KR20140118787A - 유기 el 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 도 1에 도시한 유기 EL 표시 장치의 평면도.
도 3은 도 1에 도시한 유기 EL 표시 장치의 전체 구성을 도시하는 도면.
도 4는 도 3에 도시한 화소 구동 회로의 한 예를 도시하는 도면.
도 5는 도 1에 도시한 유기 EL 표시 장치를 구성하는 유기 EL 소자의 단면도.
도 6은 비교례에 관한 유기 EL 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 7은 변형례 1에 관한 유기 EL 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 8은 변형례 2에 관한 유기 EL 표시 장치의 구성의 한 예를 도시하는 단면도.
도 9는 변형례 2에 관한 유기 EL 표시 장치의 구성의 다른 예를 도시하는 단면도.
도 10은 변형례 3에 관한 유기 EL 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 11은 변형례 3에 관한 유기 EL 표시 장치의 구성의 다른 예를 도시하는 단면도.
도 12는 변형례 4에 관한 유기 EL 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 13은 변형례 4에 관한 유기 EL 표시 장치의 구성의 다른 예를 도시하는 단면도.
도 14A는 상기 실시의 형태 등의 화소를 이용한 표시 장치의 적용례 1의 표측에서 본 외관을 도시하는 사시도.
도 14B는 상기 실시의 형태 등의 화소를 이용한 표시 장치의 적용례 1의 이측에서 본 외관을 도시하는 사시도.
도 15는 적용례 2의 외관을 도시하는 사시도.
도 16A는 적용례 2의 표측에서 본 외관을 도시하는 사시도.
도 16B는 적용례 2의 이측에서 본 외관을 도시하는 사시도.
도 17은 적용례 3의 외관을 도시하는 사시도.
도 18은 적용례 4의 외관을 도시하는 사시도.
도 19A는 적용례 5의 닫은 상태의 정면도, 좌측면도, 우측면도, 상면도 및 하면도.
도 19B는 적용례 5의 연 상태의 정면도 및 측면도.
Claims (14)
- 각각, 기판측부터 제1 전극, 발광층을 포함하는 유기층 및 제2 전극의 순서로 적층된 발광 소자를 갖는 복수의 화소가 배설된 표시 영역과,
상기 표시 영역의 외연측에 마련됨과 함께, 주변 회로를 갖는 주변 영역과,
상기 표시 영역부터 상기 주변 영역으로 연재되도록 마련된, 하층측의 제1 절연층 및 상층측의 제2 절연층과,
상기 표시 영역과 상기 주변 영역과의 사이의 상기 제1 절연층에 마련된 제1 분리홈과,
상기 제1 분리홈의 측면부터 저부를 통하여, 주변 영역의 상기 제1 절연층상에 마련된 제1 도전층과,
상기 제2 절연층의 적어도 단면이 상기 유기층 또는 상기 제2 전극에 의해 덮여진 피복부와,
상기 피복부의 외연측에 마련됨과 함께, 상기 제1 도전층과 상기 제2 전극이 적층되어 이루어지는 밀봉부를 구비한 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 절연층과의 사이에, 상기 기판측부터 제2 도전층, 제3 절연층의 순서로 마련되고, 상기 제1 분리홈은 상기 제1 절연층 및 상기 제3 절연층을 분리하고, 상기 제1 분리홈의 저부에서 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층이 적층된 접속부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제2 전극 및 상기 제2 도전층은, 상기 제1 도전층을 통하여 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제1 도전층은 동일 공정에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 주변 영역에 마련됨과 함께, 상기 제1 절연층을 내부 영역측과 외부 영역측으로 분리하는 제2 분리홈을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제2 분리홈의 벽면 및 저면은 상기 제1 도전층에 의해 피복되고, 상기 제2 분리홈은 상기 제2 전극에 의해 매입되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 유기층과 상기 제2 전극과의 사이에 고저항층을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 유기 절연층이고, 상기 제3 절연층은 무기 절연층인 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판의 단부에 실재가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 주변 회로는, 상기 기판상에서 상기 제3 절연층의 하층측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 발광 소자는, 상기 기판상에, 상기 제1 전극측부터, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 순서로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 발광 소자는, 상기 기판상에, 상기 제1 전극측부터, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 화소는, 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소, 또는, 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. - 유기 EL 표시 장치를 구비하고,
상기 유기 EL 표시 장치는,
각각, 기판측부터 제1 전극, 발광층을 포함하는 유기층 및 제2 전극의 순서로 적층된 발광 소자를 갖는 복수의 화소가 배설된 표시 영역과,
상기 표시 영역의 외연측에 마련됨과 함께, 주변 회로를 갖는 주변 영역과,
상기 표시 영역부터 상기 주변 영역으로 연재되도록 마련된, 하층측의 제1 절연층 및 상층측의 제2 절연층과,
상기 표시 영역과 상기 주변 영역과의 사이의 상기 제1 절연층에 마련된 제1 분리홈과,
상기 제1 분리홈의 측면부터 저부를 통하여, 주변 영역의 상기 제1 절연층상에 마련된 제1 도전층과,
상기 제2 절연층의 적어도 단면이 상기 유기층 또는 상기 제2 전극에 의해 덮여진 피복부와,
상기 피복부의 외연측에 마련됨과 함께, 상기 제1 도전층과 상기 제2 전극이 적층되어 이루어지는 밀봉부를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160080987A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20170093316A (ko) * | 2016-02-04 | 2017-08-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20180005097A (ko) * | 2016-07-04 | 2018-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20190047565A (ko) * | 2017-10-27 | 2019-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220161618A (ko) * | 2021-05-28 | 2022-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6175644B2 (ja) * | 2014-08-19 | 2017-08-09 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
CN111477657B (zh) * | 2014-10-28 | 2024-03-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置 |
JP6674764B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2020-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネルの作製方法 |
WO2016088394A1 (ja) | 2014-12-04 | 2016-06-09 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
US9766763B2 (en) * | 2014-12-26 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, light-emitting panel, display panel, and sensor panel |
JP6512833B2 (ja) * | 2015-01-16 | 2019-05-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102356827B1 (ko) * | 2015-03-04 | 2022-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US10230048B2 (en) * | 2015-09-29 | 2019-03-12 | X-Celeprint Limited | OLEDs for micro transfer printing |
US9716248B2 (en) * | 2015-12-18 | 2017-07-25 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode displays with reduced border area |
JP6606432B2 (ja) | 2016-01-06 | 2019-11-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
KR102571085B1 (ko) | 2016-04-04 | 2023-08-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US10008483B2 (en) | 2016-04-05 | 2018-06-26 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printed LED and color filter structure |
US10210798B2 (en) * | 2016-07-04 | 2019-02-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having protective structure |
CN107644937B (zh) * | 2016-07-22 | 2021-06-15 | 元太科技工业股份有限公司 | 电子组件封装体 |
KR20180061866A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
US11127918B2 (en) | 2017-05-23 | 2021-09-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device and electronic apparatus |
CN110959308B (zh) | 2017-08-02 | 2023-04-18 | 索尼公司 | 显示装置、制造显示装置的方法和电子设备 |
WO2019041966A1 (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示器件 |
JP2019079729A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6935915B2 (ja) * | 2017-10-27 | 2021-09-15 | 株式会社Joled | 電子デバイス |
CN107968109A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-04-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
US11367772B2 (en) | 2018-01-18 | 2022-06-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device and electronic device with peripheral wiring connection to cathode electrode |
JP7237665B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2023-03-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN110444690B (zh) * | 2019-08-20 | 2022-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
JP7465652B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2024-04-11 | JDI Design and Development 合同会社 | 自発光表示パネルおよびその製造方法 |
CN110993828A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-04-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
JP2021163599A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置 |
WO2024257502A1 (ja) * | 2023-06-14 | 2024-12-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054111A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2009098533A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2009192682A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2009295911A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Canon Inc | 有機el発光装置 |
JP2010080215A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
WO2011052555A1 (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-05 | 株式会社アルバック | 有機elランプ |
JP2012150901A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Sony Corp | 有機el表示装置および電子機器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4583568B2 (ja) | 2000-09-19 | 2010-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2007529105A (ja) * | 2003-07-16 | 2007-10-18 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置とその製造方法、照明装置および表示装置 |
US7586497B2 (en) * | 2005-12-20 | 2009-09-08 | Eastman Kodak Company | OLED display with improved power performance |
KR101316423B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2013-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP5251358B2 (ja) | 2008-08-25 | 2013-07-31 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
WO2011034011A1 (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-24 | シャープ株式会社 | 蒸着方法および蒸着装置 |
CN102668706B (zh) * | 2009-11-17 | 2015-03-25 | 联合创新技术有限公司 | 有机el显示器 |
KR101653844B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2016-09-02 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 유기 el 표시 패널 및 이를 구비한 유기 el 표시 장치 및 유기 el 표시 패널의 제조 방법 |
KR101451586B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2014-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
KR20130032675A (ko) * | 2011-09-23 | 2013-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로 |
-
2013
- 2013-03-29 JP JP2013074216A patent/JP6074597B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-19 TW TW103105539A patent/TWI580092B/zh active
- 2014-03-18 US US14/218,466 patent/US9343698B2/en active Active
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- 2014-03-21 CN CN201410109801.1A patent/CN104078488B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054111A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2009098533A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2009192682A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2009295911A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Canon Inc | 有機el発光装置 |
JP2010080215A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
WO2011052555A1 (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-05 | 株式会社アルバック | 有機elランプ |
JP2012150901A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Sony Corp | 有機el表示装置および電子機器 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160080987A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20170093316A (ko) * | 2016-02-04 | 2017-08-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20230042688A (ko) * | 2016-02-04 | 2023-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20180005097A (ko) * | 2016-07-04 | 2018-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20190047565A (ko) * | 2017-10-27 | 2019-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220161618A (ko) * | 2021-05-28 | 2022-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
US12349549B2 (en) | 2021-05-28 | 2025-07-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including multiple anti-contact layers and method of fabricating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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