JPS62163385A - 分布帰還型半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
分布帰還型半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS62163385A JPS62163385A JP61005725A JP572586A JPS62163385A JP S62163385 A JPS62163385 A JP S62163385A JP 61005725 A JP61005725 A JP 61005725A JP 572586 A JP572586 A JP 572586A JP S62163385 A JPS62163385 A JP S62163385A
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- Japan
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- layer
- guide
- guide layer
- grating
- semiconductor laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、分布帰還型半導体レーザの製造方法に関する
ものであって、光とグレーティングとのカップリングが
強い分布帰還型半導体レーザを製造するのに用いて最適
なものである。
ものであって、光とグレーティングとのカップリングが
強い分布帰還型半導体レーザを製造するのに用いて最適
なものである。
本発明は、第１のクラッド層と、この第１のクラッド層
上に設けられている活性層と、この活性層上に設けられ
ているガイド層と、このガイド層上に設けられている第
２のクラッド層とを夫々具備し、上記ガイド層にグレー
ティングが設けられている分布帰還型半導体レーザの製
造方法において、上記ガイド層上に所定の物１ｉ層を形
成する工程と、少なくとも上記ガイド層が部分的に露出
するまで上記物質層及び上記ガイド層を選択的Ｇこエツ
チングすることによって上記物質層及び上記ガイド層の
表面に略三角波状の凹凸を形成する工程と、上記凹凸を
被覆する様に上記第２のクラッド層を形成する工程とを
夫々具備させることによって、光との結合が強いグレー
ティングを存する分布帰還型半導体レーザを容易にしか
も再現性良く製造することができる様にしたものである
。
上に設けられている活性層と、この活性層上に設けられ
ているガイド層と、このガイド層上に設けられている第
２のクラッド層とを夫々具備し、上記ガイド層にグレー
ティングが設けられている分布帰還型半導体レーザの製
造方法において、上記ガイド層上に所定の物１ｉ層を形
成する工程と、少なくとも上記ガイド層が部分的に露出
するまで上記物質層及び上記ガイド層を選択的Ｇこエツ
チングすることによって上記物質層及び上記ガイド層の
表面に略三角波状の凹凸を形成する工程と、上記凹凸を
被覆する様に上記第２のクラッド層を形成する工程とを
夫々具備させることによって、光との結合が強いグレー
ティングを存する分布帰還型半導体レーザを容易にしか
も再現性良く製造することができる様にしたものである
。
分布帰還型（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄｂａ
ｃｋ）半導体レーザ（以下ＤＦＢレーザという）は、単
−縦モード発振を実現し得るレーザとして期待されてい
る。
ｃｋ）半導体レーザ（以下ＤＦＢレーザという）は、単
−縦モード発振を実現し得るレーザとして期待されてい
る。
このＤＦＢレーザにおいては、ブラッグ反射によって光
を分布的に帰還させるためのグレーティング（回折格子
）として、凹凸が一様に形成されている１次または２次
のグレーティングが従来がら用いられている。
を分布的に帰還させるためのグレーティング（回折格子
）として、凹凸が一様に形成されている１次または２次
のグレーティングが従来がら用いられている。
これらのうち１次グレーティングは、光との結合（カッ
プリング）が強いために、有効な分布帰還が得られるが
、グレーティングのピンチΔが小さいために、容易にし
かも再現性良く作製することが困難である。
プリング）が強いために、有効な分布帰還が得られるが
、グレーティングのピンチΔが小さいために、容易にし
かも再現性良く作製することが困難である。
また２次グレーティングのうちで、第３図に示す様な形
状を有しているために１次のフーリエ成分が０であるグ
レーティングは、光との結合が１次グレーティングに比
べて絶対量として小さい上に、結合の強さがグレーティ
ングの形状に敏感に依存するので、結合が場合によって
はＯとなってしまう。このために、第３図に示した様な
２次グレーティングを用いたＤＦＢレーザでは、安定し
た十分な強さの発振を得ることは難しい。
状を有しているために１次のフーリエ成分が０であるグ
レーティングは、光との結合が１次グレーティングに比
べて絶対量として小さい上に、結合の強さがグレーティ
ングの形状に敏感に依存するので、結合が場合によって
はＯとなってしまう。このために、第３図に示した様な
２次グレーティングを用いたＤＦＢレーザでは、安定し
た十分な強さの発振を得ることは難しい。
しかし、原理的に１次のフーリエ成分が極大になる第４
図に示す様な形状の２次グレーティングを用いれば、Ｄ
ＦＢレーザとして十分な結合（結合係数が１００ｃｍ−
’以上）が得られることが理論的にも実験的にも確認さ
れている。従って、第４図に示す様な形状の２次グレー
ティングを均一に且つ再現性良く作製する技術が必要と
されている。
図に示す様な形状の２次グレーティングを用いれば、Ｄ
ＦＢレーザとして十分な結合（結合係数が１００ｃｍ−
’以上）が得られることが理論的にも実験的にも確認さ
れている。従って、第４図に示す様な形状の２次グレー
ティングを均一に且つ再現性良く作製する技術が必要と
されている。
ところが、ピンチＡ＝０．１〜０．４ μｍ程度のグレ
ーティングを作製する場合の典型的な手法であるホログ
ラフィック露光法では、この手法が本質的に持っている
露光強度分布のために、第４図に示した様なグレーティ
ングを作製することは殆ど不可能であると言ってよい。
ーティングを作製する場合の典型的な手法であるホログ
ラフィック露光法では、この手法が本質的に持っている
露光強度分布のために、第４図に示した様なグレーティ
ングを作製することは殆ど不可能であると言ってよい。
これに対して第３図に示した様な形状であれば、半導体
基板とエツチング液とが有している異方性（結晶面依存
性）のために、ある程度の露光強度分布であれば自己整
合的に再現性良（作製することが可能である。
基板とエツチング液とが有している異方性（結晶面依存
性）のために、ある程度の露光強度分布であれば自己整
合的に再現性良（作製することが可能である。
またＡ≧０．４μｍであれば、電子ビーム露光法を使用
できるので、第４図に示した様な形状の２次グレーティ
ングを再現性良（作製することが可能である。しかし、
波長λ＝８５０ｎｍ近辺のＤＦＢレーザでは、２次グレ
ーティングのピンチは八＝０．２５μｍ程度となるので
この手法も使用することができない。
できるので、第４図に示した様な形状の２次グレーティ
ングを再現性良（作製することが可能である。しかし、
波長λ＝８５０ｎｍ近辺のＤＦＢレーザでは、２次グレ
ーティングのピンチは八＝０．２５μｍ程度となるので
この手法も使用することができない。
本発明は、従来技術が有している上述の様な欠点が是正
された分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供するこ
とを目的としている。
された分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供するこ
とを目的としている。
本発明による分布帰還型半導体レーザの製造方法は、第
１のクラッド層（例えばｎ−Ａ ｌ ｏ、 ：＋Ｇａｏ
、 ＴＡｓ層２）と、この第１のクラッド層上に設けら
れている活性層（例えばＧａＡｓ層３）と、この活性層
上に設けられているガイド層（例えばｐ−へ１Ｇ、１ｓ
Ｇａ６．５ｓＡＳ層４）と、このガイド層上に設けられ
ている第２のクラッド層（例えばｐ−八βｏ、 ３Ｇａ
ｏ、 ）Ａｓ層７）とを夫々具備し、上記ガイド層にグ
レーティング（例えば２次グレーティング８）が設けら
れている分布帰還型半導体レーザの製造方法において、
上記ガイド層上に所定の物質層（例えばｐ−Ａ ｌ ｏ
、ｚＧａｏ、 ７へＳ層５）を形成する工程と、少なく
とも上記ガイド層が部分的に露出するまで上記物質層及
び上記ガイド層を選択的にエツチングすることによって
上記物質層及び上記ガイド層の表面に略三角波状の凹凸
（例えば三角波状凹凸６）を形成する工程と、上記凹凸
を被覆する様に上記第２のクラッド層を形成する工程と
を夫々具備している。
１のクラッド層（例えばｎ−Ａ ｌ ｏ、 ：＋Ｇａｏ
、 ＴＡｓ層２）と、この第１のクラッド層上に設けら
れている活性層（例えばＧａＡｓ層３）と、この活性層
上に設けられているガイド層（例えばｐ−へ１Ｇ、１ｓ
Ｇａ６．５ｓＡＳ層４）と、このガイド層上に設けられ
ている第２のクラッド層（例えばｐ−八βｏ、 ３Ｇａ
ｏ、 ）Ａｓ層７）とを夫々具備し、上記ガイド層にグ
レーティング（例えば２次グレーティング８）が設けら
れている分布帰還型半導体レーザの製造方法において、
上記ガイド層上に所定の物質層（例えばｐ−Ａ ｌ ｏ
、ｚＧａｏ、 ７へＳ層５）を形成する工程と、少なく
とも上記ガイド層が部分的に露出するまで上記物質層及
び上記ガイド層を選択的にエツチングすることによって
上記物質層及び上記ガイド層の表面に略三角波状の凹凸
（例えば三角波状凹凸６）を形成する工程と、上記凹凸
を被覆する様に上記第２のクラッド層を形成する工程と
を夫々具備している。
以下、本発明をＡ Ｅ ＧａＡｓ ／ ＧａＡｓヘテロ
構造のＤＦＢレーザの製造に適用した一実施例につき図
面を参照しながら説明する。
構造のＤＦＢレーザの製造に適用した一実施例につき図
面を参照しながら説明する。
第１Ａ図に示す様に、まずｎ−ＧａＡｓ基板１上に第１
のクラッド層を構成するｎ−Ａ Ｉｌ ｏ、３Ｇａｏ、
７ Ａｓ層２、活性層を構成するＧａＡｓ層３、ガイ
ド層を構成するｐ−Ａ Ｅ ｏ、 ＋ ５Ｇａｏ、 ａ
ｓＡＳ層４及びｐ−Ｉｌ １２ ｏ、 ：＋Ｇａｏ、
ｆｆＡｓ層５を、Ｍ Ｂ Ｅ法またはＭＯＣＶＤ法によ
って順次エピタキシャル成長させる。なおｐ−Ａ １゜
、 ：１Ｇ８０．７Ａｓ層５の厚さは、後述の凹凸６の
高さの略半分に選ぶ。
のクラッド層を構成するｎ−Ａ Ｉｌ ｏ、３Ｇａｏ、
７ Ａｓ層２、活性層を構成するＧａＡｓ層３、ガイ
ド層を構成するｐ−Ａ Ｅ ｏ、 ＋ ５Ｇａｏ、 ａ
ｓＡＳ層４及びｐ−Ｉｌ １２ ｏ、 ：＋Ｇａｏ、
ｆｆＡｓ層５を、Ｍ Ｂ Ｅ法またはＭＯＣＶＤ法によ
って順次エピタキシャル成長させる。なおｐ−Ａ １゜
、 ：１Ｇ８０．７Ａｓ層５の厚さは、後述の凹凸６の
高さの略半分に選ぶ。
次に、第３図に示した２次グレーティングを作製する場
合に用いる既述の方法（エツチングの自己整合性を利用
する方法）と同様な方法を用いて、ρ−八へ！ ｏ、
＋ ５Ｇａｏ、 ５ｓＡｓ層４が部分的に露出し更にｐ
−八！。、 ３Ｇａ、、 ７Ａｓ層５の厚さと略同じ深
さまで上記ｐ−Ａ Ｉｌ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ７Ａｓ層
５及びＰ−Ａ Ｉ−ｏ、 ＋５Ｇａｏ、 ｅ５Ａｓ層４
を選択的にエツチングすることによって、第１Ｂ図に示
ず様に、ｐ−ＡＥ ６．３Ｇａｏ、 ７ＡＳ層５とｐ−
Ａ １２ ｏ、 ＋５Ｇａｏ、 ｏ、、Ａｓ層４との界
面を中心線とする三角波状凹凸６を形成する。
合に用いる既述の方法（エツチングの自己整合性を利用
する方法）と同様な方法を用いて、ρ−八へ！ ｏ、
＋ ５Ｇａｏ、 ５ｓＡｓ層４が部分的に露出し更にｐ
−八！。、 ３Ｇａ、、 ７Ａｓ層５の厚さと略同じ深
さまで上記ｐ−Ａ Ｉｌ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ７Ａｓ層
５及びＰ−Ａ Ｉ−ｏ、 ＋５Ｇａｏ、 ｅ５Ａｓ層４
を選択的にエツチングすることによって、第１Ｂ図に示
ず様に、ｐ−ＡＥ ６．３Ｇａｏ、 ７ＡＳ層５とｐ−
Ａ １２ ｏ、 ＋５Ｇａｏ、 ｏ、、Ａｓ層４との界
面を中心線とする三角波状凹凸６を形成する。
次に再びＭＢＥ法またはＭ ＯＣＶ Ｄ法によって、第
１Ｃ図に示す様に上記凹凸６を被覆する様にｐ−Ａ Ｉ
−ｏ、 ＝Ｇａｏ、 Ｊｓ層７をエピタキシャル成長さ
せて、第４図に示した２次グレーティングと同様な形状
の２次グレーティング８が作り込まれた、目的とするＤ
ＦＢレーザを完成させる。なお上記 ｐ−＾’ ｏ、
３ｃａＱ、 ７ＡＳ層７と、既述のエツチング時に践さ
れた断面三角形のｐ−Ａ Ｉｔ ｏ、 ５Ｇａｏ、 Ｔ
ＡＳ層５ａ（第１Ｃ図においては一点鎖線で示す）とに
よって、第２のクラッド層が構成される。
１Ｃ図に示す様に上記凹凸６を被覆する様にｐ−Ａ Ｉ
−ｏ、 ＝Ｇａｏ、 Ｊｓ層７をエピタキシャル成長さ
せて、第４図に示した２次グレーティングと同様な形状
の２次グレーティング８が作り込まれた、目的とするＤ
ＦＢレーザを完成させる。なお上記 ｐ−＾’ ｏ、
３ｃａＱ、 ７ＡＳ層７と、既述のエツチング時に践さ
れた断面三角形のｐ−Ａ Ｉｔ ｏ、 ５Ｇａｏ、 Ｔ
ＡＳ層５ａ（第１Ｃ図においては一点鎖線で示す）とに
よって、第２のクラッド層が構成される。
上述の実施例によれば、次の様な利点がある。
即ち、第１Ｂ図に示した三角波状凹凸６は従来の手法で
も均一にしかも再現性良く形成することができるので、
最終的に得られる２次グレーティング８も同様に形状の
均−性及び再現性が良好である。また、この三角波状凹
凸６の高さはｐ−八β。、 ３Ｇａ０． ＴＡＳＡｓＯ
２厚によって制御することができるが、上述の実施例に
おいては膜厚の精密制御が可能なＭＢＥ法またはＭＯＣ
ＶＤ法を用いているので、最終的に得られる２次グレー
ティング８の凹凸の高さの制御性も良好である。従って
、上述の実施例によれば、１次フーリエ成分が最大で光
との結合が強い２次グレーティング８を有するＤＦＢレ
ーザを容易にしかも再現性良く製造することができる。
も均一にしかも再現性良く形成することができるので、
最終的に得られる２次グレーティング８も同様に形状の
均−性及び再現性が良好である。また、この三角波状凹
凸６の高さはｐ−八β。、 ３Ｇａ０． ＴＡＳＡｓＯ
２厚によって制御することができるが、上述の実施例に
おいては膜厚の精密制御が可能なＭＢＥ法またはＭＯＣ
ＶＤ法を用いているので、最終的に得られる２次グレー
ティング８の凹凸の高さの制御性も良好である。従って
、上述の実施例によれば、１次フーリエ成分が最大で光
との結合が強い２次グレーティング８を有するＤＦＢレ
ーザを容易にしかも再現性良く製造することができる。
以上、本発明の一実施例につき説明したが、本発明は上
述の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的
思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、三角波
状凹凸６を形成した後にｐ−Ａ Ｅ ｏ、 ：＋Ｇａｏ
、 ７ＡＳ層５ａをエツチング除去シテカラ、ｐ−１１
゜、３Ｇａｏ、 ７４３層７をエピタキシャル成長させ
てもよい。
述の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的
思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、三角波
状凹凸６を形成した後にｐ−Ａ Ｅ ｏ、 ：＋Ｇａｏ
、 ７ＡＳ層５ａをエツチング除去シテカラ、ｐ−１１
゜、３Ｇａｏ、 ７４３層７をエピタキシャル成長させ
てもよい。
また、上述の実施例においてはガイド層を構成するり−
Ａ ｊ２ ｏ、 ＋ ５Ｇａｏ、 ８５八Ｓ層４上にｐ
−八ｊ！ ６．３Ｇａｏ、 ７Ａｓ層５を形成したが、
第１Ｂ図に示した様な三角波状凹凸６をエツチングによ
って形成することができる物質であればこのｐ−Ａρ。
Ａ ｊ２ ｏ、 ＋ ５Ｇａｏ、 ８５八Ｓ層４上にｐ
−八ｊ！ ６．３Ｇａｏ、 ７Ａｓ層５を形成したが、
第１Ｂ図に示した様な三角波状凹凸６をエツチングによ
って形成することができる物質であればこのｐ−Ａρ。
、 ｚＧａｏ、 ７ＡＳ層５の代わりに他の物質層を用
いてもよく、例えばＡβ組成の異なる＾ｅ ＧａＡｓ層
を用いてもよい。
いてもよく、例えばＡβ組成の異なる＾ｅ ＧａＡｓ層
を用いてもよい。
更にまた、上述の実施例においては２次グレーティング
８を形成する場合に本発明を適用したが、例えば第２図
に示す様な３次のグレーティングやより高次のグレーテ
ィングを形成する場合にも本発明を適用することが可能
である。また、Ａ ／！ ＧａＡｓ／ＧａＡｓヘテロ構
造以外のＤＦＢレーザに本発明を適用することも可能で
ある。
８を形成する場合に本発明を適用したが、例えば第２図
に示す様な３次のグレーティングやより高次のグレーテ
ィングを形成する場合にも本発明を適用することが可能
である。また、Ａ ／！ ＧａＡｓ／ＧａＡｓヘテロ構
造以外のＤＦＢレーザに本発明を適用することも可能で
ある。
本発明によれば、光との結合が強いグレーティングを有
する分布帰還型半導体レーザを容易にしかも再現性良く
製造することが可能である。
する分布帰還型半導体レーザを容易にしかも再現性良く
製造することが可能である。
第１Ａ図〜第１Ｃ図は本発明の一実施例によるＤＦＢレ
ーザの製造方法を工程順に示す断面図、第２図は３次グ
レーティングの断面図、第３図は１次フーリエ成分が０
である２次グレーティングの断面図、第４図は１次フー
リエ成分が最大である２次グレーティングの断面図であ
る。 なお図面に用いた符号において、 ２−−−−−−−−ｎ−Ａ ７！ｏ、 ３Ｇａｏ、 ７
Ａｓ層３−−−−−−−−−−−−−ＧａＡｓＮ４
’−−’−”−’−”−” ｐ−Ａ ｌ ｏ、＋ ５
Ｇａｏ、８５八Ｓ層５ 、 ７ −−−−−−−〜−
ｐ−八１２０，３Ｇａｏ、７へＳ層６−−−−−−
−一・−・・−−一一一三角波状凹凸８−−−−−−−
−−−・−２次グレーティングである。
ーザの製造方法を工程順に示す断面図、第２図は３次グ
レーティングの断面図、第３図は１次フーリエ成分が０
である２次グレーティングの断面図、第４図は１次フー
リエ成分が最大である２次グレーティングの断面図であ
る。 なお図面に用いた符号において、 ２−−−−−−−−ｎ−Ａ ７！ｏ、 ３Ｇａｏ、 ７
Ａｓ層３−−−−−−−−−−−−−ＧａＡｓＮ４
’−−’−”−’−”−” ｐ−Ａ ｌ ｏ、＋ ５
Ｇａｏ、８５八Ｓ層５ 、 ７ −−−−−−−〜−
ｐ−八１２０，３Ｇａｏ、７へＳ層６−−−−−−
−一・−・・−−一一一三角波状凹凸８−−−−−−−
−−−・−２次グレーティングである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に設けら
れている活性層と、この活性層上に設けられているガイ
ド層と、このガイド層上に設けられている第２のクラッ
ド層とを夫々具備し、上記ガイド層にグレーティングが
設けられている分布帰還型半導体レーザの製造方法にお
いて、 上記ガイド層上に所定の物質層を形成する工程と、 少なくとも上記ガイド層が部分的に露出するまで上記物
質層及び上記ガイド層を選択的にエッチングすることに
よって上記物質層及び上記ガイド層の表面に略三角波状
の凹凸を形成する工程と、上記凹凸を被覆する様に上記
第２のクラッド層を形成する工程とを夫々具備すること
を特徴とする分布帰還型半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005725A JPS62163385A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 分布帰還型半導体レ−ザの製造方法 |
| GB08700702A GB2185353B (en) | 1986-01-14 | 1987-01-13 | Methods of manufacturing distributed feedback type semiconductor lasers |
| US07/002,972 US4716132A (en) | 1986-01-14 | 1987-01-13 | Method of manufacturing a distributed feedback type semiconductor device |
| CA000527196A CA1285057C (en) | 1986-01-14 | 1987-01-13 | Method of manufacturing a distributed feedback type semiconductor device |
| DE19873700909 DE3700909A1 (de) | 1986-01-14 | 1987-01-14 | Verfahren zur herstellung eines halbleiterelementes mit verketteter rueckkopplung |
| FR8700342A FR2592989A1 (fr) | 1986-01-14 | 1987-01-14 | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur du type a renvoi reparti |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005725A JPS62163385A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 分布帰還型半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62163385A true JPS62163385A (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=11619097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61005725A Pending JPS62163385A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 分布帰還型半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4716132A (ja) |
| JP (1) | JPS62163385A (ja) |
| CA (1) | CA1285057C (ja) |
| DE (1) | DE3700909A1 (ja) |
| FR (1) | FR2592989A1 (ja) |
| GB (1) | GB2185353B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073909B2 (ja) * | 1987-09-08 | 1995-01-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| DE3809609A1 (de) * | 1988-03-22 | 1989-10-05 | Siemens Ag | Laserdiode zur erzeugung streng monochromatischer laserstrahlung |
| DE3817326A1 (de) * | 1988-05-20 | 1989-11-30 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von gitterstrukturen mit um eine halbe gitterperiode gegeneinander versetzten abschnitten |
| JP2619057B2 (ja) * | 1989-05-22 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| DE3923354A1 (de) * | 1989-07-14 | 1991-01-24 | Licentia Gmbh | Halbleiterlaser |
| US5023198A (en) * | 1990-02-28 | 1991-06-11 | At&T Bell Laboratories | Method for fabricating self-stabilized semiconductor gratings |
| US5247536A (en) * | 1990-07-25 | 1993-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser distributed feedback laser including mode interrupt means |
| US5292685A (en) * | 1991-07-24 | 1994-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a distributed feedback semiconductor laser device |
| US5346855A (en) * | 1993-01-19 | 1994-09-13 | At&T Bell Laboratories | Method of making an INP-based DFB laser |
| US6194240B1 (en) * | 1993-12-21 | 2001-02-27 | Lucent Technologies Inc. | Method for fabrication of wavelength selective electro-optic grating for DFB/DBR lasers |
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