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TW200902747A - Method of forming srtio3 film and computer-readable recording medium - Google Patents

Method of forming srtio3 film and computer-readable recording medium Download PDF

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Publication number
TW200902747A
TW200902747A TW097107341A TW97107341A TW200902747A TW 200902747 A TW200902747 A TW 200902747A TW 097107341 A TW097107341 A TW 097107341A TW 97107341 A TW97107341 A TW 97107341A TW 200902747 A TW200902747 A TW 200902747A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
raw material
gas
substrate
processing container
Prior art date
Application number
TW097107341A
Other languages
English (en)
Inventor
Akinobu Kakimoto
Yumiko Kawano
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200902747A publication Critical patent/TW200902747A/zh

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Description

200902747 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於根據CVD法或ALD法成膜出SrTi03膜 之SrTi03膜之成膜方法及記憶媒體。 【先前技術】 於半導體裝置中，集成電路的高集成化乃日益發展， 於DRAM中亦要求縮小記憶元件的面積，並且增大記憶 容量。對於此要求，注目ΜIΜ (金屬-絕緣體-金屬）構造的 電容器。作爲此類ΜΙΜ構造的電容器，乃使用鈦酸緦 (SrTi03)等之高介電率材料作爲絕緣膜（介電體膜）。 作爲DRAM電容器用之SrTi03膜之成膜方法，以往 ’多使用 Sr(DPM)2作爲 Sr原料，使用 Ti(0-iPr)4和 Ti(0-iPr)2(DPM)2作爲Ti原料，且使用臭氧氣體、氧氣、 水和氧電漿作爲氧化劑，並且根據ALD法予以成膜之方 法（例如，J.H.Lee 等人、、Plasma enhanced atomic layer deposition of SrTi03 thin films with Sr(tmhd)2 and Ti(i-OPr)4" J.Vac.Scl.Technol.A20(5)，Sep/Oct 2002(非專利 文獻1))。 但是，使用作爲Sr原料之Sr(DPM)2爲蒸氣壓低的物 質，且難吸黏至基板表面，故不得不顯著降低成膜速度， 具有生產量低且有效距離差的問題。又，Sr(DPM)2爲以 氣相供給，故必須於超過2 0 0 °C之溫度中加熱，於配管系 等必須使用耐熱性材料，導致裝置費用上升。更且， -4- 200902747
Sr(DPM)2爲如上述難吸黏至基板表面，加上於氣相中易 分解，且難採取於吸黏後經氧化劑氧化成爲氧化膜的反應 ，故難以適切規定ALD用之Sr原料和氧化劑的供給條件 【發明內容】 本發明之目的係在於提供可以高生產量且高有效距離 成膜，更且可於20()t以下之低溫下進行原料的氣相化， 可以適切條件進行成膜之SrTi03膜的成膜方法。 又，本發明之其他目的爲在於提供實行此類方法之記 憶程式的記憶媒體。 若根據本發明之第一觀點，則提供包含於處理容器內 配置基板的步驟、和加熱基板的步驟、和將氣體狀之Sr 原料與氣體狀之Ti原料與氣體狀之氧化劑導入前述處理 容器內的步驟，並使用Sr胺化合物或Sr亞胺化合物作爲 前述Sr原料，於已加熱的基板上令此些Sr原料與Ti原 料與氧化劑反應，於基板上成膜出SrTi03膜之SrTi03膜 的成膜方法。 若根據本發明之第二觀點，則提供包含於處理容器內 配置基板的步驟，和加熱基板的步驟、和將氣體狀之Sr 原料與氣體狀之Ti原料與氣體狀之氧化劑導入前述處理 容器內的步驟，且使用Sr胺化合物或Sr亞胺化合物作爲 前述Sr原料，將氣體狀之Sr原料與氣體狀之Ti原料與 氣體狀之氧化劑導入前述處理容器內的步驟爲依序進行將 -5- 200902747 前述氣體狀之Ti原料導入前述處理容器內並於基板上吸 黏的步驟'和將前述氣體狀之氧化劑導入前述處理容器內 令吸黏之Ti原料分解形成含Ti氧化膜的步驟、和將前述 氣體狀之Sr原料導入前述處理容器內並於前述含Ti氧化 膜上吸黏的步驟、和將前述氣體狀之氧化劑導入前述處理 容器內令吸黏之Sr原料分解形成含Sr氧化膜的步驟，並 且以此些步驟爲丨循環重複數次循環且將各循環所形成之 薄膜層合’於基板上成膜出具有指定厚度之SrTi〇3膜之 SrTi03膜的成膜方法。 於上述第二觀點中，於前述各步驟中具有吹掃前述處 理容器的步驟爲佳。 於上述第一或第二觀點中，使用 C24H46N4Sr或 C^HsoNqSr所示之化合物作爲前述Sr原料爲佳。前述Sr 原料爲於100〜200 t中加熱的狀態下經由吸泡供給。又， 前述Sr原料爲於溶劑中溶解，並於ι〇〇〜2〇(rc中以汽化 器加熱汽化之狀態下供給。可使用長直鏈之烴類或環狀烴 類作爲前述溶劑，此類溶劑可例示辛烷、環己烷。 若根據本發明之第三觀點，則提供於電腦上運作，且 已記憶控制成膜裝置程式之電腦可讀取的記憶媒體，前述 程式於實行時’進行包含於處理容器內配置基板的步驟、 和加熱基板的步驟、和將氣體狀之sr原料與氣體狀之Ti 原料與氣體狀之氧化劑導入前述處理容器內的步驟，並使 用s r胺化合物或s r亞胺化合物作爲前述s r原料，於已 加熱之基板上令此些Sr原料與Ti原料與氧化劑反應，並 -6- 200902747 於基板上成膜出SrTi03膜之SrTi03膜的成膜方法般’ 供於電腦中控制前述成膜裝置之記憶媒體。 若根據本發明之第四觀點，則提供於電腦上運作， 已記憶控制成膜裝置程式之電腦可讀取的記憶媒體，前 程式於實行時，進行包含於處理容器內配置基板的步驟 和加熱基板的步驟、和將氣體狀之Sr原料與氣體狀之 原料與氣體狀之氧化劑導入前述處理容器內的步驟，且 用Sr胺化合物或Sr亞胺化合物作爲前述Sr原料，將 體狀之Sr原料與氣體狀之Ti原料與氣體狀之氧化劑導 前述處理容器內的步驟爲依序進行將前述氣體狀之Ti 料導入前述處理容器內並於基板上吸黏的步驟，和將前 氣體狀之氧化劑導入前述處理容器內令吸黏之Ti原料 解形成含Ti氧化膜的步驟、和將前述氣體狀之Sr原料 入前述容器內並於前述含Ti氧化膜上吸黏的步驟、和 前述氣體狀之氧化劑導入前述處理容器內令吸黏之Sr 料分解形成含Sr氧化膜的步驟，並且以此些步驟爲1 環重複數次循環且將各循環所形成之薄膜層合，於基板 成膜出具有指定厚度之SrTi03膜之SrTi03膜之成膜方 般’提供於電腦中控制前述成膜裝置之記憶媒體。 若根據本發明，使用Sr胺化合物或Sr亞胺化合物 爲前述Sr原料，則因其蒸氣壓爲比Sr(DPM)2高，故可 給充分的氣體量’可提局生產量。又，Sr的鍵結臂全 與N以單鍵結合的Sr胺化合物、或於Sr的鍵結臂包含 N之雙鍵的S亞胺化合物’均因易吸黏至基板表面，故 提 且 述 、 Ti 使 氣 入 原 述 分 導 將 原 循 上 法 作 供 部 與 可 -7- 200902747 實現高有效距離的成膜，因爲比Sr (DPM)2安定，故較可 抑制氣相分解或吸黏至基板表面且同時分解，並且在 ALD成膜時，在其吸黏後，以下一步驟於其上吸黏氧氣 等之氧化劑並開始反應，成爲氧化膜，故可明確ALD所 必要的吸黏、反應步驟，且可適切規定ALD用之Sr原料 和氧化劑的供給條件。 【實施方式】 以下，參照所附圖面並參照圖說明本發明之實施形態 〇 圖1爲示出本發明之成膜方法實施中可使用之成膜裝 置的槪略構成剖面圖。圖1所示之成膜裝置1 〇〇爲例如具 有以鋁等成形爲圓筒狀或箱狀之處理容器1，於處理容器 1內，設置載放被處理基板之半導體晶圓W的載置台3。 載置台3爲以厚度1mm左右之例如碳素材、氮化鋁等之 鋁化合物等所構成。 於載置台3的外周側，形成由處理容器1底部起立之 圓筒體狀之例如由鋁所形成的區隔壁1 3，並形成其上端 例如以L字狀往水平方向彎曲的彎曲部14。如此，經由 設置圓筒體狀之區隔壁1 3，則可於載置台3的裏面側形 成惰性氣體吹掃室15。彎曲部14的上面爲與載置台3的 上面實質上爲同一平面’由載置台3的外周離開，並於此 間隙將連結棒1 2插通。載置台3爲由區隔壁1 3的上方內 壁延伸的3根（圖示例中僅記述2根）支持臂4予以支持。 -8 - 200902747 於載置台3之下方’數根，例如3根之L字狀升降栓 5 (圖示例中僅記述2根）爲由環狀之支持構材6中突出至 上方般設置。支持構材6可經由處理容器丨之底部所貫通 設置的升降棒7予以升降，升降棒7爲經由位於處理容器 1下方之調節器1〇予以上下移動。於對應載置台3之升 降栓5的部分設置貫穿載置台3的插通穴8，經由調節器 1 〇透過升降棒7及支持構材6令升降栓5上升，則可將 升降栓5插通此插通穴8令半導體晶圓W舉起。升降棒7 對於處理容器1的插入部分爲經波紋管9所覆蓋，防止外 來氣體由此插入部分侵入處理容器1內。 於載置台3的周邊部，爲了保持半導體晶圓W之周 邊部並將其固定至載置台3側，設置例如沿著圓板狀半導 體晶圓W之輪廓形狀之約環狀之例如氮化鋁等之陶瓷製 的夾環構材1 1。夾環構材1 1爲透過連結棒1 2連結至上 述支持構材6，與升降栓5 —體性地升降。升降栓5和連 結棒1 2等爲由氧化鋁等之陶瓷所形成。 於環狀之夾環構材1 1的內周側下面，沿著周圍方向 形成以大約等間隔配置的複數接觸突起1 6，於夾住時， 接觸突起16之下端爲與半導體晶圓W之周邊部上面觸接 並將其押壓。另外，接觸突起16的直徑爲lmm左右’高 度爲約5 0 μιη左右，夾住時’於此部分形成環狀之第一氣 體吹掃用間隙1 7。另外，夾住時之半導體晶圓W之周邊 部與夾環構材1 1之內周側的搭接量（第一氣體吹掃用間隙 17的流路長度）L1爲數mm左右。 -9- 200902747 夾環構材1 1的周邊部爲位於區隔壁1 3之上端彎曲部 1 4的上方，並於此處形成環狀之第二氣體吹掃用間隙1 8 。第二氣體吹掃用間隙18的寬度例如爲5 00 μηι左右，比 桌〜氣體吹掃用間隙17之寬度更大1〇倍左右之寬度。夾 環構材11之周邊部與彎曲部14之搭接量（第二氣體吹掃 用間隙1 8之流路長度）例如爲約1 〇 m m左右。如此，惰性 氣•體吹掃室1 5內之惰性氣體可由兩間隙1 7、1 8流出至處 理空間側。 於處理容器1之底部，設置對上述惰性氣體吹掃室 1 5供給惰性氣體的惰性氣體供給機構1 9。此氣體供給機 構1 9爲具有將惰性氣體例如氬氣導入惰性氣體吹掃室1 5 $之氧體管嘴20、和供給氬氣作爲惰性氣體用之氬氣供 糸n源2 1、和由氬氣供給源21將氬氣導至氣體管嘴2 〇的 氣體配管22。又，氣體配管22中，設置作爲流量控制器 的質流控制器23及開閉閥24、25。亦可使用氦氣等代替 氣氣作爲惰性氣體。 於處理容器1之底部載置台3的正下位置，氣密設置 €英等之熱線穿透材料所構成的穿透窗3 〇，並於其下方 ’以圍住穿透窗3 0般設置箱狀之加熱室3 1。於此加熱室 3 1 为 0 ’作爲加熱手段的數個加熱燈3 2被安裝於兼具反射 鏡的迴轉台3 3。迴轉台3 3爲透過迴轉軸經由加熱室31 底部設置的迴轉馬達3 4予以迴轉。因此，由加熱燈3 2所 方夂出的熱線爲穿透過穿透窗3〇並照射載置台3的下面將 其加熱。 -10- 200902747 器 置 3 9 洗 圓 〇 體 體 體 孔 4 1 44 且 分 之 料 給 又，於處理容器1底部之周邊部，設置排氣口 36 並於排氣口 3 6接續以接至未圖示之真空泵的排氣管3 7 透過此排氣口 36及排氣管37予以排氣，則可令處理容 1內維持指定的真空度。又，於處理容器1的側壁，設 將半導體晶圓W搬出入的搬出入口 39、和將搬出入口 開關的閘閥3 8。 另一方面，與載置台3對向之處理容器1的天井部 設置將來源氣體等導入處理容器1內的淋洗頭40。淋 頭40爲例如由鋁等所構成，具有內部具空間41a之呈 盤狀的本體41。於本體41的天井部設置氣體導入口 42 於氣體導入口 42’供給SrTi03膜成膜所必要之處理氣 的處理氣體供給機構50爲經由其配管51接續。於頭本 4 1的底部’於橫貫全面配置將頭本體4 1內所供給之氣 朝向處理容器1內之處理空間放出用之多數的氣體噴射 43’於半導體晶圓W的全面放出氣體。又，於頭本體 內的空間4 1 a ’配設具有多數氣體分散孔45的擴散板 ’於半導體晶圓W的表面，可更加均等供給氣體。更 ，於處理容器1的側壁內及淋洗頭4 0的側壁內，設置 別調整溫度用之筒狀加熱器46、47，可將與氣體接觸 側壁和淋洗頭部保持於指定溫度。 處理氣體供給機構50爲具有貯留Sr原料之81>原 貯留部5 2、和貯留Ti原料之Ti原料貯留部5 3、和供 氧化劑之氧化劑供給源5 4、和用以供給稀釋處理容器 內氣體之氬氣等之稀釋氣體的稀釋氣體供給源55。 -11 - 1 200902747 接續至淋洗頭40的配管51’爲接續由Sr原料貯 部5 2所延長的配管5 6、由T i原料貯留部5 3所延長的 管5 7、由氧化劑供給源5 4所延長的配管5 8 ’於配管 接續上述稀釋氣體供給源5 5。於配管5 1 ’設置作爲流 控制器之質流控制器（MFC)60與其前後之開閉閥61、 。又，於配管5 8，設置作爲流量控制器之質流控制 (MFC)63與其前後之開閉閥64、65。 於Sr原料貯留部52，供給Ar等氣泡之載體氣體 載體氣體供給源66爲透過配管67接續。於配管67 ’ 置作爲流量控制器之質流控制器（MFC)68與其前後之開 閥69、70。又，於Ti原料貯留部53，亦將供給Ar等 體氣體的載體氣體供給源7 1爲透過配管72接續。於配 72，設置作爲流量控制器之質流控制器（MFC)73與其前 之開閉閥74、75。於Sr原料貯留部52、Ti原料貯留 53，分別設置加熱器76、77。其次，於Sr原料貯留部 所貯留之Sr原料及Ti原料貯留部53所貯留之Ti原料 在經此些加熱器76、77加熱之狀態下，經由吹泡供給 處理容器1。另外，雖未予圖示，但於Sr原料和Ti原 以汽化狀態供給的配管中亦設置加熱器。 使用Sr胺化合物或Sr亞胺化合物作爲Sr原料。 胺化合物爲如下列（1)所示般，Sr之鍵結臂爲全部與N 單鍵結合的化合物，S r亞胺化合物爲如下列（2 )所示般 於Sr之鍵結臂包含與N之雙鍵的化合物。 留 配 5 1 量 62 器 的 設 閉 載 管 後 部 52 5 至 料 Sr 以 -12- 200902747 【化1】
N = Sr = N 彼等係因比先前之Sr(DPN)2更高蒸氣壓，且具有易 吸黏至基板表面之性質，又，比Sr(DPN)2更安定，故如 後述般適合作爲SrTi03膜的原料。其中以Sr胺化合物之 C24H46N4Sr 和 C26H5()N4Sr 爲佳。C24H46N4Sr 爲具有下列 (3)所示之構造，且C26H5QN4Sr爲具有下列（4)所示之構造 【化2 IPr ipc
iPr iPr -13- 200902747
Ti原料可適當使用先前所用之Ti(OiPr)4和Ti(OiPr)2(DPM)2 等。 氧ft劑亦可使用先前所用之臭氧氣體、氧氣、水，且 其可單獨或複合使用。又，亦可使用氧氣的電漿。 於處理容器1的側壁上方，設置導入清淨氣體NF3氣 體的清淨氣體導入部8 1。於此清淨氣體導入部81接續供 給NF3氣體的配管82，於此配管82設置遙控電漿發生部 83。其次，於此遙控電漿發生部83中透過配管82令供給 的NF3氣體電漿化，並且供給至處理容器1內令處理容器 1內被清洗。另外，將遙控電漿發生部設置於淋洗頭40 的正上方，令清淨氣體透過淋洗頭40供給亦可。又，未 使用遙控電漿，以C1F3等進行非電漿之熱清洗亦可。 成膜裝置100爲具有微加工器（電腦）所構成的步驟控 制器9 0，成膜裝置1 0 0的各構成部爲接續至此步驟控制 器90而被控制所構成。又，於步驟控制器90，接續操作 者用以管理成膜裝置100之各構成部進行指令輸入操作的 鍵盤、和令成膜裝置1 0 0之各構成部之運作狀況可視化之 顯示裝置等所構成的使用者界面9 1 °更且’於步驟控制 -14- 200902747 器90 ’接續用以實現以步驟控制器90控制成膜裝置1 〇〇 所執行之各種處理的控制程式、和根據處理條件於液處理 裝置1 0 0之各構成部執行指定處理的控制程式，即收藏清 單、各種數據庫等的記憶部92。清單被記憶於記憶部92 中的記憶媒體。記憶媒體亦可固定設置於硬碟等，且亦可 爲CDROM、DVD、快閃記憶體等之可搬性物質。又，由 其他裝置，例如透過專用電路令清單適當搬送亦可。 視需要，以來自使用者界面91之指示等將任意的清 單由記憶部92中叫出並以步驟控制器90執行，且於步驟 控制器90的控制下，以成膜裝置1 〇〇進行所欲之處理。 其次，說明關於使用如上述構成之成膜裝置進行成膜 處理方法。 首先，將閘閥3 8打開並由搬出入口 3 9，將半導體晶 圓W搬入處理容器1內，載置於載置台3上。載置台3 爲經由事先以加熱燈3 2釋出且穿透過穿透窗3 0的熱線而 被加熱，並且經由此熱將半導體晶圓W加熱。其次，將 來自稀釋氣體供給源55之稀釋氣體例如氬氣以100〜800 mL/min(sccm)之流量供給，並且經由未圖示之真空菜透過 排氣口 36及排氣管37將處理容器1內排氣，令處理容器 1內之壓力真空排氣至3 9〜6 6 5 Pa左右。此時之半導體晶 圓W的加熱溫度例如設定於200~400°C。 其後，將稀釋用氣體，例如氬氣之流量以 mL/min(sccm)，並將處理容器1內之壓力控制於成膜壓力 3 9-266Pa，開始實際之成膜。另外，處理容器1內之壓力 -15- 200902747 調整爲經排氣管3 7所設置的自動壓力控制器（a p c )所執行 ο 於本實施形態中，於實際成膜時，使用如圖2所示順 序之ALD法。首先，將加熱器77加熱至50〜70t左右或 150〜230 °C之來自Ti原料貯留部53的吹泡，將Ti(0iPr)4 和Ti(OiPr)2(DPM)2等之Ti原料透過淋洗頭40供給至處 理容器1內的半導體晶圓W上（步驟1)。此時來自稀釋氣 體供給源55的稀釋氣體，例如氬氣之流量爲1〇〇〜500 mL/min(sccm)，來自載置氣體供給源71之載體氣體，例 如氬氣之流量爲100-500 mL/min(sccm)左右。此步驟爲例 如進行0.1〜20秒鐘左右之期間。 其次’停止載體氣體並停止Ti原料之供給，並將來 自稀釋氣體供給源5 5之稀釋氣體，例如氬氣之流量以 200~1000 mL/min(sccni)供給至處理容器1內，將處理容 器內吹掃（步驟2)。此步驟爲例如進行〇·ι〜20秒鐘左右之 期間。 其次，將來自稀釋氣體供給源5 5之稀釋氣體，例如 氣氣以l〇〇~500mL/min(sccm)左右流過之狀態，將來自 氧化劑供給源5 4之氧化劑透過淋洗頭4 0供給至處理容器 1內之半導體晶圓W上（步驟3)。如此，於半導體晶圓w 之表面所吸黏的Ti原料被分解並且氧化，形成Ti0x膜。 此步驟爲例如進行0 · 1〜2 0秒鐘左右之期間。使用臭氧氣 體作爲氧化劑之情形中，使用臭氧發生器作爲氧化劑供給 源54’並以5 0〜200g/Nm3左右之流量供給。此時可併用 -16- 200902747 氧氣，此時之氧氣流量爲100〜1 000mL/min(sccm)左右。 其次’停止氧化劑之供給’並以步驟2同樣之條件， 將來自稀釋氣體供給源55之稀釋氣體供給至處理容器1 內，將處理容器內吹掃（步驟4)。 其次，將加熱器76加熱至1〇〇〜200T：左右之來自Sr 原料貯留部經由吹泡之作爲S r原料的上述S r胺化合物或 Sr亞胺化合物’例如Sr胺化合物c24H46N4Si·和 C26H5〇N4Sr透過淋洗頭40供給至處理容器1內的半導體 晶圓W上（步驟5)。如此，Sr原料被吸黏至TiOx膜的表 面。此時來自稀釋氣體供給源5 5之稀釋氣體，例如氬氣 之流量爲l〇〇~5 00mL/min(sccm)、來自載體氣體供給源66 之載體氣體’例如氬氣之流量爲100〜5 00inL/min(SCcm)左 右。此步驟爲例如進行〇 _ 1〜2 0秒鐘左右之期間。 其次’停止載體氣體並停止Sr原料之供給，以步驟 2同樣之條件’將來自稀釋氣體供給源5 5之稀釋氣體， 例如氬氣之流量供給至處理容器1內，將處理容器內吹掃 (步驟6)。 其次’以步驟3同樣之條件，以來自稀釋氣體供給源 5 5之稀釋氣體流過之狀態，將來自氧化劑供給源$ 4之氧 化劑透過淋洗頭40供給至處理容器1內之半導體晶圓w 上（步驟7)。 其次’停止氧化劑之供給’並以步驟2同樣之條件， 將來自稀釋氣體供給源5 5之稀釋氣體供給至處理容器1 內，將處理容器內吹掃（步驟8)。 -17- 200902747 將上述步驟卜8重複2 0次以上，例如1 〇 〇次則可形 成指定厚度之SrTi03膜。 如此形成膜後，由氧化劑供給源54例如將氧氣以指 定流量供給’令膜確實氧化後，停止全部之氣體，將處理 容器內抽真空，其後，以搬送臂將處理容器1內的半導體 晶圓W搬出。 以上順序中’閥和質流控制器等之控制爲根據記憶部 92所記憶之清單，以步驟控制器90進行。 於上述之成膜步驟中，使用Sr胺化合物或Sr亞胺化 合物作爲Sr原料，彼等之蒸氣壓比先前使用作爲Sr源的 Sr(DPM)2 高。例如 Sr(DPM)2 中，於 231 °C 下爲 13.3Pa (O.lTorr) ’ 相對地，於 C24H46N4Sr 中，於 1 10 °C 下爲 6‘67Pa( 〇.〇5Torr)，於 C25H5〇N4Sr 中，於 125°C 下爲 6.67Pa。因此，可供給充分的氣體量，可提高生產量。又 ’ Sr之鍵結臂全部與n以單鍵結合的Sr胺化合物、或Sr 之鍵結臂包含與N之雙鍵的Sr亞胺化合物均易吸黏至底 層表面’故可實現高有效距離的成膜，加上比Sr(DPM)2 安定’故較可抑制氣相下分解或吸黏至基板表面且同時分 解’且於Sr原料吸黏後，以下一步驟令氧化劑吸黏至其 上並開始反應，成爲氧化膜，故可明確採取ALD所必要 之吸黏、反應步驟，且可適切規定ALD用之Sr原料和氧 化劑的供給條件，可組成生產量高之合理的序列。例如， 如圖3所示般’若橫軸爲Sr流量，縱軸爲每1循環之膜 厚’則Sr(DPM)2中，相對於Sr流量每1循環之膜厚爲未 -18- 200902747 飽和’相對地’ S r胺化合物或s r亞胺化合物中，相對於
Sr流量每1循環之膜厚爲飽和，故可輕易決定飽和時刻 的流量。 於以上之成膜裝置中，使用吹泡進行原料供給的處理 氣體供給機構5 0 ’但亦可使用如圖4所示之汽化器進行 原料供給的處理氣體供給機構5 〇，。處理氣體供給機構 5〇’爲具有令Sr原料於溶劑中溶解之狀態貯留的Sr原料 貯留部52’、和令Ti原料於溶劑中溶解之狀態貯留的Ti 原料貯留部53’、和供給氧化劑之氧化劑供給源54,、和 令Sr原料及Ti原料汽化之汽化器ι〇1。由Sr原料貯留部 52’至汽化器101爲止設置配管ι〇2，由Ti原料貯留部 53’至汽化器101爲止設置配管1〇3。由Sr原料貯留部 5 2 ’及T i原料貯留部5 3，將液體以壓送氣體或泵等供給至 汽化器1 〇 1。於配管1 0 2中設置作爲流量控制器的液體質 流控制器（LMFC)104和其前後之開閉閥105、106。又， 於配管103中設置液體質流控制器（LmFC) 107和其前後之 開閉閥1 〇 8、1 0 9。於s r原料貯留部5 2 ’、T i原料貯留部 5 3 ’中，分別設置加熱器7 6 ’、7 7，。其後，於S r原料貯留 部5 2 ’所貯留之溶解於溶劑狀態的S r原料、及於T i原料 貯留部5 3 ’所貯留之溶解於溶劑狀態的τ i原料，經此些加 熱器76’、77’加熱至指定溫度，並且經由泵和氣體壓送等 以液體之狀態供給至汽化器1 01。另外，雖未圖不，但於 流通S r原料和T i原料之配管中亦設置加熱器。 於汽化器1 〇 1中接續前述配管5 Γ至淋洗頭4 0。於汽 -19 - 200902747 化器1 0 1中，接續由供給氬氣等載體氣體的載體氣體供給 源11 0所延伸的配管111，將載體氣體供給至汽化器1 〇 1 ，並於汽化器101內例如將加熱至100〜200°C之汽化Sr 原料及Ti原料透過配管51’及淋洗頭40導入處理容器1 內。於配管1 1 1中，設置作爲流量控制器之質流控制器 (MFC) 1 1 2和其前後之開閉閥1 1 3、1 1 4。由氧化劑供給源 5 4 ’至配管5 1 ’設置配管1 1 5，將氧化劑由配管1 1 5經過配 管51’及淋洗頭40導入處理容器1內。於配管115中， 設置作爲流量控制器的質流控制器（MFC) 1 1 6和其前後之 開閉閥1 1 7、1 1 8。氣體供給機構50’，又，具有供給用以 稀釋處理容器1內氣體之氬氣等稀釋氣體的稀釋氣體供給 源5 5 ’。於此稀釋氣體供給源5 5 ’中’設置到達配管5 Γ的 配管1 1 9，將稀釋用氬氣由配管1 1 9經過配管51’及淋洗 頭40導入處理容器1內。於配管1 19中，設置作爲流量 控制器的質流控制器（M F C ) 1 2 0和其前後之開閉閥 1 2 1、 122 = 如此令溶解於溶劑狀態之原料以汽化器101汽化並且 供給之情形中，經由使用蒸氣壓高的Sr胺化合物和Sr亞 胺化合物作爲Sr原料，則可使用辛烷等之長直鏈狀烴類 和環己烷等之環狀烴類作爲溶劑’可迴避先前所用之TH F 般溶質與溶劑的反應，可安定搬送、汽化。 使用氣體供給機構50’成膜出SrTi03膜之情形中，除 了上述步驟1之Ti原料流及步驟5之Sr原料流不同以外 ，基本上與上述順序相同實施成膜處理。 -20- 200902747 於步驟1之T i原料流中’於T i原料貯留部5 3，中， 令Ti原料如上述溶解於辛烷和環己烷中並且於加熱至 150〜23 0 °C的汽化器1〇1中搬送汽化。此時濃度較佳爲 0.05〜1莫耳/升。此時來自稀釋氣體供給源55’之稀釋氣體 ，例如Μ氣之流量爲1〇〇〜50〇mL/min(sccm)、來自載體氣 體供給源110之載體氣體，例如氬氣之流量爲1〇〇〜500 mL/min(sccm)左右。其後，此步驟與上述吹泡供給情況進 行同程度之時間。 於步驟5之Sr原料流中，於Sr原料貯留部52,中， 令Sr原料如上述溶解於辛烷和環己烷。此時之濃度較佳 爲0.05~1莫耳/升。將其供給至加熱於100〜200°C之汽化 器101並且汽化。此時來自稀釋氣體供給源55’之稀釋氣 體，例如氬氣之流量爲100〜5 00mL/min(sccm)、來自載體 氣體供給源1 1 〇之載體氣體，例如氬氣之流量爲1 0 0 ~ 5 0 0 mL/min(SCCm)左右。其後，此步驟與上述吹泡供給之情況 進行同程度之時間。 如此使用汽化器供給Sr原料、Ti原料之情況亦重複 20次以上、例如1 〇〇次之步驟1〜8，則可形成指定厚度之 SrTi03 膜。 其後’同上述例停止氧氣流及氣體並且進行抽真空後 ，由處理容器1中搬出半導體晶圓W。 另外，令Sr原料貯留部及Ti原料貯留部之任一者爲 吹泡型，且另一者爲汽化器型者亦可。 其次’示出關於根據上述實施形態實際成膜之實施例 -21 - 200902747 及比較例。 <實施例1> 於上述圖1之裝置中，調整燈能量，將載置台之溫度 設定至成膜溫度270°c，並使用搬送機器臂於處理容器內 搬入200mm矽晶圓，成膜出SrTi03膜。使用C24H46N4Sr 作爲S r原料，將其保持於加熱至1 5 0 °C之容器，並將作 爲載體氣體之氬氣以吹泡法供給至處理容器。使用 Ti(OiPr)4作爲Ti原料，並將其保持於加熱至4CTC之容器 ，同樣將作爲載體氣體之氬氣以吹泡法供給至處理容器。 又，使用臭氧氣體和氧氣作爲氧化劑。配管及處理容器之 溫度爲1 5 5 °c。其次，將矽晶圓經機器臂設置於載置台後 ，將稀釋氬氣以300mL/min(sccm)之流量流過30秒鐘並 以133Pa(lTorr)之壓力令矽晶圓升溫至成膜溫度後，將稀 釋氣體維持同樣之流量，並且以1 0秒鐘將壓力控制於成 膜壓力106Pa(0.8T〇rr)，並根據上述之步驟卜8進行成膜 〇 步驟1之T i原料供給步驟爲令載體氬氣之流量以 100mL/min(sccm)、稀釋氬氣之流量以 100mL/min(sccm) 進行2秒鐘之時間，於步驟2之氬氣吹掃中，停止載體氬 氣並且令稀釋氬氣之流量以500mL/min(sccm)進行1秒鐘 之時間。 步驟3之氧化劑供給步驟爲令臭氧氣體以200g/Nm3 、氧氣以 l〇〇〇mL/min(sccm)，且稀釋氬氣之流量以 -22- 200902747 100mL/min(sccm)進行2秒鐘之時間，於步驟4之氣氣吹 掃中，停止臭氧氣體、氧氣後，同步驟2，令稀釋氬氣流 量爲500mL/min(sccm)進行1秒鐘之時間。 步驟5之Sr原料供給步驟爲令載體氬氣之流量以 50mL/min(sccm)、稀釋氣氣之流量以 100mL/min(sccm)進 行2秒鐘之時間，步驟6之氬氣吹掃爲同步驟2，停止載 體Μ氣且令稀釋Μ氣之流量爲500mL/min(sccm)進行1秒 鐘之時間。 步驟7之氧化劑供給步驟與步驟8之氬氣吹掃爲與步 驟3及步驟4完全同樣之條件下進行。 重複100次如上述之步驟1〜8後，將壓力維持於成膜 壓力，並且令氧氣以3 00mL/min(sccm)之流量流過20秒 鐘，其後以停止氣體之狀態下於2 0秒鐘之間，將處理容 器內抽真空並且保持真空，其後由處理容器中搬出矽晶圓 〇 測定如上述順序所形成之S r T i 0 3膜的厚度爲1 2 n m。 <實施例2> 於上述圖1之裝置中，調整燈能量，將載置台之溫度 設定至成膜溫度340 °C，並使用搬送機器臂於處理容器內 搬入200mm石夕晶圓’成膜出SrTi03膜。使用c26H5〇N4Sr 作爲Sr原料’於辛烷中以〇_4莫耳/升之濃度溶解，並以 He壓送至加熱於150 °C的汽化器，將氬氣作爲載體氣體汽 化供給至處理容器。使用Ti(〇iP〇4作爲Ti原料，並將其 -23- 200902747 保持於加熱至40 °C之容器，將作爲載體氣體之氬氣以吹 泡法供給至處理容器。氧化劑爲使用臭氧氣體和氧氣。配 管及處理容器之溫度爲1 5 5 °c。其次，將矽晶圓經機器臂 設置於載置台後，將稀釋Μ氣以300mL/min(sccm)之流量 流過30秒鐘，並以133 Pa(lTorr)之壓力令矽晶圓升溫至 成膜溫度後，將稀釋氣體維持於同樣之流量，且以1 0秒 鐘將壓力控制於成膜壓力1 06 Pa(0.8Torr)，並根據上述之 步驟1~8進行成膜。 直到步驟1〜4，以實施例1之步驟1〜4同樣之條件進 行後，步驟5之Sr原料供給步驟爲令載體氬氣之流量爲 50mL/min(sccm)、稀釋氬氣之流量爲 100mL/min(sccm)於 辛烷中溶解的C26H5QN4Sr以汽化器汽化且供給2秒鐘之 時間，步驟6之氬氣吹掃爲同步驟2，停止載體氬氣並令 稀釋義氣之流量爲500mL/min(sccm)進行1秒鐘之時間。 步驟7之氧化劑供給步驟與步驟8之氬氣吹掃爲與步 驟3及步驟4完全同樣之條件下進行 如上述之步驟1〜8重複1 〇〇次後，將壓力維持於成膜 壓力，令氧氣以 3 00mL/min(SCCm)之流量流過 20秒鐘， 其後以停止氣體之狀態下於2 0秒鐘之間，將處理容器內 抽真空並且保持真空，其後由處理容器中搬出矽晶圓。 測定如上述順序所形成之SrTi03膜的厚度爲1 3 nm。 <比較例1 > 於上述圖1之裝置中，調整燈能量，將載置台之溫度 -24- 200902747 設定至成膜溫度3 20°C，並使用搬送機器臂於處理容器內 搬入200mm矽晶圓，成膜出SrTi03膜。使用Sr(DPM)2 作爲Sr原料，將其保持於加熱至200°C之容器，並將作 爲載體氣體之氬氣以吹泡法供給至處理容器。使用 Ti(OiPr)4作爲Ti原料，並將其保持於加熱至4(TC之容器 ，同樣將作爲載體氣體之氬氣以吹泡法供給至處理容器。 氧化劑爲使用臭氧氣體。配管及處理容器的溫度爲180 °C 。其後，將矽晶圓經機器臂設置於載置台後，將稀釋氬氣 以300mL/min(sccm)之流量流過30秒鐘並以133Pa(lTorr) 之壓力令矽晶圓升溫至成膜溫度後，將稀釋氣體維持同樣 之流量，並且以10秒鐘將壓力控制於成膜壓力40Pa(0.3 Torr)，並根據上述之步驟1〜8進行成膜。 步驟1之Ti原料供給步驟爲令載體氬氣之流量以 100mL/min(sccm)、稀釋氯氣之流量以 100mL/min(sccm) 進行2秒鐘之時間，於步驟2之氬氣吹掃中，停止載體氬 氣並且令稀釋Μ氣之流量以500mL/min(sccm)進行1秒鐘 之時間。 步驟3之氧化劑供給步驟爲令臭氧氣體以200g/Nm3 、稀釋氬氣之流量以l〇〇〇mL/min(sccm)進行2秒鐘之時 間，於步驟4之氬氣吹掃爲停止臭氧氣體後，同步驟2, 令稀釋氬氣流直爲5〇〇mL/min(sccm)進行1秒鐘之時間。 步驟5之Sr原料供給步驟爲令載體氬氣之流量以 50mL/min(sccm)、稀釋氬氣之流量以 1 〇 〇mL/min(sccm)進 行2秒鐘之時間’步驟6之氬氣吹掃爲同步驟2，停止載 -25- 200902747 體氬氣且令稀釋氬氣之流量爲500mL/min(sCcm)進行1秒 鐘之時間。 步驟7之氧化劑供給步驟與步驟8之氬氣吹掃爲與步 驟3及步驟4完全同樣之條件下進行。 重複1 00次如上述之步驟1〜8後，將壓力維持於成膜 壓力，並且令氧氣以300mL/min(sccm)之流量流過20秒 鐘，其後以停止氣體之狀態下於20秒鐘之間，將處理容 器內抽真空並且保持真空，其後由處理容器中搬出矽晶圓 〇 測定如上述順序所形成之 SrTi03膜的厚度時，爲 3nm比實施例更小之膜厚。其係因使用蒸氣壓低之 Sr(DPM)2作爲Sr原料，故於200°C之吹泡下Sr供給量變 少。 <比較例2 > 除了令成膜溫度爲350 °C，將Sr原料Sr(DPM)2溶解 於THF並以汽化器予以汽化供給，且將原料容器與汽化 器於310°(：中加熱，成膜壓力爲133?&(1丁〇^)以外，以比 較例1相同之條件成膜出S r T i Ο 3膜。測定S r T i 〇 3膜之厚 度時，爲6nm雖較比較例1大，但比實施例小之膜厚。 其係因汽化溫度高且汽化量增加，但配管和處理容器的溫 度依舊爲180°C ’故Sr(DPM)2爲在配管和處理容器的壁 部再固化，到達晶圓的原料變少。 -26- 200902747 <比較例3 > 除了令配管及處理容器的溫度爲320 °C以外’以比較 例2相同之條件成膜出SrTi03膜。其結果’膜厚爲12nm ，與實施例同等，但因提高配管及處理容器之溫度’故構 材必須爲耐熱性高’由樹脂閥變更成全金屬閥、處理容器 材料由銘變更成不鏽鋼’淋洗頭材料由鋁變更成耐熱耐蝕 鎳基合金等，設備負擔變得過大，難以實現。 以上實施例1、2及比較例1〜3之結果整理示於表1 -27- 200902747 成膜速度 (nm/100 循環） (N (N 成膜方法 成膜壓 ! 力(Torr) 00 d oo d d 1—^ 1—H 成膜溫 度(°c) 270 340 320 350 350 成膜 方法 ALD ALD ALD ALD ALD 氧原料 氧源名 ^*1 Ti原料供給方法 容器· 汽化溫 度(°c) Ο o o 310 310 供給 方法 吹泡 吹泡 吹泡 THF稀 釋DLI THF稀 釋DLI T源料 Ti(OiPr)4 Ti(0iPr)4 Ti(0iPr)4 Ti(0iPr)4 Ti(〇iPr)4 Sr原料供給方法 配管•處 理容器溫 度(°c) in in r-H r· H § 〇 OO 1—H 320 容器· 汽化溫 度cc) o r-H 200 310 310 供給 方法 吹泡 辛烷稀 釋DLI 吹泡 THF稀 釋DLI THF稀 釋DLI 原料名 C24H46N4Sr C26H5〇N4Sr Sr(DPM)2 Sr(DPM)2 Sr(DPM)2 實施例1 實施例2 比較例1 比較例2 比較例3 -28- 200902747 另外，本發明並非被限定於上述實施形態且可爲各種 限定。例如，上述實施形態中，雖示出關於使用 ALD法 進行成膜之情形，但根據通常的CVD法進行成膜之情形 亦適用。又，成膜裝置雖示出以燈加熱將被處理基板予以 加熱者，但亦可以電阻加熱器予以加熱。更且，上述實施 形態中示出使用半導體晶圓作爲被處理基板之情形，但不 限於半導體晶圓，亦可使用FPD用玻璃基板等之其他基 板。 [產業上之可利用性] 本發明之SrTi03膜的成膜方法因爲以高生產量、高 有效距離取得良質膜，故有效作爲MIM構造之電容器中 的電極。 【圖式簡單說明】 圖1爲示出本發明之一實施形態之成膜方法實施中可 使用之成膜裝置的槪略構成剖面圖。 圖2爲示出本發明之一實施形態之成膜方法之順序的 步驟圖。 圖3爲示出每Sr原料之Sr流量與每1循環之Sr膜 厚的關係圖。 圖4爲示出處理氣體供給機構之其他例圖。 【主要元件符號說明】 -29- 200902747 1 :處理容器 3 ·載置台 4 :支持臂 5 :升降栓 6 :支持構件 7 :升降棒 8 :插通穴 9 :波紋管 1 0 :調節器 1 1 :夾環構材 1 2 :連結棒 1 3 :區隔壁 1 4 :彎曲部 1 5 :惰性氣體吹掃室 1 6 :接觸突起 1 7 :第一氣體吹掃用間隙 1 8 :第二氣體吹掃用間隙 1 9 :惰性氣體供給機構 20 :氣體管嘴 2 1 :氬氣供給源 22 :氣體配管 23 :質流控制器 24 :開閉閥 25 =開閉閥 -30 200902747 30 :穿透窗 3 1 :加熱室 3 2 :加熱燈 3 3 :迴轉台 3 4 :迴轉馬達 3 6 :排氣口 3 7 :排氣管 3 8 :閘閥 3 9 :搬出入口 4 0 :淋洗頭 4 1 :本體 4 1 a :空間 42 :氣體導入口 43 :氣體噴射孔 4 4 :擴散板 45 :氣體分散孔 46 :筒狀加熱器 47 :筒狀加熱器 5 0 :處理氣體供給機構 5 1 :配管 5 2 : S r原料貯留部 53 : Ti原料貯留部 54 :氧化劑供給源 5 5 :稀釋氣體供給源 -31 200902747 5 6 :配管 5 7 :配管 5 8 :配管 60 :質流控制器 6 1 :開閉閥 62 :開閉閥 63 :質流控制器 64 :開閉閥 6 5 :開閉閥 66 :載體氣體供給源 67 :配管 68 :質流控制器 69 :開閉閥 70 :開閉閥 7 1 :載體氣體供給源 72 :配管 73 質流控制器 74 :開閉閥 75 :開閉閥 7 6 :加熱器 7 7 :加熱器 8 1 :清淨氣體導入部 82 :配管 83 :遙控電漿發生部 -32- 200902747 9 0 :步驟控制器 9 1 :使用者界面 92 :記憶部 1〇〇 :成膜裝置 1 〇 1 :汽化器 102 :配管 1 〇 3 :配管 1 〇 5 :開閉閥 1 〇 6 :開閉閥 107 :液體質流控制器 104 :液體質流控制器 1 〇 8 :開閉閥 1 〇 9 :開閉閥 1 1 〇 :載體氣體供給源 1 1 1 :配管 1 1 2 :質流控制器 1 1 3 :開閉閥 1 1 4 :開閉閥 1 15 :配管 1 1 6 :質流控制器 1 1 7 :開閉閥 1 1 8 :開閉閥 1 1 9 :配管 120 :質流控制器 -33 200902747 1 2 1 :開閉閥 1 2 2 :開閉閥 -34

Claims (1)

  1. 200902747 十、申請專利範圍 1. 一種SrTi〇3膜之成膜方法，其特徵爲包含 於處理容器內配置基板之步驟，和 將基板加熱之步驟，和 將热體狀之Sr原料與氣體狀之Ti原料與氣體狀之氧 化劑導入該處理容器內之步驟， 作爲β S r原料使用s r胺化合物或s ^亞胺化合物， 於經加熱之基板上令此些S r原料與T i原料與氧化劑 進行反應’於基板上成膜出SrTi〇3膜。 2_如申請專利範圍第丨項之SrTi〇3膜之成膜方法， 其中’作爲該Sr原料使用以C24H46N4Sr或C26H5GN4Srm 示之化合物。 3. 如申請專利範圍第1項之SrTi03膜之成膜方法， 其中’該Sr原料爲以加熱至1 〇〇〜2〇〇^之狀態下經由吹 泡供給。 4. 如申請專利範圍第1項之SrTi03膜之成膜方法， 其中’該S r原料爲以溶解於溶劑，並於1 〇 〇〜2 〇 〇它中以 汽化器加熱汽化之狀態下供給。 5·如申請專利範圍第4項之SrTi03膜之成膜方法， 其中’該溶劑爲長直鏈之烴類或環狀烴類。 6.如申請專利範圍第5項之SrTi03膜之成膜方法， 其中’該溶劑爲辛烷或環己烷。 7_—種SrTi〇3膜之成膜方法，其特徵爲包含 於處理容器內配置基板之步驟，和 -35- 200902747 將基板加熱之步驟，和 將氣體狀之Sr原料與氣體狀之Ti原料與氣體狀之氧 化劑導入該處理容器內之步驟， 作爲該Sr原料使用Sr胺化合物或Sr亞胺化合物， 將氣體狀之Sr原料與氣體狀之Ti原料與氣體狀之氧 化劑導入該處理容器內之步驟爲依序進行 將該氣體狀之Ti原料導入該處理容器內於基板上吸 黏之步驟，和以該氣體狀之氧化劑令導入該處理容器內吸 黏之Ti原料分解形成含Ti氧化膜之步驟，和將該氣體狀 之Sr原料導入該處理容器內且於該含Ti氧化膜上吸黏之 驟’和以該氣體狀之氧化劑令導入該處理容器內吸黏之 Sr原料分解形成含Sr氧化膜之步驟，並且以彼等視爲1 重複複數循環，並將各循環所形成之薄膜予以層合 並於基板上成膜出具有指定厚度之SrTi〇3膜。 8.如申請專利範圍第7項之SrTi03膜之成膜方法， 其中’於該吸黏Ti之步驟，該氧化Ti膜之步驟、氧化Ti 膜之步驟、氧化Sr之步驟間具有吹掃該處理容器的步驟 〇 9_如申請專利範圍第7項之SrTi03膜之成膜方法， 其中’作爲該Sr原料使用以c24H46N4Sr或C26H5()N4Sr所 示之化合物。 1〇·如申請專利範圍第7項之SrTi03膜之成膜方法， 其中’該S r原料爲以加熱至1 0 0〜2 0 〇 r之狀態下經由吹 泡供給。 -36- 200902747 Π.如申請專利範圍第7項之SrTi〇3膜之成膜方法’ 其中，該Sr原料爲以溶解於溶劑，並於i〇〇~2〇(rc中以 汽化器加熱汽化之狀態下供給。 12. 如申肺專利範圍第n項之SrTi〇3膜之成膜方法 ’其中’該溶劑爲長直鏈之烴類或環狀煙類。 13. 如申請專利範圍第12項之SrTi〇3膜之成膜方法 ’其中’該溶劑爲辛烷或環己烷。 14 · 一種記憶媒體，其爲於電腦上運作，且已記憶控 制成膜裝置程式之電腦可讀取的記憶媒體，其特徵爲該程 式爲於實行時，以進行包含 於處理容器內配置基板之步驟，和 將基板加熱之步驟，和 將氣體狀之Sr原料與氣體狀之Ti原料與氣體狀之氧 化劑導入該處理容器內之步驟， 作爲該S r原料使用S r胺化合物或s Γ亞胺化合物， 於經加熱之基板上令此些S r原料與τ i原料與氧化劑 進行反應，於基板上成膜出SrTi03膜之SrTi03膜之成膜 方法般，於電腦中控制該成膜裝置。 1 5 ·—種記憶媒體，其爲於電腦上運作，且已記憶控 制成膜裝置程式之電腦可讀取的記憶媒體，其特徵爲該程 式爲於實行時，以進行包含 於處理容器內配置基板之步驟，和 將基板加熱之步驟，和 將氣體狀之Sr原料與氣體狀之Ti原料與氣體狀之氧 -37- 200902747 化劑導入該處理容器內之步驟， 作爲該Sr原料使用Sr胺化合物或Sr亞胺化合物， 胃氣體狀之Sr原料與氣體狀之Ti原料與氣體狀之氧 化齊!1導入該處理容器內之步驟爲依序進行 將該氣體狀之Ti原料導入該處理容器內於基板上吸 黏之步驟，和以該氣體狀之氧化劑令導入該處理容器內吸 黏之Ti原料分解形成含Ti氧化膜之步驟，和將該氣體狀 之Sr原料導入該處理容器內且於該含Ti氧化膜上吸黏之 步驟，和以該氣體狀之氧化劑令導入該處理容器內吸黏之 Sr原料分解形成含Sr氧化膜之步驟’並且以彼等視爲1 循環且重複複數循環’並將各循環所形成之薄膜予以層合 並於基板上成膜出具有指定厚度之SrTi〇3膜之SrTi〇3膜 之成膜方法般’於電腦中控制該成膜裝置。 -38 -
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