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KR100999506B1 - 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

인쇄회로기판 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR100999506B1
KR100999506B1 KR1020080088845A KR20080088845A KR100999506B1 KR 100999506 B1 KR100999506 B1 KR 100999506B1 KR 1020080088845 A KR1020080088845 A KR 1020080088845A KR 20080088845 A KR20080088845 A KR 20080088845A KR 100999506 B1 KR100999506 B1 KR 100999506B1
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resin layer
circuit pattern
base substrate
printed circuit
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정재우
정현철
송영아
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삼성전기주식회사
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Abstract

인쇄회로기판 및 그 제조 방법이 개시된다. 열가소성 수지층이 형성된 베이스 기판(base substrate)을 제공하는 단계, 열가소성 수지층에 잉크젯(ink jet) 방식으로 전도성 잉크를 토출하여 회로 패턴(circuit pattern)을 형성하는 단계, 회로 패턴을 열가소성 수지층의 용융점보다 낮은 온도로 가열하여 건조하는 단계, 회로 패턴을 가열하여 소결하는 단계, 및 열가소성 수지층을 가열하고 회로 패턴을 열가소성 수지층으로 가압하여, 열가소성 수지층에 회로 패턴의 적어도 일부를 매립하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조 방법은, 잉크젯 방식으로 미세한 회로 패턴이 형성되고, 이러한 회로 패턴과 베이스 기판 간의 접착력이 향상되는 인쇄회로기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
인쇄회로기판, 잉크젯, 열가소성 수지

Description

인쇄회로기판 및 그 제조 방법{Printed circuit board and method of manufacturing the same}
본 발명은 인쇄회로기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 잉크젯 방식에 의하여, 인쇄회로기판(printed circuit board), OTFT(organic thin film transistor), RFID(radio frequency identification), MEMS(micro-electromechanical) 및 기타 전자 제품의 전도성 패턴을 형성하고자 하는 연구가 많이 진행되고 있다.
그러나, 이와 같은 잉크젯 방식에 의하여 절연층 상에 전도성 패턴을 형성하는 경우, 미세한 금속 배선을 형성할 수는 있으나, 절연층과 전도성 패턴 간에 접착력을 확보하기 어려운 문제가 있다.
즉, 종래 기술에 따르면, 잉크젯 방식에 의하여 절연층에 전도성 잉크를 토출하고 이를 건조 및 소결함으로써, 전도성 잉크의 각 나노 입자가 서로 접합된 결정(grain)으로 이루어진 전도성 패턴을 형성하게 된다.
그러나, 이러한 종래 기술에 따르는 경우, 전도성 패턴이 소정의 결정(grain)으로 이루어짐에 따라, 전도성 패턴과 절연층은 점 접촉(point contact)하게 되어, 전도성 패턴과 절연층 간의 접착력이 현저히 감소하는 문제점이 발생하는 것이다.
본 발명은, 잉크젯 방식으로 미세한 회로 패턴이 형성되고, 이러한 회로 패턴과 베이스 기판 간의 접착력이 향상되는 인쇄회로기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 열가소성 수지층이 형성된 베이스 기판(base substrate)을 제공하는 단계, 열가소성 수지층에 잉크젯(ink jet) 방식으로 전도성 잉크를 토출하여 회로 패턴(circuit pattern)을 형성하는 단계, 회로 패턴을 열가소성 수지층의 용융점보다 낮은 온도로 가열하여 건조하는 단계, 회로 패턴을 가열하여 소결하는 단계, 및 열가소성 수지층을 가열하고 회로 패턴을 열가소성 수지층으로 가압하여, 열가소성 수지층에 회로 패턴의 적어도 일부를 매립하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조 방법이 제공된다.
이 경우, 회로 패턴을 소결하는 단계는, 회로 패턴을 열가소성 수지층의 용융점보다 낮은 온도로 가열하여 수행될 수 있다.
또한, 회로 패턴을 매립하는 단계는, 열가소성 수지층을 용융점보다 높은 온도로 가열하여 수행될 수 있다.
이 때, 베이스 기판을 제공하는 단계와 회로 패턴을 형성하는 단계 사이에, 열가소성 수지층의 표면이 소수성을 가지도록, 열가소성 수지층을 표면 처리(surface treatment)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 열가소성 수지층을 표면 처리하는 단계는, 열가소성 수지층의 표면을 플라즈마(plasma) 처리하는 단계를 포함할 수 있다.
그리고, 열가소성 수지층을 표면 처리하는 단계는, 열가소성 수지층에 소수성 물질층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이 경우, 소수성 물질층은, 불소계 수지를 포함하여 이루어질 수 있다.
한편, 열가소성 수지층은 필름(film)이며, 베이스 기판을 제공하는 단계는, 열가소성 수지층을 베이스 기판에 적층하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 베이스 기판, 베이스 기판에 형성되는 열가소성 수지층, 및 열가소성 수지층에 적어도 일부가 매립되며, 열가소성 수지층에 잉크젯 방식으로 전도성 잉크를 토출하여 형성되는 회로 패턴을 포함하는 인쇄회로기판이 제공된다.
이 경우, 회로 패턴은, 소결 온도가 열가소성 수지층의 용융점보다 낮을 수 있다.
또한, 열가소성 수지층은 필름일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 잉크젯 방식으로 회로 패턴을 미세하고 정밀하게 형성할 수 있고, 이러한 회로 패턴과 베이스 기판 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 인쇄회로기판 및 그 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 인쇄회로기판(100) 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도이다. 도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 측면에 따른 인쇄회로기판(100) 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따르면, 열가소성 수지층(120)이 형성된 베이스 기판(base substrate, 110)을 제공하는 단계, 열가소성 수지층(120)에 잉크젯(ink jet) 방식으로 전도성 잉크(135)를 토출하여 회로 패턴(circuit pattern, 130)을 형성하는 단계, 회로 패턴(130)을 열가소성 수지층(120)의 용융점보다 낮은 온도로 가열하여 건조하는 단계, 회로 패턴(130)을 가열하여 소결하는 단계, 및 열가소성 수지층(120)을 용융점보다 높은 온도로 가열하고 회로 패턴(130')을 열가소성 수지층(120)으로 가압하여, 열가소성 수지층(120)에 회로 패턴(130')의 적어도 일부를 매립하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판(100) 제조 방법이 제시된다.
이와 같은 본 실시예에 따르면, 잉크젯 방식에 의하여 회로 패턴(130, 130')을 미세하고 정밀하게 형성할 수 있고, 이 때, 열가소성 수지층(120)을 이용함으로써 회로 패턴(130')과 베이스 기판(110) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여, 각 공정에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 열가소성 수지층(120)이 형성된 베이스 기판(110)을 제공한다(S110). 잉크젯 방식에 의하여 베이스 기판(110)에 회로 패턴(130)을 직접 형성하는 것이 아니라, 베이스 기판(110) 상에 형성된 열가소성 수지층(120)에 회로 패턴(130)을 형성하고, 이 후 공정에 의해 열가소성 수지층(120)에 회로 패턴(130')의 적어도 일부를 매립시킴으로써, 회로 패턴(130')과 베이스 기판(110) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있는 것이다.
여기서, 열가소성 수지층(120)은, 예를 들어, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리비닐 부티랄(polyvinyl butyral) 등으로 이루어질 수 있다. 그리고, 열가소성 수지층(120)로는, 후술할 회로 패턴(130)의 소결 온도에 비하여 용융점이 높은 물질이 이용될 수도 있다. 이에 따라, 후술하는 회로 패턴(130)의 소결 공정에서 열가소성 수지층(120)이 용융되지 않고 형상을 유지할 수 있다.
한편, 열가소성 수지층(120)은 필름(film)이므로, 단순히 열가소성 수지 층(120)을 베이스 기판(110)에 적층함에 의해, 보다 용이하게 열가소성 수지층(120)이 형성된 베이스 기판(110)을 제공할 수 있다.
본 실시예의 경우, 열가소성 수지층(120)이 필름인 경우를 일 예로서 제시하였으나, 이뿐만 아니라, 열가소성 수지층(120)은, 액상의 수지를 스프레이(spay) 방식, 디핑(dipping) 방식, 스핀 코팅(spin coating) 방식, 스크린 프린팅(screen printing) 방식, 잉크젯 프린팅(ink jet printing) 방식 등의 공지된 다양한 방식에 의하여, 베이스 기판(110)에 형성될 수도 있음은 물론이다.
한편, 베이스 기판(110)은, 예를 들어, FR4, 비스말레이미드 트리아진 수지(bismaleimide triazine resin) 등으로 이루어진 절연층 일 수 있다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 열가소성 수지층(120)의 표면이 소수성을 가지도록 열가소성 수지층(120)을 표면 처리한다(S120). 열가소성 수지층(120)에 잉크젯 방식에 의해 액상의 회로 패턴(130)이 형성되므로, 잉크젯 방식으로 형성되는 회로 패턴(130)이 열가소성 수지층(120) 상에서 퍼지는 것을 방지하기 위하여, 열가소성 수지층(120)의 표면을 소수성을 갖도록 표면 처리하는 것이다.
이와 같이 열가소성 수지층(120)의 표면을 소수성 표면 처리함에 따라, 액체 상태의 전도성 잉크(135)는 열가소성 수지층(120) 표면 상에서 퍼지지 않고 응집되어, 보다 미세하고 정밀한 회로 패턴(130, 130')의 구현이 가능하다.
상술한 표면 처리 공정은, 소수성 물질층(125)을 형성함으로써 수행될 수 있다. 즉, 열가소성 수지층(120)의 표면에, 예를 들어, 폴리테트라플루오르에틸 렌(polytetrafluoroethylene, PTFE), 퍼플루오르알콕시(perfluoroalkoxy, PFA), 플루오르화된 에틸렌프로필렌(fluorinated ethylenepropylene, FEP) 또는 이들 중 2 이상이 조합된 불소계 수지 등으로 이루어진 소수성 물질층(125)을 형성하는 것이다.
이 때, 소수성 물질층(125)은, 상술한 열가소성 수지층(120)과 마찬가지로, 스프레이 방식, 디핑 방식, 스핀 코팅 방식, 스크린 프린팅 방식, 잉크젯 프린팅 방식 등의 공지된 다양한 방식에 의하여, 열가소성 수지층(120) 상에 형성될 수도 있다.
또한, 상술한 소수성 물질층(125)의 형성 이외에도, 열가소성 수지층(120)의 표면을 플라즈마 처리함으로써 열가소성 수지층(120)을 표면 처리할 수도 있다. 즉, 열가소성 수지층(120)의 표면을 불소 플라즈마 처리함으로써 열가소성 수지층(120)의 표면이 소수성을 가지도록 하는 것이다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 열가소성 수지층(120)에 잉크젯 방식으로 잉크젯 헤드(140)로부터 전도성 잉크(135)를 토출하여 회로 패턴(130)을 형성한다(S130). 상술한 공정에 의하여 열가소성 수지층(120)이 표면 처리되었으므로, 이러한 열가소성 수지층(120)에 잉크젯 방식으로 전도성 잉크(135)를 토출하게 되면, 열가소성 수지층(120)에 형성된 회로 패턴(130)이 퍼지지 않고 응집되어 보다 미세하고 정밀한 회로 패턴(130)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 회로 패턴(130)을 열가소성 수지층(120)의 용융점보다 낮은 온도로 가열하여 건조(S140)하고, 이어서, 회로 패턴(130)을 가열하여 소결한다(S150). 이하, 각 공정에 대하여 설명하도록 한다.
우선, 회로 패턴(130)을 가열하여 건조한다(S140). 즉, 열가소성 수지층(120) 상에 토출된 회로 패턴(130)이 보다 미세하게 되도록, 예를 들어, 베이스 기판(110)을 가열하는 등의 방법으로 회로 패턴(130)을 건조시키는 것이다.
이 때, 회로 패턴(130)은 열가소성 수지층(120)의 용융점 보다 낮은 온도로 가열하여야 하며, 이에 따라, 열가소성 수지층(120)이 유동하지 않고 고체 상태를 유지하므로, 보다 정밀한 인쇄회로기판(100)을 구현할 수 있다.
이어서, 회로 패턴(130)을 가열하여 소결한다(S150). 이와 같은 소결 공정에 의해, 전도성 잉크(135)의 각 나노 입자는 서로 접합되어 경화된 회로 패턴(130')이 형성될 수 있다.
이 때, 회로 패턴(130, 130')의 산화를 방지하도록 분위기 가스를 주입할 수도 있으며, 압력을 가할 수도 있다.
한편, 회로 패턴(130)의 소결 온도는 열가소성 수지층(120)의 용융점 보다 낮을 수도 있다. 이에 따라, 열가소성 수지층(120)이 본 소결 공정에서도 용융되지 않고 고체 상태를 유지할 수 있으므로, 보다 정밀한 인쇄회로기판(100)을 구현할 수 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 열가소성 수지층(120)을 용융점 보다 높은 온도로 가열하고 회로 패턴(130')을 열가소성 수지층(120)으로 가압하여 열가소성 수지층(120)에 회로 패턴(130')의 적어도 일부를 매립한다(S160).
즉, 열가소성 수지층(120)을 가열하면서, 예를 들어, 프레스(press) 등을 이용하여, 회로 패턴(130')을 열가소성 수지층(120)으로 가압하여, 열가소성 수지층(120)으로 회로 패턴(130')을 매립시키는 것이다.
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 공정에 대하여 보다 상세히 설명한다.
열가소성 수지층(120)은, 용융점 이상의 온도로 열을 가하면 유동성을 갖는 액상으로 변하므로, 회로 패턴(130')을 열가소성 수지층(120)으로 가압하여 매립시킬 수 있다. 이에 따라, 회로 패턴(130')과 열가소성 수지층(120)이 접하는 부분이 증가되므로, 결과적으로 회로 패턴(130')과 베이스 기판(110) 사이의 접착력이 증가된다.
이 경우, 회로 패턴(130')은 도 6에 도시된 바와 같이, 일부가 열가소성 수지층(120)에 매립될 수 있으며, 이와 달리, 회로 패턴(130')의 전부가 매립될 수도 있다.
한편, 열가소성 수지층(120)의 표면 처리를 위하여 형성되는 소수성 물질층(125)은, 가열에 의하여 용융된 열가소성 수지층(120)에 분산되어 표면 상에 잔존하지 않게 되며, 이에 따라, 회로 패턴(130')의 매립 이후에는 회로 패턴(130')과 열가소성 수지층(120) 간의 접착력에 영향을 미치지 않는다.
도 7은 도 6의 A 부분을 확대하여 나타낸 부분 확대도이다. 도 7을 참조하면, 회로 패턴(130')이 열가소성 수지층(120)과 넓은 접촉 면적을 가지고 매립되어 있음을 알 수 있다. 즉, 잉크젯 방식에 의하여 형성되는 회로 패턴(130')은, 나노 입자들이 소결에 의해 접합되어, 도 7에 도시된 바와 같이, 소정 크기의 결정(grain)을 이루고 있으므로, 이러한 결정들이 열가소성 수지층(120) 상에 침입하여 강하게 접합하게 된다.
본 실시예의 경우, 열가소성 수지층(120)을 용융점 보다 높은 온도로 가열하여 회로 패턴(130')을 열가소성 수지층(120)으로 매립시키는 경우를 일 예로서 설명하였으나, 열가소성 수지층(120)을 용융점 이상의 온도로 가열하지 않더라도, 압력을 조절함으로써 본 공정을 수행할 수 있으며, 이 역시 본 발명의 권리범위에 포함됨은 물론이다.
이하, 본 실시예에 대하여, 구체적인 실험예를 통해 설명하도록 한다.
<실험예 1>
비스말레이미드 트리아진 레진(bismaleimide triazine resin)으로 이루어진 베이스 기판(110)에 폴리비닐 부티랄(polyvinyl butyral)로 이루어진 열가소성 수지층(120)을 코팅한 후, 잉크젯 방식으로 회로 패턴(130)을 형성하고 이를 환원 분위기 하에서 섭씨 200도의 온도에서 건조 및 소결한다. 이 후, 20 MPa의 압력과 섭씨 200도의 온도에서 회로 패턴(130')의 일부를 열가소성 수지층(120)에 매립시킨다.
이렇게 형성된 인쇄회로기판(100)의 회로 패턴(130')의 열가소성 수지층(120)에 대한 접착 강도를 테스트한 결과, 열가소성 수지층(120)을 이용하지 않고 회로 패턴(130')을 매립시키지 않는 경우 0.11 N/mm에 불과한 접착 강도가, 1.1 N/mm 까지 증가한 것으로 나타났다.
다음으로, 도 8을 참조하여, 본 발명의 다른 측면에 따른 인쇄회로기판(200)의 일 실시예에 대하여 설명하도록 한다.
도 8은 본 발명의 다른 측면에 따른 인쇄회로기판(200)의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따르면, 베이스 기판(210), 베이스 기판(210)에 형성되는 열가소성 수지층(220) 및 열가소성 수지층(220)에 적어도 일부가 매립되며, 열가소성 수지층(220)에 잉크젯 방식으로 전도성 잉크를 토출하여 형성되는 회로 패턴(230)을 포함하는 인쇄회로기판(200)이 제시된다.
이와 같은 본 실시예에 따르면, 잉크젯 방식에 의하여 미세하고 정밀하게 형성된 회로 패턴(230)이 열가소성 수지층(220)에 의해 베이스 기판(210)에 강하게 접착될 수 있는 인쇄회로기판(200)이 구현된다.
이하, 도 8을 참조하여, 각 구성에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
베이스 기판(210)은, 예를 들어, FR4, 비스말레이미드 트리아진 레진(bismaleimide triazine resin) 등으로 이루어진 절연층일 수 있으며, 잉크젯 방식에 의해 형성되는 회로 패턴(230)과 베이스 기판(210)과의 접착력을 증가시키기 위해 베이스 기판(210) 상에는 열가소성 수지층(220)이 형성된다.
이와 같은, 열가소성 수지층(220)은, 예를 들어, 폴리아미드(polyamide), 폴 리에스테르(polyester), 폴리비닐 부티랄(polyvinyl butyral) 등으로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 열가소성 수지층(220)은 필름(film)이므로, 단순히 열가소성 수지층(220)을 베이스 기판(210)에 적층함에 의해 베이스 기판(210) 상에 용이하게 열가소성 수지층(220)을 형성할 수 있다.
회로 패턴(230)은, 열가소성 수지층(220)에 적어도 일부가 매립되며, 열가소성 수지층(220)에 잉크젯 방식으로 전도성 잉크를 토출하여 형성된다.
즉, 회로 패턴(230)은, 잉크젯 방식으로 전도성 잉크를 토출한 후, 건조 및 소결함으로써, 전도성 잉크 나노 입자들이 접합된 결정(grain)을 이루게 된다. 이러한 회로 패턴(230)의 일부는, 열가소성 수지층(220)의 가열 및 회로 패턴(230)의 열가소성 수지층(220)으로 가압에 의해, 열가소성 수지층(220)에 매립됨으로써, 회로 패턴(230)과 열가소성 수지층(220)이 접하는 면적은 증가하게 되고, 결과적으로 이러한 열가소성 수지층(220)을 통해 베이스 기판(210)과 회로 패턴(230) 간의 접찹력이 증가하게 된다. 이 때, 회로 패턴(230)은 전부가 열가소성 수지층(220)에 매립될 수도 있다.
한편, 회로 패턴(230)의 소결 온도는 열가소성 수지층(220)의 용융점 보다 낮을 수도 있다. 이에 따라, 회로 패턴(230)이 소결되더라도, 열가소성 수지층(220)은 용융되지 않고 그 형상을 유지할 수 있으므로, 보다 용이하게 정밀한 인쇄회로기판(200)을 구현할 수 있다.
본 실시예에 따른 인쇄회로기판(200)은, 전술한 인쇄회로기판(도 1의 100) 제조 방법의 일 실시예를 통해 제조될 수 있으므로, 본 실시예에 따른 인쇄회로기 판(200)의 제조 방법에 대해서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 인쇄회로기판 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 측면에 따른 인쇄회로기판 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도.
도 7은 도 6의 A 부분을 확대하여 나타낸 부분 확대도.
도 8은 본 발명의 다른 측면에 따른 인쇄회로기판의 일 실시예를 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 인쇄회로기판 110: 베이스 기판
120: 열가소성 수지층 135: 전도성 잉크
130, 130': 회로 패턴 125: 소수성 물질층
140: 잉크젯 헤드

Claims (11)

  1. 베이스 기판과 회로 패턴 사이의 접착력이 향상된 인쇄회로기판을 제조하는 방법으로서,
    반경화 상태의 절연재로 이루어지는 베이스 기판의 일면에 열가소성 수지층을 형성하는 단계; - 이 때, 상기 베이스 기판의 일면에는 회로 패턴이 형성되어 있지 않음 -
    상기 열가소성 수지층에 잉크젯(ink jet) 방식으로 전도성 잉크를 토출하여 회로 패턴(circuit pattern)을 형성하는 단계;
    상기 회로 패턴을 상기 열가소성 수지층의 용융점보다 낮은 온도로 가열하여 건조하는 단계;
    상기 회로 패턴을 가열하여 소결하는 단계; 및
    상기 열가소성 수지층을 가열하고 상기 회로 패턴을 상기 열가소성 수지층으로 가압하여, 상기 열가소성 수지층에 상기 회로 패턴의 적어도 일부를 매립하는 단계; - 이 때, 상기 반경화 상태의 베이스 기판은 경화되며, 상기 베이스 기판과 상기 열가소성 수지층의 일부가 서로 혼화됨 -
    를 포함하는 인쇄회로기판 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회로 패턴을 소결하는 단계는,
    상기 회로 패턴을 상기 열가소성 수지층의 용융점보다 낮은 온도로 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 회로 패턴을 매립하는 단계는,
    상기 열가소성 수지층을 용융점보다 높은 온도로 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판을 제공하는 단계와 상기 회로 패턴을 형성하는 단계 사이에,
    상기 열가소성 수지층의 표면이 소수성을 가지도록, 상기 열가소성 수지층을 표면 처리(surface treatment)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 열가소성 수지층을 표면 처리하는 단계는,
    상기 열가소성 수지층의 표면을 플라즈마(plasma) 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 열가소성 수지층을 표면 처리하는 단계는,
    상기 열가소성 수지층에 소수성 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소수성 물질층은, 불소계 수지를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 열가소성 수지층은 필름(film)이며,
    상기 베이스 기판을 제공하는 단계는,
    상기 열가소성 수지층을 상기 베이스 기판에 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 제조 방법.
  9. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 일면에 코팅되며, 상기 베이스 기판보다 얇은 두께를 갖는 열가소성 수지층; - 여기서, 상기 베이스 기판과 상기 열가소성 수지층의 일부는 서로 혼화되어 있으며, 상기 베이스 기판의 일면에는 회로 패턴이 형성되어 있지 않음 -
    상기 열가소성 수지층에 적어도 일부가 매립되며, 상기 열가소성 수지층에 잉크젯 방식으로 전도성 잉크를 토출하여 형성되는 회로 패턴을 포함하는 인쇄회로기판.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 회로 패턴은, 소결 온도가 상기 열가소성 수지층의 용융점보다 낮은 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 열가소성 수지층은 필름인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
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