KR100658932B1 - 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
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Abstract
본 발명은 이웃한 포토레지스트패턴간 간격을 충분히 확보하면서도 광손실을 최소화할 수 있는 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 제1포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 제1포토레지스트를 노광 및 현상하여 제1포토레지스트패턴을 형성하는 단계, 상기 제1포토레지스트패턴을 플로우시켜 제1마이크로렌즈를 형성하는 단계, 상기 제1마이크로렌즈 상부에 제2포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 제2포토레지스트를 노광 및 현상하여 이웃한 상기 제1마이크로렌즈 사이에 제2포토레지스트패턴을 형성하는 단계, 상기 제2포토레지스트패턴을 플로우시켜 상기 제1마이크로렌즈와 더불어 동일 평면 상에서 M행×N열 격자어레이를 구성하는 제2마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
씨모스 이미지 센서, 마이크로렌즈, 포토레지스트, 플로우, 레티클
Description
도 1은 종래기술에 따른 씨모스이미지센서(CIS)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도,
도 2는 종래기술에 따른 마이크로렌즈로 사용될 포토레지스트패턴의 구조를 도시한 평면도,
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로렌즈로 사용될 포토레지스트패턴 어레이의 최종 상태를 도시한 도면,
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트패턴 어레이를 형성하기 위한 제1레티클을 도시한 도면,
도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트패턴 어레이를 형성하기 위한 제2레티클을 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 OPC(Optical proximity correction)이 적용된 레티클을 이용하여 포토레지스트패턴을 패터닝한 후의 결과를 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법을 도시한 공정 흐름도,
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
21 : 반도체기판 22 : 필드산화막
23 : 포토다이오드 24 : 층간절연막
25 : 금속배선 26 : 보호막
27 : 오버코팅막 28a : 제1마이크로렌즈
29a : 제2마이크로렌즈
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서는 광학 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체장치로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device; CCD)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 씨모스이미지센서(CIS)는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소(pixel)수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 이미지센서는 외부로부터의 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부분 상부에 칼라 필터가 배열되어 있으며, 칼라필터어레이(Color Filter Array; CFA)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 칼라로 이루어지거나, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 칼라로 이루어진다.
그리고, 위와 칼라필터어레이 상부에는 광을 집속하기 위한 마이크로렌즈(Micro Lens; ML)를 형성해준다.
도 1은 종래기술에 따른 씨모스이미지센서(CIS)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(11) 상에 제어와 신호처리를 위한 회로 및 포토다이오드 구동을 위한 트랜지스터 등의 관련소자(도시 생략)를 형성한다. 여기서, 포토다이오드(13)만 도시하기로 하며, 포토다이오드(13) 형성전에 소자간 분리를 위한 필드산화막(12)을 형성해준다.
다음으로, 반도체 기판(11) 상부에 층간절연막(14)을 형성한 후, 층간절연막(14) 상에 금속배선(15)을 형성한다. 이때, 금속배선(15)은 다층 구조로 형성하는데, 여기서는 최종 상부의 금속배선으로 도시한다.
다음으로, 금속배선(15)이 완료된 반도체 기판(11)의 전면에 보호막(16)을 형성한후 평탄화시킨다.
이어서, 보호막(16) 상에 칼라이미지구현을 위한 3가지 색의 칼라필터(B, R, G)를 형성하는 칼라필터어레이(Color Filter Array; CFA) 공정을 진행한다. 이때, 칼라필터(B, R, G)는 감광물질로 형성한다.
다음으로, 칼라필터(B, R, G) 상부에 마이크로렌즈의 균일한 형성을 위해 평탄화 특성이 우수한 오버코팅막(Over Coating Layer; OCL)(17)을 형성한다. 여기서, 오버코팅막(17)은 감광물질의 일종이다.
이어서, 오버코팅막(17) 상에 각 칼라필터에 상응하는 마이크로렌즈(18)를 형성한다. 이때, 마이크로렌즈(18)는 포토레지스트 도포 및 패터닝을 통해 포토레지스트패턴을 형성하고, 플로우를 위한 열공정을 진행하여 형성한다.
도 2는 종래기술에 따른 마이크로렌즈로 사용될 포토레지스트패턴의 구조를 도시한 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 마이크로렌즈로 사용될 포토레지스트패턴(18a)을 직사각형 또는 정사각형의 격자 어레이 형태로 형성한다. 이는 칼라필터어레이의 각 칼라필터에 대응하도록 마이크로렌즈를 형성하기 위한 것이다.
위와 같은 어레이 형태의 포토레지스트패턴(18a)을 형성한 후에, 150℃∼200℃의 고온에서 포토레지스트패턴(18a)을 녹여 플로우(flowing)되도록 하여 마이크로렌즈(18)를 형성한다.
상기 고온의 플로우 공정시 포토레지스트패턴 사이의 간격(18b)이 너무 좁으면 플로우될 때 인접한 포토레지스트패턴끼리 서로 융합(merge)되어 원하는 구형의 마이크로렌즈가 형성되지 않는다.
예컨대, 포토레지스트패턴간 간격을 충분히 확보한 후 플로우를 실시한 경우 에는 이웃한 마이크로렌즈간에 서로 엉겨붙지 않은 정상적인 마이크로렌즈가 형성되지만, 포토레지스트패턴간 간격이 충분히 확보되지 않은 상태에서 플로우를 실시하는 경우에는 이웃한 포토레지스트패턴간 간격이 충분히 확보되지 못하여 플로우후에 마이크로렌즈끼리 서로 엉겨붙음을 알 수 있다.
이를 해결하기 위해 포토레지스트패턴 형성 공정에서의 공정마진과 고온 플로우 공정에서의 공정마진을 고려하여 포토레지스트패턴 사이의 간격(Micro lens dead space)을 충분히 크게 확보하여 고온 플로우공정시 인접한 포토레지스트패턴끼리 서로 융합되지 않도록 해야 한다.
그러나, 이렇게 포토레지스트패턴 사이의 간격을 충분히 크게 확보하는 경우에는, 마이크로렌즈 사이에 과도하게 넓은 면적의 빈 공간을 유발하여 입사되는 광의 광수율을 저하시킨다.
예컨대, 도 2를 참조하면, 마이크로렌즈간 빈 공간이 없는 상태에서의 광수율이 1이라고 했을때, 3.2㎛의 단위픽셀에 마이크로렌즈간의 간격이 위치에 상관없이 일정하게 0.2㎛라고 가정하고 광수율을 계산하면 12.1%의 광손실이 발생한다.
또한, 실질적인 마이크로렌즈 포토 공정에서는 근접효과(proximity effect)에 의해 포토레지스트패턴의 꼭지점 부분에서 라운딩(rounding)이 발생하여 이상적으로 계산한 한 값보다 광손실이 더욱 커지게 된다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 이웃 한 포토레지스트패턴간 간격을 충분히 확보하면서도 광손실을 최소화할 수 있는 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 M행×N열 격자어레이를 구성하는 포토다이오드가 형성된 반도체기판 상에 형성된 표면이 평탄한 오버코트막 상에 제1포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 제1포토레지스트를 OPC(Optical proximity correction)가 적용된 제 1 레티클을 이용하여 노광 및 현상하여 상기 M행 방향으로 하나씩 교대로 배치되며 상기 N열 방향으로 하나씩 교대로 배치되는 제1포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 제1포토레지스트패턴을 플로우시켜 제1마이크로렌즈를 형성하는 단계; 상기 오버코트막 상에 상기 제1포토레지스트와 동일한 특성을 갖는 제2포토레지스트를 제1마이크로렌즈를 덮도록 도포하는 단계; 상기 제2포토레지스트를 OPC(Optical proximity correction)가 적용된 제 2 레티클을 이용하여 노광 및 현상하여 상기 제1마이크로렌즈 사이에 제2포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2포토레지스트패턴을 플로우시켜 상기 제1마이크로렌즈와 더불어 동일 평면 상에서 M행×N열 격자어레이를 구성하는 제2마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 제1마이크로렌즈는 상기 M행×N열 격자어레이에서 홀수번째 열과 홀수번째 행이 만나는 지점과 짝수번째 열과 짝수번째 행이 만나는 지점에서 형성되는 것을 특징으로 하고, 상기 제2마이크로렌즈는 상기 M행×N열 격자어레이에서 홀수번째 열과 짝수번째 행이 만나는 지점과 짝수번째 열과 홀수번째 행이 만나는 지점에서 형성되는 것을 특징으로 하고, 상기 제1포토레지스트패턴 형성시에는 제1레티클을 이용하여 노광하고, 상기 제2포토레지스트패턴 형성시에는 제2레티클을 이용하여 노광하되, 상기 제1레티클과 상기 제2레티클은 상기 제1포토레지스트패턴의 사방 주변에 상기 제2포토레지스트패턴이 배열되도록 하는 구조로 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로렌즈로 사용될 포토레지스트패턴 어레이의 최종 상태를 도시한 도면이고, 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트패턴 어레이를 형성하기 위한 제1레티클을 도시한 도면이고, 도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트패턴 어레이를 형성하기 위한 제2레티클을 도시한 도면이다. 여기서, 레티클이라 함은 포토레지스트를 노광하기 위해 도입된 포토마스크를 일컫는다.
도 3a를 참조하면, 마이크로렌즈로 사용될 포토레지스트패턴 어레이(100)는 종래기술과 동일하게 일정한 간격을 갖고 여러개의 포토레지스트패턴이 직사각형 또는 정사각형의 격자 어레이 구조로 형성된다.
즉, 포토레지스트패턴 어레이(100)는 P11∼P15, P21∼P25, P31∼P35, P41∼P45, P51∼P55가 제1열 내지 제5열을 구성하고, P11∼P51, P12∼P52, P13∼P53, P14∼P54, P15∼P55가 제1행 내지 제5행을 구성하는 격자 어레이를 구성한다.
도 3a와 같은 포토레지스트패턴 어레이를 형성할 때, 한번에 노광 및 패터닝하여 포토레지스트패턴을 형성하면 이웃한 포토레지스트패턴간 간격은 매우 작아야 하고, 이를 위한 CD 제어 등의 마진이 매우 부족하다.
이를 해결하기 위해 본 발명은 다음과 같은 도 3b 및 도 3c에 도시된 것처럼, 포토레지스트패턴 어레이를 형성하기 위한 레티클을 두 개(101, 102)로 나누어 진행한다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 홀수번째 열인 제1열, 제3열, 제5열(또는 제1행, 제3행, 제5행)은 홀수번째 포토레지스트패턴으로 구성하고, 짝수 번째 열인 제2열, 제4열(또는 제2행, 제4행)은 짝수번째 포토레지스트패턴이 형성되도록 하는 제1레티클(101)을 형성한다.
자세히 살펴보면, 제1레티클(101)을 이용하여 포토레지스트패턴 어레이를 형성하면, 제1열에서는 홀수번째 포토레지스트패턴인 P11, P13, P15, 제2열에서는 짝수번째 포토레지스트패턴인 P22, P24, 제3열에서는 홀수번째 포토레지스트패턴인 P31, P33, P35, 제4열에서는 짝수번째 포토레지스트패턴인 P42, P44, 제5열에서는 홀수번째 포토레지스트패턴인 P51, P53, P55만 형성되도록 한다.
위와 같이, 제1레티클(101)을 구성하여 노광 및 현상하면, 인접한 포토레지스트패턴간의 간격을 넓게 형성할 수 있다.
그리고, 도 3c에 도시된 바와 같이, 홀수번째 열인 제1열, 제3열, 제5열(또는 제1행, 제3행, 제5행)은 짝수번째 포토레지스트패턴으로 구성하고, 짝수번째 열인 제2열, 제4열(또는 제2행, 제4행)은 홀수번째 포토레지스트패턴이 형성되도록 하는 제2레티클(102)을 형성한다.
자세히 살펴보면, 제2레티클(102)은 제1열에서는 P12, P14, 제2열에서는 P21, P23, P25, 제3열에서는 P32, P34, 제4열에서는 P41, P43, P45, 제5열에서는 P52, P54만 형성되도록 한다.
위와 같이, 제2레티클(102)을 구성하여 노광 및 현상하면, 인접한 포토레지스트패턴간의 간격을 넓게 형성할 수 있다.
도 3b 및 도 3c에서 살펴본 바에 따르면, 제1레티클(101)과 제2레티클(102)은 서로 다른 구조를 갖고, 형성될 포토레지스트패턴들이 중첩되지 않는다. 즉, 제1레티클(101)에서는 제2레티클(102)에서 형성될 포토레지스트패턴들이 빠져 있어 제1레티클(101)에 의해 형성되는 포토레지스트패턴간 간격이 매우 넓다. 이는 제2레티클(102)도 동일하다.
위와 같은 제1레티클(101)과 제2레티클(102)을 이용하여 포토레지스트패턴 어레이를 형성한 후 마이크로렌즈를 형성하면, 마이크로렌즈 어레이가 M행×N열 격자어레이라 가정할 때, 제1레티클에 의한 마이크로렌즈와 제2레티클에 의한 마이크로렌즈는 M행 방향으로 하나씩 교대로 배치되며, 그리고 N열 방향으로도 하나씩 교대로 배치된다. 결국, 제1레티클에 의한 마이크로렌즈 주변에는 제2레티클에 의한 마이크로렌즈가 위치하는 것이며, 제2레티클에 의한 마이크로렌즈 주변에는 제1레티클에 의한 마이크로렌즈가 위치하는 것이다.
전술한 바와 같이, 격자 어레이 구조를 갖는 포토레지스트패턴 어레이를 형성하기 위한 레티클을 제1레티클(101)과 제2레티클(102)로 구분하므로써, 포토레지스트패턴의 CD를 균일하게 만들어 줄 수 있다.
도 3b 및 도 3c에 도시된 레티클을 이용하여 마이크로렌즈의 포토 공정을 진행하는 경우에도 근접효과(proximity effect)에 의해 포토레지스트패턴의 꼭지점 부분에서 라운딩(rounding)이 발생할 수 있다.
이를 방지하기 위해 본 발명은 도 3b 및 도 3c에 도시된 제1레티클과 제2레티클을 OPC이 적용된 레티클로 이용한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 OPC(Optical proximity correction)이 적용된 레티클을 이용하여 포토레지스트패턴을 패터닝한 후의 결과를 도시한 도면으로서, 각 포토레지스트패턴의 모서리가 뾰족하고 각 꼭지점 사이가 안쪽으로 움푹 들어간 구조를 갖는다. 이는 OPC를 적용하기 때문에 가능하다.
도 4에 도시된 것처럼, OPC를 적용하여 포토레지스트패턴 어레이를 구성하면 포토레지스트패턴의 꼭지점에서 발생하는 포토레지스트패턴의 라운딩을 제거하여 꼭지점 부근에서의 빈공간(x)을 최소화 또는 제거하여 광손실을 최소화할 수 있다.
이러한 OPC 기술은 도 3b 및 도 3c에 도시된 레티클들을 이용할 때 모두 적용한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법을 도시한 공정 흐름도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 마이크로렌즈용 제1포토레지스트 도포 공정(S11), 제1레티클을 이용하여 노광 및 현상(S12), 1차 플로우 공정(S13), 마이크로렌즈용 제2포토레지스트 도포(S14), 제2레티클을 이용하여 노광 및 현상(S15), 2차 플로우 공정(S16)의 순서로 진행한다.
도 5에서 알 수 있듯이, 본 발명은 포토레지스트 도포, 노광 및 현상 및 플로우로 이루어지는 한번의 공정에 의해 형성하는 것이 아니라, 두번에 걸쳐서 포토 레지스트를 도포하고, 노광 및 현상하며, 1,2차 플로우를 진행하여 마이크로렌즈를 나누어서 형성하고 있다.
이하, 자세한 제조 방법을 살펴보기로 한다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 도시한 공정 단면도이다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(21) 상에 제어와 신호처리를 위한 회로 및 포토다이오드 구동을 위한 트랜지스터 등의 관련소자(도시 생략)를 형성한다. 여기서, 포토다이오드(23)만 도시하기로 하며, 포토다이오드(23) 형성전에 소자간 분리를 위한 필드산화막(22)을 형성해준다.
다음으로, 반도체 기판(21) 상부에 층간절연막(24)을 형성한 후, 층간절연막(24) 상에 금속배선(25)을 형성한다. 이때, 금속배선(25)은 다층 구조로 형성하는데, 여기서는 최종 상부의 금속배선으로 도시한다.
다음으로, 금속배선(25)이 완료된 반도체 기판(21)의 전면에 보호막(26)을 형성한후 평탄화시킨다.
이어서, 보호막(26) 상에 칼라이미지구현을 위한 3가지 색의 칼라필터(B, R, G)를 형성하는 칼라필터어레이(Color Filter Array; CFA) 공정을 진행한다. 이때, 칼라필터(B, R, G)는 감광물질로 형성한다.
다음으로, 칼라필터(B, R, G) 상부에 마이크로렌즈의 균일한 형성을 위해 평탄화 특성이 우수한 오버코팅막(Over Coating Layer; OCL)(27)을 형성한다.
다음으로,오버코팅막(27) 상에 제1포토레지스트를 도포하고 도 3b에 도시된 제1레티클을 이용하여 노광 및 현상하여 제1포토레지스트패턴(28)을 형성한다. 이때, 제1포토레지스트패턴(28)은 이웃한 제1포토레지스트패턴(28)과 매우 넓은 간격을 두고 형성된다. 이는 도 3b의 제1레티클을 이용하여 후속 제2포토레지스트패턴이 형성될 부분을 비워두고 제1포토레지스트패턴(28)을 형성하기 때문이다.
도 6b에 도시된 바와 같이, 1차 플로우 공정을 진행하여 제1마이크로렌즈(28a)를 형성한다.
도 6c에 도시된 바와 같이, 제1마이크로렌즈(28a)를 포함한 전면에 다시 제2포토레지스트를 도포하고 도 3c에 도시된 제2레티클을 이용하여 노광 및 현상하여 제2포토레지스트패턴(29)을 형성한다.
이어서, 도 6d에 도시된 바와 같이, 2차 플로우 공정을 진행하여 제2마이크로렌즈(29a)를 형성한다.
결국, 동일 평면상에서 제1마이크로렌즈(28a)와 제2마이크로렌즈(29a)가 M행×N열의 격자어레이를 구성한다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 서로 중첩되지 않는 포토레지스트패턴을 형성하도록 하는 두 개의 레티클을 적용하여 마이크로렌즈를 형성하므로써 이웃한 포토레지스트패턴간 간격을 충분히 확보할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명은 두 개의 레티클을 적용할 때 OPC 기술을 도입하므로써 포토레지스트패턴의 꼭지점에 라운딩해지는 것을 방지하여 광손실을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
Claims (7)
- M행×N열 격자어레이를 구성하는 포토다이오드가 형성된 반도체기판 상에 형성된 표면이 평탄한 오버코트막 상에 제1포토레지스트를 도포하는 단계;상기 제1포토레지스트를 OPC(Optical proximity correction)가 적용된 제 1 레티클을 이용하여 노광 및 현상하여 상기 M행 방향으로 하나씩 교대로 배치되며 상기 N열 방향으로 하나씩 교대로 배치되는 제1포토레지스트패턴을 형성하는 단계;상기 제1포토레지스트패턴을 플로우시켜 제1마이크로렌즈를 형성하는 단계;상기 오버코트막 상에 상기 제1포토레지스트와 동일한 특성을 갖는 제2포토레지스트를 제1마이크로렌즈를 덮도록 도포하는 단계;상기 제2포토레지스트를 OPC(Optical proximity correction)가 적용된 제 2 레티클을 이용하여 노광 및 현상하여 상기 제1마이크로렌즈 사이에 제2포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2포토레지스트패턴을 플로우시켜 상기 제1마이크로렌즈와 더불어 동일 평면 상에서 M행×N열 격자어레이를 구성하는 제2마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 제1마이크로렌즈는,상기 M행×N열 격자어레이에서 홀수번째 열과 홀수번째 행이 만나는 지점과 짝수번째 열과 짝수번째 행이 만나는 지점에서 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 제2마이크로렌즈는,상기 M행×N열 격자어레이에서 홀수번째 열과 짝수번째 행이 만나는 지점과 짝수번째 열과 홀수번째 행이 만나는 지점에서 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1마이크로렌즈는,상기 M행×N열 격자어레이에서 홀수번째 열과 짝수번째 행이 만나는 지점과 짝수번째 열과 홀수번째 행이 만나는 지점에서 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 제2마이크로렌즈는,상기 M행×N열 격자어레이에서 홀수번째 열과 홀수번째 행이 만나는 지점과 짝수번째 열과 짝수번째 행이 만나는 지점에서 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1포토레지스트패턴 형성시에는 제1레티클을 이용하여 노광하고, 상기 제2포토레지스트패턴 형성시에는 제2레티클을 이용하여 노광하되, 상기 제1레티클과 상기 제2레티클은 상기 제1포토레지스트패턴의 사방 주변에 상기 제2포토레지스트패턴이 배열되도록 하는 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040116040A KR100658932B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040116040A KR100658932B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060077232A KR20060077232A (ko) | 2006-07-05 |
| KR100658932B1 true KR100658932B1 (ko) | 2006-12-15 |
Family
ID=37169341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040116040A Expired - Fee Related KR100658932B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100658932B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100829379B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-05-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000022117A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2000260968A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2000269474A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-12-30 KR KR1020040116040A patent/KR100658932B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000022117A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2000260968A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2000269474A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060077232A (ko) | 2006-07-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20041230 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20060828 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20061205 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20061211 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20061211 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20091125 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20101129 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111129 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20111129 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |