533419 A7 B7 五、發明説明（ 5 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 本發明係有關於-種同步半導體裝置及同步半導體 之檢驗系統’更特別地，係有關於一種併合有效地 以篩選缺陷產品之燒機應力測量（burn_in str_ess t β 之功能的同步半導體裝置及同步半導體裝置之檢驗系^叶） 在半導體裝置之氧化層中之任何殘餘的離子化可移 質會導致像電壓之退化容量與因熱或電應力所引致之雜晰 之位移所引起之導線之間之短路般之永久的缺陷。為了二 出貨之前從最後之產品除去這些作為缺陷品之潛在有 的裝置，一燒機應力測試被執行。燒機應力測試包含藉 施加熱與電應力至主體的篩選測試。 g由 燒機應力測试係以類似的形式被執行於同步半導體。 等同步半導體與一外部時鐘同步地執行其之内部運作。= 了施加電應力至内部裝置，該運作係要在該外部時: 率下被構築。 $ 例如，在同步動態隨機存取記憶體中（於下面被稱 SDRAM)，電應力在字線被選擇且一升至電源供應電壓以I 的電壓被施加至MOS電晶體的閘極時係最大。為了把—此 電應力施加至整個裝置，被選擇的字線必須連續地改 雖然，由於在這些日子來高速運作的需求，藉由在一命八 輸入中執行一連串之資料存取俾致使加速之^期運作:二 一代的SDRAM業已被發展出來，對於該等產品來說， 機應力測試係不可或缺的。 〜 關於原來之SDRAN[的習知技術將會配合在第丄〇圖 所顯示之字線的控制n電路及在第u _運作波形來= C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裴· 訂_ 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） 533419 A7 B7 五、發明説明（2 ) 述。在習知技術中，一控制命令CMD與一預先充電命令 PRE—CMD會在一外部時鐘Clk之升緣處同步地輸入。在一 命令閂電路100,100中的閂11〇,11〇於一輸入端接受該 外部時鐘CLK而在另一輸入端接受來自一 NAND電路 5 130, 130的輸出，該NAND電路130, 130接收該等命令 CMD與prE—CMD和該外部電路CLK,CLK。若該控制命令 CMD或該預先充電命令PRE一CMD中之一者是為高時，當該 外部時鐘CLK,CLK變成高時，這命令狀態將會被閂鎖。在 後面之級中的一單作用觸發器電路υο,υο將會由於在閂 10 鎖時該閂uo, 110之輸出至低的轉態所觸發俾可輸出一具 有由一連串單數級之反相器（在第1〇圖中僅顯示三級）所決 定之寬度的低準位脈衝訊號。該脈衝訊號代表一内部有源 訊號ACTV，或一内部預先充電訊號pRE，其將會藉著重覆 交替地及與該外部時鐘CLK,CLK的升緣同步地設定與重設 15 該控制器電路2〇〇中的閂210來設定與重設字線的作動訊 號WL。當重設時，相鄰於在目前被選擇之字線的字線將會 被選擇以致於電應力將會連續地施加遍及該裝置。 關於下一代SDRAM的另一習知技術將會藉由參考被顯 示於第12圖之字線的控制器電路與在第13圖中所顯示的 20 運作波形來被描述。在這習知技術中，與在第10圖中所顯 示之命令閂電路100,100相同的電路方塊1〇〇被實施俾 可同步地接受在外部時鐘CLK之升緣處輸入的該控制命令 CMD。於下一級的一後面單作用觸發器電路uo將會輸出 一低準位的預定脈衝。這低準位脈衝是為一内部有源訊號 第5頁 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533419 A7 B7 五、發明説明（3 ) ACTV，其將會被輸入至該控制器電路200俾輸出至該字線 作動訊號WL。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該内部有源訊號ACTV亦被輸入至一内部計時器電路 3 0 0。該内部計時器電路3 0 0可以由如在第12圖中所顯示 5 般之雙數級的反相器構成，而且可以由測量約定時間tl之 任何的配置構成。當該約定時間tl逝去時，該電路輸出一 内部預先充電訊號PRE的低準位脈衝訊號俾重設該控制器 電路200中的閂210來不作動該字線作動訊號WL。由於 在這下一代SDRAM中，一個命令輸入致使一連串的資料存 10 取被執行，該内部預先充電訊號PRE在逝去由該内部計時 器電路300根據該内部有源訊號ACTV所構築之該約定時 間tl之後將會被自動發送。 在由該内部計時器電路3 00所構築的約定時間tl期間 ，該字線作動訊號WL作動對應於由未在圖式中顯示之電路 15 所選擇之列位址的字線來施加電應力。在該約定時間tl的 盡頭，被作動的字線將會被不作動而下一字線將會被設定 。然後，相同的運作將會在外部時鐘CLK的升緣處反覆地 重覆俾可施加該電應力至整個裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，在以上所述之原來的SDRAM中，一字線的被作 20 動周期與預先充電周期就該外部時鐘CLK的每一週期將會 以一交替形式被反覆地重覆。因此，在該字線之作動之後 電應力被施加至該裝置之時間的周期將會是為淨測試周期 的一半。這表示能夠施加比這百分比更有效率之電應力的 測試是不可達成而且對於進一步節省測試之時間的任何嘗 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 533419 A7 B7 五、發明説明（4 ) 試會失敗。 此外’在加速運作的需求下，如上所述之下一代 SDRAM被要求在具有高頻率的外部時鐘cLK下運作。要由 j内部计時器電路300測量的約定時間tl然後將會被設 5〜至適於資料存取運作之能力之一較短的時間周期。另一 t面在燒機應力測試中，最大的性能不可以藉由測試環 埏，其類似的限制來被獲得，因此，一般來說該同步半導 $裳置具有足夠的邊界來相對於在測試中所使用之外部時 麵CLK的頻率來運作。這斷定電應力不會被有效率地施加 10 ’因為在字線被作動的約定時間tl中小的工作速率。 本發明係鑑於以上的情況來被完成並且具有有效率地執 4丁燒機應力測試與提供具有施加電應力至裝置之較高效率 的同步半導體裴置及其之檢驗系統的目的。 為了達成以上目的，本發明之一特徵的同步半導體裝置 15 ’其反覆地重覆在一被作動狀態與一非被作動狀態之間的 交替轉態俾執行在被作動狀態中的測試，包含，一用於與 一同步訊號之第一同步時序同步地閂鎖一同步作動訊號的 閃單元；一用於在該被作動狀態之前一預定時間周期该測 一非作動訊號的非作動訊號偵測器單元；及一用於根據如 2 0 此被偵測之非作動訊號來命令一非作動狀態的非作動單元 〇 該同步半導體裝置於執行在該被作動狀態中之測試且以 交替形式反覆地重覆在被作動與非被作動狀態之間之運作 狀態的轉態之時，可以使用該非作動訊號偵測器單元來在 第7頁 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_
、?T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533419 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3) 進入一被作動狀態之前一預定之時間周期偵測該非作動訊 號，俾在由該閂單元與該同步訊號之第一同步時序同步地 閂鎖該同步作動訊號之前由該非作動單元命令進入非被作 動狀態俾可進入該被作動狀態。 5 該非被作動狀態藉此可以在該同步訊號之第一同步時序 之前一段預定之時間同期被構築以進入該被作動狀態。在 該測試期間該被作動狀態的持續時間可以藉著使用與在該 同步半導體裝置之正常運作中之該同步訊號同步的同步作 動訊號來被任意設定。因此，在該測試期間所需的被作動 10 狀態可以被有效地構築。該測試周期藉由增加該被作動狀 態之持續期間的速率而能夠被縮短。 根據本發明的另一特徵，一種同步半導體裝置，其交替 地以一反覆形式在一被作動狀態與一非被作動狀態之間轉 態俾執行在該被作動狀態中的測試，包含，一閂單元，其 15 係用於與一同步訊號之第一同步時序同步地閂鎖一同步非 作動訊號；一作動訊號偵測器單元，其係用於在該非被作 動狀態之後一段預定之時間周期偵測一作動訊號；及一作 動單元，其係用於根據如此被偵測之作動訊號來命令一被 作動狀態。 20 如上所述的同步半導體裝置可以使用該閂單元來與該同 步訊號之第一同步時序同步地閂鎖該同步非作動訊號俾在 執行該被作動狀態中之測試且反覆地以一交替形式重覆在 被作動與非被作動狀態之間之運作狀態之時進入該非被作 動狀態，然後，在一段預定之時間周期之後，可以使用該 第8頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 ▼項再填· 裝_ 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 533419 A7 "— B7 五、發明説明（& ) "— 作動:麵測單元來债測該作動訊號進入該被作動狀態。 定之^被作動狀態在該同步訊號之第一同步時序之後一段預 二、3|二間周期可以藉此被構築以進入該非被作動狀態。在 期間該被作動狀態之持續時間可以藉著使用與該同 5 Tp* ip 3M. u， ^ _ + 褒置之正常運作中之同步訊號同步的同步非作動 祝5虎來被杯咅 < 〜 能。、、心"又疋。因此，在該測試期間所需的被作動狀 以被有效地構築。該測試周期可以藉著增加該被作動 狀態之持續時間的速率來被縮短。 根^本發明之一特徵，一種同步半導體裝置的檢驗系統 10 以交替形式反覆地重覆在一被作動狀態與一非被作動 狀悲之間之轉態以執行在被作動狀態中之測試，包含，一 同步汛唬供應單元，其係用於把一同步訊號供應至一同步 半導體裝置；一同步作動訊號供應單元，其係用於與該同 步訊號的第一同步時序同步地供應一同步作動訊號；及一 15非作動訊號供應單元，其係用於在一被作動狀態之前一段 預定之時間周期供應一非作動訊號。 本發明之同步半導體裝置的檢驗系統，於執行該被作動 狀態中之測試且以交替形式反覆地重覆在被作動與非被作 動狀態之間之運作狀態的轉態之時，在一被作動狀態之前 20 一段預定之時間周期可以使用該同步訊號供應單元來供應 該同步訊號及使用該非作動訊號供應單元來供應該非作動 訊號。其後，該系統可以使用該同步作動訊號供應單元來 與該同步訊號之第一同步時序同步地供應該同步作動訊號 〇 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） --------—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533419 A7 B7 _ 五、發明説明（1 ^~^~ 該非作動訊號，在該同步訊號之第一同步時序之前一段 預定之時間周期，可以藉此被供應進入該被作動狀態，因 此在該測試期間該同步半導體裝置之被作動狀態的持續時 間，在供應該同步訊號與用於在該同步半導體裝置之正常 5 運作中與其同步之該同步作動訊號時，可以被任意構築。 因此，一檢驗系統可以被提供，在其中，於該測試期間所 需的被作動狀態可以被有效構築而且該測試周期可以夢由 增加該被作動狀態之持續時間的速率來被縮短。 根據本發明的另一特徵，該同步半導體裝置的檢驗系統 10 ，其以交替形式反覆地重覆在一被作動狀態與一非被作動 狀態之間之轉態以執行在被作動狀態中之測試，包含，一 同步訊號供應單元，其係用於把一同步訊號供應至一同步 半導體裝置，一同步非作動訊號供應單元，其係用於與該 同步訊號之第一同步時序同步地供應一同步非作動訊號； 15 及一作動訊號供應單元，其係用於在一非被作動狀態之後 一段預定之時間周期供應一作動訊號。 本發明之同步半導體裝置的檢驗系統，於執行該被作動 狀態中之測試且以交替形式反覆地重覆在被作動與非被作 動狀態之間之運作狀態的轉態之時，可以使用該同步訊號 20 供應單元來供應該同步訊號及使用該同步非作動訊號供應 單元來與該同步訊號之第一同步時序同步地供應該同步非 作動訊號。在一預定的時間周期之後，該系統可以使用該 作動訊號供應單元來供應該作動訊號。 該作動訊號，在該同步訊號之第一同步時序之後一段預 第10頁 本紙張國家g準（cNS ) M規格（2i〇X297公釐1 ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533419 A7 B7 五、發明説明（& ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 定之時間周期，可以藉此被供應進入該非被作動狀態，因 此在該測試期間該同步半導體裝置之被作動狀態的持續時 間，在供應該同步訊號與用於在該同步半導體裝置之正常 運作中與其同步之該同步非作動訊號時，可以被任意構築 5 。因此，一檢驗系統可以被提供，在其中，於該測試期間 所需的被作動狀態可以被有效構築而且該測試周期可以藉 由增加該被作動狀態之持續時間的速率來被縮短。 根據本發明的一特徵，一種用於檢驗該同步半導體裝置 的檢驗方法，其以交替形式反覆地重覆在一被作動狀態與 10 —非被作動狀態之間之轉態以執行在被作動狀態中之測試 ，包含如下之步驟：在進入該被作動狀態之前一段預定之 時間周期，偵測一非作動訊號；轉移至該非被作動狀態； 其後與一同步訊號之第一同步時序同步地把一同步作動訊 號閂鎖以進入一被作動狀態。 15 根據該同步半導體裝置的檢驗方法，其反覆地重覆在一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 被作動狀態與一非被作動狀態之間之交替轉態以執行在被 作動狀態中之測試，在進入被作動狀態之前一段預定的時 間周期，該裝置藉由一非作動訊號來轉態至該非被作動狀 態而然後與該同步訊號之第一同步時序同步地把一同步作 20 動訊號閂鎖以進入該被作動狀態，該非作動訊號的時序可 以被任意地構築以致於在使該同步作動訊號與該同步半導 體裝置之正常運作中之同步訊號同步地使用時，該測試周 期可以藉由增加該被作動狀態之持續時間的速率來被縮短 第11頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 533419 A7 B7 五、發明説明（气） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明的另一特徵，一種用於檢驗該同步半導體裝 置的檢驗方法，其以交替形式反覆地重覆在一被作動狀態 與一非被作動狀態之間之轉態以執行在被作動狀態中之測 試，包含如下之步驟··與一同步訊號之第一同步時序同步 5 地把一同步非作動訊號閂鎖俾轉態至一非被作動狀態；及 在該非被作動狀態之後一段預定的時間周期，偵測一作動 訊號進入該被作動狀態。 根據該同步半導體裝置的檢驗方法，於以交替形式反覆 地重覆在被作動狀態與非被作動狀態之間之運作狀態的轉 10 態且執行在被作動狀態中的測試之時，在藉由一與該同步 訊號之第一同步時序同步的同步非作動訊號來轉態至該非 被作動狀態之後一段預定的時間周期，該裝置轉態至該被 作動狀態，該作動訊號的時序可以被任意地構築以致於在 使該同步非作動訊號與該同步半導體裝置之正常運作中之 15 同步訊號同步地使用時，該測試周期可以藉由增加該被作 動狀態之持續時間的速率來被縮短。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之以上及進一步的目的和新穎的特徵在配合附圖 閱讀後面之詳細描述時將會從後面的詳細描述更完整地呈 現。然而，要了解的是，該等圖式僅為例子而已而不是作 20 為本發明之限制的定義。 該等附圖，其併合於此並且構成描繪本發明之實施例之 說明書的一部份，係與該描述一起作用來說明本發明之目 的、優點與原理。在該等圖式中， 第1圖是為本發明第一較佳實施例之電路的示意方塊 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 533419 Α7 Β7 五、發明説明（ίσ) 圖； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖是為描繪本發明第一較佳實施例之字線之控制 器電路的示意電路圖； 第3圖是為描繪本發明第一較佳實施例之運作波形的 5 示意波形圖； 第4圖是為本發明第二較佳實施例之電路的示意方塊 圖； 第5圖是為描繪本發明第二較佳實施例之字線之控制 器電路的示意電路圖； 10 第6圖是為描繪本發明第二較佳實施例之運作波形的 示意波形圖； 第7圖是為本發明第三較佳實施例之電路的示意方塊 圖； 第8圖是為描繪本發明第三較佳實施例之字線之控制 15 器電路的示意電路圖； 第9圖是為描繪本發明第三較佳實施例之運作波形的 示意波形圖； 第10圖是為描繪習知之字線之控制器電路的示意電路 圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 第11圖是為描繪習知之運作波形的示意波形圖； 第12圖是為描繪另一習知之字線之控制器電路的另一 不意電路圖；及 第13圖是為描繪另一習知之運作波形的另一示意波形 圖。 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 533419 A7 B7
五、發明説明（I —-— 5 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 實現本發明之同步半導體裝置與同步半導體裝置之檢驗 方法之第一至第二較佳實施例的詳細描述現在將會配合該 等附圖來作更洋細的描述。 於此中所揭露的較佳實施例中，詳細描述將會被提供作 為例證，在其中，藉由一個命令輸入來執行一連串資料存 取運作的下一代SDRAM係遭遇燒機應力測試。現在請參閱 第1圖所不，第一較佳實施例之電路的示意方塊圖被顯示 。第2圖顯示描繪該第一較佳實施例之字線之控制器電路 的示意電路圖。第3圖是為描繪該第—較佳實施例之運作 波形的示意波形圖。第4圖是為第二較佳實施例之電路的 示意方塊圖。第5圖是為描繪該二較佳實施例之字線之控 制器電路的示意電路圖。第6圖是為描繪該第二較佳實施 例之運作波形的不意波形圖。第7圖是為第三較佳實施例 之電路的示意方塊圖。第8圖是為描繪該第三較佳實施例 之字線之控制器電路的示意電路圖。第9圖是為描繪該第 三較佳實施例之運作波形的示意波形圖。與在習知技術中 所使用之元件相同的元件係由相同的標號標示而且該等部 件的詳細描述將會被省略。 在第1圖中所顯示之第-較佳實施例的電路方塊圖包 括兩組電路，即，—測試模式順序電路iq與― 順序=彻，作為在下-代SDRam中之用於在包含一被 作動狀_』-非被作減態之1週射執行存取運作的 電Γ右：名被作動"狀態表示—周期，在該周期中，被 她加有用於存取該記顏細胞之上升電料字、㈣輸入至 第14頁 1 -I I · (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· -訂 A7 5 ο 1 5 1 ----------、聲明説明（以） %濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇 2 碡記憶體細胞中之切換M〇S電晶體的閘極，而且在, 之氧化物中的埸係遭遇該SDRAM中之極劇烈的電應^閘極 ^詞〃非被作動〃狀態表示-周期，在該周射，^記情: ，取之後位元線被預先充電而且被選擇之字線的構形^ 香改變在下一被作動狀態中使用的列位址來被執行。、曰 包括該測試模式順序電路10與該使用者模 一的該兩組是為在正常使用與燒機應力測試中^ 存取的電路。在下-代SDRAM +，該使用者模式順 4〇〇必須以數十億分之一秒的週期時間來運作俾可獲俨 足吊W吏用中的高速存取。另一方面，由於燒機應力測t 2限制，其會在隨同若干同步半導體裝置於同一時間二、貝I 贫一起的上升溫度下被處理，要縮減該測試模式順H剩 1〇中的週期時間是不可能的。 、“路 因此，在該使用者模式順序電路400中，在伽、宏仏 =的ACTV電路將會事先被達成，接著一 PRE電路在存= 元成之後預先充電俾可縮減週期時間的持續時間。相 下，在邊測試模式順序電路10中，由於作動狀態之持續昉 間的速率需要被延長俾執行一有效的燒機應力測試^ 小非被作動狀態中預先充電的該PRE電路將會在執行被作 動狀態中之存取的ACTV電路之前被運作。 在測試模式順序電路1〇與使用者模式順序電路4⑽ 間的切換將會由一測試模式鑑別器電路6〇執行，一、、則戈模 式輸入訊號ttst被供應至該測試模式鑑別器電路μ:吴 據在該測試模式鑑別器電路中所設定的構形，該^試^ 第15頁
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} •壯衣 訂 533419 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ 式順序電路！〇或者該使用者模式順序電路_ 與該外部時鐘CLK同步地被閂鎖於該命人門+路♦㈢根據 控制命令來被運作。在本文中，該命令=二 透過-外部端輸入的本身訊號或者是為由_像=疋為 5碼器般之電路從自-或多個外部端輪入之訊號轉換二^ 根據本：施例’在第2圖中所顯示之字線控 的典型例子中，該測試模式順序電路1Q包括兩個 ^12、及一内部計時器13，來自ΝΑΝ_ΐ2 10 號將會被供應至該内部計時器13。同揭，封放m 馬出七 序電路400包括兩個NAND閘U和u^ 一内，楔式順 73，該麵D閘72的輸出訊號將會被供應至該 73。來自該測試模式順序電路1Q與該❹者模式射3 400的輸出訊號將會就每-有源訊號與預先充電心也 對應的腳D閘74和75中重新組合。該似⑽閑 出訊號將會被使用作為該内部有源訊號ACTV而該nand閘 75的輸出訊號將會被使用作為該内部預先充電訊號 該等訊號被輸入至下一級的控制器電路2〇〇俾設^與^設 該字線作動訊號WL。 〜成 從該測試模式鑑別器電路6〇之緩衝器輸出，與該 測試模式輸入訊號TTST同相位的訊號，將會被輸入至該等 NAND閘11和12俾在燒機應力測試中運作該測試模^順 序電路10。另一方面，經由該測試模式鑑別器電路6〇之 反相器62輸出，與該測試模式輸入訊號TTST相反相位的 第16頁 -ϋι-ιϋ m HI Hi·· ϋϋ n^i ρ^.^/ ϋϋ -m C请先閱讀背面之注意事項存填寫本買) tr 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇X297公釐） 533419 A7 五 5 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 發明説明（/4 ) 訊號，將倾輸心科 情況下運作該使用者模式順序電^ 72俾在正常運作 部時鐘CLK同步地問鎖於 °此外，以與該外 CMD為基礎的v門電路ioo之該控制命令 I㈣低旱位脈衝訊號將會 工1,71和72。該内邱箱生】八主忒專NAND閘 閘12。 預先充笔訊號PRE係輪入至該 NAND 在第2圖巾所顯不之控制器電路的運作現在將會配合 在弟3圖中所顯示之運作波 、a -口 她座士、日丨〜士 λα丄 反❿术作“述，弟3圖描繪在燒 =力測，，形’或者換句話說，在該測試模式順序 3二3 W波形°、#—存取命令咖D-⑽被供應 w 7 H 100作為一控制命令CMD時，該命令閃電 路1〇〇將“與外部日守鐘CLK同步地輸出一低準位脈衝。這 低準位脈衝讯旒，其將會被供應至該等nand閘u,7i和 72，將會僅由ό亥測試模式順序電路1〇的nand閘丄丄所接 文，因為戎測甙模式輸入訊號TTST係有源（即，高準位） 。遠低準位脈衝將會在該NAND閘11中被反相成一要被輸 入至該NAND閘75的高準位脈衝。該測試模式鑑別器電路 60中之反相器62的輸出訊號被設定至低準位以致於來自 該NAND閘72的輸出訊號與來自該内部計時器73的輸出 準位皆會被固定至高。然後，該NAND閘7 5藉由把一高準 位脈衝反相來輸出一低準位内部預先充電訊號PRE俾透過 該控制器電路2〇〇重置該字線作動訊號WL。 同時’該内部預先充電訊號PRE亦會被輸入至該NAND 閘12，其將會產生一高準位訊號作為輸出。這高準位訊號 第171 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·
. -- I -— 1 · I I 1 533419 A7 一~~' ________ B7____—_ 五、發明説明（/5 ) 其會由该内部計時器13延遲tRP，將會被輸入至該 NAND問74。被供應至該NAND閘的另一輸入訊號是為高 準位’因此來自該NAND閘74的輸出訊號將會被突然拉動 至低準位。更特別地，該閘將會輸出一内部有源訊號ACTV 5來俾透過该控制器電路2 00來重置該字線作動訊號WL。藉 著適當地構築該内部計時器13的工作時間tRP，一字線能 夠在一最小預先充電周期之後被作動，因此該電應力可以 在燒機應力測試中以最大的時間速率施加。因此，更有效 的燒機應力測試可以被執行。 10 在藉著被供應作為一控制命令CMD之存取命令 READ一CMD之非有源狀態中之該字線作動訊號WL之重置間 隔之後一段預定的時間周期，一用於設定一字線作動間隔 的Λ號’其表示該有源狀態，能夠以該存取命令 READ一CMD或同步半導體裝置，下一代SDRAM，中之訊號 15 本身為基礎來被產生。在下一代SDRAM之正常運作中與該 外部時鐘CLK同步的輸入存取命令READ一CMD允許該燒機 應力測試中之字線作動周期被設定至一預定的時間周期， 特別是在燒機應力測試中所需之字線作動周期要以比以往 更有效的形式來被設定。該字線作動周期之持續時間的增 20 加速率可以因此引領至較短的測試時間。 如果該存取命令READ_CMD，其在正常運作中作動該字 線，在燒機應力測試中被輸入的話’該字線作動訊號WL的 重置間隔在該字線的作動之前將會被置放一段預定的時間 周期。即，其能夠足以以與正常運作中之形式相同的形式 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2⑴X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝-
、1T 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 533419 A7 B7 五 5 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 、發明説明（/6) 在燒機應力測試中供應存取命令READ一CMD，允許該等# 制戒遽在該測試與$運作中為共有，導致在燒機應力、貝、】 試中較簡單的處J里的結果]一特殊控制訊號不僅在燒機廉 力測試中被輸入的事實將會消除供測試用之電路與供挪; 用之專有外部端的需要，允許下一代SDRAM中之測試的= 少費用。 在這裡，要注意的是，該命令閂電路100是為如申请 專利範圍第2項所述的問單元，該内部計時器13是為如^ 請專利範圍第2頊所述的作動偵測器單元或者是為如申气 專利範圍第5項所述的延遲單元，該NAND閘74是為如^ 請專利範圍第2項所述的作動單元。而且，該外部時麵 CLK是為如申請專利範圍第2項所述的同步訊號，該訊^ CLK的升緣是為如申凊專利範圍第2項所述的第一同歩日卞 序。此外，被使用作為控制命令CMD的存取命八 READ-CMD是為如申請專利範圍第2項所述的同步非作& 訊號，或者是為如申請專利範圍第6項所述之在正常運作 中的同步作動訊號。來自該NAND閘12的輸出訊號是為如 申請專利範圍第2項所述的作動訊號，或者是為根據第五 特徵之至該延遲單元的輸入訊號。 在該正常運作中，該測試模式輸入訊號TTST是為低準 位而且是為非有源以致於以該存取命令READ_CMD為基礎 的低準位脈衝將會由該使用者模式順序電路◦所接受。 換句話說，被供應有低準位脈衝的NAND閘71將會輸出一 高準位脈衝來透過該NAND閘74輸出一内部有源訊號 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項、再填寫本頁) 533419 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（Π ) ACTV俾可設定該字線作動訊號WL。另^一方面，由於低準 位脈衝將會於相同時間類似地輸入至該NAND閘72，一高 準位脈衝將會呈現於該NAND閘72的輸出端’該脈衝將會 由該内部計時器73延遲一間隔t1俾輸出一内部預先充電 訊號PRE來重置該字線作動訊號。由於邊間隔11將會 在該裝置中測量，僅一個存取命令READ-CMD可以引用一 個週期的完整運作。 本發明的第二較佳實施例現在將會更詳細地在下面作描 述。在第4圖中所顯示之電路的示意方塊圖中，該命令閂 電路100、該測試模式鑑別器電路6〇、及使用者模式順序 電路410會具有與在先前第一較佳實施例中所描述之電路 相同的結構。在該第二實施例中，一預先充電控制器電路 3 0被加入，該預先充電控制器電路30係用於把燒機應力 測試中之預先充電控制訊號TPRE輸入至測試模式順序電路 20以引用一預先充電運作。 第5圖中之第二較佳實施例之字線控制器電路的典型 例子包括一僅由一個NAND閘21構成的測試模式順序電路 20。該使用者模式順序電路410係由一個NAND間72與 一把來自該NAND閘72之輸出訊號輸入的内部計時器” 構成。來自該測試模式順序電路2〇與該使用者模式顺 ^ 路4 1 0的輸出訊號會為该專預先充電訊號而被年中/ 内部 5 10 15 20 NAND閘75而且會被輸入至該控制器電路200作為 預先充電訊號PRE。在這裡，關於該作動訊號， 電路100的輸出訊號會被直接輸入至該控制器雷 ^ 兒峪2〇0作 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --------0^^ II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 533419 A7 B7 ____ 五、發明説明（/汝） 為該内部有源訊號ACTV。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 從該測試模式鑑別器電路60之緩衝器61輸出的訊號 會被輸入至該NAND閘21作為一與該測試模式輸入訊號 TTST同步的訊號俾可運作燒機應力測試中的測試模式順序 5 電路20。從該測試模式鏗別器電路60之反相器62輸出， 與該測試模式輸入訊號TTST反相的訊號會被供應至該 NAND閘72俾運作該正常運作中的使用者模式順序電路 410。此外，該命令閂電路1〇〇的輸出訊號，其是為以控 制命令CMD為基礎的低準位脈衝訊號，會被直接輸入至該 1〇 控制器電路200作為一内部有源訊號ACTV，及同時被輸 入至該NAND閘72。該預先充電控制訊號TPRE係經由該 預先充電控制器電路30來輸入至該NAND閘21。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第5圖中所顯示之控制器電路的運作會配合在第6 圖中所顯示的波形來作描述。第6圖顯示燒機應力測試中 15 的波形，即，當該測試模式順序電路20在運作時的那些波 形。該預先充電控制訊號TPRE，在一存取命令READ—CMD 之前被輸入作為控制命令CMD的一低準位脈衝，會通過該 NAND閘2 1和NAND閘75來產生一内部預先充電訊號PRE 俾經由該控制器電路200重置該字線作動訊號WL。 20 與外部時鐘CLK同步的存取命令READ_CMD會在一預 先充電控制訊號TPRE之後一段預定的延遲時間被輸入至該 命令閂電路100。該命令會被送至該控制器電路200作為 一表示該内部有源訊號ACTV的低準位脈衝訊號俾設定該字 線作動訊號WL。 第21頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 533419 A7 B7 五、發明説明（β ) 更特別地，若該預先充電控制訊號TPRE係相對於作為 該存取命令READ一CMD之同步訊號之外部時鐘cLk來被言史 定為在一預定且適當的時間周期之前的話，該字線作動訊 號WL由於通過該控制器電路2〇〇之内部預先充電訊號 5 PRE的重置時間周期可以作用為最小預先充電周期，而隨 後的周期可以作用為字線作動周期，允許燒機應力測試中 的電應力以最大之持續時間的速率來被施加俾獲得更有效 的燒機應力測試。 響應於來自專有之外部端或存在之外部端的外部輸入訊 10 號，非有源狀態中之字線作動訊號WL·的重置間隔藉著該預 先充電控制訊號TPRE可以於任意時序設定。即，該字線作 動訊號WL的重置間隔可以於在該強迫至字線作動周期，該 有源狀態，之外部時鐘CLK的升緣之前任意預定的時間周 期被構築。在使用與是為下一代SDRAM之同步半導體裝置 15之正常運作中之外部時鐘CLK同步的同步作動訊號時，於 該測試中的字線作動周期可以被任意設定，允許在燒機應 力測試中所需的字線作動周期以有效方式構築。這會增加 泫字線作動之持續時間的速率俾可縮短該測試的周期。此 外，該預先充電控制訊號TPRE的輪入時序可以以任意形式 2〇 就母一測试或在一測試期間隨時調整俾可經常使該測試效 率最佳化。 在這裡，要注意的是，該命令閂電路1〇〇是為如申請 專利範圍第1項所述的閂單元，該預先充電控制器電路3〇 與遠NAND閘2 1是為如申請專利範圍第丄項所述的非作動 第22頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐了 -- " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533419 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ __________B7五、發明説明（<20) " "" 偵測器單元，該NAND閘K是為如申請專利範圍第工項所 ，的非作動單元。而且，該外部時鐘CLK是為如申請專利 範圍第1項所述的同步訊號，其之升緣是為如申請專利範 圍第1項所述的第一同步時序。再者，作用為一控制命令 5 CMD的存取命令READ一CMD是為如申請專利範圍第丄項所 述的同步作動訊號。該預先充電控制訊號TpRE是為如申請 專利範圍第1項所述的非作動訊號，或者如申請專利範圍 第3項所述的第一非同步控制訊號。 在邊正常運作中，该測試模式輸入訊號TTST是為低準 1〇位是為低準位，而且非被作動，因此該測試模式順序電路 20之NAND閘21的輸出將會被設定成高準位，導致跟隨 該存取命令READ一CMD的低準位脈衝會由該使用者模式順 序電路410接受。換句話說，該低準位脈衝將會作用為内 部有源訊號ACTV俾直接設定該字線作動訊號WL。該脈衝 15亦會於同一時間被輸入至該NAND閘72，會為一高準位脈 衝之NAND閘72的輸出訊號會由於該内部計時器73而被 延遲tl俾輸出一内部預先充電訊號PRE；來重置該字線作 動訊號WL。由於該間隔tl會在該裝置中被測量，僅一個 存取命令READ一CMD會引用一個週期的完整運作。 20 現在，本發明的第三較佳實施例將會在下面作更詳細的 4田述。在弟7圖之電路之示意方塊圖中的該命令閂電路 100、測試模式鑑別器電路60、使用者模式順序電路41〇 、及測試模式順序電路20係與在先前本發明之第二較佳 施例中所描述的那些相同。在本第三實施例中，一 ^ 降 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)八4規格（210><297公釐） (請先閱讀背面之注意事 4 ，項再填· 裝— :寫本頁) 訂 533419 A7 ----- B7 五、發明説明（2丨） 緣傾測器電路40與-預先充電控制器電路5〇係被併合取 代用於在燒機應力測試時與外部時鐘之降緣同步地把 一預先充電控制訊號TXPRE輸入至該測試模式順序電路 2〇以引用一預先充電運作的預先充電控制器電路3〇。 5 〃在第8圖中以與先前之第二實施例相同之形式所顯示 之第三較佳實施例之字線控制器電路的典型例子中，該測 场式鑑別器電路60之緩衝器61的輸出訊號會被輸入至 3 NAND $ 21來在錢應力職巾運作該職模式順序電 路20。該測試模式則器電路6〇之反相器62的輸出訊號 1〇會被輸入至該NAND閘72來在正常運作中運作該使用者模 式順序電路410。此外，該命令閂電路1〇〇的低準位脈衝 訊號會直接供應至該控制H電路2QQ作為—内部有源訊號 ACTV及供應至该nAND @ 72。該預先充電控制器電路 的輸出訊號亦會被輸入至該NAND閘21。 15 该預先充電控制器電路50的輸出訊號，其是為一用於 與該外部時鐘CLK之降緣同步地接收該預先充電控制訊號 TXPRE的電路，是為該NAND閘輸出。該預先充電控制訊 號TXPRE的反相訊號與來自該CLK降緣偵測器電路4〇的 輸出訊號是為該NAND閘的輸出訊號。該CLK降緣偵測器 2〇電路4〇會與该外部時鐘CLK的降緣時序同步來輸出一具 有一預定寬度的高準位脈衝（在第8圖中所顯示的例子中， 三級反相器閘之延遲周期的寬度）。因此，如果一低準位預 先充電控制訊號TXPRE在這高準位脈衝期間被輸入的話， 該預先充電控制器電路50會輸出一低準位脈衝。 第24頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) -裝·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533419 A7 ____________ B7 五、發明説明（(22) 在第8圖中所顯示之控制器電路的運作會藉由在第9 圖中所顯示的波形來作描述。帛9圖顯示燒^力測試中 的波形。作為一控制命令CMD的存取命令read—cmd會與 一外部時鐘CLK之升緣同步地被輸入，而該預先^充 5器電路5〇，其與緊在先前之外部時鐘CLK的降緣同步地接 收該預先充電控制訊號TXPRE的低準位訊號，會經由該 NAND閘21與該NAND閘75把一内部預先預先充電訊號 PRE輸出至該控制器電路2〇〇來重置該字線作動訊號WLj。 與隨後之外部時鐘CLK的升緣同步，該存取命令 10 READ—CMD會在該預先充電控制訊號TXPRE之後一段預定 的時間周期被輸入至該命令閂電路1〇〇來產生一作用為一 内部有源訊號ACTV的低準位脈衝訊號，該低準位脈衝訊號 被供應至該控制器電路2 00來設定該字線作動訊號WL。 更特別地’由於該預先充電控制訊號Txpre係與一外 15 部時鐘CLK的降緣同步地被輸入，如果該降緣時序係相對 於該外部時鐘CLK之緊接之升緣在前一段適當之預定的時 間周期的話，響應於該内部預先充電訊號pRE，該字線作 動訊號WL由於該控制器電路200所作的重置周期會被構 築作為該最小預先充電周期，而隨後的周期會作為該字線 20 作動周期，在執行燒機應力測試時允許電應力在持續時間 之最大速率下被施加俾可獲得更有效的燒機應力測試。 響應於經由一專有之外部端或一現存外部端輸入之外部 訊號’要被輸入至是為下一代SDRAM之同步半導體裝置的 預先充電控制命令TXPRE，會與在正常運作中不被使用之 第25頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'乂297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533419 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2b) 外部時鐘CLK的降緣同步地供應。在升緣與降緣之間的關 係可以被任意地構築，而且在非被作動狀態中之字線作動 气號WL的重置周期可以在該外部時鐘CLK之升緣之前一 奴任意的時間周期被設定，其使被作動狀態中的字線作動 5周期轉態。於燒機應力測試中的字線作動周期，在使用與 在同步半導體裝置，下一代SDRAM，之正常運作中之外部 時鐘同步的同步作動訊號時，係可以被任意構築，允許在 燒機應力測試中所需的字線作動周期以有效方式被構築。 此外，^4會增加字線作動之持續時間的速率俾可縮短測試 1〇的周期。再者，相對於該外部時鐘CLK之升緣之降緣的時 序與該預先充電控制訊號TXPRE的輸入時序能夠以任意形 式就每一測試或在一測試期間被調整俾可經常使該測試效 率最佳化。 在這裡要注意的是，該命令閂電路1〇〇是為如申請專 15利範圍第1項所述之閂單元，該CLK降緣偵測器電路4〇、 預先充電控制器電路50與NAND閘21是為如申請專利範 圍第1項所述之非作動偵測器單元，該75是為如 申請專利範圍第i項所述之非作動單元。而且，該外部時 鐘CLK是為如申請專利範圍第i項所述之同步訊號，其之 20升緣是為如申請專利範圍第1項所述之第一同步時序。再 者，作用為一控制命令CMD的存取命令Read—cmd是為如 申請專利範圍帛1項所述之同步作動訊號。該外部時鐘 CLK的降緣是為如申請專利範圍第*項所述之第二同步時 序，該預先充電控制訊號TXPRE是為如申請專利範圍^工 第26頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) —---- (請先閲讀背面之注意事 4 項再填、 裝— I :寫本頁)
、1T 533419 A7 _ B7 五、發明说明（) 項所述之非作動訊號，或是為如申請專利範圍第4項所述 之第/同步控制訊號。 在正常的運作中，這較佳實施例，其可以扮演與先前第 二實施例類似的電路，可以測量該裝置中之tl的時序，以 5 致於僅一個存取命令READ_CMD可以引用一個週期的完整 運作。 當處理以上所述之第一至第三較佳實施例之同步半導體 裝置的燒機應力測試時，由於對測試在一測試中之數個同 步半導體裝置來說係經濟且有效率，檢驗組之電路板通常 10 被設計來接受數個相同的同步半導體裝置。由於設定包括 濕度與溫度之檢驗環境的要求，該電路板通常被容置於像 恆溫室般的環境測試室中。在這情況中，各式各樣的控制 訊號，包括像外部時鐘CLK、控制命令CMD、與預先充電 命令PRE_CMD般的命令，及像預先充電控制訊號 15 TPRE,TXPRE、測試模式輸入訊號TTST及其類似般的訊號 ，會需要個別地被供應至要被測試的每一同步半導體裝置 。此外，包括像從訊號供應器裝置至測試室之導線之負載 及其類似般的影響應被列入考量。因此，本發明之第一至 第三較佳實施例之同步半導體裝置的檢驗系統能夠於適當 20 時序供應像外部時鐘CLK、控制命令CMD、預先充電命令 PRE_CMD、及其類似般的命令，與像預先充電控制訊號 TPRE、預先充電控制訊號TXPRE、測試模式輸入訊號 TTST及其類似般的訊號。而且，所使用的檢驗系統會需要 被確保具有能夠把訊號供應至以正確且固定形式安裝於一 第27頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2川>< 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 533419 A7 B7 五、發明説明（25) 5 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 核驗電路板上之每一同步半導體裝置的驅動器。更特別地 ，，糸統需要具有能夠輸出具有如驅動器之足夠之輸 出電流供應量之高與低之二進位值的輪出緩衝器，或是具 有能夠輸出具有高阻抗狀態之三進位值的輸出緩衝器，該 系統可以具有彼此控制良好之驅動準位與時序俾可根據事 先輸入與儲存之外部_ GLK的頻率 '與對應之預先充電 周期相容之預先充電控制喊TPRE與txpre的輸入時序 、及從另i築單元供應之命令或外部時鐘clk的負荷比 來輸出預定的控制訊號。 在這裡要注意的是，於第n較佳實施例中所使用 的外部時鐘CLK是為從如中請專利範圍第9項或第1〇項 中所述之同步訊號供卿單元供應出來的同步訊號，其之 升緣分別是為如中請專利範圍第9項或第iq項中所述之第 一同步時序。 在以上所述的第一較佳實施例中，作用為一控制命令 CMD的存取命令READ一CMD是為從如申請專利範圍第iq 項中所述之同步非作動訊號供應器單元供應出來的同步非 作動訊號。 在以上所述的第二較佳實施例中，作用為一控制命令 CMD的存取命令READ 一 CMD是為從如申請專利範圍第9項 中所述之同步作動訊號供應器單元供應出來的同步作動訊 號，而該預先充電控制訊號TPRE是為從如申請專利範圍第 9項中所述之非作動訊號供應器單元供應出來的非作動訊號 第28頁 國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ -訂 533419 A7 B7 五、發明説明（26) 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以上所述的第三較佳實施例中，作用為一控制命令 的存取命令READ 一 CMD是為從如申請專利範圍第9項 。中所述之同步作動訊號供應器單元供應出來的同步作動訊 j ’而该預先充電控制訊號TXPRE是為從如申請專利範圍 第9項中所述之非作動訊號供應器單元供應出來的非作動 訊號。 k以上之詳細描述所能察覺，在本發明第一較佳實施例 的同步半導體裝置中，由於增加測試模式順序電路丄◦中之 被作動狀態之持續時間之速率的要求俾處理有效率的燒機 應力測試’用於在一最小非被作動狀態中預先充電的pRE 電路會被運作，然後用於在被作動狀態中存取的ACTV電路 其後會運作。由於在這情況中之最小非作動周期會藉著適 當地構築該内部計時器13之測量時間tPR來獲得，一字 線會在所要求的一最小預先充電周期之後被作動，以致於 該電應力會在燒機應力測試中最大的時間速率下被施加， 允許更有效率的燒機應力測試被執行。 在本發明第二較佳實施例的同步半導體裝置中，藉由在 是為該存取命令READ_CMD之同步訊號之外部時鐘CLK之 前一適當的時間周期設定該預先充電控制訊號TPRE的時序 ，響應於該内部預先充電訊號PRE由該控制器電路200所 作之該字線作動訊號WL的重置周期會被構築為該最小預先 充電周期，而隨後的周期會作為該字線作動周期，允許燒 機應力測試中之電應力在最大之持續時間的速率下被施加 以獲得更有效率的燒機應力測試。 第29頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210x297公襲） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 533419 A7 B7 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2]) 再者在本發明弟二較佳實施例的同步半導體裝置中， 由於該預先充電控制訊號TXPRE係與外部時鐘CLK的降緣 同步地輸入，藉由在使該存取命令READ—CMD同步化之外 ㈣鐘CLK之下-升緣之前—適當之時間周期設定該外部 時鐘CLK之降緣的時序’響應於該内部預先充電訊號刚 由該控制器電路20G所作之該字線作動訊號㈣的重置周 ，會被構築為最小預先充電周期’而隨後的周期會作為該 子線作動周期，允許燒機應力測試中的電應力在最大之持 續時間的速率下被施加以獲得更有效率的燒機應力測試。 、如上所述之處理本發明第一至第三較佳實施例之同步半 導體裝置之燒機應力測試的檢驗系統可以具有能夠輸出具 有如驅動器之足夠之輸出電流供應量之高與低之二進位值 的輸出緩衝器，及可以具有彼此控制良好之驅動準位與時 序俾可根據事先輸入與儲存之外部時鐘CLK的頻率、與對 應之預先充電周期相容之預先充電控制訊號TpRE與 TXPRE的輸人時序、及從另—構築單元供應之命令或外部 時鐘CLK的負荷比來輸出預定的控制訊號。 在沒有離開本發明之精神或本質特徵之下，本發明可以 以其他特定的形式來實施。 例如，在該第二較佳實施例中，雖然一典型的電路業已 舉例說明地被描述，其中，藉㈣當地設定該充電控 制訊號TPRE，要在該是為控制命令cmd之存取命令 READ_CMD之前被輸入的一低準位脈衝，的輸入時序，該 預先充電控制訊號TPRE可以構築該最小預先充電周期，^ 第30頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------0^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr 533419 A7 B7 五、發明説明（2汐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該作動訊號與該預先充電訊號之間的關係可以被顛倒。即 ，藉由與該外部時鐘之升緣時序同步地接收一預先充電命 令PRE_CMD，而然後在其後一適當的時間周期藉由輸入非 同步作動訊號，該狀態能夠被切換至”有源”。在後者，如 5 果在一同步訊號至一非同步作動訊號之間的間隔係適當地 調整的話，在所需之最小預先充電周期之後，一字線會被 作動，以致於該電應力會在燒機應力測試中之最大的時間 速率下被施加，允許更有效率的燒機應力測試被執行。在 這裡要注意的是，該非同步作動訊號為如申請專利範圍第2 10 項中所述的作動訊號，或者為如申請專利範圍第7項中所 述的第二非同步控制訊號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉著與經由一專有之外部端或一現存外部端外部地輸入 之訊號對應的作動訊號，該字線作動周期，即，該字線的 有源狀態，可以於任意的時序被構築。因此，該字線作動 15 周期可以在一跟隨該外部時鐘CLK之升緣之任意的時間周 期之後被設定，其使一字線作動訊號WL轉態至處於該非被 作動狀態的重置周期。在使用與同步半導體裝置，下一代 SDRAM，之正常運作中之外部時鐘CLK同步的預先充電命 令PRE_CMD之時，於燒機應力測試中的字線作動周期可以 20 被任意地構築，允許在燒機應力測試中所需的字線作動周 期以有效率的方式被構築。再者，這會增加該字線作動之 持續時間的速率俾可縮短該測試的周期。此外，該非同步 作動訊號的輸入時序可以以任意的形式就每一測試或在一 測試期間被調整俾可經常使該測試效率最佳化。 第31頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 533419 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2气） 在該第三較佳實施例中，雖然一典型的電路業已舉例說 明地被描述，其中，作為一控制命令CMD的存取命令 READ—CMD係與一外部時鐘CLK的升緣同步地輸入而_低 準位預先充電控制訊號TXPRE係與緊在先前之外部時鐘 CLK的降緣同步地被輸入，在該作動訊號與該預先充電訊 號之間的關係可以被顛倒。即，該存取命令READ一CMD可 以在與該外部時鐘之升緣時序同步地接收一預先充電命令 PRE—CMD之後一段適當的時間周期與一外部時鐘CLK之降 緣時序同步地輸入。在後者中，如果在一預先充電命八 PRE一CMD與一存取命令READ一CMD之間的間隔係適當地& 整的話，一字線會在所需之最小預先充電周期之後被作動 ，以致於該電應力會在燒機應力測試中之最大的時間速率 下被施加，允許更有效率的燒機應力測試被執行。在這裡 要注意的是，與外部時鐘CLK之降緣時序同步的該存取I 令READ_CMD是為如申請專利範圍第2項中所述的^乍動ζ 號，或者為如申請專利範圍第8項中所述的第二同步控制訊號。 工刺 ★響應於經由-專有之外部端或—現存之外部端輸入 雜號’要被輸入至是為下一代SDR之同步半導 的存取命令READ一⑽，會與在正常運作中不被 ' 部時鐘CLK的降緣同步地被供應。在該升 關係可以被任咅地槿箪，而日兮—〜A# 、丨兮緣之間的B 士於rT 〜構#而^子線作動周期可以在 I二K之升緣之後的一段任意的時間周期之後被設定， ，、把-予線作動訊號WL轉態至處於非被作動 5 10 15 20 第32頁 本紙張尺度適财 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、-口 533419 五、發明説明（3>C?) 5 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 期。在使用與该同步半導體裝置，下一代sdram，之正常 ^作中之外部時鐘CLK同步的同步非作動訊號預先充電命 θ P=1 一CMD之時’於燒機應力測試中的字線作動周期可以 被任意地構築，允許在燒機應力測試中所需之字線作動周 ^以有效率的方式構築。此外，這會增加該字線作動之持 ，，間的速率俾可縮短該_的周期。再者，相對於該外 4日$麵CLK之升緣之降緣的時序及該存取命令 的輸入時序能夠以任意的形式就每一測試或在一測試期間 被调整俾可經常使該測試效率最佳化。 根據本發明，藉著在測試中縮減非被作動狀態之持續時 間至取小以允許被作動狀態之持續時間可被任意地構築俾 可增加作動狀態之持續時間的速率，一同步半導體裝置與 其之檢驗系統可以被提供，其可以提升電應力至該妒置之 施加的效率，俾可有效率地執行燒機應力測試。 本發明之較佳實施例的先前描述業已被呈現作為描繪與 描述的用途。它並非傾向於作為限制本發明成所揭露 準形式，而且變化和改變在以上之教示下是有可能的曳2 可以從本發明的實施來獲得。被選擇與描述俾可★兒明^么 明之原理及其之實際應用以致使熟知此項技術之^仕妒= 以各種實施例和各種變化來利用本發明的實施例係適^ 預期的特定使用。本發明之範圍係傾向於由後附之主 利範圍所界定，及其之等效。 月 元件標號對照表 围-⑽預先充電命令 CMD控制命令 第33頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、1Τ 533419 A7 B7 五、發明説明（Μ ) CLK外部時鐘 1〇〇命令閂電路 12〇單作用觸發電路 PRE内部預先充電訊號 5 2 10 閃 300内部計時器電路 10 測試模式順序電路 TTST 測試模式輸入訊號 11 NAND 閘 10 13 内部計時器 72 NAND 閘 74 NAND 閘 61 緩衝器 READ_CMD 存取命令 15 30 預先充電控制器電路 TPRE 預先充電控制訊號 TXPRE 預先充電控制訊號 110 η 13 0 NAND 電路 ACTV 内部有源訊號 WL 作動訊號 2〇〇控制器電路 tl 約定時間 4〇〇使用者模式順序電路 60 測試模式鑑別器電路 12 NAND P甲1 71 NAND 閘 73 内部計時器 75 NAND 閘 62 反相器 4 10使用者模式順序電路 20 測試模式順序電路 50 預先充電控制器電路 40 CLK降緣偵測器電路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第34頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐）