JPS6010696A - 薄膜用セラミツク回路基板の製造法 - Google Patents
薄膜用セラミツク回路基板の製造法Info
- Publication number
- JPS6010696A JPS6010696A JP11686783A JP11686783A JPS6010696A JP S6010696 A JPS6010696 A JP S6010696A JP 11686783 A JP11686783 A JP 11686783A JP 11686783 A JP11686783 A JP 11686783A JP S6010696 A JPS6010696 A JP S6010696A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- manufacturing
- ceramic
- circuit board
- conductor
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
に関するものであり、さらに詳しくは薄膜加工による導
体の断線がほとんどない薄収用セラミック回路基板の製
造法に関するものである。
体の断線がほとんどない薄収用セラミック回路基板の製
造法に関するものである。
従来、高密度配線基板に用いられる薄膜用セラミック回
路基板の製造法としては、第1図のフローシートに示す
ように、アルミナ,ベリリア等のセラミックグリーンシ
ートをドクターブレード法等により成形し、所定寸法に
切断およびスルーホール孔を穿設し、その表面およびス
ルーホールにMOあるいはW等の高融点金属よりなるメ
タライズペーストを用いて所要のパターンを印刷し、そ
の表面にセラミックグリーンシート又は絶縁ペーストと
メタライズペーストとを複数回交互に多層化した後乾燥
し、還元性雰囲気中で焼成してセラミックスを一体化す
ると同時に該セラミックス中に導体金属層の所要パター
ンを形成し、好ましくは露出パターンの表面にNiメッ
キを施す方法が広く知られている。
路基板の製造法としては、第1図のフローシートに示す
ように、アルミナ,ベリリア等のセラミックグリーンシ
ートをドクターブレード法等により成形し、所定寸法に
切断およびスルーホール孔を穿設し、その表面およびス
ルーホールにMOあるいはW等の高融点金属よりなるメ
タライズペーストを用いて所要のパターンを印刷し、そ
の表面にセラミックグリーンシート又は絶縁ペーストと
メタライズペーストとを複数回交互に多層化した後乾燥
し、還元性雰囲気中で焼成してセラミックスを一体化す
ると同時に該セラミックス中に導体金属層の所要パター
ンを形成し、好ましくは露出パターンの表面にNiメッ
キを施す方法が広く知られている。
しかしながら、このような製造法によってつくられる基
板上に例えば高密度配線をするためにht等を蒸着、ス
パッタリング等により薄膜加工で被測する場合、薄膜加
工の導体がしばしば断線することがあった。 − これはセラミックグリーンシートを複数層形成し、焼成
によって一体的に結合する前記のようなセラミックパッ
ケージの製造法では、製法および製造法の制約による原
料純度並びに加工時に表面欠陥をつくることにより基板
の表面粗さが荒く、しかも焼成後の基板中に2〜4・%
の気孔の存在は避けられず、かつ焼成後の基板表面にも
50〜100μm程度の開気孔がしばしば残留すること
があろうそして、このような開気孔が残留する基板上に
数μm程度の薄膜加工を施しても、導体回路が完全につ
ながらず、断線する欠点があった。
板上に例えば高密度配線をするためにht等を蒸着、ス
パッタリング等により薄膜加工で被測する場合、薄膜加
工の導体がしばしば断線することがあった。 − これはセラミックグリーンシートを複数層形成し、焼成
によって一体的に結合する前記のようなセラミックパッ
ケージの製造法では、製法および製造法の制約による原
料純度並びに加工時に表面欠陥をつくることにより基板
の表面粗さが荒く、しかも焼成後の基板中に2〜4・%
の気孔の存在は避けられず、かつ焼成後の基板表面にも
50〜100μm程度の開気孔がしばしば残留すること
があろうそして、このような開気孔が残留する基板上に
数μm程度の薄膜加工を施しても、導体回路が完全につ
ながらず、断線する欠点があった。
在しないセラミックス内部に回路形成された表面平滑な
薄11へ1用セラミック回路基板の製造法を提供するも
のであり、さらに他の目的は、薄膜加工導体の断線の心
配かはとんとない薄膜用セラミック回路基板の製造法を
提供するにある。
薄11へ1用セラミック回路基板の製造法を提供するも
のであり、さらに他の目的は、薄膜加工導体の断線の心
配かはとんとない薄膜用セラミック回路基板の製造法を
提供するにある。
本発明は未焼成絶縁層と高融点金属よりなる導電層とを
交互に多層化した後焼成してセラミックス内に導体より
なるパターン回路を形成した基板をつくり、その基板の
少なくともAj4を伐回路形成面を研磨し、後表面に露
出した開気孔部にセラミック粉末を充填して再焼成する
ことを特徴とする薄す第2図に基づいて説明すると、ベ
リリア、アルミナ好ましくは純度84・〜94・重H−
%のアルミナより成るセラミックグリーンシートをドク
ターブレード法によって成形し、所定寸法に切断後、ス
ルーホール等の孔を穿設し、そのセラミックグリ−1ン
シートの表面およびスルーホール中に、MO、W等の高
融点金属およびフリット粉末、エチルセルロース、ブチ
ラール樹脂、アクリル樹脂等のバインダーを含む導電性
ペーストを用いて印刷法により所定のパターンを形成す
る。そして更にセラミックグリーンシート又は好ましく
は同質の絶縁ペーストと導電性ペーストとを交互に複数
層多層化し、未焼成絶縁層と高融点金属よりなる導体層
とを交互に積層した積層体をつくり、後還元性雰囲気中
で焼成してセラミックスを一体焼結するとともに該セラ
ミックス内に導体よりなるパターン回路を形成した基板
を製作する。
交互に多層化した後焼成してセラミックス内に導体より
なるパターン回路を形成した基板をつくり、その基板の
少なくともAj4を伐回路形成面を研磨し、後表面に露
出した開気孔部にセラミック粉末を充填して再焼成する
ことを特徴とする薄す第2図に基づいて説明すると、ベ
リリア、アルミナ好ましくは純度84・〜94・重H−
%のアルミナより成るセラミックグリーンシートをドク
ターブレード法によって成形し、所定寸法に切断後、ス
ルーホール等の孔を穿設し、そのセラミックグリ−1ン
シートの表面およびスルーホール中に、MO、W等の高
融点金属およびフリット粉末、エチルセルロース、ブチ
ラール樹脂、アクリル樹脂等のバインダーを含む導電性
ペーストを用いて印刷法により所定のパターンを形成す
る。そして更にセラミックグリーンシート又は好ましく
は同質の絶縁ペーストと導電性ペーストとを交互に複数
層多層化し、未焼成絶縁層と高融点金属よりなる導体層
とを交互に積層した積層体をつくり、後還元性雰囲気中
で焼成してセラミックスを一体焼結するとともに該セラ
ミックス内に導体よりなるパターン回路を形成した基板
を製作する。
次いで、その基板の少なくとも薄膜回路形成面を牟60
0〜+2000の砥粒を用いてラッピングマシンで研磨
し、研磨面粗さをHRmax7μm以下とする。そして
、研磨面に露出した開気孔中に基板と同材質よりなるセ
ラミック粉末を充填する。
0〜+2000の砥粒を用いてラッピングマシンで研磨
し、研磨面粗さをHRmax7μm以下とする。そして
、研磨面に露出した開気孔中に基板と同材質よりなるセ
ラミック粉末を充填する。
この開気孔中へのセラミック粉末の充填は、セラミック
微粉末に溶媒等を加えたものを用いるとよい。
微粉末に溶媒等を加えたものを用いるとよい。
そして、乾燥後、1250〜1500℃の温度で再焼成
することにより、表面粗さがHRmax5μm以下の平
滑な開気孔の全くない薄膜回路形成面を持ったセラミッ
クパッケージが得られるものである。従って、薄膜回路
形成面が均一平滑であるの′で、例えば該面上に5μm
程度の薄膜パターンを蒸着によって形成しても、パター
ン断線の全くないものである。
することにより、表面粗さがHRmax5μm以下の平
滑な開気孔の全くない薄膜回路形成面を持ったセラミッ
クパッケージが得られるものである。従って、薄膜回路
形成面が均一平滑であるの′で、例えば該面上に5μm
程度の薄膜パターンを蒸着によって形成しても、パター
ン断線の全くないものである。
なお、研磨面の表面粗さをHRmax7μm以下とする
のは、7μmを越えるような表面の粗さでは、薄膜加工
による簿膜パターンの断線が避けられないためである。
のは、7μmを越えるような表面の粗さでは、薄膜加工
による簿膜パターンの断線が避けられないためである。
本発明には以下のような効果が得られる。
(1) 表面が極めて平滑な薄膜パターン形成面をもっ
たセラミック回路基板が得られる。
たセラミック回路基板が得られる。
(2) 薄1fl ハターン導体の断線のないセラミッ
ク回路基板が得られる。
ク回路基板が得られる。
(3) セラミックス基板内に多層回路を持った高密度
回路基板ができる。
回路基板ができる。
本発明は高密度配線基板としそ用いられる薄膜用セラミ
ック回路基板の製造法として有用である。
ック回路基板の製造法として有用である。
第1図は従来の薄膜用セラミック回路基板の製造工程を
示すフローシートであり、第2図は本発明の薄膜用セラ
ミック回路基板の製造工程を示すフローシートである。 特許出願人 日本碍子株式会社
示すフローシートであり、第2図は本発明の薄膜用セラ
ミック回路基板の製造工程を示すフローシートである。 特許出願人 日本碍子株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 未焼成絶縁層と、高融点金属よりなる導体層とを交
互に層状に多層化した後、焼成してセラミックス内に導
体よりなる薄膜回路パターンを形成し、該回路パターン
と導通した導体を孔部を介して表面に露出した基板をつ
くり、その基板の少なくとも薄膜回路パターン形成面を
研磨し、後表面に露出した開気孔部にセラミック粉末を
充填して再焼成することを特徴とする薄膜用セラミック
回路基板の製造法。 a 未焼成絶縁層が純度84〜94・重量%のアルミナ
である特許請求の範囲第1項記載の薄膜用セラミックパ
ッケージの製造法、 8 薄膜回路形成面をHRmax7μm以下に研磨する
特許請求の範囲第1項又は第2項記載の薄膜用セラミッ
クパッケージの製造法。 4 再焼成後の薄膜回路形成面の表面粗さがHRmaX
5μm以下である特許請求の範囲第1項、第2項又は第
3項記載の薄膜用セラミックパッケージの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11686783A JPS6010696A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 薄膜用セラミツク回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11686783A JPS6010696A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 薄膜用セラミツク回路基板の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6010696A true JPS6010696A (ja) | 1985-01-19 |
JPS6250077B2 JPS6250077B2 (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=14697591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11686783A Granted JPS6010696A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 薄膜用セラミツク回路基板の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6010696A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62216251A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Toshiba Corp | 高熱伝導性基板 |
JPS62224952A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-02 | Toshiba Corp | 熱伝導性基板 |
JPH02126699A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板の製造方法 |
JP2012044136A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | セラミック基板の製造方法及びこれを用いたセラミック基板 |
JP2012047720A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プローブカード用セラミック基板の製造方法及びプローブカード用セラミック基板 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6416287U (ja) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | ||
DE8811140U1 (de) * | 1988-09-03 | 1988-10-13 | Wilkinson Sword GmbH, 5650 Solingen | Rasiermesser bzw. Effiliermesser |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11686783A patent/JPS6010696A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62216251A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Toshiba Corp | 高熱伝導性基板 |
JPS62224952A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-02 | Toshiba Corp | 熱伝導性基板 |
JPH02126699A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板の製造方法 |
JP2012044136A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | セラミック基板の製造方法及びこれを用いたセラミック基板 |
JP2012047720A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プローブカード用セラミック基板の製造方法及びプローブカード用セラミック基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6250077B2 (ja) | 1987-10-22 |
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