JPS6120780Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6120780Y2 JPS6120780Y2 JP1977081020U JP8102077U JPS6120780Y2 JP S6120780 Y2 JPS6120780 Y2 JP S6120780Y2 JP 1977081020 U JP1977081020 U JP 1977081020U JP 8102077 U JP8102077 U JP 8102077U JP S6120780 Y2 JPS6120780 Y2 JP S6120780Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- lead
- substrate
- chip
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、セラミツクパツケージ型半導体装置
に関し、特にセラミツクパツケージにおいてリー
ドが引き出されるガラス封止部の構造に関する。
に関し、特にセラミツクパツケージにおいてリー
ドが引き出されるガラス封止部の構造に関する。
通常、セラミツクパツケージを有するIC、LSI
等の半導体装置は、セラミツク等の絶縁性基板の
ほぼ中央に、半導体チツプ（ICチツプ、LSIチツ
プ）を載置し、絶縁性基板の周辺部に固定された
外部リードの端子の所定の配線をした後、セラミ
ツクの蓋を基板にかぶせ、それらの基板及び蓋の
対向部同士を低融点ガラスで接着して作られる。
等の半導体装置は、セラミツク等の絶縁性基板の
ほぼ中央に、半導体チツプ（ICチツプ、LSIチツ
プ）を載置し、絶縁性基板の周辺部に固定された
外部リードの端子の所定の配線をした後、セラミ
ツクの蓋を基板にかぶせ、それらの基板及び蓋の
対向部同士を低融点ガラスで接着して作られる。
第１図は、この種のセラミツクパツケージ型半
導体装置の一例としてセラミツクパツケージ型の
ICの組み立て途中の状態を示したもので１がセ
ラミツク基板、２はICチツプでセラミツク基板
の中央溝部に収納され、固着されている。３は一
方の先端部４がICチツプ２の周辺近傍に位置
し、他方が基板の相対する一対の側面部から引き
出されるリードである。このリードの先端部４に
ICチツブ２の電極からコネクタ線５が接続され
る。この様に組み立てた後、上からセラミツクの
蓋６をかぶせ低融点ガラス（フリツト）によつて
セラミツク基板１に密着させる。これによりIC
チツプ２は外部雰囲気から遮断されると共に機械
的応力に対しても保護される。
導体装置の一例としてセラミツクパツケージ型の
ICの組み立て途中の状態を示したもので１がセ
ラミツク基板、２はICチツプでセラミツク基板
の中央溝部に収納され、固着されている。３は一
方の先端部４がICチツプ２の周辺近傍に位置
し、他方が基板の相対する一対の側面部から引き
出されるリードである。このリードの先端部４に
ICチツブ２の電極からコネクタ線５が接続され
る。この様に組み立てた後、上からセラミツクの
蓋６をかぶせ低融点ガラス（フリツト）によつて
セラミツク基板１に密着させる。これによりIC
チツプ２は外部雰囲気から遮断されると共に機械
的応力に対しても保護される。
しかるに、従来のパツケージ型半導体装置は第
１図から明らかな通り、基板とリードとの接触面
積、特に中央側面部から引き出されるリードの基
板又は蓋に対する接触面積が小さく、接着強度が
充分でない。その結果、中央部のリード個所でリ
ーク又ははがれの発生が生じ、製品の製造歩留及
び信頼性の低下を招来している。
１図から明らかな通り、基板とリードとの接触面
積、特に中央側面部から引き出されるリードの基
板又は蓋に対する接触面積が小さく、接着強度が
充分でない。その結果、中央部のリード個所でリ
ーク又ははがれの発生が生じ、製品の製造歩留及
び信頼性の低下を招来している。
本考案の目的は、斯る従来の問題点に鑑み、側
面部中央のリードの接着強度を高め、製品歩留、
信頼性の向上を可能にした改良された半導体装置
を提供することにある。
面部中央のリードの接着強度を高め、製品歩留、
信頼性の向上を可能にした改良された半導体装置
を提供することにある。
本考案の要旨とするところは、絶縁性基板と、
該基板のほぼ中央に固着した半導体チツプと、一
方の先端部が上記半導体チツプの周辺近傍に位置
してこのチツプの電極に接続され、他方の先端部
が上記絶縁性基板の相対する一対の側面部から外
部に引き出される長いリードと短いリードを有す
る複数のリードと、上記半導体チツプを外部雰囲
気から遮断するために上記複数のリードを介し
て、上記絶縁性基板に密着する絶縁性蓋と、上記
基板、上記リード及び上記蓋の相互密着部を封止
する絶縁性固着剤とから成る半導体装置におい
て、上記対向する側面部それぞれより突出する短
いリードの一部の上記長いリードの幅より広い部
分を設けると共にこの広い部分に貫通孔を設け、
上記長いリードには上記幅の広い部分と貫通孔と
を設けないことを特徴とする半導体装置にある。
該基板のほぼ中央に固着した半導体チツプと、一
方の先端部が上記半導体チツプの周辺近傍に位置
してこのチツプの電極に接続され、他方の先端部
が上記絶縁性基板の相対する一対の側面部から外
部に引き出される長いリードと短いリードを有す
る複数のリードと、上記半導体チツプを外部雰囲
気から遮断するために上記複数のリードを介し
て、上記絶縁性基板に密着する絶縁性蓋と、上記
基板、上記リード及び上記蓋の相互密着部を封止
する絶縁性固着剤とから成る半導体装置におい
て、上記対向する側面部それぞれより突出する短
いリードの一部の上記長いリードの幅より広い部
分を設けると共にこの広い部分に貫通孔を設け、
上記長いリードには上記幅の広い部分と貫通孔と
を設けないことを特徴とする半導体装置にある。
以下、本考案の一実施例を説明する。
第２図はセラミツク基板に取り付けられたリー
ドを示す上面図で、セラミツクの蓋を取りはずし
た状態を示している。符号１乃至５は第１図と同
様の部分を示している。本考案に係わる部分は７
で示す個所にある。即ち、中央部リードの接触面
積を増大するために中央部のリード巾を太めた
り、あるいは変形したりしている。更にまた、余
裕のある場合には第２図中に点線８で示したよう
に接触面積の増大された中央部のリードに貫通孔
を設けることによりリードとケース・キヤツプと
の間の接着強度を更につよめてもよい。このこと
により、中央部リードのそれにほぼ等しくし、従
来の装置で生じていた中央リード部でのリーク現
象又ははがれを防止することができる。
ドを示す上面図で、セラミツクの蓋を取りはずし
た状態を示している。符号１乃至５は第１図と同
様の部分を示している。本考案に係わる部分は７
で示す個所にある。即ち、中央部リードの接触面
積を増大するために中央部のリード巾を太めた
り、あるいは変形したりしている。更にまた、余
裕のある場合には第２図中に点線８で示したよう
に接触面積の増大された中央部のリードに貫通孔
を設けることによりリードとケース・キヤツプと
の間の接着強度を更につよめてもよい。このこと
により、中央部リードのそれにほぼ等しくし、従
来の装置で生じていた中央リード部でのリーク現
象又ははがれを防止することができる。
本考案によれば、簡単な構造の改良により、著
しい製品歩留及び製品の信頼性向上が達成され、
しかも耐リーク性、はがれの問題をほぼ解消する
ことができる。
しい製品歩留及び製品の信頼性向上が達成され、
しかも耐リーク性、はがれの問題をほぼ解消する
ことができる。
第１図は公知のセラミツクパツケージ型半導体
装置の組み立て状況を示す斜視図、第２図は本考
案の一実施態様の説明図である。 １……セラミツク基板、２……ICチツプ、３
……リード、４……リード先端部、５……コネク
タ線、６……セラミツク蓋、７……変形されたリ
ード部分。
装置の組み立て状況を示す斜視図、第２図は本考
案の一実施態様の説明図である。 １……セラミツク基板、２……ICチツプ、３
……リード、４……リード先端部、５……コネク
タ線、６……セラミツク蓋、７……変形されたリ
ード部分。
Claims (1)
- 絶縁性基板と、該基板のほぼ中央に固着した半
導体チツプと、一方の先端部が上記半導体チツプ
の周辺近傍に位置してこのチツプの電極に接続さ
れ、他方の先端部が上記絶縁性基板の相対する一
対の側面部から外部に引き出される長いリードと
短いリードを有する複数のリードと、上記半導体
チツプを外部雰囲気から遮断するために上記複数
のリードを介して、上記絶縁性基板に密着する絶
縁性蓋と、上記基板、上記リード及び上記蓋の相
互密着部を封止する絶縁性固着剤とから成る半導
体装置において、上記対向する側面部それぞれよ
り突出する短いリードの一部に上記長いリードの
幅より広い部分を設けると共にこの広い部分に貫
通孔を設け、上記長いリードには上記幅の広い部
分と貫通孔とを設けないことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977081020U JPS6120780Y2 (ja) | 1977-06-22 | 1977-06-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977081020U JPS6120780Y2 (ja) | 1977-06-22 | 1977-06-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS549669U JPS549669U (ja) | 1979-01-22 |
| JPS6120780Y2 true JPS6120780Y2 (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=29000458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977081020U Expired JPS6120780Y2 (ja) | 1977-06-22 | 1977-06-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120780Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50123258U (ja) * | 1974-03-20 | 1975-10-08 |
-
1977
- 1977-06-22 JP JP1977081020U patent/JPS6120780Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS549669U (ja) | 1979-01-22 |
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