JP2594422B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2594422B2 JP2594422B2 JP60179164A JP17916485A JP2594422B2 JP 2594422 B2 JP2594422 B2 JP 2594422B2 JP 60179164 A JP60179164 A JP 60179164A JP 17916485 A JP17916485 A JP 17916485A JP 2594422 B2 JP2594422 B2 JP 2594422B2
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Description
【発明の詳細な説明】 Ｉ 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の
記録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。
記録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。
先行技術 光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO3,GdIG,GdTbFe, GdTbFeCoBi,CoFe2O4 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点
をあげることができる。
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点
をあげることができる。
この性質を利用して、光磁気記録の方法としては、例
えば次の方法がある。
えば次の方法がある。
まず、最初に膜全体を“0"すなわち一様に磁化してお
く（これを消去という）。つぎに、“1"を記録したい部
分にレーザービームを照射する。レーザービームが照射
されたところは温度が上昇し、キューリー点に近づいた
時、そしてさらにキューリー点をこえた時には、保磁力
Hcは０に近づく。そして、レーザービームを消し、室温
にもどせば、反磁場のエネルギーにより磁化は反転し、
さらには、レーザービームの照射の後、外部磁場を初期
と反対の方向に与えて室温にもどすと、磁化反転し、
“1"なる信号が記録される。
く（これを消去という）。つぎに、“1"を記録したい部
分にレーザービームを照射する。レーザービームが照射
されたところは温度が上昇し、キューリー点に近づいた
時、そしてさらにキューリー点をこえた時には、保磁力
Hcは０に近づく。そして、レーザービームを消し、室温
にもどせば、反磁場のエネルギーにより磁化は反転し、
さらには、レーザービームの照射の後、外部磁場を初期
と反対の方向に与えて室温にもどすと、磁化反転し、
“1"なる信号が記録される。
また、記録は初期状態が“0"であるから、レーザービ
ームを照射しない部分は“0"のまま残る。
ームを照射しない部分は“0"のまま残る。
記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレ
ーザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁
化の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光
学効果を利用して行われる。
ーザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁
化の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光
学効果を利用して行われる。
このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が
室温付近であること。
室温付近であること。
第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的小
さいこと。
さいこと。
第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比
較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得ら
れることがあげられる。
較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得ら
れることがあげられる。
このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。
しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜から
なる光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接し
たまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が
選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、
再生が不可能となる。
なる光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接し
たまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が
選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、
再生が不可能となる。
そこで、一般には、前記磁性薄膜層の表面に保護層を
設けた構成を有するものが多く研究されている。
設けた構成を有するものが多く研究されている。
従来、このような防湿性の保護層としては、一酸化ケ
イ素、二酸化ケイ素、チッ化アルミ、チッ化ケイ素等の
無機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設ける試み（特開昭58
−80142号等）が開示されている。
イ素、二酸化ケイ素、チッ化アルミ、チッ化ケイ素等の
無機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設ける試み（特開昭58
−80142号等）が開示されている。
これらの保護層のうち、例えば、SiO2などの無機系の
保護層は、スパッタ法および蒸着法等により形成され
る。
保護層は、スパッタ法および蒸着法等により形成され
る。
しかし、これらの方法によっては、均一で一様におお
われた成膜が難しく、防湿性が十分な保護層はえられな
い。そのため、光磁気記録媒体の磁性薄膜層の経時劣化
が改善されない。
われた成膜が難しく、防湿性が十分な保護層はえられな
い。そのため、光磁気記録媒体の磁性薄膜層の経時劣化
が改善されない。
また、常温硬化性の樹脂の塗膜保護層でも、十分な防
湿性はえられず、硬化までに長時間を要し、その間に十
分、酸素の透過等の影響があり、これが劣化をうなが
す。
湿性はえられず、硬化までに長時間を要し、その間に十
分、酸素の透過等の影響があり、これが劣化をうなが
す。
II 発明の目的 本発明の目的は、高湿度雰囲気中においても磁性薄膜
層の劣化が防止され、防湿性のすぐれた光磁気記録媒体
を提供することにある。
層の劣化が防止され、防湿性のすぐれた光磁気記録媒体
を提供することにある。
III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成され
る。
る。
すなわち、一対の基板を有し、これらの基板の少なく
とも一方の内側面上に磁性薄膜層を有する光磁気記録媒
体において、 前記磁性薄膜層と前記基板との間に酸化ケイ素、窒化
アルミニウム、窒化ケイ素および硫化亜鉛の１種以上を
含む無機質の中間層を設け、 前記磁性薄膜層の基板と反対側に酸化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、窒化ケイ素および硫化亜鉛の１種以上を含
む無機質の保護層を設け、 媒体の外面全域に亘って放射線硬化型化合物の硬化膜
の厚さ１〜30μｍの被覆を直接形成したことを特徴とす
る光磁気記録媒体である。
とも一方の内側面上に磁性薄膜層を有する光磁気記録媒
体において、 前記磁性薄膜層と前記基板との間に酸化ケイ素、窒化
アルミニウム、窒化ケイ素および硫化亜鉛の１種以上を
含む無機質の中間層を設け、 前記磁性薄膜層の基板と反対側に酸化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、窒化ケイ素および硫化亜鉛の１種以上を含
む無機質の保護層を設け、 媒体の外面全域に亘って放射線硬化型化合物の硬化膜
の厚さ１〜30μｍの被覆を直接形成したことを特徴とす
る光磁気記録媒体である。
IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の光磁気記録媒体の好適実施例が第１図に示さ
れている。
れている。
第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は一対の
基板21、25を有し、これらの基板21、25の少なくとも一
方（この場合は一方の基板21）に、直接もしくは必要に
応じて設けられる中間層３を介して磁性薄膜層４を有
し、さらに必要に応じ、この磁性薄膜層４上にトップコ
ート層５が形成される。そして、この上に接着層６を介
して基体25を接着し一対の基板21、25を有する媒体と
し、さらに媒体の外面全域が放射線硬化型化合物の硬化
膜の被覆７で被覆されている。
基板21、25を有し、これらの基板21、25の少なくとも一
方（この場合は一方の基板21）に、直接もしくは必要に
応じて設けられる中間層３を介して磁性薄膜層４を有
し、さらに必要に応じ、この磁性薄膜層４上にトップコ
ート層５が形成される。そして、この上に接着層６を介
して基体25を接着し一対の基板21、25を有する媒体と
し、さらに媒体の外面全域が放射線硬化型化合物の硬化
膜の被覆７で被覆されている。
本発明の磁性薄膜層４は、変調された熱ビームあるい
は変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるも
のであり、記録情報を磁気−光変換して再生するもので
ある。
は変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるも
のであり、記録情報を磁気−光変換して再生するもので
ある。
このような磁性薄膜層４としては、希土類金属と遷移
金属の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜とし
て通常の厚さに形成されたものが好ましい。
金属の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜とし
て通常の厚さに形成されたものが好ましい。
希土類金属および遷移金属としては種々のものがある
が、特に前者としてはGd,Tb、または後者としてはFe,Co
が好適である。
が、特に前者としてはGd,Tb、または後者としてはFe,Co
が好適である。
そして、その好適例としては、GdFe,TbFe,TbFeCo,GdF
eCo,GdTbFe等がある。
eCo,GdTbFe等がある。
このような磁性薄膜層４が直接もしくは中間層３を介
して設層される基板21は、アクリル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテンなどのオ
レフィン樹脂等の樹脂製あるいはガラス製とすることが
好ましい。
して設層される基板21は、アクリル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテンなどのオ
レフィン樹脂等の樹脂製あるいはガラス製とすることが
好ましい。
このような基板21の屈折率nbは、通常1.45〜1.58程度
である。
である。
なお、記録は基板21をとおして行うことが好ましいの
で、書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は86％
以上とする。
で、書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は86％
以上とする。
また、基板は、通常ディスク状とし、1.2〜1.5mm程度
の厚さとする。
の厚さとする。
このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、
トラッキング用の溝が形成されてもよい。
トラッキング用の溝が形成されてもよい。
溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/7n〜λ/12（ここ
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、トラック巾程度とされる。
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、トラック巾程度とされる。
そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。
このように構成することにより、書き込み感度と読み
出しのS/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
出しのS/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等
としてもよい。
としてもよい。
一方、この基板21と対をなして、磁性薄膜層４をはさ
むように基板25が設けられる。
むように基板25が設けられる。
この基板25は、通常、樹脂製あるいはガラス製とされ
その材質の選定も基板25の使用目的に応じて適宜決定す
ればよい。
その材質の選定も基板25の使用目的に応じて適宜決定す
ればよい。
すなわち、前述したような一方の基板21の側からのみ
書き込み、読み出しを行う場合には、対として用いられ
る基板25は通常、保護板としてのみの機能を有し、その
樹脂材質は特別に透明性等を要求されることはなく、種
々の樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リスチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアルコール、
メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リカーボネート、ポリアセタール、ふっ素樹脂等の各種
熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルミド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
書き込み、読み出しを行う場合には、対として用いられ
る基板25は通常、保護板としてのみの機能を有し、その
樹脂材質は特別に透明性等を要求されることはなく、種
々の樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リスチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアルコール、
メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リカーボネート、ポリアセタール、ふっ素樹脂等の各種
熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルミド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を基板25
として用いてもよい。
として用いてもよい。
このような基板25は接着層６を介して接着される。接
着層６は、通常、ホットメルト樹脂等の接着剤であって
よい。
着層６は、通常、ホットメルト樹脂等の接着剤であって
よい。
他方、基板25の内面にさらにもう一層、前述したよう
な組成からなる磁性薄膜層を設け、二つの磁性薄膜層を
用いて、基板21側と基板25側の両側から書き込み、読み
出しが可能な、いわゆる両面記録の媒体とするときは、
基板25の材質は、前述の基板21のそれと同様とされる。
な組成からなる磁性薄膜層を設け、二つの磁性薄膜層を
用いて、基板21側と基板25側の両側から書き込み、読み
出しが可能な、いわゆる両面記録の媒体とするときは、
基板25の材質は、前述の基板21のそれと同様とされる。
また、基板25の形状は、基板21のそれとほぼ同一とさ
れる。
れる。
以上、述べてきたような媒体の外面の全域、すなわち
ディスクではその外側面、内側面、表面および裏面は、
第１図に示されるように全て放射線硬化型化合物の硬化
膜の被覆７で被覆されている。
ディスクではその外側面、内側面、表面および裏面は、
第１図に示されるように全て放射線硬化型化合物の硬化
膜の被覆７で被覆されている。
用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネル
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなウリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなウリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。
放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。
これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールジメタクリレート、1,6−ヘキサング
リコールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジ
メタクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものと
しては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メ
タクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート
（メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアク
リレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパン
ジアクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエス
テルアクリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、
Ｍ−5500、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、
Ｍ−8060、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラスト
マー（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこ
れらのものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノ
ールエチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリ
レート）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール
縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロ
ラクトン−アクリル基のついた化合物、 １） （CH2＝CHCOOH2）３−CCH2OH（特殊アクリレート
Ａ） ２） （CH2＝CHCOOH2）３−CCH2CH3（特殊アクリレー
トＢ） ３） 〔CH2＝CHOC（OC3H6）ｎ−OCH2〕３−CCH2CH
3（特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合部Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合部Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合部Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合部Ｄという）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールジメタクリレート、1,6−ヘキサング
リコールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジ
メタクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものと
しては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メ
タクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート
（メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアク
リレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパン
ジアクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエス
テルアクリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、
Ｍ−5500、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、
Ｍ−8060、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラスト
マー（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこ
れらのものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノ
ールエチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリ
レート）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール
縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロ
ラクトン−アクリル基のついた化合物、 １） （CH2＝CHCOOH2）３−CCH2OH（特殊アクリレート
Ａ） ２） （CH2＝CHCOOH2）３−CCH2CH3（特殊アクリレー
トＢ） ３） 〔CH2＝CHOC（OC3H6）ｎ−OCH2〕３−CCH2CH
3（特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合部Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合部Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合部Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合部Ｄという）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。
８） CH2＝CHOO−（CH2−CH2O）４−COCH−CH2（特殊
アクリレートＨ） 12） ＡＭ−ＮnM−Ａ A:アクリル酸、M:2価アルコール N:塩基酸（特殊アクリレートＬ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
アクリレートＨ） 12） ＡＭ−ＮnM−Ａ A:アクリル酸、M:2価アルコール N:塩基酸（特殊アクリレートＬ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
（式中R1,R2:アルキル、n:整数） また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによっ
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
このような放射線硬化型樹脂の具体例としては、ラジ
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可能性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可能性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。
放射線硬化型樹脂に変性できる熱可能性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
このような放射線硬化型化合物の硬化膜の被膜７の膜
厚は１〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍである。
厚は１〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍである。
この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿硬化が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿硬化が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合せて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、基板表面の状態、
目的とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合せて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、基板表面の状態、
目的とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
このような塗膜を硬化させて硬化膜の被覆７とするに
は、電子線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよ
い。
は、電子線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよ
い。
電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
一方、紫外線を用いる場合には、前述したように放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。
この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、
例えばベンドインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。
例えばベンドインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。
そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。
たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線
電球等を用いればよい。
電球等を用いればよい。
このようにして設けられた硬化膜の被覆７は、通常、
前記の放射線硬化型化合物のうちの１種を用いて、同一
材質とされる。しかし、必要に応じて硬化膜の被覆７を
設ける位置により、それぞれ組成の異なる放射線硬化型
化合物を用いて設けてもよい。設層膜厚も被覆７の設け
る位置によりそれぞれ異なる厚さとしてもよい。
前記の放射線硬化型化合物のうちの１種を用いて、同一
材質とされる。しかし、必要に応じて硬化膜の被覆７を
設ける位置により、それぞれ組成の異なる放射線硬化型
化合物を用いて設けてもよい。設層膜厚も被覆７の設け
る位置によりそれぞれ異なる厚さとしてもよい。
なお、基板21と磁性薄膜層４との間には第１図に示さ
れるように種々の中間層３を１層もしくは２層以上設け
る。
れるように種々の中間層３を１層もしくは２層以上設け
る。
中間層材質は、酸化ケイ素（SiO2、SiO）、窒化アル
ミニウム（AlN）、窒化ケイ素（Si3N4）、硫化亜鉛（Zn
S）の１種以上含む無機質のものである。
ミニウム（AlN）、窒化ケイ素（Si3N4）、硫化亜鉛（Zn
S）の１種以上含む無機質のものである。
また磁性薄膜層４上に第１図に示されるように、中間
層と同種の材質の保護層５を１層ないし２層以上設け
る。
層と同種の材質の保護層５を１層ないし２層以上設け
る。
本発明は、第１図に示されるように形成してもよい
し、前述したように２つの磁性薄膜層を内側にして対向
させ、接着剤等を用いて貼り合わせて、基板の裏面側か
らの書き込みを行う、いわゆる両面記録の媒体としても
よい。
し、前述したように２つの磁性薄膜層を内側にして対向
させ、接着剤等を用いて貼り合わせて、基板の裏面側か
らの書き込みを行う、いわゆる両面記録の媒体としても
よい。
Ｖ 発明の効果 本発明の光磁気記録媒体は、媒体の外面がすべて放射
線硬化型化合物の硬化膜で被覆されているため、防湿性
が向上し、高温高湿の雰囲気中で長時間使用しても経時
劣化が少ない。
線硬化型化合物の硬化膜で被覆されているため、防湿性
が向上し、高温高湿の雰囲気中で長時間使用しても経時
劣化が少ない。
VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
〔実施例１〕 直径20cm、厚さ1.2mmのPMMAからなる基板上に、Si3N4
中間層を高周波マグネトロンスパッタにより膜厚900Å
に設層した。
中間層を高周波マグネトロンスパッタにより膜厚900Å
に設層した。
この中間層上に、TbFeCo合金薄膜をスパッタリングに
より厚さ0.1μｍに設層し、磁性薄膜層とした。
より厚さ0.1μｍに設層し、磁性薄膜層とした。
なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Coチップを
のせたもの用いた。
のせたもの用いた。
さらにこの磁性薄膜層上にSiO2の保護層を膜厚800Å
に蒸着で設層し、この保護層上に直径20cm、厚さ1.2mm
のPMMAからなる基板をホットメルト樹脂を介して接着し
た。
に蒸着で設層し、この保護層上に直径20cm、厚さ1.2mm
のPMMAからなる基板をホットメルト樹脂を介して接着し
た。
さらに、このように設けられた一対の基板の表面上お
よび媒体の側面に、すなわち媒体の外側がすべて被覆さ
れるように、下記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成
物をスピンナーコートおよびディッピングで設層した。
よび媒体の側面に、すなわち媒体の外側がすべて被覆さ
れるように、下記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成
物をスピンナーコートおよびディッピングで設層した。
（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート（アロニックス Ｍ
−8030） 100重量部 光増感剤（バィキュア） ５重量部 このような塗布組成物を設層後、80W/cm紫外線を15se
c照射し、架橋硬化させ、硬化膜とした。
−8030） 100重量部 光増感剤（バィキュア） ５重量部 このような塗布組成物を設層後、80W/cm紫外線を15se
c照射し、架橋硬化させ、硬化膜とした。
この時の膜厚は10μｍであった（サンプルNo.1）。
〔比較例１〕 実施例１において媒体の外面をすべて被覆した硬化膜
を設けなかった。それ以外は実施例１の場合と同様とし
た（サンプルNo.2）。
を設けなかった。それ以外は実施例１の場合と同様とし
た（サンプルNo.2）。
〔比較例２〕 実施例１において用いた硬化膜を、一対の基板表面上
にのみ設け、媒体の側面には設けなかった。
にのみ設け、媒体の側面には設けなかった。
それ以外は実施例１の場合と同様とした（サンプルN
o.3）。
o.3）。
［比較例３］ 実施例１において、Si3N4中間層とSiO2保護層を設け
ずにサンプルNo.4を得た。
ずにサンプルNo.4を得た。
［比較例４］ 実施例１において、Si3N4中間層を設けずにサンプルN
o.5を得た。
o.5を得た。
［比較例５］ 実施例１において、SiO2保護層を設けずにサンプルN
o.6を得た。
o.6を得た。
［比較例６］ 実施例１において、保護層を厚さ20μｍのエチレン−
酢酸ビニル高分子膜としてサンプルNo.7を得た。
酢酸ビニル高分子膜としてサンプルNo.7を得た。
［比較例７］ 実施例１において、媒体外面すべてに設けた硬化膜の
下に、特開昭62−20156号公報に準じ、ポリ塩化ビニリ
デンの水エマルジョンを塗布設層してサンプルNo.8を得
た。
下に、特開昭62−20156号公報に準じ、ポリ塩化ビニリ
デンの水エマルジョンを塗布設層してサンプルNo.8を得
た。
以上のサンプルについて初期と60℃、90％RHにて300
時間および1000時間保存後のC/N比を測定した。
時間および1000時間保存後のC/N比を測定した。
結果を表１に示す。
表１に示される結果から、本発明の効果が、あきらか
である。
である。
なお、サンプルNo.1において、放射線硬化型化合物と
硬化膜の被覆厚30μｍ超では、ディスクの反りと保護膜
のクラックが多発し、１μｍ未満では保存性の向上に効
果がなかった。
硬化膜の被覆厚30μｍ超では、ディスクの反りと保護膜
のクラックが多発し、１μｍ未満では保存性の向上に効
果がなかった。
第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、21,25……基板、 ３……中間層、４……磁性薄膜層、 ５……保護層、６……接着層 ７……放射線硬化型化合物の硬化膜の被覆
である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、21,25……基板、 ３……中間層、４……磁性薄膜層、 ５……保護層、６……接着層 ７……放射線硬化型化合物の硬化膜の被覆
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−169996（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−20156（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−139961（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−153129（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】一対の基板を有し、これらの基板の少なく
とも一方の内側面上に磁性薄膜層を有する光磁気記録媒
体において、 前記磁性薄膜層と前記基板との間に酸化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、窒化ケイ素および硫化亜鉛の１種以上を含
む無機質の中間層を設け、 前記磁性薄膜層の基板と反対側に酸化ケイ素、窒化アル
ミニウム、窒化ケイ素および硫化亜鉛の１種以上を含む
無機質の保護層を設け、 媒体の外面全域に亘って放射線硬化型化合物の硬化膜の
厚さ１〜30μｍの被覆を直接形成したことを特徴とする
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179164A JP2594422B2 (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179164A JP2594422B2 (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6238544A JPS6238544A (ja) | 1987-02-19 |
| JP2594422B2 true JP2594422B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=16061057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60179164A Expired - Lifetime JP2594422B2 (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594422B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782675B2 (ja) * | 1986-07-14 | 1995-09-06 | セイコーエプソン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| CA2047163C (en) * | 1990-07-20 | 1995-05-16 | Kenji Ohta | Optical disk |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153129U (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-22 | ||
| JPS6220156A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気デイスク |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP60179164A patent/JP2594422B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6238544A (ja) | 1987-02-19 |
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