JPS62281142A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背）ｊＥ 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。

先行技術とその問題点 光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡｆｆｉＧｅ、ＭｎＳｂ、ＭｎＣｕＢ１
．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅ０．　　、　Ｇｄ１Ｇ、　　ＧｄＴｂＦｅ　、
ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ　　ｉ　　、　Ｃｏ　Ｆ　ｅ　２　
ｏ４等の材料が知られている。　これらは、真空蒸着法
やスパッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス
等の透明基板−ヒに薄膜として形成される。　これらの
光磁気記録媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が１漠而に垂直方向にあり、ざらに、カー効
果やファラデー効果が大きいという点をあげることがで
きる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第３に比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な
膜か得られることがあげられる。

このような要求にこたえ、上記材料のなかで、近年、希
上類−遷移金属の非晶質重直磁性薄１漠が大きな注目を
集めている。

しかし、このような希上類−遷移金属非晶質薄）漠から
なる光電気記録媒体において、磁性溝１漠層は、大気に
接したまま保存されると、火気中の酸素や水により希上
類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記
録、再生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性溝１漠層の表面に保護層を
設けた構成の光磁気記録媒体か多く研究されている。

従来、このような防湿性の保護層としては、−酸化ケイ
素、７二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、
硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着１原や樹脂１漠等を設け
る試み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示されてい
る。

光磁気記録媒体では、基板側から記録・再生を行うのが
有利であり、基板としては透明性のものを用いる。

光デイスク用の基板としては、製造の容易さ、取り扱い
易さ等の点で、樹脂性のものが好ましく、これらのうち
では、透明性、生産性、経済性等の点で、特にアクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂等が好適である。

このような樹脂性の基板上には、通常、無機材質の中間
層を形成し、この中間層を介し磁性薄膜層を設層する。

この中間層はモ渉層としての機能を有し、Ｃ／Ｎ比を向
上させ、かつ磁性溝１漠層の劣化を防上１−る耐食作付
！アの機能を有する。

このような中間層の材質としては、例えば５ｉＯ５Ｓｉ
０２等の酸化’７−（素、ＡＲＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ
、Ｓｉ、Ｇｅなどが提案されている（特開昭５８−８０
１４２号等）。

これらのうち、窒化アルミニウムは、Ｃ／Ｎ比、耐久性
等の点で好適であるが、従来使用されていた膜構造では
、Ｃ／Ｎ比、耐食性、耐久性等の点で未だ不十分であり
、より一層の向上か必要である。

■　発明の目的 一ムーツクＬＩ１１−１／７”１ＩＥＮｙｌ→壬、１仝
＾、７ｆｆノ←片〕；ネＪ←１．−７１１１１÷１１か
も磁性薄膜層の劣化が防Ｈ二され、耐食性、耐久性に優
れ、さらには、ソリ等に対する寸法精度の安定性にすぐ
れた光磁気記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的・は、以下の本発明によって達成される
。

すなわち、本発明は、樹脂製の基板上に窒化アルミニウ
ムから形成される中間層を有し、この中間層−ヒに希上
類−遷移金属の磁性薄膜層を仔する光磁気記録媒体にお
いて、上記中間層における基板側窒素含有量が磁性８膜
層側のそれと比べ大きいことを特徴とする光磁気記録媒
体である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。

本発明の光磁気記録媒体の一実施例か、第１図に示され
ている。

第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
上に中間層３を有する。

本発明の中間層３は、窒化アルミニウムから形成される
。

窒化アルミニウム中間層３中のＮ／Ａｊ２原子比は層全
体の平均として０．４〜０．９、より好ましくは０．５
〜０．８である。

このときＮ／Ａｘ比が０．４未満となると反射光ｆｆｔ
が減少し特性に悪ｆｉｓ　９を与えてしまう。

また、０，９をこえると、みかけ上のカー回転角が減少
し、同様に特性に悪影響を与えてしまう。

このような中間層３の厚さ方向には、中間層３中におけ
る基板側の窒素含存置か後述する磁性薄膜層４側のそれ
と比へ大きくなるような所定の窒素濃度分布が存在する
。

このような窒化アルミニウム中間層３中の窒素濃度分布
は、例えば、窒化アルミニウム中間層３の基板２側から
１／４までの位置のＮ／Ａ２原ｒ−比が、電性源ＩＩ！
２層４側から１／４までの位置のＮ／Ａ　ｆｆｉ原子比
の１．４倍以上、特に、２．０〜４，５倍、より好まし
くは２．５〜３．５倍となるようにする。

この値が１．４倍未満となると、Ｃ／Ｎ比、耐食性、耐
火性が悪化する。　−・方、この値が上記の好適範囲で
ある２、５〜３．５倍になると、Ｃ／Ｎ比、耐久性は格
段と向上する。

窒化アルミニウム中間層３中に上記のような窒素濃度外
ノ１１をもたせることにより、上記の作用が生じる。

すなわち、第１に、窒化アルミニウム中間層３の基板側
の窒素濃度を適当に設定することにより、ＪＬｋ＜ポリ
カーボネート樹脂では８３０ｎｍにて屈折率約１．５７
）と窒化アルミニウム中間層３との界面での反射を有効
に防止でき、良好な記録・再生特性が得られる。

７ｔｒＪ２に、磁性薄膜層４側の窒化アルミニウム中間
層３中の窒素濃度を低くおさえることによって、後述す
るＦｅおよびＣｏを必須含有成分とする磁性薄膜層４の
劣化を有効に防止することができる。

なお、窒素濃度外Ｉ５は、連続的であっても非連続的で
あってもよい。

このような窒化アルミニウム中間層３の膜厚方向に存在
するＮ／ＡＲの原子比分布は、例えば以下に述べる方法
によって測定される。

すなわち、まず最初に、窒化アルミニウム中間層３を磁
性薄膜層４側から一定のエツチング速度でイオンエツチ
ングを行いながら、ＳＩＭＳ　（２次イオン質量分析）
、ＡＥＳ（オージェ分光分析）、ＥＳＣＡなどで元素分
析を行う。　そして、ポリカーボネート樹脂等の基板２
に到達し、炭素Ｃが検出されるまでの時間をｄ（１１定
する。

この要した時間の最初から１／４までの時間および３／
４から基板に到達するまでの時間の層中の元素分析結果
より、層中所定箇所のＮ／Ａｎ平均原子比が算出される
。

きることはいうまでもない。

このように１漠厚方向に窒素濃度分布か存在する窒化ア
ルミニウム中間層３を設層するには、ＡｆｆｉＮおよび
ＡＱをターゲットに用い、両者のスパッタレートを制御
して、これを変化させながら成１ｔ！Ａする２元スパッ
タ法、あるいは、窒素を含む雰囲気中で、ＡＭをターゲ
ットに用い、窒素濃度を制御して、これを変化させて成
ｊ模する反応性スパッタ等を用いる。

これらスパッタリングにおける条件は、通常のものであ
ってよい。

また、これに準じ、その他の気相成膜法、例えば、蒸着
等を適宜用いることも可能である。

このように設層される窒化アルミニウム中間層３の膜厚
は、３００〜１５００人、より好ましくは６００〜９０
０人である。

なお、通常、窒化アルミニウム中間層は、多結晶ないし
は非晶Ｔ〔状、態にある。

てもよい。

その他、場合によっては少量の２ｎ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｂａ
等の元素を添加してもよい。

上述の窒化アルミニウム中間層３が設層される基板２は
、樹脂によって形成される。

好ましい樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などが
あげられる。

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳６族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。　こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。　中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹ｊ指の数平均分子量は、１０
，０００〜１５，０００程度であルコとが好ましい。

このような基板２の８３０　ｎｍの屈折率は通常１．５
５〜１．５９程度である。

なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込み光な
いし読み出し光に対する透過率は８６％以上とする。

また、基板２は、通常ディスク状とし５１．２〜１．５
ｎ程度の厚さとする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。

そして、通常、この溝の四部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

前述した窒化アルミニウム中間層３の上には、磁性薄膜
層４が設層される。

本発明の磁性薄膜層４は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換してｉｌＦ生するもの
である。

このようを磁性薄膜層４の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等
の希上類金属とＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属の合金をスパッ
タ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したものであ
り、しかもＦｅとＣＯを必須含有成分とするものである
。

この場合、ＦｅとＣＯの総含仔量は、６５〜８５ａＬ％
であることが好ましい。

そ１．て　Ｊｉ！円（６寸１て？ｐｔ■１ζ−、Ｍ；　
１−植仝ｈ更　４噂「Ｇｄおよび／またはＴｂである。

そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には１０ａし％以下の範囲で
Ｃｒ、Ａｆｆｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ。

Ａｕ等が含有されてもよい。

また、希上類元素として１０ａｔ％以下の範囲でＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ
、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ。

Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層のＩ漠Ｊゾは、０．０１〜１μｍ
が好ましい。

さらに、このような磁性薄膜層４の基板２と反対側には
、各種の保護層を１層以上設けることが好ましい。

第１図においては、保護層５と保護膜６とが設けられて
いる。

この上２合、保′、＠入η５の材質として６寸　４ｑ　
３萩■としての機能を有するものであれば特に制限はさ
れないが、好ましくは酸化物、窒化物の薄ＩＩ！２であ
る。

酸化物としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素などの酸
化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛等
が好適である。

また、空化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム
、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。

これらの中では、特に窒化アルミニウムが好適である。

このような薄１反の厚さは０．１〜１０μｍ程度とする
。

なお、保護層５の形成は真空蒸着、スパッタ等によれば
よい。

一方、保護膜６の材質としては、通常、公知の種々の有
機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を任
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合９′ｉ、燥する基を分子中に含イ■または
４人したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げ
ることができる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子Ｈ２ｏｏｏ〜１００
００のものか用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレンクリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート　（メ
タクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（
メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリ
レート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジ
アクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステ
ルアクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００，Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００，Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート（
メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε
−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２０
Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
ＣＨ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０（ＯＣ３Ｈｓ　）ｎ　−
０ＣＨ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （）、′欣アクリレートＤ） （り、′欣アクリレートＥ） 曇 ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝ｌ、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−
ＣＯＣＨ＝ＣＨ２悸す朱アクリレートＨ） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＩ） （特殊アクリレートＪ） Ａ：アクリレート、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩
μ酸　　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　Ａ千
Ｍ−Ｎ＋−Ｍ−Ａ Ａ：アクリノ４、　　　Ｍ：２価アルコールＮ、２塩滴
唆　　　　　（特殊アクリレートし）また、放射線硬化
型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オ
リゴニスデルアクリレートやウレタンエラストマーのア
クリル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官
能基か導入されたもの等が挙げられる。

（式中Ｒ，、Ｒ２：アルキル、ｎ、整数）また、熱可塑
性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射
線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ；ｆ−樹脂、フ
ェノキシ；ｆ−樹脂、繊維素１銹導体等を挙げることか
できる。

その他、放射、１！１１感応変性に用いることのできる
樹脂としては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテル
ニスデル樹脂、ポリビニルビロリドン樹脂および誘導体
（ｐｖｐオレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリ
イミド樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、
水酸基を含有するアクリルエステルおよびメタクリルエ
ステルを重合成分として少くとも一種含むアクリル；ｆ
−樹脂等も有効である。

このような放射線硬化型化合物の保護膜６の１１Ｑ　Ｊ
グは０．１〜３０μｌ、より好ましくは１〜１０μｍで
ある。

この膜厚かＯ，１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄ＩＩｌ；！、層４の耐久性が向上しない。　また
、３０μｍをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮に
より記録媒体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用
に耐えない。

このようなｆｆｉ　ＩＩＱは、通常、スピンナーコート
、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、柚
々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。　この
時の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、′１′
「子線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３００ＫＶの放
射線加速惺を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツド
になるように照射するのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノヘンシフエノン等のケトン
類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ヘンシルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィト類等を挙げることかできる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０１〜１０重量％の
範囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような保護膜６の上には、通常接着剤層７を介して
保護板８が設けられる。

１−なわち、直配の基板２の裏面（磁性薄ＩＩ！２層４
を設けていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、
いわゆる片面記録の場合にのみ、この保護板８を用いる
。

このような保護板８の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例シげ　ボリエ千１ノ
ン　ポリ現イヒビニル　ポリスチレン、ポリプロピレン
、ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド
、ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタ
ール、ふっ素樹脂等の各種照射りＪ性樹脂、フェノール
樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケ
イ素樹脂等の各種熱ＩｉＴ塑性樹脂等が使用可能である
。

なお、ガラス、セラミック等の各種！！ｌ：機材質全材
質板８として用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板２のそわとほぼ同
様とされる。

このような保護板８は、前述したように接着剤層７を介
して接着される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μｍ程度
とされる。

他方、上記の保護板８を用いる代りに、上記の磁性薄１
１１２層４、保護層５．保護膜６等を打する基板をさら
に１セツト用いて、画題性薄＋！Ａ層を内側にして対向
させて、接着剤層７を用いて貼り合せて、内基板の裏面
側から−Ｆき込みを行なう、いわゆる両面記録タイプと
してもよい。

さらに、これらの基板２や保護板８の裏面（Ｗｌ性薄膜
層４を設けていない側の面）には各種保護１１Ｑとして
のハードコート層を設けることが好ましい。

ハードコート層の材質としては、重連した保護膜６の材
質と同様なものとしてもよい。

■　発明の効果 本発明の光磁気記録媒体は、樹脂性基板と磁性薄膜層と
の間に所定の窒素濃度分布をもつ窒化アルミニウム中間
層を有している。　そのため、記録、再生特性に優れ、
しかも磁性薄膜層の経時劣化も少ない。

特に、基板がポリカーボネート樹脂で形成される場合、
磁ＰＮ層の経時劣化はより少なくなる。　　し　　　　
り等に対する耐性もより一層向上する。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

［実施例１］ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡｉの
ポリカーボネート樹脂（分子量１５０００）からなる基
板上に、窒化アルミニウム中間層を反応性スパッタリン
グにより、！１さ７００人に設層した。

なお、スパッタリングに際して、窒化アルミニウム中間
層に所定の窒素濃度分布を設けるために、窒素を含むＡ
ｒ雰囲気中で、作動圧ＩＰａにてＡ２をターゲットとし
て用い、窒素濃度を時間的に制御した。

設層後、膜中の元素分析を、イオンエツチングしなから
オージェ分光分析にて行ったところ、基板側から膜厚の
ｌ／４の位置までのＮ　／　Ａ　ＩＬＪＱ：Ｆ比（×１
）は０．９であり、磁性薄１漠層側から１／４の位置ま
でのＮ／Ａｎ原子比（Ｘ４　）は０．３であった。

また１漠全体の平均Ｎ／Ａｆｉ原子比（Ｘ）は０．６で
あった。

この窒化アルミニウム中間層のうえに２１ａし％　Ｔｂ
　　、　　６８ａＬ％　Ｆｅ　　、　　７ａｔ％　ＣＯ
、４ａＬ％Ｃｒ合金薄膜をスパッタリングによって、厚
さ８００人に設層し、磁性薄膜層とした。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃ
ｒチップをのせたものを用いた。

このｉ性薄膜層上にＡｆｉＮの保護層を膜厚１０００人
にスパッタリンつて設層し、この保護層のうえに下記の
放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を保護膜としてス
ピンナーコートで設層した。

（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００重量部 光増感剤　　　　　　　　　　　　５重量部このような
塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬
化させ、硬化膜とした。

この時のＩＩ！２ＪｒＡは５μｍであった。

なお、これと同様な処理を上記の基板裏面上にも行った
。　さらに保護膜上に直径１３ｃｍのポリカーボネート
樹脂製の保護板を接着剤を用いて接着し、本発明のサン
プルとした（サンプルＮｏ、１）。　これに準じてサン
プルＮｏ、　　１の窒化アルミニウム中間層を下記表１
に示す窒素濃度分布をもつ窒化アルミニウム中間層とし
た以外は、Ｎｏ、　　１の場合と同様にして各種サンプ
ルを作製した。

以上のサンプルについて、以下に示すような特性値を測
定した。

（１）Ｃ／Ｎ比（保存劣化） 初期のＣ／Ｎ比と、６０℃、９０％ＲＨにて１０００時
間保存後のＣ／Ｎ比の変化量を下記の条件で６１１１定
した。

回転スピード　　　　　　　　　４　ｍ　／　ｓ　ｅ　
ｃ搬送周波数　　　　　　　　　５００ＫＨｚ分解能　
　　　　　　　　　　　３０ＫＨｚ記録パワー（８３０
ｎｍ）　　　　　３〜４ｍＷ再生パワー（８３０ｎｍ）
　　　　　　　１ｍＷ（２）ピットエラーレート 初期と、６０℃、９０％ＲＨにて１０００時間保存後の
ＥＦＭ信号のピットエラーレートを測定した。

結果を表１に示す。

表　　　　　　１ 表１に示される結果より、本発明の効果が明らかである
。

すなわち、Ｎｏ、　　１　ｘＮｏ、　４で示される本発
明のものは、Ｘ、がｘ４より太きく　ｘ　＋　／　Ｘ　
４が１６４以上、またＸが０．４〜０．９であるので、
Ｃ／Ｎ比、ピットエラーレート、これらの保存後の値の
いずれも良好な結果を示す。　特にＮｏ、　１〜Ｎｏ、
　３はＸが０．５〜０．８、Ｘ　１　／　Ｘ　４の値が
２〜４．５と好ましい範囲内にあるため、きわめてすぐ
れた結果を示す。

さらに、Ｎｏ、　　１とＮｏ、　２は、Ｘ　Ｉ／　Ｘ　
４が２．５〜３．５と最適範囲になるため、保存劣化の
防上効果はきわめて大きいことがわかる。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 （・・・光磁気記録媒体、 ２・・・基板、 ３・・−窒化アルミニウム中間層、 ４・・・磁性源ｌ１５！層、 ５・・・保護層、 ６・・・保護膜、 ７・・・接着剤層、 ８・・・保護板 出願人　　ティーディーケイ株式会社 、−゛　　ご、

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂製の基板上に窒化アルミニウムから形成され
   る中間層を有し、この中間層上に希上類−遷移金属の磁
   性薄膜層を有する光磁気記録媒体において、 上記中間層における基板側窒素含有量が磁性薄膜層側の
   それと比べ大きいことを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）窒化アルミニウム中間層の基板側から１／４まで
   の位置の窒化アルミニウム中間層中のＮ／Ａｌ原子比が
   、磁性薄膜層側から１／４までの位置の窒化アルミニウ
   ム中間層中の Ｎ／Ａｌ原子比の１．４倍以上である特許請求の範囲第
   １項に記載の光磁気記録媒体。
3. （３）窒化アルミニウム中間層の層全体の平均のＮ／Ａ
   ｌ原子比が０．４〜０．９である特許請求の範囲第１項
   または第２項に記載の光磁気記録媒体。
4. （４）樹脂製の基板がポリカーボネート樹脂である特許
   請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光磁
   気記録媒体。