47* 0· 5 - -13· 2 ◎ -40. 1 -2 61 48 1 一 -14. 1 ◎ -45 1 -9 «7 49 1.5 一 -16. 0 X -47· 2 L· 9 〇 t 一 2 91 51* 一 0· 5 -13· 1 ◎ -40. 7 -9 86 52* 厂+ - 1 -16. 9 X -46. 8 L·» 9 \J \J 一3 nn +」稞不的咸樣表不比較例。 -- «J . 1/ u 第或一κ；〇副成分的組成以及其添加量與表1相同。如表6表示，6配位時的有效離子半徑在適合範圍以外的陽離子元素變為p(0.052nnl)、K(0152nm)的場合時，即使含有量在適當範圍内，可確認無法取得第人副成分添加的效果。實施例3 以下只施例3為關於本發明的第二形態之實施例。首先，製作介電體材料的初始原料而言，準備分別平均粒徑〇· 1〜1 ^ m的主成分原料（BaTi〇〇以及第一〜八副成刀原料再者，各原料係使用與實施例丨相同的原料。

2030-7351-PF 42 1275582 接下來，將準備的原料燒成後的組成，相對的BaTiOdOO摩爾係由砉7 s张-卡人、成刀 4竭係由表7、8所不來配合’藉由球磨小時内濕式混合，使龄條而游士、人# Μ η 便八乾知而形成介電體材料，與實施例1 相同，進而取得介電體層用漿料。接下來’使用上述介電體層用漿料，與實施例!同樣來製作之内部電極層用襞料、外部電極層用漿料，與實施例工相同’進而取得如圖一所示的積層陶瓷電容的試樣。

如此方式取得各試樣的尺寸為3.2mmxl.6mmxG 6M，被内部電極層所挾持的介電體層的數量為4，其厚度為 3.5~4.5/^，且内部電極層的厚度為1(^111。又對於所取得的電容試樣來評估溫度相關性（有效位數差）、高溫加速壽命、電容溫度特性（TC)以及^偏壓。結果如表7、8所示。 IR溫度相關性（有效位數差）、電容溫度特性（TC)以及 TC偏壓藉由與實施例1相同之方法來評估。尚溫加速壽命（HALT)，將所取得的試樣保持在200。〇、 1 ον/ /z m的直流電壓的施加狀態，藉由測量平均壽命時間來評估。於本實施例，從施加開始到絕緣電組減少一位數的時間來定義。再者，此高溫加速壽命係以執行1〇個電容試樣來測量。評估基準在2〇小時以上為良好。再者’對於所取得的電容試樣一併評估介電率（ε)、介電損失CtanS)、直流電場下的ir壽命、直流絕緣破壞強度、 DC偏壓特性（介電率的直流電壓施加相關性），藉由與實施例1相同的方法，一併來評估，且成為以下的結果。

2030-7351-PF 43 1275582 上，則取換言之，關於介電率（〇，任一試樣為1〇〇〇以得良好的結果。關於介電損失（tan5)，任一試樣為1〇%以下，則取得良好的結果。 ^ 關於直流絕緣破壞強度，任一試樣為1〇〇v//；m以上，則取得良好的結果。關於DC偏壓特性，任一試樣即使施加高電壓，靜電電容报難減少，可確認具有穩定的Dc偏壓特性。

MX

Mg〇 MnO Mn/Mg 號碼添加量 (摩爾）添加量 (摩爾）靜電電容的溫X8R 度變化率特性 (%) + 15〇°C TC偏壓 (%) IR溫度相關性 HALT (h)

*」標示的試樣表示比較例然而，的添加量係以Mn元素換算的添加量， j $ 成分：（Ba〇.6Ca G.4)SiO 3=3. Omol ; 第二副成分：V2〇5=0. lmol ; 試樣 = = ί 贫·· Yb2〇3=1. 75mol(以化來換算為 3· 5mol); 第五成分：CaZr〇3=1.5mol ; ί 分：Y2〇3=2.0mol(以Y來換算為4. 0m〇l·)〆第八田4成分：Al2〇3=l. Omol ; 上述添加量係相對於任何主成分100m〇1的添加量。

2030-7351-PF 44 K75582 試樣號碼 MgO MnO Mn/Mg 靜電電容的溫度變化率 (°/〇) + 150°C X8R 特性 TC偏壓 (%) IR溫度相關性 HALT (h) 添加量 (摩爾）添加量 (摩爾） 101* 0.3 0· 2 0.67 -8,. 9 ◎ -37. 5 -1· 86 12 102— —0·5 0· 2 0.40 -8.5 ◎ -37. 3 -1. 85 30 103 0· 6 ------- _ 0· 2 0. 33 -8. 6 ◎ -37· 6 -1.86 31 104氺 0.8 0.2 0.25 -8· 7 ◎ -37. 8 -1· 87 9. 5 ii5* 〇· 5 0.3 0. 60 -8. 8 ◎ -37. 2 -1· 86 16 106 0. 6 0. 3 0.50 -8.7 ◎ -38. 0 -1.86 21 107 0. 75 0. 3 0.40 ~8. 6 ◎ -37. 9 -1.87 23 108氺 0· 8 隨1 U· 0.3 0. 38 -8. 6 ◎ -37.3 -1. 87 16 然而’ MnO的添加量係以Μη元素換算的添加量，主成分的組成、第一~六、八副成分的組成以及其添加量與表7相同。在表七、八中，第一副成分與第七副成分不是作為原料用的碳酸鹽（MgCO 3、MnCOs)，且以燒成後的介電體層中所含有的氧化物（MgO、MnO)的狀態來記載（以下，表9〜11 相同）。如表7所示的試樣分別為：使MgO固定為0. 3mol、〇· 5mol、〇· 75mol，籍由調整MnO的添加量，使Μη元素與Mg 元素之比例（Mn/Mg)變化的試樣。再者，如表8所示的試樣分別為·· MnO固定為0· 2mol、〇· 3mol，藉由調整MgO的添加量，使Μη元素與Mg元素之比例（Mn/Mg)變化的試樣。並且，根據表7、8，相同組成的試樣給予相同的試樣號碼。如表7所示，在MgO為〇· 3mol的試樣1(Π〜104，Μη元素與 Mg元素之摩爾比例（Mn/Mg)在〇· 3〜0· 5的範圍之試樣102、 103都滿足X8R特性，IR位數差為-2. 00以上，改善IR溫度相

2030-7351-PF 45 1275582 關性，並且可使HALT在20小時以上，取得良好的結果。另一方面，Μη元素與Mg元素之摩爾比例（Mn/Mg)在本發明範圍外的0· 17、0· 67之試樣101、1〇4都有良好的X8R特性以及IR溫度相關性，然而高溫加速壽命（HALT)之結果較差。再者，MgO為〇· 5mol的場合（試樣1〇5〜1〇8)、MgO為 0·75ιπο1的場合（1〇9〜112)，並且MnO為固定的，即使使MgO 變化的場合（表9 )，有同樣的結果。然而，表9的試樣！ J 6 被認為因為MS〇的含有量太多，高溫加速壽命（HALT)之結果較差。如第2 A、3 A圖所示，關於本發明第二形態的實施例的试樣111的Mg元素（圖2A)以及Μη元素（圖3A)的偏析狀態由照片所分別顯示。在第2Β、3Β圖，比較例的試樣112的心元素（圖2B)以及Μη元素（圖3B)的偏析狀態由照片所分別顯示。藉由此等照片，比較例的試樣中，可確認心元素與如兀素的偏析存在太多。相對於此，本發明的第二形態的實參施例的試樣中，可確認可抑制此種偏析。另外，這些照片係藉由執行ΕΡΜΑ分析而取得的照片。實施例4 第七副成分而言，除了取代Μη〇且使用以2〜以外，製作

與實施例3的試樣1〇9〜112同樣的電容試樣，且給予相同評估。 2030-7351-PF 46 1275582 A 9 試樣號碼 MgO Cn〇3 Cr/Mg 靜電電容的溫度變化率 (%) + 150°C X8R 特性 TC偏壓 (%) IR溫度相關性 HALT (h) 添加量 (摩爾）添加量 (摩爾） ii7* 0. 75 0.2 0.27 -8. 6 ◎ -38· 1 -1. 7 12 118 0. 75 0. 25 0. 33 -8. 4 ◎ -38· 3 -1.69 22 119 0. 75 0. 3 0.40 -8_ 2 ◎ -38. 4 -1. 68 21 j20* 厂+ 0.75 0.4 0. 53 -8. 5 ◎ -38. 5 -1. 68 11 佩私小平乂列 ο 然而’ Cr2〇3的添加量係以Cr元素換算的添加量，主成分的組成、第二〜六、八副成分的組成以及其添加量與表7相同。

如表9所示，即使使用Cr2〇3的場合，可確認與使用MnO 的％合相同的傾向。實施例5

MgO與MnO的含有量除了與表10變化以外，製作與實施例3相同的電容試樣，且給予相同的評估。表10 試樣碼 MgO MnO Mn/Mg 靜電電容的溫 X8R TC偏壓 IR溫度 HALT 添加量逆爾）添加量 (摩爾）度變化率 (%)+150°C 特性 (%) 相關性 (h) 121* 0 0.2 — -13. 1 ◎ -42. 1 -1. 9 5 122* 0.5 0 0· 00 介電體層養色成半_ L體化，而無法測量 123* 「氺， 1. 5 0· 6 0.40 -9. 6 ◎ -35.2 -1. 96 10 、*」才示不的5式樣表示比較例。然而’ MnO的添加量係以Mn元素換算的添加量，主成分的組成、第二〜六、八副成分的組成以及其添加量與表7相同。如表1 0所示，如試樣1 21的結果，不添加MgO的場合時，可確遇尚溫加速壽命（{JALT)顯著減低。再者，如試樣1 2 2 的結果’不添加MnO的場合時，介電體層成為半導體化，而 2030-7351-PF 47 ^275582 無法取得執行各種評估的試樣。再者’如試樣1 23的結果，在Mg〇、MnO太多的場合時，即使Μη元素與Mg元素的摩爾比例（Mn/Mg)為〇· 4，可確認高溫加速壽命（HALT)會惡化。第八副成分的A12〇3的含有量如表11所示而變化之外，

製作與實施例3的試樣1 0 7相同的電容試樣，並給予相同之評估。 4il 試樣號碼 --- Mg〇 -------- MnO Mn/Mg A1203 靜電電容的溫度變化率 (%)+150°C X8R 特性 TC偏壓 (%) IR溫度相關性 HALT (h) 添加量 i摩爾）添加量 (摩爾）添加量 (摩爾） 124* ---—. —0.5 0.2 0.4 0 -6· 2 ◎ -39.2 - 2· 41 20 107 0.5 0.2 0.4 1 -8. 5 ◎ -37.2 -1.85 30 125 0.5 0.2 0.4 2 -10.9 ◎ -30.1 一 1 fif) 95 126 ---- 0.2 0.4 3 >13.5 ◎ -25.2 X * yjvf -1.51 LukJ 20 r t 丨標7F 0.2 0.4 4 -15.3 X -24.0 -1.37 15 …、、而’ MnO的添加量係以jjn元素換算的添加量，主成分的組成、第二〜六副成分的組成以及其添加量與表7相同。如表11所示’在不添加A12〇3的場合時，I r溫度相關係會惡化，再者，當Al2〇3的添加量太多，可確認電容溫度特性會惡化，且沒有滿足X8R特性。雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内，仍可作些許的更動與潤飾，因此本發明之保遵圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

2030-7351-PF 48 1.275582 【圖式簡單說明】第1圖係顯示本發明的一實施例的積層陶瓷電容之剖面圖；第2 A圖係顯示本發明關於第二形態的實施例的介電體層之Mg元素的偏析狀態之照片；第2B圖係顯示本發明之比較例的介電體層之jjg元素的偏析狀態之照片；第3 A圖係顯示本發明關於第二形態的實施例的介電體冒層之Μη元素的偏析狀態之照片；及第3Β圖係顯示本發明之比較例的介電體層之Μη元素的偏析狀態之照片。【主要元件符號說明】卜積層陶瓷電容 2〜介電體層 _ 3〜内部電極層 4〜外部電極 1〇〜電容元件本體

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Claims

.i275582 十、申請專利範園·· 1.一種介電質陶瓷組成物，包括：含有鈦酸鋇的主成分；含有從Mg〇、Ca0、Ba〇與㈣所選擇一副成分； f的第作為燒結助劑的功能之第二副成分；含有騰、M〇〇3與W〇3所選擇的至少分；乂有钓第二副成含有的氧化物（其中，R1為從Sc 所選擇的至少一者）的梦 m、Yb與Lu 考）的第四副成分；含有CaZr〇3或Ca0+Zr〇2的第五副成分；以及〇〇6^场乳化物（其中，錄6配位時的有效離子半徑在的第八副成分，％離子^群中選擇的至少-者）相對於上述主成分1〇〇廑的上述弟八副成分的比率為〜4摩爾（其中’〇金$除外你々々 /、4除外，換异成Λ氧化物的值）。 •如中明專利乾圍第i項所述之介電質陶莞組成物，其 Μ ^ ^所包含的氧化物的上述A係從A卜Cr、 h、Ge的陽離子元素群中選擇出至少一者。 3·如申請專利範圍第1 ^ 罘1項所述之介電質陶瓷組成物，其中’相對於上述主成分1〇〇座爾认々刀iUU厚爾的各副成分比率係：第一副成分：0· 1〜3摩爾；第二副成分：2〜1 〇摩爾；第三副成分：〇.〇1〜0.5摩爾； 2030-7351-PF 50 1275582 第四副成分的摩爾數第四副成分：0.5〜7摩爾（其中量係以R1單獨的比率），·及第五副成分·· 0〈第五副成分S5摩爾。 4. 如申請專利範圍第！項所述之介電質陶曼組成物，其中，第六副成分更包含_氧化物（其中，R2係從Y、Dy、

H〇、Tb、Gd與Eu中選擇出至少—者），上述第六副成分的含有量相對於含有鈦酸鋇的主成分1〇〇摩爾係9摩爾以下(其中，第六副成分的摩爾數量係R2單獨的比率）。 5. 如申請專利範圍第4項所述之介電質陶瓷組成物，其中，第四*彳成分與第六副成分的合計含有量相對於含有鈦酸鋇的主成分100摩爾係13摩爾以下（其中，第四副成分與第六副成分的摩爾數量係们與以單獨的比率）。 6 _如申請專利範圍第i項所述之介電質陶瓷組成物，其中’上述第二副成分係從Si〇2、MO(其中，Μ是從Ba、Ca、 Sr與Mg中選擇出的至少一者的元素）、Li2〇以及選擇出的至少一者所代表。 7·如申請專利範圍第1項所述之介電質陶瓷組成物，其中’第七副成分更含有Mn0，上述第七副成分的含有量相對於含有鈦酸鋇的主成分1〇〇摩爾係〇· 5摩爾以下。 8· —種介電質陶瓷組成物，包括·· 含有鈦酸鋇的主成分；含有MgO的第一副成分；作為燒結助劑的功能之第二副成分；含有從V2〇5、MoOs與W〇3所選擇的至少一者的第三副成 2030-7351-PF 51

1275582 分；含有R1的氧化物（其中，R1為從Sc、Er、Tm、几與“ 選擇的至少一者）的第四副成分；含有CaZr〇3或CaO + Zr〇2的第五副成分；含有MnO或Cr2〇3的第七副成分；以及含有Al2〇3的第八副成分，相對於上述主成分1〇〇摩爾的第一副成分、第七副成分、第八副成分的比率為：第一副成分：0· 2〜0· 75摩爾；第七副成分：ο.1〜0·3摩爾（其中，，第七副成分的摩爾數量係以Μη元素或Cr元素換算的比率）；第八副成分·· 0· 5〜4摩爾（其中，4除外），上述第-副$分所含有的Mg元素與上述第七副成分所含有的Μη元素、Cr元素之摩爾比例為〇.k(Mn+Cr)/Mg別.5 的關係。 9.如申請專利範圍第8項所述之介電質陶竟組成物，其中相對於上述主成分100摩爾的第二〜五副成分的比率為：第二副成分：2〜10摩爾；第三副成分：〇· 01〜〇· 5摩爾；第四副成分·· 0.5~7摩爾（其中，第四副成分的摩爾數量係以R1單獨的比率）；第五副成分：〇〈第五副成分$5摩爾。 10·如申請專利範圍第8項所述之介電質陶瓷組成物，其中，第六副成分更包含R2的氧化物（其中，R2係從Y、Dy、 2030-7351-PF 52 1275582 Ik Ho、Tb、Gd與Eu中選擇出至少一者），上述第六副成分的含有量相對於含有鈦酸鋇的主成分100摩爾係9摩爾以下（其中’第六副成分的摩爾數量係R2單獨的比率）。 11·如申請專利範圍第1〇項所述之介電質陶瓷組成物’其中，第四副成分與第六副成分的合計含有量相對於含有鈦酸鋇的主成分100摩爾係13摩爾以下（其中，第四副成分與第六副成分的摩爾數量係{^與”單獨的比率）。 φ 12·如申請專利範圍第8項所述之介電質陶莞組成物，其中，上述第一副成分更包含從CaO、Ba〇與SrO選擇出的至少一者以上。 ’ 13·如申請專利範圍第8項所述之介電質陶瓷組成物，其中’上述第二副成分係從Si〇2、M0(其中，Μ是從Ba、Ca、 Sr與Mg中選擇出的至少一者的元素）、[“ο以及B2⑴選擇出的至少一者所代表。 14· 一種電子元件，具有由介電質陶瓷組成物所構成的 φ 介電體層，上述介電質陶瓷組成物包括：含有鈦酸鋇的主成分；含有從MgO、CaO、BaO與SrO所選擇的至少一者的第一副成分，· 作為燒結助劑的功能之第二副成分；含有從V2〇5、Mo〇3與W〇3所選擇的至少一者的第三副成分’· 含有R1的氧化物（其中，R1為從Sc、Er、Tm、Yl^Lu 所選擇的至少一者）的第四副成分； 2030-7351-PF 53 1275582 含有CaZr(h或CaO+Zr〇2的第五副成分；以及含有A的氧化物（其中，a係6配位時的有效離子半徑在 0· 065〜0· 08 5ηπι的範圍之陽離子元素群中選擇的至少一者）的第八副成分，相對於上述主成分100摩爾的上述第八副成分的比率為〇〜4摩爾（其中，〇與4除外，換算成入氧化物的值）^ 15.—種積層陶瓷電容，具有由介電質陶瓷組成物所構成的介電體層與内部電極層交互積層的電容元件本體，上述介電質陶瓷組成物包括：含有鈦酸鋇的主成分；含有從MgO、CaO、Ba〇與Sr0所選擇的至少一者的第一副成分；作為燒結助劑的功能之第二副成分；含有從V2〇5、Mo〇3與ff〇3所選擇的至少一者的第三副分；一田含有㈣氧化物（其中，R1為從Sc、Er、Tm、Yt^u 所選擇的至少一者）的第四副成分；含有CaZr〇3或ca〇+Zr〇2的第五副成分；以及含有A的氧化物（其中，A係由A卜Cr、以、^之陽離子元素群中選擇的至少一者）的第八副成分，相對於上述主成分灣爾的上述第八副成分的比率 *摩爾（其中，G與4除外’換算成A氧化物的值）。 16.如申請專利範圍第15項所述之積層陶竟電容，其中’相對於上述主成分1〇〇摩爾的各副成分比率係： 2030-7351-PF 54 1275582 :〇· 1〜3摩爾； 1〜10摩爾； :0· 〇1〜0. 5摩爾； :0· 5〜7摩爾（其中，第四副成分的摩爾數比率）；第五副成分：0〈第五副成分<5摩爾。

第一副成分第一副成分第^副成分第四副成分量係以R1單獨的 17·如申清專利範圍第16項所述之積層陶瓷電容，其中第/、田彳成分更包含R2的氧化物（其中，R2係從Y、Dy、 Tb ^與Eu中選擇出至少一者），第七副成分更含有上述第六副成分的含有量相對於含有鈦酸鋇的主成分 1〇0摩爾係9摩爾以下（其中，第六副成分的摩爾數量係R2 單獨的比率）；上述第七d成分的含有量相對於含有鈦酸鋇的主成分 100摩爾係〇· 5摩爾以下。 18.—種電子元件，具有由介電質陶瓷組成物所構成的介電體層’上述介電質陶瓷組成物包括：含有鈦酸鋇的主成分；含有MgO的第一副成分；作為燒結助劑的功能之第二副成分；含有從V2Ch、Mo〇3與WCh所選擇的至少一者的第三副成分；含有R1的氧化物（其中，R1為從Sc、Er、Tm、Yb與Lu 選擇的至少一者）的第四副成分； 2030-7351-PF 55 K75582 含有CaZr〇3或CaO + ZrCh的第五副成分；含有MnO或Cr2〇3的第七副成分；以及含有A1之氧化物的第八副成分，相對於上述主成分1 〇〇摩爾的第一副成分、第七副成分、第八副成分的比率為：第一副成分·· 0.2〜0.75摩爾；第七副成分·0· 1〜0· 3摩爾（其中，第七副成分的摩爾數量係以Μη元素或Cr元素換算的比率）；第八副成分：0· 5〜4摩爾（其中，4除外），上述第一副成分所含有的Mg元素與上述第七副成分所含有的Μη元素、Cr元素之摩爾比例為〇·3以Mn+Cr)/Mgd.5 的關係。 19· 一種積層陶瓷電容，具有由介電質陶瓷組成物所構成的介電體層與内部電極層交互積層的電容元件本體，上述介電質陶瓷組成物包括：含有鈦酸鋇的主成分；含有MgO的第一副成分；作為燒結助劑的功能之第二副成分；含有從V2〇5、Mo〇3與ff〇3所選擇的至少一者的第三副成分；含有R1的氧化物（其中，R1為從Sc、Er、Tm、Yl^Lu 選擇的至少一者）的第四副成分；含有CaZr〇3或CaO+Zr〇2的第五副成分·，含有MnO或Cr2〇3的第七副成分；以及 2030-7351-PF 56 1275582 含有A1之氧化物的第八副成分’ 相對於上述主成分100摩爾的第一副成分、第七副成分、第八副成分的比率為：第一副成分：0. 2〜0. 75摩爾；第七副成分：0. ：1〜0· 3摩爾（其中，第七副成分的摩爾數量係以Μη元素或Cr元素換算的比率）；第八副成分：0· 5〜4摩爾（其中，4除外），上述第一副成分所含有的Mg元素與上述第七副成分所含有的Μη元素、Cr元素之摩爾比例為〇. 3S(Mn+Cr)/MgS〇. 5 的關係。 20·如申清專利範圍第19項所述之積層陶究電容，其中’相對於上述主成分100摩爾的第二〜五副成分的比率為· 第二副成分：2〜10摩爾；第三副成分：〇.〇1〜〇· 5摩爾；第四副成分：0.5〜7摩爾（其中，第四副成分的摩爾數量係以R1單獨的比率）；第五副成分：〇〈第五副成分2 5摩爾。 21.如申請專利範圍第2〇項所述之積層陶究電容，i 中’第六副成分更包含R2的氧化物(其中，R2係從γ ?、 H〇、Tb、Gd與Eu中選擇出至少一者)，上述二 (其中，第六副成分的摩爾數量係R2單獨的比率)。 2030-7351-PF 57