TW446837B - Information processing device - Google Patents

Description

經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 ^ 4 46 8 3 7 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明背景 1.發明領域 本發明關於一種被稱爲頭上安裝型顯示之顯示單元， 其被安裝於頭上且投射一圖片於眼睛之前，一種使用相同 顯示單元之資訊處理裝置，以及其系統。 2·相關技術說明 傳統上，處理電子資訊之一使用者執行一資訊處理操 作，藉使用如圖1 3中所顯示之一裝置，該圖1 3爲資訊 處理裝置之一槪圖。於本說明中*資訊處理操作是指藉使 用一部電腦或類似裝置來執行資訊之輸入•獲取，傳輸， 交換，儲存，分類，等等。 一個輸入終端單元1 1，例如一鍵盤或一滑鼠，爲一 使用者1 0藉以執行一資訊的輸入操作之一種裝置。連接 至輸入終端單元1 1之一控制單元1 2，例如一電腦，爲 一裝置以執行一處理，例如資訊之儲存，計算，或交流《 —顯示單元1 3，例如一CRT，爲一裝置以輸出一顯示 螢幕上之資訊。 其中，例如CRT之顯示單元1 3具有一很大的尺寸 ，而大大地窄化了桌面上之空間。此外，假如其螢幕尺寸 被放大以辨識大量的顯示資訊（文字，圖形，等等），則 空間又被進一步窄化，而其重量變爲非常重，以致該顯示 單元不適於日常使用之顯示。此外’因顯示單元對於人類 之眼睛具有一不良的影像（眼睛疲勞’視力減退’等等） 本纸張尺度適用中國國家標举（CNS)A4規格（210x297公爱） -4- ^ — illm.— ^----- I I. -* (請先聞讀背面之注意事項声蜞寫本買) ^ 44683 7 Α7 Β7 五、發明說明（2 ) ’故其長時間之連續使用已被刻意地避免了 * {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後一種使用液晶或其同類之平坦的顯示板，其裝置 之深度相較於C RT是很淺的以致該顯示板是很輕的，成 爲廣泛之使用。因液晶板是很輕的，假如它很小時，則可 被攜帶。同時，液晶板具有對於人類眼睛之不良影響較小 的~個優點。然而，假如其螢幕尺寸變大時，則變得昂貴 當作爲一種曰常使用之顯示時。此外，平坦顯示板也同樣 窄化了桌面上之空間。 作爲除了上述裝置以外之一種顯示單元，已知有—種 使用小型液晶板而被稱爲頭上安裝型顯示（HMD)之顯 示單元*因此顯示單元被安裝於頭上使用，其並未窄化空 間，並且具有虛假顯示螢幕之尺寸可被自由地改變之優點 〇 於此顯示單元（HMD)中，一圖片影像藉使用一光 學系統而被投射於離開人類眼睛數公分之位置上，其影像 透過人類眼睛以虛擬實際而被辨識如同影像被顯示於一個 大的顯示螢幕上一般。至於其應用之範圍，如電視遊戲之 玩樂，電影之欣賞，教育，報告，醫療，等等可算在內。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 然而，傳統HMD之解析度是很低的，而文字之辨識 是困難的。此外，當此HMD被持續使用數小時後（二至 三小時），則眼睛會感覺到相當的疲勞》此外，還有一種 之症狀會發生《因此，HMD層經是一種不適合於資訊處 理之顯示單元。這些問題之發生被認爲是因爲介於液晶板 與眼睛之間的距離很小以致一種閃爍現象變爲很明顯而對 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公藿） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 4 6 8 3 7 A7 __B7_ 五、發明說明（3 ) 眼睛產生一種不良的影響。 此閃爍現象是肇因於交流電的驅動，其被執行以預防 液晶材料之惡化並保持顯示之品質。當被供應至每個像素 之電壓的正與負電極被轉換之周期（極性轉換周期）進入 其可被人類眼睛所辨識之一頻率範圍（約3 Ο Η z )時， 因爲當圖形信號之電極爲正時之顯示稍微不同於當圖形信 號之電極爲負時之顯示，所以該差異被辨識爲一種閃爍現 象。 一個顯示之顯示像素數目歷年來已被增加，而具有大 量像素之顯示板的驅動頻率變得非常高。例如，據說 NT S C標準需要大約四十萬個像素，而HDTV標準需 要大約二百萬個像素。因此，NT S C標準中之一輸入圖 形信號的最大頻率是大約6MHz，而在HDTV標準中 是大約2 0MHz至3 0MHz »爲了準確地顯示此圖形 信號’則需要具有高於此圖形信號數涪之頻率（例如，大 約5 0MHz至6 0MHz )的時鐘信號。未來，預期高 細度及高品質之顯示會逐漸被需求，而具有_非常快速點 時鐘之圖形信號將被處理》 迄今’欲準確地使得圖形信號之交流電流及時鐘信號 具有此一高頻帶範圍以驅動一液晶板是很困難的。這是因 爲無法藉使用非結晶的矽或多晶矽來形成可以準確地操作 於此一高頻帶區域中之一薄膜電晶體（TFT) · 當具有非常快速點時鐘之一圖形信號被處理時，其圖 形信號寫入至一顯示像素之周期變爲而.短，而於一傅統的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 * 297公釐） — 及 — 1 — · — I ! Ί e M!· — — , • {請先Μ讀背面之注項兵填寫本頁) 熳濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 446 83 7 A7 _B7__ 五、發明說明（4 ) TF T中，已發生有相位偏移，雜訊，信號波形減弱’等 等的問題，因而顯示變爲不準確。 發明槪述 本發明之一目的是提供一種資訊處理裝置及其系統’ 其中頭上安裝型顯示被使用爲一種日常使用之顯示單元而 不會窄化空間並且資訊處理操作可藉使用此顯示單元而被 輕易地執行。 依據本發明之第一方面，一種資訊處理裝置之特徵爲 一使用者執行一個資訊處理操作，藉由使用包括用於 —右眼右一左眼之平板顯示且被安裝於使用者頭上之一顯 示單元，被連接至顯示單元之一控制單元；以及被連接至 控制單元之一輪入操作單元。 依據本發明之第二方面，一種資訊處理裝置之特徵爲 該裝置包括含有用於一右眼及一左眼的平板顯示且被 安裝於使用者頭上之一顯示單元，被連接至該顯示單元之 —通信單元，以及一輸入操作單元： 該通信單元被使用以致使用者接收資訊自一通信夥伴 ;以及 該輸入操作單元被使用以致資訊被傳輸至通信夥伴* 依據本發明之第三方面，一種資訊處理裝置之特徵爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） ------1--------裝！ Ί 訂------線 - « (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 厶 4· 6 8 3 7 A7 _B7_____ 五、發明說明（5 ) 該裝置包括含有用於一右眼及一左眼的平板顯示且被 安裝於使用者頭上之一顯示單元，一通信裝置，一輸入操 作單元，以及用於轉換使用者之聲音資料爲文字之一單元 t 該輸入操作單元輸入使用者之聲音資料： 該用以轉換聲音資料爲文字之單元轉換使用者之聲音 資料爲文字並且將該文字傅輸給一通信夥伴。 依據本發明之第四方面，一種資訊處理裝置之特徵爲 該裝置包括含有用於一右眼及一左眼的平板顯示且被 安裝於使用者頭上之一顯示單元，一通信單元，一輸入操 作單元，以及用於轉換一通信夥伴之聲音資料爲文字之一 單元： 該輸入操作單元輸入通信夥伴之聲音資料；以及 與通信夥伴之會話藉由顯示單元而被顯示爲文字在提 供給使用者之一虛擬的顯示螢幕上。 依據本發明之一方面，於前述的第一至第四方面中， 其輸入操作單元之特徵爲一聲音收集單元β 依據本發明之一方面，於前述的第一至第四方面中， 其輸入操作單元之特徵爲一影像接收單元》 依據本發明之一方面，於每個前述之方面中，其被連 接至顯示單元之平板顯示之一像素電極的一個τ F Τ之一 通道形成區域的特徵在於其乃由多數形成於一絕緣表面上 之桿狀或平坦式桿狀晶體之一集結的半導體薄膜所製造。 本纸張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---- J- — I ^-------裝---------訂 f--------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) jt 4Λ6 83 7 A7 B7 五、發明說明（6 ) 依據本發明之一方面，於每個前述之方面中，該通道 形成區域之一表面定向基本上爲一{110}定向。 <請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明之一方面，於每個前述之方面中，於該通 道形成區域之晶體微粒邊界中之9 0%以上的晶格具有連 續性。 依據本發明之一方面，於每個前述之方面中，該顯示 單元之特徵爲其單一螢幕之寫入被執行於平板顯示中之 4 5H z至1 8 OH z，而供應至像素電極之電壓的極性 被轉換於每個螢幕以達成螢幕顯示。 依據本發明之一方面，於每個前述之方面中，該平板 顯示之液晶材料爲基本上不具門限値之一種反鐵電性的液 晶β 依據本發明之一方面，於每個前述之方面中，其包含 右眼及左眼之平板顯示且被安裝於使用者頭上的顯示單元 之特徵爲提供一虛擬的平坦影像給使用者。 依據本發明之一方面，於每個前述之方面中，其包含 右眼及左眼之平板顯示且被安裝於使用者頭上的顯示單元 之特徵爲提供一虛擬的三維影像給使用者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖示簡單說明 圖1爲顯示資訊處理裝置之槪要之一視圖· 圖2爲顯示頭上安裝型顯示之槪要之一視圖。 圖3爲顯示顯示液晶板之排列結構之一視圖。 圖4爲顯示單元主體之—方塊圇· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 446837 A7 ^ B7 五、發明說明（7) 圖5 A至5 E爲顯示丁 F T之製造步驟之視圖。 圖6爲顯示底部型TFT之結構的一個範例之一視圖。 圖7爲顯示液晶板之結構的一個範例之一視圖。 圖8 A及8 B爲T EM照片之視圖。 圖9 A及9 B爲電子光束繞射型態之視圖。 圖10A及1〇B爲TEM照片之視圖。 圖1 1爲顯示使用一通信單元的一個範例之一視圖。 圖1 2爲顯示使用一小型通信單元的一個範例之一視 圖。 圖1 3爲顯示一傳統資訊處理裝置之槪要的一個視圖 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 10 使用者 11 輸入終端單元 12 控制單元 13 顯示單元 14 顯示 10 0 使用者 10 1 輸入終端單兀 10 2 控制單元 10 3 顯示單元 10 4 虛擬顯示螢幕 2 0 1 主體 2 0 2 液晶板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^ 297公爱） -10 - A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 5. 、發明說明（8 ) 2 0 3 帶子 3 0 1， 3 0 2 周邊驅動電路 3 0 3 活性矩陣區域 3 0 4， 3 0 5 周邊驅動電路 3 0 6 活性矩陣區域 3 0 7 基底 3 0 8 基底 3 0 9 閘線 3 1 0 源線 3 1 1 薄膜電晶體 3 1 2 像素電極 3 0 0 軸 4 0 0 顯示單元 4 0 1 a » 4 0 lb 液晶控制器 4 0 2 時序產生電路 4 0 3， 4 0 4 液晶板 4 0 5 圖形資訊信號 4 0 6， 4 0 7 圖形信號 5 0 1 絕緣基底 5 0 2 氧化矽薄膜 5 0 3， 5 0 4 ，5 0 5 型態 5 0 7， 5 0 8 ，5 0 9 閘電極型態 5 0 ，5 2 5 6， 5 8 N型區域 5 3 ，5 5 P型區域 (請先M讀背面之注意事項再填窵本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNTS)A4規格（210 X 297公S ) -Π -

44683 T -4 - -1 五、發明說明（9 ) 經濟部智慧財產局具工消費合作钍印製 5 1 » 5 4 • 5 7 通 道形成區域 5 1 3 ，5 14 薄 膜 5 1 5 ,5 1 6,517,518 電 極 5 1 9 絕 緣薄膜 5 2 0 像 素電極 6 0. 1 基 底 6 0 2 底 薄膜 6 0 3 閘 電極 6 0 4 閘 絕緣薄膜 6 0 5 來 源區域 6 0 6 漏 極區域 6 0 7 L D D區域 6 0 8 通 道形成區域 6 0 9 通 道保護薄膜 6 1 0 絕 緣薄膜 6 1 1 源 電極 6 1 2 漏 電極 7 0 1 基 底 7 0 3 像 素矩陣電路 7 0 4 閘 側驅動電路 7 0 5 源 側驅動電路 7 0 6 邏 輯電路 7 0 7 相 反基底 7 0 8 撓 性印刷電路 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 >* 297公釐） • ΊΖ · A7 110 0 110 2 110 3 110 4 110 5 110 6 12 0 0 12 0 2 12 0 3 12 0 4 12 0 5 12 0 6 12 0 7 12 0 8 12 0 9 ·' 446 8 3 7 ____B7 _____ 五、發明說明（10 ) 使用者 通信單元 顯示單元 虛擬顯示 聲音收集裝置 影像收集裝置 使用者 小型通信單元 顯示單元 虛擬顯示螢幕 電子資訊 小型影像收集單元 對話之字幕 轉換聲音爲文字之裝置 虛擬螢幕 較佳實施例之詳細說明 如圖1中之圖形顯示，本發明爲一種資訊處埋裝置及 其系統，其中使用者1 1 0戴上一顯示單元1 0 3 (頭上 安裝型顯示）於頭上|並且在當看著一虛擬顯示螢幕 1 0 4時，藉由使用輸入終端單元1 0 1及控制軍元 1 0 2來執行資訊處理操作。 本發明之顯示單元1 0 3未被特別地限定，只要左眼 及右眼之液晶板是被安裝於·頭上，並且具有可辨識文字之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐〉 4-IIJHm — —! i I I m ^ ^------I - . (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財岌局具工消f合作社印製 446 83 7 A7 B7 五、發明說明（11 ) 解析度之一種虛擬的顯示螢幕（平面圖形或三維圖形之顯 示螢幕）可被達成β 此外，本發明之顯示單元之液晶板可被有效地製造， 藉使用由連續微粒邊界晶矽（連續微粒矽：c G S )所形 成之轉換成份的一種半導體薄膜。 此外，本發明之顯示單元被驅動於一頻率範圍（大約 45Hz以上），其中人類眼睛無法辨識即使介於液晶板 與眼睛之間的距離只有幾c m，以框轉換驅動，其中供應 至所有像素之電壓的正與負極被轉換於每個畫面（一螢幕 )。然而，於本發明中，只要像素TFT之線性序列掃描 被執行，且極性轉換驅動被執行於一頻率範圍（大約4 5 Hz以上），其中人類眼睛無法做辨識•則液晶板便不被 特別地限制。例如，此一液晶板可被使用於其線轉換驅動 被執行，其中供應至一特定像素群（例如，單線之像素群 或單行之像素群）之電壓的正與負極被轉換於每一畫面或 某周期，或者點轉換驅動被執行，其中供應至每個像素之 電壓的正與負極被轉換。 本發明之輸入終端單元1 0 1未被特別地限定，只要 輸入者可輸入資訊至控制單元。至於典型的單元，鍵盤， 滑鼠，控制器，相機，麥克風，等等可算在內。 控制單元1 0 2未被特別地限定，只要該單元至少包 含用以接收資訊自输入終端單元之裝置，用以儲存電子資 訊之裝置，以及用以傳輸圖形資訊至顯示單元之裝置。 至於用以輸入資訊至控制單元之裝置及用以傳輸圖形 本紙張尺度適用+國囷家標準（CNS>A4規格（210* 297公爱）

請 先 Η 讀 背 A 之 注 意 事 項 再 % I 5裝 I 訂 線 經濟部智慧对產局員工消t合作社印製 446 83 7 Α7 Β7 五、發明說明（12 ) 資訊至顯示單元之裝置，則電繞線，或光纖均可被使用。 即使採用一種無線結構以致資訊藉由光來傳輸也是適宜的 〇 (請先《讀背面之注—項养填寫本頁> 接下來，雖然本發明之實施例將被更詳細地說明，但 無需言明其本發明未被限定於這些實施例。 〔實施例1〕 圖1爲此實施例之資訊處理裝置之一槪圖》圖2爲顯 示此實施例之顯示單元（頭上安裝型顯示）的外部形狀之 —視圖。如此實施例中圖形之一顯示方法，顯示出2 D ( 平面圖形）β 如圖1中所顯示，顯示單元1 0 3被電連至輸入終端 單元101及控制單元102 (電腦，等）。那三項組成 了一種資訊處理裝置及其系統。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印*1*1 圖2中所顯示之顯示單元被提供以一條帶子2 0 3來 固定主體2 0 1於前用者的眼睛之前及0 . 2至2 . 6英 吋之小的活性矩陣型液晶板2 0 2來顯示圖形》於此實施 例中，1 . 4英吋之小型液晶板被使用。除了帶子2 03 ，任何裝置均可被使用以固定主體於使用者的眼睛之前* 例如，類似於眼鏡框之一種框可被使用。 於液晶板中，一塊板被配置給右眼而另一塊板被配置 給左眼。至於如何排列該液晶板，除了圖形中所顯示之結 構外，還可列舉一種系統，其中由液晶板所光學調變之圖 形被反射於一面鏡中或半面鏡中，而以一隻眼觀看。同時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格<210 X 297公釐） -ia- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 4683 7 Α7 Β7 五、發明說明（13 ) 於此例中，該液晶板被配置於主體2 0 1中。於此實施例 中·具有與傳統型式相同之光學系統被使用。 用以放大虛擬顯示圖形之尺寸的光學系統（凹陷的半 面鏡，等）可被提供於主體20 1中。於其狀況下，爲了 防止一放大之圖形變粗糙，最好是提供一擴散器（擴散板 )於液晶板之前。此外，也可能採用一種結構以提供背光 ，一種結構以提供調節介於眼睛等等之間寬度的功能；及 具有內建之音響單元等等於主體2 0 1中之一種結構。 此實施例中所顯示之液晶板是被提洪以色彩過濾器之 —種結構，而彩色圖形被形成以R (紅），G (綠）及Β (藍）。附帶地，用以製作彩色顯示之主色彩未被限定於 以上結構，而適宜之設定可被製作。 也可製作此一結構*其R (紅），G (綠）及Β (藍 )之光發射二極體被使用作爲背光且被結合於主體2，以 獲得一彩色圖片。如此例中之彩色顯示，例如，假如每個 色彩之光發射二極體之R，G，及Β之閃爍被重複以時間 序列，如R，G，Β，R，G，Β，R、…，於單一螢幕之 寫入周期（畫面頻率）之三倍的頻率，其被人類之眼睛辨 識爲一彩色圖形•於此例中*因無需色彩過濾器，故可獲 取光亮的顯示》 至於一種液晶板之系統，通常使用需背光之一種傳輸 型式。然而，假如一光學系統被適當地改變，則一反射型 式亦可被使用。 於此實施例所顯示之結構中，由2 0 2所代表之兩個 本纸張尺度適用中國S家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -16- — — — — — — — * — — — — — —-1 *^— — — — — — —1 « . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 4 4 6 8 3 7 _B7 五、發明說明（14 ) (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 液晶板的結構，尤其像素之排列的結構被製造如圖3中所 顯示。欲使得像素尺寸落於4 //mx 4 /im至4 5 #mx 3 0#m之範圍內》於此實施例中，像素尺寸爲28/zm X 2 8 。爲了增加一孔徑率，一活性矩陣區域3 0 6 之一像素被設置以致像素之區域變得很小<* 於圖3中，用於左眼之液晶扳的玻璃基底（或石英基 底）被指定爲307。於該基底307上，配置有周邊驅 動電路301及302。此外•一活性矩陣區域（像素矩 陣區域）303也被配置於其上。 用於右眼之液晶板的玻璃基底（或石英基底）被指定 爲3 0 8。於該基底3 0 8上，配置有周邊驅動電路 3 0 4及3 0 5。此外，一活性矩陣區域（像素矩陣區域 )306被配置於其上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於活性矩陣區域中，一閛線3 0 9及一源線3 1 0被 配置如一晶格，而一薄膜電晶體3 1 1被配置接近於其一 交叉點。藉此薄膜電晶體，其中像素電極3 1 2所保持之 電荷量被控制了，且液晶之傳輸光的量被控制了，於是被 藉由與其他像素結合於整個液晶板而獲得一圖形以製成此 一結構。 周邊驅動電路之排列是軸對稱於通過介於右與左液晶 板之軸3 0 0 »此軸3 0 0是基本上與一般區分面之中心 的線一致。 藉如此做，則有可能達成介於由右眼所見之右液晶板 的明顯結構與由左眼所見之左液晶板的明顯結構之間的對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公藿) -ΤΓ· AA6 83 7 A7 __B7___ 五、發明說明（15 ) 稱》此外，液晶板可被排列成對稱於對稱軸3 0 0。 此變爲很重要在確保結構之平衡中。由尤其在頭上安 裝型顯示中，因液晶板之位置接近眼睛，故此點變爲很重 要。 圖4顯示該顯示單元內部之方塊圖之一實例*附帶地 ，圖4之液晶板對應於圖3之液晶板。顯示單元之內部被 提供以液晶控制器4 0 1 a及4 0 1 b ·時序產生電路 4 〇 2，等等。 該時序產生電路4 0 2產生一同步信號，例如一時鐘 信號，以調整顯示之時序。於此實施例中，區分一信號爲 兩個給右與左液晶板之程序被執行以一外界裝置（控制單 元，等等）。液晶控制器（電路）401a與401b處 理轉換來自外界〔來自控制單元（電腦，等）之圖形資訊 信號4 0 5，用以儲存圖形之儲存裝置（光磁儲存媒體， 磁性儲存媒體，等），電視調諧器，等等〕之信號爲一種 可由左與右液晶板所顯示之信號。然而，無需赘述其顯示 單元主體4 0 0中之信號處理順序可藉由電路設計而被適 當地改變。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 {請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 假如液晶控制器40 1 a與40 1 b，及時序產生電 路4 0 2被形成爲相同基底上之液晶板的周邊電路，則有 可能使得顯示單元主體進一步變輕而且被結合。 此外，也有可能採用此一結構，其顯示單元具有切斷 外界資訊之功能，或叠置一虛擬螢幕於周圍景觀上之功能 。於資訊處理操作中，當外界被隔離之狀況下，使用者可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公轚) "1»- A7 ；ii 4 46 83 7 __B7 _ 五、發明說明（16 ) 專注於虛擬的顯示螢幕上。此外，因使用者被隔離自周圍 的環境，他或她可放輕鬆。當有提供叠置虛擬螢幕於周圍 景觀上之功能時，其虛擬顯示圖形及輸入裝置（鍵盤，等 )可被同時看見，以致資訊處理之操作變得簡單。當然， 最好是應用此一結構，其前述兩項功能均被提供，且一切 換裝置被提供以使得使用者可自由地決定那些功能之切換 。此外，也有可能採用此一結構•其顯示單元被提供以依 據輸入圖形信號來自動做出切換之功能。 至於此實施例之圖形的顯示方法，因顯示出2 D (平 面圖形），故相同之信號藉由液晶控制器而被彤成爲給右 眼之一圖形信號4 0 6及給左眼之一圖形信號4 0 7 ·並 且被輸入至液晶板。 於本發明之顯示單元中所使用的液晶板（給右眼的液 晶板40 3，給左眼的液晶板404)之中，像素TFT 之線性序列掃描被執行，而像素之數目有如此多以致其可 配合未來的ATV(先前的TV)。因此，該板具有 XGA以上之高解析度，例如，1920x1280於水 平與垂直上。 本發明之顯示單元被驅動以畫面轉換驅動，其中供應 至所有像素之電壓的正與負極被轉換以每個畫面（單一螢 幕）於頻率範圍（大約60Hz以上），其中人類眼睛無 法做出辨識即使介於液晶板與眼睛之間的距離是小如幾 c m。於此實施例中，供應至所有像素之電壓的正與負極 被轉換以每個畫面（單一螢幕）於6 OH z之頻率· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ297公* ) "：----^ — ^---l·-------— ΙΙΙΊ ------.Μ <請先《讀背面之注意事項异填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消费合作社印*'Λ 4 46 8 3 7 A7 B7 五、發明說明（17) <請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 本發明之液晶板的特徵爲：其轉換元件（TFT)之 通道形成區域被形成以連續的微粒邊界晶矽（連續微粒砂 :CGS)，像素TFT之線性序列掃描被執行，以及交 流電驅動被執行人類眼睛無法辨識之頻率範圍（大約4 5 Hz 至 180Hz，最好是 60 至 85Hz)。 〔實施例2〕 此實施例說明一種顯示單元（頭上安裝型顯示）被使 用以虛擬地顯示3 D (三維圖片）影像之一實例。此實施 例將參考圖4而被說明•一種顯示裝置之液.晶板的特徵爲 :某轉換元件之半導體薄膜被形成以連續的微粒邊界晶矽 (CGS)，像素TFT之線性序列掃描被執行，以及交 流電驅動被執行於人類眼睛無法辨識之頻率範圍（大約 45Hz 至 180Hz)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對於3 D (三維圖形）影像，準備有兩個不同的圖形 資訊，即，給右眼之一圖形信號4 0 6及給左眼之一圖形 信號4 0 7。於此實施例中，兩個不同的圖形信號被形成 以一外界單元（控制單元，儲存單元，等），並且它們被 個別輸入至右眼之一液晶板及左眼之一液晶板，以致簡化 了該顯示單元。 在兩個圖形信號4 0 6及4 0 7藉由兩個影像接收裝 置而被獲得以採用三維圖形之狀況下，其所獲得之圖形資 訊宜被直接地使用。 前述之兩個不同的圖形信號被形成以液晶控制器 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公51 ) 446 8 3 7 A7 B7 五、發明說明（18 ) (請先W讀背面之泫意事項再填寫本頁) 4 0 1 a或4 0 1 b，並且被輸入至右眼之液晶板及左眼 之液晶板，以獲得一 3 D (三維圖形）影像。即，在液晶 控制器40 1 a及40 1 b中，一圖形資訊信號4 0 5被 轉換爲此一信號以致其顯示於液晶板上之圖形被人類眼睛 辨識爲一 3D (三維圖形）影像》然而，無需赘述其顯示 單元主體4 0 0中之信號處理順序可由電路設計來適當地 改變。 此外，最好是採用提供一切換開關等等於顯示單元主 體4 0 0中之一種結構以致2 D (平面圖形）也可被顯示 〔實施例3〕 於此實施例中，製造步驟之一實例，其中一活性矩陣 區域與一周邊驅動電路被整合於一玻璃基底或一石英基底 上，而進一步，製造一液晶板，將參考圖5 A至5 E而被 說明》藉使用此實施例中所顯示之製造步驟*於圖2至4 中所顯示之液晶板可被達成。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 首先，如圖5A中所顯示，具有厚度3 0 0 0A而當 作一底部薄膜之一矽氧化物薄膜5 0 2藉由濺射方法以被 形成於一絕緣薄膜5 0 1上。 接著•具有厚度4 0 Ο A之一未顯示的非結晶矽薄膜 藉由一種低壓C VD方法而被形成《此非結晶矽薄膜被結 晶化以獲得一種被稱爲連續微粒邊界矽（C G S )之晶矽 薄膜。此晶矽薄膜被塑形以形成圖5A中之型態503， 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS>A4規格（^10 * ) " 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（19) 5 0 4，及5 0 5。此種稱爲CGS之晶矽薄膜的製造方 法將被說明於後面的實施例4之中。 這些型態變爲薄膜電晶體之活性層。此處，型態 5 0 3變爲一種構成周邊驅動電路之CMO S電路的 NMOS (N -通道薄膜MOS電晶體）之一活性層。 型態5 0 4變爲構成周邊驅動電路之CMO S電路的 PMOS (P —通道薄膜MOS電晶體）之一活性層。 型態5 0 5變爲配置在一像素上的NMOS (N —通 道薄膜MO S電晶體）之一活性層。 以此方式，其圖5 A中所顯示之狀態被達成。接下來 |在導電薄膜形成後，便執行塑型，而如圖5 B中所顯示 *閘電極型態507，508，及509被形成。至於閘 電極之材料，主要含有金屬材料，例如Ta (耝），A1 (鋁），Mo (鉬），W (鎢），及Ti (鈦），之軍一 層或其壓板層可被使用。具有這些金屬成份之矽化合物的 矽化物也可被使用。 於此實施例中，含有0 . 18wt%之銃且厚度 4 0 0 0 A的鋁薄膜被形成以一種濺射方法。此處，銃被 製成能抑制由於接續步驟中之鋁的不正常成長所形成之小 丘或觸鬚》 在鋁薄膜形成之後，具有濃密薄膜品質且厚度約 1 0 0 A之一種未顯示的正極氧化薄膜被形成於鋁薄膜之 表面上。 此處，由中和含有3 %之酒石酸的乙烯乙二醇溶液與 本紙張尺度適用中因因家標準<CNS)A4規格（210 χ 297公釐） HI J — 1^-------裝---------訂 ----------線 <請先M讀背面之注意事項辱填寫本頁) 446 8 3 7 A7 B7 經-部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（20) 氨水所得之一種溶液被使用當作一種電解溶液。於此電解 溶液中，白金被製成陰極，鋁被製成陽極，而電流流經介 於兩個電極之間，以致一陽極氧化物薄膜可被形成於鋁薄 膜之表面上。 此陽極氧化物薄膜具有濃密而堅固的薄膜品質，且具 有一功能以增加介於一接續形成的抗蝕劑掩膜與鋁薄膜之 間的黏著性。此陽極氧化物薄膜之厚度通常可由一供應電 壓所控制。 在具有未顯示之陽極氧化物薄膜的未顯示之鋁被獲得 後，一抗蝕劑掩膜被形成於其表面上，而藉使用掩膜來執 行塑型。以此方式•圖5B中之閘電極型態507，50 8，及509被獲得。 在閘電極型態507，508，及509被獲得後， 一陽極氧化物薄膜被再次形成。此陽極氧化物薄膜之形成 也被執行以使用由中和含有3%之酒石酸的乙烯乙二醇溶 液與氨水所得之一種電解質溶液》 此處，此陽極氧化物薄膜之厚度爲1 0 0 0 A。此陽 極氧化物薄膜具有一種功能以電性地及物理性地保護由鋁 所製之閘電極的表面》

接下來，摻雜雜質以提供一種導電型式被執行以使用 閘電極及其上之陽極氧化物薄膜作爲掩膜。於此步驟中， 抗蝕劑掩膜被選擇性地配置，而P (磷）與B (硼）之摻 雜被交替且選擇性地執行以一種電漿摻雜方法，以致N -型區域50，52，56，及58被形成。進一步地，P 本纸張尺度適用中囤因家標準（CNS)A4規格（210 * 297公;i ) — — — — — — 111--- 訂 _ Ί I 1111 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局負工消费合作钍印製 A7 B7 五、發明說明（21 ) 一型區域53及55被形成。 在摻雜結束後，雷射光之輻射被執行’以致摻入之雜· 質被啓動而摻雜上之損害被韌化。 此處，區域5 0變爲NMO S之一來源區域，區域 5 2變爲NMOS之一漏極區域，區域5 3變爲PMOS 之一漏極區域，而區域5 5變爲PMO S之一來源區域。 區域5 6變爲NMO S之一漏極區域，而區域5 8變爲 NMOS之一來源區域。區域5 1，54，及57變爲個 別之薄膜電晶體的通道形成區域。 以此方式，圖5 B中所顯示之狀態被達成。接著，構 成第一間層絕緣薄膜且具有厚度2 Ο Ο Ο A之一矽氮化物 薄膜513被形成以一種電漿CVD方法》 進一步地，構成第一間層絕緣薄膜且由polyimide樹脂 所製造之一薄膜5 1 4藉使用一種旋塗方法而被形成。除 了 polyimide 樹脂外，還可使用 polyimide，polyimide 酸胺 ，等等。此處| 一種樹脂材料被使用於間層絕緣薄膜，因 其表面可被做成平坦。 以此方式，如圖5 C中所顯示之狀態被達成。接著接 觸洞被形成，而由一種鈦薄膜及一種鋁薄膜與鈦薄膜之壓 層薄膜所製作之電極515，516，517，及518 被形成。 此處*鈦薄膜之厚度爲1000A，而鋁薄膜之厚度 爲2 0 0 0 A。其個別之薄膜被形成以一種濺射方法。 於此狀態中·構成周邊驅動電路之C. MO S電路被形 本纸張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 * 297公藿)·说_ n 1.111------^-------i^J--------^ <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 446837 B7 五、發明說明（22 ) 成。電極5 1 8變爲活性矩陣電路之一源線或來自該源線 之一延伸。 以此方式，則圖5 D中所顯示之狀態被達成。接下來 ，由polyimid樹脂所製造之第二間層絕緣薄膜5 1 9被形 成。接著，一接觸洞被形成，而由I TO所製造之一像素 電極520被形成》 以此方式•則圖5 E中所顯示之狀態被達成。在圖 5 E中所顯示之狀態被達成後，一種於3 5 0 °C之氫氣中 的熱處理被執行一小時。以此方式，其T F T被製造· 於此實施例中，雖然一種頂閘型式之TFT被舉爲範 例，但是還可採取一種使用底閘型式T F T之結構》圖6 顯示一個底閘型式T F T之結構的範例。參考數字6 0 1 代表基底，602代表一底部薄膜，603代表閘電極， 6 0 4代表一閘絕緣薄膜，6 0 5代表一來源區域， 6 0 6代表一漏極區域，6 0 7代表一 LDD區域， 6 0 8代表一通道形成區域，6 0 9代表一通道保護薄膜 ，6 1 0代表一間層絕緣薄膜，6 1 1代表一來源電極， 而6 1 2代表一漏電極》 在以底閘型式爲T F T之結構的狀況下，以相同的方 式，其通道形成區域6 0 8被形成以使用一種稱爲CGS 之連續的微粒邊界晶矽薄膜。即，於本發明中，TFT之 結構未被限定於一種特定的結構。 之後，多數由CGS所形成之TFT構成一像素矩陣 電路7 0 3，一閘側驅動電路7 0 4，一來源側驅動電路 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） l·'--Μ- J -----裝 i!!r 訂 --------線 1 (請先Μ讀背面之沒意事項再填寫本I) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -lZb- 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 446 83 7 Α7 Β7 五、發明說明（23) 70 5，及一邏輯電路706於基底上。一相反基底 7 0 7被接合至此一活性矩陣基底。一液晶層（未顯示） 被保持介於活性矩陣基底與相反基底7 0 7之間（圖7 ) 如圖7所顯示之結構中，最好是除了一側以外之活性 矩陣基底的所有側均被製成與相反基底之側一致。藉由如 此做，其取自一大基底之片的數目可被有效地增加。於前 述之一側中，相反基底之一部份被移除以暴露活性矩陣基 底之一剖份，而一FPC(撓性印刷電路）708被附著 至其上。當需求增加時，則一I C晶片（由形成於單晶矽 上之MO S F E T所構成之半導體電路）可被安裝於此部 份之上。 因爲包含C G S之一活性層的T F T具有非常高的操 作速度，所以有可能整合地形成以幾百ΜΗ z至幾GH z 之高頻率所驅動的一種信號處理電路於相同的基底上，當 一像素矩陣電路被形成時》即，圖7中所顯示之一液晶模 組實現了一種板上系統。 附帶地，本發明不只被應用至驅動電路整合型式之液 晶顯示單元，也同樣應用至一種所謂的外界顯示單元，其 中一驅動電路被形成於與液晶板不同之基底上♦ 於此實施例中，雖然已說明了其本發明被應用至液晶 顯示單元之狀況中，但還是有可能建構一種活性矩陣型式 E L (場致發光）顯示單元等等。也有可能彤成一種被提 供以一光電轉換餍於相同基底上之一影像感應器等。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 丨丨7!·;-------裝---------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填Κ本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 446 83 7 A7 __B7____ 五、發明說明（24 ) 如同前述之液晶顯示單元，E L顯示單元，及影像感 應器，其具有一種功能以轉換光學信號爲電子信號或轉換 電子信號爲光學信號之裝置被定義爲一種電光裝置。本發 明可被應用至所有的電光裝置，假如它們可藉由使用半導 體薄膜（C G S )於具有一絕緣表面之基底上而被形成的 話。當然，此實施例可被自由地與實施例1或實施例2相 結合。 〔實施例4〕 前述實施例3之連續微粒邊界晶矽（連續微粒矽： C G S )的一種製造方法及其結構將參考圖8至1 0而被 說明》 、 〔CGS之製造方法〕 首先，一非結晶的半導體薄膜被形成於一絕緣基底上 ，藉由一種低壓CVD方法，_種電槳CVD方法，或一 種濺射方法。 至於非結晶的半導體薄膜，一種非結晶的矽薄膜可被 典型地使用。除此之外，作爲半導體薄膜，由 S ixGei-x (〇<χ<1)所指示之一種矽與鍺的混合 物也可被使用•非結晶半導體薄膜之厚度爲2 5至1 0 0 nm(最好是3 0至6〇nm)。 因爲混合在薄膜中之雜質，例如碳，氧，及氮，可能 P且礙後來的結晶化，所以最好是徹底地減少它們。明確地 — — IJIIIIIIII1 — — —— — — If — — — — — — — I t請先閱讀背面之注意事項再填S本頁} 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱) -'K ~ 446 83 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（25) 說，最好是其任何碳或氮之集中少於5 X 1 0 18原子/公 分3 (通常不大於5 X 1 〇17原子/公分3),而氧之集中 少於1 · 5xl019原子/公分3 (通常不大於lx 10 18原子/公分3)。假如雜質集中爲前述者，則於一 完成之T F T中之前述的雜質也會落入前述之範圍內。 在薄膜形成的時刻，加入一種雜質成分（族群1 3中 之成分，通常爲硼，或族群l· 5中之成分，通常爲磷）以 控制TFT之一門限電壓（Vt h)是很有效的》在前述 之V t h控制雜質未被加入之狀況下，必須考慮V t h以 決定加入之量。 接下來，執行非結晶半導體薄膜之一結晶化步驟。至 於結晶化之裝置，使用由本發明者於日本專利申請公開編 號He i . 7 — 1 30652中所揭露之一種技術。雖然 該著作之實施例1與實施例2的任何裝置均可被使用，但 是於本發明中，最好是使用實施例2中所述之技術內容（ 詳細地揭露於日本專利申請公開編號He i . 8 — 7 8 3 2 9中）。整個這些專利之揭露被結合於此作爲參 考。美國專利編號5，643，826相關於日本公開7 一 1 3 0 6 5 2。整個此美國專利之揭露也被結合於此作 爲參考。 依據日本專利申請公開編號He i . 8 — 78 3 29 中所揭露之技術，首先，形成用以選擇催化成分之加入區 域的掩蔽絕緣薄膜·接著，含有用以幫助非結晶半導體薄 膜之結晶化的催化成分之一溶液被塗抹以一種旋塗方法， 本纸張尺度適用中SS家標準（CNS)A4規格（210*297公釐） i ill------裝-------—訂----------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 446 8 3 7 ___B7____ 五、發明說明（26 ) 而形成一催化成分包含層。 {請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 至於催化成分，可使用選自鎳（Ni)，鈷（Co) ，鐵（Fe)，鈀（Pd)，白金（Pt)，銅（Cu) ，金（Au)，鍺（Ge)，及鉛（Pb)之一種或多種 成份。尤其，最好是使用鎳，其對於矽具有優越的晶格堅 度。 前述之催化成分加入步驟不限定於旋塗方法，而一種 鐵植入方法或使用一掩膜之電漿摻雜方法亦可被使用。於 此例中，因易於減少加入區域之佔據的部分且易於控制側 邊生長區域之生長距離，故其變爲一種有效的技術，當建 構一微觀的電路時。 接下來，在催化成分之加入步驟結束後，便執行脫氫 2小時於大約5 0 0 °C，且接著執行熱處理於一種惰性氣 體，氫氣•或氧氣在500至700 °C (通常550 °C至 650 °C，最好是570 °C)之溫度下4至24小時以結 晶化該非結晶的半導體薄膜。 烴濟部智慧財產局員工消费合作钍印製 此時，非結晶半導體薄膜之結晶化首先進行自加入以 催化成分之區域中所產生的核心，且形成幾乎平行於基底 之表面所增長的結晶區域》本發明者稱此結晶區域爲一側 邊生長區域》該側邊生長區域具有優越之總結晶性的優點 ，因爲個別的晶體聚集於一種相當均勻的狀態。 在用以結晶化之熱處理結束後，其掩蔽絕緣薄膜被移 除且用以移除催化成分之熱處理（催化成分之吸氣步驟） 被執行。於此熱處理中，一種鹵素成分被包含於一種處理 本紙張尺度適用中S國家樣準（CNSM4規格（210 X 297公釐） ” 446 83 7 A7 A7 B7 五、發明說明（27) 氣體中，並且用於金屬成分之鹵素成分的吸氣效果被使用 〇 <锖先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了足夠地達成藉由鹵素成分之吸氣效果，最好是執 行上述熱處理於超過7 0 0°C之溫度。假如溫度未高於 7 0 0°C ·則於處理氣體中分解一鹵素化合物變得困難， 以致會擔心其吸氣效果無法被達成。因此，熱處理之溫度 最好是800至1000 °c (通常95〇r)，而處理時 間爲0 . 1至6小時，通常0 . 5至1小時。 通常*熱處理宜被執行於含有0.5至l〇Vo1% (最好是3V〇 1%)之氯化氫（HC 1 )中30分鐘在 9 50 t之下。假如HC 1之集中度高於上.述之集中度， 則相較於薄膜厚度之不均等被產生於側邊生長區域之表面 上。因此，此一高集中度是不適宜的。 至於含有鹵素成分之化合物，其選自含有鹵素成分之 化合物，例如HF，NF3，HBr，Cl2，C1F3， BC 13，F2AB γ2，之一種或多種化合物可被使用， 除了HC1氣體之外。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*1^ 於此步驟中，側邊生長區域中之催化成分藉由氯之作 用而被吸氣，且被轉化爲揮發性的氯化物，其被釋放至空 氣中且被移除。在此步驟之後，其側邊生長區域中之催化 成分的集中度被降低至5 X 1 017原子/公分3以下（通 常爲2xl 017原子/公分3以下）· 如此所獲得之側邊生長區域顯示了均勻的晶體結構* 其乃由桿狀或平坦之桿狀晶體的組織所組成》其特徵將被 本紙張又度適用申因國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 446837 A7 B7 五、發明說明（28) 說明如下。 (請先《讀背面之沒f事項再填寫本買) 〔關於一種側邊生長區域之晶體結構的發現〕 依據前述製造步驟所形成之側邊生長區域具有微觀地 一種晶體結構，其中多數桿狀（或平坦之桿狀）晶體被排 列以幾乎彼此平行具規律地朝向一特定方向*此可藉由一 種TEM(傅輸電子顯微鏡）之觀察而被輕易地確認。 本發明者藉由一種HR-TEM(高解析度傳输電子 顯微鏡）（圖8 A )來詳細觀察本發明之半導體薄膜的晶 體微粒邊界。在本說明書中，晶體微粒邊界被定義爲在其 中不同之桿狀晶體彼此接觸之介面上所形成的一種微粒邊 界，除非另有規定。因此，該晶體微粒邊界被視爲不同於 ，例如，由分離側邊生長區域之碰撞所形成的一巨觀微粒 邊界。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印5^ 前述之HR — TEM (高解析度傳輸電子顯微鏡）是 一種方法，其中一樣本被垂直地輻射以一電子光束且原子 與分子之排列被預測以使用傳输電子之干擾或彈性散射之 電子•藉使用此方法，其有可能觀察到晶體晶格之排列狀 態爲晶格條》因此，藉由觀察晶體微粒邊界，其有可能推 論厚子於晶體微粒邊界上之結合狀態。 在由本發明者所獲得之TEM照片（圖8A)中，其 兩個不同晶體微粒（桿狀晶體微粒）彼此接觸於晶體微粒 邊界上之狀態被淸楚地觀察到。此時，藉由電子光束撓射 而可確定其兩個晶體微粒幾乎爲{ 1 1 0 }定向*雖然有 本纸張尺度適用中國囷家標季（CNTS)A4規格（210 X 297公爱） A7 446837 __B7 五、發明說明（29 ) —些偏差包含於晶體軸中。 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述藉由TEM照片之晶格條的觀察中，相應於一 {111}平面之晶格條被觀察到在彳110}平面中》 相應於{ 1 1 1 }平面之晶格條指示此一晶格條，其當晶 體微粒被沿著晶格條切割時，則丨1 1 1 }平面出現於該 部位中。有可能只經由介於晶格條之間的距離來確定晶格 條所對應之平面》 此時，本發明者詳細地觀察本發明之半導體薄膜的 TEM照片，而結果，獲得非常有趣的發現。在照片中所 見之兩個不同晶體微粒的任何一個之中，其相應於{ 1 1 1 }平面之晶格條被看見。並且可觀察到其晶格條明 顯地彼此平行。 此外，不管晶體微粒邊界之存在*其兩個不同晶體微 粒之晶格條被互相連接以越過晶體微粒邊界》即，可確定 其幾乎所有被觀察到越過晶體微粒邊界之晶格條爲線性連 續的，儘管它們是不同晶體微粒之晶格條。此事實適用於 任何晶體微粒邊界。 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 此一晶體結構（即晶體微粒邊界之結構）指示其兩個 不同之晶體微粒以絕佳的嚙合彼此接觸於晶體微粒邊界中 。即，晶體晶格被連續地彼此連接於晶體微粒邊界中，以 致其因晶體缺陷等而引發之陷阱能及所不易形成之此一結 構被形成》換言之，可以說其晶體微粒邊界中之晶體晶格 爲連續的。 在圖8 Β中，做爲參考，本發明者同樣以電子光繞射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 446 83 7 A7 __B7 五、發明說明（30 ) {請先《讀背面之注意事項再填寫本頁> 及HR- TEM觀察來執行分析於一傳統的聚晶矽薄膜（. 所謂的高溫聚矽薄膜）。結果，被發現其晶格條散佈於兩 個不同的晶體微粒中並且幾乎沒有連接連續存在於具有絕 佳嚙合之晶體微粒邊界中。即，被發現有許多部分，其中 晶格條被切割於晶體微粒邊界，並且有許多晶體缺陷。 本發明者視其以良好嚙合而彼此相對應之晶格條之例 中的原子連結狀態，如同使用於本發明中的半導體薄膜之 中，爲嚙合連結，並且視該時刻之一連結爲一嚙合連接》 相反地，本發明者視其未以良好嚙合彼此相對應之晶格條 之例中的原子連結狀態，常見於傳統的聚晶矽薄膜之中， 爲不嚙合連結*並且視該時刻之一連結爲一不嚙合連結（ 或一垂懸連結）。

經濟部智慧財產局貝工消費合作社印S 因本發明中所使用之半導體薄膜於晶體微粒邊界上具 有絕佳的嚙合，故前述之不嚙合連結是非常少的。由本發 明者所執行之對於任意之多數晶體微粒邊界的硏究所得之 結果，其不嚙合連結相對於總連結之存在比率爲1 0%或 更少（最好是5%或更少•尤其好的是3%或更少）。即 ，總連結之9 0%或更多（最好是9 5%或更多，尤其好 的是9 7%或更多）被建構以嚙合連結。 圖9 A顯示以依據前述步驟所形成之一側邊生長區域 的電子光束繞射所觀察得之結果。圖9 B顯示所觀察到用 以比較之傳統聚矽薄膜（被稱爲高溫聚矽薄膜）的電子光 束繞射型態。 · 在圖9 A及9 B所顯示之電子光束繞射型態中，一電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公« ) A7 446837 _B7 五、發明說明（31 > 子光束之一輻射區域的直徑爲4.2·而一足夠寬 廣區域之資訊被收集。此處所顯現之照片顯示對於任意多 數部位之調査結果中的典型繞射型態。 於圖9 Α之例中，相應於< 1 1 〇 >入射之繞射點相 當淸楚地呈現，而可確定其電子光束之輻射區域中的幾乎 所有晶體微粒爲{ 1 1 0 }定向。另一方面*於圖9 B所 顯示之傳統高溫聚矽薄膜之例中，無法看見淸楚的規律性 於繞射點中，並且發現其具有除了 { 1 1 0 }平面外之平 面定向的微粒邊界被不規律地混合。 因此，本發明中所使用之半導體薄膜的特徵爲：雖然 此薄膜爲具有晶體微粒邊界之半導體薄膜，但此薄膜仍顯 示特別針對{ 1 1 0丨定向具有規律性之電子光束繞射型 態。當比較電子光束繞射之型態時，其與傅統半導體薄膜 之差別是很淸楚的。 如上所述，由前述製造步驟所製之半導體薄膜爲一種 具有相當不同於傳統半導體薄膜之晶體結構（即晶體微粒 邊界之結構）的半導體薄膜。本發明者已解釋對於本發明 中所使用之半導體薄膜的分析結果於曰本專利申請編號 Hei .9-55633，Hei .9-165216 及 He i . 9 — 2 1 2428，美國待審專利序號 09/027，344，09/084，738 及 0 9/1 2 0，2 9 0，其整個揭露被結合於此以作爲參 考。 因爲如上述之本發明中所使用之半導體薄膜的9 0% 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公g ) ----^ I I I I H illl — ΙΓ ------- (請先Mtt背面之>i意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 446 83 7 A7 B7 五、發明說明（32) <請先《讀背面之注項再填寫本頁) 以上之晶體微粒邊界被建構以嚙合連結，所以它們幾乎不 具有當作一障礙以阻擋載體移動之功能。即，可以說其本 發明中所使用之半導體薄膜基本上不具有晶體微粒邊界。 在傳統的半導體薄膜中，雖然晶體微粒邊界被當作一 障礙以阻擋載體之移動，但因此一晶體微粒邊界基本上不 存在於本發明所使用之半導體薄膜中，故可使實現高的載 體移動性。因此•藉使用本發明中之半導體薄膜所製造之 —種T F T的電特性顯現出非常優良的數値。以下將作說 明。 〔對於一種T F T之電特性的發現〕 因爲本發明中所使用之半導體薄膜可被基本上視爲單 晶體（晶體微粒邊界基本上不存在），所以使用半導體薄 膜當作一活性層之一 T F T顯現出可比得上使用單晶矽之 一MO S F E T的電特性。由本發明者實驗性地形成 TF T所獲得的資料被顯示如下。 經濟邨智慧时產局3工消費合作社印製 (1 )對於N—通道TFT及P —通道TFT而言， 其當作顯示TFT之轉換性能（開/關操作之錢換中的敏 捷度）之一指數的副門限係數爲6 0至1 0 OmV/拾（ 通常爲60至85mV/拾）。 (2 )其當作顯示N-通道T F T之操作速度之一指 數的場效移動性（#FE)爲2 00至6 5 0 crri/Vs (通常爲250至300c ma/ Vs) *而P -通道 TFT爲 100 至 300c iri/ Vs (通常爲 150 至 本紙張尺度適用中因國家標準（CNS)A4規格（210x297公* ) 446 83 7 Α7 Β7 五、發明說明（33) 20〇cnf/Vs)。 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (3 )其當作指示N —通道TFT之驅動電壓之一指 數的門限電壓爲一 0 · 5至1 · 5V，而P—通道TFT 爲一 1· 5 至 0 5V- 如上所述，已被確定其優異的轉換特性及高速的操作 特性可被實現。 附帶地，於C G S之形成中，在高於結晶化溫度之一 溫度（7 0 0至1 1 0 0°C)下之前述的鍛鍊步驟扮演了 關於晶體微粒中之缺陷減低的一個重要角色。如以下之說 明。 圖1 Ο A爲晶矽薄膜之TEM照片，在某一時間點當 已完成截至前述之結晶化步驟時，其被放大了 2 5萬倍。 在晶體微粒中被確定有如箭號所指示之鋸齒形缺陷（因對 比之差異而出現之黑色部分及白色部分。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然此缺陷主要爲壓層缺陷，其中一矽晶體晶格平面 上之厚子的壓層順序是有差異的，但還有一種錯置的狀況 。其圖10A顯示具有平行於{111}平面之一缺陷平 面的一種壓層缺陷》其可被確定自該鋸齒形缺陷被彎曲於 大約7 0 °之事實》 另一方面，如圖1 Ο Β中所顯示，於本發明所使用之 晶矽薄膜中，其被放大以相同的倍率*而確定其由壓層缺 陷，錯置，等等所引發之缺陷幾乎看不見，且結晶性是很 高的=此傾向可見於處個薄膜表面，而即使在本環境下不 易減少缺陷之數目至零，但仍有可能減少該數目至基本上 •加- 本紙張尺度適用中SS家標準<CNS>A4規格（210x 297公轚） A7 ;44683 7 __B7_____ 五、發明說明（34 ) 爲零。 即，於本發明所使用之晶矽薄膜中，其晶體微粒中之 缺陷被減少至其缺陷幾乎可被忽略之程度，並且晶體微粒 邊界因其高連續性而無法變爲阻擋載體移動之障礙，以致 該薄膜可被視爲單晶體或本質上的單晶體。 因此，於圖1 Ο A及1 〇 B之照片所顯示的晶矽薄膜 中，雖然任一晶體微粒邊界具有幾乎相等之連續性，但在 晶體微粒中之缺陷數目上仍有極大差異。本發明之晶矽薄 膜的電特性之所以甚高於圖1 〇 A所顯示之晶矽薄膜主要 在於其缺陷數目之差異。 從以上所述，可了解其催化成分之吸氣程序爲本發明 中之一不可缺少的步驟。本發明者考慮以下模型於此步驟 中所發生之一現象。 首先，在圖1 0A中所顯示之狀態下，催化成分（通 常爲鎳）被分離以晶體微粒中之缺陷（主要是壓層缺陷） 。即，可想得到有許多具有如S i — N i — S i之形式的 連接。 然而，當藉由執行催化成分之吸氣程序而移除存在缺 陷中之N i時，則S i — N i之連接被切斷。因此，矽之 剩餘連接立即形成S i - S i連接且變得穩定。以此方式 >該缺陷即消失了。 當然，雖然已知其晶矽薄膜中之缺陷會因高溫下之熱 退化而消失，已假定其因具有鎳之連接被切斷且許多未成 對之連接被產生，以致矽之再結合被順利地執行。 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公a ) -37^ — — — — — — — · - I J I I I I -I — — — — <請先«讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧时產局員工消費合作钍印製 446837 A7 B7 五、發明說明（35) {請先《讀背面之江意事項溽填寫參荑) 本發明者亦考慮一種模型，其中晶矽薄膜以高於結晶 化溫度之溫度（7 0 0至1 1 〇 〇°C)的一種熱處理而被 連接至其下薄膜並且其黏合性被增加，以致該缺陷因而消 失。 本發明中所使用而因此獲得之晶矽薄膜（圖1 Ο B ) 之特徵爲其晶體微粒中之缺陷數目甚小於晶矽薄膜，其中 只有執行結晶化。缺陷數目之差異藉由ESR(電子自旋 共振）之分析而呈現爲自旋密度之差異。在本環境下，本 發明中所使用之晶矽薄膜的自旋密度至少爲1 X 1 0 18旋 轉/公分3 (最好是5 X 1 017旋轉/公分3或更少）。 本發明中所使用之晶矽薄膜具有上述之晶體結構，並 且其特徵被視爲連續的微粒邊界晶矽（連續微粒矽： C G S ) · [實施例5〕 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 在每個上述實施例之顯示單元中，在欲實現高解析度 之例中，其寫入週期須被縮短。此實施例顯示一範例，其 中在使用相當高品質之圖形資訊的狀況中，其基本上無門 限値之一反鐵電液晶被當作上述個別實施例中所使用之液 晶板的液晶材料。 因爲傳統L C D中所使用之液晶材料對於電壓之施加 具有一緩慢的回應速度（數十ms至數百ms)，即使一 驅動電路被建構以可在高頻帶中操作之T F T，藉由使用 ’例如’晶矽（C G S )，其液晶材料仍無法回應高度操 本纸張尺度通用令S囡家標準（CNTS)A~1規格（210 X 297公爱) ·北- 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 446837 A7 B7 五、發明說明（36) 作。 然而，於此實施例中，晶矽（CGS)被使用’一種 可在高頻帶中操作之T F T被當作液晶板之轉換元件，並 且使用一種對於電壓之施加具有高回應速度而基本上無門 限値之反鐵電液晶，以致有可能實現具有高度細微，高解 析度，且無閃爍之顯示單元。 〔實施例6〕 此實施例顯示某結構之一例，其中R (紅），G (綠 )，及B (藍）之光發射二極體被使用爲背部光並且被結 合至一顯示單元主體中，以獲得一彩色圖片。如此例中之 彩色顯示，假如光發射二極體之R ’ G ’及B的閃爍被重 複以一頻率，該頻率爲每個如R，G，B，R，G，B * R，…之時間序列中的一個螢幕之一寫入週期（被稱爲一 畫面頻率）的三倍•則其可被人類眼睛辨識爲一彩色圖片 。於此實施例中，一個螢幕被寫入以6 OH z，而光發射 二極體之R，G，及B的閃爍被重複以180Hz，其値 爲每個色彩於R，G ’ B ’ R，G，B，R…之時間序列 中之寫入頻率的三倍。一個螢幕之寫入週期（被稱爲一畫 面頻率）未被特別地限定，只要其爲4 5H z以上’最好 是6 OH z以上。於此例中，因爲無需色彩過濾器，故可 獲得光亮之顯示。 除了光發射二極體之外，例如E L元件之一光發射元 件亦可被使用以形成背面光。附帶地，此實施例可與實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公« ) — — — — — — — — — — — — — — If ·1ιι{ — — — — (請先《讀背面之注意事項再填寫本賈) A7 446837 __B7 五、發明說明（37 ) 例1至5任意地結合。 〔實施例7〕 於此實施例中，將參考圖1 1而說明一範例，其中上 述個別實施例之一顯示單元（C G S被使用於液晶板的一 個轉換元件之一波道形成區域）被用來執行一資訊通信操 作。 圖1 1顯示丁 V電話之一範例，其中一資訊處理裝置 及其系統是由一顯示單元1 1 0 3，一通信單元1 1 0 2 ，一聲音收集單元1105，及一影像收集單元1106 所組成，而一虛擬之圖形（平面圖形或三維圖形）可被呈 現給一使用者。 一使用者1 1 0 0經由一電話線或通信電纜來連接顯 示單元以通信單元1 1 0 2，例如電話，並使用聲音收集 裝置1 105，例如麥克風，及影像收集裝置1 106， 例如相機，來執行一資訊處理操作（使用者之聲音資料的 傳輸，使用者之，例如，表情圖形的傳輸）至一通信夥伴 。亦可能採取此一結構，其通信單元與顯示單元經由一控 制單元，例如電腦，而被相互連接》 在一虛擬之三維圖形，例如使用者之表情，被傳輸的 狀況下，欲利用此一結構，其用以形成右眼圖形信號之一 影像收集裝置及用以形成左眼圔形信號之一影像收集裝置 被分別地提供於顯示單元，通信單元，或控制單元中以致 兩個圖形信號可被傳送。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公藿> I I I J I,--I I I —II ^------If — — — —--^ <請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧时產局貝工消費合作钍印製 -4U- 446 8 3 7 A7 B7 五、發明說明（38 ) 當此資訊處理裝置及其系統被使用時*則使用者可執 行資訊處理操作（會話，電子文件交換，等等）在看見傳 輸自通信夥伴之圖形時。因使用者可隔離外界於資訊處理 操作期間，故他或她可專注於虛擬之顯示螢幕。此外，因 使用者被隔離自周遭環境，故他或她可放鬆。此外，因虛 擬之螢幕可被重叠於一周遭景像上且被顯示，故此種裝置 是方便的。 在使用如CRT之一傳統顯示單元的TV電話中，會 有其資訊被除了使用者外之一周遭人士所看見的一種憂慮 •然而，因爲此實施例之資訊處理裝置及其系統使用一種 虛擬之圇形，所以無需憂慮其虛擬之圖形被除了戴上顯示 單元之使用者以外的人所看見，以致資訊之交換可輕易地 被執行而無需注意周遭環境。 假如一可攜式小單元，例如一可攜式電話，被使用爲 與顯示單元連接之通信單元，則資訊通信可被執行於任何 地點。此外，當一小型影像收集裝置被安裝於此小型通信 單元時，則可實現一種可攜式之TV電話。將參考圖1 2 來說明一範例，其中一資訊通信操作藉使用一小型通信單 元而被執行。 圖1 2顯示一種TV電咕之一實例，其中資訊處理裝 置及其系統是由一顯示單元1 2 0 3，一小型通信單元， 及一小型影像收集單元1 2 0 6所組成，並且一虛擬顯示 螢幕1 2 0 4 (平面圖形或三維圖形）可被呈現給一使用 者1 200。小型通信單元1 202具有一內建之聲音收 本纸張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公* >

請 先 Μ · 讀 背 面 之· 注 意 事 項 再 填 · 寫裝 本〒 I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裂 446 8 3 7 a? B7 五、發明說明（39) 集裝置（麥克風•等），其可輸入使用者之聲音成爲聲音 資料。此外，此裝置亦結合可以只輸入文字之一輸入單元 0 此外•當用以自動轉換使用者之聲音資料爲文字之裝 置1 2 0 8被結合至顯示單元，通信單元，或控制單元時 ，則一段會話等等可同時被虛擬地顯示爲文字。藉由加入 此類功能，如圖1 2中所顯示*於從使用者1 2 0 0所見 之虛擬螢幕1 2 0 9上，其使用者進行一段會話於看著傳 送自通信夥伴1 2 1 0之一圖形（通信夥伴之上半身圖形 ，等等）時，並且同時，會話被轉換爲文字且被顯示於會 話之一文字顯示部分1 2 0 7上，而電子資訊被顯示於一 電子資訊部分1 2 0 5上。從使用者1 2 0 0所見之虛擬 螢幕1209相當於虛擬顯示螢幕1204。前述顯示部 分1 2 0 5及1 2 0 7之顯示部位未被特別地限制* 因爲也有可能於同時儲存會話成爲文字，所以無需記 下，而可以準確地執行資訊之交換。即使使用者之聽力不 足•他或她仍可進行正確之會話於看著虛擬之顯示文字時 〇 於傳統之HMD中，欲獲得如此高之解析度以致細小 之文字可被準確辨識曾經是不可能的，其首次藉由使用 C G S於一通道形成區域之此實施的HMD而變爲可能。 於此賓施例中，無需傳統之顯示螢幕（C R T，等） ，而只產生虛擬，以致一資訊處理操作（與通信夥伴之會 話，與通信夥伴之圖形交換，等等）於任何地點及任何環 本纸張尺度適用中國因家標準（CNS)/VI規格（210 * 297公* > ί I;-------裝---------訂----------線 <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 4468 3 7 五、發明說明（40 ) 境下均是可能的》 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填、 寫 本 頁 如上所述，在提供以本發明之顯示單元（HMD )的 資訊處理裝置中，其形成液晶板之薄膜電晶體之一活性層 的晶矽爲CGS·以致該裝置可處理相當髙品質之一圖形 信號（60Hz以上），並且可獲得具有高解析度之一虛 擬圖形（2D或3D)。 此外，雖然介於液晶板與眼睛間之距離爲數公分般小 ，但因書面反相驅動之極性反相的周期很短（4 5 Η z至 180Hz)，故不會產生閃爍，以致可以減少對於人類 眼睛之影響。即，與習知技術比較之下，其使用時間可被 延長。 此外，傳統之HMD具有低解析度而讀取細小文字是 很困難的。細小文字可被淸楚地辨識於本發明之液晶板中 ，以致一個資訊處理操作可被準確地執行。即*本說明中 所揭露之HMD最適於一種資訊處理裝置之顯示單元。 經濟部智慧財產局員工消费合作钍印^ 於本說明所揭露之資訊處理裝置中，因使用者可隔絕 外界於資訊處理操作期間，故他或她可專注於虛擬之顯示 螢幕上。此外•因使用者被隔離自周遭環境，故他或她可 放輕鬆。此外，虛擬之螢幕可被叠置於一周遭景像上且可 被顯示出來。 此外，該裝置不會減少書桌，等等，上之空間，而可 有效地利用該空間。此外，因裝置之重量輕，故其可被攜 帶而一資訊處理操作可被執行於任何地點^ 例如，當手提電話或公用電話之通信線被連接至本發 43- 本纸張尺度適用中國固家標準<CNS)A4现格（210 X 297公釐） A7 4 46 83 7 _B7__ 五、發明說明（41 ) 明之顯示單元時，則可在看著一通信夥伴之圖形或資訊時 執行資訊交換（會話，等）。 假如使用具有高回覆速度之液晶材料（例如，不具門 限値之AFLC)，則可獲得更高解析度之圖形。 如上所述，於本說明中所揭露之頭上安裝型顯示可被 製成最適於資訊處理操作上之顯示單元，而且絕佳的資訊 處理操作環境被提洪，藉由使用提供以顯示單元及其系統 之資訊處理裝置。 同時，雖本發明已連同其較佳實施例來被解釋，但本 發明不應被限定於這些實施例之特定的結構=不同之修飾 可被施行而不會背離所附申請專利範圍之範疇。例如，假 如想要|其顯示系統可以只有一塊顯示板被置於任一左眼 或右眼之前以致該使用者可藉用另一隻眼來觀看其他事物 — 1—.—·— — ^-------&---------------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 烴濟部智慧財.產局員工消費合作社印製 -^4 本纸張尺度適用中S國家標準（CNS)A4規格（210x297公餐>

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 A第88101822號專利申請案AS j-^· Q ^ -J I中文申請專利範圍修正本哲 民國％年1月修正 六、申請專利範圍 1 ’ 種資訊處理裝置，包括： 一種包括給右眼及給左眼之平面板顯示且被安裝於使 用者頭上的顯示單元； 連接至該顯示單元之一控制單元；以及 連接至該控制單元之一輸入操作單元，其中使用者藉 使用&顯不單兀’該控制單兀，及該輪入操作單元來執行 一資訊處理操作。 2 .如申請專利範圍第1項之一資訊處理裝置，其中 該輸入操作單元爲一種聲音收集單元。 3 .如申請專利範圍第1項之一資訊處理裝置，其中 該輸入操作單元爲一種影像收集單元。 4 如申請專利範圍第1項之一資訊處理裝置，其中 連接至該顯示單元之該平面板顯示之一像素電極的T F T 之一通道形成區域是由形成於一絕緣表面上之多數桿狀或 平坦桿狀晶體之集合的一種半導體薄膜所構成的。 5 .如申請專利範圍第4項之一資訊處理裝置，其中 通道形成區域之一表面定向基本上爲{ 1 1 0丨定向。 6 .如申請專利範圍第4項之一資訊處理裝置，其中 通道形成區域之晶體微粒邊界中的9 0 %以上之晶體晶格 具有連續性。 7 .如申請專利範圍第1項之一資訊處理裝置，其中 一個螢幕之寫入被執行以45Hz至180Hz於該平面 板顯示中，而供應至一像素電極之電壓的極性被轉變於每 個螢幕以獲得該顯示單元中之螢幕顯示。 本纸張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ：--^------1τ------^ - - (請先閲讀背面之注ί項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 44683 7 六、申請專利範圍 8 ·如申請專利範圍第1項之一資訊處理裝置1其中 該顯示單元之該平面板顯示的液晶材料爲基本上不具門限 値之一種反鐵電液晶。 9 .如申請專利範圍第1項之一資訊處理裝置，其中 包括給右眼及給左眼之該平面板顯示且被安裝於使用者頭 上的該顯示單元，提供一虛擬之平面圖形給使用者。 1 0 .如申請專利範圍第1項之一資訊處理裝置，其 中包括給右眼及給左眼之該平面板顯示且被安裝於使用者 頭上的該顯示單元，提供一虛擬之三維圖形給使用者。 1 1 . 一種資訊處理裝置，包括： 一種包括給右眼及給左眼之平面板顯示且被安裝於使 用者頭上的顯示單元； 連接至該顯示單元之一通信單元；以其 一輸入操作單元， 其中該通信單元被使用以致來自一通信夥伴之資訊被 使用者所接收，並且 該輸入操作單元被使用以致其資訊被傳送至通信夥伴 〇 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之一資訊處理裝置1 其中該輸入操作單元爲一種聲音收集單元。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之一資訊處理裝置， 其中該輸入操作單元爲一種影像收集單元。 1 4 .如申請專利範圍第1 1項之一資訊處理裝置， 其中一個螢幕之寫入被執行以4 5H z至1 8 〇Hz於該 --------.--^------ΤΓ------^ (請先閲讀t-面之注f項再填穿本頁) 、 經濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規《格（210X297公釐） -2- B8 C8 D8 44683 7 六、申請專利範圍 平面板顯示中，而供應至一像素電極之電壓的極性被轉變 於每個螢幕以獲得該顯示單元中之螢幕顯示。 <請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 15. —種資訊處理裝置，包括： 一通信裝置； 一顯示單元其操作上連接至該通信裝置，包括給右眼 及給左眼之平面板顯示且被安裝於使用者頭上： 該通信裝置包含一輸入操作單元用以輸入使用者的聲 音資料及一單元用以將該聲音資料轉換爲字元且將其傳送 至一通信伙伴，其中每一該平面板顯示器包含安排於一開 關圖素的矩陣中的多數第一薄膜電晶體，及一驅動電路包 含第二薄膜電晶體用以驅動該第一薄膜電晶體，該第一及 第二薄膜電晶體形成於一相同基體上。 16 . —種資訊處理裝置，包括： 一種包括給右眼及給左眼之平面板顯示且被安裝於使 用者頭上的顯示單元； 一通信裝置操作上連接至該顯示單元； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一輸入操作單元用以輸入一通信伙伴的聲音資料，以 及 一用以轉換該通信夥伴之聲音資料爲文字的單元》 其中該文字被顯示在提供給使用者之一虛擬螢幕上。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5或1 6項之一資訊處理 裝置，其中該輸入操作單元爲一種聲音收集單元。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項之一資訊處理裝置， 其中該輸入操作單元爲一種影像收集單元。 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） Λ4683 7 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 9 .如申請專利範圍第1 6項之一資訊處理裝置， 其中連接至該顯示單元之該平面板顯示之一像素電極的 T F T之一通道形成區域是由形成於一絕緣表面上之多數 桿狀或平坦桿狀晶體之集合的一種半導體薄膜所構成的。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項之一資訊處理裝置， 其中通道形成區域之一表面定向基本上爲{ 1 1 0丨定向 〇 2 1 .如申請專利範圍第1 9項之一資訊處理裝置， 其中通道形成區域之晶體微粒邊界中的9 0%以上之晶體 晶格具有連續性。 2 2 .如申請專利範圍第1 6項之一資訊處理裝置， 其中一個螢幕之寫入被執行以45Hz至180Hz於該 平面板顯示中，而供應至一像素電極之電壓的極性被轉變 於每個螢幕以獲得該顯示單元中之螢幕顯示。 2 3 .如申請專利範圍第1 6項之一資訊處理裝置， 其中該顯示單元之該平面板顯示的液晶材料爲基本上不具 門限値之一種反鐵電液晶。 2 4 .如申請專利範圍第1 6項之一資訊處理裝置， 其中包括給右眼及給左眼之該平面板顯示且被安裝於使用 者頭上的該顯示單元，提供一虛擬之平面圖形給使用者。 2 5 .如申請專利範圍第1 6項之一資訊處理裝置， 其中包括給右眼及給左眼之該平面板顯示且被安裝於使用 者頭上的該顯示單元，提供一虛擬之三維圖形給使用者。 26.—種資訊處理裝置，包括： -----：--：--^------，1T------^ ' , , (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 丨 4 6 8 3 7 if C8 ___ D8 六、申請專利範圍 —控制裝置； 操作性地連接至該控制裝置之一輸入操作裝置，其中 一指令透過該輸入操作裝置而被操作者輸入至該控制裝置 ;以及 待被置於操作者臉上之一顯示單元，該顯示單元包含 至少一個被操作性地連接至該控制裝置之顯示板，其中該 顯示板被置於操作者之一眼前面， 其中該顯示板包含一基體具有一絕緣表面，多數個圖 素電極被以矩陣形式安排在該基體上，多數第一薄膜電晶 體用以切換該圖素電極，及一驅動電路包含多數第二薄膜 電晶體用以驅動該第一薄膜電晶體。該第一及第二薄膜電 晶體包含一結晶半導體層當作其一主動層。 2 7 .如申請專利範圍第2 6項之一資訊處理裝置， 其中一個二維之影像被顯示於該顯示板上。 2 8 .如申請專利範圍第2 6項之一資訊處理裝置進 一步包括用以轉換聲音資料爲文字之一裝置’其中該文字 被顯示於該顯示板上。 2 9 .如申請專利範圍第2 6項之一資訊處理裝置， 其中該顯示板爲一液晶顯示裝置。 3 0 .如申請專利範圍第2 9項之一資訊處理裝置， 其中該薄膜電晶體具有一副門限係數是落入自6 0至8 0 m V / decade之範圍內。 31·如申請專利範圍第15項之一資訊處理裝置’ 其中該輸入操作單元爲一影像拾取單元。 -----:-----------1T------^ '. (诗先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 、 本纸張尺度適用中困國家標準（CNS ) A4规格（2丨0)<297公# ) - 5 · “68 3 7 is C8 D8 六、申請專利範圍 3 2 ·如申請專利範圍第1 5項之一資訊處理裝置’ 其中該螢幕的寫入係在該平面板顯示器中以4 5 Η z至 1 8 OH ζ被實施，且施於一圖素電極的電壓極性於每一 螢幕被轉向以在該顯示單元中取得螢幕顯示。 3 3 .如申請專利範圍第2 6項之一資訊處理裝置， 其中該顯示板爲一電致顯示裝置。 3 4 .如申請專利範圍第2 6項之一資訊處理裝置， 其中該顯示板係以4 5 Η ζ或更大的晝面頻率被驅動。 3 5 ·如申請專利範圍第2 6項之一資訊處理裝置， 其中該結晶半導體層包含連續粒狀矽。 3 6 ·如申請專利範圍第2 6項之一資訊處理裝置， 其中該平面板顯示器爲一電致顯示裝置。 -----：--：--^------1T------ii (請先閲讀^·面之注意事項再填g·.本頁) , 經濟部智慧財產局員工消#合作社印製 本紙張纽逍用中國阐家縣（CNS )从胁（2i0x297i釐）-6-