JPS63259904A - 複合誘電体 - Google Patents
複合誘電体Info
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- JPS63259904A JPS63259904A JP9461287A JP9461287A JPS63259904A JP S63259904 A JPS63259904 A JP S63259904A JP 9461287 A JP9461287 A JP 9461287A JP 9461287 A JP9461287 A JP 9461287A JP S63259904 A JPS63259904 A JP S63259904A
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明はシリコンゴム中に、ＢａＯｅ Ｔｉ０ｚ系等の
誘電セラミック粉末を分散せしめてなる複合誘電体に関
し、特にマイクロ波集積回路基板や高周波用コンデンサ
等のように高周波領域で使用される各種誘電体製品に利
用することのできる複合誘電体に関する。
誘電セラミック粉末を分散せしめてなる複合誘電体に関
し、特にマイクロ波集積回路基板や高周波用コンデンサ
等のように高周波領域で使用される各種誘電体製品に利
用することのできる複合誘電体に関する。
「従来技術とその問題点」
従来よりマイクロ波集積回路基板等にはチタン酸バリウ
ム、チタン酸マグネシウ゛ム等のセラミック焼結体が使
用されている。かかるセラミック焼結体は高周波領域に
おける誘電特性が良好な同面、硬く脆いためトリμ、カ
ッター等によシ任意の形状に機械加工することが困難で
、しかも欠けや割れを生じ易い欠点があり九。
ム、チタン酸マグネシウ゛ム等のセラミック焼結体が使
用されている。かかるセラミック焼結体は高周波領域に
おける誘電特性が良好な同面、硬く脆いためトリμ、カ
ッター等によシ任意の形状に機械加工することが困難で
、しかも欠けや割れを生じ易い欠点があり九。
一方、樹脂、ゴムなどの有機材料は柔軟で加工性に富む
ため前記セラミック焼結体のような欠点はないが、誘電
率や誘電損失が著しく低いので高周波用誘電体製品には
不適とされていた。
ため前記セラミック焼結体のような欠点はないが、誘電
率や誘電損失が著しく低いので高周波用誘電体製品には
不適とされていた。
そこでＶ機材料のもつ優れた柔軟性、加工性と、誘電セ
ラミックのもつ優れた誘電特性とを組合わせることが考
えられる。
ラミックのもつ優れた誘電特性とを組合わせることが考
えられる。
従って本発明は柔軟で加工性が良く、かつ誘電特性の向
上を図った高周波用複合誘電体を提供することを目的と
する。
上を図った高周波用複合誘電体を提供することを目的と
する。
「問題点を解決するための手段」
本発明者等は上記目的を達成するため鋭意検討の結果、
有機材料として高い柔軟性、加工性を有するシリコンゴ
ムを選択し、このシリコンゴム単味では満足すべき誘′
ｒＬ％性を示さないがこれにＢａＯ−Ｔｉ０ｚ系等のよ
うに高周波領域において誘電率が１０以上、誘電損失が
１％以下と小さい誘電セラミック粉末を容積比で２０〜
８０：８０〜２０の割合で含有させることによって、シ
リコンゴムのもつ柔軟性、加工性を維持した状態で誘電
特性を著しく向上し得ることを見出し九ものである。こ
こでシリコンゴムに対する誘電セラミック粉末の含有量
を２０〜８０容積チに限定したのは、２０容積％以下で
は誘電特性の同上を充分図ることができず、また８０容
積％を越えるとシリコンゴム特有の柔軟性、加工性がな
くなるからである。
有機材料として高い柔軟性、加工性を有するシリコンゴ
ムを選択し、このシリコンゴム単味では満足すべき誘′
ｒＬ％性を示さないがこれにＢａＯ−Ｔｉ０ｚ系等のよ
うに高周波領域において誘電率が１０以上、誘電損失が
１％以下と小さい誘電セラミック粉末を容積比で２０〜
８０：８０〜２０の割合で含有させることによって、シ
リコンゴムのもつ柔軟性、加工性を維持した状態で誘電
特性を著しく向上し得ることを見出し九ものである。こ
こでシリコンゴムに対する誘電セラミック粉末の含有量
を２０〜８０容積チに限定したのは、２０容積％以下で
は誘電特性の同上を充分図ることができず、また８０容
積％を越えるとシリコンゴム特有の柔軟性、加工性がな
くなるからである。
なお、シリコンゴムに混合する誘電セフミック粉末とし
て上側のＢａＯ−Ｔｉ０ｚ系の他ＢａＴｉ４０ｓ ＋Ｂ
ａＴｉｅＯｚｏあるいはＢａＯ−Ｔｉ０ｚ −ＳｍｚＯ
ａ ｌ ＢａＯ−Ｔ ｉＯｚ −ＮｄｚＯｓ −ＰｂＯ
等のＢａＯ−Ｔｉ０１−希土類系更にはＢａＴｉ４０ｓ
ＭｇＴｉ Ｏｓ 、 Ｂａ（Ｔａ 、Ｚｎ）Ｏｓ等の
ベログヌカイト系等のセフミック粉末も有効である。
て上側のＢａＯ−Ｔｉ０ｚ系の他ＢａＴｉ４０ｓ ＋Ｂ
ａＴｉｅＯｚｏあるいはＢａＯ−Ｔｉ０ｚ −ＳｍｚＯ
ａ ｌ ＢａＯ−Ｔ ｉＯｚ −ＮｄｚＯｓ −ＰｂＯ
等のＢａＯ−Ｔｉ０１−希土類系更にはＢａＴｉ４０ｓ
ＭｇＴｉ Ｏｓ 、 Ｂａ（Ｔａ 、Ｚｎ）Ｏｓ等の
ベログヌカイト系等のセフミック粉末も有効である。
以下本発明を実施例に基づいて説明する。
「実施例」
誘電セラミック粉末として下記に示す組成と性状を有す
るものを準備した。
るものを準備した。
（４’ＢａＯ： １０．２５モ／Ｌ／％、Ｔｉ０ｚ ：
６６．７５モ／Ｌ／％、ＰｂＯ：８モ／ｌ／％、 Ｎ
ｄｚＯｓ ： １５モ／ｌ／％、平均粒径：５μｍ以下
、誘電率（２，８ＧＨｚ ） ：９０〜９３、誘電損失
（２，８ＧＨｚ ） ： ０．０４８％（ｃ’）ＢａＴ
ｉ４０ｓ ： ２ ０．９ モ ル チ 、
ＺｎＯ：２９ モ 、ル′ チ 、ＷＯ３： ７．２
七ｙ％、ＴａｚＯａ ： ５８ モＩｖ％、Ｍｎ０ｚ
： ２．９ 七Ｎ％、平均粒径：５μｍ以下、誘電率（
８ＧＨｚ）：３２〜８５、誘ｔＬ損失（８ＧＨｚ）：０
．０１８％ 次に上記誘電セラミック粉末（イ）（ロ）と、下記のシ
リコンゴム原料とを下記の割合で配合し小型ロール機で
混練して均一なゴムラテックスを得た。
６６．７５モ／Ｌ／％、ＰｂＯ：８モ／ｌ／％、 Ｎ
ｄｚＯｓ ： １５モ／ｌ／％、平均粒径：５μｍ以下
、誘電率（２，８ＧＨｚ ） ：９０〜９３、誘電損失
（２，８ＧＨｚ ） ： ０．０４８％（ｃ’）ＢａＴ
ｉ４０ｓ ： ２ ０．９ モ ル チ 、
ＺｎＯ：２９ モ 、ル′ チ 、ＷＯ３： ７．２
七ｙ％、ＴａｚＯａ ： ５８ モＩｖ％、Ｍｎ０ｚ
： ２．９ 七Ｎ％、平均粒径：５μｍ以下、誘電率（
８ＧＨｚ）：３２〜８５、誘ｔＬ損失（８ＧＨｚ）：０
．０１８％ 次に上記誘電セラミック粉末（イ）（ロ）と、下記のシ
リコンゴム原料とを下記の割合で配合し小型ロール機で
混練して均一なゴムラテックスを得た。
誘電セラミック粉末Ｕ）（ロ）＝９０〜１０容積チ続い
て得られ九ゴムラテックスを、温度１７０°Ｃ１圧力２
００Ｋｔ／ｄ、時間１５分の条件で架橋し、長さ７０
ｍ Ｘ巾８０ｗＸ厚み２１ｊＥＩ＋のシート状に成形し
、その表裏面に銀ペーストの電極を塗着形成して複合誘
電体基板を得た。
て得られ九ゴムラテックスを、温度１７０°Ｃ１圧力２
００Ｋｔ／ｄ、時間１５分の条件で架橋し、長さ７０
ｍ Ｘ巾８０ｗＸ厚み２１ｊＥＩ＋のシート状に成形し
、その表裏面に銀ペーストの電極を塗着形成して複合誘
電体基板を得た。
得られた誘電体基板についてシｌアＡ硬度と誘′亀特性
について測定結果を第１表及び第２表に示す。
について測定結果を第１表及び第２表に示す。
なお、シ目アＡ硬度の測定はＡＳＴＭ規格Ｄ２２４０の
下に行ない、誘電特性の測定はＬＦインビーダンヌアナ
ライザーによシ周波ａ１０ＭＨｚの灸件で行なった。
下に行ない、誘電特性の測定はＬＦインビーダンヌアナ
ライザーによシ周波ａ１０ＭＨｚの灸件で行なった。
第１．２表より・明らかなようにシリコンゴム２０〜８
０容積チと残り誘電セラミック粉末よりなる本発明の複
合誘′［株］体は、シリコンゴム単味もしくは８０容積
−以上のものに比し誘電特性が良好となることが認めら
れた。また、同表から本発明の複合誘電体は高い柔軟性
と加工性を維持するためショアＡ硬度で４３〜９８の範
囲を示すことが認められた。
０容積チと残り誘電セラミック粉末よりなる本発明の複
合誘′［株］体は、シリコンゴム単味もしくは８０容積
−以上のものに比し誘電特性が良好となることが認めら
れた。また、同表から本発明の複合誘電体は高い柔軟性
と加工性を維持するためショアＡ硬度で４３〜９８の範
囲を示すことが認められた。
更に本発明の複合誘電体は、フッ素ゴムやクロログレン
ゴムを主体とするものよりも誘電損失が良好であること
が認められた。これはシリコンゴムの方がフッ素ゴムや
クロロプレンゴムよシも誘電損失が小さいことに起因す
ると見られる。
ゴムを主体とするものよりも誘電損失が良好であること
が認められた。これはシリコンゴムの方がフッ素ゴムや
クロロプレンゴムよシも誘電損失が小さいことに起因す
ると見られる。
「本発明の効果」
以上の通り本発明の複合誘電体は、高い柔軟性、加工性
を有するのでドリル、カッター等の機械加工により任意
の形状のものを欠けや割れを発生することなく安価かつ
容易に製造できる。
を有するのでドリル、カッター等の機械加工により任意
の形状のものを欠けや割れを発生することなく安価かつ
容易に製造できる。
ｔた、高周波領域の誘電特性も優れるので誘電体回路基
板や高容量コンデンサ等に適用して多大の利益を期待し
得る。
板や高容量コンデンサ等に適用して多大の利益を期待し
得る。
＝
と
ｎ。
手続補正書（自発）
昭和６２年５月１３日
特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 ツ［；′ｌ
。
。
１、事件の表示
昭和６２年４月１７日付出願の特許願（２）２、発明の
表示 複合誘電体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （住所） ◎ ４６７−９１ 名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号 ４、補正の対象 明細書全文。
表示 複合誘電体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （住所） ◎ ４６７−９１ 名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号 ４、補正の対象 明細書全文。
５、補正の内容
明 Ｓ 書１、発明の名称
複合−電体
２、特許請求の範囲
シリコンゴム２０〜８０容積チとｕｌＦＬセラミック粉
末８０〜２０容積％よりなることを特徴とする複合誘電
体。
末８０〜２０容積％よりなることを特徴とする複合誘電
体。
３、発明の詳細な説明
「産業上の利用分野」
本発明はシリコンゴム中に、ＢａＯ−Ｔｉ１ｔ系等の誘
電セフミック粉末を分散せしめてなる複合誘電体に関し
、特にマイクロ波集槓回路基板や高周波用コンデンサ等
のように南周波領域で使用される各ｍ誘電体製品に利用
することのできる複合に！ｊ誘電体関する。
電セフミック粉末を分散せしめてなる複合誘電体に関し
、特にマイクロ波集槓回路基板や高周波用コンデンサ等
のように南周波領域で使用される各ｍ誘電体製品に利用
することのできる複合に！ｊ誘電体関する。
「従来技術とその問題点」
従来よりマイクロ波集槓回路基敬等にはチタン酸バリウ
ム、チタン酸マグネシウム等のセラミック焼結体が使用
されている。かかるセラミック焼結体は＾周波領域にお
けるａ寛特性が良好な同面、硬く脆いためドリル、カッ
ター等により任意の形状に機械加工することが困難で、
しかも欠けや割れを生じ易い欠点がありた。
ム、チタン酸マグネシウム等のセラミック焼結体が使用
されている。かかるセラミック焼結体は＾周波領域にお
けるａ寛特性が良好な同面、硬く脆いためドリル、カッ
ター等により任意の形状に機械加工することが困難で、
しかも欠けや割れを生じ易い欠点がありた。
一方、樹脂、ゴムなどの有機材料は柔軟で加工性に富む
丸め前記セラミック焼結体のような欠点はないが、誘１
！率やｆＩｊ１１Ｌ損失が者しく低いので高周波用誘電
体製品には不適とされていた。
丸め前記セラミック焼結体のような欠点はないが、誘１
！率やｆＩｊ１１Ｌ損失が者しく低いので高周波用誘電
体製品には不適とされていた。
そこで有機材料のもつ優れた柔軟性、加工性と、誘電セ
ラミックのもつ浚れた誘電特性とを組合わせることが考
えられる。
ラミックのもつ浚れた誘電特性とを組合わせることが考
えられる。
従りて本発明は柔軟で加工性が良く、かつ誘電特性の同
上を図った高周波用複合Ｓｍ体を提供することを目的と
する。
上を図った高周波用複合Ｓｍ体を提供することを目的と
する。
「問題点を解決するための手段」
本発明者等は上記目的を達成するため鋭意検討の結果、
有機材料として隔い柔軟性、加工性を有するシリコンゴ
ムを選択し、このシリコンゴム単味では満足すべき誘１
を特性を示さないがこれにＢａＯ−ＴｉＯｘ系等のよう
に高周波領域において誘電率が１０以上、１ｗＬ損失が
１％以下と小さい誘電セフミツ°り粉末を容積比で２０
〜８０：８０〜２０の割合で含有させることによって、
シリコンゴムのもつ柔軟性、加工性を維持し九状態で誘
電特性ｆ：者しく向上し得ることを見出したものである
。ここでシリコンゴムに対する誘電セラミック粉末の含
有量を２０〜８０谷槓チに限定したのは、２０容積％以
下では誘１！％性の同上を充分図ることができず、また
８０容槓％を越えるとシリコンゴム特有の柔軟性、加工
性がなくなるからである。
有機材料として隔い柔軟性、加工性を有するシリコンゴ
ムを選択し、このシリコンゴム単味では満足すべき誘１
を特性を示さないがこれにＢａＯ−ＴｉＯｘ系等のよう
に高周波領域において誘電率が１０以上、１ｗＬ損失が
１％以下と小さい誘電セフミツ°り粉末を容積比で２０
〜８０：８０〜２０の割合で含有させることによって、
シリコンゴムのもつ柔軟性、加工性を維持し九状態で誘
電特性ｆ：者しく向上し得ることを見出したものである
。ここでシリコンゴムに対する誘電セラミック粉末の含
有量を２０〜８０谷槓チに限定したのは、２０容積％以
下では誘１！％性の同上を充分図ることができず、また
８０容槓％を越えるとシリコンゴム特有の柔軟性、加工
性がなくなるからである。
なお、シリコンゴムに混合するｖｊ電セフミック粉末と
して上側のＢａＯ−Ｔｉ０ｚ糸の他ＢａＴｉ＊Ｏｓ ＋
ＢａＴｉ＊ＯｎｏあるいはＢａＯ−ＴｉＯｘ−ＳｍｚＯ
ｓ ＊ ＢａＯ−Ｔｌ（ｈ −ＮｄｘＯｓ −ＰｂＯ等
のＢａＯ−Ｔｉｅｓ−布土類系更にはＢ ａＴ ｉ Ｏ
ｓ ＊ ＭｇＴ ｉ Ｏｓ ＋ Ｂａ （Ｔａ ＋ Ｚ
ｎ ） Ｏｎ等のペロプスカイト系等のセフミック粉
末も有効である。
して上側のＢａＯ−Ｔｉ０ｚ糸の他ＢａＴｉ＊Ｏｓ ＋
ＢａＴｉ＊ＯｎｏあるいはＢａＯ−ＴｉＯｘ−ＳｍｚＯ
ｓ ＊ ＢａＯ−Ｔｌ（ｈ −ＮｄｘＯｓ −ＰｂＯ等
のＢａＯ−Ｔｉｅｓ−布土類系更にはＢ ａＴ ｉ Ｏ
ｓ ＊ ＭｇＴ ｉ Ｏｓ ＋ Ｂａ （Ｔａ ＋ Ｚ
ｎ ） Ｏｎ等のペロプスカイト系等のセフミック粉
末も有効である。
以下本発明を実施例に基づいて説明する。
「実施例」
誘電セラミック粉末として下記に示す組成と性状を有す
るもの１準備し次。
るもの１準備し次。
ＫＢａＯ： １０，２５−ｅ＃％、Ｔｉ１ｔ ： ６６
．？ ５ モ／Ｌ’ ％、ＰｂＯ： ８ モｌｖ％、
ＮｄｘＯｓ ： １５ ’ｔ−Ａ／％、平均粒径：５
μｍ以下、誘電率（２，８ＧＨｚ ） ：９０〜９Ｂ、
＆ｌＩ！損失（２，８ＧＨｚ ） ： ０．０４８％（
ロ）ＢａＴｉ４０ｍ ： ２０．９モＩｖ％、ＺｎＯ：
２９モ／Ｌ／％、ＷＯｓ ： ７．２モ／’ ｑｂｓ
ＴｉｚＯａ ： ５８モＡ／％、ＭｎＯｘ ： ２．９
モ／ｌ／％、平均粒径：５μｍ以下、誘電率（８ＧＨｚ
） ： ３２〜８５、ｖｇ’Ｍ１．損失（８ＧＨｚ）：
０．０１８％ 次に上記誘電セラミック粉末（イ）（ロ）と、下記のシ
リコンゴム原料とを下記の割合で配合し小型ローμ機で
混練して均一なゴムツテックスを得た。
．？ ５ モ／Ｌ’ ％、ＰｂＯ： ８ モｌｖ％、
ＮｄｘＯｓ ： １５ ’ｔ−Ａ／％、平均粒径：５
μｍ以下、誘電率（２，８ＧＨｚ ） ：９０〜９Ｂ、
＆ｌＩ！損失（２，８ＧＨｚ ） ： ０．０４８％（
ロ）ＢａＴｉ４０ｍ ： ２０．９モＩｖ％、ＺｎＯ：
２９モ／Ｌ／％、ＷＯｓ ： ７．２モ／’ ｑｂｓ
ＴｉｚＯａ ： ５８モＡ／％、ＭｎＯｘ ： ２．９
モ／ｌ／％、平均粒径：５μｍ以下、誘電率（８ＧＨｚ
） ： ３２〜８５、ｖｇ’Ｍ１．損失（８ＧＨｚ）：
０．０１８％ 次に上記誘電セラミック粉末（イ）（ロ）と、下記のシ
リコンゴム原料とを下記の割合で配合し小型ローμ機で
混練して均一なゴムツテックスを得た。
誘電セフミック粉末（イ）（ロ）、：９０〜１０容積％
絖いて得られたゴムラテックスを、温度１７０°Ｃ１圧
力２００Ｋｔ／ｄ１時間１５分の条件で架橋し、長さ７
０ ｍ Ｘ巾３０ ｍ Ｘ厚み２電のシート状に成形し
、その表裏面に銀ペーストの電極を塗層形成して複合訪
電体基板を得た。
絖いて得られたゴムラテックスを、温度１７０°Ｃ１圧
力２００Ｋｔ／ｄ１時間１５分の条件で架橋し、長さ７
０ ｍ Ｘ巾３０ ｍ Ｘ厚み２電のシート状に成形し
、その表裏面に銀ペーストの電極を塗層形成して複合訪
電体基板を得た。
得られ九誘電体基板についてシ１７Ａ硬度と誘電特性に
ついて測定結果を第１表及び第２我に示す。
ついて測定結果を第１表及び第２我に示す。
なお、ショアＡ（１度の６１１１定はＡＳＴＭ規格Ｄ２
２４０の下に行ない、誘電軸性の測定はＬＦインピーダ
ンスアナライザーにより周波数１０ＭＨｚの条件で行な
った。
２４０の下に行ない、誘電軸性の測定はＬＦインピーダ
ンスアナライザーにより周波数１０ＭＨｚの条件で行な
った。
第１．２表より明らかなようにシリコンゴム２０〜８０
容積チと残り誘電セラミック粉末よりなる本発明の複合
綽電体は、シリコンゴム単味もしくは８０容積チ以上の
ものに比し誘電特性が良好となることが認められた。ま
た、同表から本発明の複合−電体は高い柔軟性と加工性
を維持するためシ曹アＡ硬度で４８〜９８の範囲を示す
ことが認められた。
容積チと残り誘電セラミック粉末よりなる本発明の複合
綽電体は、シリコンゴム単味もしくは８０容積チ以上の
ものに比し誘電特性が良好となることが認められた。ま
た、同表から本発明の複合−電体は高い柔軟性と加工性
を維持するためシ曹アＡ硬度で４８〜９８の範囲を示す
ことが認められた。
更に本発明の複合−電体は、フッ素ゴムやクロロプレン
ゴムを主体とするものよシも誘電損失が良好であること
が認められた。これはシリコンゴムの方がフッ素ゴムや
クロロプレンゴムよりも誘電損失が小さいことに起因す
ると見られる。
ゴムを主体とするものよシも誘電損失が良好であること
が認められた。これはシリコンゴムの方がフッ素ゴムや
クロロプレンゴムよりも誘電損失が小さいことに起因す
ると見られる。
「本発明の効果」
以上の通り本発明の複合訪電体は、尚い柔軟性、加工性
を有するのでトリμ、カッター等の機械加工により任意
の形状のものを欠けや割れを発生することなく安価かつ
容易に製造できる。
を有するのでトリμ、カッター等の機械加工により任意
の形状のものを欠けや割れを発生することなく安価かつ
容易に製造できる。
また、高周波領域のｌｆｔｆｔ性も優れるので酵電体回
路基板や爾容量コンデンサ等に適用して多大の利益を期
待し得る。
路基板や爾容量コンデンサ等に適用して多大の利益を期
待し得る。
Claims (1)
- シリコンゴム２０〜８０容積％と誘電セラミック粉末
８０〜２０容積％よりなることを特徴とする複合誘電体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9461287A JPS63259904A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 複合誘電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9461287A JPS63259904A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 複合誘電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63259904A true JPS63259904A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14115069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9461287A Pending JPS63259904A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 複合誘電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63259904A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006001989A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Ntn Corp | 高誘電性エラストマー組成物 |
| JP2007123940A (ja) * | 2003-06-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | コンデンサを内蔵した基板およびその製造方法 |
| JP2008274002A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物及びこの樹脂組成物を用いたプリプレグ、金属張積層板、樹脂付き金属箔、接着フィルム並びにプリント配線板 |
| JP2009227985A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-10-08 | Nsk Ltd | エラストマートランスデューサーおよび導電性ゴム組成物ならびに誘電性ゴム組成物 |
| EP1767582A4 (en) * | 2004-06-16 | 2009-12-30 | Ntn Toyo Bearing Co Ltd | HIGHLY DIELECTRIC ELASTOMER COMPOSITION AND DIELECTRIC ANTENNA |
| CN113801480A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-12-17 | 东莞裕久橡塑科技有限公司 | 一种能够防霉的硅橡胶制备方法及其硅橡胶 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54157297A (en) * | 1978-06-01 | 1979-12-12 | Ngk Spark Plug Co | Piezo high polymer compound material |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9461287A patent/JPS63259904A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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