JPH01114058A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH01114058A JPH01114058A JP62270180A JP27018087A JPH01114058A JP H01114058 A JPH01114058 A JP H01114058A JP 62270180 A JP62270180 A JP 62270180A JP 27018087 A JP27018087 A JP 27018087A JP H01114058 A JPH01114058 A JP H01114058A
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特に大型の半導
体素子を搭載するに好適な高信頼性のパッケージ構造に
関する。
体素子を搭載するに好適な高信頼性のパッケージ構造に
関する。
従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームに形成
された外部リード端子群の他に各リード端子と電気的に
絶縁されたタブ（パッド、アイランド部とも言う）を有
して、このタブ上に半導体素子を搭載していた。しかし
このタイプはリード端部とタブとの絶縁の為のスペース
や素子とタブとの位置ずれを考慮した余裕部分等を要す
るから限られた大きさの樹脂封止内でより半導体素子を
大形化することは期待できなかった。
された外部リード端子群の他に各リード端子と電気的に
絶縁されたタブ（パッド、アイランド部とも言う）を有
して、このタブ上に半導体素子を搭載していた。しかし
このタイプはリード端部とタブとの絶縁の為のスペース
や素子とタブとの位置ずれを考慮した余裕部分等を要す
るから限られた大きさの樹脂封止内でより半導体素子を
大形化することは期待できなかった。
この欠点を回避すべく外部リード端子を延長してそのリ
ード端子群上面に半導体素子を搭載しようとする考え方
がある。所謂タブレス構造と称し。
ード端子群上面に半導体素子を搭載しようとする考え方
がある。所謂タブレス構造と称し。
特開昭６１−２５８４５８号公報に示されている。この
パッケージ構造においては素子下面とリード端子上面と
を電気的に絶縁する必要がある。
パッケージ構造においては素子下面とリード端子上面と
を電気的に絶縁する必要がある。
上記従来技術は素子下面〜リード端子上面間の全面すな
わち素子下面の全面に封止樹脂とは異なる電気絶縁層を
設けているが、このタイプはヒートサイクルをかけると
電気絶縁層端部から封止樹脂部内にクラックが生じる。
わち素子下面の全面に封止樹脂とは異なる電気絶縁層を
設けているが、このタイプはヒートサイクルをかけると
電気絶縁層端部から封止樹脂部内にクラックが生じる。
これは半導体素子と封止樹脂との線膨張係数差に起因し
、この部分への熱応力集中にて封止樹脂が疲労破壊する
ことに依ると考えられる。更にこの種のパッケージ構造
は吸湿後の加熱により、素子下面と電気絶縁層内に水蒸
気が溜ることに起因して蒸気圧による樹脂部クラックも
発生する。
、この部分への熱応力集中にて封止樹脂が疲労破壊する
ことに依ると考えられる。更にこの種のパッケージ構造
は吸湿後の加熱により、素子下面と電気絶縁層内に水蒸
気が溜ることに起因して蒸気圧による樹脂部クラックも
発生する。
本発明の目的はヒートサイクルや吸湿加熱によるクラッ
クを防止し得る所謂タブレス型の樹脂封止型半導体装置
を提供するにある。
クを防止し得る所謂タブレス型の樹脂封止型半導体装置
を提供するにある。
上記目的は、樹脂のクラックが発生するパッケージの中
央部分に電気絶縁物を設けないで、封止樹脂により素子
とリードフレームの電気絶縁を行うことにより達成され
る。
央部分に電気絶縁物を設けないで、封止樹脂により素子
とリードフレームの電気絶縁を行うことにより達成され
る。
第１番目の発明は、上面に電極群を有する半導体素子と
、この半導体素子を支持する位置に延長配置した複数本
の外部端子リードと、該各リードとこれに対応する前記
各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リード上面
と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、前記各部
品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型
半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも前記リ
ード上面の一部乃至全面と前記素子下面との間に介在（
接着）させるテープ状電気絶縁物と、該素子下面中央に
直接する前記封止樹脂とを含むことを特徴とする。
、この半導体素子を支持する位置に延長配置した複数本
の外部端子リードと、該各リードとこれに対応する前記
各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リード上面
と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、前記各部
品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型
半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも前記リ
ード上面の一部乃至全面と前記素子下面との間に介在（
接着）させるテープ状電気絶縁物と、該素子下面中央に
直接する前記封止樹脂とを含むことを特徴とする。
第２番目の発明は、上面両端部に電極群を有する半導体
素子と、この半導体素子を支持する位置に延長配置した
複数本の外部端子リードと、該各リードとこれに対応す
る前記各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リー
ド上面と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、前
記各部品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂
封止型半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも
前記電極群直下の素子下面と前記リード上面との間に介
在（接着）させるテープ状電気絶縁物と、残る該素子下
面中央に直接接する前記封止樹脂とを含むことを特徴と
する。
素子と、この半導体素子を支持する位置に延長配置した
複数本の外部端子リードと、該各リードとこれに対応す
る前記各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リー
ド上面と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、前
記各部品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂
封止型半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも
前記電極群直下の素子下面と前記リード上面との間に介
在（接着）させるテープ状電気絶縁物と、残る該素子下
面中央に直接接する前記封止樹脂とを含むことを特徴と
する。
第３番目の発明は、上面に電極群を有する半導体素子と
、この半導体素子を支持する位置に延長配置した複数本
の外部端子リードと、該各リードとこれに対応する前記
各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リード上面
と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、上記各部
品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型
半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも前記各
リード上面の途中と前記素子下面との間に介在（接着）
させるテープ状電気絶縁物と、該素子下面中央に直接接
する前記封止樹脂とを含み、前記各リードの延長端部上
面には前記介在絶縁物の他に電気絶縁層を形成し、該絶
縁層上面と前記素子下面との間に前記封止樹脂を介在さ
せることを特徴とする。
、この半導体素子を支持する位置に延長配置した複数本
の外部端子リードと、該各リードとこれに対応する前記
各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リード上面
と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、上記各部
品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型
半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも前記各
リード上面の途中と前記素子下面との間に介在（接着）
させるテープ状電気絶縁物と、該素子下面中央に直接接
する前記封止樹脂とを含み、前記各リードの延長端部上
面には前記介在絶縁物の他に電気絶縁層を形成し、該絶
縁層上面と前記素子下面との間に前記封止樹脂を介在さ
せることを特徴とする。
第４番目の発明は、上面に両端部に電極群を有する半導
体素子と、この半導体素子を支持する位置に延長配置し
た複数本の外部端子リードと、該各リードとこれに対応
する前記各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リ
ード上面と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、
上記各部品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹
脂封止型半導体装置において、前記絶縁手段は少なくと
も前記電極群直下の素子下面と前記リード途中の上面と
の間に介在（接着）させるテーパ状電気絶縁物と、残る
該素子下面中央に直接接する前記封止樹脂とを含み、前
記各リードの延長端部上面には前記介在絶縁物の他に電
気絶縁層を形成し、該絶縁層上面と前記素子下面との間
に前記封止樹脂を介在させることを特徴とする。
体素子と、この半導体素子を支持する位置に延長配置し
た複数本の外部端子リードと、該各リードとこれに対応
する前記各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リ
ード上面と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、
上記各部品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹
脂封止型半導体装置において、前記絶縁手段は少なくと
も前記電極群直下の素子下面と前記リード途中の上面と
の間に介在（接着）させるテーパ状電気絶縁物と、残る
該素子下面中央に直接接する前記封止樹脂とを含み、前
記各リードの延長端部上面には前記介在絶縁物の他に電
気絶縁層を形成し、該絶縁層上面と前記素子下面との間
に前記封止樹脂を介在させることを特徴とする。
第５番目の発明は、・上面に電極群を有する半導体素子
と、この半導体素子を支持する位置に延長配置した複数
本の外部端子リードと、該各リードとこれに対応する前
記各ｗｔｉとを電気的に接続するワイヤと、該各リード
上面と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、上記
各部品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封
止型半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも前
記各リード上面の途中と前記素子下面との間に介在（接
着）させるテープ状電気絶縁物と、該素子下面中央に直
接接する前記封止樹脂とを含み、前記各リードの延長端
部は下方に突出するよう段差部を形成して素子下面〜リ
ード上記の間隔を大きくし、該延長端部上面と前記素子
下面との間に前記封止樹脂を介在させることを特徴とす
る。
と、この半導体素子を支持する位置に延長配置した複数
本の外部端子リードと、該各リードとこれに対応する前
記各ｗｔｉとを電気的に接続するワイヤと、該各リード
上面と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、上記
各部品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封
止型半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも前
記各リード上面の途中と前記素子下面との間に介在（接
着）させるテープ状電気絶縁物と、該素子下面中央に直
接接する前記封止樹脂とを含み、前記各リードの延長端
部は下方に突出するよう段差部を形成して素子下面〜リ
ード上記の間隔を大きくし、該延長端部上面と前記素子
下面との間に前記封止樹脂を介在させることを特徴とす
る。
第６番目の発明は、上面両端部に電極群を有する半導体
素子と、この半導体素子を支持する位置に延長配置した
複数本の外部端子リードと、該各リードとこれに対応す
る前記各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リー
ド上面と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、上
記各部品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂
封止型半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも
前記電極群直下の素子下面と前記リード途中の上面との
間に介在（接着）されるテープ状電気絶縁物と、残る該
素子下面中央に直接接する前記封止樹脂とを含み、前記
各リードの延長端部は下方に突出するよう段差部を形成
して素子下面〜リード上面の間隔を大きくし、該延長端
部上面と前記素子下面との間に前記封止樹脂を介在させ
ることを特徴とする。
素子と、この半導体素子を支持する位置に延長配置した
複数本の外部端子リードと、該各リードとこれに対応す
る前記各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リー
ド上面と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、上
記各部品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂
封止型半導体装置において、前記絶縁手段は少なくとも
前記電極群直下の素子下面と前記リード途中の上面との
間に介在（接着）されるテープ状電気絶縁物と、残る該
素子下面中央に直接接する前記封止樹脂とを含み、前記
各リードの延長端部は下方に突出するよう段差部を形成
して素子下面〜リード上面の間隔を大きくし、該延長端
部上面と前記素子下面との間に前記封止樹脂を介在させ
ることを特徴とする。
第７番目の発明は、上面に電極群を有する半導体素子と
、この半導体素子を支持する位置に延長配置した複数本
の外部端子リードと、該各リードとこれに対応する前記
各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リード上面
と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、上記各部
品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型
半導体装置において、前記各リードの延長端部上面に電
気絶縁層を形成すると共に下方に突出させて段差部を形
成し素子下面〜リード上面の間隔に広狭を作り、該狭い
間隔部における前記絶縁手段は前記電気絶縁層として素
子〜リード量を接着し、該広い間隔部における前記絶縁
手段は前記電気絶縁層と前記封止樹脂とから構成するこ
とを特徴とする。
、この半導体素子を支持する位置に延長配置した複数本
の外部端子リードと、該各リードとこれに対応する前記
各電極とを電気的に接続するワイヤと、該各リード上面
と前記素子下面とを電気的に絶縁する手段と、上記各部
品をモールドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型
半導体装置において、前記各リードの延長端部上面に電
気絶縁層を形成すると共に下方に突出させて段差部を形
成し素子下面〜リード上面の間隔に広狭を作り、該狭い
間隔部における前記絶縁手段は前記電気絶縁層として素
子〜リード量を接着し、該広い間隔部における前記絶縁
手段は前記電気絶縁層と前記封止樹脂とから構成するこ
とを特徴とする。
本発明に代表されるパッケージ構造は、封止樹脂で成形
されたパッケージの長手方向の一方の側面または両側面
に外部端子リードを配置し、長手方向の両端部に電極を
具備する素子を設け、この素子の下面に前記外部端子リ
ードのリードフレームを前記素子の電極部位置まで延長
せしめ、そのリードフレームの延長先端部と前記素子の
電極部をワイヤで接続するように構成した構造であって
、前記素子の画電極部の下面と前記リードフレームの間
にシート状（テープ状）の電気絶縁物を設け１、 前
記素子の下面とリードフレームと前記電気絶縁物に囲ま
れた空間に前記封止樹脂を流し込むことにより、素子と
リードフレームの電気的絶縁を行うことになる。
されたパッケージの長手方向の一方の側面または両側面
に外部端子リードを配置し、長手方向の両端部に電極を
具備する素子を設け、この素子の下面に前記外部端子リ
ードのリードフレームを前記素子の電極部位置まで延長
せしめ、そのリードフレームの延長先端部と前記素子の
電極部をワイヤで接続するように構成した構造であって
、前記素子の画電極部の下面と前記リードフレームの間
にシート状（テープ状）の電気絶縁物を設け１、 前
記素子の下面とリードフレームと前記電気絶縁物に囲ま
れた空間に前記封止樹脂を流し込むことにより、素子と
リードフレームの電気的絶縁を行うことになる。
この場合、素子下方に位置するリードフレームの前記電
気絶縁物が設けられてい、る部分以外の部分に前記電気
絶縁物より薄い第２の電気絶縁物をリードフレームの素
子と対向する面に設けることが望ましい。また、素子の
画電極部の下面とリードフレームの間に設けたシート状
の電気絶縁物の厚さを素子の厚さの１／２以上にするこ
とが好ましい。
気絶縁物が設けられてい、る部分以外の部分に前記電気
絶縁物より薄い第２の電気絶縁物をリードフレームの素
子と対向する面に設けることが望ましい。また、素子の
画電極部の下面とリードフレームの間に設けたシート状
の電気絶縁物の厚さを素子の厚さの１／２以上にするこ
とが好ましい。
更に、素子の画電極部の下面とリードフレームの間に設
けた電気絶縁物に接続するリードフレームに段差を設け
、電気絶縁物に接続するリードフレームの面とこれに対
向する素子下面の距離が、前記電気絶縁物と素子下面と
リードフレームに囲まれた部分におけるリードフレーム
の面とこれに対向する素子下面の距離よりも小さくする
ことが好ましい。
けた電気絶縁物に接続するリードフレームに段差を設け
、電気絶縁物に接続するリードフレームの面とこれに対
向する素子下面の距離が、前記電気絶縁物と素子下面と
リードフレームに囲まれた部分におけるリードフレーム
の面とこれに対向する素子下面の距離よりも小さくする
ことが好ましい。
一方、素子の画電極部の下面とリードフレームの間に位
置する電気絶縁物と素子下面とリードフレームに囲まれ
た空間に、前記電気絶縁物と同一厚さの電気絶縁物を設
け、この電気絶縁物の素子短辺に平行な方向の寸法が素
子短辺の寸法より短くすることも有効である。
置する電気絶縁物と素子下面とリードフレームに囲まれ
た空間に、前記電気絶縁物と同一厚さの電気絶縁物を設
け、この電気絶縁物の素子短辺に平行な方向の寸法が素
子短辺の寸法より短くすることも有効である。
尚、上記各態様において、素子下面とリードフレーム上
面間に位置する電気絶縁物は一体化することが望ましい
。
面間に位置する電気絶縁物は一体化することが望ましい
。
ここで本願明細書における「上面」の語は各添付図面に
示される各構成部品についての上面、すなわち紙面上方
の面を示し、［下面」の語は同じく紙面下方の面を示す
。
示される各構成部品についての上面、すなわち紙面上方
の面を示し、［下面」の語は同じく紙面下方の面を示す
。
前述したように、樹脂のクラックは、最大応力が発生す
るパッケージ中央部分の電気絶縁物端部に接する樹脂に
応力が集中することにより発生する。本発明の構成によ
れば、樹脂クラックが発生するパッケージ中央部の素子
とリードフレームの電気絶縁を電気絶縁物ではなく、封
止樹脂により行い、樹脂クラックの発生原因を取り除い
た。このため、樹脂クラックは発生しない。
るパッケージ中央部分の電気絶縁物端部に接する樹脂に
応力が集中することにより発生する。本発明の構成によ
れば、樹脂クラックが発生するパッケージ中央部の素子
とリードフレームの電気絶縁を電気絶縁物ではなく、封
止樹脂により行い、樹脂クラックの発生原因を取り除い
た。このため、樹脂クラックは発生しない。
以下１本発明の実施例を図面に従って説明する。
第１図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の一実施例
の斜視図である。図は理解を助ける為に一部を取り除い
て示しである。
の斜視図である。図は理解を助ける為に一部を取り除い
て示しである。
パッケージの長手方向に設けられた外部端子リード４−
１．４−２．・・・、４−１は、半導体素子１の下面を
通り、少なくとも電極６の近傍直下まで延長されている
。電極６は半導体素子１の上面の長手方向両端部に夫々
配列されている。電極６とリードフレームの延長先端部
４−１ａ、４−２ａ、・・・、４−ｉａは、ワイヤ３に
より電気的に接続されている。半導体素子１の周電極部
下面とリードフレーム４の間には、テープ状の電気絶縁
物７ａ、７ｂが設けられており、半導体素子１の下面と
リードフレーム４の上面と電気絶縁物７ａ。
１．４−２．・・・、４−１は、半導体素子１の下面を
通り、少なくとも電極６の近傍直下まで延長されている
。電極６は半導体素子１の上面の長手方向両端部に夫々
配列されている。電極６とリードフレームの延長先端部
４−１ａ、４−２ａ、・・・、４−ｉａは、ワイヤ３に
より電気的に接続されている。半導体素子１の周電極部
下面とリードフレーム４の間には、テープ状の電気絶縁
物７ａ、７ｂが設けられており、半導体素子１の下面と
リードフレーム４の上面と電気絶縁物７ａ。
７ｂとにより囲まれた平面状の空間には、封止樹脂５が
流し込まれている。
流し込まれている。
第２図は上記実施例装置の平面図であり、半導体素子１
から上の部分を取り除いた図である。半導体素子１が搭
載される範囲を一点鎖線で示しである。
から上の部分を取り除いた図である。半導体素子１が搭
載される範囲を一点鎖線で示しである。
第３図は第２図のＡ−Ａ断面図である。電気絶縁物７ａ
、７ｂは半導体素子１の長手方向両端部の下面のみに設
け、その他の半導体素子１とリードフレーム４の絶縁は
、封止樹脂１０により行うことになる。
、７ｂは半導体素子１の長手方向両端部の下面のみに設
け、その他の半導体素子１とリードフレーム４の絶縁は
、封止樹脂１０により行うことになる。
本実施例によれば、封止樹脂の最大応力が発生する部分
１１ａ、ｌｌｂに応力集中が生じるような電気絶縁物は
存在しないから、温度変化に対する樹脂クラックは発生
しない。
１１ａ、ｌｌｂに応力集中が生じるような電気絶縁物は
存在しないから、温度変化に対する樹脂クラックは発生
しない。
また、加熱時に水蒸気が発生し易い半導体素子と絶縁物
の界面も最大応力が発生する部分に存在しないので、吸
湿による樹脂クラックの発生も無を嘱。
の界面も最大応力が発生する部分に存在しないので、吸
湿による樹脂クラックの発生も無を嘱。
他の実施例に係る半導体装置につき第４図にその断面図
を示す。
を示す。
本実施例においては上記第１実施例と同様、半導体素子
１の電極６が設けられている部分の下面とリードフレー
ム４との間に、テープ状の電気絶縁物７ａ、７ｂが設け
られている。更に、電気絶縁物７ａと７ｂとの間の部分
のリードフレーム４の上面には、電気絶縁物７ａ、７ｂ
より薄い第２の電気絶縁物１２が設けられている。
１の電極６が設けられている部分の下面とリードフレー
ム４との間に、テープ状の電気絶縁物７ａ、７ｂが設け
られている。更に、電気絶縁物７ａと７ｂとの間の部分
のリードフレーム４の上面には、電気絶縁物７ａ、７ｂ
より薄い第２の電気絶縁物１２が設けられている。
上記のようにパッケージを構成することにより仮に第５
図に示すように半導体素子１の下部に位置するリードフ
レームに曲げ変形部１３が生じても、リードフレーム４
と半導体素子１との短絡を防止することができる。この
電気絶縁物１２は。
図に示すように半導体素子１の下部に位置するリードフ
レームに曲げ変形部１３が生じても、リードフレーム４
と半導体素子１との短絡を防止することができる。この
電気絶縁物１２は。
電気絶縁物７ａ、７ｂと同様のテープ状のものをリード
フレームの上面に接着して形成する他、リードフレーム
の上面に絶縁塗料を塗布することによって形成しても良
い。更に中央部に凹部を設けた電気絶縁物を用いること
によって電気絶縁物７ａ、７ｂ、１２を一体化しても良
い。
フレームの上面に接着して形成する他、リードフレーム
の上面に絶縁塗料を塗布することによって形成しても良
い。更に中央部に凹部を設けた電気絶縁物を用いること
によって電気絶縁物７ａ、７ｂ、１２を一体化しても良
い。
第６図は、第１実施例において、封止樹脂の最大応力が
発生するパッケージ中央部における半導体素子１の側面
およびその延長線に接する封止樹脂の熱応力の分布を有
限要素法により計算した結果を示す、熱応力は、半導体
素子１のコーナ部ｌａ、ｌｂに応力集中が生じ、大きな
値となる６さらに、外部端子リード４と封止樹脂５の線
膨張係数の差による熱応力も発生するため、半導体素子
１のコーナ部１ｂの応力は、コーナ部１ａの応力よりも
大きくなっている。しかし、半導体素子１の厚さの１／
２の距離以上にコーナ部１ａから離れた位置では、応力
は急激に小さくなる。
発生するパッケージ中央部における半導体素子１の側面
およびその延長線に接する封止樹脂の熱応力の分布を有
限要素法により計算した結果を示す、熱応力は、半導体
素子１のコーナ部ｌａ、ｌｂに応力集中が生じ、大きな
値となる６さらに、外部端子リード４と封止樹脂５の線
膨張係数の差による熱応力も発生するため、半導体素子
１のコーナ部１ｂの応力は、コーナ部１ａの応力よりも
大きくなっている。しかし、半導体素子１の厚さの１／
２の距離以上にコーナ部１ａから離れた位置では、応力
は急激に小さくなる。
そこで、第７図に示す第３実施例のように、電気絶縁物
７ａ、７ｂの厚さを素子１の厚さの１７２以上にするこ
とにより、半導体素子１と封止樹脂５および外部端子リ
ード４と封止樹脂５の線膨張係数差による２つの熱応力
が重なる領域がなくなり、その結果、封止樹脂５に発生
する最大応力を小さくすることができる。また、第８図
に示す第４実施例のように、リードフレーム４に段差部
１５を設け、半導体素子１と外部端子リードを離すこと
により、第３実施例と同様の理由により、封止樹脂５に
発生する最大応力を小さくすることができる。尚、本例
の段差部はリードフレーム先端の折曲げによるが、リー
ドフレーム先端の肉厚を先端について薄くすることによ
っても同効果を奏する。
７ａ、７ｂの厚さを素子１の厚さの１７２以上にするこ
とにより、半導体素子１と封止樹脂５および外部端子リ
ード４と封止樹脂５の線膨張係数差による２つの熱応力
が重なる領域がなくなり、その結果、封止樹脂５に発生
する最大応力を小さくすることができる。また、第８図
に示す第４実施例のように、リードフレーム４に段差部
１５を設け、半導体素子１と外部端子リードを離すこと
により、第３実施例と同様の理由により、封止樹脂５に
発生する最大応力を小さくすることができる。尚、本例
の段差部はリードフレーム先端の折曲げによるが、リー
ドフレーム先端の肉厚を先端について薄くすることによ
っても同効果を奏する。
第９図に第５実施例の平面図を示す。本実施例では、電
気絶縁物７ａ、７ｂと同一厚さの電気絶縁物１６をパッ
ケージ中央部に設けた。これにより、第５図に示したレ
ードフ１ノームの変形１３が生じた場合に、リードフレ
ーム４と素子１が短絡するのを防ぐことができる。また
電気絶縁物７ａ。
気絶縁物７ａ、７ｂと同一厚さの電気絶縁物１６をパッ
ケージ中央部に設けた。これにより、第５図に示したレ
ードフ１ノームの変形１３が生じた場合に、リードフレ
ーム４と素子１が短絡するのを防ぐことができる。また
電気絶縁物７ａ。
７ｂ、１６は、第１０図に示す第６実施例のように一体
化しても良い。
化しても良い。
更に第１１図に示す第７実施例の如く、段差部を付けて
かつ電気絶縁物をリード端部上方全面に有するようなタ
イプも有効である。このように形成すればリードフレー
ム中央を全面絶縁疲覆してからリード先端（中央側）を
へこませて電気絶縁疲覆ごと段差を形成すれば良く、製
作工程が簡便である。
かつ電気絶縁物をリード端部上方全面に有するようなタ
イプも有効である。このように形成すればリードフレー
ム中央を全面絶縁疲覆してからリード先端（中央側）を
へこませて電気絶縁疲覆ごと段差を形成すれば良く、製
作工程が簡便である。
本発明によれば内蔵する半導体素子を大形にしてもヒー
トサイクルや吸湿後加熱によるクラックが防止し得るの
で装置の信頼性を大幅に向上させる効果が得られる。
トサイクルや吸湿後加熱によるクラックが防止し得るの
で装置の信頼性を大幅に向上させる効果が得られる。
第１図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の第１実施
例の斜視図、第２図は第１図に係る実施例の平面図、第
３図は第２図のＡ−Ａ断面図、第６図、第５図は本発明
の第２実施例の断面図、第６図は第１実施例の応力分布
図、第７図は本発明の第３実施例の断面図、第８図は本
発明の第４実施例の断面図、第９図は本発明の第５実施
例の平面図、第１０図は本発明の第６実施例の平面図、
第１１図は本発明の第７実施例の断面図である。 １・・・半導体素子、３・・・ワイヤ、４・・・リード
フレーム、４−ｉａ・・・リードフレーム延長先端部、
５・・・封止樹脂、６・・・電極、７ａｔ ７ｂ、１２
・・・電気絶縁物、１５・・・リードフレーム段差部。
例の斜視図、第２図は第１図に係る実施例の平面図、第
３図は第２図のＡ−Ａ断面図、第６図、第５図は本発明
の第２実施例の断面図、第６図は第１実施例の応力分布
図、第７図は本発明の第３実施例の断面図、第８図は本
発明の第４実施例の断面図、第９図は本発明の第５実施
例の平面図、第１０図は本発明の第６実施例の平面図、
第１１図は本発明の第７実施例の断面図である。 １・・・半導体素子、３・・・ワイヤ、４・・・リード
フレーム、４−ｉａ・・・リードフレーム延長先端部、
５・・・封止樹脂、６・・・電極、７ａｔ ７ｂ、１２
・・・電気絶縁物、１５・・・リードフレーム段差部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上面に電極群を有する半導体素子と、この半導体素
子を支持する位置に延長配置した複数本の外部端子リー
ドと、該各リードとこれに対応する前記各電極とを電気
的に接続するワイヤと、該各リード上面と前記素子下面
とを電気的に絶縁する手段と、上記各部品をモールドす
る封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記絶縁手段は少なくとも前記リード上面の一部
乃至全面と前記素子下面とを接着するテープ状物と、該
素子下面中央に直接接する前記封止樹脂とを含むことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２、上面両端部に電極群を有する半導体素子と、この半
導体素子を支持する位置に延長配置した複数本の外部端
子リードと、該各リードとこれに対応する前記各電極と
を電気的に接続するワイヤと、該各リード上面と前記素
子下面とを電気的に絶縁する手段と、上記各部品をモー
ルドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型半導体装
置において、前記絶縁手段は少なくとも前記電極群直下
の素子下面と前記リード上面との間を接着するテープ状
物と、残る該素子下面中央に直接接する前記封止樹脂と
を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ３、上面に電極群を有する半導体素子と、この半導体素
子を支持する位置に延長配置した複数本の外部端子リー
ドと、該各リードとこれに対応する前記各電極とを電気
的に接続するワイヤと、該各リード上面と前記素子下面
とを電気的に絶縁する手段と、上記各部品をモールドす
る封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記絶縁手段は少なくとも前記各リード上面の途
中と前記素子下面とを接着する状テープ物と、該素子下
面中央に直接接する前記封止樹脂とを含み、前記各リー
ドとの延長端部上面には前記テープ状物の他に電気絶縁
層を形成し、該絶縁層上面と前記素子下面との間に前記
封止樹脂を介在させることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 ４、上面両端部に電極群を有する半導体素子と、この半
導体素子を支持する位置に延長配置した複数本の外部端
子リードと、該各リードとこれに対応する前記各電極と
を電気的に接続するワイヤと、該各リード上面と前記素
子下面とを電気的に絶縁する手段と、上記各部品をモー
ルドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型半導体装
置において、前記絶縁手段は少なくとも前記電極群直下
の素子下面と前記リード途中の上面とを接着するテープ
状物と、残る該素子下面中央に直接接する前記封止樹脂
とを含み、前記各リードの延長端子上面には前記テープ
状物の他に電気絶縁層を形成し、該絶縁層上面と前記素
子下面との間に前記封止樹脂を介在させることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 ５、上面に電極群を有する半導体素子と、この半導体素
子を支持する位置に延長配置した複数本の外部端子リー
ドと、該各リードとこれに対応する前記各電極とを電気
的に接続するワイヤと、該各リード上面と前記素子下面
とを電気的に絶縁する手段と、上記各部品をモールドす
る封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記絶縁手段は少なくとも前記各リード上面の途
中と前記素子下面とを接着するテープ状物と、該素子下
面中央に直接接する前記封止樹脂とを含み、前記各リー
ドの延長端部は下方に突出するよう段差部を形成して素
子下面〜リード上面の間隔を大きくし、該延長端部上面
と前記素子下面との間に前記封止樹脂を介在させること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ６、上面両端部に電極群を有する半導体素子と、この半
導体素子を支持する位置に延長配置した複数本の外部端
子リードと、該各リードとこれに対応する前記各電極と
を電気的に接続するワイヤと、該各リード上面と前記素
子下面とを電気的に絶縁する手段と、上記各部品をモー
ルドする封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型半導体装
置において、前記絶縁手段は少なくとも前記電極群直下
の素子下面と前記リード途中の上面とを接着するテープ
状物と、残る該素子下面中央に直接接する前記封止樹脂
とを含み、前記各リードの延長端部は下方に突出するよ
う段差部を形成して素子下面〜リード上面の間隔を大き
くし、該延長端部上面と前記素子下面との間に前記封止
樹脂を介在させることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 ７、上面に電極群を有する半導体素子と、この半導体素
子を支持する位置に延長配置した複数本の外部端子リー
ドと、該各リードとこれに対応する前記各電極とを電気
的に接続するワイヤと、該各リード上面と前記素子下面
とを電気的に絶縁する手段と、上記各部品をモールドす
る封止樹脂部とを備えてなる樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記各〜リードの延長端部上面に電気絶縁層を形
成すると共に下方に突出させて段差部を形成し素子下面
リード上面の間隔に広狭を作り、該狭い間隔部における
前記絶縁手段は前記電気絶縁層として素子〜リード間を
接着し、該広い間隔部における前記絶縁手段は前記電気
絶縁層と前記封止樹脂とから構成することを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62270180A JP2644773B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62270180A JP2644773B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7023687A Division JP2533751B2 (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP7023686A Division JP2533750B2 (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01114058A true JPH01114058A (ja) | 1989-05-02 |
| JP2644773B2 JP2644773B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17482638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62270180A Expired - Lifetime JP2644773B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2644773B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04335559A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-24 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
| JPS61241959A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体モジユ−ル |
| JPS61258458A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-15 | Hitachi Ltd | 樹脂封止ｉｃ |
| JPS6476741A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP62270180A patent/JP2644773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
| JPS61241959A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体モジユ−ル |
| JPS61258458A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-15 | Hitachi Ltd | 樹脂封止ｉｃ |
| JPS6476741A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04335559A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-24 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2644773B2 (ja) | 1997-08-25 |
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