JP2003133403A - ウェハ保持装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ウェハ保持部材のウェハの載置面と導入管と
の間の電気的な導通構造を改善し、載置面上のウェハの
有無を電気的に確認することが長期にわたって良好にか
つ高い信頼性でもってできるようにすること。 【解決手段】 上下面間を貫通する貫通孔１１ｃを有す
るセラミック製のウェハ保持部材１１と、上端に鍔部１
２ａが形成され、鍔部１２ａが貫通孔１１ｃの下面１１
ｂ側開口の周囲にロウ付けされて貫通孔１１ｃに同軸状
に接合された金属製の導入管１２と、鍔部１２ａの裏面
にロウ付けされたセラミックリング１５とを具備し、貫
通孔１１ｃは下面１１ｂ側開口に曲率半径が１ｍｍ以上
でウェハ保持部材１１の厚み以下である円弧状曲面とさ
れた面取り部が設けられており、セラミックリング１５
の内周面と面取り部の下面１１ｂ側の始点との径方向に
おける距離が２ｍｍ以下である。
の間の電気的な導通構造を改善し、載置面上のウェハの
有無を電気的に確認することが長期にわたって良好にか
つ高い信頼性でもってできるようにすること。 【解決手段】 上下面間を貫通する貫通孔１１ｃを有す
るセラミック製のウェハ保持部材１１と、上端に鍔部１
２ａが形成され、鍔部１２ａが貫通孔１１ｃの下面１１
ｂ側開口の周囲にロウ付けされて貫通孔１１ｃに同軸状
に接合された金属製の導入管１２と、鍔部１２ａの裏面
にロウ付けされたセラミックリング１５とを具備し、貫
通孔１１ｃは下面１１ｂ側開口に曲率半径が１ｍｍ以上
でウェハ保持部材１１の厚み以下である円弧状曲面とさ
れた面取り部が設けられており、セラミックリング１５
の内周面と面取り部の下面１１ｂ側の始点との径方向に
おける距離が２ｍｍ以下である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック製のウ
ェハ保持部材と金属製の不活性ガス導入管とをロウ付け
して接合して成るウェハ保持装置であって、半導体ウェ
ハや液晶装置用のガラス基板等のウェハを保持し搬送す
るための静電チャックやサセプター等としてのウェハ保
持装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体集積回路素子等の製造工程
で半導体ウェハに成膜を行なうためのＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition）装置や半導体ウェハに微細加工処
理を施すためのドライエッチング装置において、ウェハ
保持部材としてサセプターが用いられている。 【０００３】ウェハ保持部材が金属製であると、金属元
素が半導体ウェハを汚染することから、近年ウェハ保持
部材としてアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）等を主成分とするセラミック製のサセプター
が用いられている。また、セラミック製の静電チャック
を用いて半導体ウェハを吸着固定することも行われてい
る。 【０００４】例えば、半導体集積回路素子等の製造工程
で半導体ウェハに成膜を行なうＣＶＤ装置や半導体ウェ
ハに微細加工処理を施すドライエッチング装置において
は、図６に示すように半導体ウェハ２１を載置し保持す
るためのサセプターや静電チャックと呼ばれる円盤状の
セラミック製のウェハ保持部材１１が使用される。ウェ
ハ保持部材１１は、上面に半導体ウェハ２１を載置する
載置面１１ａを有し、また下面１１ｂに金属製の不活性
ガス導入管（以下、導入管という）１２がロウ付けで接
合されている。この導入管１２は、載置面１１ａにヘリ
ウム（Ｈｅ）ガスなどを供給し、載置面１１ａと半導体
ウェハ２１との間の熱伝導性を向上させて半導体ウェハ
２１の熱分布を均一化するものである。また、導入管１
２に光ファイバを用いた測温素子を挿入し、載置面１１
ａの温度を測定することも行われている。 【０００５】なお、ウェハ保持部材１１の下面１１ｂと
導入管１２とを接合する際には、これらをロウ材１４に
よって接合している。セラミック製のウェハ保持部材１
１の下面１１ｂに、予めモリブデン（Ｍｏ）−マンガン
（Ｍｎ），タングステン（Ｗ）−マンガン（Ｍｎ），銅
（Ｃｕ）−チタン（Ｔｉ），銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）−
チタン（Ｔｉ）等のメタライズ層とそのメタライズ層上
に被着されたニッケル（Ｎｉ）メッキ層の２層構造を有
する金属層１３を被着しておき、金属層１３にロウ材１
４を介して導入管１２が接合される。 【０００６】また、ウェハ保持部材１１は、上面の半導
体ウェハ２１を載置する載置面１１ａを、下面１１ｂに
接合した導入管１２と電気的に導通させることにより、
載置面１１ａ上の半導体ウェハ２１の有無を金属製の導
入管１２を介して電気的に確認することが行われてい
る。載置面１１ａと導入管１２との間の導通は、ウェハ
保持部材１１の貫通孔１１ｃの内面に金属層１３を延出
させることに可能となる。 【０００７】また、ウェハ保持部材１１と導入管１２と
の接合部には、両部材の熱膨張差により接合時の応力が
残留し、接合部が剥がれ易くなるという問題がある。こ
の対策のために、導入管１２の上端に形成された鍔部１
２ａの裏面１２ｂに、ウェハ保持部材１１をなすセラミ
ックスと熱膨張係数の近い材料から成る応力緩和用のセ
ラミックリング１５をロウ付け接合し、セラミック製保
持部材１１とセラミックリング１５とで熱膨張係数の異
なる金属製の導入管１２を挟み込むことにより、ロウ付
けの際に生じる応力が緩和できる。その結果、応力によ
り導入管１２がウェハ保持部材１１から剥がれることを
防止できる。 【０００８】また、導入管１２の下端面には、ウェハ保
持部材１１との接合後に延長用の金属管１６が溶接さ
れ、外部からの不活性ガスの導入が容易にできるように
されている。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のウェハ保持装置において、導入管１２は、金属層１
３のうち、ウェハ保持部材１１の貫通孔１１ｃの下面１
１ｂ側開口の周囲にある金属層１３ａにロウ材１４を介
して接合される。この際、図４のように、貫通孔１１ｃ
の下面１１ｂ側開口において、金属層１３の厚みａはそ
の表面張力により薄くなる。従って、金属管１６の溶接
時や運搬時等に導入管１２に外力が加わると、金属層１
３の薄い箇所に応力が集中し、金属層１３に厚さ方向の
クラックが発生し金属層１３が切れて導通不良が生じる
という問題があった。 【００１０】また、図５に示すように貫通孔１１ｃの下
面１１ｂ側開口に平面的な面取り（Ｃ面）加工を施した
場合にも、面取り部の金属層１３は厚みａが薄くなって
応力の集中し易い形状となり、上記の問題が発生する場
合があった。 【００１１】従って、本発明は上記従来の問題点に鑑み
て完成されたものであり、その目的は、ウェハ保持部材
のウェハの載置面と導入管との間の電気的な導通構造を
改善し、載置面上のウェハの有無を電気的に確認するこ
とが長期にわたって良好にかつ高い信頼性でもってでき
るようにすることである。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明のウェハ保持装置
は、上面にウェハを載置する載置面を有するとともに上
下面間を貫通する貫通孔が形成されているセラミック製
のウェハ保持部材と、上端に鍔部が形成されているとと
もに該鍔部が前記貫通孔の前記下面側開口の周囲にロウ
付けされて前記貫通孔に同軸状に接合されている金属製
の不活性ガス導入管と、該不活性ガス導入管の前記鍔部
の裏面にロウ付けされたセラミックリングとを具備した
ウェハ保持装置において、前記貫通孔は前記下面側開口
に曲率半径が１ｍｍ以上でウェハ保持部材の厚み以下で
ある円弧状曲面とされた面取り部が設けられており、前
記セラミックリングの内周面と前記面取り部の前記下面
側の始点との径方向における距離が２ｍｍ以下であるこ
とを特徴とする。 【００１３】本発明は、上記の構成により、ウェハ保持
部材のウェハの載置面と不活性ガス導入管の導通構造が
改善され、載置面上のウェハの有無を電気的に確認する
ことが長期にわたって良好にできるようになるという作
用効果を有する。 【００１４】 【発明の実施の形態】本発明のウェハ保持装置について
以下に詳細に説明する。図１は本発明のウェハ保持装置
について実施の形態の一例を示す断面図である。図１に
おいて、１１はウェハ保持部材、１１ａはウェハ保持部
材１１の上面のウェハの載置面、１１ｂはウェハ保持部
材１１の下面であり導入管が接合される側の面である。
また、１１ｃはウェハ保持部材１１の上下面間を貫通す
るガス導入用の貫通孔、１２は導入管、１３は金属層、
１３ａは導入管１２の鍔部１２ａに接合される金属層、
１３ｂは貫通孔１１ｃ内面の金属層である。また、１４
はロウ材、１５は応力緩和用のセラミックリングであ
る。なお、本発明を示す図１〜図３において図６と同じ
部分には同じ符号を付している。 【００１５】本発明のウェハ保持装置は、上面にウェハ
を載置する載置面１１ａを有するとともに上下面間を貫
通する貫通孔１１ｃが形成されているセラミック製のウ
ェハ保持部材１１と、上端に鍔部１２ａが形成されてい
るとともに鍔部１２ａが貫通孔１１ｃの下面１１ｂ側開
口の周囲にロウ付けされて貫通孔１１ｃに同軸状に接合
されている金属製の導入管１２と、導入管１２の上端部
を囲むように鍔部１２ａの裏面にロウ付けされたセラミ
ックリング１５とを具備した基本構成である。 【００１６】そして、図１に示すように、ウェハ保持部
材１１はセラミックスからなる円盤状であり、上面にＳ
ｉ，ＧａＡｓ等の半導体ウェハや液晶用ガラス基板等の
ウェハを載置する平坦な載置面１１ａを有し、載置面１
１ａと下面１１ｂとを連通する貫通孔１１ｃを有してい
る。ウェハ保持部材１１の下面１１ｂで貫通孔１１ｃの
下面１１ｂ側開口の周囲に、導入管１２の鍔部１２ａが
ロウ付け接合される。ウェハ保持部材１１と導入管１２
との具体的な接合構造は、ウェハ保持部材１１の下面１
１ｂにメタライズ層と金属メッキ層の２層構造を有する
金属層１３ａを形成しておき、ロウ材１４により導入管
１２上端の鍔部１２ａをロウ付けして成る構造である。 【００１７】そして、ウェハ保持部材１１の載置面１１
ａにウェハを載置し、導入管１２よりヘリウム（Ｈｅ）
等の不活性ガスを導入すると、載置面１１ａに形成され
た多数の溝等に不活性ガスが溜り、ウェハと載置面１１
ａとの間の熱伝達性が向上し、ウェハに大きな熱分布が
発生するのを抑制することができる。 【００１８】ウェハ保持部材１１と導入管１２との接合
は平面同士の接合であり、広い範囲でのロウ材１４の充
填が可能であり、ガスのリーク防止に対し大きな効果が
得られる。 【００１９】また、ウェハ保持部材１１にロウ付けされ
る導入管１２の鍔部１２ａ（接合部）の厚みｔは０．１
〜１ｍｍがよく、鍔部１２ａの幅ｄは１ｍｍ以上である
ことが好ましい。ｔが１ｍｍを超えると、ロウ付け時に
鍔部１２ａの変形が起こりにくくなり応力緩和が不十分
になるため、ウェハ保持部材１１に生じる応力が大きく
なってセラミック製のウェハ保持部材１１が破壊されや
すくなる。ｔが０．１ｍｍ未満では、鍔部１２ａの強度
が不足することとなる。また、ｄが１ｍｍ未満では、接
合による気密性が不十分となり不活性ガスが漏れやすく
なる。 【００２０】導入管１２の材質は、セラミックスの熱膨
張率と近い金属材料であることから、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ
合金，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｎｂなどがよい。 【００２１】ロウ材１４の材質は、高温（４００〜６０
０℃）中で溶融や液化を生じないものがよく、Ａｇ−Ｃ
ｕ合金系，Ａｇ系，Ａｕ系等のロウ材がよい。 【００２２】ウェハ保持部材１１の材質は、アルミナ
（Ａｌ2Ｏ3），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），ジルコニ
ア（ＺｒＯ2）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ3
Ｎ4）のうちの一種以上を主成分とするセラミックスで
ある。特に、耐プラズマ性の点から、９９重量％以上の
高純度のアルミナを主成分とし、二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム
（ＣａＯ）等の焼結助剤を含有するアルミナセラミック
ス、窒化アルミニウムを主成分とし周期律表の第２ａ族
元素酸化物や第３ａ族元素酸化物を０．５〜２０重量％
の範囲で含有する窒化アルミニウム質セラミックス、９
９重量％以上のＡｌＮを主成分とする高純度窒化アルミ
ニウム質セラミックスのいずれかが好適である。これら
は、金属材料と違い化学反応しにくいため、金属元素に
よる半導体ウェハへの汚染を低減できるという利点があ
る。 【００２３】さらに、導入管１２の鍔部１２ａの裏面１
２ｂには応力緩和用のセラミックリング１５をロウ付け
接合している。具体的には、ウェハ保持部材１１と導入
管１２とのロウ付けと同様に、セラミックリング１５の
上面に金属層１３を形成しておき、ロウ材１４により導
入管１２の鍔部１２ａの裏面１２ｂにロウ付けする。 【００２４】本発明において、貫通孔１１ｃは下面１１
ｂ側開口に曲率半径１ｍｍ以上でウェハ保持部材１１の
厚み以下である円弧状曲面とされた面取り部Ａ（図２）
が設けられており、セラミックリング１５の内周面と面
取り部Ａの下面１１ｂ側の始点Ｐ（図３）との径方向に
おける距離が２ｍｍ以下である。 【００２５】即ち、図２に示すように、貫通孔１１ｃの
下面１１ｂ側開口が円弧状曲面となるように面取りされ
ていることにより、金属層１３の厚みが貫通孔１１ｃの
下面１１ｂ側開口で薄くなることはなく、全体的に均一
とすることができる。その結果、金属管１６の溶接時や
運搬時等に導入管１２に外力が加わった際に、金属層１
３の薄い箇所に応力が集中することが解消され、金属層
１３に厚さ方向のクラックが発生し金属層１３が切れて
導通不良が生じるということがなくなる。 【００２６】貫通孔１１ｃの下面１１ｂ側開口の面取り
部Ａの曲率半径が１ｍｍ未満では、金属層１３を形成す
るための導体ペーストを塗布した際に、その表面張力に
よって面取り部の金属層１３の厚さが薄くなり、厚さの
ばらつきが発生し易くなる。また、面取り部Ａがウェハ
保持部材１１の厚みを超える曲率半径である場合、貫通
孔１１ｃの載置面１１ａ側開口において貫通孔１１ｃ内
面と載置面１１ａとのなす角度が鋭角となり、貫通孔１
１ｃの載置面１１ａ側開口部の強度が不足し欠け等が発
生し易くなる。 【００２７】また、メタライズ層と金属メッキ層の２層
構造を有する金属層１３は、その厚みが５〜３０μｍで
あることが好ましい。５μｍより薄い場合、ロウ材１４
の浸食により金属層１３の密着強度が低下するため、不
活性ガスの漏れが発生し易くなる。３０μｍより厚い
と、金属層１３とセラミックスとの熱膨張係数差により
金属層１３に加わる応力が大きくなり、金属層１３に亀
裂が生じ易くなる。この金属層１３は、Ｍｏ−Ｍｎ，Ｗ
−Ｍｎ，Ｃｕ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ等から成るメタ
ライズ層とＮｉメッキ層の２層構造で形成されている。 【００２８】また、図３は導入管１２の上端部のロウ付
け部を拡大した拡大断面図であり、導入管１２の鍔部１
２ａの裏面１２ｂには応力緩和用のセラミックリング１
５がロウ付け接合されている。セラミックリング１５
は、ウェハ保持部材１１を成すセラミックスと熱膨張係
数が同じか近似したアルミナセラミックス，窒化アルミ
ニウムセラミックス等のセラミック材料から成るのがよ
い。このセラミックリング１５は、ウェハ保持部材１１
とで熱膨張の異なる導入管１２を挟み込むことにより、
ロウ付けの際に生じる応力を緩和でき、導入管１２がウ
ェハ保持部材１１から剥がれることを防止できる。特
に、セラミックリング１５がウェハ保持部材１１と同じ
セラミックスであることが好適である。 【００２９】本発明では、セラミックリング１５の内周
面と貫通孔１１ｃの面取り部Ａの下面１１ｂ側の始点Ｐ
（図３）との径方向における距離が２ｍｍ以下である。
つまり、図３に示すように、セラミックリング１５の内
径Ｒ１と、面取り部Ａの下面１１ｂ側の或る始点Ｐおよ
びそれに対して貫通孔１１ｃの中心に対称な位置にある
他の始点Ｐを結んだ直線で決まる直径Ｒ２との差が４ｍ
ｍ以下、即ち一方の始点Ｐにおける差が２ｍｍ以下であ
る。２ｍｍを超えると、ウェハ保持部材１１とセラミッ
クリング１５とで導入管１２を挟み込むことによるロウ
付け時の応力の緩和が不十分になる。 【００３０】また、セラミックリング１５の外径と導入
管１２の鍔部１２ａの外径との差が２ｍｍ以下であるこ
とが好ましい。セラミックリング１５の外径が導入管１
２の鍔部１２ａの外径より２ｍｍを超えて小さくなる
と、セラミックリング１５で導入管１２を挟み込むこと
によるロウ付け時の応力の緩和が不十分になる。また、
セラミックリング１５の外径が導入管１２の鍔部１２ａ
の外径より２ｍｍを超えて大きくなると、ウェハ保持部
材１１の下面１１ｂとセラミックリング１５との間にロ
ウ材が流出して塊、所謂ロウ材溜まりが形成され、ウェ
ハ保持部材１１やセラミックリング１５が破損し易くな
る。このようなロウ材溜まりの形成を効果的に防ぐに
は、セラミックリング１５の鍔部１２ａの外周端に面取
り加工を施すことが好ましく、ロウ材の滑らかなメニス
カスを形成させることができて応力が緩和される。 【００３１】また、セラミックリング１５の厚みは１ｍ
ｍ以上が良い。１ｍｍ未満では、ロウ付け時の応力緩和
の効果が不十分となり、より好ましくは５ｍｍ以上が良
い。上限については特に制約はないが実用的な構造上許
容される範囲内とすれば良い。 【００３２】なお、本発明のウェハ保持装置は、半導体
の製造工程で半導体ウェハを保持する際に好適に使用す
ることができるが、この他に液晶表示装置の製造工程に
おける液晶用ガラス基板などの各種ウェハについても使
用できる。 【００３３】 【発明の効果】本発明は、上面にウェハを載置する載置
面を有するとともに上下面間を貫通する貫通孔が形成さ
れているセラミック製のウェハ保持部材と、上端に鍔部
が形成されているとともに鍔部が貫通孔の下面側開口の
周囲にロウ付けされて貫通孔に同軸状に接合されている
金属製の導入管と、導入管の鍔部の裏面にロウ付けされ
たセラミックリングとを具備し、貫通孔は下面側開口に
曲率半径が１ｍｍ以上でウェハ保持部材の厚み以下であ
る円弧状曲面とされた面取り部が設けられており、セラ
ミックリングの内周面と面取り部の下面側の始点との径
方向における距離が２ｍｍ以下であることにより、ウェ
ハ保持部材のウェハの載置面と導入管の導通構造が改善
され、載置面上のウェハの有無を電気的に確認すること
が長期にわたって良好にできるようになるという作用効
果を有する。 【００３４】即ち、導入管の鍔部を貫通孔の下面側開口
の周囲にロウ付けするための金属層形成用の導体ペース
トが、その表面張力により貫通孔の下面側開口で厚みが
薄くなることが解消されて金属層の厚みが均一となる。
そのため、金属層の薄い箇所への応力集中をなくして金
属層の切断による導通不良の発生を防止することができ
る。従って、ウェハ保持部材の載置面と導入管との間で
良好な導通特性を実現でき、載置面上のウェハの有無を
電気的に検出することが長期にわたって良好にかつ高い
信頼性でもってできるようになる。
ェハ保持部材と金属製の不活性ガス導入管とをロウ付け
して接合して成るウェハ保持装置であって、半導体ウェ
ハや液晶装置用のガラス基板等のウェハを保持し搬送す
るための静電チャックやサセプター等としてのウェハ保
持装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体集積回路素子等の製造工程
で半導体ウェハに成膜を行なうためのＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition）装置や半導体ウェハに微細加工処
理を施すためのドライエッチング装置において、ウェハ
保持部材としてサセプターが用いられている。 【０００３】ウェハ保持部材が金属製であると、金属元
素が半導体ウェハを汚染することから、近年ウェハ保持
部材としてアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）等を主成分とするセラミック製のサセプター
が用いられている。また、セラミック製の静電チャック
を用いて半導体ウェハを吸着固定することも行われてい
る。 【０００４】例えば、半導体集積回路素子等の製造工程
で半導体ウェハに成膜を行なうＣＶＤ装置や半導体ウェ
ハに微細加工処理を施すドライエッチング装置において
は、図６に示すように半導体ウェハ２１を載置し保持す
るためのサセプターや静電チャックと呼ばれる円盤状の
セラミック製のウェハ保持部材１１が使用される。ウェ
ハ保持部材１１は、上面に半導体ウェハ２１を載置する
載置面１１ａを有し、また下面１１ｂに金属製の不活性
ガス導入管（以下、導入管という）１２がロウ付けで接
合されている。この導入管１２は、載置面１１ａにヘリ
ウム（Ｈｅ）ガスなどを供給し、載置面１１ａと半導体
ウェハ２１との間の熱伝導性を向上させて半導体ウェハ
２１の熱分布を均一化するものである。また、導入管１
２に光ファイバを用いた測温素子を挿入し、載置面１１
ａの温度を測定することも行われている。 【０００５】なお、ウェハ保持部材１１の下面１１ｂと
導入管１２とを接合する際には、これらをロウ材１４に
よって接合している。セラミック製のウェハ保持部材１
１の下面１１ｂに、予めモリブデン（Ｍｏ）−マンガン
（Ｍｎ），タングステン（Ｗ）−マンガン（Ｍｎ），銅
（Ｃｕ）−チタン（Ｔｉ），銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）−
チタン（Ｔｉ）等のメタライズ層とそのメタライズ層上
に被着されたニッケル（Ｎｉ）メッキ層の２層構造を有
する金属層１３を被着しておき、金属層１３にロウ材１
４を介して導入管１２が接合される。 【０００６】また、ウェハ保持部材１１は、上面の半導
体ウェハ２１を載置する載置面１１ａを、下面１１ｂに
接合した導入管１２と電気的に導通させることにより、
載置面１１ａ上の半導体ウェハ２１の有無を金属製の導
入管１２を介して電気的に確認することが行われてい
る。載置面１１ａと導入管１２との間の導通は、ウェハ
保持部材１１の貫通孔１１ｃの内面に金属層１３を延出
させることに可能となる。 【０００７】また、ウェハ保持部材１１と導入管１２と
の接合部には、両部材の熱膨張差により接合時の応力が
残留し、接合部が剥がれ易くなるという問題がある。こ
の対策のために、導入管１２の上端に形成された鍔部１
２ａの裏面１２ｂに、ウェハ保持部材１１をなすセラミ
ックスと熱膨張係数の近い材料から成る応力緩和用のセ
ラミックリング１５をロウ付け接合し、セラミック製保
持部材１１とセラミックリング１５とで熱膨張係数の異
なる金属製の導入管１２を挟み込むことにより、ロウ付
けの際に生じる応力が緩和できる。その結果、応力によ
り導入管１２がウェハ保持部材１１から剥がれることを
防止できる。 【０００８】また、導入管１２の下端面には、ウェハ保
持部材１１との接合後に延長用の金属管１６が溶接さ
れ、外部からの不活性ガスの導入が容易にできるように
されている。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のウェハ保持装置において、導入管１２は、金属層１
３のうち、ウェハ保持部材１１の貫通孔１１ｃの下面１
１ｂ側開口の周囲にある金属層１３ａにロウ材１４を介
して接合される。この際、図４のように、貫通孔１１ｃ
の下面１１ｂ側開口において、金属層１３の厚みａはそ
の表面張力により薄くなる。従って、金属管１６の溶接
時や運搬時等に導入管１２に外力が加わると、金属層１
３の薄い箇所に応力が集中し、金属層１３に厚さ方向の
クラックが発生し金属層１３が切れて導通不良が生じる
という問題があった。 【００１０】また、図５に示すように貫通孔１１ｃの下
面１１ｂ側開口に平面的な面取り（Ｃ面）加工を施した
場合にも、面取り部の金属層１３は厚みａが薄くなって
応力の集中し易い形状となり、上記の問題が発生する場
合があった。 【００１１】従って、本発明は上記従来の問題点に鑑み
て完成されたものであり、その目的は、ウェハ保持部材
のウェハの載置面と導入管との間の電気的な導通構造を
改善し、載置面上のウェハの有無を電気的に確認するこ
とが長期にわたって良好にかつ高い信頼性でもってでき
るようにすることである。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明のウェハ保持装置
は、上面にウェハを載置する載置面を有するとともに上
下面間を貫通する貫通孔が形成されているセラミック製
のウェハ保持部材と、上端に鍔部が形成されているとと
もに該鍔部が前記貫通孔の前記下面側開口の周囲にロウ
付けされて前記貫通孔に同軸状に接合されている金属製
の不活性ガス導入管と、該不活性ガス導入管の前記鍔部
の裏面にロウ付けされたセラミックリングとを具備した
ウェハ保持装置において、前記貫通孔は前記下面側開口
に曲率半径が１ｍｍ以上でウェハ保持部材の厚み以下で
ある円弧状曲面とされた面取り部が設けられており、前
記セラミックリングの内周面と前記面取り部の前記下面
側の始点との径方向における距離が２ｍｍ以下であるこ
とを特徴とする。 【００１３】本発明は、上記の構成により、ウェハ保持
部材のウェハの載置面と不活性ガス導入管の導通構造が
改善され、載置面上のウェハの有無を電気的に確認する
ことが長期にわたって良好にできるようになるという作
用効果を有する。 【００１４】 【発明の実施の形態】本発明のウェハ保持装置について
以下に詳細に説明する。図１は本発明のウェハ保持装置
について実施の形態の一例を示す断面図である。図１に
おいて、１１はウェハ保持部材、１１ａはウェハ保持部
材１１の上面のウェハの載置面、１１ｂはウェハ保持部
材１１の下面であり導入管が接合される側の面である。
また、１１ｃはウェハ保持部材１１の上下面間を貫通す
るガス導入用の貫通孔、１２は導入管、１３は金属層、
１３ａは導入管１２の鍔部１２ａに接合される金属層、
１３ｂは貫通孔１１ｃ内面の金属層である。また、１４
はロウ材、１５は応力緩和用のセラミックリングであ
る。なお、本発明を示す図１〜図３において図６と同じ
部分には同じ符号を付している。 【００１５】本発明のウェハ保持装置は、上面にウェハ
を載置する載置面１１ａを有するとともに上下面間を貫
通する貫通孔１１ｃが形成されているセラミック製のウ
ェハ保持部材１１と、上端に鍔部１２ａが形成されてい
るとともに鍔部１２ａが貫通孔１１ｃの下面１１ｂ側開
口の周囲にロウ付けされて貫通孔１１ｃに同軸状に接合
されている金属製の導入管１２と、導入管１２の上端部
を囲むように鍔部１２ａの裏面にロウ付けされたセラミ
ックリング１５とを具備した基本構成である。 【００１６】そして、図１に示すように、ウェハ保持部
材１１はセラミックスからなる円盤状であり、上面にＳ
ｉ，ＧａＡｓ等の半導体ウェハや液晶用ガラス基板等の
ウェハを載置する平坦な載置面１１ａを有し、載置面１
１ａと下面１１ｂとを連通する貫通孔１１ｃを有してい
る。ウェハ保持部材１１の下面１１ｂで貫通孔１１ｃの
下面１１ｂ側開口の周囲に、導入管１２の鍔部１２ａが
ロウ付け接合される。ウェハ保持部材１１と導入管１２
との具体的な接合構造は、ウェハ保持部材１１の下面１
１ｂにメタライズ層と金属メッキ層の２層構造を有する
金属層１３ａを形成しておき、ロウ材１４により導入管
１２上端の鍔部１２ａをロウ付けして成る構造である。 【００１７】そして、ウェハ保持部材１１の載置面１１
ａにウェハを載置し、導入管１２よりヘリウム（Ｈｅ）
等の不活性ガスを導入すると、載置面１１ａに形成され
た多数の溝等に不活性ガスが溜り、ウェハと載置面１１
ａとの間の熱伝達性が向上し、ウェハに大きな熱分布が
発生するのを抑制することができる。 【００１８】ウェハ保持部材１１と導入管１２との接合
は平面同士の接合であり、広い範囲でのロウ材１４の充
填が可能であり、ガスのリーク防止に対し大きな効果が
得られる。 【００１９】また、ウェハ保持部材１１にロウ付けされ
る導入管１２の鍔部１２ａ（接合部）の厚みｔは０．１
〜１ｍｍがよく、鍔部１２ａの幅ｄは１ｍｍ以上である
ことが好ましい。ｔが１ｍｍを超えると、ロウ付け時に
鍔部１２ａの変形が起こりにくくなり応力緩和が不十分
になるため、ウェハ保持部材１１に生じる応力が大きく
なってセラミック製のウェハ保持部材１１が破壊されや
すくなる。ｔが０．１ｍｍ未満では、鍔部１２ａの強度
が不足することとなる。また、ｄが１ｍｍ未満では、接
合による気密性が不十分となり不活性ガスが漏れやすく
なる。 【００２０】導入管１２の材質は、セラミックスの熱膨
張率と近い金属材料であることから、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ
合金，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｎｂなどがよい。 【００２１】ロウ材１４の材質は、高温（４００〜６０
０℃）中で溶融や液化を生じないものがよく、Ａｇ−Ｃ
ｕ合金系，Ａｇ系，Ａｕ系等のロウ材がよい。 【００２２】ウェハ保持部材１１の材質は、アルミナ
（Ａｌ2Ｏ3），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），ジルコニ
ア（ＺｒＯ2）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ3
Ｎ4）のうちの一種以上を主成分とするセラミックスで
ある。特に、耐プラズマ性の点から、９９重量％以上の
高純度のアルミナを主成分とし、二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム
（ＣａＯ）等の焼結助剤を含有するアルミナセラミック
ス、窒化アルミニウムを主成分とし周期律表の第２ａ族
元素酸化物や第３ａ族元素酸化物を０．５〜２０重量％
の範囲で含有する窒化アルミニウム質セラミックス、９
９重量％以上のＡｌＮを主成分とする高純度窒化アルミ
ニウム質セラミックスのいずれかが好適である。これら
は、金属材料と違い化学反応しにくいため、金属元素に
よる半導体ウェハへの汚染を低減できるという利点があ
る。 【００２３】さらに、導入管１２の鍔部１２ａの裏面１
２ｂには応力緩和用のセラミックリング１５をロウ付け
接合している。具体的には、ウェハ保持部材１１と導入
管１２とのロウ付けと同様に、セラミックリング１５の
上面に金属層１３を形成しておき、ロウ材１４により導
入管１２の鍔部１２ａの裏面１２ｂにロウ付けする。 【００２４】本発明において、貫通孔１１ｃは下面１１
ｂ側開口に曲率半径１ｍｍ以上でウェハ保持部材１１の
厚み以下である円弧状曲面とされた面取り部Ａ（図２）
が設けられており、セラミックリング１５の内周面と面
取り部Ａの下面１１ｂ側の始点Ｐ（図３）との径方向に
おける距離が２ｍｍ以下である。 【００２５】即ち、図２に示すように、貫通孔１１ｃの
下面１１ｂ側開口が円弧状曲面となるように面取りされ
ていることにより、金属層１３の厚みが貫通孔１１ｃの
下面１１ｂ側開口で薄くなることはなく、全体的に均一
とすることができる。その結果、金属管１６の溶接時や
運搬時等に導入管１２に外力が加わった際に、金属層１
３の薄い箇所に応力が集中することが解消され、金属層
１３に厚さ方向のクラックが発生し金属層１３が切れて
導通不良が生じるということがなくなる。 【００２６】貫通孔１１ｃの下面１１ｂ側開口の面取り
部Ａの曲率半径が１ｍｍ未満では、金属層１３を形成す
るための導体ペーストを塗布した際に、その表面張力に
よって面取り部の金属層１３の厚さが薄くなり、厚さの
ばらつきが発生し易くなる。また、面取り部Ａがウェハ
保持部材１１の厚みを超える曲率半径である場合、貫通
孔１１ｃの載置面１１ａ側開口において貫通孔１１ｃ内
面と載置面１１ａとのなす角度が鋭角となり、貫通孔１
１ｃの載置面１１ａ側開口部の強度が不足し欠け等が発
生し易くなる。 【００２７】また、メタライズ層と金属メッキ層の２層
構造を有する金属層１３は、その厚みが５〜３０μｍで
あることが好ましい。５μｍより薄い場合、ロウ材１４
の浸食により金属層１３の密着強度が低下するため、不
活性ガスの漏れが発生し易くなる。３０μｍより厚い
と、金属層１３とセラミックスとの熱膨張係数差により
金属層１３に加わる応力が大きくなり、金属層１３に亀
裂が生じ易くなる。この金属層１３は、Ｍｏ−Ｍｎ，Ｗ
−Ｍｎ，Ｃｕ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ等から成るメタ
ライズ層とＮｉメッキ層の２層構造で形成されている。 【００２８】また、図３は導入管１２の上端部のロウ付
け部を拡大した拡大断面図であり、導入管１２の鍔部１
２ａの裏面１２ｂには応力緩和用のセラミックリング１
５がロウ付け接合されている。セラミックリング１５
は、ウェハ保持部材１１を成すセラミックスと熱膨張係
数が同じか近似したアルミナセラミックス，窒化アルミ
ニウムセラミックス等のセラミック材料から成るのがよ
い。このセラミックリング１５は、ウェハ保持部材１１
とで熱膨張の異なる導入管１２を挟み込むことにより、
ロウ付けの際に生じる応力を緩和でき、導入管１２がウ
ェハ保持部材１１から剥がれることを防止できる。特
に、セラミックリング１５がウェハ保持部材１１と同じ
セラミックスであることが好適である。 【００２９】本発明では、セラミックリング１５の内周
面と貫通孔１１ｃの面取り部Ａの下面１１ｂ側の始点Ｐ
（図３）との径方向における距離が２ｍｍ以下である。
つまり、図３に示すように、セラミックリング１５の内
径Ｒ１と、面取り部Ａの下面１１ｂ側の或る始点Ｐおよ
びそれに対して貫通孔１１ｃの中心に対称な位置にある
他の始点Ｐを結んだ直線で決まる直径Ｒ２との差が４ｍ
ｍ以下、即ち一方の始点Ｐにおける差が２ｍｍ以下であ
る。２ｍｍを超えると、ウェハ保持部材１１とセラミッ
クリング１５とで導入管１２を挟み込むことによるロウ
付け時の応力の緩和が不十分になる。 【００３０】また、セラミックリング１５の外径と導入
管１２の鍔部１２ａの外径との差が２ｍｍ以下であるこ
とが好ましい。セラミックリング１５の外径が導入管１
２の鍔部１２ａの外径より２ｍｍを超えて小さくなる
と、セラミックリング１５で導入管１２を挟み込むこと
によるロウ付け時の応力の緩和が不十分になる。また、
セラミックリング１５の外径が導入管１２の鍔部１２ａ
の外径より２ｍｍを超えて大きくなると、ウェハ保持部
材１１の下面１１ｂとセラミックリング１５との間にロ
ウ材が流出して塊、所謂ロウ材溜まりが形成され、ウェ
ハ保持部材１１やセラミックリング１５が破損し易くな
る。このようなロウ材溜まりの形成を効果的に防ぐに
は、セラミックリング１５の鍔部１２ａの外周端に面取
り加工を施すことが好ましく、ロウ材の滑らかなメニス
カスを形成させることができて応力が緩和される。 【００３１】また、セラミックリング１５の厚みは１ｍ
ｍ以上が良い。１ｍｍ未満では、ロウ付け時の応力緩和
の効果が不十分となり、より好ましくは５ｍｍ以上が良
い。上限については特に制約はないが実用的な構造上許
容される範囲内とすれば良い。 【００３２】なお、本発明のウェハ保持装置は、半導体
の製造工程で半導体ウェハを保持する際に好適に使用す
ることができるが、この他に液晶表示装置の製造工程に
おける液晶用ガラス基板などの各種ウェハについても使
用できる。 【００３３】 【発明の効果】本発明は、上面にウェハを載置する載置
面を有するとともに上下面間を貫通する貫通孔が形成さ
れているセラミック製のウェハ保持部材と、上端に鍔部
が形成されているとともに鍔部が貫通孔の下面側開口の
周囲にロウ付けされて貫通孔に同軸状に接合されている
金属製の導入管と、導入管の鍔部の裏面にロウ付けされ
たセラミックリングとを具備し、貫通孔は下面側開口に
曲率半径が１ｍｍ以上でウェハ保持部材の厚み以下であ
る円弧状曲面とされた面取り部が設けられており、セラ
ミックリングの内周面と面取り部の下面側の始点との径
方向における距離が２ｍｍ以下であることにより、ウェ
ハ保持部材のウェハの載置面と導入管の導通構造が改善
され、載置面上のウェハの有無を電気的に確認すること
が長期にわたって良好にできるようになるという作用効
果を有する。 【００３４】即ち、導入管の鍔部を貫通孔の下面側開口
の周囲にロウ付けするための金属層形成用の導体ペース
トが、その表面張力により貫通孔の下面側開口で厚みが
薄くなることが解消されて金属層の厚みが均一となる。
そのため、金属層の薄い箇所への応力集中をなくして金
属層の切断による導通不良の発生を防止することができ
る。従って、ウェハ保持部材の載置面と導入管との間で
良好な導通特性を実現でき、載置面上のウェハの有無を
電気的に検出することが長期にわたって良好にかつ高い
信頼性でもってできるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウェハ保持装置について実施の形態の
例を示す断面図である。 【図２】図１のウェハ保持装置におけるウェハ保持部材
の貫通孔の下面側開口部の拡大断面図である。 【図３】図１のウェハ保持装置における導入管のロウ付
け部の拡大断面図である。 【図４】従来のウェハ保持装置におけるウェハ保持部材
の貫通孔の下面側開口部の拡大断面図である。 【図５】従来の他のウェハ保持装置におけるウェハ保持
部材の貫通孔の下面側開口部の拡大断面図である。 【図６】従来のウェハ保持装置の一例を示す断面図であ
る。 【符号の説明】 １１：ウェハ保持部材 １１ａ：載置面 １１ｂ：下面 １１ｃ：貫通孔 １２：不活性ガス導入管 １２ａ：鍔部 １２ｂ：鍔部の裏面 １３，１３ａ，１３ｂ：金属層 １４：ロウ材 １５：セラミックリング １６：金属管 ２１：半導体ウェハ
例を示す断面図である。 【図２】図１のウェハ保持装置におけるウェハ保持部材
の貫通孔の下面側開口部の拡大断面図である。 【図３】図１のウェハ保持装置における導入管のロウ付
け部の拡大断面図である。 【図４】従来のウェハ保持装置におけるウェハ保持部材
の貫通孔の下面側開口部の拡大断面図である。 【図５】従来の他のウェハ保持装置におけるウェハ保持
部材の貫通孔の下面側開口部の拡大断面図である。 【図６】従来のウェハ保持装置の一例を示す断面図であ
る。 【符号の説明】 １１：ウェハ保持部材 １１ａ：載置面 １１ｂ：下面 １１ｃ：貫通孔 １２：不活性ガス導入管 １２ａ：鍔部 １２ｂ：鍔部の裏面 １３，１３ａ，１３ｂ：金属層 １４：ロウ材 １５：セラミックリング １６：金属管 ２１：半導体ウェハ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 上面にウェハを載置する載置面を有する
とともに上下面間を貫通する貫通孔が形成されているセ
ラミック製のウェハ保持部材と、上端に鍔部が形成され
ているとともに該鍔部が前記貫通孔の前記下面側開口の
周囲にロウ付けされて前記貫通孔に同軸状に接合されて
いる金属製の不活性ガス導入管と、該不活性ガス導入管
の前記鍔部の裏面にロウ付けされたセラミックリングと
を具備したウェハ保持装置において、前記貫通孔は前記
下面側開口に曲率半径が１ｍｍ以上でウェハ保持部材の
厚み以下である円弧状曲面とされた面取り部が設けられ
ており、前記セラミックリングの内周面と前記面取り部
の前記下面側の始点との径方向における距離が２ｍｍ以
下であることを特徴とするウェハ保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001330253A JP3886770B2 (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | ウェハ保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001330253A JP3886770B2 (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | ウェハ保持装置 |
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|---|---|
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| CN100359663C (zh) * | 2004-10-26 | 2008-01-02 | 京瓷株式会社 | 晶片支撑构件及利用其的半导体制造装置 |
| JP2016072348A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
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-
2001
- 2001-10-29 JP JP2001330253A patent/JP3886770B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7326886B2 (en) | 2004-10-26 | 2008-02-05 | Kyocera Corporation | Wafer support member and semiconductor manufacturing system using the same |
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| KR20170116197A (ko) * | 2013-03-15 | 2017-10-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 정전 척의 수리 및 복원을 위한 방법 및 장치 |
| US10049908B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for electrostatic chuck repair and refurbishment |
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