JPH05182523A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH05182523A JPH05182523A JP3358709A JP35870991A JPH05182523A JP H05182523 A JPH05182523 A JP H05182523A JP 3358709 A JP3358709 A JP 3358709A JP 35870991 A JP35870991 A JP 35870991A JP H05182523 A JPH05182523 A JP H05182523A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ９００℃で焼成可能な高周波用誘電体磁器組
成物を提供する。 【構成】 高周波誘電体磁器組成物はＺｒＯ2 −ＳｎＯ
2 −ＴｉＯ2 から成る主成分と、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏから成る副
成分を含む。
成物を提供する。 【構成】 高周波誘電体磁器組成物はＺｒＯ2 −ＳｎＯ
2 −ＴｉＯ2 から成る主成分と、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏから成る副
成分を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用積層磁器コン
デンサ、誘電体共振器等に使用するための誘電体磁器組
成物に関する。
デンサ、誘電体共振器等に使用するための誘電体磁器組
成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波数領域で使用することができる誘
電体磁器としてＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）とＳｎＯ
2 （酸化スズ）とＴｉＯ2 （酸化チタン）から成る磁器
組成物が知られている。
電体磁器としてＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）とＳｎＯ
2 （酸化スズ）とＴｉＯ2 （酸化チタン）から成る磁器
組成物が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＺｒ
Ｏ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 磁器組成物の焼成温度は１１
００〜１５００℃と比較的高いので、積層磁器コンデン
サを作製する時には内部電極材料として融点の高いＰｄ
（パラジウム）を主成分とする導電性ペーストを使用し
なければならなかった。しかし、Ｐｄは抵抗率が高いた
めにコンデンサのＱが低下するという欠点、及び高価で
あるという欠点を有する。
Ｏ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 磁器組成物の焼成温度は１１
００〜１５００℃と比較的高いので、積層磁器コンデン
サを作製する時には内部電極材料として融点の高いＰｄ
（パラジウム）を主成分とする導電性ペーストを使用し
なければならなかった。しかし、Ｐｄは抵抗率が高いた
めにコンデンサのＱが低下するという欠点、及び高価で
あるという欠点を有する。
【０００４】そこで、本発明の目的は、９００℃以下の
焼成で製造することが可能であり且つ高周波数領域で使
用することが可能な誘電体磁器組成物を提供することに
ある。
焼成で製造することが可能であり且つ高周波数領域で使
用することが可能な誘電体磁器組成物を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、ｘＺｒＯ2 ＋ｙＳｎＯ2 ＋ｚＴｉＯ2 （但
し、ｘ、ｙ、ｚは０．２５≦ｘ≦０．６、０．０２≦ｙ
≦０．２６、０．２２≦ｚ≦０．６０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
を満足する数値）で表される成分 ２５〜６０重量％
と、ＳｉＯ2 １０〜４０重量％と、ＣａＯ、ＳｒＯ及
びＢａＯの内の少なくとも１種から成る成分 １〜２０
重量％と、ＭｇＯ １〜１５重量％と、Ｂ2 Ｏ3 ３〜
３０重量％と、Ｌｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重量％とを含
む誘電体磁器組成物に係わるものである。
の本発明は、ｘＺｒＯ2 ＋ｙＳｎＯ2 ＋ｚＴｉＯ2 （但
し、ｘ、ｙ、ｚは０．２５≦ｘ≦０．６、０．０２≦ｙ
≦０．２６、０．２２≦ｚ≦０．６０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
を満足する数値）で表される成分 ２５〜６０重量％
と、ＳｉＯ2 １０〜４０重量％と、ＣａＯ、ＳｒＯ及
びＢａＯの内の少なくとも１種から成る成分 １〜２０
重量％と、ＭｇＯ １〜１５重量％と、Ｂ2 Ｏ3 ３〜
３０重量％と、Ｌｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重量％とを含
む誘電体磁器組成物に係わるものである。
【０００６】
【作用及び効果】本発明によれば、１ＭＨｚにおいて比
誘電率εｒが６．０以上、比誘電率の温度係数Ｔεが−
６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／℃の誘電体磁器組成物
を提供することができる。本発明の誘電体磁器組成物
は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の低融点金属の導電ペー
スト層との同時焼成で得ることができるので、高周波用
積層磁器コンデンサの誘電体磁器として好適なものであ
る。積層磁器コンデンサの内部電極をＡｇ、Ｃｕ等の抵
抗率の小さい金属で形成すれば、Ｑを高めることができ
る。
誘電率εｒが６．０以上、比誘電率の温度係数Ｔεが−
６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／℃の誘電体磁器組成物
を提供することができる。本発明の誘電体磁器組成物
は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の低融点金属の導電ペー
スト層との同時焼成で得ることができるので、高周波用
積層磁器コンデンサの誘電体磁器として好適なものであ
る。積層磁器コンデンサの内部電極をＡｇ、Ｃｕ等の抵
抗率の小さい金属で形成すれば、Ｑを高めることができ
る。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例（比較例を含む）を説
明する。高周波用磁器コンデンサの誘電体磁器を得るた
めに、表１に示す３６種類の組成の試料を作成した。表
１のｘ、ｙ、ｚは仮焼後又は本焼成後の磁器の主成分を
示す組成式 ｘＺｒＯ2 ＋ｙＳｎＯ2 ＋ｚＴｉＯ2 におけるｘ、ｙ、ｚの値を示す。副成分の欄はＳｉＯ2
（酸化ケイ素）ＣａＯ（酸化カルシウム）、ＳｒＯ（酸
化ストロンチウム）、ＢａＯ（酸化バリウム）、ＭｇＯ
（酸化マグネシウム）、Ｂ2 Ｏ3 （酸化ホウ素）、Ｌｉ
2 Ｏ（酸化リチウム）の焼成後の含有率を重量％で示
す。
明する。高周波用磁器コンデンサの誘電体磁器を得るた
めに、表１に示す３６種類の組成の試料を作成した。表
１のｘ、ｙ、ｚは仮焼後又は本焼成後の磁器の主成分を
示す組成式 ｘＺｒＯ2 ＋ｙＳｎＯ2 ＋ｚＴｉＯ2 におけるｘ、ｙ、ｚの値を示す。副成分の欄はＳｉＯ2
（酸化ケイ素）ＣａＯ（酸化カルシウム）、ＳｒＯ（酸
化ストロンチウム）、ＢａＯ（酸化バリウム）、ＭｇＯ
（酸化マグネシウム）、Ｂ2 Ｏ3 （酸化ホウ素）、Ｌｉ
2 Ｏ（酸化リチウム）の焼成後の含有率を重量％で示
す。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】次に、試料Ｎｏ．１に従う高周波用磁器コ
ンデンサの製造方法を詳しく説明する。ｘ＝０．２５、
ｙ＝０．２、ｚ＝０．５５に従う ０．２５ＺｒＯ2 ＋０．２ＳｎＯ2 ＋０．５５ＴｉＯ2 の組成の主成分を得るために、ＺｒＯ2 （酸化ジルコニ
ウム）とＳｎＯ2 （酸化スズ）とＴｉＯ2 （酸化チタ
ン）とを上記の主成分を得ることができる割合に配合
し、ポリエチレン製ポットに水と共に入れ、湿式混合し
た後脱水乾燥した。次に、この乾燥物を空気中で１００
０〜１２００℃で２時間仮焼して主成分材料を得た。
ンデンサの製造方法を詳しく説明する。ｘ＝０．２５、
ｙ＝０．２、ｚ＝０．５５に従う ０．２５ＺｒＯ2 ＋０．２ＳｎＯ2 ＋０．５５ＴｉＯ2 の組成の主成分を得るために、ＺｒＯ2 （酸化ジルコニ
ウム）とＳｎＯ2 （酸化スズ）とＴｉＯ2 （酸化チタ
ン）とを上記の主成分を得ることができる割合に配合
し、ポリエチレン製ポットに水と共に入れ、湿式混合し
た後脱水乾燥した。次に、この乾燥物を空気中で１００
０〜１２００℃で２時間仮焼して主成分材料を得た。
【００１１】次に、焼成後の磁器においてＳｉＯ2 ２０
重量％、ＳｒＯ１０重量％、ＭｇＯ１０重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ９重量％、Ｌｉ2 Ｏ１重量％の割合で副成分を含める
ために、ＳｉＯ2 ４０重量％、ＳｒＯ２０重量％、Ｍｇ
Ｏ２０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １８重量％、Ｌｉ2 Ｏ２重量％
の組成の副成分が得られるようにＳｉＯ2 、ＳｒＣＯ3
（炭酸ストロンチウム）、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｃ
Ｏ3 （炭酸リチウム）を秤量し、これ等の原料をポリエ
チレン製ポットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水
乾燥した。次に、この乾燥物を空気中で７５０〜８５０
℃で２時間仮焼し、ＳｉＯ2 とＳｒＯとＭｇＯとＢ2 Ｏ
3 とＬｉ2 Ｏとから成る副成分材料を得た。
重量％、ＳｒＯ１０重量％、ＭｇＯ１０重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ９重量％、Ｌｉ2 Ｏ１重量％の割合で副成分を含める
ために、ＳｉＯ2 ４０重量％、ＳｒＯ２０重量％、Ｍｇ
Ｏ２０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １８重量％、Ｌｉ2 Ｏ２重量％
の組成の副成分が得られるようにＳｉＯ2 、ＳｒＣＯ3
（炭酸ストロンチウム）、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｃ
Ｏ3 （炭酸リチウム）を秤量し、これ等の原料をポリエ
チレン製ポットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水
乾燥した。次に、この乾燥物を空気中で７５０〜８５０
℃で２時間仮焼し、ＳｉＯ2 とＳｒＯとＭｇＯとＢ2 Ｏ
3 とＬｉ2 Ｏとから成る副成分材料を得た。
【００１２】次に、主成分材料５０重量％、副成分材料
５０重量％の比率に各材料を秤量し、これをポリエチレ
ン製ポットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水乾燥
し、磁器原料粉末を得た。この磁器原料粉末の組成比は
表１の試料Ｎｏ．１に示す通りである。
５０重量％の比率に各材料を秤量し、これをポリエチレ
ン製ポットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水乾燥
し、磁器原料粉末を得た。この磁器原料粉末の組成比は
表１の試料Ｎｏ．１に示す通りである。
【００１３】次に、この磁器原料粉末に有機バインダー
を加えて造粒し、この造粒物を直径９．８ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円板状に、５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加
圧成形した。次に、この成形体をジルコニアセッタ上に
載せて空気中９００℃の温度で焼成した。この本焼成で
得られた円板状磁器の両主面に銀ペーストを塗布して焼
付け、図１に示す磁器１と一対の電極２、３とから成る
磁器コンデンサを得た。
を加えて造粒し、この造粒物を直径９．８ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円板状に、５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加
圧成形した。次に、この成形体をジルコニアセッタ上に
載せて空気中９００℃の温度で焼成した。この本焼成で
得られた円板状磁器の両主面に銀ペーストを塗布して焼
付け、図１に示す磁器１と一対の電極２、３とから成る
磁器コンデンサを得た。
【００１４】次に、この磁器コンデンサの比誘電率
εｒ、Ｑ値、比誘電率の温度係数Ｔε（ｐｐｍ／℃）を
測定した。なお、比誘電率εｒ及びＱは周波数１ＭＨ
ｚ、電圧１Ｖ、周囲温度２０℃の条件で測定した。温度
係数Ｔεは＋２０℃のεｒを基準にした−２５〜＋２０
℃のεｒ及び＋２０℃〜＋８５℃のεｒの変化率であ
り、１ＭＨｚ、１Ｖの条件で測定した。
εｒ、Ｑ値、比誘電率の温度係数Ｔε（ｐｐｍ／℃）を
測定した。なお、比誘電率εｒ及びＱは周波数１ＭＨ
ｚ、電圧１Ｖ、周囲温度２０℃の条件で測定した。温度
係数Ｔεは＋２０℃のεｒを基準にした−２５〜＋２０
℃のεｒ及び＋２０℃〜＋８５℃のεｒの変化率であ
り、１ＭＨｚ、１Ｖの条件で測定した。
【００１５】試料Ｎｏ．２〜３６についても、主成分及
び／又は副成分の組成を変えた他は試料Ｎｏ．１と同一
の方法で磁器コンデンサを作り、同一の方法で特性を測
定した。試料Ｎｏ．１〜３６の特性は表２に示す通りで
ある。
び／又は副成分の組成を変えた他は試料Ｎｏ．１と同一
の方法で磁器コンデンサを作り、同一の方法で特性を測
定した。試料Ｎｏ．１〜３６の特性は表２に示す通りで
ある。
【００１６】
【表３】
【００１７】
【表４】
【００１８】表２から明らかなように、試料Ｎｏ．１の
磁器コンデンサのεｒは７．５、Ｑは１２００、−２０
〜＋２０℃のＴεは＋５（ｐｐｍ／℃）、＋２０〜＋８
０℃のＴεは＋７（ｐｐｍ／℃）である。また、本発明
で特定された範囲の磁器組成物によれば、比誘電率εｒ
が６．０〜１０．５、Ｑが１０００〜１７００、温度係
数Ｔεが−６０〜＋６０（ｐｐｍ／℃）の電気的特性が
得られる。なお、試料Ｎｏ．７〜１２、２３〜３２、３
５、３６は上記の所望特性を得ることができないので、
本発明の範囲外の比較例である。
磁器コンデンサのεｒは７．５、Ｑは１２００、−２０
〜＋２０℃のＴεは＋５（ｐｐｍ／℃）、＋２０〜＋８
０℃のＴεは＋７（ｐｐｍ／℃）である。また、本発明
で特定された範囲の磁器組成物によれば、比誘電率εｒ
が６．０〜１０．５、Ｑが１０００〜１７００、温度係
数Ｔεが−６０〜＋６０（ｐｐｍ／℃）の電気的特性が
得られる。なお、試料Ｎｏ．７〜１２、２３〜３２、３
５、３６は上記の所望特性を得ることができないので、
本発明の範囲外の比較例である。
【００１９】次に、本発明の高周波誘電体磁器組成物の
組成範囲の限定理由を説明する。試料Ｎｏ．１〜１２で
は、主成分のｘ、ｙ、ｚ即ち、ＺｒＯ2 とＳｎＯ2 とＴ
ｉＯ2 との混合比率が種々変えられている。試料Ｎｏ．
７に示すようにｘが０．２の場合には、所望の温度係数
Ｔεが得られないが、試料Ｎｏ．１に示すようにｘが
０．２５であれば、所望の電気的特性を有する焼結体が
得られる。従って、ｘの下限値は０．２５である。試料
Ｎｏ．８に示すようにｘの値が０．７の場合には、所望
の温度係数Ｔεが得られないが、試料Ｎｏ．２に示すよ
うにｘが０．６の場合には所望の電気的特性を有する焼
結体が得られる。従って、ｘの上限値は０．６である。
組成範囲の限定理由を説明する。試料Ｎｏ．１〜１２で
は、主成分のｘ、ｙ、ｚ即ち、ＺｒＯ2 とＳｎＯ2 とＴ
ｉＯ2 との混合比率が種々変えられている。試料Ｎｏ．
７に示すようにｘが０．２の場合には、所望の温度係数
Ｔεが得られないが、試料Ｎｏ．１に示すようにｘが
０．２５であれば、所望の電気的特性を有する焼結体が
得られる。従って、ｘの下限値は０．２５である。試料
Ｎｏ．８に示すようにｘの値が０．７の場合には、所望
の温度係数Ｔεが得られないが、試料Ｎｏ．２に示すよ
うにｘが０．６の場合には所望の電気的特性を有する焼
結体が得られる。従って、ｘの上限値は０．６である。
【００２０】試料Ｎｏ．９に示すようにｙが０．０１の
場合には、所望の温度係数Ｔε及びＱが得られないが、
試料Ｎｏ．３に示すようにｙが０．０２の場合には所望
特性を有する焼結体が得られる。従って、ｙの下限値は
０．０２である。試料Ｎｏ．１０に示すようにｙが０．
３の場合には、所望の温度係数Ｔεが得られないが、試
料Ｎｏ．４に示すようにｙが０．２６の場合には所望特
性の焼結体が得られる。従って、ｙの上限値は０．２６
である。
場合には、所望の温度係数Ｔε及びＱが得られないが、
試料Ｎｏ．３に示すようにｙが０．０２の場合には所望
特性を有する焼結体が得られる。従って、ｙの下限値は
０．０２である。試料Ｎｏ．１０に示すようにｙが０．
３の場合には、所望の温度係数Ｔεが得られないが、試
料Ｎｏ．４に示すようにｙが０．２６の場合には所望特
性の焼結体が得られる。従って、ｙの上限値は０．２６
である。
【００２１】試料Ｎｏ．１１に示すようにｚが０．２の
場合には、所望の温度係数Ｔεが得られないが、試料Ｎ
ｏ．５に示すようにｚが０．２２の場合には所望特性を
有する焼結体が得られる。従って、ｚの下限値は０．２
２である。試料Ｎｏ．１２に示すようにｚが０．７の場
合には、所望の温度係数Ｔεが得られないが、試料Ｎ
ｏ．６に示すようにｚが０．６の場合には所望特性を有
する焼結体が得られる。従って、ｚの上限値は０．６で
ある。
場合には、所望の温度係数Ｔεが得られないが、試料Ｎ
ｏ．５に示すようにｚが０．２２の場合には所望特性を
有する焼結体が得られる。従って、ｚの下限値は０．２
２である。試料Ｎｏ．１２に示すようにｚが０．７の場
合には、所望の温度係数Ｔεが得られないが、試料Ｎ
ｏ．６に示すようにｚが０．６の場合には所望特性を有
する焼結体が得られる。従って、ｚの上限値は０．６で
ある。
【００２２】試料Ｎｏ．１３〜３６では主成分のｘ、
ｙ、ｚが固定され、副成分が種々変えられている。試料
Ｎｏ．２３に示すようにＳｉＯ2 が５重量％の場合には
Ｑが７００となり、所望特性が得られないが、試料Ｎ
ｏ．１３に示すようにＳｉＯ2 が１０重量％になると、
所望特性が得られる。従って、ＳｉＯ2 の含有率の下限
は１０重量％である。試料Ｎｏ．２４に示すようにＳｉ
Ｏ2 が４５重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が
得られないが、試料Ｎｏ．１４に示すようにＳｉＯ2 が
４０重量％の場合には所望特性が得られる。従って、Ｓ
ｉＯ2 の含有率の上限は４０重量％である。
ｙ、ｚが固定され、副成分が種々変えられている。試料
Ｎｏ．２３に示すようにＳｉＯ2 が５重量％の場合には
Ｑが７００となり、所望特性が得られないが、試料Ｎ
ｏ．１３に示すようにＳｉＯ2 が１０重量％になると、
所望特性が得られる。従って、ＳｉＯ2 の含有率の下限
は１０重量％である。試料Ｎｏ．２４に示すようにＳｉ
Ｏ2 が４５重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が
得られないが、試料Ｎｏ．１４に示すようにＳｉＯ2 が
４０重量％の場合には所望特性が得られる。従って、Ｓ
ｉＯ2 の含有率の上限は４０重量％である。
【００２３】ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは第２族の金属の
酸化物であって同様な作用を有する。従って、試料Ｎ
ｏ．１３〜２２に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを
単独で使用してもよいし、混合して使用してもよい。こ
れ等の添加量（含有率）はこれ等の合計で決まる。試料
Ｎｏ．２５に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が
０．５重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得ら
れないが、試料Ｎｏ．１５に示すようにＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯの和が１重量％の場合には所望特性の焼結体
が得られる。従って、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の含
有率の下限値は１重量％である。試料Ｎｏ．２６に示す
ようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が２５重量％の場合
にはＱが７００となり、所望特性が得られないが、試料
Ｎｏ．１６に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が
２０重量％の場合には所望特性を有する焼結体が得られ
る。従って、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の含有率の上
限値は２０重量％である。
酸化物であって同様な作用を有する。従って、試料Ｎ
ｏ．１３〜２２に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを
単独で使用してもよいし、混合して使用してもよい。こ
れ等の添加量（含有率）はこれ等の合計で決まる。試料
Ｎｏ．２５に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が
０．５重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得ら
れないが、試料Ｎｏ．１５に示すようにＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯの和が１重量％の場合には所望特性の焼結体
が得られる。従って、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の含
有率の下限値は１重量％である。試料Ｎｏ．２６に示す
ようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が２５重量％の場合
にはＱが７００となり、所望特性が得られないが、試料
Ｎｏ．１６に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が
２０重量％の場合には所望特性を有する焼結体が得られ
る。従って、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の含有率の上
限値は２０重量％である。
【００２４】試料Ｎｏ．２７に示すようにＭｇＯが０．
１重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られな
いが、試料Ｎｏ．１７に示すようにＭｇＯが１重量％に
なると、所望特性の焼結体が得られる。従って、ＭｇＯ
の含有率の下限は１重量％である。試料Ｎｏ．２８に示
すようにＭｇＯが２０重量％の場合にはＱが５００であ
って所望特性が得られないが、試料Ｎｏ．１８に示すよ
うにＭｇＯが１５重量％の場合には所望特性が得られ
る。従って、ＭｇＯの含有率の上限は１５重量％であ
る。
１重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られな
いが、試料Ｎｏ．１７に示すようにＭｇＯが１重量％に
なると、所望特性の焼結体が得られる。従って、ＭｇＯ
の含有率の下限は１重量％である。試料Ｎｏ．２８に示
すようにＭｇＯが２０重量％の場合にはＱが５００であ
って所望特性が得られないが、試料Ｎｏ．１８に示すよ
うにＭｇＯが１５重量％の場合には所望特性が得られ
る。従って、ＭｇＯの含有率の上限は１５重量％であ
る。
【００２５】試料Ｎｏ．２９に示すようにＢ2 Ｏ3 が１
重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．１９に示すようにＢ2 Ｏ3 が３重量％に
なると、所望特性を有する焼結体が得られる。従って、
Ｂ2 Ｏ3 の含有率の下限は３重量％である。試料Ｎｏ．
３０に示すようにＢ2 Ｏ3 が４０重量％の場合には９０
０℃の焼成で焼結体が得られないが、試料Ｎｏ．２０に
示すようにＢ2 Ｏ3 が３０重量％の場合には所望特性を
有する焼結体が得られる。従って、Ｂ2 Ｏ3 の含有率の
上限は３０重量％である。
重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．１９に示すようにＢ2 Ｏ3 が３重量％に
なると、所望特性を有する焼結体が得られる。従って、
Ｂ2 Ｏ3 の含有率の下限は３重量％である。試料Ｎｏ．
３０に示すようにＢ2 Ｏ3 が４０重量％の場合には９０
０℃の焼成で焼結体が得られないが、試料Ｎｏ．２０に
示すようにＢ2 Ｏ3 が３０重量％の場合には所望特性を
有する焼結体が得られる。従って、Ｂ2 Ｏ3 の含有率の
上限は３０重量％である。
【００２６】試料Ｎｏ．３１に示すようにＬｉ2 Ｏが
０．０１重量％の場合にはＱが９００℃の焼成で焼結体
が得られないが、試料Ｎｏ．２１に示すようにＬｉ2 Ｏ
が０．１重量％になると、所望特性を有する焼結体が得
られる。従って、Ｌｉ2 Ｏの含有率の下限は０．１重量
％である。試料Ｎｏ．３２に示すようにＬｉ2 Ｏが５重
量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．２２に示すようにＬｉ2 Ｏが３重量％の
場合には所望特性を有する焼結体が得られる。従って、
Ｌｉ2 Ｏの含有率の上限は３重量％である。
０．０１重量％の場合にはＱが９００℃の焼成で焼結体
が得られないが、試料Ｎｏ．２１に示すようにＬｉ2 Ｏ
が０．１重量％になると、所望特性を有する焼結体が得
られる。従って、Ｌｉ2 Ｏの含有率の下限は０．１重量
％である。試料Ｎｏ．３２に示すようにＬｉ2 Ｏが５重
量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．２２に示すようにＬｉ2 Ｏが３重量％の
場合には所望特性を有する焼結体が得られる。従って、
Ｌｉ2 Ｏの含有率の上限は３重量％である。
【００２７】試料Ｎｏ．３５に示すように主成分の含有
率が１５重量％の場合にはＱが５００であり、所望特性
が得られないが、試料Ｎｏ．３３に示すように主成分の
含有率が２５重量％の場合には所望特性が得られる。従
って、主成分の含有率の下限は２５重量％である。試料
Ｎｏ．３６に示すように主成分の含有率が７０重量％の
場合には９００℃の焼成で焼結体が得られないが、試料
Ｎｏ．３４に示すように主成分の含有率が６０重量％で
所望特性を有する焼結体が得られる。従って、主成分の
含有率の上限は６０重量％である。
率が１５重量％の場合にはＱが５００であり、所望特性
が得られないが、試料Ｎｏ．３３に示すように主成分の
含有率が２５重量％の場合には所望特性が得られる。従
って、主成分の含有率の下限は２５重量％である。試料
Ｎｏ．３６に示すように主成分の含有率が７０重量％の
場合には９００℃の焼成で焼結体が得られないが、試料
Ｎｏ．３４に示すように主成分の含有率が６０重量％で
所望特性を有する焼結体が得られる。従って、主成分の
含有率の上限は６０重量％である。
【００２８】試料Ｎｏ．１〜３６では、誘電体磁器の特
性比較を容易に行うために単層の磁器コンデンサを作製
したが、この代りに、図２に示すように、誘電体磁器１
１の中にＡｇ（銀）、Ｃｕ（銅）等の低融点金属の内部
電極１２を設け、この内部電極１２に一対の外部電極１
３、１４を接続した積層磁器コンデンサを作製して同様
な特性測定をしたところ、同様な効果が得られた。積層
磁器コンデンサを製作する場合には、磁器生シート（グ
リーンシート）に内部電極用導電性ペーストを塗布した
ものを積層して生チップを作り、内部電極の焼付と磁器
の焼成を同時に行うが、本発明に従う磁器１１は９００
℃以下で焼成で得ることができるので、内部電極１２と
して抵抗率の小さいＡｇ、Ｃｕ等の低融点金属を使用す
ることが可能になり、Ｑ値の向上が達成される。
性比較を容易に行うために単層の磁器コンデンサを作製
したが、この代りに、図２に示すように、誘電体磁器１
１の中にＡｇ（銀）、Ｃｕ（銅）等の低融点金属の内部
電極１２を設け、この内部電極１２に一対の外部電極１
３、１４を接続した積層磁器コンデンサを作製して同様
な特性測定をしたところ、同様な効果が得られた。積層
磁器コンデンサを製作する場合には、磁器生シート（グ
リーンシート）に内部電極用導電性ペーストを塗布した
ものを積層して生チップを作り、内部電極の焼付と磁器
の焼成を同時に行うが、本発明に従う磁器１１は９００
℃以下で焼成で得ることができるので、内部電極１２と
して抵抗率の小さいＡｇ、Ｃｕ等の低融点金属を使用す
ることが可能になり、Ｑ値の向上が達成される。
【００２９】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 副成分を得るための出発原料としてＣａＣ
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 の代りにＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを使用することができる。 （２） 本焼成の温度は例えば７５０〜１２００℃程度
の範囲で変えることができる。 （３） 本発明に従う誘電体磁器組成物を誘電体共振器
の磁器、多層回路基板等にも使用可能である。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 副成分を得るための出発原料としてＣａＣ
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 の代りにＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、Ｌｉ2 Ｏを使用することができる。 （２） 本焼成の温度は例えば７５０〜１２００℃程度
の範囲で変えることができる。 （３） 本発明に従う誘電体磁器組成物を誘電体共振器
の磁器、多層回路基板等にも使用可能である。
【図１】実施例に係わる磁器コンデンサを示す断面図で
ある。
ある。
【図２】実施例に従う積層磁器コンデンサを示す断面図
である。
である。
１ 磁器 ２，３ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 洋一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】ｘＺｒＯ2 ＋ｙＳｎＯ2 ＋ｚＴｉＯ2 （但し、ｘ、ｙ、ｚは ０．２５≦ｘ≦０．６ ０．０２≦ｙ≦０．２６ ０．２２≦ｚ≦０．６０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足する数値） で表される成分 ２５〜６０重量％と、 ＳｉＯ2 １０〜４０重量％と、 ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの内の少なくとも１種から成
る成分 １〜２０重量％と、 ＭｇＯ １〜１５重量％と、 Ｂ2 Ｏ3 ３〜３０重量％と、 Ｌｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重量％とを含む誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35870991A JP3179830B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35870991A JP3179830B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182523A true JPH05182523A (ja) | 1993-07-23 |
| JP3179830B2 JP3179830B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=18460713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35870991A Expired - Fee Related JP3179830B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3179830B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100353863B1 (ko) * | 1998-09-10 | 2003-01-24 | 주식회사 케이티 | 마이크로파유전체세라믹조성물 |
| KR20030092381A (ko) * | 2002-05-29 | 2003-12-06 | 전자부품연구원 | 저온동시 소결 유전체 조성물 |
| JP2010215773A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Nec Lighting Ltd | 蛍光体および蛍光ランプ |
| JP2010215772A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Nec Lighting Ltd | 蛍光体および蛍光ランプ |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP35870991A patent/JP3179830B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100353863B1 (ko) * | 1998-09-10 | 2003-01-24 | 주식회사 케이티 | 마이크로파유전체세라믹조성물 |
| KR20030092381A (ko) * | 2002-05-29 | 2003-12-06 | 전자부품연구원 | 저온동시 소결 유전체 조성물 |
| JP2010215773A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Nec Lighting Ltd | 蛍光体および蛍光ランプ |
| JP2010215772A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Nec Lighting Ltd | 蛍光体および蛍光ランプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3179830B2 (ja) | 2001-06-25 |
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