JP2002231799A - 静電チャック、静電チャックの吸着表面に形成された凹部への放電防止方法、およびその静電チャックを用いた基板固定加熱冷却装置 - Google Patents
静電チャック、静電チャックの吸着表面に形成された凹部への放電防止方法、およびその静電チャックを用いた基板固定加熱冷却装置Info
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- JP2002231799A JP2002231799A JP2001029817A JP2001029817A JP2002231799A JP 2002231799 A JP2002231799 A JP 2002231799A JP 2001029817 A JP2001029817 A JP 2001029817A JP 2001029817 A JP2001029817 A JP 2001029817A JP 2002231799 A JP2002231799 A JP 2002231799A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板を吸着する吸着面に形成された凹部に熱伝
達ガスを流入しても放電現象の起こらない静電チャック
を提供する事である。 【解決手段】基板を吸着する吸着面に凹部を形成してな
る静電チャックにおいて、前記凹部内部に導電性膜を設
けたこと。さらに、前記静電チャックにおいて、前記凹
部と、前記静電チャックを貫通し前記凹部とを連通する
穴の内部に導電性膜を設けたこと。
達ガスを流入しても放電現象の起こらない静電チャック
を提供する事である。 【解決手段】基板を吸着する吸着面に凹部を形成してな
る静電チャックにおいて、前記凹部内部に導電性膜を設
けたこと。さらに、前記静電チャックにおいて、前記凹
部と、前記静電チャックを貫通し前記凹部とを連通する
穴の内部に導電性膜を設けたこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳｉウエハ、ＧａＡ
ｓウエハやＳｉＧｅウエハ等の半導体製造装置や、ＦＰ
Ｄ（フラットパネルディスプレー）製造装置、ＤＶＤ
（デジタルビデオディスク）製造装置、ＨＤＤ（ハード
ディスクドライブ）製造プロセスに使用される、ＣＶ
Ｄ、エッチング装置やスパッタリング装置等の基板処理
装置に搭載される静電チャック、静電チャックの吸着表
面に形成された凹部への放電防止方法、及び基板固定加
熱冷却装置に関するものである。
ｓウエハやＳｉＧｅウエハ等の半導体製造装置や、ＦＰ
Ｄ（フラットパネルディスプレー）製造装置、ＤＶＤ
（デジタルビデオディスク）製造装置、ＨＤＤ（ハード
ディスクドライブ）製造プロセスに使用される、ＣＶ
Ｄ、エッチング装置やスパッタリング装置等の基板処理
装置に搭載される静電チャック、静電チャックの吸着表
面に形成された凹部への放電防止方法、及び基板固定加
熱冷却装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置やＦＰＤ製造装置は、基
板上に形成される素子等の製造プロセスの高度化、高集
積化に伴い、プロセスの温度管理が非常に重要になって
きた。上記製造プロセスでは真空中で行われるものが多
い為、真空中で基板の保持が可能な静電チャックが用い
られている。また、基板の温度管理、すなわちプロセス
での基板面内温度分布を均一化するために、静電チャッ
クの吸着面に凹部を設け、基板を静電チャックで保持し
た状態で、基板と静電チャック吸着面凹部との間に熱伝
達ガスを流入させ、ガス圧を制御する事により基板と静
電チャックとの間の熱伝達率を均一化し、面内温度分布
の向上を図る手段が使用されている。
板上に形成される素子等の製造プロセスの高度化、高集
積化に伴い、プロセスの温度管理が非常に重要になって
きた。上記製造プロセスでは真空中で行われるものが多
い為、真空中で基板の保持が可能な静電チャックが用い
られている。また、基板の温度管理、すなわちプロセス
での基板面内温度分布を均一化するために、静電チャッ
クの吸着面に凹部を設け、基板を静電チャックで保持し
た状態で、基板と静電チャック吸着面凹部との間に熱伝
達ガスを流入させ、ガス圧を制御する事により基板と静
電チャックとの間の熱伝達率を均一化し、面内温度分布
の向上を図る手段が使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の静電チャ
ックでは、ガス圧制御範囲において静電チャック吸着面
凹部内部で放電現象が発生する事が多かった。静電チャ
ックに基板を静電吸着させると静電チャックの絶縁体基
板上に電極の電位が溜まり、この電位がある条件下で放
電により導通するためである。すなわち、静電チャック
に吸着電圧が印加された状態で基板と静電チャック吸着
面凹部との間に熱伝達ガスを満たすと、パッシェンの法
則により規定される、電極を用いた直流定常電流におけ
る火花電圧以下に、熱伝達ガスの圧力と放電距離との積
が低下してしまうためである。例えば空気の場合、最低
火花電圧は約３００Ｖで、その時の圧力×電極間距離は
約０．８Ｐａ・ｍである。
ックでは、ガス圧制御範囲において静電チャック吸着面
凹部内部で放電現象が発生する事が多かった。静電チャ
ックに基板を静電吸着させると静電チャックの絶縁体基
板上に電極の電位が溜まり、この電位がある条件下で放
電により導通するためである。すなわち、静電チャック
に吸着電圧が印加された状態で基板と静電チャック吸着
面凹部との間に熱伝達ガスを満たすと、パッシェンの法
則により規定される、電極を用いた直流定常電流におけ
る火花電圧以下に、熱伝達ガスの圧力と放電距離との積
が低下してしまうためである。例えば空気の場合、最低
火花電圧は約３００Ｖで、その時の圧力×電極間距離は
約０．８Ｐａ・ｍである。
【０００４】この放電は、基板上に形成された素子等へ
の悪影響が懸念されている。特にジョンセンラーベック
力型静電チャックを用いる場合、同じ印加電圧を与えて
もシリコンウエハ等の半導体基板に比べ絶縁体基板の方
が吸着力が小さくなる。よって、プロセスに必要な吸着
力を得る為に絶縁体基板の吸着電圧は数ｋＶと高くな
り、放電現象もより生じやすくなり、基板上の素子に与
える影響もより深刻となってくる。そこで、熱伝達ガス
を流入させても、基板と静電チャック吸着面凹部との間
に放電現象の起こらない静電チャックが要望されてい
る。
の悪影響が懸念されている。特にジョンセンラーベック
力型静電チャックを用いる場合、同じ印加電圧を与えて
もシリコンウエハ等の半導体基板に比べ絶縁体基板の方
が吸着力が小さくなる。よって、プロセスに必要な吸着
力を得る為に絶縁体基板の吸着電圧は数ｋＶと高くな
り、放電現象もより生じやすくなり、基板上の素子に与
える影響もより深刻となってくる。そこで、熱伝達ガス
を流入させても、基板と静電チャック吸着面凹部との間
に放電現象の起こらない静電チャックが要望されてい
る。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、本発明の目的は、熱伝達ガスを流入させて
も放電現象の起こらない静電チャックを提供する事であ
る。
れたもので、本発明の目的は、熱伝達ガスを流入させて
も放電現象の起こらない静電チャックを提供する事であ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、基板を吸着する吸着面に凹部を形成してな
る静電チャックにおいて、前記凹部内部に導電性膜を設
けてある事を特徴とする。
の本発明は、基板を吸着する吸着面に凹部を形成してな
る静電チャックにおいて、前記凹部内部に導電性膜を設
けてある事を特徴とする。
【０００７】吸着面に形成した凹部内部に導電性膜を設
ける事で、今まで放電に供されてきた、静電チャックの
内部に発生した電荷は、基板と静電チャック吸着面凹部
との間に満たされた熱伝達ガス内部を導通せず導電性膜
内部を導通するようになる。その為、放電が生じない静
電チャックが提供できる。
ける事で、今まで放電に供されてきた、静電チャックの
内部に発生した電荷は、基板と静電チャック吸着面凹部
との間に満たされた熱伝達ガス内部を導通せず導電性膜
内部を導通するようになる。その為、放電が生じない静
電チャックが提供できる。
【０００８】本発明の好ましい様態として、前記静電チ
ャックにおいて、前記凹部と、前記静電チャックを貫通
し前記凹部と連通する穴の内部に導電性膜を設けてある
事を特徴とする。
ャックにおいて、前記凹部と、前記静電チャックを貫通
し前記凹部と連通する穴の内部に導電性膜を設けてある
事を特徴とする。
【０００９】静電チャック吸着面凹部へ熱伝達ガスを流
入する場合、ガス導入装置と連通する穴を通じて行われ
るが、この穴の内部に導電性膜を設ける事で、穴内部で
の放電を押さえる事ができる。特に、ガス流入途中での
凹部内圧力上昇過程において、凹部、例えば溝部形状及
びドット部形状のコンダクタンスによる、穴部から離れ
た凹部への圧力伝播に時間がかかる場合、穴部周辺の凹
部の方が他の凹部の場所に比べて圧力が高い状態が生じ
やすく、放電も穴部周辺から発生する場合が多い為、こ
の構成は特に効果的である。
入する場合、ガス導入装置と連通する穴を通じて行われ
るが、この穴の内部に導電性膜を設ける事で、穴内部で
の放電を押さえる事ができる。特に、ガス流入途中での
凹部内圧力上昇過程において、凹部、例えば溝部形状及
びドット部形状のコンダクタンスによる、穴部から離れ
た凹部への圧力伝播に時間がかかる場合、穴部周辺の凹
部の方が他の凹部の場所に比べて圧力が高い状態が生じ
やすく、放電も穴部周辺から発生する場合が多い為、こ
の構成は特に効果的である。
【００１０】また、穴内部への導電膜施工範囲は、穴内
部全てに導電膜を付け、静電チャック下部のプレート等
の金属部品と導通を取れるようにしたり、穴内部全てに
導電膜を設けずに、プレート等の金属部品との間に一部
間隔を開け、静電チャック下部金属部品と電気的に絶縁
を取るような構造としたり、同じく穴内部全てに導電膜
を設けずに、静電チャック内部を貫通するビアホールを
介して内部電極に導通を取った導電性端子とは独立した
導電性端子に導通を取り、外部から導電膜へ任意の交流
電圧または直流電圧の印加もしくは接地ができるような
構造とすることが好ましい。
部全てに導電膜を付け、静電チャック下部のプレート等
の金属部品と導通を取れるようにしたり、穴内部全てに
導電膜を設けずに、プレート等の金属部品との間に一部
間隔を開け、静電チャック下部金属部品と電気的に絶縁
を取るような構造としたり、同じく穴内部全てに導電膜
を設けずに、静電チャック内部を貫通するビアホールを
介して内部電極に導通を取った導電性端子とは独立した
導電性端子に導通を取り、外部から導電膜へ任意の交流
電圧または直流電圧の印加もしくは接地ができるような
構造とすることが好ましい。
【００１１】本発明の好ましい様態として、請求項１ま
たは２のいずれか１つの静電チャックを用い、該静電チ
ャックに吸着電圧を印加して基板を吸着し、かつ、前記
凹部に熱伝達ガスを流入させて基板の温度を制御すると
ともに、前記導電膜にて吸着に不要な電荷を流す事を特
徴とする静電チャックの吸着表面に形成された凹部への
放電防止方法である。
たは２のいずれか１つの静電チャックを用い、該静電チ
ャックに吸着電圧を印加して基板を吸着し、かつ、前記
凹部に熱伝達ガスを流入させて基板の温度を制御すると
ともに、前記導電膜にて吸着に不要な電荷を流す事を特
徴とする静電チャックの吸着表面に形成された凹部への
放電防止方法である。
【００１２】吸着面に形成した凹部内部に導電性膜を設
ける事で、今まで放電に供されてきた、静電チャックの
内部に発生した電荷は、基板と静電チャック吸着面凹部
との間に満たされた熱伝達ガス内部を導通せず導電性膜
内部を導通するようになる。その為、放電が生じない静
電チャックが提供できる。
ける事で、今まで放電に供されてきた、静電チャックの
内部に発生した電荷は、基板と静電チャック吸着面凹部
との間に満たされた熱伝達ガス内部を導通せず導電性膜
内部を導通するようになる。その為、放電が生じない静
電チャックが提供できる。
【００１３】本発明の好ましい様態として、請求項１ま
たは２の静電チャックと、該静電チャックを支持し該静
電チャックを冷却または加熱する媒体流路を持つプレー
トと、該静電チャックと該プレートとを接着する手段
と、からなる事を特徴とする基板固定加熱冷却装置であ
る。この構成により、基板固定加熱冷却装置として各種
基板処理装置への搭載が可能となる。
たは２の静電チャックと、該静電チャックを支持し該静
電チャックを冷却または加熱する媒体流路を持つプレー
トと、該静電チャックと該プレートとを接着する手段
と、からなる事を特徴とする基板固定加熱冷却装置であ
る。この構成により、基板固定加熱冷却装置として各種
基板処理装置への搭載が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施例につい
て具体的に説明する。図１は、静電チャック１００の断
面図である。静電チャック１００は、基板を吸着する事
が可能で凹部表面加工が設けられた吸着面１１０と、も
う一方の面に1対の電極１０３a及び１０３ｂが設けられ
た誘電体基板１０１と、該誘電体基板を固定する絶縁性
支持基板１０２と、該絶縁性基板に設けられた1対の導
電性端子１０４ａ及び１０４ｂと、前記誘電体基板に設
けられた電極１０３ａ及び１０３ｂと、前記導電性端子
を電気的に接続する手段（たとえばビアホール１０５ａ
及び１０５ｂ）と、から構成されている。また、この静
電チャックには、前記凹部と、静電チャック裏面１２０
から吸着面１１０へ静電チャック１００を貫通し前記凹
部と連通する穴１０６が設けられている。
て具体的に説明する。図１は、静電チャック１００の断
面図である。静電チャック１００は、基板を吸着する事
が可能で凹部表面加工が設けられた吸着面１１０と、も
う一方の面に1対の電極１０３a及び１０３ｂが設けられ
た誘電体基板１０１と、該誘電体基板を固定する絶縁性
支持基板１０２と、該絶縁性基板に設けられた1対の導
電性端子１０４ａ及び１０４ｂと、前記誘電体基板に設
けられた電極１０３ａ及び１０３ｂと、前記導電性端子
を電気的に接続する手段（たとえばビアホール１０５ａ
及び１０５ｂ）と、から構成されている。また、この静
電チャックには、前記凹部と、静電チャック裏面１２０
から吸着面１１０へ静電チャック１００を貫通し前記凹
部と連通する穴１０６が設けられている。
【００１５】なお、図１では、静電チャックの吸着面に
設けられた凹部はその高さが例えば0.01ｍｍ単位と小さ
い為、図面上表記されていない。また、この凹部は、例
えば溝状加工またはドット状加工もしくはその両者等を
設けることで、吸着面に形成することができる。この吸
着面に形成された凹部の内部には、導電性膜を設けてい
る。そして、静電チャックの絶縁体基板上に発生した電
荷は、基板と静電チャック吸着面凹部との間に満たされ
た熱伝達ガス内部を導通せず導電性膜内部を導通するよ
うになる。
設けられた凹部はその高さが例えば0.01ｍｍ単位と小さ
い為、図面上表記されていない。また、この凹部は、例
えば溝状加工またはドット状加工もしくはその両者等を
設けることで、吸着面に形成することができる。この吸
着面に形成された凹部の内部には、導電性膜を設けてい
る。そして、静電チャックの絶縁体基板上に発生した電
荷は、基板と静電チャック吸着面凹部との間に満たされ
た熱伝達ガス内部を導通せず導電性膜内部を導通するよ
うになる。
【００１６】ここで、静電チャックに基板を静電吸着
し、静電チャックと基板凹部との間に熱伝達ガスを流入
させ、熱伝達率を制御するためには、基板上に設けられ
た凹部、ここでは溝深さ及びドット高さを適切に設定
し、ガス圧の制御範囲内で熱伝達ガスが分子流領域にな
るようにする。分子流領域では、ガス圧と熱伝達率とが
比例関係となり、ガス圧の制御により基板と静電チャッ
クの間の熱伝達率を制御する事が可能となる。例えばＨ
ｅガスの場合、０〜１０ｔｏｒｒの範囲内で分子流にな
るように溝深さ及びドット高さを決定している。
し、静電チャックと基板凹部との間に熱伝達ガスを流入
させ、熱伝達率を制御するためには、基板上に設けられ
た凹部、ここでは溝深さ及びドット高さを適切に設定
し、ガス圧の制御範囲内で熱伝達ガスが分子流領域にな
るようにする。分子流領域では、ガス圧と熱伝達率とが
比例関係となり、ガス圧の制御により基板と静電チャッ
クの間の熱伝達率を制御する事が可能となる。例えばＨ
ｅガスの場合、０〜１０ｔｏｒｒの範囲内で分子流にな
るように溝深さ及びドット高さを決定している。
【００１７】ここで、静電チャックの材質の一例を挙げ
ると、誘電体基板にはＡｌ２Ｏ３やＳｉＣ、ＡＬＮ等の
体積抵抗率を制御したセラミック、電極及びビアホール
にはＷ等の金属、絶縁性支持基盤には誘電体基板と同じ
材質、または絶縁性を高めたセラミック、ガラス等、導
電性端子にはコバール等の金属を用いる。誘電体基板及
び絶縁性基板に有機物、例えば耐熱性樹脂、電極をアル
ミニウム等の金属等を用いても良い。
ると、誘電体基板にはＡｌ２Ｏ３やＳｉＣ、ＡＬＮ等の
体積抵抗率を制御したセラミック、電極及びビアホール
にはＷ等の金属、絶縁性支持基盤には誘電体基板と同じ
材質、または絶縁性を高めたセラミック、ガラス等、導
電性端子にはコバール等の金属を用いる。誘電体基板及
び絶縁性基板に有機物、例えば耐熱性樹脂、電極をアル
ミニウム等の金属等を用いても良い。
【００１８】図２は、静電チャックを吸着面上側から見
た図である。吸着面１１０には凹部、すなわち溝１１１
と、ドット１１２が複数配置されている。なお、このド
ット１１２は、図では一部のみ表記しているが、実際に
は表面全体に設けられている。
た図である。吸着面１１０には凹部、すなわち溝１１１
と、ドット１１２が複数配置されている。なお、このド
ット１１２は、図では一部のみ表記しているが、実際に
は表面全体に設けられている。
【００１９】図３は、図２の矢印方向に見た静電チャッ
ク吸着面の貫通穴付近断面の拡大図である。静電チャッ
クの凹部、すなわち溝１１１及びドット１１２と、静電
チャックを貫通し凹部と連通する穴１０６の内部に導電
性膜を設けてある。吸着面１１０は、ドット１１２上面
が基板１３０と接触するように構成されている。また、
溝１１１は、ドット１１２より更に一段深い位置まで配
置されている。
ク吸着面の貫通穴付近断面の拡大図である。静電チャッ
クの凹部、すなわち溝１１１及びドット１１２と、静電
チャックを貫通し凹部と連通する穴１０６の内部に導電
性膜を設けてある。吸着面１１０は、ドット１１２上面
が基板１３０と接触するように構成されている。また、
溝１１１は、ドット１１２より更に一段深い位置まで配
置されている。
【００２０】このような状態で、吸着面１１０上に基板
１３０が吸着され、貫通穴１０６を通じて熱伝達ガスが
基板裏面と静電チャック吸着面との間に形成された隙間
１４０に満たされる事で、熱伝達の制御が行なわれる。
１３０が吸着され、貫通穴１０６を通じて熱伝達ガスが
基板裏面と静電チャック吸着面との間に形成された隙間
１４０に満たされる事で、熱伝達の制御が行なわれる。
【００２１】放電現象は、隙間１４０に熱伝達ガスが流
入した際に発生する。そこで、静電チャックにおいて、
電極に吸着電圧を印加し基板を吸着する吸着面（接触す
る面）以外である凹部の内部、すなわち基板と溝部１１
１内部とドット部１１２の外周及び底面部に導電性膜１
１３を設ける。さらに、穴１０６の内部に導電性膜１１
３を設ける。これより、導電性膜１１３中を電極１０３
ａ及び１０３ｂから漏れた電流の一部が流れる為に、隙
間１４０に電流が流れる事はなくなり、放電が防止でき
る。
入した際に発生する。そこで、静電チャックにおいて、
電極に吸着電圧を印加し基板を吸着する吸着面（接触す
る面）以外である凹部の内部、すなわち基板と溝部１１
１内部とドット部１１２の外周及び底面部に導電性膜１
１３を設ける。さらに、穴１０６の内部に導電性膜１１
３を設ける。これより、導電性膜１１３中を電極１０３
ａ及び１０３ｂから漏れた電流の一部が流れる為に、隙
間１４０に電流が流れる事はなくなり、放電が防止でき
る。
【００２２】ここで、導電性膜の材質は、ＴｉＣやＴｉ
ＡｌＮ等の薄膜等を用いる。誘電体基板と密着性が高い
ものが良い。また、熱伝達ガス種として、Ｈｅ、Ａｒ、
Ｎ２等があげられる。
ＡｌＮ等の薄膜等を用いる。誘電体基板と密着性が高い
ものが良い。また、熱伝達ガス種として、Ｈｅ、Ａｒ、
Ｎ２等があげられる。
【００２３】また、図では電極が１対の双極タイプの電
極を示したが、電極が１個、すなわち単極電極の場合
は、表面電位も単極となり、放電は回路を形成する吸着
した基板に向かって発生する。そこで、電極と独立し導
電性膜と導通した導電性端子を設けここを接地する事に
より、放電は発生しなくなる。
極を示したが、電極が１個、すなわち単極電極の場合
は、表面電位も単極となり、放電は回路を形成する吸着
した基板に向かって発生する。そこで、電極と独立し導
電性膜と導通した導電性端子を設けここを接地する事に
より、放電は発生しなくなる。
【００２４】なお、吸着面に吸着される基板は、シリコ
ンウエハーなどの半導体基板、及びガラス、フィルムな
どの絶縁性基板等である。また、前述のように絶縁体基
板を静電チャックに吸着する際は数ｋＶの高電圧で駆動
する必要 があり、放電する可能性が高くなるが、本件
発明のように導電性膜を形成し、この導電性膜により電
荷を逃がすことができるため、従来のように放電するこ
とによる吸着基板への悪影響を心配する必要もない。
ンウエハーなどの半導体基板、及びガラス、フィルムな
どの絶縁性基板等である。また、前述のように絶縁体基
板を静電チャックに吸着する際は数ｋＶの高電圧で駆動
する必要 があり、放電する可能性が高くなるが、本件
発明のように導電性膜を形成し、この導電性膜により電
荷を逃がすことができるため、従来のように放電するこ
とによる吸着基板への悪影響を心配する必要もない。
【００２５】なお、上述した静電チャックは、該静電チ
ャックを支持し、必要に応じ静電チャックを冷却または
加熱する媒体流路を持つプレートと、該静電チャックと
該プレートとを接着する手段とからなる基板固定加熱冷
却装置として、基板処理装置に搭載される。これによ
り、従来の静電チャックでは放電が開始するような熱伝
導ガス圧力領域においても放電を発生させずに安定した
静電吸着が可能な静電チャックを用い、必要に応じ加熱
冷却機構を加えた基板固定加熱冷却装置を持つ基盤処理
装置が提供できる。
ャックを支持し、必要に応じ静電チャックを冷却または
加熱する媒体流路を持つプレートと、該静電チャックと
該プレートとを接着する手段とからなる基板固定加熱冷
却装置として、基板処理装置に搭載される。これによ
り、従来の静電チャックでは放電が開始するような熱伝
導ガス圧力領域においても放電を発生させずに安定した
静電吸着が可能な静電チャックを用い、必要に応じ加熱
冷却機構を加えた基板固定加熱冷却装置を持つ基盤処理
装置が提供できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は上記構成により次の効果を発揮
する。基板を吸着する吸着面に凹部を形成した静電チャ
ックにおいて、前記凹部の内部に導電性膜を設けてある
ため、基板吸着時に基板と静電チャックの間の隙間に熱
伝達ガスを流入させた場合においても隙間で放電を起こ
さない、静電チャックを提供できる。また、前記静電チ
ャックにおいて、前記凹部と連通し、前記静電チャック
を貫通する穴の内部に導電性膜を設けてあるため、基板
吸着時に基板と静電チャックの隙間に熱伝達ガスを流入
させた場合においても穴内部で放電を起こさない静電チ
ャックを提供できる。
する。基板を吸着する吸着面に凹部を形成した静電チャ
ックにおいて、前記凹部の内部に導電性膜を設けてある
ため、基板吸着時に基板と静電チャックの間の隙間に熱
伝達ガスを流入させた場合においても隙間で放電を起こ
さない、静電チャックを提供できる。また、前記静電チ
ャックにおいて、前記凹部と連通し、前記静電チャック
を貫通する穴の内部に導電性膜を設けてあるため、基板
吸着時に基板と静電チャックの隙間に熱伝達ガスを流入
させた場合においても穴内部で放電を起こさない静電チ
ャックを提供できる。
【図１】本発明の静電チャックの一形態を示す概略図で
ある。
ある。
【図２】図１の静電チャックの吸着面を現す図である。
【図３】図１の静電チャックの拡大断面を現す概略図で
ある。
ある。
１００ 静電チャック １０１ 誘電体基板 １０２ 絶縁体基板 １０３ａ，１０３ｂ 電極 １０４ａ、１０４ｂ 導電性端子 １０５ａ、１０５ｂ ビアホール １０６ 穴 １１０ 吸着面 １１１ 溝 １１２ ドット １１３ 導電性膜 １２０ 静電チャック裏面 １３０ 基板 １４０ 隙間
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Claims (4)
- 【請求項１】 基板を吸着する吸着面に凹部を形成して
なる静電チャックにおいて、前記凹部内部に導電性膜を
設けてある事を特徴とする静電チャック。 - 【請求項２】 前記静電チャックにおいて、前記凹部
と、前記静電チャックを貫通し前記凹部とを連通する穴
の内部に導電性膜を設けてある事を特徴とする請求項１
に記載の静電チャック。 - 【請求項３】 請求項１または２のいずれか１つの静電
チャックを用い、該静電チャックに吸着電圧を印加して
基板を吸着し、かつ、前記凹部に熱伝達ガスを流入させ
て基板の温度を制御するとともに、前記導電膜にて吸着
に不要な電荷を流す事を特徴とする静電チャックの吸着
表面に形成された凹部への放電防止方法。 - 【請求項４】 請求項１または２の静電チャックと、該
静電チャックを支持し該静電チャックを冷却または加熱
する媒体流路を持つプレートと、該静電チャックと該プ
レートとを接着する手段と、からなる事を特徴とする基
板固定加熱冷却装置。
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP2001029817A JP2002231799A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 静電チャック、静電チャックの吸着表面に形成された凹部への放電防止方法、およびその静電チャックを用いた基板固定加熱冷却装置 |
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