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JPWO2018020640A1 - 半導体装置 - Google Patents

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JPWO2018020640A1
JPWO2018020640A1 JP2018530284A JP2018530284A JPWO2018020640A1 JP WO2018020640 A1 JPWO2018020640 A1 JP WO2018020640A1 JP 2018530284 A JP2018530284 A JP 2018530284A JP 2018530284 A JP2018530284 A JP 2018530284A JP WO2018020640 A1 JPWO2018020640 A1 JP WO2018020640A1
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洋輔 中田
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太志 佐々木
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Abstract

電極基板（１）の上面に第１のはんだ（２）を介して半導体チップ（３）が接合されている。半導体チップ（３）の上面に第２のはんだ（４）を介してリードフレーム（５）が接合されている。電極基板（１）と半導体チップ（３）との間において第１のはんだ（２）中に中間板（６）が設けられている。中間板（６）の耐力は、半導体装置の使用温度範囲の全てにおいて電極基板（１）及び第１のはんだ（２）の耐力よりも大きい。

Description

本発明は、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、Ｄｉｏｄｅなどの電力用半導体装置に関する。
アルミ電極基板にはんだを介して半導体チップを接合し、半導体チップの上面にはんだを介して銅電極を接合した半導体装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
国際公開第２０１５／０２９１８６号
しかし、冷熱サイクル及びパワーサイクルの温度範囲、即ち半導体装置の使用温度範囲でアルミ電極基板とはんだとの耐力関係が逆転する点が存在する。このため、アルミ電極基板とはんだがそれぞれ変形し、元の位置に戻らなくなる。さらに変形量が蓄積して大きくなると、最終的に半導体チップが変形して信頼性が低下するという問題があった。特に、高温対応のＳｉＣチップなどでは、使用温度範囲が広く温度ストレスが厳しい。
例えば、半導体チップの上面をトランスファモールド樹脂で覆うことで、半導体チップの変形を抑制することができる。しかし、半導体チップの上面にはんだ接合する半導体装置では、半導体チップの上面が変形しやすいはんだで覆われるため、モールド樹脂による固定ができず半導体チップの変形を抑制し難いという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は冷熱サイクル及びパワーサイクルに対する信頼性を向上することができる半導体装置を得るものである。
本発明に係る半導体装置は、電極基板と、前記電極基板の上面に第１のはんだを介して接合された半導体チップと、前記半導体チップの上面に第２のはんだを介して接合されたリードフレームと、前記電極基板と前記半導体チップとの間において前記第１のはんだ中に設けられた中間板とを備え、前記中間板の耐力は、半導体装置の使用温度範囲の全てにおいて前記電極基板及び前記第１のはんだの耐力よりも大きいことを特徴とする。
本発明では電極基板と半導体チップとの間において第１のはんだ中に中間板を設けている。そして、中間板の耐力は、半導体装置の使用温度範囲の全てにおいて電極基板及び第１のはんだの耐力よりも大きい。これにより、冷熱サイクル及びパワーサイクルに対する信頼性を向上することができる。
実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。 電極基板と第１及び第２のはんだと中間板の耐力の温度依存性を示す図である。 実施の形態２に係る中間板を示す平面図である。 図３のＩ−ＩＩに沿った断面図である。 実施の形態３に係る半導体装置を示す断面図である。
本発明の実施の形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。本実施の形態に係る半導体装置は、例えば自動車動力用モータを駆動する電源に用いられる。電極基板１の上面に第１のはんだ２を介して半導体チップ３が接合されている。半導体チップ３の上面に第２のはんだ４を介してリードフレーム５が接合されている。
半導体チップ３は、例えばシリコンによって形成されたＩＧＢＴ又はＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング半導体素子、又はＤｉｏｄｅなどの還流用半導体素子である。半導体チップ３の厚みは、耐圧クラスに応じて最適化される。例えば、ハイブリッド自動車又は電機自動車に用いられることが多いリチウムイオンバッテリーの電圧を考慮すると、半導体チップ３の耐圧クラスは６００Ｖから８００Ｖが望ましい。電気的特性のうち、特にＤＣ損失を改善するためには、半導体チップ３の厚みは１００μｍ以下が望ましい。
電極基板１は、例えば絶縁基板上に圧延又は鋳造で板状に形成されている。なお、絶縁基板の下面には導体基板が設けられ、その導体基板には複数の冷却用突起が設けられている。導体基板と複数の冷却用突起に直接冷却水を当てることで、半導体チップ３から発生する熱を効率的に冷やすことができる。電極基板１、導体基板及び複数の冷却用突起は、アルミ鋳造で絶縁基板を鋳包むことで一体形成することができる。電極基板１等の主な材料はアルミである。これにより、電気的・熱的伝導性を維持しつつ、冷却水に対する耐蝕性を確保し、コスト及び重量を抑えることができる。また、熱伝導を改善するためには、９９％以上の高純度のアルミが望ましい。
第１及び第２のはんだ２，４は、例えばＳｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系、又はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだである。これにより、半導体チップ３をリードフレーム５又は電極基板１に還元雰囲気中で容易に電気的・熱的に接合することができる。そして、第１及び第２のはんだ２，４は、半導体チップ３の使用温度範囲２００℃以下においても、固相状態を保つことができる。
リードフレーム５の主な材料は例えば銅である。リードフレーム５は、例えばＣｕ材を圧延してＣｕ板材を形成した後、打ち抜き加工で任意の形状に加工される。リードフレーム５は第２のはんだ４と電気的に接続される。
なお、半導体チップ３の上面と下面にそれぞれＮｉを含む材料からなるはんだ接合用金属膜が電解めっき法、スパッタ、又は蒸着などの気相堆積法により形成されている。上面と下面のはんだ接合用金属膜はそれぞれ第１及び第２のはんだ２，４に電気的・熱的に接続される。
電極基板１と半導体チップ３との間において第１のはんだ２中に中間板６が設けられている。中間板６の主な材料は銅である。中間板６は、例えばＣｕ材を圧延してＣｕ板材を形成した後、打ち抜き加工で任意の形状に加工される。
電極基板１の上面、第１のはんだ２、半導体チップ３、第２のはんだ４、中間板６、リードフレーム５の一部は封止材７で覆われている。封止材７としてトランスファモールド樹脂又はポッティングレジンを用いることができる。封止材７が半導体チップ３に直接的に接している部分では半導体チップ３の変形を抑制することができる。
続いて、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。まず、電極基板１上に中間板６、第１のはんだ２、半導体チップ３を順番に積層する。次に、第１のはんだ２を還元雰囲気中で加熱して溶融させ、第１のはんだ２及び中間板６を介して半導体チップ３の下面を電極基板１の上面に電気的・熱的に接合させる。熱的な接合を最大限得るために、半導体チップ３の下面のほぼ全面を接合させることが望ましい。また、第１のはんだ２に空気が巻き込まれてボイドが発生するのを防止するため、減圧下で第１のはんだ２を溶融させた後に復圧することで、第１のはんだ２から空気を排出することが望ましい。中間板６と第１のはんだ２を積層する順番は逆でもよいが、半導体チップ３の直下に中間板６を配置する場合、中間板６の打ち抜き加工のかえりが第１のはんだ２側に向くように配置することで半導体チップ３が傷つくのを防止して歩留まりを向上することができる。
次に、リードフレーム５を半導体チップ３の上面に第２のはんだ４を用いて電気的に接続する。ここで、半導体チップ３の上面は熱的にリードフレーム５と接合する必要はない。また、半導体チップ３の端部とリードフレーム５との延面距離を確保する必要がある。そして、半導体チップ３の上面の信号端子と外部電極とを導体ワイヤなどを用いて接続する必要がある。そこで、リードフレーム５は半導体チップ３の上面に部分的に接合する。次に、電極基板１の上面、第１のはんだ２、半導体チップ３、第２のはんだ４、中間板６、リードフレーム５の少なくとも一部を封止材７で覆う。以上の工程により本実施の形態に係る半導体装置が製造される。
図２は、電極基板と第１及び第２のはんだと中間板の耐力の温度依存性を示す図である。ここで、耐力とは、０．２％耐力のことを示し、降伏現象を示さない多くの金属材料において除荷した時に０．２％の塑性ひずみを生じさせる応力のことである。電極基板１の耐力と第１及び第２のはんだ２，４の耐力の大小関係が半導体装置の使用温度範囲において逆転する点が存在する。従って、第１のはんだ２と電極基板１にそれぞれ異なる温度域で変形が発生する。例えば、第１のはんだ２が変形する時には電極基板１が変形し難く、電極基板１が変形する時には第１のはんだ２が変形し難い。このため、それぞれの材料は元の位置に戻らず変形量が蓄積され、冷熱サイクルが繰り返されることで、変形量が大きくなっていく。
そこで、本実施の形態では電極基板１と半導体チップ３との間において第１のはんだ２中に中間板６を設けている。そして、中間板６の耐力は、半導体装置の使用温度範囲の全てにおいて電極基板１及び第１のはんだ２の耐力よりも大きい。従って、電極基板１及び第１のはんだ２が冷熱サイクルで変形しても、中間板６は変形しないため、半導体チップ３の変形を抑制できる。特に、第２のはんだ４の直下は半導体チップ３が封止材７と直接的に接していないため、封止材７の固定力が及ばず冷熱サイクル及びパワーサイクルの応力で第２のはんだ４が変形したとき、拘束力を失い、変形しやすくなる。これに対して、半導体チップ３の下に変形し難い中間板６が設けられているため、半導体チップ３の変形を抑制することができる。この結果、冷熱サイクル及びパワーサイクルに対する信頼性を向上することができる。なお、本実施の形態では第１及び第２のはんだ２，４は同一の材料であるが、別の材料であっても上記の耐力関係を有していれば同様の効果が得られる。
また、シリコンカーバイドなどの高温対応半導体チップを用いる場合、使用温度範囲は高温側は２００℃まで拡大される。また、自動車用途では低温側は−５５℃まで拡大される。このため、電極基板１と第１のはんだ２の変形量は大きくなりやすく、中間板６によって半導体チップ３の変形を抑制する必要がある。
また、中間板６と第１のはんだ２の線膨脹係数が異なることに起因して冷熱サイクルによる応力が発生する。この応力は半導体チップ３の端部で最大となる。第１のはんだ２を中間板６で分断してしまうと、半導体チップ３の端部における、第１のはんだ２の厚みが薄くなり、応力が大きくなる。特に、中間板６が第１のはんだ２中で傾いた場合、第１のはんだ２の端部の厚みは部分的に更に薄くなり、顕著に応力が増加する。そこで、中間板６を半導体チップ３及び第１のはんだ２より小さくし、平面視において半導体チップ３及び第１のはんだ２の内側に配置する。これにより、第１のはんだ２に中間板６を完全に埋没させることができ、第１のはんだ２の端部で中間板６によって第１のはんだ２が分断されるのを防ぐことができる。この結果、冷熱サイクルに対する信頼性を更に向上することができる。
また、中間板６の端部を半導体チップ３の端部から内側に後退させ、第１のはんだ２から中間板６を露出させないようにする。具体的には、半導体チップ３の端部と中間板６の端部との間隔ｄ１が第１のはんだ２の厚みｔ１より大きくなるようにする。これにより、中間板６が第１のはんだ２中で傾いた場合も、半導体チップ３の端部で第１のはんだ２の厚みが薄くなることがなく、安定した信頼性を発揮することができる。
また、第２のはんだ４は、平面視において中間板６の内側に配置されている。パワーサイクルの応力により第２のはんだ４が変形すると、半導体チップ３が変形してしまう。そこで、中間板６により支持することで半導体チップ３の変形を抑えることができる。
実施の形態２．
図３は、実施の形態２に係る中間板を示す平面図である。図４は、図３のＩ−ＩＩに沿った断面図である。本実施の形態は、中間板６の構成以外は実施の形態１と同様である。
中間板６に、例えば打ち抜き加工により、複数の貫通孔８が設けられている。これにより、第１のはんだ２が貫通孔８を通って上下両面に濡れ広がることができるため、中間板６の上面側と下面側の両方に第１のはんだ２を置く必要が無い。従って、第１のはんだ２の部材点数と組み立て作業を削減でき、製造コストを低減することができる。
また、めっき膜９が中間板６の表面を覆っている。めっき膜９の主な材料はニッケルであり、めっき膜９は中間板６よりも第１のはんだ２に対する濡れ性が高い。これにより、はんだ濡れ性を向上することができるので、ボイド不良率を低減でき、製造ロスコストを低減することができる。
また、めっき膜９は貫通孔８を打ち抜き加工した後に形成されるため、複数の貫通孔８の側壁にも形成されている。これにより、第１のはんだ２が貫通孔８の側壁にも濡れ広がって貫通孔８の内側に充填されるため、ボイドの発生を抑制し、信頼性を向上することができる。
また、貫通孔８の大きさは５００μｍΦ以下であることが好ましい。複数の貫通孔８に空気を巻き込むと第１のはんだ２中にボイドが形成されるが、ボイド径が５００μｍ以下では熱的な悪影響が少なく、熱抵抗の悪化及び短絡耐量の低下は発生し難い。また、５００μｍΦを超える空気が複数の貫通孔８に巻き込まれた場合、第１のはんだ２の表面張力によって、空隙が複数の貫通孔８に細分化されるため、５００μｍΦを超えるボイドが発生し難く、製造歩留まりを向上することができる。
また、第１のはんだ２とめっき膜９との間で金属間化合物が形成される。この金属間化合物上で冷熱サイクルによりカーケンダルボイドが発生するため、はんだクラックに繋がることがある。従って、実施の形態１と同様に第１のはんだ２から中間板６を露出させないことが望ましい。
実施の形態３．
図５は、実施の形態３に係る半導体装置を示す断面図である。電極基板１と半導体チップ３の端部との間に、アルミワイヤなどにより複数のバンプ１０が設けられている。バンプによって半導体チップ３と電極基板１との距離を確保することができるため、半導体チップ３が傾いて実装されて第１のはんだ２が部分的に薄くなるのを防ぐことができる。
また、中間板６は、平面視において複数のバンプ１０の内側に配置されている。これにより、はんだ接合工程中の中間板６の動きがバンプ１０により制限されることで、中間板６が半導体チップ３より外側に流れて第１のはんだ２から露出するのを防止できる。
また、中間板６の厚みｔ２はバンプの高さｈ１より薄い。これにより、はんだ接合工程で、中間板６が溶融状態の第１のはんだ２中で傾いたとしても、バンプ１０により半導体チップ３の高さを維持することができる。
なお、実施の形態１〜３において、半導体チップ３の厚みが１００μｍ以下である場合、半導体チップ３の損失を低減することができるが、周辺部材の変形につられて半導体チップ３が変形し易くなる。このため、中間板６を設けて信頼性の低下を防ぐ必要性が高い。
また、中間板６の主な材料はモリブデンでもよい。この場合、例えばモリブデン材を圧延してモリブデン板材を形成した後、打ち抜き加工で任意の形状に加工することで中間板６が形成される。モリブデンを用いることで中間板６の線膨脹係数を半導体チップ３の主な材料であるシリコンに近づけることができるため、両者の熱膨張係数差により発生する応力を低減することができる。従って、熱サイクル又はパワーサイクルにより半導体チップ３に加わるストレスを更に軽減できるため、電気的・熱的伝導性を維持しつつ信頼性を更に向上することができる。
また、半導体チップ３に化合物半導体を用いることで高温まで使用することができる。特に主な材料としてカーボンを有するＳｉＣなどの化合物半導体を用いることで更に高温まで使用することができる。また、シリコンに比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体によって形成された半導体チップ３は、耐電圧性や許容電流密度が高いため、小型化できる。この小型化された半導体チップ３を用いることで、この半導体チップ３を組み込んだ半導体装置も小型化できる。また、半導体チップ３の耐熱性が高いため、ヒートシンクの放熱フィンを小型化でき、水冷部を空冷化できるので、半導体装置を更に小型化できる。また、半導体チップ３の電力損失が低く高効率であるため、半導体装置を高効率化できる。ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣの他にも、例えば窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドである。
１ 電極基板、２ 第１のはんだ、３ 半導体チップ、４ 第２のはんだ、５ リードフレーム、６ 中間板、９ めっき膜、８ 貫通孔、１０ バンプ

Claims (19)

  1. 電極基板と、
    前記電極基板の上面に第１のはんだを介して接合された半導体チップと、
    前記半導体チップの上面に第２のはんだを介して接合されたリードフレームと、
    前記電極基板と前記半導体チップとの間において前記第１のはんだ中に設けられた中間板とを備え、
    前記中間板の耐力は、半導体装置の使用温度範囲の全てにおいて前記電極基板及び前記第１のはんだの耐力よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記使用温度範囲は−５５℃から２００℃であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記中間板は、平面視において前記半導体チップ及び前記第１のはんだの内側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 前記半導体チップの端部と前記中間板の端部との間隔は、前記第１のはんだの厚みより大きいことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
  5. 前記第２のはんだは、平面視において前記中間板の内側に配置されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置。
  6. 前記中間板の表面を覆い、前記中間板よりも前記第１のはんだに対する濡れ性が高いめっき膜を更に備えることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置。
  7. 前記めっき膜の主な材料はニッケルであることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
  8. 前記中間板に複数の貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置。
  9. 前記中間板に複数の貫通孔が設けられ、
    前記めっき膜は前記複数の貫通孔の側壁にも形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置。
  10. 前記貫通孔の大きさは５００μｍΦ以下であることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置。
  11. 前記電極基板と前記半導体チップとの間に設けられた複数のバンプを更に備え、
    前記中間板は、平面視において前記複数のバンプの内側に配置されていることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の半導体装置。
  12. 前記中間板の厚みは前記複数のバンプの高さより薄いことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 前記半導体チップの厚みは１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の半導体装置。
  14. 前記電極基板の主な材料はアルミであることを特徴とする請求項１〜１３何れか１項に記載の半導体装置。
  15. 前記中間板の主な材料は銅であることを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の半導体装置。
  16. 前記中間板の主な材料はモリブデンであることを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の半導体装置。
  17. 前記半導体チップは化合物半導体を用いていることを特徴とする請求項１〜１６の何れか１項に記載の半導体装置。
  18. 前記化合物半導体の主な材料はカーボンを有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置。
  19. 自動車動力用モータを駆動する電源に用いられることを特徴とする請求項１〜１８の何れか１項に記載の半導体装置。
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