KR102631713B1 - 가공 방법 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 196
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims abstract description 111
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 120
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 86
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 45
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 37
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
본 발명은 피가공물의 가공후에도 이상이 검출된 위치를 용이하게 특정할 수 있는 것을 과제로 한다.
복수의 가공 예정 라인이 설정된 피가공물을 상기 가공 예정 라인을 따라서 가공하는 가공 방법으로서, 피가공물의 피접착면에 상기 피접착면의 직경보다 큰 직경의 테이프를 접착하는 테이프 접착 단계와, 유지면을 갖는 유지 테이블의 상기 유지면 위에 상기 피접착면측을 상기 유지면으로 향하게 한 상태로 피가공물을 얹고, 상기 테이프를 개재하여 상기 피가공물을 유지 테이블 위에 유지하는 유지 단계와, 상기 유지 테이블 위에 유지된 상기 피가공물을 상기 가공 예정 라인을 따라서 가공 유닛에 의해 가공하는 가공 단계를 포함하고, 상기 가공 단계에서는, 상기 피가공물의 가공을 실시함과 더불어 상기 가공의 이상 유무를 감시하여, 상기 가공의 이상이 검출된 경우에, 상기 가공의 이상이 검출된 가공 예정 라인의 연장선상에서 상기 테이프에 마크를 형성한다.
복수의 가공 예정 라인이 설정된 피가공물을 상기 가공 예정 라인을 따라서 가공하는 가공 방법으로서, 피가공물의 피접착면에 상기 피접착면의 직경보다 큰 직경의 테이프를 접착하는 테이프 접착 단계와, 유지면을 갖는 유지 테이블의 상기 유지면 위에 상기 피접착면측을 상기 유지면으로 향하게 한 상태로 피가공물을 얹고, 상기 테이프를 개재하여 상기 피가공물을 유지 테이블 위에 유지하는 유지 단계와, 상기 유지 테이블 위에 유지된 상기 피가공물을 상기 가공 예정 라인을 따라서 가공 유닛에 의해 가공하는 가공 단계를 포함하고, 상기 가공 단계에서는, 상기 피가공물의 가공을 실시함과 더불어 상기 가공의 이상 유무를 감시하여, 상기 가공의 이상이 검출된 경우에, 상기 가공의 이상이 검출된 가공 예정 라인의 연장선상에서 상기 테이프에 마크를 형성한다.
Description
본 발명은, 복수의 가공 예정 라인이 설정된 피가공물을 가공 예정 라인을 따라서 가공하는 가공 방법에 관한 것이다.
휴대 전화나 컴퓨터 등의 전자 기기에 사용되는 디바이스칩은, 예컨대, 반도체로 이루어진 웨이퍼가 절단되어 제조된다. 웨이퍼의 표면에는, 교차하는 복수의 가공 예정 라인(스트리트)이 설정된다. 웨이퍼의 표면의 가공 예정 라인에 의해 구획되는 각 영역에는, 예컨대, IC(Integrated Circuit), LSI(Large Scale Integration) 등의 디바이스가 형성된다. 그 후, 가공 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 분할하면 개개의 디바이스칩을 형성할 수 있다.
웨이퍼의 분할은, 절삭 유닛을 갖는 절삭 장치에 의해 실시된다. 절삭 유닛은, 회전의 축이 되는 스핀들과, 상기 스핀들의 일단에 장착된 절삭 블레이드를 포함한다. 스핀들을 회전시킴으로써 절삭 블레이드를 회전시키고, 회전하는 절삭 블레이드를 가공 예정 라인을 따라서 웨이퍼 등의 피가공물에 절입시켜 피가공물을 절삭하면, 피가공물이 분할된다.
또한, 웨이퍼의 분할은, 레이저 가공 유닛을 갖는 레이저 가공 장치에 의해 실시해도 좋다. 웨이퍼 등의 피가공물을 투과할 수 있는 파장의 레이저 빔을 레이저 가공 유닛으로부터 가공 예정 라인을 따라서 피가공물에 조사하여 피가공물의 내부에 집광하면, 다광자 흡수에 의해 집광점 근방에 개질층을 형성할 수 있다. 그리고, 개질층으로부터 피가공물의 표리에 크랙을 신장시키면, 피가공물이 분할된다.
또한, 웨이퍼의 분할은, 피가공물에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 레이저 가공 유닛으로부터 가공 예정 라인을 따라서 피가공물의 표면에 조사하여, 어블레이션 가공에 의해 홈을 형성하여 실시해도 좋다.
이러한 가공 장치는 각종 센서를 탑재하고 있다. 가공 장치에서는, 가공이 예정대로 실시되고 있는지 아닌지 센서에 의해 감시되면서 가공이 실시된다. 예컨대, 가공 장치는 센서로서 카메라 유닛을 포함하고 있고, 가공 위치의 예정 위치로부터의 어긋남이나 형성된 홈 등의 가공흔(加工痕)의 폭이 허용 범위 내인지 등이 카메라 유닛에 의해 확인된다(특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
절삭 장치에서는, 예컨대, 스핀들을 회전시키는 모터에 전류계가 접속되고, 상기 전류계에 의해 가공중의 부하 전류치가 감시되어, 상기 부하 전류치가 적정 범위 내에 있는지 확인된다(특허문헌 3 참조). 또한, 레이저 가공 장치에서는, 예컨대, 레이저 가공 유닛의 출력치가 감시되어, 상기 출력치가 적정 범위 내에 있는지 확인된다.
가공의 이상이 생긴 경우, 센서에 의해 관측되는 값이 적정 범위에서 일탈하기 때문에, 상기 이상의 발생이 검출된다. 가공의 이상이 검출된 경우, 가공 장치는 피가공물의 가공을 정지하고, 가공 장치의 사용자 또는 관리자에게 이상의 검출을 통지하여, 사용자 또는 관리자에게 대처를 재촉한다. 그리고, 사용자 또는 관리자는, 가공 장치나 피가공물을 적절히 조정하여 가공 장치에 피가공물의 가공을 재개시킨다.
가공의 이상이 빈번하게 검출되는 경우, 가공 장치의 사용자나 관리자 등은, 이상의 검출 원인을 특정하여 대책을 강구할 필요가 있다. 이상의 검출 원인을 특정하기 위해서는, 피가공물의 어느 위치에서 가공하고 있을 때에 어떠한 이상이 검출되는지 등, 이상 검출의 경향을 분석할 필요가 있다. 피가공물의 가공을 완수함과 더불어 이상의 내용을 상세히 검토하기 위해서는, 가공의 완료후에 이상이 검출된 개소를 상세히 관찰하는 것이 유효하다.
그 때문에, 이상의 검출 개소를 찾아 특정할 필요가 있지만, 가공의 완료후에 피가공물로부터 이상의 검출 개소를 찾아내는 것은 용이하지 않다. 이상의 검출 개소를 특정할 수 없으면, 상기 검출 개소를 관찰하는 것이 어려워진다. 즉, 피가공물의 가공후에도 이상의 검출 개소를 적절히 특정하고 싶다는 수요가 있다.
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 피가공물의 가공시에 이상이 검출되는 경우에, 가공후에도 이상이 검출된 위치의 특정이 용이한 피가공물의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일양태에 의하면, 복수의 가공 예정 라인이 설정된 피가공물을 상기 가공 예정 라인을 따라서 가공하는 가공 방법으로서, 피가공물의 피접착면에 상기 피접착면의 직경보다 큰 직경의 테이프를 접착하는 테이프 접착 단계와, 유지면을 갖는 유지 테이블의 상기 유지면 위에 상기 피접착면측을 상기 유지면으로 향하게 한 상태로 피가공물을 얹고, 상기 테이프를 개재하여 상기 피가공물을 유지 테이블 위에 유지하는 유지 단계와, 상기 유지 테이블 위에 유지된 상기 피가공물을 상기 가공 예정 라인을 따라서 가공 유닛에 의해 가공하는 가공 단계를 포함하고, 상기 가공 단계에서는, 상기 피가공물의 가공을 실시함과 더불어 상기 가공의 이상 유무를 감시하여, 상기 가공의 이상이 검출된 경우에, 상기 가공의 이상이 검출된 가공 예정 라인의 연장선상에서 상기 테이프에 마크를 형성하는 것을 특징으로 하는 가공 방법이 제공된다.
본 발명의 일양태에 있어서, 상기 마크는 상기 가공 유닛에 의해 형성되어도 좋다. 또한, 상기 가공 단계에서는, 가공에서 형성된 가공흔을 확인함으로써 상기 가공의 이상 유무를 감시해도 좋다.
본 발명의 일양태에 관한 가공 방법은, 피가공물의 피접착면에 상기 피접착면의 직경보다 큰 직경의 테이프를 접착하는 테이프 접착 단계와, 피가공물을 가공 예정 라인을 따라서 가공하는 가공 단계를 포함한다. 상기 가공 단계에서는, 상기 피가공물의 가공을 실시함과 더불어 상기 가공의 이상 유무를 감시한다. 그리고, 상기 가공의 이상이 검출된 경우에, 상기 가공의 이상이 검출된 가공 예정 라인의 연장선상에서 상기 테이프에 마크를 형성한다.
그 때문에, 모든 가공 예정 라인을 따라서 가공 유닛에 의해 피가공물의 가공을 실시한 후, 테이프에 형성된 마크를 확인함으로써 가공의 이상이 검출된 가공 예정 라인을 특정할 수 있다. 그리고, 상기 가공 예정 라인의 일단으로부터 타단에 걸쳐서 피가공물을 관찰함으로써, 가공의 이상이 검출된 위치를 특정할 수 있다. 피가공물에는 수많은 가공 예정 라인이 설정되기 때문에, 가공의 이상이 검출된 가공 예정 라인을 특정함으로써 이상이 검출된 위치를 특정하는 수고를 대폭 줄일 수 있다.
따라서, 본 발명에 의해, 피가공물의 가공시에 이상이 검출되는 경우에, 가공후에도 이상이 검출된 위치의 특정이 용이한 피가공물의 가공 방법이 제공된다.
도 1은 피가공물을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 절삭 장치를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3의 (A)는, 유지 단계를 모식적으로 나타내는 단면도이며, 도 3의 (B)는, 가공 단계를 모식적으로 나타내는 단면도이며, 도 3의 (C)는, 가공의 이상 유무를 감시하는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 가공 단계가 완료한 후의 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 표시 화면의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 절삭 장치를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3의 (A)는, 유지 단계를 모식적으로 나타내는 단면도이며, 도 3의 (B)는, 가공 단계를 모식적으로 나타내는 단면도이며, 도 3의 (C)는, 가공의 이상 유무를 감시하는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 가공 단계가 완료한 후의 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 표시 화면의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일양태에 관한 실시형태에 관해 설명한다. 본 실시형태에 관한 가공 방법에서는, 피가공물을 가공 장치에 의해 가공한다. 도 1은, 본 실시형태에 관한 가공 방법의 피가공물의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
피가공물인 웨이퍼(1)는, 예컨대, 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어진 원판형의 웨이퍼이다. 또, 피가공물은 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 유리 또는 사파이어 등으로 이루어진 기판이어도 좋다. 피가공물의 재질, 형상, 구조 등에 제한은 없고, 예컨대, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 이루어진 기판, 및 직사각형의 기판을 피가공물로 해도 좋다.
웨이퍼(1)의 표면(1a)측에는, 교차하는 복수의 가공 예정 라인(스트리트)(3)이 설정되어 있고, 가공 예정 라인(3)에 의해 구획된 각 영역에는, IC(Integrated Circuit), LSI(Large Scale Integration) 등의 디바이스(5)가 형성되어 있다. 웨이퍼(1)를 가공 예정 라인(3)을 따라서 분할하면 개개의 디바이스칩을 형성할 수 있다.
가공 장치에 의해 웨이퍼(1)가 가공되기 전에, 웨이퍼(1)의 이면(1b)에는 고리형의 프레임(9)에 붙여진 테이프(7)가 접착된다. 웨이퍼(1)와, 고리형의 프레임(9)과, 테이프(7)가 일체가 된 프레임 유닛이 형성된다. 웨이퍼(1)는, 테이프(7)를 개재하여 프레임(9)에 지지되고, 프레임 유닛의 상태로 가공 장치의 내부의 유지 테이블 위에 반입된다. 웨이퍼(1)는, 이면(1b)측이 유지 테이블의 유지면을 향한 상태로 유지면 위에 실려, 상기 테이프(7)를 개재하여 유지 테이블(14) 위에 유지된다.
또, 테이프(7)는 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 접착되어도 좋다. 이 경우, 상기 표면(1a)이 테이프(7)의 피접착면이 된다. 즉, 표면(1a)측이 유지 테이블의 유지면을 향한 상태로 테이프(7)를 개재하여 유지 테이블 위에 웨이퍼(1)가 실려, 웨이퍼(1)가 상기 유지 테이블에 유지된다.
고리형의 프레임(9)은, 웨이퍼(1)의 피접착면의 직경보다 큰 직경의 개구를 가지며, 테이프(7)는 상기 개구를 막도록 고리형의 프레임(9)에 붙여진다. 그 때문에, 프레임 유닛에는 웨이퍼(1)의 피접착면의 직경보다 큰 직경의 테이프(7)가 사용된다. 그리고, 상기 프레임 유닛에서는, 테이프(7)는 웨이퍼(1)의 피접착면의 외주측으로 비어져 나온다.
다음으로, 웨이퍼(1)를 가공하는 가공 장치에 관해 설명한다. 상기 가공 장치는, 예컨대, 연삭 장치, 절삭 장치 또는 레이저 가공 장치이며, 웨이퍼(1)를 가공 예정 라인을 따라서 가공하고, 가공 예정 라인을 따라서 웨이퍼(1)를 분할한다. 여기서는, 웨이퍼(1)를 절삭 장치로 절삭 가공하는 경우에 관해 설명한다. 도 2는, 절삭 장치(2)를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
절삭 장치(2)는, 각 구성 요소를 지지하는 베이스(4)를 포함한다. 베이스(4) 위의 전방측에는, X축 방향으로 이동 가능한 X축 이동 테이블(6)이 설치되어 있다. 베이스(4) 위에는, X축 방향으로 평행한 한쌍의 X축 가이드 레일(8)이 배치되어 있고, X축 가이드 레일(8)에는 X축 이동 테이블(6)이 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
X축 이동 테이블(6)의 하면측에는, 너트부(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, X축 가이드 레일(8)에 평행한 X축 볼나사(10)가 나사 결합되어 있다. X축 볼나사(10)의 일단부에는, X축 펄스 모터(12)가 연결되어 있다. X축 펄스 모터(12)로 X축 볼나사(10)를 회전시키면, X축 이동 테이블(6)은 X축 가이드 레일(8)을 따라서 X축 방향으로 이동한다.
X축 이동 테이블(6)의 상측에는, 웨이퍼(1)를 유지하기 위한 유지 테이블(14)이 설치되어 있다. 유지 테이블(14)의 상면에는 다공질 부재가 배치되어 있고, 상기 다공질 부재의 상면이 웨이퍼(1)를 유지하는 유지면(14a)이 된다. 유지 테이블(14)은, 프레임(9)을 협지하는 클램프(14b)를 외주부에 포함한다.
상기 다공질 부재는, 유지 테이블(14)의 내부에 설치된 흡인로(도시되지 않음)를 통해 흡인원(도시되지 않음)에 접속되어 있다. 웨이퍼(1)의 상기 피접착면을 유지면(14a)으로 향하게 하여 상기 유지면(14a) 위에 웨이퍼(1)를 얹고, 흡인원을 작동시켜 상기 흡인로 및 상기 다공질 부재를 통하여 웨이퍼(1)에 부압(負壓)을 작용시키면, 웨이퍼(1)가 유지 테이블(14)에 흡인 유지된다. 또한, 유지 테이블(14)은, 유지면(14a)에 수직인 회전축의 둘레에 회전할 수 있다.
베이스(4) 위의 후방측에는, Y축 방향을 따라서 이동 가능한 절삭 유닛 지지부(16)가 배치되어 있다. 상기 절삭 유닛 지지부(16)는 절삭 유닛(24)을 지지한다. 베이스(4) 위에는, Y축 방향으로 평행한 한쌍의 Y축 가이드 레일(18)이 배치되어 있고, Y축 가이드 레일(18)에는 절삭 유닛 지지부(16)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
절삭 유닛 지지부(16)의 하면측에는, 너트부(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Y축 가이드 레일(18)에 평행한 Y축 볼나사(20)가 나사 결합되어 있다. Y축 볼나사(20)의 일단부에는, Y축 펄스 모터(22)가 연결되어 있다. Y축 펄스 모터(22)로 Y축 볼나사(20)를 회전시키면, 절삭 유닛 지지부(16)는 Y축 가이드 레일(18)을 따라서 Y축 방향으로 이동한다.
절삭 유닛 지지부(16)의 측면 상부에는, Z축 방향으로 평행한 한쌍의 Z축 가이드 레일(26)이 설치되어 있다. Z축 가이드 레일(26)에는, 절삭 유닛(24)이 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
절삭 유닛(24)의 기단부의 상기 절삭 유닛 지지부(16)에 대면하는 면에는, 너트부(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Z축 가이드 레일(26)에 평행한 Z축 볼나사(도시되지 않음)가 나사 결합되어 있다. Z축 볼나사의 일단부에는, Z축 펄스 모터(28)가 연결되어 있고, Z축 펄스 모터(28)로 Z축 볼나사를 회전시키면, 절삭 유닛(24)은 Z축 가이드 레일(26)을 따라서 Z축 방향으로 이동한다.
절삭 유닛(24)의 선단부에는, 원환형의 절삭 블레이드(32)가 배치된다. 절삭 블레이드(32)는, 회전축이 되는 스핀들의 일단측에 장착되어 있다. 상기 스핀들의 타단측에는 모터 등의 회전 구동원이 배치되고, 상기 모터는 상기 스핀들을 회전시킴으로써 절삭 블레이드(32)를 회전시킨다. 절삭 블레이드(32)를 회전시킴과 더불어 소정의 높이 위치에 위치를 부여하고, 유지 테이블(14)을 X축 방향을 따라서 이동시키면, 절삭 블레이드(32)에 의해 유지 테이블(14)에 유지되는 웨이퍼(1)를 절삭 가공할 수 있다.
또한, 절삭 유닛(24)에는 절삭액 공급 수단이 포함되어 있다. 절삭 블레이드(32)에 의한 웨이퍼(1)의 절삭 가공중에, 절삭 블레이드(32)에는 절삭액 공급 수단으로부터 절삭액이 공급된다. 상기 절삭액은, 예컨대 순수(純水)이다.
절삭 블레이드(32)에 인접한 위치에는, 웨이퍼(1) 등을 촬상하는 카메라 유닛(촬상 유닛)(30)이 설치되어 있다. 카메라 유닛(30)을 사용하면, 웨이퍼(1)를 절삭 가공할 때 얼라인먼트를 실시할 수 있고, 가공 예정 라인(3)을 따라서 웨이퍼(1)가 절삭 가공되도록 절삭 블레이드(32)가 적절한 위치에 위치 부여된다. 또한, 웨이퍼(1)에 형성되는 가공흔(절삭홈)을 카메라 유닛(30)에 의해 촬상함으로써 절삭 가공의 이상 유무를 감시할 수 있다.
절삭 유닛 지지부(16)를 Y축 방향으로 이동시키면, 절삭 블레이드(32) 및 카메라 유닛(30)은 Y축 방향으로 인덱싱 이송된다. 또한, 절삭 유닛(24)을 Z축 방향으로 이동시키면, 절삭 블레이드(32) 및 카메라 유닛(30)은 승강한다.
절삭 장치(2)의 전면(前面)에는, 표시 유닛과 입력 유닛을 겸하는 터치 패널(34)이 배치된다. 상기 터치 패널(34)에는, 가공 조건이나 가공 상황 등이 표시된다. 또한, 절삭 장치(2)의 사용자 또는 관리자 등은, 상기 터치 패널(34)에 의해 가공 조건이나 각종 지시 등을 절삭 장치(2)에 입력할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태에 관한 가공 방법에 관해 설명한다. 여기서는, 일례로서 절삭 장치(2)를 사용하여 웨이퍼(1)를 절삭 가공하는 가공 방법을 설명한다.
우선, 피가공물인 웨이퍼(1)의 이면(1b)(피접착면)에 테이프를 접착하는 테이프 접착 단계를 실시한다. 도 1에, 테이프(7)가 접착된 웨이퍼(1)를 모식적으로 나타낸다. 가공 예정 라인(3)을 따라서 웨이퍼(1)를 절삭 가공하여 웨이퍼(1)를 개개의 디바이스칩으로 분할했을 때, 형성된 개개의 디바이스칩은 테이프(7)에 의해 지지된다.
본 실시형태에 관한 가공 방법에서는, 테이프 점착 단계의 후에 유지 단계를 실시한다. 유지 단계에서는, 테이프(7)를 개재하여 피가공물인 웨이퍼(1)를 절삭 장치(2)의 유지 테이블(14) 위에 유지한다. 도 3의 (A)는, 유지 단계를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
유지 단계에서는, 우선, 프레임(9)에 붙여진 테이프(7)가 이면(1b)측에 접착된 웨이퍼(1)를 절삭 장치(2)에 반입하고, 표면(1a)측을 상측을 향하게 한 상태로 테이프(7)를 개재하여 웨이퍼(1)를 유지 테이블(14)의 유지면(14a) 위에 얹는다. 다음으로, 유지 테이블(14)의 흡인원을 작동시켜, 웨이퍼(1)에 부압을 작용시킴으로써 유지 테이블(14)에 웨이퍼(1)를 흡인 유지시킨다. 또한, 프레임(9)을 클램프(14b)에 협지시킨다.
본 실시형태에 관한 가공 방법에서는, 다음으로 가공 단계를 실시한다. 도 3의 (B)는, 가공 단계를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 가공 단계에서는, 유지 테이블(14) 위에 유지된 웨이퍼(1)를 가공 예정 라인(3)을 따라서 절삭 유닛(24)에 장착된 절삭 블레이드(32)에 의해 절삭 가공한다.
가공 단계에서는, 우선, 유지 테이블(14)을 절삭 유닛(24)의 하측 영역으로 이동시키고, 유지면(14a)에 수직인 방향을 따르는 축의 둘레에 유지 테이블(14)을 회전시켜 가공 예정 라인(3)의 신장 방향을 X축 방향(가공 이송 방향)에 맞춘다. 그리고, 절삭 블레이드(32)가 가공 예정 라인(3)을 따라서 웨이퍼(1)를 가공할 수 있도록, 상기 가공 예정 라인(3)의 연장선의 상측에 절삭 블레이드(32)를 위치 부여한다. 이 때, 카메라 유닛(30)은, 웨이퍼(1)의 가공 예정 라인(3)의 위치나 방향을 확인하기 위해 사용되어도 좋다.
다음으로, 스핀들을 회전시킴으로써 절삭 블레이드(32)를 회전시켜, 절삭 블레이드(32)의 하단의 높이 위치가 웨이퍼(1)의 이면(1b)의 높이 위치보다 낮아지도록 절삭 블레이드(32)를 하강시킨다. 그리고, 유지 테이블(14)을 X축 방향을 따라서 가공 이송하여 웨이퍼(1)에 절삭 블레이드(32)를 절입하면, 웨이퍼(1)가 가공 예정 라인(3)을 따라서 절삭 가공된다.
하나의 가공 예정 라인(3)을 따라서 웨이퍼(1)를 절삭 가공한 후, 절삭 유닛(24)을 Y축 방향으로 이동시켜 동일하게 다른 가공 예정 라인(3)을 따라서 웨이퍼(1)를 차례차례 절삭 가공한다. 그리고, 하나의 방향으로 평행하게 나열된 모든 가공 예정 라인(3)을 따라서 웨이퍼(1)를 절삭 가공한 후, 유지 테이블(14)을 회전시켜, 다른 방향으로 나열된 가공 예정 라인(3)을 따라서 동일하게 절삭 가공을 실시한다. 이상과 같이, 모든 가공 예정 라인(3)을 따라서 웨이퍼(1)를 절삭 가공한다.
절삭 장치(2)에는 각종 센서 등이 배치되어 있고, 가공 단계를 실시하여 웨이퍼(1)를 절삭 가공하고 있는 동안에 가공의 이상이 검출되는 경우가 있다. 예컨대, 스핀들을 회전시키는 모터의 부하 전류치의 허용 범위로부터의 일탈이 센서에 의해 검출되는 경우가 있다. 또한, 카메라 유닛(30)에 의해 가공흔(절삭홈)을 촬상함으로써 가공흔의 형성 상황을 감시하고 있으면, 허용되지 않는 규모의 웨이퍼(1)의 이지러짐이나, 가공흔의 형성 위치의 허용되지 않는 어긋남 등의 이상이 검출되는 경우가 있다.
가공의 이상이 생기는 가공 조건으로 그대로 가공을 속행하면, 웨이퍼(1)를 적절하게 절삭 가공할 수 없어, 피가공물인 웨이퍼(1)나 형성되는 디바이스칩, 절삭 블레이드(32) 등에 손상이 생기는 경우가 있다. 따라서, 절삭 장치(2)는, 예컨대 가공의 이상이 검출되었을 때 절삭 가공을 일시적으로 정지시키고, 터치 패널(34)에 이상의 검출 및 그 내용을 표시하여, 절삭 장치(2)의 사용자나 관리자 등에게 경고하여 이상에 대한 대처를 재촉한다.
경고를 받은 절삭 장치(2)의 사용자나 관리자 등은, 검출된 이상의 내용을 확인하고, 절삭 장치(2)나 웨이퍼(1)에 필요한 조치를 하고, 절삭 장치(2)에 절삭 가공을 재개시킨다. 또는, 허용 범위가 지나치게 좁게 설정된 등의 이유에 의해 이상이 오검출되는 경우가 있다. 이 경우, 상기 허용 범위를 적절하게 다시 설정하여 절삭 가공을 재개시킨다.
가공의 이상이 빈번하게 검출되는 경우, 절삭 장치(2)의 사용자나 관리자 등은, 이상의 검출 원인을 특정하여 대책을 강구할 필요가 있다. 이상의 검출 원인을 특정하기 위해서는, 이상의 검출 위치나 검출되는 이상의 내용 등, 이상의 검출 경향을 분석할 필요가 있다. 웨이퍼(1)의 가공을 완수함과 더불어 이상의 내용을 상세히 검토하기 위해서는, 가공의 완료후에 이상이 검출된 개소를 관찰해야 한다.
그러나, 가공의 완료후에 웨이퍼(1)의 모든 가공 예정 라인(3)으로부터 이상의 검출 위치를 특정하는 것은 용이하지 않다. 이상의 검출 위치를 특정할 수 없으면, 이상의 검출 위치에서 웨이퍼(1)의 상태를 확인할 수 없다.
따라서, 본 실시형태에 관한 가공 방법의 가공 단계에서는, 웨이퍼(1)의 절삭 가공을 실시함과 더불어 절삭 가공의 이상 유무를 감시한다. 그리고, 절삭 가공의 이상이 검출된 경우에, 이상이 검출된 가공 예정 라인(3)의 연장선상에서 상기 테이프(7)에 마크를 형성한다.
예컨대, 절삭 가공의 이상 유무의 감시는, 카메라 유닛(30)에 의해 실시된다. 유지 테이블(14)을 가공 이송하여 하나의 가공 예정 라인(3)을 따라서 절삭 가공을 실시한 후, 유지 테이블(14)을 가공 이송 방향의 역방향으로 보낸다. 그리고, 절삭 블레이드(32)를 하강시키지 않고 유지 테이블(14)을 가공 이송 방향으로 이송하면서, 카메라 유닛(30)에 의해 가공흔(절삭홈)을 관찰한다. 도 3의 (C)는, 가공의 이상 유무를 감시하는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
가공의 이상이 검출되지 않은 경우, 절삭 블레이드(32)에 의해 다음 가공 예정 라인(3)을 따라서 웨이퍼(1)를 절삭 가공한다. 한편, 가공의 이상이 검출되는 경우, 절삭 장치(2)의 터치 패널(34)에 이상이 검출된 것을 표시하여 사용자나 관리자 등에게 경고하여 대처를 재촉한다. 또한, 이상이 검출된 위치를 가공후에 용이하게 특정할 수 있도록, 이상이 검출된 가공 예정 라인(3)의 연장선상에서 상기 테이프(7)에 마크(13)를 형성한다.
또는, 예컨대, 절삭 가공의 이상 유무의 감시는, 절삭 유닛(24)의 스핀들 모터의 부하 전류치를 감시함으로써 실시된다. 웨이퍼(1)의 절삭 가공중에 상기 부하 전류치가 허용 범위를 일탈할 때, 절삭 가공의 이상이 검출되어 절삭 가공이 정지된다. 이 때, 절삭 장치(2)는, 절삭 가공의 이상이 검출된 위치를 기억한다.
그 후, 절삭 장치(2)의 사용자나 관리자 등이 가공 장치 등을 조정하여 절삭 가공을 재개시킨다. 그리고, 모든 가공 예정 라인(3)을 따라서 절삭 가공을 실시한 후에, 절삭 장치(2)가 기억한 이상이 검출된 위치에 기초하여, 이상이 검출된 가공 예정 라인(3)의 연장선상에서 상기 테이프(7)에 마크(13)를 형성한다. 또, 마크(13)는, 가공 장치 등의 조정을 실시하여 절삭 가공을 재개한 직후에 형성해도 좋고, 또한, 절삭 가공이 정지된 직후이자 절삭 가공을 재개하기 전에 형성되어도 좋다.
도 4는, 가공 단계의 완료후의 웨이퍼(1)를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 웨이퍼(1)에는, 가공 예정 라인(3)을 따라서 가공흔(11)(절삭홈)이 형성됨과 더불어, 이상이 검출된 가공 예정 라인(3)의 연장선상에서 테이프(7)에 마크(13)가 형성된다. 상기 마크(13)는, 예컨대, 절삭 유닛(24)의 절삭 블레이드(32)에 의해 형성된다. 마크(13)의 형성 예정 위치의 상측에 절삭 블레이드(32)를 배치하고, 절삭 블레이드(32)를 회전시키면서 하강시키고, 테이프(7)에 절입시켜 마크(13)를 형성한다.
또, 마크(13)는 다른 방법으로 테이프(7)에 형성되어도 좋다. 예컨대, 절삭 장치(2)는, 잉크젯 노즐 등의 인자 수단을 포함해도 좋고, 인자에 의해 테이프(7)에 마크(13)를 형성해도 좋다. 또는, 절삭 장치(2)는, 라벨 접착 수단을 포함해도 좋고, 라벨의 접착에 의해 테이프(7)에 마크(13)를 형성해도 좋다.
또한, 마크(13)가 나타내는 가공 예정 라인(3)에 있어서, 어느 위치에 이상이 검출되었는지를 나타내는 정보가 마크(13)에 포함되어도 좋다. 예컨대, 절삭 블레이드(32)에 의해 마크(13)를 형성하는 경우, 상기 위치에 따라 절삭 블레이드(32)의 절입 깊이를 조정하고 마크(13)의 길이를 변화시켜 위치를 나타내도 좋다. 마크(13)를 인자에 의해 형성하는 경우, 상기 위치에 따라 인자의 색을 변화시킴으로써 상기 위치를 나타내도 좋다. 또한, 마크(13)로서 상기 위치를 나타내는 문자, 기호 또는 숫자 등을 테이프(7)에 인자해도 좋다.
이와 같이, 이상이 검출된 가공 예정 라인(3)의 연장선상에 마크(13)가 형성되면, 절삭 가공이 완료한 후에 이상의 검출 개소를 찾을 때에는, 연장선상에 마크(13)가 형성되어 있는 가공 예정 라인(3)을 따라서 탐색할 수 있다. 그 때문에, 다른 가공 예정 라인(3)을 따라서 탐색을 실시할 필요가 없어, 이상의 검출 개소를 용이하게 찾을 수 있다.
본 실시형태에 관한 가공 방법의 가공 단계에서는, 또한, 가공의 이상이 검출되었을 때에 가공의 이상이 검출된 좌표를 기억하는 이상 좌표 기억 단계가 실시되어도 좋다. 이 경우, 상기 가공 방법은, 터치 패널(34) 등의 표시 수단에 피가공물의 전체도와 함께 상기 이상 좌표를 표시하는 이상 표시 단계를 더 포함해도 좋다.
이상 좌표 기억 단계 및 이상 표시 단계에 관해 설명한다. 이상 좌표 기억 단계에서는, 예컨대, 웨이퍼(1)에서의 가공 이상의 검출 위치의 좌표를 절삭 장치(2)에 기억시킨다. 이상 표시 단계에서는, 터치 패널(34) 등의 표시 수단에, 웨이퍼(1)의 전체도와 함께 이상의 검출 위치를 표시시킨다.
웨이퍼(1)에 형성된 가공흔(절삭홈)(11)을 카메라 유닛(30)에 의해 촬상함으로써 가공의 이상 유무를 감시하는 경우에 가공 단계에서 터치 패널(34)에 표시되는 표시 화면의 일례를 모식적으로 도 5에 나타낸다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 터치 패널(34)에 표시되는 표시 화면(36)에는, 예컨대, 설정된 이상의 검출 조건(38)과, 이상의 검출에 사용되는 촬상 화상(40)과, 웨이퍼(1)의 전체도(42)가 포함된다.
가공의 이상 유무의 감시는, 예컨대, 얻어진 촬상 화상(40)으로부터 가공흔(11)의 여유폭, 홈폭, 커트 위치의 어긋남, 칩핑 사이즈 등을 검출하고, 각 값을 평가함으로써 실시된다. 절삭 장치(2)의 사용자나 관리자 등은, 이상의 검출 조건(38)을 터치 패널(34)에 표시된 표시 화면(36)을 통하여 적절하게 설정할 수 있다.
여기서, 여유폭이란, 웨이퍼(1)로 형성되는 디바이스칩의 단부로부터 가공흔(11)까지의 거리를 말하고, 홈폭이란 가공흔(11)의 폭을 말한다. 커트 위치의 어긋남이란, 가공 예정 라인(스트리트)의 중심선과, 가공흔(11)의 중심선의 어긋남을 말하고, 칩핑 사이즈란 가공흔(11)으로부터 생긴 웨이퍼(1)의 이지러짐의 크기를 말한다. 표시 화면(36)에는, 이상의 검출시에 평가되는 값의 일부를 설명하는 설명도(38a)가 포함되어도 좋다.
가공의 이상 유무를 감시할 때에는, 전체도(42)에는 감시 대상이 되는 가공 예정 라인(44)이 표시된다. 가공 단계에서는, 허용치를 일탈한 값이 관측되어 가공의 이상이 검출된 경우에, 이상 좌표 기억 단계를 실시하여, 가공의 이상이 검출된 위치의 좌표를 절삭 장치(2)에 기억시킨다. 그리고, 또한 이상 표시 단계를 실시하여, 터치 패널(34)에 표시된 표시 화면(36)에 포함되는 전체도(42)에 이상이 검출된 위치(46)를 표시시킨다.
이상 좌표 기억 단계를 실시하면 이상이 검출된 위치의 좌표를 축적할 수 있고, 그 후에 이상의 검출 경향을 분석할 때에, 축적된 좌표 정보를 사용할 수 있다. 이상 표시 단계에서는, 또한, 표시 화면(36)에 가공 이상의 검출에 사용된 촬상 화상(40)이 표시되어도 좋다. 절삭 장치(2)의 사용자나 관리자 등은, 표시 화면(36)에 표시된 정보를 기초로 검출된 이상에 대처할 수 있다.
이상 좌표 기억 단계 및 이상 표시 단계를 실시하는 경우에도, 이후에 가공 이상의 검출 위치에서 웨이퍼(1)를 현미경 등으로 상세히 해석할 때에는, 가공 이상의 검출 위치를 찾게 된다. 본 실시형태에 관한 가공 방법에서는, 테이프(7)에 마크(13)가 형성되기 때문에, 상기 마크(13)를 사용하여 가공 이상의 검출 위치를 용이하게 특정할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 다양하게 변경하여 실시 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에 있어서, 가공흔(11)을 카메라 유닛(30)으로 관찰함으로써 가공의 이상을 검출하는 경우에 관해 설명했지만, 본 발명의 일양태는 이것에 한정되지 않는다.
예컨대, 가공 장치에 AE(Acoustic Emission) 센서를 배치하고, 웨이퍼 등의 피가공물을 가공할 때에 발생하는 진동을 감시하여 가공의 이상을 검출해도 좋다. 가공 장치가 웨이퍼(1)를 레이저 가공하는 레이저 가공 장치인 경우, 레이저 빔의 출력을 감시하여 가공의 이상을 검출해도 좋다.
또한, 본 발명의 일양태에 관한 가공 방법에서는, 웨이퍼(1) 이외의 피가공물을 가공해도 좋다. 예컨대, 표면에 디바이스(5)가 형성되지 않은 원판형의 기판을 가공해도 좋다. 그 경우에도, 가공의 이상이 검출되었을 때에 피가공물에 접착된 테이프(7)에 마크(13)를 형성함으로써, 이후에 가공의 이상이 검출된 위치를 특정하기 쉬워진다.
또한, 본 발명의 일양태에 관한 가공 방법은, 실제로 가공에 이상이 생기지 않았고, 가공의 이상이 오검출되는 경우에도 효과를 나타낸다. 즉, 가공 이상의 오검출이 빈번하게 생기는 경우, 그 때마다 가공 장치의 가공을 정지시키면 가공의 효율이 저하되어 버린다. 따라서, 오검출의 원인을 특정하여 가공 이상의 검출 조건을 변경하는 등의 대책을 실시하여, 오검출의 빈도를 저하시킬 필요가 있다.
본 발명의 일양태에 관한 가공 방법은, 가공의 이상이 오검출되는 경우에도 테이프(7)에 마크(13)를 형성함으로써, 오검출이 생긴 위치를 가공후에 특정하기 쉬워진다. 그 때문에, 오검출의 원인을 분석하기 쉬워진다.
또, 본 발명의 일양태에 관한 가공 방법을 반복 실시하여 가공 이상의 검출 원인을 특정하여 대책을 실시하면, 결국은 상기 가공 방법을 실시하더라도 가공의 이상이 검출되지 않게 된다. 상기 가공 방법을 실시하더라도 가공의 이상이 검출되지 않는 경우에도, 가공의 이상 발생이 억제되어 가공이 실시된다는 효과를 누릴 수 있다.
그 밖에, 상기 실시형태에 관한 구조, 방법 등은, 본 발명이 목적으로 하는 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
1 : 웨이퍼
1a : 표면
1b : 이면
3 : 가공 예정 라인
5 : 디바이스
7 : 테이프
9 : 프레임
11 : 가공흔
13 : 마크
2 : 절삭 장치
4 : 베이스
6 : X축 이동 테이블
8, 18, 26 : 가이드 레일
10, 20 : 볼나사
12, 22, 28 : 펄스 모터
14 : 유지 테이블
14a : 유지면
14b : 클램프
16 : 절삭 유닛 지지부
24 : 절삭 유닛
30 : 카메라 유닛
32 : 절삭 블레이드
34 : 터치 패널
36 : 표시 화면
38 : 이상의 검출 조건
38a : 설명도
40 : 촬상 화상
42 : 전체도
44 : 가공 예정 라인
46 : 위치
1a : 표면
1b : 이면
3 : 가공 예정 라인
5 : 디바이스
7 : 테이프
9 : 프레임
11 : 가공흔
13 : 마크
2 : 절삭 장치
4 : 베이스
6 : X축 이동 테이블
8, 18, 26 : 가이드 레일
10, 20 : 볼나사
12, 22, 28 : 펄스 모터
14 : 유지 테이블
14a : 유지면
14b : 클램프
16 : 절삭 유닛 지지부
24 : 절삭 유닛
30 : 카메라 유닛
32 : 절삭 블레이드
34 : 터치 패널
36 : 표시 화면
38 : 이상의 검출 조건
38a : 설명도
40 : 촬상 화상
42 : 전체도
44 : 가공 예정 라인
46 : 위치
Claims (3)
- 복수의 가공 예정 라인이 설정된 피가공물을 상기 가공 예정 라인을 따라서 가공하는 가공 방법으로서,
피가공물의 피접착면에 상기 피접착면의 직경보다 큰 직경의 테이프를 접착하는 테이프 접착 단계와,
유지면을 갖는 유지 테이블의 상기 유지면 위에 상기 피접착면측을 상기 유지면으로 향하게 한 상태로 피가공물을 얹고, 상기 테이프를 개재하여 상기 피가공물을 유지 테이블 위에 유지하는 유지 단계와,
상기 유지 테이블 위에 유지된 상기 피가공물을 상기 가공 예정 라인을 따라서 가공 유닛에 의해 가공하는 가공 단계를 포함하고,
상기 가공 단계에서는, 상기 피가공물의 가공을 실시함과 더불어 상기 가공의 이상 유무를 감시하여, 상기 가공의 이상이 검출된 경우에, 상기 가공의 이상이 검출된 가공 예정 라인의 연장선상에서만 상기 테이프에 마크를 형성하는 것을 특징으로 하는 가공 방법. - 제1항에 있어서, 상기 마크는 상기 가공 유닛에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가공 단계에서는, 가공에서 형성된 가공흔(加工痕)을 확인함으로써 상기 가공의 이상 유무를 감시하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018000517A JP6964945B2 (ja) | 2018-01-05 | 2018-01-05 | 加工方法 |
JPJP-P-2018-000517 | 2018-01-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190083992A KR20190083992A (ko) | 2019-07-15 |
KR102631713B1 true KR102631713B1 (ko) | 2024-01-30 |
Family
ID=67165273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190001121A KR102631713B1 (ko) | 2018-01-05 | 2019-01-04 | 가공 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6964945B2 (ko) |
KR (1) | KR102631713B1 (ko) |
CN (1) | CN110010446B (ko) |
TW (1) | TWI779151B (ko) |
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JP6220165B2 (ja) * | 2013-06-20 | 2017-10-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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2018
- 2018-01-05 JP JP2018000517A patent/JP6964945B2/ja active Active
- 2018-12-29 CN CN201811633935.8A patent/CN110010446B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-04 TW TW108100369A patent/TWI779151B/zh active
- 2019-01-04 KR KR1020190001121A patent/KR102631713B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019121686A (ja) | 2019-07-22 |
JP6964945B2 (ja) | 2021-11-10 |
CN110010446A (zh) | 2019-07-12 |
TWI779151B (zh) | 2022-10-01 |
TW201936322A (zh) | 2019-09-16 |
CN110010446B (zh) | 2024-02-20 |
KR20190083992A (ko) | 2019-07-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |