KR20170116197A - 정전 척의 수리 및 복원을 위한 방법 및 장치 - Google Patents
정전 척의 수리 및 복원을 위한 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170116197A KR20170116197A KR1020177027344A KR20177027344A KR20170116197A KR 20170116197 A KR20170116197 A KR 20170116197A KR 1020177027344 A KR1020177027344 A KR 1020177027344A KR 20177027344 A KR20177027344 A KR 20177027344A KR 20170116197 A KR20170116197 A KR 20170116197A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive
- electrostatic chuck
- substrate support
- electrical connection
- support assembly
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49718—Repairing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예에서, 기판 지지 조립체는, 정전 척 ― 정전 척은 정전 척 내부에 매설된 전극을 가지며 정전 척을 관통하여 배치되는 구멍을 가짐 ―, 구멍 내부의 정전 척의 표면상에 배치되는 전도성 라이너, 정전 척의 하부 표면으로부터 연장하고 구멍과 축방향으로 정렬되는 전도성 배관, 및 구멍 내부에 적어도 부분적으로 그리고 전도성 배관 내부에 적어도 부분적으로 배치되는 전도성 코팅을 포함하며, 전도성 코팅은 전도성 라이너와 전도성 배관 사이에 전도성 경로를 제공한다.
Description
[0001] 본 발명의 실시예들은 일반적으로 정전 척을 복원하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로는 정전 척의 평형 회로(balancing circuit) 내의 끊어진 전기 접속부(severed electrical connection)를 수리하는 것에 관한 것이다.
[0002] 기판 프로세싱 장비에 있어서, 정전 척은 일반적으로 프로세싱 중에 기판을 받침대(pedestal)에 클램핑하는데 사용된다. 정전 척은 기판과 척 사이에 인력을 생성함으로써 기판을 클램핑한다. 기판과 전극들 각각 내에 반대 극성의 전하들을 유도하기 위해서 척 내의 하나 또는 그 초과의 전극들에 전압이 인가된다. 반대 전하들은 척에 대해 기판을 끌어당기며, 그에 의해 기판을 유지한다.
[0003] 양극성 정전 척에 있어서, 척 바디(body)는 그 내부에 매설된 한 쌍의 공면 전극(coplanar electrode)들을 가진다. 각각의 전극은, 중심 탭으로서 지칭되는 공통 단자를 갖는 이중 전원의 단자에 각각 연결된다. 중심 탭은 기판과 전극들 사이의 임피던스의 임의의 변동들을 평형화시키기 위해서, 척의 표면에 제공되는 기판 간격유지 마스크에 연결된다. 따라서, 기판과 척 사이의 일정한 정전 인력이 척의 표면 전역에 걸쳐 유지된다.
[0004] 중심 탭과 기판 간격유지 마스크 사이의 전기 접속은 종종, 프로세싱 중에 기판의 후면측(backside)에 가스를 공급하는데 사용되는 가스 도관의 전도성 벽을 통하여 이루어진다. 가스 도관은 척 바디 내의 금속화된 중앙 보어에 부착된다. 이러한 전기 접속부는 기판 프로세싱 중에 양호하게 작동하지만, 전도성 접속부는 시간이 지나면서 때때로 파괴되거나 그렇지 않으면 손상된다. 전도성 접속부는 기계적으로 견고함을 유지할 수 있지만, 그 접속부는 전류를 전도시키는데 유효하지 못할 수 있으며, 이는 정전 척의 부적절한 작동이나 기능장애 작동을 초래한다.
[0005] 종래의 수리 방법들은 전자 빔 용접 또는 레이저 용접 기술들과 같은 용접 기술들을 사용하여 전도성 접속부를 복구하는 것을 포함한다. 그러나, 이들 방법들은 고가이고 시간 소모적이며, 이는 소유 비용을 증가시키고 챔버의 비가동 시간을 연장시킨다.
[0006] 그러므로, 정전 척 내의 손상된 평형 회로 전기 접속부를 복구하기 위한 장치 및 방법들에 대한 필요성이 존재한다.
[0007] 본 발명의 일 실시예에서, 기판 지지 조립체는, 정전 척 ― 정전 척은 정전 척 내부에 매설된 전극들을 가지며 정전 척을 관통하여 배치되는 구멍을 가짐 ―, 구멍 내부의 정전 척의 표면상에 배치되는 전도성 라이너, 정전 척의 하부 표면으로부터 연장하고 구멍과 축방향으로 정렬되는 전도성 배관, 및 구멍 내에 적어도 부분적으로 그리고 전도성 배관 내에 적어도 부분적으로 배치되는 전도성 코팅을 포함하며, 전도성 코팅은 전도성 라이너와 전도성 배관 사이에 전도성 경로를 제공한다.
[0008] 다른 실시예에서, 정전 척 조립체의 평형 회로 내의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법은, 절단된 전기 접속부에 걸쳐서 전도성 유체를 적용하는 단계, 및 절단된 전기 접속부에 걸쳐서 전도성 경로를 형성하도록 전도성 유체를 경화시키는 단계를 포함한다.
[0009] 다른 실시예에서, 정전 척 조립체의 평형 회로 내의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법은, 정전 척의 상부 표면상에 배치된 기판 간격유지 마스크와, 정전 척을 통해 연장하는 금속성으로 라이닝 처리된 구멍과 축방향으로 정렬되고 정전 척의 하부 표면으로부터 연장하는 전도성 배관 사이의 저항을 결정하는 단계, 전도성 도관과 기판 간격유지 마스크 사이의 전기 접속부가 절단되었는지 여부를 결정하도록 결정된 저항을 평가하는 단계, 및 나노-입자 전도성 재료를 포함하는 코팅을 적용함으로써 전도성 배관과 기판 간격유지 마스크 사이의 전도성 경로를 복구하여 절단된 접속부를 수리하는 단계를 포함한다.
[0010] 본 발명의 상이 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약한 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1은 본 발명으로부터 이득을 얻을 수 있는 예시적인 기판 지지 조립체의 개략적인 횡단면도이다.
[0012] 도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 가스 도관과 전도성 통로 사이의 절단된 전기 접속부를 수리하는 방법을 활용하는, 기판 지지 조립체의 개략적인 도면이다.
[0013] 도 3은 본 발명으로부터 이득을 얻을 수 있는 다른 기판 지지 조립체의 개략적인 횡단면도이다.
[0014] 도 4는 본 발명으로부터 이득을 얻을 수 있는 다른 기판 지지 조립체의 개략적인 횡단면도이다.
[0015] 도 5는, 도 3 및 도 4에서 설명되는 중심 탭 구조물을 도시하는, 기판 지지 조립체의 개략적인 평면도이다.
[0016] 이해를 용이하게 하기 위해서, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해서, 가능하다면, 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 요소들은 특별한 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 활용될 수 있는 것이 고려된다.
[0011] 도 1은 본 발명으로부터 이득을 얻을 수 있는 예시적인 기판 지지 조립체의 개략적인 횡단면도이다.
[0012] 도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 가스 도관과 전도성 통로 사이의 절단된 전기 접속부를 수리하는 방법을 활용하는, 기판 지지 조립체의 개략적인 도면이다.
[0013] 도 3은 본 발명으로부터 이득을 얻을 수 있는 다른 기판 지지 조립체의 개략적인 횡단면도이다.
[0014] 도 4는 본 발명으로부터 이득을 얻을 수 있는 다른 기판 지지 조립체의 개략적인 횡단면도이다.
[0015] 도 5는, 도 3 및 도 4에서 설명되는 중심 탭 구조물을 도시하는, 기판 지지 조립체의 개략적인 평면도이다.
[0016] 이해를 용이하게 하기 위해서, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해서, 가능하다면, 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 요소들은 특별한 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 활용될 수 있는 것이 고려된다.
[0017] 본 발명은 특히 정전 척의 제거 이후에, 정전 척 내부에 포함된 양극성 전극들과 정전 척 상부에 배치되는 전도성 마스크 사이의 전기 접속부를 시험하고 수리하기 위한 방법들 및 장치를 포함한다. 이러한 접속부는 평형 회로로서 공지되어 있는데, 이는 이러한 접속부가 정전 척 상부에 위치된 기판에 가해진 정전력들을 평형화시키기 때문이다.
[0018] 일 실시예에서, 정전 척은 평형 회로 전기 접속부가 손상되었는지 여부를 결정하도록 시험된다. 일 실시예에서, 전기 접속부가 손상되었다면, 전기 접속부는 전도성 코팅 프로세스를 통해서 수리된다.
[0019] 도 1은 본 발명으로부터 이득을 얻을 수 있는 예시적인 기판 지지 조립체(100)의 개략적인 횡단면도이다. 기판 지지 조립체(100)는, 프로세싱 중에 기판(102)을 지지 및 유지하기 위한 정전 척(105)을 포함한다. 정전 척(105)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 함유 세라믹 재료, 예컨대 Al/Al2O3/AlN 또는 다른 재료를 포함할 수 있다.
[0020] 정전 척(105)은 정전 척의 상부 표면 상에 배치되는 기판 간격유지 마스크(107)를 가진다. 기판 간격유지 마스크(107)는, 티타늄, 티타늄 질화물, 또는 다이아몬드형 탄소, 등과 같은 재료를 포함할 수 있다. 기판 간격유지 마스크(107)는 정전 척(105)의 표면 조금 위에 기판(102)을 유지하는 예정된(pre-defined) 두께로 증착된다. 정전 척(105)은 정전 척을 관통해 배치되는 전도성 통로(103)를 더 포함한다. 일 실시예에서, 전도성 통로(103)는 기판 간격유지 마스크(107)를 정전 척(105)의 바닥 영역에 전기적으로 커플링한다.
[0021] 일 실시예에서, 가스 소스(130)로부터 가스 도관(135)을 통해 전도성 가스 도관(132)으로 열 전달 유체가 운송된다. 전도성 가스 도관(132)은 예컨대, 브레이징(brazing)에 의해 전도성 통로(103)에 기계적으로 그리고 전기적으로 커플링된다. 일 실시예에서, 전도성 가스 도관(132)은 전도성 배관, 예컨대 스테인리스 스틸 배관이다. 일 실시예에서, 전도성 가스 도관은 전도성 통로(103)와 축방향으로 정렬된다. 열 전달 유체는 전도성 가스 도관(132)을 통하여, 정전 척(105)을 통해 연장하는 전도성 통로(103)로 운송된다. 가스는 전도성 통로(103)를 통해 기판(102)의 후면측으로 추가로 운송된다. 이러한 가스의 유동은 기판(102)의 후면측에 가열 또는 냉각을 제공할 수 있다. 열 전달 가스는 특히, 헬륨, 아르곤, 수소일 수 있다.
[0022] 정전 척(105)은 정전 척 내부에 매설되는 하나 또는 그 초과의 척킹 전극(110)들을 포함한다. 척킹 전극(110)들은 전도성 재료, 예컨대 텅스텐, 흑연, 구리, 등의 재료로 제조된다. 척킹 전극(110)들은 정전 척(105)의 상부 영역에 배치되어서, 에너자이징될(energized) 때, 기판(102)을 유지하는데 필요한 정전력을 제공한다. 척킹 전극(110)들은 기판(102)을 정전기적으로 유지하는데 필요한 임의의 방식으로 구성될 수 있다. 그러나, 도 1에 도시된 실시예에서 척킹 전극(110)들은 양극성 구성이다.
[0023] 척킹 전극(110)들은 중심 탭(166)에 의해서 한 쌍의 이중 단자 DC 전압 공급원(162 및 164)들을 포함하는 전원(140)에 연결된다. 전압 공급원(162) 상의 캐소드는 전극 리드(163)를 통해서 양극성 척킹 전극(110)들 중의 하나에 커플링되며, 다른 전압 공급원(164)으로부터의 애노드는 전극 리드(165)를 통해서 다른 양극성 척킹 전극(110)에 커플링된다. 전압 공급원(164)의 캐소드는 전압 공급원(162)의 애노드에 커플링되며, 캐소드와 애노드 사이에는 중심 탭(166)이 커플링된다. 중심 탭(166)은 전도성 가스 도관(132) 및 전도성 통로(103)를 통해서 기판 간격유지 마스크(107)에 추가로 커플링된다. 제 1 브레이징된 조인트(170)는 전도성 가스 도관(132)을 전도성 통로(103)에 전기적으로 그리고 기계적으로 커플링하는데 사용될 수 있다. 기판 간격유지 마스크(107)를 전도성 통로(103)에 전기적으로 그리고 기계적으로 커플링하는데 금속화된 층(175)이 사용될 수 있다. 제 1 브레이징된 조인트(170) 및 금속화된 층(175)은, 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)과 같은 전도성 금속성 재료 또는 다른 전도성 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 금속화된 층(175)은, 금속성 층을 형성하여 기판 간격유지 마스크(107)를 전도성 통로(103)에 전기적으로 접속하도록 소결되는 텅스텐(W) 페이스트(paste)일 수 있다. 금속화된 층(175)을 포함하는 전도성 통로(103)와 기판 간격유지 마스크(107) 사이의 전기 접속부는 탄소 나노 튜브들 또는 그래핀(graphene) 시이트 또는 포일들을 또한 포함할 수 있다. 금속화된 층(175)은, 내식성 상부 층 및 나노 잉크 또는 페이스트로 제조되는 전도성 내측 금속 접점을 포함하는, 본 발명에서 설명된 바와 같은 전도성 금속성 재료, 나노 튜브, 시이트들 또는 포일로 이루어진 다중 층들을 또한 포함할 수 있다. 따라서, 기계적으로 그리고 전기적으로 안정한 접속부가 중심 탭(166)과 기판 간격유지 마스크(107) 사이에 형성된다. 그에 따라, 기판(102)과 척킹 전극(110) 사이의 물리적 거리 편차들로 인한 정전력의 편차들이 평형화될 수 있다. 그러므로, 정전력의 변화들은, 평형 회로 내의 기판 간격유지 마스크(107)에 커플링되는 전원(140)의 중심 탭(166)을 갖춤으로써 평형화된다.
[0024] 정전 척(105)을 하우징하는 프로세싱 챔버의 수명 동안 기판 지지 조립체(100)의 주기적인 서비스와 유지보수가 요구된다. 따라서, 정전 척(105)은 복원을 위해 그의 프로세싱 챔버로부터 주기적으로 제거될 수 있다.
[0025] 그러나, 전도성 가스 도관(132)과 전도성 통로(103) 사이의 전기 접속부가 정전 척(105)의 사용 중에 및/또는 제거 중에 절단될 수 있음이 발견되었다. 따라서, 기판 간격유지 마스크(107)와 척킹 전극들(110) 사이의 평형 회로는 기능장애 상태가 되게 된다.
[0026] 기판 지지 조립체(100)의 평형 회로 내의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 일 실시예는, 접속부가 절단되었는지 여부를 검출하도록 조립체를 먼저 시험하고 그 후에 다양한 기술들 및/또는 디바이스들의 사용을 통해서 절단된 접속부를 수리하는 단계를 포함한다. 먼저, 기판 지지 조립체는 전도성 가스 도관(132)과 전도성 통로(103) 사이의 전기 접속부가 손상되었는지를 결정하도록 시험된다. 일 실시예에서, 접속부에 걸친 저항이 저항계(ohmmeter)를 통해서 시험될 수 있다. 저항이 특정 저항보다 적거나 같으면, 접속부는 온전한 상태이다. 저항이 특정 저항보다 크면, 접속부는 수리되어야 한다. 일 실시예에서, 요구 저항은 200 킬로 옴(㏀)이다. 요구 저항이 존재하지 않으면, 접속부는 수리된다.
[0027] 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 가스 도관(132)과 전도성 통로(103) 사이의 접속부를 수리하는 방법의 개략적인 도면이다. 전도성 통로(103)는 전도성 통로(103)의 내측에 코팅(200)을 적용함으로써 수리될 수 있다. 그 후에 코팅을 경화시키고 기판 간격유지 마스크(107)와 척킹 전극(110)들 사이의 평형 회로에 대한 전기적 연속성을 복구하도록 특정 시간 기간 동안 코팅(200)에 열이 가해질 수 있다. 일 양태에서, 코팅(200)은 기판 간격유지 마스크(107)를 전도성 가스 도관(132)에 가교 연결하며 전기적으로 접속시킨다.
[0028] 코팅(200)은 나노-입자 기반의 금속 코팅, 예컨대 은 코팅을 포함할 수 있다. 코팅(200)은 브러쉬, 스프레이 코팅 기술, 또는 다른 적합한 코팅 방법에 의해 적용될 수 있는 잉크 또는 페이스트 형태일 수 있다. 온도 센서를 코팅하는데 사용될 수 있는 적합한 은 재료들은, TEC-PA-030 상표명 하에서 시판되는 재료(또는 TEC-PA-010, TEC-PA-020, 등과 같은 TEC-PA-XXX 상표명 하에서 시판되는 다른 재료들; 이들 모두는 대한민국 소재의 Ink Tec® Co., LTD로부터 입수 가능함), 또는 IR 가열, 불꽃 가열, 유도 가열 또는 노 가열을 사용하여 쉽게 경화될 수 있는 임의의 다른 적합한 전도성 나노 잉크들을 포함한다.
[0029] 코팅(200)은 정전 척(105)의 다양한 재료들에 양호한 접착력을 제공한다. 따라서, 코팅(200)은 금속화된 층(175), 제 1 브레이징된 조인트(170)의 표면들, 및 전도성 가스 도관(132)의 표면들 상에 쉽게 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 코팅(200)은 Al/Al2O3/AlN 또는 다른 재료를 포함하는 정전 척(105) 상에 소결되는 전도성 나노 코팅/나노 잉크일 수 있다. 코팅(200)은 중심 탭 회로와의 적절한 전기 접점을 형성하는데 사용된다. 일 실시예에서, 코팅(200)은 코팅(200)의 노출된 표면이 경화 중에 산화될 때조차도 전도성을 유지하는 나노 은 재료를 포함한다.
[0030] 코팅(200)은 약 10 나노미터 내지 약 100 나노미터의 크기를 갖는 입자들을 포함한다. 코팅(200)은 스프레이 코팅, 브러쉬 코팅, 및 인쇄와 소성(firing) 프로세스를 포함하는 다수의 기술들에 의해 증착될 수 있다. 적용(application) 프로세스는 잉크 형태의 투명한 은 나노-입자들을 표면 상에 코팅하는 단계를 포함할 수 있다. 그 후에, 잉크는 가열되어서 증발 및 건조되며, 그에 따라, 코팅(200)을 형성하는 자체 조립된 은 단일 층을 형성하도록 유기 은 투명 필름(silver organic transparent film)을 남긴다. 일 실시예에서, 코팅(200)은 약 0.002 μΩ/㎝(micro Ohms per centimeter) 미만인, 실온(약 27 ℃)에서의 전기 저항률(resistivity)을 포함한다.
[0031] 코팅(200)은 가열에 의해서 경화될 수 있다. 코팅(200)은 적외선(IR) 광, 대류 가열, 마이크로파들, 불꽃-처리, 및 이들의 조합을 포함하는 다수의 기술들에 의해서 가열될 수 있다. 일 실시예에서, 경화는 약 150 ℃ 내지 약 200 ℃의 온도로 코팅(200)을 가열하는 것, 및 약 15 분 내지 30 분 동안 이러한 온도를 유지하는 것을 포함한다. 코팅(200)을 가열한 이후에, 전기 전도성 재료의 (예를 들어, 약 500 나노미터(nm) 내지 약 5 미크론(μ), 예컨대 약 20 nm 내지 약 100 nm의 두께를 갖는)매우 얇은 층이 전도성 가스 도관(132)과 기판 간격유지 마스크(107) 사이에 형성되며, 이는 기판 간격유지 마스크(107)와 (도 1에 도시된)중심 탭(166) 사이의 전기적 연속성을 제공한다.
[0032] 도 3은 본 발명으로부터 이득을 얻을 수 있는 다른 기판 지지 조립체(300)의 개략적인 횡단면도이다. 기판 지지 조립체(300)는 도 1에 도시된 실시예와 유사한 전도성 가스 도관(132) 상에 배치된 정전 척(105)을 포함한다. 정전 척(105)은 (도시 않은)척킹 전극들을 포함하며, 도 1에 도시된 구성과 유사한 전원 및 가스 소스(양자 모두 도시 않음)에 전기적으로 커플링된다. 정전 척(105)은 정전 척의 상부 표면 상에 배치되는 기판 간격유지 마스크(107)를 가진다. 전도성 통로(103) 내에 중심 탭 구조물(305)이 배치된다. 중심 탭 구조물(305)은 연장된 부재(310)에 의해 전도성 통로(103)에 커플링되는 중심 탭(166)을 포함한다. 중심 탭 구조물(305)은 또한 전도성 부재(315)를 포함하며, 전도성 부재는 전도성 통로(103)의 중심으로부터 멀어지게 연장하며 기판(102)의 후면측과 접촉한다. 중심 탭 구조물(305)은 도 1에서 설명한 바와 같은 평형 회로를 형성한다.
[0033] 도 1의 기판 지지 조립체(100)와 유사하게, 전도성 가스 도관(132)과 전도성 통로(103) 사이의 전기 접속부는 정전 척(105)의 사용 중에 및/또는 제거 중에 절단될 수 있다. 전기 접속부를 수리하기 위해서, 도 2에서 설명된 바와 같은 코팅(200)이 활용된다.
[0034] 부가적으로, 정전 척(105)은 전도성 통로(103)에 인접하여, 정전 척의 코너 영역들에 챔퍼(320)를 포함하도록 수정된다. 챔퍼(320)는, 전도성 통로(103)와 제 1 브레이징된 조인트(170) 그리고 전도성 통로(103)와 금속화된 층(175) 사이의 응력을 감소시키는데 활용되는 경사진(beveled) 영역일 수 있다. 챔퍼(320)는 또한, 제 1 브레이징된 조인트(170)와 금속화된 층(175)에서 활용되는 경땜납(braze) 재료와의 접합(bonding)에 이용가능한 표면적을 증가시키는데 사용될 수 있다. 따라서, 챔퍼(320)는 정전 척(105)의 사용 중에 및/또는 제거 중에, 전도성 가스 도관(132)과 전도성 통로(103) 사이의 전기 접속부에 대한 손상을 방지하거나 최소화하기 위해서, 중심 탭 구조물(305) 및/또는 전도성 통로(103) 상의 응력을 감소시키는데 사용될 수 있다.
[0035] 도 4는 본 발명으로부터 이득을 얻을 수 있는 다른 기판 지지 조립체(400)의 개략적인 횡단면도이다. 기판 지지 조립체(400)는, 도 1에 도시된 실시예와 유사한 전도성 가스 도관(132) 상에 배치되는 정전 척(105)을 포함한다. 정전 척(105)은 척킹 전극(도시 않음)들을 포함하며, 도 1에 도시된 구성과 유사한 전원 및 가스 소스(양자 모두 도시 않음)에 전기적으로 커플링된다. 기판 지지 조립체(400)는 전도성 통로(103)에 인접한 정전 척(105)의 코너 영역들에 있는 반경(405)을 제외하면, 도 3의 기판 지지 조립체(300)와 동일하다. 반경(405)은 전도성 통로(103)와 제 1 브레이징된 조인트(170) 그리고 전도성 통로(103)와 금속화된 층(175) 사이의 응력을 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 반경(405)은 또한, 제 1 브레이징된 조인트(170) 및 금속화된 층(175)에 활용되는 경땜납 재료와의 접합에 이용가능한 표면적을 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 반경(405)은 정전 척(105)의 사용 중에 및/또는 제거 중에, 전도성 가스 도관(132)과 전도성 통로(103) 사이의 전기 접속부에 대한 손상을 방지하거나 최소화하기 위해서, 중심 탭 구조물(305) 및/또는 전도성 통로(103) 상의 응력들을 감소시키는데 사용될 수 있다.
[0036] 도 5는, 도 3 및 도 4에서 설명된 중심 탭 구조물(305)을 도시하는 기판 지지 조립체(500)의 개략적인 평면도이다. 중심 탭 구조물(305)은 단부(505)들을 갖는 전도성 부재(315)를 포함하며, 이러한 단부들 사이에는 개방 영역 한정된다.
[0037] 본 발명에서 설명된 실시예들은 정전 척 내의 파손된 전기 회로를 수리하기 위한 장치 및 방법들을 제공한다. 본 발명에서 설명된 바와 같은 코팅 및 방법은, 레이저 및 e-빔 용접 기술들과 비교하여 전기 접속부의 더욱 경제적이고 더 신속한 수리를 제공하며, 이는 소유 비용을 현저히 감소시킨다. 코팅(200)은 또한, 균일하고 더욱 견고한 개선된 전기 접점을 제공함으로써 정전 척(105)의 수명을 연장시킨다.
[0038] 전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 기본 범주로부터 이탈함이 없이 본 발명의 다른 그리고 추가의 실시예들이 창안될 수 있으며 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 기판 지지 조립체로서,
내부에 매설된 전극 및 관통되게 배치되는 구멍을 갖는 정전 척,
상기 구멍 내부의 정전 척의 표면에 배치되는 전도성 라이너,
상기 정전 척의 하부 표면으로부터 연장하고 상기 구멍과 축방향으로 정렬되는 전도성 배관, 및
상기 구멍 내부에 적어도 부분적으로 그리고 상기 전도성 배관 내부에 적어도 부분적으로 배치되며 상기 전도성 라이너와 전도성 배관 사이에 전도성 경로를 제공하는 전도성 코팅을 포함하는,
기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,
상기 전도성 코팅은 나노-입자 기반의 금속 코팅을 포함하는,
기판 지지 조립체.
- 제 2 항에 있어서,
상기 나노-입자 기반의 금속 코팅은 은 페이스트를 포함하는,
기판 지지 조립체.
- 제 2 항에 있어서,
상기 나노-입자 기반의 금속 코팅은 은 잉크를 포함하는,
기판 지지 조립체.
- 제 2 항에 있어서,
상기 나노-입자 기반의 금속 코팅은 약 500 nm 내지 약 5 μ의 두께를 포함하는,
기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,
상기 정전 척은 전도성 배관에 인접한 구멍의 일부분에 챔퍼(chamfer)를 포함하는,
기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,
상기 정전 척은 전도성 배관에 인접한 구멍의 일부분에 반경(radius)을 포함하는,
기판 지지 조립체.
- 제 1 항에 있어서,
상기 전도성 배관은 정전 척에 인접한 전도성 배관의 단부 주위에 배치되는 링을 포함하는,
기판 지지 조립체.
- 정전 척 조립체의 평형 회로 내부의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법으로서,
절단된 전기 접속부 전역에 전도성 유체를 가하는 단계, 및
절단된 전기 접속부 전역에 전도성 경로를 형성하도록 전도성 유체를 경화시키는 단계를 포함하는,
정전 척 조립체의 평형 회로 내부의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법.
- 제 9 항에 있어서,
상기 전도성 유체는 나노-입자 기반의 금속 코팅을 포함하는,
정전 척 조립체의 평형 회로 내부의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법.
- 제 10 항에 있어서,
상기 나노-입자 기반의 금속 코팅은 은 페이스트를 포함하는,
정전 척 조립체의 평형 회로 내부의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법.
- 제 10 항에 있어서,
상기 나노-입자 기반의 금속 코팅은 은 잉크를 포함하는,
정전 척 조립체의 평형 회로 내부의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법.
- 제10 항에 있어서,
상기 나노-입자 기반의 금속 코팅은 약 500 nm 내지 약 5 μ의 두께를 포함하는,
정전 척 조립체의 평형 회로 내부의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법.
- 제 9 항에 있어서,
상기 경화시키는 단계는 약 500 nm 내지 약 5 μ의 두께를 갖는 필름을 형성하는 단계를 포함하는,
정전 척 조립체의 평형 회로 내부의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법.
- 제 9 항에 있어서,
상기 경화시키는 단계는 약 20 nm 내지 약 100 nm의 두께를 갖는 필름을 형성하는 단계를 포함하는,
정전 척 조립체의 평형 회로 내부의 절단된 전기 접속부를 수리하기 위한 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361792480P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
US61/792,480 | 2013-03-15 | ||
PCT/US2014/012800 WO2014149182A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-01-23 | Methods and apparatus for electrostatic chuck repair and refurbishment |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157028904A Division KR101784227B1 (ko) | 2013-03-15 | 2014-01-23 | 정전 척의 수리 및 복원을 위한 방법 및 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170116197A true KR20170116197A (ko) | 2017-10-18 |
KR102042083B1 KR102042083B1 (ko) | 2019-11-27 |
Family
ID=51526107
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020177027344A KR102042083B1 (ko) | 2013-03-15 | 2014-01-23 | 정전 척의 수리 및 복원을 위한 방법 및 장치 |
KR1020157028904A KR101784227B1 (ko) | 2013-03-15 | 2014-01-23 | 정전 척의 수리 및 복원을 위한 방법 및 장치 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157028904A KR101784227B1 (ko) | 2013-03-15 | 2014-01-23 | 정전 척의 수리 및 복원을 위한 방법 및 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9349630B2 (ko) |
JP (1) | JP6396408B2 (ko) |
KR (2) | KR102042083B1 (ko) |
TW (2) | TWI641077B (ko) |
WO (1) | WO2014149182A1 (ko) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104316086B (zh) * | 2014-11-13 | 2017-10-27 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种基于石墨烯纳米墙的气流传感器及制作方法 |
US10700120B2 (en) | 2015-01-23 | 2020-06-30 | Vuereal Inc. | Micro device integration into system substrate |
CN107851586B (zh) | 2015-01-23 | 2021-07-06 | 维耶尔公司 | 到受体衬底的选择性微型器件转移 |
US20160230269A1 (en) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Applied Materials, Inc. | Radially outward pad design for electrostatic chuck surface |
US9999947B2 (en) * | 2015-05-01 | 2018-06-19 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Method for repairing heaters and chucks used in semiconductor processing |
US20170215280A1 (en) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | Vuereal Inc. | Selective transfer of micro devices |
JP6691836B2 (ja) * | 2016-06-20 | 2020-05-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US20180166311A1 (en) * | 2016-12-12 | 2018-06-14 | Applied Materials, Inc. | New repair method for electrostatic chuck |
US10147610B1 (en) | 2017-05-30 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including metallized ceramic tubes for RF and gas delivery |
JP7353054B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の製造方法および載置台 |
JP7285154B2 (ja) * | 2019-07-16 | 2023-06-01 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
CN112687602B (zh) * | 2019-10-18 | 2024-11-08 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种静电吸盘及其制造方法、等离子体处理装置 |
WO2021083617A1 (en) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and electrostatic clamp designs |
JP7483121B2 (ja) | 2022-02-09 | 2024-05-14 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
US20240011147A1 (en) * | 2022-07-08 | 2024-01-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck cover piece to enable processing of dielectric substrates |
CN118231321B (zh) * | 2024-05-24 | 2024-08-06 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 带静电卡盘的半导体设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000348623A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ用部材の製造方法 |
US20020050246A1 (en) * | 2000-06-09 | 2002-05-02 | Applied Materials, Inc. | Full area temperature controlled electrostatic chuck and method of fabricating same |
JP2002231799A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Toto Ltd | 静電チャック、静電チャックの吸着表面に形成された凹部への放電防止方法、およびその静電チャックを用いた基板固定加熱冷却装置 |
US20030033116A1 (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-13 | Tokyo Electron Limited Of Tbs Broadcast Center | Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck |
JP2003133403A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Kyocera Corp | ウェハ保持装置 |
JP2005191500A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Creative Technology:Kk | 双極型静電チャックの再生方法 |
US20100061032A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Hirahara Robert T | Electrostatic chuck electrical balancing circuit repair |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5691876A (en) | 1995-01-31 | 1997-11-25 | Applied Materials, Inc. | High temperature polyimide electrostatic chuck |
US5656093A (en) | 1996-03-08 | 1997-08-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same |
US6081414A (en) * | 1998-05-01 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system |
US6462928B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved electrical connector and method |
JP2002170872A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Kyocera Corp | 静電チャック |
US6535372B2 (en) | 2001-06-20 | 2003-03-18 | Applied Materials, Inc. | Controlled resistivity boron nitride electrostatic chuck apparatus for retaining a semiconductor wafer and method of fabricating the same |
CN100553400C (zh) * | 2003-05-14 | 2009-10-21 | 积水化学工业株式会社 | 制造等离子处理设备的方法 |
JP2005026585A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Ibiden Co Ltd | セラミック接合体 |
KR100512745B1 (ko) * | 2003-07-24 | 2005-09-07 | 삼성전자주식회사 | 정전기 척 |
US20110217553A1 (en) * | 2007-12-20 | 2011-09-08 | Warner Isiah M | Frozen Ionic Liquid Microparticles and Nanoparticles, and Methods for their Synthesis and Use |
JP2010020268A (ja) * | 2008-06-09 | 2010-01-28 | Sony Corp | 光学フィルムおよびその製造方法、防眩性フィルム、光学層付偏光子、ならびに表示装置 |
JP5615002B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-10-29 | 株式会社ミマキエンジニアリング | プリンタ装置およびその印刷方法 |
JP2011187576A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 割れ検出装置、処理装置及び割れ検出方法 |
US8911823B2 (en) * | 2010-05-03 | 2014-12-16 | Pen Inc. | Mechanical sintering of nanoparticle inks and powders |
DE102010017706B4 (de) * | 2010-07-02 | 2012-05-24 | Rent-A-Scientist Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silber-Nanodrähten |
CN102343698B (zh) * | 2010-07-26 | 2015-01-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种硬质薄膜及其制备方法 |
US9937526B2 (en) * | 2011-09-30 | 2018-04-10 | Apple Inc. | Antenna structures with molded and coated substrates |
-
2014
- 2014-01-23 US US14/162,041 patent/US9349630B2/en active Active
- 2014-01-23 KR KR1020177027344A patent/KR102042083B1/ko active IP Right Grant
- 2014-01-23 KR KR1020157028904A patent/KR101784227B1/ko active IP Right Grant
- 2014-01-23 JP JP2016500176A patent/JP6396408B2/ja active Active
- 2014-01-23 WO PCT/US2014/012800 patent/WO2014149182A1/en active Application Filing
- 2014-02-06 TW TW106114750A patent/TWI641077B/zh active
- 2014-02-06 TW TW103103925A patent/TWI588933B/zh active
-
2016
- 2016-05-24 US US15/163,498 patent/US10049908B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000348623A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ用部材の製造方法 |
US20020050246A1 (en) * | 2000-06-09 | 2002-05-02 | Applied Materials, Inc. | Full area temperature controlled electrostatic chuck and method of fabricating same |
JP2002231799A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Toto Ltd | 静電チャック、静電チャックの吸着表面に形成された凹部への放電防止方法、およびその静電チャックを用いた基板固定加熱冷却装置 |
US20030033116A1 (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-13 | Tokyo Electron Limited Of Tbs Broadcast Center | Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck |
JP2003133403A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Kyocera Corp | ウェハ保持装置 |
JP2005191500A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Creative Technology:Kk | 双極型静電チャックの再生方法 |
US20100061032A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Hirahara Robert T | Electrostatic chuck electrical balancing circuit repair |
JP2010103496A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-05-06 | Applied Materials Inc | 静電チャックの電気平衡用回路の修理 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10049908B2 (en) | 2018-08-14 |
JP6396408B2 (ja) | 2018-09-26 |
TW201436092A (zh) | 2014-09-16 |
JP2016513947A (ja) | 2016-05-16 |
WO2014149182A1 (en) | 2014-09-25 |
KR20150132341A (ko) | 2015-11-25 |
US20140268478A1 (en) | 2014-09-18 |
TW201735238A (zh) | 2017-10-01 |
KR101784227B1 (ko) | 2017-10-11 |
US20160329230A1 (en) | 2016-11-10 |
TWI588933B (zh) | 2017-06-21 |
KR102042083B1 (ko) | 2019-11-27 |
TWI641077B (zh) | 2018-11-11 |
US9349630B2 (en) | 2016-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101784227B1 (ko) | 정전 척의 수리 및 복원을 위한 방법 및 장치 | |
US8064185B2 (en) | Electrostatic chuck electrical balancing circuit repair | |
CN105359265B (zh) | 原位可移除式静电夹盘 | |
JP5475824B2 (ja) | 多層電極を有する薄板状セラミック及び製造方法 | |
JP4672597B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003160874A (ja) | 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置 | |
KR950001928A (ko) | 정전척 및 그의 제조방법 | |
JP4908021B2 (ja) | 静電チャック、静電チャック装置、静電チャックの製造方法、真空チャック、真空チャック装置、真空チャックの製造方法、セラミックヒーター、セラミックヒーター装置、及びセラミックヒーターの製造方法 | |
KR102501916B1 (ko) | 웨이퍼 유지체 | |
TW201347079A (zh) | 靜電吸盤及靜電吸盤的製造方法 | |
KR100779551B1 (ko) | 웨이퍼 지지 부재 및 이것을 이용한 반도체 제조장치 | |
JP2020145413A (ja) | 拡散接合により接合された基体を含む、部品を静電的に保持するための保持装置、およびその製造方法 | |
JP2008305968A (ja) | ウェハ保持体の電極接続構造 | |
JP2006080389A (ja) | ウェハ支持部材 | |
JP4890428B2 (ja) | 静電チャック | |
JP3859914B2 (ja) | 金属端子を有するセラミック−金属複合部品、及びその製造方法 | |
JP3914671B2 (ja) | ウエハ支持部材 | |
TWI578365B (zh) | A method of manufacturing a plasma processing chamber and an electrostatic chuck thereof | |
JP6319003B2 (ja) | 端子接続構造、加熱装置、並びに静電チャック装置 | |
JP6835623B2 (ja) | ヒータ | |
JP2010258212A (ja) | 基板ホルダー及び基板ホルダーの作成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |