JP2004266132A - 配線基板及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器 - Google Patents
配線基板及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004266132A JP2004266132A JP2003055643A JP2003055643A JP2004266132A JP 2004266132 A JP2004266132 A JP 2004266132A JP 2003055643 A JP2003055643 A JP 2003055643A JP 2003055643 A JP2003055643 A JP 2003055643A JP 2004266132 A JP2004266132 A JP 2004266132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring board
- wiring
- fine particles
- conductive fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【解決手段】熱可塑性樹脂によって形成された受理層10を熱によって軟化させる。熱によって軟化した状態の受理層10上に、導電性微粒子を含む溶剤により、配線層14を形成する。配線層14を加熱して導電性微粒子を相互に結合させる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器に関する。
【0002】
【発明の背景】
従来、プリント配線板は、基材に銅箔を貼りエッチングにより配線を形成することで製造されていた。これによれば、プロセスが複雑であり、エッチングのために、高価なマスクが必要であるし、多くの設備が必要であった。そこで、近年、表面処理の施された基材に金属インクを吐出して配線を形成する技術が開発されている。表面処理として、フッ素被膜を基材に形成し(FAS(Fluoric Alkyl Silane)処理)、これを多孔質にすることで金属インクの表面張力をコントロールする場合、配線と基材との密着性を高めることが難しかった。または、表面処理として、ポリビニルアルコールを基材に塗布して膨潤性を有する受理層を形成する方法や、水酸化アルミニウムを基材に塗布して空隙を有する受理層を形成する方法では、受理層は吸水性が高いために水分を含みやすく内層として好ましくない。また、配線と基材との密着性を高めることも難しかった。
【0003】
本発明の目的は、信頼性の高い配線基板を簡単に製造することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係る配線基板の製造方法は、熱可塑性樹脂によって形成された受理層を熱によって軟化させること、
熱によって軟化した状態の前記受理層上に、導電性微粒子を含む溶剤により、配線層を形成すること、及び、
前記配線層を加熱して前記導電性微粒子を相互に結合させること、
を含む。本発明によれば、導電性微粒子を含む溶剤を設けるときに、受理層は軟化した状態であるから、にじみや溜まり(Bulge)の発生を抑制することができる。また、固化した受理層と、相互に結合した導電性微粒子を含む配線層とは密着性が高い。そのため、信頼性の高い配線基板を簡単に製造することができる。
(2)この配線基板の製造方法において、
前記導電性微粒子を含む前記溶剤を吐出して前記配線層を形成してもよい。
(3)この配線基板の製造方法において、
前記受理層を基材上に形成してもよい。
(4)この配線基板の製造方法において、
前記導電性微粒子を相互に結合させた後に、前記基材を前記受理層から除去することをさらに含んでもよい。
(5)本発明に係る配線基板は、上記方法によって製造されてなる。
(6)本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板と電気的に接続された半導体チップと、
を有する。
(7)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0006】
(第1の実施の形態)
図1(A)〜図3(B)は、本発明の第1の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図1(A)に示すように、熱可塑性樹脂(例えば、ポリアミドや熱可塑性ポリイミド等の有機材料)によって形成された受理層10を使用する。受理層10は、基材(例えば基板)12上に形成してもよい。基材12は、銅などの金属であってもよいし、熱硬化性の樹脂(例えば、ポリイミドやエポキシ樹脂等)であってもよいし、ガラスであってもよい。受理層10は、表面が平坦になるように形成してもよい。受理層10は絶縁性を有し、(第1の)絶縁層ということができる。
【0007】
図1(B)に示すように、受理層10を熱によって軟化させる。この状態で、受理層10は、粘性を持っていてもよい。軟化した状態の受理層10上に配線層(以下、第1の配線層ともいう。)14を形成する。配線層14は、導電性微粒子を含む溶剤(例えば、金属インク)によって形成する。導電性微粒子は、金や銀等の酸化しにくく、電気抵抗の低い材料から形成されていてもよい。金の微粒子を含む溶剤として、真空冶金株式会社の「パーフェクトゴールド」、銀の微粒子を含む溶剤として、同社の「パーフェクトシルバー」を使用してもよい。なお、微粒子とは、特に大きさを限定したものではなく、溶剤とともに吐出できる粒子である。配線層14の形成は、インクジェット法やバブルジェット(登録商標)法などの導電性微粒子を含む溶剤の吐出(例えば、その液滴の吐出)によって行ってもよいし、マスク印刷やスクリーン印刷によって行ってもよい。導電性微粒子は、反応を抑制するために、コート材によって被覆されていてもよい。溶剤は、乾燥しにくく再溶解性のあるものであってもよい。導電性微粒子は、溶剤中に均一に分散していてもよい。
【0008】
本実施の形態によれば、導電性微粒子を含む溶剤は、軟化した状態の熱可塑性樹脂上に設けられるので、配線層14を形成するときに、にじみや溜まり(Bulge)の発生を抑制することができる。配線層14を乾燥させて、溶剤を揮発させ、導電性微粒子(あるいは導電性微粒子及びコート材)を残してもよい。乾燥は、室温以上100℃以下の温度で行ってもよい。または、配線層14を加熱して、導電性微粒子を被覆するコート材を分解してもよい。
【0009】
図1(C)に示すように、配線層14に熱を供給する。熱は、配線層14の導電性微粒子を相互に結合(例えば焼結)させる温度(例えば、300〜600℃程度)であってもよい。熱の供給時間は1時間程度であってもよい。こうすることで、導電性微粒子は、導電膜又は導電層となる。また、熱可塑性樹脂は、さらに軟化してもよい。
【0010】
図1(D)に示すように、受理層10は、冷却されて固化する。なお、積極的に受理層10を冷却しなくても、常温(あるいは室温)にて受理層10の温度を下げてもよい。受理層10を構成する熱可塑性樹脂が固化し導電性粒子が相互に結合すると、受理層10及び配線層14は密着性が高くなるので、信頼性の高い配線基板が得られる。
【0011】
図2(A)に示すように、配線層14を覆うように、受理層10上に絶縁層(第2の絶縁層ともいう。)20を形成してもよい。絶縁層20の材料は、受理層10の内容が該当してもよい。絶縁層20を設ける場合、その前に少なくとも配線層14から溶剤を揮発させておく。本実施の形態では、配線層14の導電性微粒子を相互に結合(例えば焼結)させた後に絶縁層20を形成する。絶縁層20を熱可塑性樹脂で形成する場合、これを熱によって軟化させる。このとき、受理層10を熱によって軟化させてもよい。また、絶縁層20には、コンタクトホール24を形成する。
【0012】
図2(B)に示すように、絶縁層20上に第2の配線層26を形成する。第2の配線層26の材料及び形成方法は、上述した第1の配線層14の内容が該当してもよい。第2の配線層26に対して、絶縁層20は、上述した受理層10と同じ機能を果たすので、絶縁層20を受理層ということもできる。第2の配線層26は、コンタクトホール24を介して、第1の配線層14に接触するように形成する。第2の配線層26を、導電性微粒子を含む溶剤で形成する場合、これをコンタクトホール24に吐出してもよい。
【0013】
図2(C)に示すように、熱を供給することによって、第2の配線層26の導電性微粒子を相互に結合させてもよい。絶縁層20及び第2の配線層26は、受理層10及び第1の配線層14について上述した特徴を有し、同じ作用効果を達成してもよい。
【0014】
図3(A)に示すように、第2の配線層26を覆うように、絶縁層(第2の絶縁層)20上に第3の絶縁層30を形成してもよい。第3の絶縁層30の材料は、絶縁層20の内容が該当してもよい。第3の絶縁層30にはコンタクトホール34を形成してもよい。また、コンタクトホール34を介して第2の配線層26上にコンタクトポスト36を形成してもよい。
【0015】
図3(B)に示すように、コンタクトポスト36上に端子部38を形成してもよい。端子部38は、コンタクトポスト36の上面よりも大きくなるように形成してもよい。その場合、端子部38の周縁部が第3の絶縁層30上に載っていてもよい。端子部38は、NiやCuなどの無電解めっき等によって形成することができる。
【0016】
さらに、基材12を受理層10から除去してもよい。例えば、基材12として銅板を使用し、塩化第二鉄などのエッチング液に基材12を浸漬してこれを溶解してもよい。この工程は、導電性微粒子(第1及び第2の配線層14,26)を相互に結合させた後に行う。こうすることで、薄膜積層配線基板が得られる。
【0017】
本実施の形態によれば、固化した受理層10と、相互に結合した導電性微粒子を含む配線層14との密着性が高い。そのため、信頼性の高い配線基板を簡単に製造することができる。
【0018】
(第2の実施の形態)
図4(A)〜図4(D)は、本発明の第2の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。図4(A)に示すように、本実施の形態では、上述した受理層10上に配線層40を形成する。また、上述した基材12を使用してもよい。配線層40は、コンタクトポスト42を有するように形成する。受理層10及び配線層40の材料及び形成方法は、第1の実施の形態で説明した内容を適用してもよい。すなわち、軟化した状態の受理層10上に配線層40を形成し、配線層40を加熱して導電性微粒子を相互に結合させる。
【0019】
図4(B)に示すように、配線層40を覆うように、受理層10上に絶縁層44を形成する。絶縁層44はコンタクトポスト42を覆ってもよい。絶縁層44の材料及び形成方法は、第1の実施の形態で説明した絶縁層20の内容を適用してもよい。なお、配線層40の導電性微粒子を相互に結合してから絶縁層44を設けてもよい。そして、絶縁層44の、コンタクトポスト42上の部分を除去する。この除去工程は、絶縁層44を構成する熱可塑性樹脂が軟化した状態のまま行ってもよいし、熱可塑性樹脂が固化した後に行ってもよい。また、この除去工程は、絶縁層44の表面部の溶解によって行ってもよい。こうして、図4(C)に示すように、コンタクトポスト42の上面を露出させる。
【0020】
図4(D)に示すように、絶縁層44上に第2の配線層46を形成する。第2の配線層46の材料及び形成方法は、第1の実施の形態で説明した第2の配線層26の内容を適用してもよい。第2の配線層46に対して、絶縁層44は、上述した受理層10と同じ機能を果たすので、絶縁層44を受理層ということもできる。第2の配線層26は、コンタクトポスト42上を通るように形成する。その後、第2の配線層46の導電性微粒子を相互に結合させて、積層配線基板を製造することができる。本実施の形態には、第1の実施の形態で説明した内容を適用することができる。本実施の形態でも、第1の実施の形態で説明した作用効果を得ることができる。
【0021】
(第3の実施の形態)
図5(A)〜図5(C)は、本発明の第3の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第2の実施の形態で説明したように、受理層10上に配線層40を形成し、その上に絶縁層44を形成する。絶縁層44は、コンタクトポスト42を覆うように形成する。その他の詳細は、図4(A)及び図4(B)を参照して説明した内容と同じである。
【0022】
図5(A)に示すように、絶縁層44を構成する熱可塑性樹脂が軟化した状態で、その上に第2の配線層50を形成する。第2の配線層50の材料及び形成方法は、第1の実施の形態で説明した第2の配線層26の内容を適用してもよい。第2の配線層50に対して、絶縁層44は、上述した受理層10と同じ機能を果たすので、絶縁層44を受理層ということもできる。この状態で、第2の配線層50とコンタクトポスト42との間にも、絶縁層44の一部が介在している。
【0023】
図5(B)に示すように、熱によって第2の配線層50の導電性微粒子を相互に結合させる。このときの熱によって、絶縁層44を軟化(さらに軟化)させてもよい。導電性微粒子が相互に結合して導電膜又は導電層が形成された後に、第2の配線層50及び配線層40に対して、両者を挟み込む方向に加圧力を加えてもよい。
【0024】
こうして、図5(C)に示すように、コンタクトポスト42と第2の配線層50とを電気的に導通させる。こうして、積層配線基板を製造することができる。本実施の形態には、第1の実施の形態で説明した内容を適用することができる。本実施の形態でも、第1の実施の形態で説明した作用効果を得ることができる。
【0025】
図6には、上述したいずれかの実施の形態で説明した配線基板1000と、これに電気的に接続された半導体チップ1と、を有する半導体装置が示されている。この半導体装置を有する電子機器として、図7にはノート型パーソナルコンピュータ2000が示され、図8には携帯電話3000が示されている。
【0026】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)〜図1(D)は、本発明の第1の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図2】図2(A)〜図2(C)は、本発明の第1の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図3】図3(A)〜図3(B)は、本発明の第1の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図4】図4(A)〜図4(D)は、本発明の第2の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図5】図5(A)〜図5(C)は、本発明の第3の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図6】図6は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図7】図7は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図8】図8は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ 10…受理層 12…基材 14…配線層 20…絶縁層22…マスク層 24…コンタクトホール 26…第2の配線層 30…第3の絶縁層 34…コンタクトホール 36…コンタクトポスト 38…端子部 40…配線層 42…コンタクトポスト 44…絶縁層 46…第2の配線層 50…第2の配線層
Claims (7)
- 熱可塑性樹脂によって形成された受理層を熱によって軟化させること、
熱によって軟化した状態の前記受理層上に、導電性微粒子を含む溶剤により、配線層を形成すること、及び、
前記配線層を加熱して前記導電性微粒子を相互に結合させること、
を含む配線基板の製造方法。 - 請求項1記載の配線基板の製造方法において、
前記導電性微粒子を含む前記溶剤を吐出して前記配線層を形成する配線基板の製造方法。 - 請求項1又は請求項2記載の配線基板の製造方法において、
前記受理層を基材上に形成する配線基板の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記導電性微粒子を相互に結合させた後に、前記基材を前記受理層から除去することをさらに含む配線基板の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の方法により製造されてなる配線基板。
- 請求項5記載の配線基板と、
前記配線基板と電気的に接続された半導体チップと、
を有する半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置を有する電子機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003055643A JP3741216B2 (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 配線基板の製造方法 |
CNB2004100082099A CN100438724C (zh) | 2003-03-03 | 2004-03-01 | 布线基板的制造方法 |
US10/791,651 US20040237296A1 (en) | 2003-03-03 | 2004-03-02 | Wiring board, method of manufacturing the same, semiconductor device, and electronic instrument |
US11/639,845 US20070094870A1 (en) | 2003-03-03 | 2006-12-15 | Wiring board, method of manufacturing the same, semiconductor device, and electronic instrument |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003055643A JP3741216B2 (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004266132A true JP2004266132A (ja) | 2004-09-24 |
JP3741216B2 JP3741216B2 (ja) | 2006-02-01 |
Family
ID=33119598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003055643A Expired - Fee Related JP3741216B2 (ja) | 2003-03-03 | 2003-03-03 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3741216B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156579A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Asahi Kasei Corp | 回路板およびその製造方法 |
JP2007158352A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 配線基板の製造方法及び配線基板 |
JP2014112678A (ja) * | 2008-06-06 | 2014-06-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 構造体の作製方法 |
FR3033977A1 (fr) * | 2015-03-20 | 2016-09-23 | Thales Sa | Procede de fabrication d'un circuit imprime et circuits imprimes correspondants |
-
2003
- 2003-03-03 JP JP2003055643A patent/JP3741216B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156579A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Asahi Kasei Corp | 回路板およびその製造方法 |
JP4716717B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-07-06 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 回路板の製造方法 |
JP2007158352A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 配線基板の製造方法及び配線基板 |
US7713862B2 (en) | 2005-12-07 | 2010-05-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
JP2014112678A (ja) * | 2008-06-06 | 2014-06-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 構造体の作製方法 |
FR3033977A1 (fr) * | 2015-03-20 | 2016-09-23 | Thales Sa | Procede de fabrication d'un circuit imprime et circuits imprimes correspondants |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3741216B2 (ja) | 2006-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3051700B2 (ja) | 素子内蔵多層配線基板の製造方法 | |
JP2006278774A (ja) | 両面配線基板の製造方法、両面配線基板、およびそのベース基板 | |
JP2008277750A (ja) | 電子素子内蔵印刷回路基板の製造方法 | |
JP2013115345A (ja) | 部品内蔵基板及びその製造方法並びに部品内蔵基板実装体 | |
JP2010062525A (ja) | 印刷回路基板及びその製造方法 | |
JP2005101436A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP3900281B2 (ja) | 積層配線基板及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器 | |
JP2009272608A (ja) | 印刷回路基板及びその製造方法 | |
JP3781118B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP3741216B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
US8828247B2 (en) | Method of manufacturing printed circuit board having vias and fine circuit and printed circuit board manufactured using the same | |
US7189598B2 (en) | Wiring board, method of manufacturing the same, semiconductor device, and electronic instrument | |
US20070094870A1 (en) | Wiring board, method of manufacturing the same, semiconductor device, and electronic instrument | |
JP4396493B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2005045191A (ja) | 配線回路基板の製造方法、及び多層配線基板の製造方法 | |
KR20120120789A (ko) | 인쇄회로기판의 제조방법 | |
US20110206910A1 (en) | Wiring substrate and method for manufacturing the same, and method for disassembling wiring substrate | |
JP4012022B2 (ja) | 多層配線基板、多層配線基板用基材およびその製造方法 | |
JP2616572B2 (ja) | 多層印刷配線板の製造方法 | |
JP2005340279A (ja) | 多層配線板およびその製造方法 | |
JP2004266131A (ja) | 積層配線基板及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器 | |
JP3818124B2 (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP2001196746A (ja) | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 | |
JP2002353597A (ja) | 金属転写シート、その製造方法および配線回路基板 | |
JP4806926B2 (ja) | 電子部品搭載装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050803 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051019 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091118 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091118 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101118 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101118 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111118 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111118 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121118 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121118 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131118 Year of fee payment: 8 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |