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KR20060077149A - 이미지센서의 칼라필터 어레이 및 그 형성 방법 - Google Patents

이미지센서의 칼라필터 어레이 및 그 형성 방법 Download PDF

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KR20060077149A
KR20060077149A KR1020040115946A KR20040115946A KR20060077149A KR 20060077149 A KR20060077149 A KR 20060077149A KR 1020040115946 A KR1020040115946 A KR 1020040115946A KR 20040115946 A KR20040115946 A KR 20040115946A KR 20060077149 A KR20060077149 A KR 20060077149A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
color filter
overcoating layer
forming
color
image sensor
Prior art date
Application number
KR1020040115946A
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English (en)
Inventor
이상욱
Original Assignee
매그나칩 반도체 유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

본 발명은 구리를 메탈라인으로 이용할 경우 화학기계적연마 공정에서 발생된 구리 오염을 제거하여 메탈 오염에 의한 광 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지센서의 구리를 이용한 메탈라인 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 기판 상에 제공된 제1오버코팅 레이어; 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제공된 제1칼라필터; 상기 제1칼라필터와 이격되도록 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제공된 제2칼라필터; 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터 상에 제공된 제2오버코팅 레이어; 및 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 상에 제공된 제3칼라필터를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이를 제공한다.
또한, 본 발명은, 기판 상에 제1오버코팅 레이어를 형성하는 단계; 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제1칼라필터를 형성하는 단계; 상기 제1칼라필터와 이격되도록 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제2칼라필터를 형성하는 단계; 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터 상에 제2오버코팅 레이어를 형성하는 단계; 및 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 상에 제3칼라필터를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 방법을 제공한다.
CMOS 이미지센서, 오버코팅 레이어(OCL), 흑선, 찌꺼기, 칼라필터.

Description

이미지센서의 칼라필터 어레이 및 그 형성 방법{COLOR FILTER ARRAY OF IMAGE SENSOR AND FORMING METHOD THEREOF}
도 1은 흑선 불량이 발생한 상태를 나타내는 사진.
도 2는 그린 칼라필터 형성 후 흑선 불량 상태를 도시한 평면 사진.
3은 가로 선형의 흑선을 나타낸 SEM 사진.
도 4는 5*5로 배열된 픽셀 구조를 갖는 본 발명의 CMOS 이미지센서를 도시한 평면도.
도 5는 도 4를 a-a' 및 b-b' 방향으로 절취한 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이를 도시한 단면도.
도 6은 도 4를 a-a' 및 b-b' 방향으로 절취한 본 발명의 다른 실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이를 도시한 단면도.
도 7a 내지 도 7c는 도 5의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 공정을 도시한 단면도.
도 8a 내지 도 8c는 도 6의 다른 실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 공정을 도시한 단면도.
도 9는 도 5의 일실시예에 해당하는 SEM 사진.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
OCL1, OCL2, OCL3 : 오버코팅 레이어 RGB : 칼라필터
본 발명은 이미지센서 제조 방법에 관한 것으로 특히, 흑선 불량 방지를 위해 적층 구조를 갖는 이미지센서의 칼라필터 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지센서는 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이 중에서 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서, 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다.
반면, CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소 수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 화소의 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
현재의 CMOS 이미지센서의 칼라필터 형성시 칼라필터 재료 자체의 문제에 기인한 흑선이라 불리는 불량이 지속적으로 나타나고 있다.
도 1은 흑선 불량이 발생한 상태를 나타내는 사진이다.
도 1을 참조하면, 도시된 'X'와 같이 공급 칩에서 실장 후 선 형태의 이상 발생이 일어난 것을 확인 할 수 있다. 이러한 흑선 불량은 공급 칩의 10%에서 나타나는 것으로 분석된다.
도 2는 그린(G) 칼라필터 형성 후 흑선 불량 상태를 도시한 평면 사진으로서, 도시된 'Y' 부분에서 흑선이 발생한 것을 확인할 수 있다.
도 3은 가로 선형의 흑선을 나타낸 SEM 사진이다.
도 3의 (a) 및 도 3의 (b)를 참조하면, 블루(B)와 레드(R) 위에 모두 자여물이 보이여, 이는 다른 정상적인 픽셀과 대비되는 것을 알 수 있다.
불량의 비율은 앞서 설명한 바와 같이 대략 전체 칩의 10% 내외이며, 웨이퍼 에지(Wafer edge)에 주로 나타나고 있다. 흑선 불량은 하나의 단일 칼라필터에서는 발견되지 않고, 두개 이상의 칼라가 적층된 경우에 주로 발견되고 있다.
칼라필터는 노광 후 노광되지 않은 부분이 현상액에 녹아 나가 원하는 모양으로 형성된다. 이러한 현상 과정에서 녹아 나가는 칼라필터의 찌꺼기 등이 제댜로 제거가 되지 않고, 하부의 칼라층과 반응하여 이상 색깔의 불량을 유발하여 흑선이 발생한다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 흑선 불량 발생을 억제할 수 있는 이미지센서의 칼라필터 어레이 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기판 상에 제공된 제1오버코팅 레이어; 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제공된 제1칼라필터; 상기 제1칼라필터와 이격되도록 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제공된 제2칼라필터; 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터 상에 제공된 제2오버코팅 레이어; 및 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 상에 제공된 제3칼라필터를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이를 제공한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기판 상에 제공된 제1오버코팅 레이어; 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제공된 제1칼라필터; 상기 제1칼라필터 상에 제공된 제2오버코팅 레이어; 상기 제1칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 상에 제공된 제2칼라필터; 상기 제2칼라필터 상에 제공된 제3오버코팅 레이어; 및 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제3오버코팅 레이어 상에 제공된 제4칼라필터를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이를 제공한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기판 상에 제1오버코팅 레이어를 형성하는 단계; 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제1칼라필터를 형성하는 단계; 상기 제1칼라필터와 이격되도록 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제2칼라필터를 형성하는 단계; 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터 상에 제2오버코팅 레이어를 형성하는 단계; 및 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 상에 제3칼라필터를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 방법을 제공한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기판 상에 제1오버코팅 레이어를 형성하는 단계; 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제1칼라필터를 형성하는 단계; 상기 제1칼라필터 상에 제2오버코팅 레이어를 형성하는 단계; 상기 제1칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 사에 제2칼라필터를 형성하는 단계; 상기 제2칼라필터 상에 제3오버코팅 레이어를 형성하는 단계; 및 상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제3오버코팅 레이어 상에 제4칼라필터를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 방법을 제공한다.
종래의 경우 서로 다른 칼라의 칼라필터 적층시 칼라필터와 칼라필터가 직접적으로 접촉하게 되고, 현상되어 나가는 칼라의 찌꺼기가 하부 칼라와 반응하여 흑선 불량이 발생한다. 따라서, 본 발명은 이웃하는 칼라필터 간 직접적인 접촉이 없도록 칼라필터를 적층 구조로 배치하고 그 사이에 복수의 오버코팅 레이어를 배치함으로써, 흑선 불량을 줄일 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 4는 5*5로 배열된 픽셀 구조를 갖는 본 발명의 CMOS 이미지센서를 도시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, RGB의 3색이 격자 무늬 형태로 배열되어 있으며, 주지된 바와 같이, G(그린) 칼라는 다른 R(레드)과 B(블루)에 비해 각각 두 배의 픽셀 분포를 갖는다. RGB의 칼라필터 어레이 하부에는 제1오버코팅 레이어(OCL1)가 배치되어 있다.
각 칼라필터 RGB는 서로 적층 구조로 엇갈려 배치되어 있으며, 각각은 복수의 오버코팅 레이어에 의해 분리된다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 RGB의 칼라 분포를 그 예로 하였으나, 이외에도 RGB의 보색인 Y(옐로우)Mg(마젠타)Cy(시안) 칼라 분포인 경우도 적용이 가능하다.
도 5는 도 4를 a-a' 및 b-b' 방향으로 절취한 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이를 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 포토다이오드(도시하지 않음)와 복수의 메탈라인(도시하지 않음)이 형성된 기판(도시하지 않음) 상에 제1오버코팅 레이어(OCL1)가 배치되어 있다. 제1오버코팅 레이어(OCL1)는 하부의 메탈라인 형성에 따라 발생된 단차로 인한 칼라필터 어레이 형성시의 불량 억제 및 공정 마진 확보를 위해 사용한다.
제1오버코팅 레이어(OCL1) 상에는 R과 B 칼라의 칼라필터가 서로 이격되어 배치되어 있으며, R과 B 칼라의 칼라필터의 사이 및 그 상부에는 제2오버코팅 레이어(OCL2)가 배치되어 있다. 제2오버코팅 레이어(OCL2) 상에는 R과 B 칼라의 칼라필터와 오버랩되지 않도록 G 칼라의 칼라필터가 배치되어 있으며, G 칼라의 칼라필터 상에는 제3오버코팅 레이어(OCL3)가 배치되어 있다.
제3오버코팅 레이어(OCL3)는 G 칼라필터로 인해 발생된 단차를 줄이기 위한 것으로, 후속 마이크로렌즈 형성시 공정 마진을 확보하기 위해 사용된다.
여기서, RGB의 배치는 실시예적인 것이므로, 이들이 적층되는 배치는 바뀔 수 있다.
도 6은 도 4를 a-a' 및 b-b' 방향으로 절취한 본 발명의 다른 실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이를 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 포토다이오드(도시하지 않음)와 복수의 메탈라인(도시하지 않음)이 형성된 기판(도시하지 않음) 상에 제1오버코팅 레이어(OCL1)가 배치되어 있다.
B 칼라의 칼라필터가 일정 간격으로 배치되어 있으며, B 칼라의 칼라필터 사이 및 그 상부에는 제2오버코팅 레이어(OCL2)가 배치되어 있다.
제2오버코팅 레이어(OCL2) 상에는 B 칼라의 칼라필터가 서로 오버랩되지 않도록 R 칼라의 칼라필터가 배치되어 있다.
R 칼라의 칼라필터의 사이 및 그 상부에는 제3오버코팅 레이어(OCL3)가 배치되어 있다. 제3오버코팅 레이어(OCL3) 상에는 R과 B 칼라의 칼라필터와 오버랩되지 않도록 G 칼라의 칼라필터가 배치되어 있으며, G 칼라의 칼라필터 상에는 제4오버코팅 레이어(OCL4)가 배치되어 있다.
제4오버코팅 레이어(OCL4)는 G 칼라필터로 인해 발생된 단차를 줄이기 위한 것으로, 후속 마이크로렌즈 형성시 공정 마진을 확보하기 위해 사용된다.
여기서, RGB의 배치는 실시예적인 것이므로, 이들이 적층되는 배치는 바뀔 수 있다.
즉, 도 5의 일실시예에서는 R과 B 두 칼라의 칼라필터가 서로 이격되어 배치되어 있으며, 도 6의 다른 실시예에서는 B와 R 및 G가 각각 서로 다른 층에 배치되어 있다.
상기한 실시예에서 나타난 바와 같이, 본 발명은 서로 다른 칼라의 칼라필터를 오버코팅 레이어를 이용하여 서로 격리함으로써, 칼라필터 간의 직접적인 접촉에 의해 기인된 흑선 불량을 거의 완벽하게 줄일 수 있다.
도 9는 도 5의 일실시예에 해당하는 SEM 사진이다.
도 9를 참조하면, R과 G 칼라의 칼라필터가 OCL2에 의해 완벽하게 격리되어 있음을 확인할 수 있다.
이하에서는, 상기한 구성을 갖는 본 발명의 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 공정을 살펴본다.
도 7a 내지 도 7c는 도 5의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 공정을 도시한 단면도이다.
도 7a 내지 도 7c는 도 4를 c-c' 방향으로 절취한 단면에 해당한다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 기판(SUB)에 포토다이오드(도시하지 않음)와 트랜지스터 및 복수의 메탈라인(도시하지 않음)을 형성한다.
메탈라인 상에 제1오버코팅 레이어(OCL1)를 형성한다. 제1오버코팅 레이어(OCL1)는 하부의 메탈라인 형성에 따라 발생된 단차로 인한 칼라필터 어레이 형성 시의 불량 억제 및 공정 마진 확보를 위해 사용한다.
제1오버코팅 레이어(OCL1) 상에 R 칼라의 칼라필터를 형성한다. 칼라필터 형성 공정은 주지된 바와 같이, R 칼라를 갖는 포토레지스트 물질을 코팅한 후, 노광과 현상 등의 포토리소그라피 공정을 통해 형성한다.
도 7b에 도시된 바와 같이, R 칼라의 칼라필터와 이격되도록 제1오버코팅 레이어(OCL1) 상에 B 칼라의 칼라필터를 형성한다.
도 7c에 도시된 바와 같이, R 칼라의 칼라필터와 B 칼라의 칼라필터가 형성된 전면에 이 두 칼라필터 형성에 따른 발생된 단차를 줄이기 위한 제2오버코팅 레이어(OCL2)를 형성한다.
이어서, 제2오버코팅 레이어(OCL2) 상에 R 및 B 칼라필터와 오버랩되지 않도록 G 칼라필터를 형성한다.
이어서, G 칼라필터 형성에 따른 발생된 단차를 줄이기 위해 G 칼라필터 상에 제3오버코팅 레이어(OCL3)를 형성한다.
도 8a 내지 도 8c는 도 6의 다른 실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 공정을 도시한 단면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 도 4를 c-c' 방향으로 절취한 단면에 해당한다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 기판(SUB)에 포토다이오드(도시하지 않음)와 트랜지스터 및 복수의 메탈라인(도시하지 않음)을 형성한다.
메탈라인 상에 제1오버코팅 레이어(OCL1)를 형성한다. 제1오버코팅 레이어(OCL1)는 하부의 메탈라인 형성에 따라 발생된 단차로 인한 칼라필터 어레이 형성 시의 불량 억제 및 공정 마진 확보를 위해 사용한다.
제1오버코팅 레이어(OCL1) 상에 B 칼라의 칼라필터를 형성한다.
칼라필러 형성 공정은 주지된 바와 같이, B 칼라를 갖는 포토레지스트 물질을 코팅한 후, 노광과 현상 등의 포토리소그라피 공정을 통해 형성한다.
도 8b에 도시된 바와 같이, B 칼라필터 형성에 따른 발생된 단차를 줄이기 위해 B 칼라필터 상에 제2오버코팅 레이어(OCL2)를 형성한다.
이어서, B 칼라의 칼라필터와 이격되도록 제2오버코팅 레이어(OCL2) 상에 R 칼라의 칼라필터를 형성한다.
도 8c에 도시된 바와 같이, R 칼라의 칼라필터가 형성된 전면에 R 칼라의 칼라필터 형성에 따른 발생된 단차를 줄이기 위한 제3오버코팅 레이어(OCL3)를 형성한다.
이어서, 제3오버코팅 레이어(OCL3) 상에 R 및 B 칼라필터와 오버랩되지 않도록 G 칼라필터를 형성한다.
이어서, G 칼라필터 형성에 따른 발생된 단차를 줄이기 위해 G 칼라필터 상에 제4오버코팅 레이어(OCL4)를 형성한다.
전술한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 이웃하는 칼라필터 간 직접적인 접촉이 없도록 칼라필터를 적층 구조로 배치하고 그 사이에 복수의 오버코팅 레이어를 배치함으로써 흑선 불량을 줄일 수 있음을 실시예를 통해 알아보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
예컨대, 상기한 본 발명의 실시예에서는 CMOS 이미지센서를 그 예로 하였으나, 이외에도 수광부와 마이크로렌즈를 갖는 모든 이미지센서에도 적용이 가능하다.
상술한 바와 같은 본 발명은 이미지센서 불량의 10%에 해당하는 흑선 불량을 억제할 수 있어, 수율을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 기판 상에 제공된 제1오버코팅 레이어;
    상기 제1오버코팅 레이어 상에 제공된 제1칼라필터;
    상기 제1칼라필터와 이격되도록 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제공된 제2칼라필터;
    상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터 상에 제공된 제2오버코팅 레이어; 및
    상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 상에 제공된 제3칼라필터
    를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이.
  2. 기판 상에 제공된 제1오버코팅 레이어;
    상기 제1오버코팅 레이어 상에 제공된 제1칼라필터;
    상기 제1칼라필터 상에 제공된 제2오버코팅 레이어;
    상기 제1칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 상에 제공된 제2칼라필터;
    상기 제2칼라필터 상에 제공된 제3오버코팅 레이어; 및
    상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제3오버코팅 레이어 상에 제공된 제4칼라필터
    를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1칼라필터와 상기 제2칼라필터 및 상기 제3칼라필터는 RGB 또는 YMgCy의 칼라 포맷을 갖는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 칼라필터 어레이.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3칼라필터 상에 제공된 제3오버코팅 레이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 칼라필터 어레이.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제3칼라필터 상에 제공된 제4오버코팅 레이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 칼라필터 어레이.
  6. 기판 상에 제1오버코팅 레이어를 형성하는 단계;
    상기 제1오버코팅 레이어 상에 제1칼라필터를 형성하는 단계;
    상기 제1칼라필터와 이격되도록 상기 제1오버코팅 레이어 상에 제2칼라필터를 형성하는 단계;
    상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터 상에 제2오버코팅 레이어를 형성하는 단계; 및
    상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 상에 제3칼라필터를 형성하는 단계
    를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 방법.
  7. 기판 상에 제1오버코팅 레이어를 형성하는 단계;
    상기 제1오버코팅 레이어 상에 제1칼라필터를 형성하는 단계;
    상기 제1칼라필터 상에 제2오버코팅 레이어를 형성하는 단계;
    상기 제1칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제2오버코팅 레이어 사에 제2칼라필터를 형성하는 단계;
    상기 제2칼라필터 상에 제3오버코팅 레이어를 형성하는 단계; 및
    상기 제1칼라필터 및 상기 제2칼라필터와 오버랩되지 않도록 상기 제3오버코팅 레이어 상에 제4칼라필터를 형성하는 단계
    를 포함하는 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제1칼라필터와 상기 제2칼라필터 및 상기 제3칼라필터는 RGB 또는 YMgCy의 칼라 포맷을 갖는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제3칼라필터 상에 제3오버코팅 레이어를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 칼라필터 어레이.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제3칼라필터 상에 제4오버코팅 레이어를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 칼라필터 어레이 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US10515992B2 (en) 2018-01-23 2019-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and method for fabricating the same
US11137286B2 (en) 2017-09-15 2021-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Filter array, spectral detector including the filter array and spectrometer employing the spectral detector

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101387558B1 (ko) * 2012-06-27 2014-04-21 포항공과대학교 산학협력단 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
US11137286B2 (en) 2017-09-15 2021-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Filter array, spectral detector including the filter array and spectrometer employing the spectral detector
US11913832B2 (en) 2017-09-15 2024-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Filter array, spectral detector including the filter array and spectrometer employing the spectral detector
US10515992B2 (en) 2018-01-23 2019-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and method for fabricating the same
US10861891B2 (en) 2018-01-23 2020-12-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and method for fabricating the same

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