KR100611750B1 - fabricating method of TFT and flat panel display having the TFT - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터의 제조방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 폴리 실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 표시 장치에 관한 것이다. 기판 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘막을 결정화하여 폴리 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 폴리 실리콘막을 N2 분위기에서 열처리를 하는 단계; 및 상기 열처리 단계 이후 불순물 이온 도핑 공정을 시행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a thin film transistor and a flat panel display including a thin film transistor, and more particularly, to a method of manufacturing a thin film transistor having a polysilicon film and a flat panel display including the thin film transistor. Forming an amorphous silicon film on the substrate; Crystallizing the amorphous silicon film to form a polysilicon film; Heat treating the polysilicon film in an N 2 atmosphere; And performing an impurity ion doping process after the heat treatment step.
열처리, 댕글링 본드(dangling bond), 폴리 실리콘Heat Treated, Dangling Bond, Poly Silicon
Description
도 1은 댕글링 본드가 형성된 실리콘막의 계면을 나타낸 도면,1 is a view showing an interface of a silicon film dangling bond is formed,
도 2 내지 도 4는 본발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.2 to 4 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 *Explanation of reference numerals for the main parts of the drawing
1 : 댕글링 본드, 100 : 기판1: dangling bond, 100: substrate
110 : 버퍼층, 120a : 결정질 실리콘 반도체층,110: buffer layer, 120a: crystalline silicon semiconductor layer,
130 : 게이트 절연막, 140 : 게이트 전극,130: gate insulating film, 140: gate electrode,
163, 166 : 소스, 드레인 전극, 170 : 보호막163 and 166: source and drain electrodes, 170: protective film
180 : 화소 전극180 pixel electrode
본 발명은 박막 트랜지스터의 제조방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 폴리 실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 표시 장치에 관한 것 이다. BACKGROUND OF THE
일반적으로 평판 표시 장치는 구동 방법에 따라 수동 구동(passive matrix)방식과 능동 구동(active matrix)방식으로 나뉘는데, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터(Thin Film transistor; TFT)를 사용하는 회로들을 가진다. 이와 같은 회로들은 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence display; OELD) 등의 평판 표시 장치에서 대표적으로 쓰인다. In general, a flat panel display device is divided into a passive matrix method and an active matrix method according to a driving method, and an active driving method has circuits using thin film transistors (TFTs). Such circuits are typically used in flat panel display devices such as liquid crystal displays (LCDs) and organic electroluminescence displays (OLEDs).
상기 박막 트랜지스터 중 폴리 실리콘 박막 트랜지스터는 결정화 기술의 발전으로 인해 비정질 실리콘 박막트랜지스터와 비슷한 낮은 온도에서 제작이 가능하게 되었다. 또한, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 전자나 정공의 이동도가 높으며, CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 박막 트랜지스터 구현이 가능하여 기판 상에 구동 회로용 박막 트랜지스터와 화소 구동용 박막 트랜지스터를 동시에 형성될 수 있게 되었다.Among the thin film transistors, polysilicon thin film transistors can be manufactured at a low temperature similar to that of amorphous silicon thin film transistors due to the development of crystallization technology. In addition, the mobility of electrons and holes is higher than that of amorphous silicon thin film transistors, and it is possible to implement a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) thin film transistor so that a thin film transistor for driving circuit and a thin film transistor for pixel driving can be simultaneously formed on a substrate. It became.
박막 트랜지스터의 활성층으로 사용되는 폴리 실리콘막을 형성하는 방법은 통상적으로 절연 기판 상에 비정질 실리콘막을 증착한 다음, 소정의 온도에서 결정화하여 폴리 실리콘막을 형성하는 방법을 이용한다. A method of forming a polysilicon film used as an active layer of a thin film transistor typically uses a method of depositing an amorphous silicon film on an insulating substrate and then crystallizing at a predetermined temperature to form a polysilicon film.
상기 폴리 실리콘막 내에는 그레인(grain)과 그레인 사이의 결정 경계면 또는 폴리 실리콘막의 표면에 댕글링 결합(dangling bond)이 존재하여, 경계면과 표면에 결함이 발생하게 된다. In the polysilicon film, dangling bonds exist on the crystal interface between grains and grains or on the surface of the polysilicon film, and defects occur on the interface and the surface.
도 1은 댕글링 결합이 발생한 폴리 실리콘막의 실리콘의 공유결합 구조를 간 략하게 나타낸 것이다.FIG. 1 schematically shows a covalent bond structure of silicon of a polysilicon film in which dangling bonds are generated.
댕글링 결합(dangling bond ; 1)이란 4족인 실리콘이 표면이나 경계면에서 공유되지 못하고 남게된 최외각 전자를 말하는 것인데, 고정 전하(fixed charge)라고 불리면서 전하의 이동에 영향을 주고 그에 따라 박막 트랜지스터 소자의 비이상적 변화를 보이기도 한다.Dangling bond (1) refers to the outermost electrons in which Group 4 silicon is left unshared at the surface or interface. It is called fixed charge, which affects the movement of charge and thus thin film transistor. It also shows non-ideal changes in the device.
상기 결함은 실리콘 입자간의 공유 결합이 완전하게 형성되지 않았거나, 완전히 끊어져 있어서 소자의 작동 시 전자 이동도의 속도를 저하시키고, 소자의 신뢰성에도 치명적인 영향을 줄 수 있다. 즉, 결정화된 실리콘막의 표면에는 실리콘 결합이 끊어진 댕글링 결합(1)들이 많이 존재하여 그 상부에 직접적으로 게이트 절연막을 증착하게 되면, 실제 채널이 형성될 영역의 계면에서 트랩 부위가 다수 발생하게 되고, 전하들이 트랩에 의해 캡쳐되어 소자 특성과 신뢰성에 영향을 주는 것이다.The defects may not be completely formed or completely broken between the silicon particles, thereby reducing the speed of electron mobility during operation of the device, and may have a fatal effect on the reliability of the device. That is, when many
이와 같은 문제를 해결하기 위해 폴리 실리콘층에 이온주입을 실시하여 폴리 실리콘 그레인 간의 트랩 사이트를 감소시키는 기술을 한국 특허 제 223275호에 "반도체 소자의 폴리실리콘층 형성방법"으로 개시된 바가 있다. 그러나, 상기의 기술은 폴리 실리콘층 내부의 그레인 사이의 계면을 처리하기 위한 방법으로써, 폴리 실리콘막 표면에 존재하는 결함들을 제거하고, 게이트 절연막과의 계면 상에 발생하는 문제점을 해결하기는 어렵다.In order to solve such a problem, a technique for reducing trap sites between polysilicon grains by ion implantation into a polysilicon layer has been disclosed in Korean Patent No. 223275, "Method for Forming Polysilicon Layers of Semiconductor Devices." However, the above technique is a method for treating the interface between the grains in the polysilicon layer, and it is difficult to remove defects existing on the surface of the polysilicon film and to solve the problem occurring on the interface with the gate insulating film.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체층의 결정화된 실리콘의 결 함을 줄여 전기적 특성과 신뢰성에 안정을 주는 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a method of manufacturing a thin film transistor which reduces stability of crystallized silicon in a semiconductor layer and thus stabilizes electrical characteristics and reliability.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘막을 엑시머 레이저 결정화법으로 결정화하여 폴리 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 폴리 실리콘막을 650 내지 720 ℃, N2 분위기에서 열처리를 하는 단계; 및 상기 열처리 단계 이후 불순물 이온 도핑 공정을 시행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming an amorphous silicon film on a substrate; Crystallizing the amorphous silicon film by an excimer laser crystallization method to form a polysilicon film; Heat-treating the polysilicon film at 650 to 720 ° C. in an N 2 atmosphere; And performing an impurity ion doping process after the heat treatment step.
상기 비정질 실리콘막은 저압화학기상증착(LPCVD) 방법으로 형성할 수 있다.The amorphous silicon film may be formed by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD).
상기 비정질 실리콘막을 형성하기 전에 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.The method may further include forming a buffer layer on the substrate before forming the amorphous silicon film.
상기 버퍼층은 SiNx 또는 SiO2인 것이 바람직하다.The buffer layer is preferably SiN x or SiO 2 .
상기 결정화는 엑시머 레이저 결정화법(ELA)을 사용하여 수행하는 것이 바람직하다.The crystallization is preferably carried out using excimer laser crystallization (ELA).
상기 열처리는 급속열어닐링방법(rapid thermal annealing;RTA)으로 수행하는 것이 바람직하다.The heat treatment is preferably carried out by rapid thermal annealing (RTA).
상기 열처리는 650℃ 내지 720℃에서 시행하는 것이 바람직하다.The heat treatment is preferably carried out at 650 ℃ to 720 ℃.
또한 본 발명은 상기 제조 방법에 의하여 제조된 박막 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a flat panel display using a thin film transistor manufactured by the manufacturing method.
상기 평판 표시 장치는 유기 전계 발광 표시 장치 또는 액정 표시 장치인 평 판 표시 장치일 수 있다.The flat panel display may be a flat panel display that is an organic electroluminescent display or a liquid crystal display.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, lengths, thicknesses, and the like of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.2 to 4 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention.
도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 비정질 실리콘막(120)을 형성한다. 상기 비정질 실리콘막(120)을 형성하기 전에 상기 기판(100) 상에 버퍼층(110)을 형성할 수도 있다. 상기 버퍼층(110)은 기판의 불순물이 소자내로 침투하는 것을 방지하기 위한 층이며, 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)으로 형성하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 2, an
상기 버퍼층(110) 상에 비정질 실리콘막(120)을 형성한다. 상기 비정질 실리콘막(120)은 화학기상증착법(CVD)으로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 화학기상증착법은 저압화학기상증착법(LPCVD), 상압화학기상증착법(APCVD) 및 플라즈마화학기상증착법(PECVD)로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법을 사용할 수 있다. 바람직하게는 저압화학기상증착법(LPCVD)를 사용할 수 있다. 저압화학기상증착법으로 비정질 실리콘막을 형성할 경우, 막질의 상태가 균일하고 공정 산포가 줄어들어 결정화 공정 후 반도체층의 특성을 향상시킬 수 있다. 상기 비정질 실리콘막(120)을 결정화하여 폴리 실리콘막을 형성한다. 상기 결정화의 방법은 SPC, ELA, SLS, MILC, 및 MIC로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법을 사용하여 수행할 수 있다. 상기 결정화는 엑시머 레이저 결정화법(ELA)을 사용하는 것이 바람직하다.An
상기 결정화된 실리콘막을 질소(N2) 분위기로 열처리한다. 상기 열처리는 급속열어닐링방법(rapid thermal annealing; RTA)일 수 있다. 상기 열처리는 650℃ 내지 720℃에서 수행하는 것이 바람직하고, 또한 1분 내지 5분 동안 수행하는 것이 바람직하다. The crystallized silicon film is heat-treated in a nitrogen (N 2 ) atmosphere. The heat treatment may be rapid thermal annealing (RTA). The heat treatment is preferably carried out at 650 ℃ to 720 ℃, it is also preferably carried out for 1 to 5 minutes.
상기 열처리 과정으로 인해, 폴리 실리콘막 표면의 댕글링 본드는 질소와 결합이 되어, 고정 전하(fixed charge)를 감소시키고, 폴리 실리콘막 표면 및 그레인 경계면(grain boundary)은 큐어링(curing)된다. Due to the heat treatment process, the dangling bonds on the surface of the polysilicon film are combined with nitrogen to reduce the fixed charge, and the polysilicon film surface and the grain boundary are cured.
도 3을 참조하면, 상기 열처리된 폴리 실리콘막을 반도체층(120a)으로 패터닝하고, 게이트 절연막(130)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(130)은 통상적인 게이트 절연물질, 예를 들면 산화실리콘막(SiO2) 또는 질화실리콘막(SiNx)을 사용한다. Referring to FIG. 3, the heat treated polysilicon layer is patterned into a
상기 게이트 절연막(130) 상에 게이트 전극(140)을 형성한다. 상기 게이트 전극(140)은 기판 전체에 금속막을 형성하고, 하부의 반도체층(120a)에 부합하도록 패터닝하여 형성한다. 상기 패터닝 된 게이트 금속막(140)을 마스크로 사용하여 반 도체층(120a)에 이온 주입을 실시한다. 상기 이온 주입으로 인해 반도체층의 소스, 드레인 영역이 설정되고, 상기 소스, 드레인 영역의 설정으로 채널 영역이 정의된다.A
도 4를 참조하면, 상기 게이트 전극(140) 상에 층간 절연막(150)을 형성한다. 이후 상기 층간 절연막(150)과 게이트 절연막(130)을 관통하는 콘택홀(157)을 형성하여, 반도체층의 소스, 드레인 영역의 일부를 노출시킨다. 상기 콘택홀(157)을 채우고, 상기 노출된 소스, 드레인 영역과 콘택이 되도록 소스, 드레인 전극(163, 166)을 형성하여 박막 트랜지스터를 완성한다.Referring to FIG. 4, an
상기 박막트랜지스터는 폴리 실리콘막의 표면을 큐어링함으로써 반도체층의 표면을 처리하여 게이트 절연막과의 계면에서 일어나는 전하들의 트랩 현상을 방지할 수 있다. 상기와 같이 반도체층과 게이트 절연막 사이의 계면 특성이 향상되어, 안정적인 MOS 특성이 구현될 수 있으며, 그로 인해 소자의 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The thin film transistor may treat the surface of the semiconductor layer by curing the surface of the polysilicon layer to prevent trapping of charges occurring at an interface with the gate insulating layer. As described above, the interface characteristics between the semiconductor layer and the gate insulating layer may be improved, and thus, stable MOS characteristics may be realized, thereby improving electrical characteristics and reliability of the device.
상기의 제조 방법에 의하여 제조된 박막 트랜지스터는 평판 표시 장치에 사용할 수 있으며, 상기 평판 표시 장치는 유기 전계 발광 표시 장치 또는 액정 표시 장치인 평판 표시 장치인 것이 바람직하다.The thin film transistor manufactured by the above manufacturing method may be used in a flat panel display device, and the flat panel display device is preferably a flat panel display device which is an organic light emitting display device or a liquid crystal display device.
상기 평판 표시 장치에 본 발명에 따른 상기의 박막 트랜지스터를 사용할 경우, 소스, 드레인 전극이 형성된 기판 상에 전체에 걸쳐 보호막(170)을 형성한다. 그 후 보호막 하부의 소스 또는 드레인 전극(163, 166), 예를 들면 드레인 전극(166)과 보호막 상부의 화소 전극과 연결할 수 있도록 비아홀(177)을 형성한 다. 상기 비아홀(177)을 채우는 화소 전극(180)의 형성 후 화소 전극의 상부에는 평판 표시 장치의 단위 화소를 형성하여, 평판 표시 장치를 제조한다.When the thin film transistor according to the present invention is used in the flat panel display device, the
본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 고온의 질소 열처리로 인해 폴리 실리콘막과 게이트 절연막간의 경계면에 댕글링 본드가 줄어들어, 계면상에 고정 전하(fixed charge)가 줄어드는 효과가 있다. 따라서, 계면 특성이 향상되어 소자의 전기적 특성과 신뢰성을 개선시킬 수 있다.In the thin film transistor according to the present invention, the dangling bond is reduced at the interface between the polysilicon film and the gate insulating film due to the high temperature nitrogen heat treatment, thereby reducing the fixed charge on the interface. Therefore, the interfacial properties can be improved to improve the electrical properties and reliability of the device.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
Claims (9)
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