[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TW202220041A - 雷射加工裝置 - Google Patents

雷射加工裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202220041A
TW202220041A TW110141377A TW110141377A TW202220041A TW 202220041 A TW202220041 A TW 202220041A TW 110141377 A TW110141377 A TW 110141377A TW 110141377 A TW110141377 A TW 110141377A TW 202220041 A TW202220041 A TW 202220041A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser beam
pulsed laser
amplifier
laser
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW110141377A
Other languages
English (en)
Inventor
能丸圭司
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202220041A publication Critical patent/TW202220041A/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B23K26/0861—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane in at least in three axial directions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted for a procedure covered by only one of the other main groups of this subclass
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted for a procedure covered by only one of the other main groups of this subclass for holding or positioning work
    • B23K37/0461—Welding tables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3401—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having no PN junction, e.g. unipolar lasers, intersubband lasers, quantum cascade lasers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2366—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media comprising a gas as the active medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2375—Hybrid lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
    • H01S5/06216—Pulse modulation or generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

[課題]提供一種可以抑制熱的吸收而使殘留於器件晶片之熱應變減少的雷射加工裝置。 [解決手段]雷射加工裝置的雷射光束照射單元包含：第1脈衝雷射振盪器，振盪產生波長為9~11μm且脈衝寬度為5ns以下之脈衝雷射；CO 2放大器，將從該第1脈衝雷射振盪器所射出之脈衝雷射光束放大；及聚光器，將經該CO 2放大器所放大之脈衝雷射光束聚光於已保持在工作夾台之被加工物。

Description

雷射加工裝置
本發明是有關於對被加工物照射雷射光束來施行加工之雷射加工裝置。
將IC、LSI等複數個器件以交叉之複數條分割預定線來區劃而形成在正面之晶圓，可被雷射光束分割成一個個的器件晶片，並可將已分割之器件晶片應用在行動電話、個人電腦等的電氣機器上。
使用於晶圓的分割之雷射光束，一般所使用的是對構成晶圓之基板(例如矽)具有吸收性之波長，例如266nm、355nm之波長的紫外光的脈衝雷射光束(參照例如專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平10-305420號公報
發明欲解決之課題
然而，在藉由雷射光束而被分割成一個個的器件晶片之晶圓的正面上，會有被覆有保護器件之鈍化膜(例如SiO 2膜)之情況，在將對構成晶圓之基板的材質具有吸收性之紫外光的脈衝雷射光束照射在被覆有該膜之分割預定線之情況下，會成為未良好地形成雷射加工溝且使該鈍化膜剝落之結果，而有使得器件晶片的品質降低之問題。
又，對構成鈍化膜之SiO 2具有吸收性之雷射光束的波長是中紅外光區域，特別是在9.1~9.3μm時由於吸收率會較高，所以較佳的是照射CO 2雷射光束。但是，在已照射中紅外光區域之波長的CO 2雷射光束的情況下，會有因熱吸收而在器件晶片殘留熱應變並使抗折強度降低之問題。
因此，本發明的目的在於提供一種可以抑制熱的吸收而使殘留於器件晶片之熱應變減少的雷射加工裝置。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種雷射加工裝置，前述雷射加工裝置具備：工作夾台，保持被加工物；雷射光束照射單元，對已保持在該工作夾台之該被加工物照射脈衝雷射光束來施行加工；及加工進給機構，將該工作夾台與該雷射光束照射單元相對地加工進給， 該雷射光束照射單元包含：第1脈衝雷射振盪器，振盪產生波長為9~11μm，且脈衝寬度為5ns以下之脈衝雷射；CO 2放大器，將從該第1脈衝雷射振盪器所射出之脈衝雷射光束放大；及聚光器，將經該CO 2放大器所放大之該脈衝雷射光束聚光於已保持在該工作夾台之該被加工物。
較佳的是，該第1脈衝雷射振盪器可以使用量子級聯(quantum cascade)半導體雷射器或分布回饋(distributed feedback)型半導體雷射器，且該第1脈衝雷射振盪器使用增益切換(gain switching)來調整脈衝寬度。
較佳的是，該雷射光束照射單元更包含配設在該第1脈衝雷射振盪器與該CO 2放大器之間，且將從該第1脈衝雷射振盪器所射出之脈衝雷射光束疏化的疏化組件。較佳的是，該疏化組件是由將脈衝雷射光束繞射而疏化之聲光元件、或是使脈衝雷射光束的偏振面旋轉而以偏光板來疏化之電光元件所構成。
較佳的是，該雷射光束照射單元更包含：二向分光鏡，配設於該CO 2放大器與該聚光器之間；及第2脈衝雷射振盪器，振盪產生綠色光~紫外光之脈衝雷射，該綠色光~紫外光之脈衝雷射光束可被該二向分光鏡反射而被導向該聚光器，並聚光於被加工物。 發明效果
依據本發明之雷射加工裝置，不會有因熱吸收所造成之熱應變殘留於將晶圓分割成一個個而得到之器件晶片之情形，因而解決使被分割之器件晶片的抗折強度降低之問題。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明實施形態之雷射加工裝置，一邊參照附加圖式一邊詳細地說明。
於圖1中所顯示的是本實施形態之雷射加工裝置1。雷射加工裝置1至少具備保持被加工物之保持單元2、雷射光束照射單元6與移動機構30，前述移動機構30作為將保持單元2與雷射光束照射單元6相對地在X軸方向以及Y軸方向上加工進給之加工進給組件而配設。
保持單元2配設在基台3上。並包含：在圖中於以箭頭X表示之X軸方向上移動自如地載置在基台3上之矩形狀的X軸方向可動板21、在和X軸方向正交之於圖中以箭頭Y表示之Y軸方向上移動自如地載置在X軸方向可動板21之矩形狀的Y軸方向可動板22、固定在Y軸方向可動板22的上表面之圓筒狀的支柱23、及固定在支柱23的上端之矩形狀的罩板26。在罩板26配設有通過長孔而朝上方延伸且具有以該X軸與該Y軸所規定之保持面25a的工作夾台25，工作夾台25是藉由圖示省略之旋轉驅動機構而呈可旋轉地被構成。保持面25a是由具有通氣性之多孔質材料所形成，並藉由通過支柱23的內部之流路而連接到未圖示之吸引源。再者，於圖1的左上方，顯示有可藉由本實施形態之雷射加工裝置1來施行雷射加工之晶圓10。
一邊參照圖2一邊說明在本實施形態中成為被加工物之晶圓10。晶圓10是將複數個器件12藉由交叉之複數條分割預定線14來區劃並形成於正面10a之構成，並在形成於環狀的框架F之開口Fa的中央定位，且將背面10b貼附於已將外周貼附於框架F之保護膠帶T，而被框架F所支撐。於晶圓10的正面10a形成有保護器件12之鈍化膜16。鈍化膜16是例如構成低介電常數的絕緣膜之SiO 2膜，且是被稱為所謂的Low-k膜之構成。
回到圖1繼續說明，移動機構30具備有配設在基台3上且將保持單元2朝X軸方向加工進給之X軸方向進給機構31、使Y軸方向可動板22在Y軸方向上分度進給之Y軸方向進給機構32、及讓工作夾台25旋轉之省略圖示的旋轉驅動機構。X軸方向進給機構31是透過滾珠螺桿34將脈衝馬達33的旋轉運動轉換成直線運動並傳達至X軸方向可動板21，而使X軸方向可動板21沿著基台3上的引導軌道3a、3a在X軸方向上進退。Y軸方向進給機構32是透過滾珠螺桿36來將脈衝馬達35的旋轉運動轉換成直線運動並傳達至Y軸方向可動板22，而使Y軸方向可動板22沿著X軸方向可動板21上的引導軌道21a、21a在Y軸方向上進退。再者，雖然省略圖示，但在X軸方向進給機構31、Y軸方向進給機構32以及工作夾台25配設有位置檢測組件，而可正確地檢測工作夾台25的X軸座標、Y軸座標、圓周方向之旋轉位置，並將該位置資訊傳送到雷射加工裝置1的控制單元(於圖3以100表示)。並且，可以藉由依據該位置資訊而由該控制單元100所指示之指示訊號，來驅動X軸方向進給機構31、Y軸方向進給機構32、及省略圖示之工作夾台25的旋轉驅動機構，而將工作夾台25定位到基台3上的所期望的位置。
如圖1所示，在保持單元2的側邊豎立設置有框體37。框體37具備有配設於基台3上且沿著正交於該X軸方向以及該Y軸方向之Z軸方向(上下方向)而配設之垂直壁部37a、及從垂直壁部37a的上端部朝水平方向延伸之水平壁部37b。在框體37的水平壁部37b的內部容置有雷射光束照射單元6的光學系統，且在水平壁部37b的前端部下表面配設有構成該光學系統的一部分之聚光器66。
在水平壁部37b的前端部下表面，在和雷射光束照射單元6的聚光器66於X軸方向上相鄰之位置上配設有拍攝單元7。拍攝單元7是對已保持於工作夾台25之晶圓10進行拍攝而在檢測加工位置等之校準上使用之單元。於拍攝單元7中可包含藉由可見光線來進行拍攝之通常的拍攝元件(CCD)、以及照射可見光線之照明組件，且可進一步包含照射紅外線之紅外線照射組件、可拍攝藉由照射紅外線而捕捉到的圖像之紅外線CCD等。藉由拍攝單元7所拍攝到的圖像會被傳送到上述之控制單元100。
一邊參照圖3一邊說明容置於本實施形態之雷射加工裝置1的水平壁部37b之雷射光束照射單元6的光學系統。如圖3所示，雷射光束照射單元6具備有：射出脈衝雷射光束LB0之第1脈衝雷射振盪器61、因應於需要而從第1脈衝雷射振盪器61所射出之脈衝雷射光束LB0以預定的比例來將脈衝疏化之疏化組件62、將從疏化組件62所輸出之脈衝雷射光束LB1放大之CO 2放大器63、及將已藉由CO 2放大器63所放大之脈衝雷射光束LB1聚光，且將聚光點P定位到已保持在工作夾台25的保持面25a上之晶圓10的正面10a之聚光器66。第1脈衝雷射振盪器61所射出之脈衝雷射光束LB0的波長是設定為9~11μm。再者，第1脈衝雷射振盪器61可以使用量子級聯半導體雷射器或分布回饋型半導體雷射器。
本實施形態之第1脈衝雷射振盪器61所射出之脈衝雷射光束LB0的脈衝寬度雖然是設定為5ns以下，但較佳是設定為100~200ps。第1脈衝雷射振盪器61具備有脈衝寬度調整組件67，前述脈衝寬度調整組件67會因應於需要來調整脈衝寬度，以使第1脈衝雷射振盪器61所射出之脈衝雷射光束LB0成為所期望的脈衝寬度。脈衝寬度調整組件67可以使用例如增益切換(Gain-Switching)。脈衝寬度調整組件67是連接於控制單元100，並依據藉由控制單元100所指示之指示訊號，而將脈衝寬度調整為成為所期望之值。
在第1脈衝雷射振盪器61與CO 2放大器63之間配設有因應於需要，而將從第1脈衝雷射振盪器61所射出之脈衝雷射光束以合宜的間隔來疏化之疏化組件62。疏化組件62可以採用例如使用聲光(Acouosto-Optics)元件621a之第1疏化組件621，前述聲光元件621a將脈衝雷射光束LB0繞射而以預定的比例來疏化脈衝雷射光束。於圖4所顯示的是第1疏化組件621的概略構成。第1疏化組件621具備有聲光元件621a與阻尼器(damper)621b，前述聲光元件621a具備有省略圖示之超音波振盪器(壓電元件)。從控制單元100將調變訊號傳送至聲光元件621a的該超音波振盪器，並以合宜的比例將脈衝雷射光束LB0’繞射而導向阻尼器621b，並且將經疏化後之剩餘的脈衝雷射光束LB1從第1疏化組件621輸出。
再者，本發明的疏化組件62並不限定為具備上述之聲光元件621a的第1疏化組件621。疏化組件62亦可為例如使用圖5所示之電光(Electro-Optic)元件622a之第2疏化組件622，來取代上述之第1疏化組件621。更具體來說，是在第1脈衝雷射振盪器61與CO 2放大器63之間，配設利用電光效果之電光元件622a與偏光板622b，且從控制單元100對電光元件622a指示調變訊號。藉此，使入射之脈衝雷射光束LB0的偏振面因應於調變訊號而旋轉並從電光元件622a輸出而照射於偏光板622b。其結果，可用合宜的比例從脈衝雷射光束LB0將一部分的脈衝雷射光束疏化，且將經疏化後之脈衝雷射光束LB1從第2疏化組件622輸出。
已藉由上述之疏化組件62將一部分的脈衝雷射光束疏化後之脈衝雷射光束LB1，會如圖3所示地直進，並被引導至將二氧化碳氣體作為介質來將脈衝雷射光束LB1放大之CO 2放大器63。再者，本實施形態之CO 2放大器63構成為具備第1之CO 2放大器63a以及第2之CO 2放大器63b的2個，並且將脈衝雷射光束LB1分階段地放大。但是，本發明並非限定於此，構成CO 2放大器63之放大器的數量亦可為1個或3個以上。
此外，本實施形態之雷射光束照射單元6的光學系統具備有反射鏡64與聚光器66，前述反射鏡64會讓從CO 2放大器63所照射出之脈衝雷射光束LB1的光路朝向聚光器66轉換，前述聚光器66具備有將已被反射鏡64變更光路之脈衝雷射光束LB1聚光之聚光透鏡66a。
本實施形態之第1脈衝雷射振盪器61所射出之脈衝雷射光束LB0是如上述地設定成：在9~11μm的範圍設定波長，且以脈衝寬度為5ns以下來輸出。但是，較佳的是，將脈衝雷射光束LB0的波長合宜調整成：因應於形成鈍化膜16之素材來成為吸收性優異之波長。例如在鈍化膜16為SiO 2膜的情況下，宜設定成波長成為9.1~9.3μm。又，在鈍化膜16為以氮化矽(Si 3N 4)、氮化鋁(AlN)所形成的情況下，宜設定成波長成為10.6μm。亦即，在本發明中，較佳的是將從第1脈衝雷射振盪器61所射出之脈衝雷射光束LB0的波長設定在9~11μm之間。
此外，如圖3所示，本實施形態之雷射光束照射單元6具備有：二向分光鏡65，配設於CO 2放大器63與聚光器66之間的脈衝雷射光束LB1的光路上；及第2脈衝雷射振盪器68，射出已在綠色光~紫外光(波長200~560nm)的範圍內合宜設定波長之的脈衝雷射光束LB2。二向分光鏡65是設定成例如將200~600nm的波長之光反射，並且讓該波長以外之光穿透。本實施形態的第2脈衝雷射振盪器68所射出的脈衝雷射光束LB2是設定為對構成晶圓10之矽具有吸收性之波長355nm，且已設定為可沿著分割預定線14形成分割溝之輸出(例如5W)。若將從第2脈衝雷射振盪器68所射出之脈衝雷射光束LB2照射於二向分光鏡65時會進行反射來變更光路，而導向聚光器66。又，如上述，由於從第1脈衝雷射振盪器61所射出之脈衝雷射光束LB1是以波長為9~11μm之範圍來設定，所以會穿透二向分光鏡65而直進並被導向聚光器66。穿透二向分光鏡65之脈衝雷射光束LB1、與在二向分光鏡65反射之脈衝雷射光束LB2是設定成光路一致，且脈衝雷射光束LB1、脈衝雷射光束LB2的任一個均被導向聚光器66，且在保持於工作夾台25之晶圓10的正面10a的相同位置上形成聚光點P。
本實施形態之雷射加工裝置1具備有大致如上述之構成，在以下將針對其作用效果來說明。
如圖1所示，作為被加工物而準備之晶圓10是將正面10a側朝向上方來載置並吸引保持於工作夾台25的保持面25a。接著，作動移動機構30，將已保持在工作夾台25之晶圓10移動至拍攝單元7的正下方，並拍攝晶圓10，來檢測成為雷射加工開始位置之朝第1方向伸長之預定的分割預定線14的位置並記憶到控制單元100，並且使朝第1方向上伸長之預定的分割預定線14對齊於X軸方向。
依據已記憶於控制單元100之分割預定線14的位置資訊，作動移動機構30，並將已保持在工作夾台25之晶圓10的預定的分割預定線14的雷射加工開始位置定位到聚光器66的正下方。接著，調整聚光器66的Z軸方向(上下方向)的位置，而如圖3所示，將聚光點P的位置定位在形成於分割預定線14上之鈍化膜16，且作動第1脈衝雷射振盪器61、疏化組件62、脈衝寬度調整組件67，來對鈍化膜16照射已如上述地謀求調整之脈衝雷射光束LB1，並且作動X軸方向進給機構31，使聚光器66與工作夾台25相對地在X軸方向上移動，來沿著分割預定線14照射脈衝雷射光束LB1，而對鈍化膜16施行燒蝕加工來去除鈍化膜16。再者，在本實施形態中，在照射脈衝雷射光束LB1時，第2脈衝雷射振盪器68是停止的。
若已沿著在第1方向上伸長之預定的分割預定線14實施燒蝕加工後，即可作動Y軸方向進給機構32，而將晶圓10朝Y軸方向分度進給相當於分割預定線14之間隔，並將在Y軸方向上相鄰之未加工的分割預定線14定位到聚光器66的正下方。然後，與上述之作法同樣地進行而將脈衝雷射光束LB1的聚光點P定位在已被覆在晶圓10的分割預定線14上之鈍化膜16來進行照射，且將晶圓10朝X軸方向加工進給來施行燒蝕加工。同樣地進行，將晶圓10朝X軸方向以及Y軸方向加工進給，並且沿著朝第1方向伸長之全部的分割預定線14對鈍化膜16照射脈衝雷射光束LB1來實施燒蝕加工。接著，使工作夾台25旋轉90度，而使朝和已經實施燒蝕加工之朝第1方向伸長的分割預定線14正交之第2方向伸長之未加工的分割預定線14對齊於X軸方向。並且，對於被覆在其餘的各分割預定線14之鈍化膜16，也和上述之作法同樣地進行來定位脈衝雷射光束LB1的聚光點P並進行照射，而沿著形成於晶圓10的正面10a的全部的分割預定線14實施對鈍化膜16之燒蝕加工，來去除鈍化膜16。
實施上述之雷射加工時的加工條件是設定成如例如以下所示。 波長             ：9.1~9.3μm 平均輸出     ：5~10W 重複頻率     ：50~100kHz 脈衝寬度     ：5ns以下(較佳為100~200ps)
如上述，若沿著已形成於晶圓10的正面10a之全部的分割預定線14實施對鈍化膜16之燒蝕加工而去除鈍化膜16後，即停止第1脈衝雷射振盪器61。接著，依據已記憶於控制單元100之分割預定線14的位置資訊，作動移動機構30，而將已保持在工作夾台25之晶圓10的朝第1方向伸長之預定的分割預定線14的雷射加工開始位置，再次定位到雷射光束照射單元6的聚光器66的正下方。接著，將聚光點P的位置定位在該預定之分割預定線14上，且作動第2脈衝雷射振盪器68，並且作動X軸方向進給機構31，使聚光器66與工作夾台25相對地在X軸方向上移動，而沿著預定之分割預定線14照射脈衝雷射光束LB2來施行燒蝕加工，並沿著該分割預定線14形成分割溝。同樣地進行，將晶圓10朝X軸方向以及Y軸方向加工進給，並沿著朝第1方向伸長之全部的分割預定線14照射脈衝雷射光束LB2來施行燒蝕加工，而形成分割溝。接著，使晶圓10旋轉90度，而使尚未照射脈衝雷射光束LB2之朝第2方向伸長之分割預定線14對齊於X軸方向，前述朝第2方向伸長之分割預定線14和已經實施燒蝕加工之朝第1方向伸長的分割預定線14正交。然後，對其餘的各個分割預定線14，也是和上述之作法同樣地進行來定位脈衝雷射光束LB2的聚光點P並進行照射來形成分割溝，而沿著晶圓10的全部的分割預定線14實施燒蝕加工來形成分割溝。藉由以上，可將晶圓10分割成一個個的器件晶片。
在上述之實施形態中，雖然是設成：沿著形成於晶圓10之全部的分割預定線14上的鈍化膜16照射上述之脈衝雷射光束LB1來去除，之後，沿著形成於晶圓10之全部的分割預定線14照射脈衝雷射光束LB2來形成分割溝而將晶圓10分割成一個個的器件晶片，但本發明並非限定於此。例如，亦可設成：將晶圓10的分割預定線14定位在聚光器66的正下方，而作動第1脈衝雷射振盪器61以及第2脈衝雷射振盪器68，並且作動移動機構30，而沿著分割預定線14同時照射脈衝雷射光束LB1以及脈衝雷射光束LB2，來沿著分割預定線14去除鈍化膜16並且形成分割溝，而將晶圓10分割成一個個的器件晶片。
再者，在上述之實施形態的雷射加工裝置1中，雖然構成為將第1脈衝雷射振盪器61與第2脈衝雷射振盪器68一起設置，但本發明並非限定於此，亦可設成：從雷射加工裝置1之雷射光束照射單元6廢除第2脈衝雷射振盪器68以及二向分光鏡65，且僅實施沿著晶圓10的分割預定線14照射脈衝雷射光束LB1來去除鈍化膜16之雷射加工，之後，將晶圓10搬送到配設有第2脈衝雷射振盪器68之另外的雷射加工裝置，並沿著晶圓10的分割預定線14照射脈衝雷射光束LB2來形成分割溝。
根據上述之實施形態的雷射加工裝置1，藉由雷射光束照射單元6所照射之脈衝雷射光束LB1為已藉由CO 2放大器63放大之CO 2雷射光束，且已設定為對鈍化膜16吸收性優異之波長(9~11μm)，並且已將脈衝寬度設定為5ns以下。藉此，可將鈍化膜16藉由燒蝕加工來迅速地去除，並且不會有因熱吸收所造成之熱應變殘留於將晶圓10分割成一個個而得到之器件晶片之情形，因而解決使被分割之器件晶片的抗折強度降低之問題。
此外，在本實施形態中，由於配設疏化組件62，而以合宜的比例從第1脈衝雷射振盪器61所射出之脈衝雷射光束LB0中，將脈衝雷射光束疏化，所以可避免因熱吸收所造成之熱應變殘留於將晶圓10分割成一個個而得到之器件晶片之情形，而更可解決使一個個的器件晶片之抗折強度降低之問題。
1:雷射加工裝置 10:晶圓 10a:正面 10b:背面 12:器件 14:分割預定線 16:鈍化膜 100:控制單元 2:保持單元 21:X軸方向可動板 21a,3a:引導軌道 22:Y軸方向可動板 23:支柱 25:工作夾台 25a:保持面 26:罩板 3:基台 30:移動機構 31:X軸方向進給機構 32:Y軸方向進給機構 33,35:脈衝馬達 34,36:滾珠螺桿 37:框體 37a:垂直壁部 37b:水平壁部 6:雷射光束照射單元 61:第1脈衝雷射振盪器 62:疏化組件 621:第1疏化組件 621a:聲光元件 621b:阻尼器 622:第2疏化組件 622a:電光元件 622b:偏光板 63:CO 2放大器 63a:第1之CO 2放大器 63b:第2之CO 2放大器 64:反射鏡 65:二向分光鏡 66:聚光器 66a:聚光透鏡 67:脈衝寬度調整組件 68:第2脈衝雷射振盪器 7:拍攝單元 F:框架 Fa:開口 LB0, LB0’, LB1,LB2:脈衝雷射光束 P:聚光點 T:保護膠帶 X,Y,Z:箭頭(方向)
圖1是雷射加工裝置的整體立體圖。 圖2是藉由圖1之雷射加工裝置所加工之晶圓的立體圖。 圖3是顯示已配設在圖1之雷射加工裝置之雷射光束照射單元的方塊圖。 圖4是顯示圖3的疏化組件之一例的概略的方塊圖。 圖5是顯示圖3的疏化組件之其他例的概略的方塊圖。
10:晶圓
10a:正面
16:鈍化膜
100:控制單元
25:工作夾台
25a:保持面
6:雷射光束照射單元
61:第1脈衝雷射振盪器
62:疏化組件
621:第1疏化組件
63:CO2放大器
63a:第1之CO2放大器
63b:第2之CO2放大器
64:反射鏡
65:二向分光鏡
66:聚光器
66a:聚光透鏡
67:脈衝寬度調整組件
68:第2脈衝雷射振盪器
LB0,LB1,LB2:脈衝雷射光束
P:聚光點
X,Y:箭頭(方向)

Claims (8)

  1. 一種雷射加工裝置，具備： 工作夾台，保持被加工物； 雷射光束照射單元，對已保持在該工作夾台之該被加工物照射脈衝雷射光束來施行加工；及 加工進給機構，將該工作夾台與該雷射光束照射單元相對地加工進給， 該雷射光束照射單元包含： 第1脈衝雷射振盪器，振盪產生波長為9~11μm，且脈衝寬度為5ns以下之脈衝雷射； CO 2放大器，將從該第1脈衝雷射振盪器所射出之脈衝雷射光束放大；及 聚光器，將經該CO 2放大器所放大之該脈衝雷射光束聚光於已保持在該工作夾台之該被加工物。
  2. 如請求項1之雷射加工裝置，其中該第1脈衝雷射振盪器是選自於由量子級聯半導體雷射器及分布回饋型半導體雷射器所構成之群組。
  3. 如請求項1之雷射加工裝置，其中該第1脈衝雷射振盪器是使用增益切換來調整脈衝寬度。
  4. 如請求項1之雷射加工裝置，其中該CO 2放大器包含第1之CO 2放大器及第2之CO 2放大器。
  5. 如請求項1之雷射加工裝置，其中該雷射光束照射單元更包含配設於該第1脈衝雷射振盪器與該CO 2放大器之間，且將從該第1脈衝雷射振盪器所射出之脈衝雷射光束疏化之疏化組件。
  6. 如請求項5之雷射加工裝置，其中該疏化組件是由將該脈衝雷射光束繞射而疏化之聲光元件所構成。
  7. 如請求項5之雷射加工裝置，其中該疏化組件是由使該脈衝雷射光束的偏振面旋轉而以偏光板來疏化之電光元件所構成。
  8. 如請求項1之雷射加工裝置，其中該雷射光束照射單元更包含：二向分光鏡，配設於該CO 2放大器與該聚光器之間；及第2脈衝雷射振盪器，振盪產生綠色光~紫外光之間的脈衝雷射光束，從該第2脈衝雷射振盪器所射出之該脈衝雷射光束是被該二向分光鏡反射而被導向該聚光器，並聚光於該被加工物。
TW110141377A 2020-11-11 2021-11-05 雷射加工裝置 TW202220041A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020187975A JP2022077223A (ja) 2020-11-11 2020-11-11 レーザー加工装置
JP2020-187975 2020-11-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202220041A true TW202220041A (zh) 2022-05-16

Family

ID=81454999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110141377A TW202220041A (zh) 2020-11-11 2021-11-05 雷射加工裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11839931B2 (zh)
JP (1) JP2022077223A (zh)
KR (1) KR20220064299A (zh)
CN (1) CN114535789A (zh)
TW (1) TW202220041A (zh)

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3860784A (en) * 1971-03-08 1975-01-14 United Aircraft Corp Deep penetration welding using lasers
JPS5969979A (ja) * 1982-10-15 1984-04-20 Hitachi Ltd レ−ザ光源装置
GB8425425D0 (en) * 1984-10-09 1984-11-14 Crosfield Electronics Ltd Radiation generation apparatus
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US6862490B1 (en) * 1999-05-24 2005-03-01 Potomac Photonics, Inc. DLL circuit taking acount of external load
US6649861B2 (en) * 2000-05-24 2003-11-18 Potomac Photonics, Inc. Method and apparatus for fabrication of miniature structures
JP4299185B2 (ja) * 2004-04-27 2009-07-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP4354376B2 (ja) * 2004-09-28 2009-10-28 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP4527488B2 (ja) * 2004-10-07 2010-08-18 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP4664710B2 (ja) * 2005-03-09 2011-04-06 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP4734101B2 (ja) * 2005-11-30 2011-07-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5036181B2 (ja) * 2005-12-15 2012-09-26 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP4951282B2 (ja) * 2006-07-11 2012-06-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5000944B2 (ja) * 2006-08-02 2012-08-15 株式会社ディスコ レーザー加工装置のアライメント方法
JP5122773B2 (ja) * 2006-08-04 2013-01-16 株式会社ディスコ レーザー加工機
JP4917382B2 (ja) * 2006-08-09 2012-04-18 株式会社ディスコ レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
JP2008068270A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP5101869B2 (ja) * 2006-11-15 2012-12-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US7826509B2 (en) * 2006-12-15 2010-11-02 President And Fellows Of Harvard College Broadly tunable single-mode quantum cascade laser sources and sensors
JP4959318B2 (ja) * 2006-12-20 2012-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの計測装置およびレーザー加工機
JP5133568B2 (ja) * 2007-01-11 2013-01-30 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2008207210A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー光線照射装置およびレーザー加工機
JP4885762B2 (ja) * 2007-02-27 2012-02-29 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP2008212999A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2008254035A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP5248825B2 (ja) * 2007-09-06 2013-07-31 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置検出装置
JP4814187B2 (ja) * 2007-09-11 2011-11-16 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置検出装置
JP5043630B2 (ja) * 2007-12-18 2012-10-10 株式会社ディスコ レーザー加工機
JP5117920B2 (ja) * 2008-04-28 2013-01-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5243098B2 (ja) * 2008-05-09 2013-07-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US8309885B2 (en) * 2009-01-15 2012-11-13 Electro Scientific Industries, Inc. Pulse temporal programmable ultrafast burst mode laser for micromachining
JP5833299B2 (ja) * 2010-11-02 2015-12-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2012096274A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Disco Corp レーザー加工装置
JP5813959B2 (ja) * 2011-02-07 2015-11-17 株式会社ディスコ レーザー光線照射機構およびレーザー加工装置
GB201106787D0 (en) * 2011-04-20 2011-06-01 Ucl Business Plc Methods and apparatus to control acousto-optic deflectors
JP5912287B2 (ja) * 2011-05-19 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP5912293B2 (ja) * 2011-05-24 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5788749B2 (ja) * 2011-09-15 2015-10-07 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5969767B2 (ja) * 2012-01-27 2016-08-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5964621B2 (ja) * 2012-03-16 2016-08-03 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6022223B2 (ja) * 2012-06-14 2016-11-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5940906B2 (ja) * 2012-06-19 2016-06-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6068859B2 (ja) * 2012-07-31 2017-01-25 株式会社ディスコ レーザー加工装置
WO2014080822A1 (ja) * 2012-11-20 2014-05-30 国立大学法人九州大学 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6453303B2 (ja) * 2013-03-15 2019-01-16 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド レーザビーム位置決めシステムのためのフェーズドアレイステアリング
WO2015030228A1 (ja) * 2013-09-02 2015-03-05 株式会社ラステック 医療用多孔プレート及び医療用多孔プレートの製作方法
JP6285784B2 (ja) * 2014-04-09 2018-02-28 株式会社ディスコ 高さ位置検出装置
WO2015172816A1 (de) * 2014-05-13 2015-11-19 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Einrichtung zur überwachung der ausrichtung eines laserstrahls und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung damit
JP6328521B2 (ja) * 2014-08-18 2018-05-23 株式会社ディスコ レーザー光線のスポット形状検出方法
JP6388823B2 (ja) * 2014-12-01 2018-09-12 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6781649B2 (ja) * 2017-03-13 2020-11-04 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6953242B2 (ja) * 2017-09-06 2021-10-27 株式会社ディスコ 高さ検出装置、及びレーザー加工装置
JP6985102B2 (ja) * 2017-10-31 2021-12-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220143747A1 (en) 2022-05-12
US11839931B2 (en) 2023-12-12
JP2022077223A (ja) 2022-05-23
CN114535789A (zh) 2022-05-27
KR20220064299A (ko) 2022-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8049133B2 (en) Laser beam machining apparatus
JP6022223B2 (ja) レーザー加工装置
JP4734101B2 (ja) レーザー加工装置
CN106077966B (zh) 激光加工装置
JP4977411B2 (ja) レーザー加工装置
TWI768091B (zh) 高度檢測裝置及雷射加工裝置
KR101770840B1 (ko) 레이저 광선 조사 기구 및 레이저 가공 장치
KR20150050357A (ko) 레이저 가공 장치
JP7321022B2 (ja) レーザー加工装置およびレーザー加工方法
KR20160040097A (ko) 레이저 가공 장치
JP2014104484A (ja) レーザー加工装置
TWI597118B (zh) Laser processing method and laser processing device
KR102662458B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP2004160483A (ja) レーザー加工方法およびレーザー加工装置
KR20130142926A (ko) 레이저 가공 장치
JP2009283753A (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP5010832B2 (ja) レーザー加工装置
JP2009283566A (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2010029906A (ja) レーザー加工装置
TW202247932A (zh) 雷射加工裝置
JP2008110383A (ja) レーザー加工装置
TW202220041A (zh) 雷射加工裝置
KR20190039381A (ko) 레이저 조사 기구
JP4648044B2 (ja) レーザー加工装置
CN104810323A (zh) 半导体晶片的加工方法