JPS6345258A - 光学活性6−置換−ピリジン−3−カルボン酸エステル化合物および液晶 - Google Patents
光学活性6−置換−ピリジン−3−カルボン酸エステル化合物および液晶Info
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- JPS6345258A JPS6345258A JP62100418A JP10041887A JPS6345258A JP S6345258 A JPS6345258 A JP S6345258A JP 62100418 A JP62100418 A JP 62100418A JP 10041887 A JP10041887 A JP 10041887A JP S6345258 A JPS6345258 A JP S6345258A
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- Pyridine Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な6−置換−ビリジン−3−カルボン酸エ
ステル化合物に関する。
ステル化合物に関する。
かかる6−置換−ビリジン−3−カルボン酸ニスチル化
合物は、液晶性化合物として有用である。
合物は、液晶性化合物として有用である。
液晶には、ネマチック液晶、スメクチック液晶、コレス
テリック液晶があるが、本発明の化合物はその内スメク
チック液晶、特に強訪電性を有し、表示素子材料として
有用なカイラルスメクチックC液晶である。
テリック液晶があるが、本発明の化合物はその内スメク
チック液晶、特に強訪電性を有し、表示素子材料として
有用なカイラルスメクチックC液晶である。
カイラルスメクチックC液晶は、ピッチ長きのかなり長
いらせん構造を有するが、そのらせん構造のピッチ長き
よりも短いセルギャップのセル中では、残留自発分極を
示し、外部電場に対して極めて早い速度(1〜100マ
イクロ秒)で応答し、かつメモリー性も示す(N、A、
C1arkらAppl、Phys、Lett、、36,
899(1980)参照)。
いらせん構造を有するが、そのらせん構造のピッチ長き
よりも短いセルギャップのセル中では、残留自発分極を
示し、外部電場に対して極めて早い速度(1〜100マ
イクロ秒)で応答し、かつメモリー性も示す(N、A、
C1arkらAppl、Phys、Lett、、36,
899(1980)参照)。
カイラルスメクチックC液晶の高速の光スイツチング現
象を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素
子に比べて、bかに高速応答性の液晶表示素子の製作が
可能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ること
ができる。
象を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素
子に比べて、bかに高速応答性の液晶表示素子の製作が
可能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ること
ができる。
このようなカイラルスメクチックC液晶としては、p−
デシルオキシベンジリデン−p”−アミノ−2−メチル
ブチルシンナメート(以下DOBAMBCと略称する)
が知られている(R,B。
デシルオキシベンジリデン−p”−アミノ−2−メチル
ブチルシンナメート(以下DOBAMBCと略称する)
が知られている(R,B。
Meyerら J、de Physique 3旦
、L−69(1975)参照)。
、L−69(1975)参照)。
ピリジン環を有する液晶は、従来ネマチック液晶材料と
していくつか報告されている(特開昭58−12127
2号公報、特開昭60−163864号公報、特開昭6
0−163865号公報など参照)が、スメクチック液
晶を示すものの例は少なく、スメクチックCと同定きれ
た化合物はほとんど知られていない。
していくつか報告されている(特開昭58−12127
2号公報、特開昭60−163864号公報、特開昭6
0−163865号公報など参照)が、スメクチック液
晶を示すものの例は少なく、スメクチックCと同定きれ
た化合物はほとんど知られていない。
しかしながら、DOBAMBCはシッフ塩基構造を持つ
ために、水分に対して不安定であり、また桂皮酸のエチ
レン構造が光に対して不安定であるという重大な欠点を
有する。 すなわち、耐候性が悪いため液晶として広範
に使用することができない。
ために、水分に対して不安定であり、また桂皮酸のエチ
レン構造が光に対して不安定であるという重大な欠点を
有する。 すなわち、耐候性が悪いため液晶として広範
に使用することができない。
〔問題を解決するための手段および作用〕本発明者らは
、耐候性に優れた新規なカイラルスメクチックC液晶性
を示す化合物を提供することを目的として、鋭意検討し
た結果、一般式(I)(式中、R1は炭素数2〜14の
アルキル基を示し、Rxは光学活性アルキル基を示す)
で表わされる、光学活性6−置換−ピリジン−3−カル
ボン酸エステル化合物を見い出し、ざらにかかる化合物
が、広い温度範囲において目的とするカイラルスメクチ
ックC液晶となることを見い出し、本発明に到達した。
、耐候性に優れた新規なカイラルスメクチックC液晶性
を示す化合物を提供することを目的として、鋭意検討し
た結果、一般式(I)(式中、R1は炭素数2〜14の
アルキル基を示し、Rxは光学活性アルキル基を示す)
で表わされる、光学活性6−置換−ピリジン−3−カル
ボン酸エステル化合物を見い出し、ざらにかかる化合物
が、広い温度範囲において目的とするカイラルスメクチ
ックC液晶となることを見い出し、本発明に到達した。
また、かかる化合物は他の液晶性化合物との相互溶解
性がよいため、液晶組成物の一成分として用いれば、液
晶組成物のカイラルスメクチックC相の液晶温度範囲の
拡張に効果的である。一般式(I)におけるR1は炭素
数2〜14のアルキル基である。また、一般式(I)に
おけるR2は光学活性アルキル基であり、好ましく使用
できるものとして光学活性2−メチルブチル基、2−メ
チルペンチル基、2−メチルヘキシル基、2−メチルへ
ブチル基、2−メチルオクチル基、1−メチルプロピル
基、1−メチルブチル基、1−メチルペンチル基、1−
メチルヘキシル基、1−メチルへブチル基、3−メチル
ペンチル基、3−メチルヘキシル基、3−メチルへブチ
ル基、5−メチルへブチル基などを例示することができ
、光学活性2−メチルブチル基の使用が特に好ましい。
性がよいため、液晶組成物の一成分として用いれば、液
晶組成物のカイラルスメクチックC相の液晶温度範囲の
拡張に効果的である。一般式(I)におけるR1は炭素
数2〜14のアルキル基である。また、一般式(I)に
おけるR2は光学活性アルキル基であり、好ましく使用
できるものとして光学活性2−メチルブチル基、2−メ
チルペンチル基、2−メチルヘキシル基、2−メチルへ
ブチル基、2−メチルオクチル基、1−メチルプロピル
基、1−メチルブチル基、1−メチルペンチル基、1−
メチルヘキシル基、1−メチルへブチル基、3−メチル
ペンチル基、3−メチルヘキシル基、3−メチルへブチ
ル基、5−メチルへブチル基などを例示することができ
、光学活性2−メチルブチル基の使用が特に好ましい。
また、一般式(I)におけるR2の光学活性アルキル基
は、炭素鎖中の炭素原子の一部が酸素原子で置換されて
いてもよい。 このような光学活性基で好ましく使用で
きるものとしては、2−メトキシプロピル基、2−エト
キシプロピル基、2−プロポキシプロビル基、2−ブト
キシプロピル基、2−ペンチロキシプロピル基、2−へ
キシロキシプロピル基等を挙げることがで伊る。
は、炭素鎖中の炭素原子の一部が酸素原子で置換されて
いてもよい。 このような光学活性基で好ましく使用で
きるものとしては、2−メトキシプロピル基、2−エト
キシプロピル基、2−プロポキシプロビル基、2−ブト
キシプロピル基、2−ペンチロキシプロピル基、2−へ
キシロキシプロピル基等を挙げることがで伊る。
本発明の一般式(I)の光学活性6−置換−ビリジン−
3−カルボン酸エステル化合物は、構造成分としてアゾ
メチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など水分や
光に対して不安定な官能基を持たず、安定なエステル基
およびエーテル基のみから成り立っているので、非常に
優れた耐候性を有すると共に、広い温度範囲でカイラル
スメクチックC液晶!晶となるので、実用性が貰い。
3−カルボン酸エステル化合物は、構造成分としてアゾ
メチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など水分や
光に対して不安定な官能基を持たず、安定なエステル基
およびエーテル基のみから成り立っているので、非常に
優れた耐候性を有すると共に、広い温度範囲でカイラル
スメクチックC液晶!晶となるので、実用性が貰い。
一般式(I)の光学活性6−置換−ビリジン−3−カル
ボン酸エステル化合物は、以下に述べる反応式に従って
合成することができる。
ボン酸エステル化合物は、以下に述べる反応式に従って
合成することができる。
5OC1z
リ
ーーーーー→ (I)
式(II)の化合物を過剰量の塩化チオニルと数時間加
熱還流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去で除去
して、対応する酸塩化物(IIを得る。 次に、酸塩化
物(111)をベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水
素溶媒に溶かし、ピリジン、トリエチルアミンなどの有
機塩基化合物の存在下で4′−ヒドロキシ−4−ビフェ
ニルカルボン酸光学活性アルキルエステル(IV)と室
温又は加熱条件下で数時間反応させることによって、一
般式(I)の化合物を合成する。 得られた粗製の化合
物(I)はカラムクロマトグラフィー、再結晶など常法
に従って精製する。
熱還流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去で除去
して、対応する酸塩化物(IIを得る。 次に、酸塩化
物(111)をベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水
素溶媒に溶かし、ピリジン、トリエチルアミンなどの有
機塩基化合物の存在下で4′−ヒドロキシ−4−ビフェ
ニルカルボン酸光学活性アルキルエステル(IV)と室
温又は加熱条件下で数時間反応させることによって、一
般式(I)の化合物を合成する。 得られた粗製の化合
物(I)はカラムクロマトグラフィー、再結晶など常法
に従って精製する。
式(n)の化合物は公知の方法(A、1.Pavluc
henko ら Mo1. Cryst。
henko ら Mo1. Cryst。
Liq、Cryst、37巻 1−4号 p、35 (
1976))により、無水の炭素数2〜14のアルコー
ルを金属ナトリウムと反応させて対応するアルコラード
とし、このアルコラードを6−クロルニコチン酸と反応
きせることにより合成できる。 また、6−ヒドロキシ
ニコチン酸のアルカリ金属塩をジメチルホルムアミドな
どの極性非プロトン溶媒中で炭素数2〜14のアルキル
ハライドと反応きせることによっても合成可能である。
1976))により、無水の炭素数2〜14のアルコー
ルを金属ナトリウムと反応させて対応するアルコラード
とし、このアルコラードを6−クロルニコチン酸と反応
きせることにより合成できる。 また、6−ヒドロキシ
ニコチン酸のアルカリ金属塩をジメチルホルムアミドな
どの極性非プロトン溶媒中で炭素数2〜14のアルキル
ハライドと反応きせることによっても合成可能である。
式(IV)の化合物は、4′−ヒドロキシビフェニル−
4−カルボン酸(V)を硫酸触媒の存在下、所定の光学
活性アルコールでエステル化する方法あるいはヒドロキ
シ基をベンジルエーテルとして保護した後、酸塩化物に
変換して所定の光学活性アルコールと反応させ、保護基
であるベンジルエーテルを水素化分解する方法などによ
って容易に合成することができる。
4−カルボン酸(V)を硫酸触媒の存在下、所定の光学
活性アルコールでエステル化する方法あるいはヒドロキ
シ基をベンジルエーテルとして保護した後、酸塩化物に
変換して所定の光学活性アルコールと反応させ、保護基
であるベンジルエーテルを水素化分解する方法などによ
って容易に合成することができる。
また、式(V)の化合物は公知の方法(G、W。
Gray、J、B、Hartley and Br
ynmor Jones、J、Chem、S。
ynmor Jones、J、Chem、S。
c、p、1412 (1955))により、下記の反応
式に従って合成することがで芳る。
式に従って合成することがで芳る。
すなわち、4−ヒドロキシビフェニルを二硫化炭素中熱
水塩化アルミニウムの存在下で塩化アセチルと反応きせ
ることにより、4′−ヒドロキシ−4−アセチルビフェ
ニル(■)を得、次いで次亜臭素酸ナトリウムでアセチ
ル基を酸化して、4′−ヒドロキシ−4−ビフェニルカ
ルボン酸(V)とする。 あるいは、4′−ヒドロキシ
−4−シアノビフェニルを常法に従ってアルカリで加水
分解することによって一段階で(v)を合成することも
できる。
水塩化アルミニウムの存在下で塩化アセチルと反応きせ
ることにより、4′−ヒドロキシ−4−アセチルビフェ
ニル(■)を得、次いで次亜臭素酸ナトリウムでアセチ
ル基を酸化して、4′−ヒドロキシ−4−ビフェニルカ
ルボン酸(V)とする。 あるいは、4′−ヒドロキシ
−4−シアノビフェニルを常法に従ってアルカリで加水
分解することによって一段階で(v)を合成することも
できる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
6−n−オクチロキシピリジン−3−カルボン酸 4−
−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル)−4−
ビフェニルエステル(一般式(I)においてRI=C1
1817、I’b= (S)−2−メチルブチル) 4′−ヒドロキシ−4−ビフェニルカルボン酸10.0
g (0,047モル)、(S) −2−メチルブチル
アルコール12.3g (0,140モル)、濃硫酸0
.45gおよびトルエン30m1の混合液を、副生水を
共沸除去しながら40時間加熱還流した。 冷却後エー
テル100m1を加えて生成エステルを抽出し、エーテ
ル層を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で2回洗浄した後
水洗して、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。 溶媒を減
圧留去して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーおよびn−ヘキサン/酢酸エチル混合溶
媒からの再結晶によって精製し、4″−ヒドロキシ−4
−ビフェニルカルボン酸(S)−2−メチルブチルエス
テル11.54g(収率87%)を得た。この化合物の
融点は116〜7℃であった。
−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル)−4−
ビフェニルエステル(一般式(I)においてRI=C1
1817、I’b= (S)−2−メチルブチル) 4′−ヒドロキシ−4−ビフェニルカルボン酸10.0
g (0,047モル)、(S) −2−メチルブチル
アルコール12.3g (0,140モル)、濃硫酸0
.45gおよびトルエン30m1の混合液を、副生水を
共沸除去しながら40時間加熱還流した。 冷却後エー
テル100m1を加えて生成エステルを抽出し、エーテ
ル層を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で2回洗浄した後
水洗して、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。 溶媒を減
圧留去して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーおよびn−ヘキサン/酢酸エチル混合溶
媒からの再結晶によって精製し、4″−ヒドロキシ−4
−ビフェニルカルボン酸(S)−2−メチルブチルエス
テル11.54g(収率87%)を得た。この化合物の
融点は116〜7℃であった。
n−オクチルアルコール125m1に金属ナトリウム1
.61g (0,07モル)を加えて攪拌溶解した後、
6−クロルニコチン酸5.0g (0゜032モル)を
添加し150℃で15時間加熱攪はんした。 得られた
固体状生成物を分離し、n−へキサン150m1で洗浄
後、酢酸50m1で再結晶精製して、6−n−才クチロ
キシニコチン酸6.3g (収*78%)を得た。 こ
の化合物の融点は90〜91℃であった。
.61g (0,07モル)を加えて攪拌溶解した後、
6−クロルニコチン酸5.0g (0゜032モル)を
添加し150℃で15時間加熱攪はんした。 得られた
固体状生成物を分離し、n−へキサン150m1で洗浄
後、酢酸50m1で再結晶精製して、6−n−才クチロ
キシニコチン酸6.3g (収*78%)を得た。 こ
の化合物の融点は90〜91℃であった。
この6−n−オクチロキシニコチン酸0.67、(2,
5ミリモル)を塩化チオニル6、ogに加え3時間加熱
還流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去した。
得られた粗製の酸塩化物をベンゼン10m1に加えて溶
解した後、4′−ヒドロキシ−4−ビフェニルカルボン
酸(S)2−メチルブチルエステル0.85g (3,
0ミリモル)、トリエチルアミン0.76g (7,5
ミリモル)の混合物に室温で加えて、3時間加熱還流し
た。 放冷後反応混合物をろ過し、ろ液を;頂次lN−
HCl、lN−NaOHおよび飽和食塩水で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。
5ミリモル)を塩化チオニル6、ogに加え3時間加熱
還流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去した。
得られた粗製の酸塩化物をベンゼン10m1に加えて溶
解した後、4′−ヒドロキシ−4−ビフェニルカルボン
酸(S)2−メチルブチルエステル0.85g (3,
0ミリモル)、トリエチルアミン0.76g (7,5
ミリモル)の混合物に室温で加えて、3時間加熱還流し
た。 放冷後反応混合物をろ過し、ろ液を;頂次lN−
HCl、lN−NaOHおよび飽和食塩水で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。
溶媒を減圧留去して得られた粗製物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーおよびエタノール/ベンゼン混合溶
媒からの再結晶によって精製した。
クロマトグラフィーおよびエタノール/ベンゼン混合溶
媒からの再結晶によって精製した。
得られた6−n−才クチロキシピリジン−3−カルボン
a 4−−((S)−2−メチルブチロキシカルボニ
ル)−4−ビフェニルエステルの収量は1.Logで収
″IK85%であった。
a 4−−((S)−2−メチルブチロキシカルボニ
ル)−4−ビフェニルエステルの収量は1.Logで収
″IK85%であった。
この化合物の赤外吸収スペクトルを第1図に示す。また
、”HNMRスペクトル(CDC1z、TMS内部標準
)のδ(ppm)は下記の通りであった。
、”HNMRスペクトル(CDC1z、TMS内部標準
)のδ(ppm)は下記の通りであった。
6.72〜9.00 (m、11H,ピリジン環および
ベンゼン環) 4.40 (t1J=6Hz、2H,0−Q上1−CH
z) 4.20 (d、J=6Hz、2H,O−Ωヨj−CH
) 0.7〜2.10 (m、28H) この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。 理論値(CizHzsNOsとし
て) C74,25% H7,59% N2.71
% 分析値 C74,2%H7,7% N 2.8%。
ベンゼン環) 4.40 (t1J=6Hz、2H,0−Q上1−CH
z) 4.20 (d、J=6Hz、2H,O−Ωヨj−CH
) 0.7〜2.10 (m、28H) この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。 理論値(CizHzsNOsとし
て) C74,25% H7,59% N2.71
% 分析値 C74,2%H7,7% N 2.8%。
以上の分析データにより、この化合物を6−n−オクチ
ロキシピリジン−3−カルボン酸 4′−((S)−2
−メチルブチロキシカルボニル)−4−ビフェニルエス
テルと同定した。
ロキシピリジン−3−カルボン酸 4′−((S)−2
−メチルブチロキシカルボニル)−4−ビフェニルエス
テルと同定した。
また、この化合物は、降温時において下記の液晶相転移
を示し、カイラルスメクチックC相を有していた。
を示し、カイラルスメクチックC相を有していた。
137” 90° 39″
■(液体)→S^→Sc”→C(結晶)この化合物を、
厚き2μmのポリエチレンテレフタレートフィルムをス
ペーサとし、IT○ガラスで構成したセルに封入し、温
度勾配法で配向させた。 TcT”10°において三角
波法(ビーク嶌ざ100V、5Hz)で自発分極を測定
したところ、Ps=3.5nC/am2とDOBAMB
Cと同程度の自発分極値を示した。
厚き2μmのポリエチレンテレフタレートフィルムをス
ペーサとし、IT○ガラスで構成したセルに封入し、温
度勾配法で配向させた。 TcT”10°において三角
波法(ビーク嶌ざ100V、5Hz)で自発分極を測定
したところ、Ps=3.5nC/am2とDOBAMB
Cと同程度の自発分極値を示した。
実施例2〜6
実施例1と同様に、6−n−オクチロキシニコチン酸を
種々の6−n−アルコキシニコチン酸に変更して、下記
の6−n−アルコキシピリジン−3−カルボン酸 4−
−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル)−4−
ビフェニルエステルを合成した。
種々の6−n−アルコキシニコチン酸に変更して、下記
の6−n−アルコキシピリジン−3−カルボン酸 4−
−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル)−4−
ビフェニルエステルを合成した。
実施例26−n−ベンチロキシピリジン−3−カルボン
酸 4−−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル
)−4−ビフェニルエステル(−投銭(I)においてR
r = Cs Hs s、Rz=(S)−2−メチルブ
チル) 実施例36−n−へキシロキシピリジン−3−カルボン
酸 4”−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル
)−4−ビフェニルエステル(−投銭(1) においr
R1=CsHtz、Rt =(S)−2−メチルブチル
) 実施例46−n−デシロキシピリジン−3−カルボン酸
4−−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル)
−4−ビフェニルエステル(−投銭(I) ニおイT
Rt = C1o Hx s、Rx=(S)−2−メチ
ルブチル) 実施例56−n−ドブシロキシビリジン−3−カルボン
酸 4−−((S) −2−メチルブチロキシカルボニ
ル)−4−ビフェニルエステル(−投銭(I) におい
rRt=CttHxsSR4=(S)−2−メチルブチ
ル) 実施例66−n−テトラデシロキシピリジン−3−カル
ボン酸 4−−((S) −2−メチルブチロキシカル
ボニル)−4−ビフェニルエステル(−投銭(I)eお
いTRx=csaHxs1Rz=(S)−2−メチルブ
チル) これらの化合物の同定は、赤外吸収スペクトル、’HN
MRスペクトル(CDC11+ TMS内部標準)およ
び元素分析によって行なった。
酸 4−−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル
)−4−ビフェニルエステル(−投銭(I)においてR
r = Cs Hs s、Rz=(S)−2−メチルブ
チル) 実施例36−n−へキシロキシピリジン−3−カルボン
酸 4”−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル
)−4−ビフェニルエステル(−投銭(1) においr
R1=CsHtz、Rt =(S)−2−メチルブチル
) 実施例46−n−デシロキシピリジン−3−カルボン酸
4−−((S)−2−メチルブチロキシカルボニル)
−4−ビフェニルエステル(−投銭(I) ニおイT
Rt = C1o Hx s、Rx=(S)−2−メチ
ルブチル) 実施例56−n−ドブシロキシビリジン−3−カルボン
酸 4−−((S) −2−メチルブチロキシカルボニ
ル)−4−ビフェニルエステル(−投銭(I) におい
rRt=CttHxsSR4=(S)−2−メチルブチ
ル) 実施例66−n−テトラデシロキシピリジン−3−カル
ボン酸 4−−((S) −2−メチルブチロキシカル
ボニル)−4−ビフェニルエステル(−投銭(I)eお
いTRx=csaHxs1Rz=(S)−2−メチルブ
チル) これらの化合物の同定は、赤外吸収スペクトル、’HN
MRスペクトル(CDC11+ TMS内部標準)およ
び元素分析によって行なった。
実施例2〜6の化合物の降温時の相転移測定の結果を、
実施例1の結果と共に第1表に示す。これらの化合物は
いずれもカイラルスメクチックC液晶相を有していた。
実施例1の結果と共に第1表に示す。これらの化合物は
いずれもカイラルスメクチックC液晶相を有していた。
(以下余白)
表1
実施例7
6−n−デシロキシピリジン−3−カルボン酸4−−(
(S)−1−メチルへブチロキシカルボニル)−4−ビ
フェニルエステル(−投銭(I)においてRs = C
s。H2□、Rz=(S) 1−メチルへブチル) (S)−2−メチルブチルアルコールの代わりに(S)
−1−メチルヘプチルアルコールを用いた他は、実施例
4と全く同様にして表題の化合物を合成した。 この化
合物の同定は、赤外吸収スペクトル、’HNMRスペク
トル(CDCl 1.7MS内部標準)および元素分析
によって行なった。
(S)−1−メチルへブチロキシカルボニル)−4−ビ
フェニルエステル(−投銭(I)においてRs = C
s。H2□、Rz=(S) 1−メチルへブチル) (S)−2−メチルブチルアルコールの代わりに(S)
−1−メチルヘプチルアルコールを用いた他は、実施例
4と全く同様にして表題の化合物を合成した。 この化
合物の同定は、赤外吸収スペクトル、’HNMRスペク
トル(CDCl 1.7MS内部標準)および元素分析
によって行なった。
この化合物は下記の液晶相転移を示し、モノトロピック
なカイラルスメクチックC相を有していた。
なカイラルスメクチックC相を有していた。
厘、p、77℃
実施例8
6−n−デシロキシピリジン−3−カルボン酸4′−(
(S)−2−エトキシプ口ボキシ力ルボニル)−4−ビ
フェニルエステル(一般式(I)においてRL=Cto
Hzx、R:= (S)−2−エトキシプロピル) 下記の方法で(S)−乳酸エチルエステルから合成した
(S)−2−エトキシ−1−プロパツールを用いて、実
施例4と同様にして衰運の化合物を合成した。 この化
合物の同定は、赤外吸収スペクトル、”HNMRスペク
トル(CDC13,TMS内部標準]および元素分析に
よって行なった。
(S)−2−エトキシプ口ボキシ力ルボニル)−4−ビ
フェニルエステル(一般式(I)においてRL=Cto
Hzx、R:= (S)−2−エトキシプロピル) 下記の方法で(S)−乳酸エチルエステルから合成した
(S)−2−エトキシ−1−プロパツールを用いて、実
施例4と同様にして衰運の化合物を合成した。 この化
合物の同定は、赤外吸収スペクトル、”HNMRスペク
トル(CDC13,TMS内部標準]および元素分析に
よって行なった。
この化合物は下記の液晶相転移を示した。
129” 76@
IC??Ii体)→SA−+C(結晶) m、 p、
92℃なお、(S)−2−エトキシ−1−プロパツール
の合成は下記の方法で行った。
92℃なお、(S)−2−エトキシ−1−プロパツール
の合成は下記の方法で行った。
(S)−乳酸エチルエステル20g (0,17モル)
とヨウ化エチル53g (0,34モル)の混合物に酸
化銀39.4g (0,17モル)を添加して、室温で
3日間攪拌した。 酸化銀をろ別し、ろ液を濃縮して得
られた残さ20.8gを、窒素置換したフラスコ中の水
素化リチウムアルミニウム3.24g(0,085モル
)と乾燥ニーチル150m1の混合物に20分間かけて
滴下した。
とヨウ化エチル53g (0,34モル)の混合物に酸
化銀39.4g (0,17モル)を添加して、室温で
3日間攪拌した。 酸化銀をろ別し、ろ液を濃縮して得
られた残さ20.8gを、窒素置換したフラスコ中の水
素化リチウムアルミニウム3.24g(0,085モル
)と乾燥ニーチル150m1の混合物に20分間かけて
滴下した。
室温で1時間攪拌を続けた後、水3.2ml、15%水
酸化ナトリウム水溶?!3.2ml、水9゜6mlを順
次滴下し、30分間攪拌した。 生成した酸化アルミニ
ウムをろ別した後、ろ液を濃縮し蒸留することによって
、 (S)−2−エトキシ−1−プロパツール(90℃
/130mmHg)9.2gを得た。
酸化ナトリウム水溶?!3.2ml、水9゜6mlを順
次滴下し、30分間攪拌した。 生成した酸化アルミニ
ウムをろ別した後、ろ液を濃縮し蒸留することによって
、 (S)−2−エトキシ−1−プロパツール(90℃
/130mmHg)9.2gを得た。
実施例9
(液晶組成物)
実施例3の6−n−へキシロキシピリジン−3−カルボ
ン酸 4=−(’(S)−2−メチルブチロキシカルボ
ニル)−4−ビフェニルエステル(一般式(I)におい
てRI= Cg H□1+ Rx=(S)−2−メチル
ブチル)と下記構造式(■)の6−(4−−n−ヘキサ
デシロキシベンゾイルオキシ)ピリジン−3−カルボン
酸 (S) −2−メチルブチルエステルを等モル量混
合して液晶組成物を調製した。
ン酸 4=−(’(S)−2−メチルブチロキシカルボ
ニル)−4−ビフェニルエステル(一般式(I)におい
てRI= Cg H□1+ Rx=(S)−2−メチル
ブチル)と下記構造式(■)の6−(4−−n−ヘキサ
デシロキシベンゾイルオキシ)ピリジン−3−カルボン
酸 (S) −2−メチルブチルエステルを等モル量混
合して液晶組成物を調製した。
この液晶組成物の降温時の相転移温度は下記の通りであ
り、室温付近の広い温度範囲でカイラルスメクチックC
相を有していた。
り、室温付近の広い温度範囲でカイラルスメクチックC
相を有していた。
87@40° θ″
I (Fi体)→SA−−→Sc”−→C(結晶)なお
、化合物(■)単独の降温時の相転移温度は下記の通り
である。
、化合物(■)単独の降温時の相転移温度は下記の通り
である。
本発明によれば、新規なピリジン化合物を提供できる。
また、本発明の化合物は水分や光に対して安定であり、
優れた耐候性を有すると共に広い温度範囲でカイラルス
メクチックC液晶となる。
優れた耐候性を有すると共に広い温度範囲でカイラルス
メクチックC液晶となる。
第1図は本発明の化合物の一つである6−n−オクチロ
キシピリジン−3−カルボン酸 4′−((S)−2−
メチルブチロキシカルボニル)−4−ビフェニルエステ
ルの赤外吸収スペクトルのチャートである。 特許出願大東し株式会社
キシピリジン−3−カルボン酸 4′−((S)−2−
メチルブチロキシカルボニル)−4−ビフェニルエステ
ルの赤外吸収スペクトルのチャートである。 特許出願大東し株式会社
Claims (3)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数2〜14のアルキル基を示し、
R_2は光学活性アルキル基を示す)で表わされる、光
学活性6−置換−ピリジン−3−カルボン酸エステル化
合物。 - (2)一般式( I )のR_2が光学活性な2−メチル
ブチル基である特許請求の範囲第1項記載の光学活性6
−置換−ピリジン−3−カルボン酸エステル化合物。 - (3)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数2〜14のアルキル基を示し、
R_2は光学活性アルキル基を示す)で表わされる、光
学活性6−置換−ピリジン−3−カルボン酸エステル化
合物からなる液晶。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-95076 | 1986-04-24 | ||
JP9507686 | 1986-04-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6345258A true JPS6345258A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=14127876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62100418A Pending JPS6345258A (ja) | 1986-04-24 | 1987-04-23 | 光学活性6−置換−ピリジン−3−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6345258A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0256466A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学活性化合物及びその用途 |
US5075030A (en) * | 1989-07-31 | 1991-12-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal composition and liquid crystal device using same |
US5076961A (en) * | 1989-07-10 | 1991-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same |
US5091109A (en) * | 1989-08-25 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same |
US5200109A (en) * | 1989-09-22 | 1993-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP62100418A patent/JPS6345258A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0256466A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学活性化合物及びその用途 |
US5076961A (en) * | 1989-07-10 | 1991-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same |
US5075030A (en) * | 1989-07-31 | 1991-12-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal composition and liquid crystal device using same |
US5091109A (en) * | 1989-08-25 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same |
US5200109A (en) * | 1989-09-22 | 1993-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same and liquid crystal device using same |
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