JPH11281957A - 表示装置および表示方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査信号線に寄生的に存在する寄生容量に起
因して画素電位に生じるレベルシフトを表示面内で略均
一にする。 【解決手段】 走査信号線駆動回路が、上記走査信号の
立ち下がりを制御する構成である。走査信号の立ち下が
り波形は、単位時間当たりの変化量Ｓｘの傾斜で変化
し、この変化量Ｓｘを任意に設定することにより、走査
信号線の入力付近及び終端付近でもその立ち下がり波形
の変化量Ｓｘ１、及びＳｘＮは、走査信号線波形Ｖｇ
（１，ｊ）、及びＶｇ（Ｎ，ｊ）のように走査信号線が
寄生的に所有している信号遅延伝播特性の影響を受けず
にほぼ同じになる。
因して画素電位に生じるレベルシフトを表示面内で略均
一にする。 【解決手段】 走査信号線駆動回路が、上記走査信号の
立ち下がりを制御する構成である。走査信号の立ち下が
り波形は、単位時間当たりの変化量Ｓｘの傾斜で変化
し、この変化量Ｓｘを任意に設定することにより、走査
信号線の入力付近及び終端付近でもその立ち下がり波形
の変化量Ｓｘ１、及びＳｘＮは、走査信号線波形Ｖｇ
（１，ｊ）、及びＶｇ（Ｎ，ｊ）のように走査信号線が
寄生的に所有している信号遅延伝播特性の影響を受けず
にほぼ同じになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス型液晶
表示装置等の表示装置および表示方法に係り、特に表示
画素ごとにスイッチ素子として例えば薄膜トランジタが
配設された液晶表示装置等の表示装置および表示方法に
関するものである。
表示装置等の表示装置および表示方法に係り、特に表示
画素ごとにスイッチ素子として例えば薄膜トランジタが
配設された液晶表示装置等の表示装置および表示方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、テレビやグラフィック
ディスプレイ等の表示素子として盛んに用いられてい
る。その中でも、特に表示画素毎に薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す）等のス
イッチ素子が設けられた液晶表示装置は、表示画素数が
増大しても隣接表示画素間でのクロストークのない優れ
た表示画像を得ることができるため、特に注目を集めて
いる。
ディスプレイ等の表示素子として盛んに用いられてい
る。その中でも、特に表示画素毎に薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す）等のス
イッチ素子が設けられた液晶表示装置は、表示画素数が
増大しても隣接表示画素間でのクロストークのない優れ
た表示画像を得ることができるため、特に注目を集めて
いる。
【０００３】このような液晶表示装置は、図９に示す様
に液晶表示パネル１及び駆動回路部とからその主要部が
構成されており、液晶表示パネルは一対の電極基板間に
液晶組成物が保持され、各電極基板の外表面にはそれぞ
れ偏光板が貼り付けられている。
に液晶表示パネル１及び駆動回路部とからその主要部が
構成されており、液晶表示パネルは一対の電極基板間に
液晶組成物が保持され、各電極基板の外表面にはそれぞ
れ偏光板が貼り付けられている。
【０００４】一方の電極基板であるＴＦＴアレイ基板
は、ガラスなどの透明な絶縁性基板１００上に複数本の
信号線Ｓ（１）、Ｓ（２）、…Ｓ（ｉ）、…Ｓ（Ｎ）、
及び走査信号線Ｇ（１）、Ｇ（２）…Ｇ（ｊ）、…Ｇ
（Ｍ）、がマトリクス状に形成されている。そして、こ
れら信号線と走査信号線との交差部ごとに、画素電極１
０３に接続されたＴＦＴからなるスイッチ素子１０２が
形成されており、これらの上をほぼ全面にわたって覆う
ように配向膜が設置されて、ＴＦＴアレイ基板が形成さ
れている。
は、ガラスなどの透明な絶縁性基板１００上に複数本の
信号線Ｓ（１）、Ｓ（２）、…Ｓ（ｉ）、…Ｓ（Ｎ）、
及び走査信号線Ｇ（１）、Ｇ（２）…Ｇ（ｊ）、…Ｇ
（Ｍ）、がマトリクス状に形成されている。そして、こ
れら信号線と走査信号線との交差部ごとに、画素電極１
０３に接続されたＴＦＴからなるスイッチ素子１０２が
形成されており、これらの上をほぼ全面にわたって覆う
ように配向膜が設置されて、ＴＦＴアレイ基板が形成さ
れている。
【０００５】一方、他の電極基板である対向基板は、Ｔ
ＦＴアレイ基板と同様にガラスなどの透明な絶縁性基板
上に、全面にわたって対向電極１０１、配向膜が順次積
層されて成っている。そして、このようにして構成され
る液晶表示パネルの各走査信号線に接続される走査信号
線駆動回路３００、各信号線に接続される信号線駆動回
路２００、及び対向電極に接続される対向電極駆動回路
ＣＯＭによって上記駆動回路部は構成されている。
ＦＴアレイ基板と同様にガラスなどの透明な絶縁性基板
上に、全面にわたって対向電極１０１、配向膜が順次積
層されて成っている。そして、このようにして構成され
る液晶表示パネルの各走査信号線に接続される走査信号
線駆動回路３００、各信号線に接続される信号線駆動回
路２００、及び対向電極に接続される対向電極駆動回路
ＣＯＭによって上記駆動回路部は構成されている。
【０００６】走査信号線駆動回路（ゲートドライバ）３
００は、例えば、図１０に示すように、カスケード接続
されたＭ個のフリップフロップから成るシフトレジスタ
部３ａと、各フリップフロップからの出力に応じて切り
替わる選択スイッチ３ｂとによって構成されている。
００は、例えば、図１０に示すように、カスケード接続
されたＭ個のフリップフロップから成るシフトレジスタ
部３ａと、各フリップフロップからの出力に応じて切り
替わる選択スイッチ３ｂとによって構成されている。
【０００７】各選択スイッチ３ｂの一方の入力端子ＶＤ
１には、ＴＦＴ１０２（図９参照）をオン状態にするに
十分なゲートオン電圧Ｖｇｈが入力され、他方の入力端
子ＶＤ２には、ＴＦＴ１０２をオフ状態にするに十分な
ゲートオフ電圧Ｖｇｌが入力されている。従って、クロ
ック信号（ＳＣＫ）によってデータ信号（ＧＳＰ）はフ
リップフロップを順次転送され、選択スイッチ３ｂへ順
次出力される。これに応答して選択スイッチ３ｂはＴＦ
Ｔをオン状態にするＶｇｈの電圧を一走査期間（ＴＨ）
選択して走査信号線１０５に出力した後、走査信号線１
０５にはＴＦＴをオフ状態にするＶｇｌ電圧をそれぞれ
出力する。この動作により、信号線駆動回路２００から
各々の信号線１０４（図９参照）に出力された映像信号
を、対応した各々の画素に書き込むことが可能となる。
１には、ＴＦＴ１０２（図９参照）をオン状態にするに
十分なゲートオン電圧Ｖｇｈが入力され、他方の入力端
子ＶＤ２には、ＴＦＴ１０２をオフ状態にするに十分な
ゲートオフ電圧Ｖｇｌが入力されている。従って、クロ
ック信号（ＳＣＫ）によってデータ信号（ＧＳＰ）はフ
リップフロップを順次転送され、選択スイッチ３ｂへ順
次出力される。これに応答して選択スイッチ３ｂはＴＦ
Ｔをオン状態にするＶｇｈの電圧を一走査期間（ＴＨ）
選択して走査信号線１０５に出力した後、走査信号線１
０５にはＴＦＴをオフ状態にするＶｇｌ電圧をそれぞれ
出力する。この動作により、信号線駆動回路２００から
各々の信号線１０４（図９参照）に出力された映像信号
を、対応した各々の画素に書き込むことが可能となる。
【０００８】図１１は、画素容量Ｃ１ｃと補助容量Ｃｓ
とが対向電極駆動回路ＣＯＭの対向電位ＶＣＯＭに並列
に接続されている構成の１表示画素Ｐ（ｉ，ｊ）の等価
回路を示す。図中、ＣｇｄはＴＦＴのゲート−ドレイン
間の寄生容量を示す。
とが対向電極駆動回路ＣＯＭの対向電位ＶＣＯＭに並列
に接続されている構成の１表示画素Ｐ（ｉ，ｊ）の等価
回路を示す。図中、ＣｇｄはＴＦＴのゲート−ドレイン
間の寄生容量を示す。
【０００９】図１２は、従来の液晶表示装置の駆動波形
図を示している。図１２中、Ｖｇは１走査信号線の波形
を示し、Ｖｓは１信号線の波形を示し、Ｖｄはドレイン
波形を示す。
図を示している。図１２中、Ｖｇは１走査信号線の波形
を示し、Ｖｓは１信号線の波形を示し、Ｖｄはドレイン
波形を示す。
【００１０】ここで、図９、図１１、及び図１２を参照
しながら、従来の駆動方法を説明する。なお、液晶は、
焼き付け残像や、表示劣化を防ぐために交流駆動を必要
とすることは広く知られており、以下に説明する従来駆
動方法も上記交流駆動の１種であるフレーム反転駆動を
用いて説明する。
しながら、従来の駆動方法を説明する。なお、液晶は、
焼き付け残像や、表示劣化を防ぐために交流駆動を必要
とすることは広く知られており、以下に説明する従来駆
動方法も上記交流駆動の１種であるフレーム反転駆動を
用いて説明する。
【００１１】図１２に示すように、第１フィールド（Ｔ
Ｆ１）で１表示画素Ｐ（ｉ，ｊ）のＴＦＴのゲート電極
ｇ（ｉ，ｊ）（図９参照）に走査信号線駆動回路３００
から図１２に示すように走査電圧Ｖｇｈが印加される
と、このＴＦＴはオン状態となり、信号線駆動回路２０
０からの映像信号電圧ＶｓｐがＴＦＴのソース電極、及
びドレイン電極を介して画素電極に書き込まれ、次フィ
ールド（ＴＦ２）で走査電圧Ｖｇｈが印加されるまで画
素電極は図１２に示すように画素電位Ｖｄｐを保持す
る。そして、対向電極は対向電極駆動回路ＣＯＭによっ
て所定の対向電位ＶＣＯＭに設定されているため、画素
電極と対向電極とによって保持される液晶組成物は画素
電位Ｖｄｐと対向電位ＶＣＯＭとの電位差に応じて応答
し、画像表示が行われる。
Ｆ１）で１表示画素Ｐ（ｉ，ｊ）のＴＦＴのゲート電極
ｇ（ｉ，ｊ）（図９参照）に走査信号線駆動回路３００
から図１２に示すように走査電圧Ｖｇｈが印加される
と、このＴＦＴはオン状態となり、信号線駆動回路２０
０からの映像信号電圧ＶｓｐがＴＦＴのソース電極、及
びドレイン電極を介して画素電極に書き込まれ、次フィ
ールド（ＴＦ２）で走査電圧Ｖｇｈが印加されるまで画
素電極は図１２に示すように画素電位Ｖｄｐを保持す
る。そして、対向電極は対向電極駆動回路ＣＯＭによっ
て所定の対向電位ＶＣＯＭに設定されているため、画素
電極と対向電極とによって保持される液晶組成物は画素
電位Ｖｄｐと対向電位ＶＣＯＭとの電位差に応じて応答
し、画像表示が行われる。
【００１２】同様に、第２フィールド（ＴＦ２）で１表
示画素Ｐ（ｉ，ｊ）のＴＦＴのゲート電極ｇ（ｉ，ｊ）
に走査信号線駆動回路３００から図１２に示すように走
査電圧Ｖｇｈが印加されると、このＴＦＴはオン状態と
なり、信号線駆動回路２００からの映像信号電圧Ｖｓｎ
が画素電極に書き込まれ、画素電位Ｖｄｎを保持し、液
晶組成物は画素電位Ｖｄｎと対向電位ＶＣＯＭとの電位
差に応じて応答し、画像表示が行われ、且つ、液晶交流
駆動が実現される。
示画素Ｐ（ｉ，ｊ）のＴＦＴのゲート電極ｇ（ｉ，ｊ）
に走査信号線駆動回路３００から図１２に示すように走
査電圧Ｖｇｈが印加されると、このＴＦＴはオン状態と
なり、信号線駆動回路２００からの映像信号電圧Ｖｓｎ
が画素電極に書き込まれ、画素電位Ｖｄｎを保持し、液
晶組成物は画素電位Ｖｄｎと対向電位ＶＣＯＭとの電位
差に応じて応答し、画像表示が行われ、且つ、液晶交流
駆動が実現される。
【００１３】また、図１１に示したように、ＴＦＴのゲ
ート−ドレイン間には、構成上、寄生容量Ｃｇｄが必然
的に形成されるため、図１２に示すように、走査電圧Ｖ
ｇｈの立ち下がり時に、画素電位Ｖｄには寄生容量Ｃｇ
ｄに起因するレベルシフトΔＶｄが生じる。このように
ＴＦＴに必然的に形成される寄生容量Ｃｇｄに起因して
画素電位Ｖｄに生じるレベルシフト△Ｖｄは、走査信号
の非走査時電圧（ＴＦＴのオフ時電圧）をＶｇｌとする
と、 △Ｖｄ＝Ｃｇｄ・（Ｖｇｈ−Ｖｇｌ）／（Ｃ１ｃ＋Ｃｓ
＋Ｃｇｄ） となり、表示画像にフリッカや表示劣化等を生じさせる
といった問題を引き起こしてしまうため、一層の高精
細、高品位を指向する液晶表示装置にとっては全く好ま
しくない。
ート−ドレイン間には、構成上、寄生容量Ｃｇｄが必然
的に形成されるため、図１２に示すように、走査電圧Ｖ
ｇｈの立ち下がり時に、画素電位Ｖｄには寄生容量Ｃｇ
ｄに起因するレベルシフトΔＶｄが生じる。このように
ＴＦＴに必然的に形成される寄生容量Ｃｇｄに起因して
画素電位Ｖｄに生じるレベルシフト△Ｖｄは、走査信号
の非走査時電圧（ＴＦＴのオフ時電圧）をＶｇｌとする
と、 △Ｖｄ＝Ｃｇｄ・（Ｖｇｈ−Ｖｇｌ）／（Ｃ１ｃ＋Ｃｓ
＋Ｃｇｄ） となり、表示画像にフリッカや表示劣化等を生じさせる
といった問題を引き起こしてしまうため、一層の高精
細、高品位を指向する液晶表示装置にとっては全く好ま
しくない。
【００１４】そこで従来では、例えば対向電極に寄生容
量Ｃｇｄに起因するレベルシフトΔＶｄを予め低減させ
るように対向電位ＶＣＯＭにバイアスすることなどが考
えられている。
量Ｃｇｄに起因するレベルシフトΔＶｄを予め低減させ
るように対向電位ＶＣＯＭにバイアスすることなどが考
えられている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術では、図９に示すようにガラスなどの透明な絶
縁性基板１００上に形成された走査信号線Ｇ（１）、Ｇ
（２）、…Ｇ（ｊ）、…Ｇ（Ｍ）は、信号遅延伝播のな
い理想配線で形成することは難しく、ある程度信号伝播
遅延が生じる信号遅延経路である。
来の技術では、図９に示すようにガラスなどの透明な絶
縁性基板１００上に形成された走査信号線Ｇ（１）、Ｇ
（２）、…Ｇ（ｊ）、…Ｇ（Ｍ）は、信号遅延伝播のな
い理想配線で形成することは難しく、ある程度信号伝播
遅延が生じる信号遅延経路である。
【００１６】図１４は、１本の走査信号線Ｇ（ｊ）の信
号伝播遅延に着目した場合の伝播等価回路である。図１
４中、ｒｇ１、ｒｇ２、ｒｇ３、…ｒｇＮは、主に、走
査信号線を形成する配線材料の抵抗成分、及び配線幅、
配線長による抵抗成分を示すものである。また、ｃｇ
１、ｃｇ２、ｃｇ３、…ｃｇＮは、構成上、走査信号線
と容量結合関係にある各種寄生容量を示すものであり、
たとえば、信号線と交差することによって生じるクロス
容量などで構成される。このように走査信号線は、分布
定数型の信号遅延伝播経路になっている。
号伝播遅延に着目した場合の伝播等価回路である。図１
４中、ｒｇ１、ｒｇ２、ｒｇ３、…ｒｇＮは、主に、走
査信号線を形成する配線材料の抵抗成分、及び配線幅、
配線長による抵抗成分を示すものである。また、ｃｇ
１、ｃｇ２、ｃｇ３、…ｃｇＮは、構成上、走査信号線
と容量結合関係にある各種寄生容量を示すものであり、
たとえば、信号線と交差することによって生じるクロス
容量などで構成される。このように走査信号線は、分布
定数型の信号遅延伝播経路になっている。
【００１７】図１５は、走査信号線に上記走査信号線駆
動回路３００から入力された走査信号ＶＧ（ｊ）が走査
信号線の上述した信号遅延伝播特性によりパネル内部で
なまっていく様子を示したものである。図１５中、波形
Ｖｇ（１，ｊ）は走査信号線駆動回路３００の出力直後
のｇ（１，ｊ）付近の波形であり、波形なまりは殆ど無
い。これに対して、同図中、波形Ｖｇ（Ｎ，ｊ）は走査
信号線終端部ｇ（Ｎ，ｊ）付近の波形で上記走査信号線
の信号遅延伝播特性により波形がなまっている。波形な
まりにより、単位時間当りの変化量ＳｙＮが発生してい
る。
動回路３００から入力された走査信号ＶＧ（ｊ）が走査
信号線の上述した信号遅延伝播特性によりパネル内部で
なまっていく様子を示したものである。図１５中、波形
Ｖｇ（１，ｊ）は走査信号線駆動回路３００の出力直後
のｇ（１，ｊ）付近の波形であり、波形なまりは殆ど無
い。これに対して、同図中、波形Ｖｇ（Ｎ，ｊ）は走査
信号線終端部ｇ（Ｎ，ｊ）付近の波形で上記走査信号線
の信号遅延伝播特性により波形がなまっている。波形な
まりにより、単位時間当りの変化量ＳｙＮが発生してい
る。
【００１８】また、ＴＦＴは、完全なＯＮ／ＯＦＦスイ
ッチではなく、図１３に示すようなＶ−Ｉ特性（ゲート
電圧−ドレイン電流特性）をもっている。図１３中、横
軸はＴＦＴのゲートに印加される電圧を示し、縦軸はド
レイン電流を示す。通常、走査パルスは、ＴＦＴをオン
状態にするのに十分な電圧レベルＶｇｈと、ＴＦＴをオ
フするのに十分なＶｇｌとの２電圧レベルとにより構成
されているが、図示するようにＴＦＴのしきい値ＶＴか
らＶｇｈレベルまでに中間的なオン領域（リニア領域）
が存在する。
ッチではなく、図１３に示すようなＶ−Ｉ特性（ゲート
電圧−ドレイン電流特性）をもっている。図１３中、横
軸はＴＦＴのゲートに印加される電圧を示し、縦軸はド
レイン電流を示す。通常、走査パルスは、ＴＦＴをオン
状態にするのに十分な電圧レベルＶｇｈと、ＴＦＴをオ
フするのに十分なＶｇｌとの２電圧レベルとにより構成
されているが、図示するようにＴＦＴのしきい値ＶＴか
らＶｇｈレベルまでに中間的なオン領域（リニア領域）
が存在する。
【００１９】したがって、図１５に示すように、走査信
号線駆動回路３００の出力直後のｇ（１，ｊ）に位置す
る画素では、走査信号のＶｇｈからＶｇｌへの立ち下が
りが瞬時に立ち下がるので、上記ＴＦＴのリニア領域の
特性が影響せず、上述の寄生容量Ｃｇｄに起因して、画
素電位Ｖｄ（１，ｊ）に生じるレベルシフト△Ｖｄ
（１）は、△Ｖｄ（１）＝Ｃｇｄ・（Ｖｇｈ−Ｖｇｌ）
／（Ｃ１ｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇｄ）と近似できる。
号線駆動回路３００の出力直後のｇ（１，ｊ）に位置す
る画素では、走査信号のＶｇｈからＶｇｌへの立ち下が
りが瞬時に立ち下がるので、上記ＴＦＴのリニア領域の
特性が影響せず、上述の寄生容量Ｃｇｄに起因して、画
素電位Ｖｄ（１，ｊ）に生じるレベルシフト△Ｖｄ
（１）は、△Ｖｄ（１）＝Ｃｇｄ・（Ｖｇｈ−Ｖｇｌ）
／（Ｃ１ｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇｄ）と近似できる。
【００２０】ところが、走査信号線終端部ｇ（Ｎ，ｊ）
付近に位置する画素では走査信号の立ち下がりがなまっ
ているため、上記ＴＦＴのリニア領域の特性が影響し、
走査信号がＶｇｈからＴＦＴのしきい値レベルＶＴ付近
まで立ち下がる間はＴＦＴがリニア状態でオンのため寄
生容量Ｃｇｄに起因する画素電位Ｖｄに生じるレベルシ
フトは発生せず、走査信号が更にしきい値レベルＶＴ付
近からＶｇｌに変化する領域において、上述した寄生容
量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄ（Ｎ，ｊ）に生じるレ
ベルシフトΔＶｄ（Ｎ）が発生する。したがって、レベ
ルシフトΔＶｄ（Ｎ）は、△Ｖｄ（Ｎ）＜Ｃｇｄ・（Ｖ
ｇｈ−Ｖｇｌ）／（Ｃ１ｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇｄ）となり、Δ
Ｖｄ（１）＞△Ｖｄ（Ｎ）を満足する。
付近に位置する画素では走査信号の立ち下がりがなまっ
ているため、上記ＴＦＴのリニア領域の特性が影響し、
走査信号がＶｇｈからＴＦＴのしきい値レベルＶＴ付近
まで立ち下がる間はＴＦＴがリニア状態でオンのため寄
生容量Ｃｇｄに起因する画素電位Ｖｄに生じるレベルシ
フトは発生せず、走査信号が更にしきい値レベルＶＴ付
近からＶｇｌに変化する領域において、上述した寄生容
量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄ（Ｎ，ｊ）に生じるレ
ベルシフトΔＶｄ（Ｎ）が発生する。したがって、レベ
ルシフトΔＶｄ（Ｎ）は、△Ｖｄ（Ｎ）＜Ｃｇｄ・（Ｖ
ｇｈ−Ｖｇｌ）／（Ｃ１ｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇｄ）となり、Δ
Ｖｄ（１）＞△Ｖｄ（Ｎ）を満足する。
【００２１】このように、このパネル内での寄生容量Ｃ
ｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じるレベルシフト△Ｖ
ｄのズレは表示面内で均一でなく、画面の大型化、高精
細化によって、無視できなくなる。したがって、従来方
式の対向電圧のバイアス方法では表示面内のレベルシフ
トの不均一を吸収できず、各画素を最適交流駆動できな
いので、フリッカの発生や、ＤＣ成分印加による焼き付
け残像などの不具合を招来することになる。
ｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じるレベルシフト△Ｖ
ｄのズレは表示面内で均一でなく、画面の大型化、高精
細化によって、無視できなくなる。したがって、従来方
式の対向電圧のバイアス方法では表示面内のレベルシフ
トの不均一を吸収できず、各画素を最適交流駆動できな
いので、フリッカの発生や、ＤＣ成分印加による焼き付
け残像などの不具合を招来することになる。
【００２２】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、寄生容量に起因して生じ
る画素電位の変動に伴うフリッカ等の発生を十分に低減
させ、高精細、高品位な表示画像が得られる表示装置お
よび表示方法を提供することにある。
たものであって、その目的は、寄生容量に起因して生じ
る画素電位の変動に伴うフリッカ等の発生を十分に低減
させ、高精細、高品位な表示画像が得られる表示装置お
よび表示方法を提供することにある。
【００２３】また、本発明の他の目的は、ガラスなどの
透明な絶縁性基板上に形成された配線は、信号遅延のな
い理想配線経路でなく、ある程度信号遅延が生じる信号
遅延経路であるため、そのことによって生じる表示不均
一をキャンセルし、且つ、寄生容量に起因して画素電位
に生じるレベルシフトを小さく均一にし、高品位な表示
画像が得られる表示装置および表示方法を提供すること
にある。
透明な絶縁性基板上に形成された配線は、信号遅延のな
い理想配線経路でなく、ある程度信号遅延が生じる信号
遅延経路であるため、そのことによって生じる表示不均
一をキャンセルし、且つ、寄生容量に起因して画素電位
に生じるレベルシフトを小さく均一にし、高品位な表示
画像が得られる表示装置および表示方法を提供すること
にある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明の表
示装置は、上記課題を解決するために、複数の画素電極
と、該画素電極にデータ信号を供給する映像信号線と、
該映像信号線に交差して設けられた複数の走査信号線
と、走査信号を出力して上記走査信号線を駆動する駆動
回路とを備え、上記走査信号線、上記映像信号線、及び
上記画素電極がゲート、ソース、及びドレインにそれぞ
れ接続された薄膜トランジスタを上記交差部に形成した
表示装置において、以下の措置を講じている。
示装置は、上記課題を解決するために、複数の画素電極
と、該画素電極にデータ信号を供給する映像信号線と、
該映像信号線に交差して設けられた複数の走査信号線
と、走査信号を出力して上記走査信号線を駆動する駆動
回路とを備え、上記走査信号線、上記映像信号線、及び
上記画素電極がゲート、ソース、及びドレインにそれぞ
れ接続された薄膜トランジスタを上記交差部に形成した
表示装置において、以下の措置を講じている。
【００２５】即ち、上記表示装置においては、上記駆動
回路が、上記走査信号の立ち下がりを制御するようにな
っている。
回路が、上記走査信号の立ち下がりを制御するようにな
っている。
【００２６】上記の発明によれば、走査信号が駆動回路
によって走査信号線に対して出力されるが、この際、該
走査信号の立ち下がりが上記駆動回路によって制御され
るようになっている。
によって走査信号線に対して出力されるが、この際、該
走査信号の立ち下がりが上記駆動回路によって制御され
るようになっている。
【００２７】一般に、薄膜トランジスタのゲート−ドレ
イン間には、その構成故に、寄生容量コンデンサが形成
される。この際、従来のように走査信号が急峻に立ち下
がると、薄膜トランジスタは瞬時のオフ状態になり、走
査信号の立ち下がり分（走査電圧から非走査電圧を差し
引いたもの）、寄生容量コンデンサの影響を受け画素電
極の電位はその分だけ低下するので、画素電極の電位
（以下、画素電位と称す）に重大なレベルシフトが生じ
てしまう。このように、画素電位にレベルシフトが生じ
ると、表示画像にフリッカや表示劣化をもたらすことに
なる。
イン間には、その構成故に、寄生容量コンデンサが形成
される。この際、従来のように走査信号が急峻に立ち下
がると、薄膜トランジスタは瞬時のオフ状態になり、走
査信号の立ち下がり分（走査電圧から非走査電圧を差し
引いたもの）、寄生容量コンデンサの影響を受け画素電
極の電位はその分だけ低下するので、画素電極の電位
（以下、画素電位と称す）に重大なレベルシフトが生じ
てしまう。このように、画素電位にレベルシフトが生じ
ると、表示画像にフリッカや表示劣化をもたらすことに
なる。
【００２８】しかしながら、上記表示装置によれば、走
査信号の立ち下がりが制御されるので、該走査信号を急
峻に立ち下がらないように制御することが可能となる。
これにより、上記寄生容量コンデンサに起因する画素電
位のレベルシフトは低減される。
査信号の立ち下がりが制御されるので、該走査信号を急
峻に立ち下がらないように制御することが可能となる。
これにより、上記寄生容量コンデンサに起因する画素電
位のレベルシフトは低減される。
【００２９】請求項２に係る発明の表示装置は、上記課
題を解決するために、請求項１の発明において、上記駆
動回路が、上記走査信号線が備える信号遅延伝達特性に
基づいて、上記走査信号が上記走査信号線上の位置に無
関係に略同じ傾斜で立ち下がるようになっている。
題を解決するために、請求項１の発明において、上記駆
動回路が、上記走査信号線が備える信号遅延伝達特性に
基づいて、上記走査信号が上記走査信号線上の位置に無
関係に略同じ傾斜で立ち下がるようになっている。
【００３０】上記の発明によれば、請求項１の発明に係
る作用に加えて、走査信号は、走査信号線の信号遅延伝
達特性に基づいて、その立ち下がりが駆動回路によって
制御される。この制御の結果、上記走査信号は、上記走
査信号線上の位置に無関係に、略同じ傾斜で立ち下がる
ことになる。
る作用に加えて、走査信号は、走査信号線の信号遅延伝
達特性に基づいて、その立ち下がりが駆動回路によって
制御される。この制御の結果、上記走査信号は、上記走
査信号線上の位置に無関係に、略同じ傾斜で立ち下がる
ことになる。
【００３１】従来のように走査信号が急峻に立ち下がる
と、走査信号線の備える信号遅延伝達特性により走査信
号線上の位置により立ち下がりの傾斜が変化する。立ち
下がりの急峻な走査信号線始端付近では画素電位のレベ
ルシフトが大きくなる一方、立ち下がりのなまった走査
線終端付近では画素電位のレベルシフトは小さくなる。
このように、一般に、画素電位におけるレベルシフトは
走査信号線上（表示面内）で均一ではない。レベルシフ
トの不均一性は、特に、画面の大型化及び画面の高精細
化が要求される場合には無視できなくなる。
と、走査信号線の備える信号遅延伝達特性により走査信
号線上の位置により立ち下がりの傾斜が変化する。立ち
下がりの急峻な走査信号線始端付近では画素電位のレベ
ルシフトが大きくなる一方、立ち下がりのなまった走査
線終端付近では画素電位のレベルシフトは小さくなる。
このように、一般に、画素電位におけるレベルシフトは
走査信号線上（表示面内）で均一ではない。レベルシフ
トの不均一性は、特に、画面の大型化及び画面の高精細
化が要求される場合には無視できなくなる。
【００３２】しかしながら、上記の発明によれば、走査
信号線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの
傾斜を略同じに揃えることが可能となるので、走査信号
線の備える信号遅延伝達特性を無視でき、表示面内でレ
ベルシフト量の分布が発生しなくなり、各画素電位のレ
ベルシフトが略均一になる。
信号線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの
傾斜を略同じに揃えることが可能となるので、走査信号
線の備える信号遅延伝達特性を無視でき、表示面内でレ
ベルシフト量の分布が発生しなくなり、各画素電位のレ
ベルシフトが略均一になる。
【００３３】請求項３に係る発明の表示装置は、上記課
題を解決するために、請求項１の発明において、上記駆
動回路が、上記薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイ
ン電流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾
斜を制御するようになっている。
題を解決するために、請求項１の発明において、上記駆
動回路が、上記薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイ
ン電流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾
斜を制御するようになっている。
【００３４】上記の発明によれば、請求項１の発明に係
る作用に加えて、走査信号の立ち下がりの傾斜は、薄膜
トランジスタの電圧−電流特性に基づいて、駆動回路に
よって制御される。
る作用に加えて、走査信号の立ち下がりの傾斜は、薄膜
トランジスタの電圧−電流特性に基づいて、駆動回路に
よって制御される。
【００３５】ところで、薄膜トランジスタは、閾値電圧
がゲートに印加されるとオン状態へ移行し、該閾値電圧
よりも高い所定のオン電圧が印加されると安定してオン
状態となる一方、ゲート電圧が上記の閾値以下に低下し
た場合にオフ状態へ移行する。加えて、上記の閾値電圧
から上記オン電圧までの範囲にある電圧がゲートに印加
されると、上記の薄膜トランジスタのドレイン電流（オ
ン抵抗）は、ゲート電圧に依存し、リニアに変化する
（つまり、２値状態におけるオン状態ではなく、薄膜ト
ランジスタは中間的なオン状態（アナログ的にゲート電
圧によりドレイン電流が変化する））。
がゲートに印加されるとオン状態へ移行し、該閾値電圧
よりも高い所定のオン電圧が印加されると安定してオン
状態となる一方、ゲート電圧が上記の閾値以下に低下し
た場合にオフ状態へ移行する。加えて、上記の閾値電圧
から上記オン電圧までの範囲にある電圧がゲートに印加
されると、上記の薄膜トランジスタのドレイン電流（オ
ン抵抗）は、ゲート電圧に依存し、リニアに変化する
（つまり、２値状態におけるオン状態ではなく、薄膜ト
ランジスタは中間的なオン状態（アナログ的にゲート電
圧によりドレイン電流が変化する））。
【００３６】上記走査信号の立ち下がりが従来のように
急峻である場合、薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレ
イン電流特性に無関係に、上述のように、寄生容量コン
デンサに起因する画素電位のレベルシフトが生じてしま
う。
急峻である場合、薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレ
イン電流特性に無関係に、上述のように、寄生容量コン
デンサに起因する画素電位のレベルシフトが生じてしま
う。
【００３７】ところが、上記の発明によれば、薄膜トラ
ンジスタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよ
うに、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が可能となる。このように制御すれば、走査信号の立ち
下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンから
オフへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニ
アに変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素
電位のレベルシフトは確実に低減される。
ンジスタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよ
うに、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が可能となる。このように制御すれば、走査信号の立ち
下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンから
オフへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニ
アに変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素
電位のレベルシフトは確実に低減される。
【００３８】以上のように、走査信号は立ち下がる初期
の間、薄膜トランジスタはまだオフではない中間的なオ
ン状態にあり、ソースからの信号を薄膜トランジスタを
介して画素電極に伝達でき、画素電位のレベルシフトが
発生しない。走査信号が立ち下がると後半の変化分に関
してのみ画素電位のレベルシフトが発生するが、その量
は小さい。
の間、薄膜トランジスタはまだオフではない中間的なオ
ン状態にあり、ソースからの信号を薄膜トランジスタを
介して画素電極に伝達でき、画素電位のレベルシフトが
発生しない。走査信号が立ち下がると後半の変化分に関
してのみ画素電位のレベルシフトが発生するが、その量
は小さい。
【００３９】請求項４に係る発明の表示装置は、上記課
題を解決するために、請求項２の発明において、上記駆
動回路が、更に、上記薄膜トランジスタのゲート電圧−
ドレイン電流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下が
りの傾斜を制御するようになっている。
題を解決するために、請求項２の発明において、上記駆
動回路が、更に、上記薄膜トランジスタのゲート電圧−
ドレイン電流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下が
りの傾斜を制御するようになっている。
【００４０】上記の発明によれば、請求項２の発明に係
る作用に加えて、請求項３の作用のように、薄膜トラン
ジスタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよう
に、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御することが
可能となり、このように制御すれば、走査信号の立ち下
がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンからオ
フへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニア
に変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素電
位のレベルシフトは確実に低減される。
る作用に加えて、請求項３の作用のように、薄膜トラン
ジスタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよう
に、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御することが
可能となり、このように制御すれば、走査信号の立ち下
がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンからオ
フへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニア
に変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素電
位のレベルシフトは確実に低減される。
【００４１】即ち、請求項４の発明によれば、走査信号
線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの傾斜
を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電位の
レベルシフトが略均一になると共に、該レベルシフト自
体が小さくなる。
線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの傾斜
を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電位の
レベルシフトが略均一になると共に、該レベルシフト自
体が小さくなる。
【００４２】以上のように、走査信号の立ち下がる後半
の変化分に関してのみ画素電位のレベルシフトが発生す
るが、その量は小さく且つ表示面内でレベルシフト分布
が発生しない。
の変化分に関してのみ画素電位のレベルシフトが発生す
るが、その量は小さく且つ表示面内でレベルシフト分布
が発生しない。
【００４３】請求項５に係る発明の表示装置は、上記課
題を解決するために、請求項１、２、３、又は４の発明
において、上記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオ
ン状態にするゲートオン電圧と、オフ状態にするゲート
オフ電圧とからなり、上記駆動回路は、カスケード接続
され、上記データ信号が入力される複数のフリップフロ
ップからなるシフトレジスタ部と、上記ゲートオフ電圧
の立ち下がりの傾斜を制御する傾斜制御部と、上記の各
フリップフロップからの出力に応じて上記ゲートオン電
圧と上記ゲートオフ電圧とを切り替えるスイッチ部とか
らなる。
題を解決するために、請求項１、２、３、又は４の発明
において、上記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオ
ン状態にするゲートオン電圧と、オフ状態にするゲート
オフ電圧とからなり、上記駆動回路は、カスケード接続
され、上記データ信号が入力される複数のフリップフロ
ップからなるシフトレジスタ部と、上記ゲートオフ電圧
の立ち下がりの傾斜を制御する傾斜制御部と、上記の各
フリップフロップからの出力に応じて上記ゲートオン電
圧と上記ゲートオフ電圧とを切り替えるスイッチ部とか
らなる。
【００４４】上記の発明によれば、データ信号が上記シ
フトレジタ部に入力されると、所定のクロック信号に基
づいて各フリップフロップから信号切り替えの信号が出
力される。この出力信号に基づいて、スイッチ部は、ゲ
ートオン電圧と上記ゲートオフ電圧とを切り替えて出力
するが、この際、ゲートオフ電圧は傾斜制御部によって
その立ち下がりが制御された後、ゲートオフ電圧として
上記スイッチ部から出力される。このように、上記発明
によれば、従来の駆動回路（ゲートドライバ）に傾斜制
御部を追加するだけで、請求項１、２、３、又は４の発
明に係る作用が奏される。
フトレジタ部に入力されると、所定のクロック信号に基
づいて各フリップフロップから信号切り替えの信号が出
力される。この出力信号に基づいて、スイッチ部は、ゲ
ートオン電圧と上記ゲートオフ電圧とを切り替えて出力
するが、この際、ゲートオフ電圧は傾斜制御部によって
その立ち下がりが制御された後、ゲートオフ電圧として
上記スイッチ部から出力される。このように、上記発明
によれば、従来の駆動回路（ゲートドライバ）に傾斜制
御部を追加するだけで、請求項１、２、３、又は４の発
明に係る作用が奏される。
【００４５】請求項６に係る発明の表示装置は、上記課
題を解決するために、請求項１、２、３、又は４の発明
において、上記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオ
ン状態にするゲートオン電圧と、オフ状態にするゲート
オフ電圧とからなり、上記駆動回路は、１走査期間に同
期した放電制御信号を出力する制御部と、通常は上記ゲ
ートオン電圧を生成する一方、上記放電制御信号を受け
ると上記ゲートオン電圧を放電する駆動電圧生成部とを
備えている。
題を解決するために、請求項１、２、３、又は４の発明
において、上記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオ
ン状態にするゲートオン電圧と、オフ状態にするゲート
オフ電圧とからなり、上記駆動回路は、１走査期間に同
期した放電制御信号を出力する制御部と、通常は上記ゲ
ートオン電圧を生成する一方、上記放電制御信号を受け
ると上記ゲートオン電圧を放電する駆動電圧生成部とを
備えている。
【００４６】上記の発明によれば、ゲートオン電圧は、
次のようにして生成、及び制御される。即ち、１走査期
間に同期した放電制御信号は、制御部によって駆動電圧
生成部へ出力される。通常は（上記放電制御信号がノン
アクティブな場合）上記ゲートオン電圧を生成する。こ
のゲートオン電圧が走査信号線に印加されると、薄膜ト
ランジスタはオン状態になる。
次のようにして生成、及び制御される。即ち、１走査期
間に同期した放電制御信号は、制御部によって駆動電圧
生成部へ出力される。通常は（上記放電制御信号がノン
アクティブな場合）上記ゲートオン電圧を生成する。こ
のゲートオン電圧が走査信号線に印加されると、薄膜ト
ランジスタはオン状態になる。
【００４７】これに対して、放電制御信号を受けると、
その期間だけ、駆動電圧生成部は上記ゲートオン電圧を
放電させる。この放電に伴って、該ゲートオン電圧は減
少する。
その期間だけ、駆動電圧生成部は上記ゲートオン電圧を
放電させる。この放電に伴って、該ゲートオン電圧は減
少する。
【００４８】以上のようにして、走査期間毎に、放電の
タイミングや、放電量を制御することによって、任意の
立ち下がり傾斜を備えた走査信号を出力することが可能
となる。
タイミングや、放電量を制御することによって、任意の
立ち下がり傾斜を備えた走査信号を出力することが可能
となる。
【００４９】請求項７に係る発明の表示装置は、上記課
題を解決するために、請求項１、２、３、又は４の発明
において、上記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオ
ン状態にするゲートオン電圧と、オフ状態にするゲート
オフ電圧とからなり、上記駆動回路は、１走査期間に同
期した充電制御信号および放電制御信号を出力する制御
部と、上記充電制御信号を受けると充電を行なって傾斜
制御電圧を出力する一方、上記放電制御信号を受けると
放電により該傾斜制御電圧をゼロにする傾斜電圧制御部
と、上記充電時に上記ゲートオン電圧から上記傾斜制御
電圧を差し引いたものをゲートオン電圧として出力する
一方、上記放電時に上記ゲートオン電圧をそのまま出力
する減算部とを備えている。
題を解決するために、請求項１、２、３、又は４の発明
において、上記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオ
ン状態にするゲートオン電圧と、オフ状態にするゲート
オフ電圧とからなり、上記駆動回路は、１走査期間に同
期した充電制御信号および放電制御信号を出力する制御
部と、上記充電制御信号を受けると充電を行なって傾斜
制御電圧を出力する一方、上記放電制御信号を受けると
放電により該傾斜制御電圧をゼロにする傾斜電圧制御部
と、上記充電時に上記ゲートオン電圧から上記傾斜制御
電圧を差し引いたものをゲートオン電圧として出力する
一方、上記放電時に上記ゲートオン電圧をそのまま出力
する減算部とを備えている。
【００５０】上記の発明によれば、走査信号である、ゲ
ートオン電圧は、次のようにして生成、制御される。即
ち、１走査期間に同期した充電制御信号および放電制御
信号は、制御部によって傾斜電圧制御部へ出力される。
放電制御信号を受けると、傾斜電圧制御部は充電動作を
停止すると共に、上記傾斜制御電圧を放電によりゼロに
する。この放電に伴って、減算部からは上記ゲートオン
電圧が、減算されずにそのまま、走査信号線に印加さ
れ、薄膜トランジスタはオン状態になる。
ートオン電圧は、次のようにして生成、制御される。即
ち、１走査期間に同期した充電制御信号および放電制御
信号は、制御部によって傾斜電圧制御部へ出力される。
放電制御信号を受けると、傾斜電圧制御部は充電動作を
停止すると共に、上記傾斜制御電圧を放電によりゼロに
する。この放電に伴って、減算部からは上記ゲートオン
電圧が、減算されずにそのまま、走査信号線に印加さ
れ、薄膜トランジスタはオン状態になる。
【００５１】これに対して、充電制御信号を受けると、
傾斜電圧制御部は次の放電制御信号を受けるまでの間、
充電動作を行ない、傾斜制御電圧を減算部へ出力する。
この充電に伴って、上記ゲートオン電圧から上記傾斜制
御電圧が減算されたものが減算部から上記走査信号線に
印加される。この印加によって、上記の閾値電圧より小
さくなると、薄膜トランジスタはオフ状態になる。
傾斜電圧制御部は次の放電制御信号を受けるまでの間、
充電動作を行ない、傾斜制御電圧を減算部へ出力する。
この充電に伴って、上記ゲートオン電圧から上記傾斜制
御電圧が減算されたものが減算部から上記走査信号線に
印加される。この印加によって、上記の閾値電圧より小
さくなると、薄膜トランジスタはオフ状態になる。
【００５２】以上のようにして、走査期間毎に、充電、
放電のタイミングや、放電量を制御することによって、
任意の立ち下がり傾斜を備えた走査信号を出力すること
が可能となる。
放電のタイミングや、放電量を制御することによって、
任意の立ち下がり傾斜を備えた走査信号を出力すること
が可能となる。
【００５３】請求項８に係る発明の表示方法は、上記課
題を解決するために、複数の画素電極にデータ信号を映
像信号線を介して供給し、該映像信号線に交差した走査
信号線を介して走査信号を供給して駆動し、表示を行う
表示方法において、上記駆動の際に、上記走査信号の立
ち下がりを制御することを特徴とする表示方法。
題を解決するために、複数の画素電極にデータ信号を映
像信号線を介して供給し、該映像信号線に交差した走査
信号線を介して走査信号を供給して駆動し、表示を行う
表示方法において、上記駆動の際に、上記走査信号の立
ち下がりを制御することを特徴とする表示方法。
【００５４】上記の発明によれば、走査信号が走査信号
線に対して出力されて駆動されるが、この際、走査信号
の立ち下がりが制御される。
線に対して出力されて駆動されるが、この際、走査信号
の立ち下がりが制御される。
【００５５】一般に、駆動に際して、寄生容量コンデン
サが問題となる。この際、従来のように走査信号線が急
峻に立ち下がると、薄膜トランジスタは瞬時のオフ状態
になり、走査信号の立ち下がり分（走査電圧から非走査
電圧を差し引いたもの）、寄生容量コンデンサの影響を
受け画素電極の電位はその分だけ低下するので、画素電
位にレベルシフトが生じてしまう。このように、画素電
位にレベルシフトが生じると、表示画像にフリッカや表
示劣化をもたらすことになる。
サが問題となる。この際、従来のように走査信号線が急
峻に立ち下がると、薄膜トランジスタは瞬時のオフ状態
になり、走査信号の立ち下がり分（走査電圧から非走査
電圧を差し引いたもの）、寄生容量コンデンサの影響を
受け画素電極の電位はその分だけ低下するので、画素電
位にレベルシフトが生じてしまう。このように、画素電
位にレベルシフトが生じると、表示画像にフリッカや表
示劣化をもたらすことになる。
【００５６】しかしながら、上記表示方法によれば、走
査信号の立ち下がりが制御されるので、該走査信号を急
峻に立ち下がらないように制御することが可能となる。
これにより、上記寄生容量コンデンサに起因する画素電
位のレベルシフトは低減される。
査信号の立ち下がりが制御されるので、該走査信号を急
峻に立ち下がらないように制御することが可能となる。
これにより、上記寄生容量コンデンサに起因する画素電
位のレベルシフトは低減される。
【００５７】請求項９に係る発明の表示方法は、上記課
題を解決するために、請求項８の発明において、上記駆
動の際に、上記走査信号線が備える信号遅延伝達特性に
基づいて、上記走査信号が上記走査信号線上の位置に無
関係に略同じ傾斜で立ち下がるように制御する。
題を解決するために、請求項８の発明において、上記駆
動の際に、上記走査信号線が備える信号遅延伝達特性に
基づいて、上記走査信号が上記走査信号線上の位置に無
関係に略同じ傾斜で立ち下がるように制御する。
【００５８】上記の発明によれば、請求項８の発明に係
る作用に加えて、駆動の際に、走査信号は、走査信号線
の信号遅延伝達特性に基づいて、その立ち下がりが制御
される。この制御の結果、上記走査信号は、上記走査信
号線上の位置に無関係に、略同じ傾斜で立ち下がること
になる。
る作用に加えて、駆動の際に、走査信号は、走査信号線
の信号遅延伝達特性に基づいて、その立ち下がりが制御
される。この制御の結果、上記走査信号は、上記走査信
号線上の位置に無関係に、略同じ傾斜で立ち下がること
になる。
【００５９】一般に、画素電位におけるレベルシフトは
走査信号線上（表示面内）で均一ではない。レベルシフ
トの不均一性は、特に、画面の大型化及び画面の高精細
化が要求される場合には無視できなくなる。
走査信号線上（表示面内）で均一ではない。レベルシフ
トの不均一性は、特に、画面の大型化及び画面の高精細
化が要求される場合には無視できなくなる。
【００６０】しかしながら、上記の発明によれば、走査
信号線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの
傾斜を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電
位のレベルシフトが略均一になる。
信号線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの
傾斜を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電
位のレベルシフトが略均一になる。
【００６１】請求項１０に係る発明の表示方法は、上記
課題を解決するために、請求項８の発明において、上記
駆動の際に、上記映像信号と上記走査信号線との交差部
に設けられた複数の薄膜トランジスタのゲート電圧−ド
レイン電流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下がり
の傾斜を制御する。
課題を解決するために、請求項８の発明において、上記
駆動の際に、上記映像信号と上記走査信号線との交差部
に設けられた複数の薄膜トランジスタのゲート電圧−ド
レイン電流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下がり
の傾斜を制御する。
【００６２】上記の発明によれば、請求項８の発明に係
る作用に加えて、駆動の際に、走査信号の立ち下がりの
傾斜は、薄膜トランジスタの電圧−電流特性に基づい
て、制御される。
る作用に加えて、駆動の際に、走査信号の立ち下がりの
傾斜は、薄膜トランジスタの電圧−電流特性に基づい
て、制御される。
【００６３】ところで、薄膜トランジスタは、閾値電圧
がゲートに印加されるとオン状態へ移行し、該閾値電圧
よりも高い所定のオン電圧が印加されると安定してオン
状態となる一方、ゲート電圧が上記の閾値以下に低下し
た場合にオフ状態へ移行する。加えて、上記の閾値電圧
から上記オン電圧までの範囲にある電圧がゲートに印加
されると、上記の薄膜トランジスタのドレイン電流（オ
ン抵抗）は、ゲート電圧に依存し、リニアに変化する
（つまり、２値状態におけるオン状態ではなく、薄膜ト
ランジスタは中間的なオン状態（アナログ的にゲート電
圧によりドレイン電流が変化する））。
がゲートに印加されるとオン状態へ移行し、該閾値電圧
よりも高い所定のオン電圧が印加されると安定してオン
状態となる一方、ゲート電圧が上記の閾値以下に低下し
た場合にオフ状態へ移行する。加えて、上記の閾値電圧
から上記オン電圧までの範囲にある電圧がゲートに印加
されると、上記の薄膜トランジスタのドレイン電流（オ
ン抵抗）は、ゲート電圧に依存し、リニアに変化する
（つまり、２値状態におけるオン状態ではなく、薄膜ト
ランジスタは中間的なオン状態（アナログ的にゲート電
圧によりドレイン電流が変化する））。
【００６４】上記走査信号の立ち下がりが従来のように
急峻である場合、薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレ
イン電流特性に無関係に、上述のように、寄生容量コン
デンサに起因する画素電位のレベルシフトが生じてしま
う。
急峻である場合、薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレ
イン電流特性に無関係に、上述のように、寄生容量コン
デンサに起因する画素電位のレベルシフトが生じてしま
う。
【００６５】ところが、上記の発明によれば、薄膜トラ
ンジスタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよ
うに、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が可能となる。このように制御すれば、走査信号の立ち
下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンから
オフへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニ
アに変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素
電位のレベルシフトは確実に低減される。
ンジスタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよ
うに、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が可能となる。このように制御すれば、走査信号の立ち
下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンから
オフへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニ
アに変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素
電位のレベルシフトは確実に低減される。
【００６６】請求項１１に係る発明の表示方法は、上記
課題を解決するために、請求項９の発明において、上記
駆動の際に、更に、上記映像信号と上記走査信号線との
交差部に設けられた上記薄膜トランジスタのゲート電圧
−ドレイン電流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下
がりの傾斜を制御する。
課題を解決するために、請求項９の発明において、上記
駆動の際に、更に、上記映像信号と上記走査信号線との
交差部に設けられた上記薄膜トランジスタのゲート電圧
−ドレイン電流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下
がりの傾斜を制御する。
【００６７】上記の発明によれば、請求項９の発明に係
る作用に加えて、請求項１０の作用のように、薄膜トラ
ンジスタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよ
うに、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が可能となり、このように制御すれば、走査信号の立ち
下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンから
オフへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニ
アに変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素
電位のレベルシフトは確実に低減される。
る作用に加えて、請求項１０の作用のように、薄膜トラ
ンジスタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよ
うに、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が可能となり、このように制御すれば、走査信号の立ち
下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンから
オフへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニ
アに変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素
電位のレベルシフトは確実に低減される。
【００６８】即ち、請求項１１の発明によれば、走査信
号線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの傾
斜を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電位
のレベルシフトが略均一になると共に、該レベルシフト
が小さくなる。
号線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの傾
斜を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電位
のレベルシフトが略均一になると共に、該レベルシフト
が小さくなる。
【００６９】
【発明の実施の形態】本発明は、液晶表示装置等の表示
装置において、ガラスなどの透明な絶縁性基板上に形成
された配線が、寄生的に発生する信号遅延伝播特性に影
響されないように変化する入力信号を入力することに配
線上の任意の場所で入力波形と同等の波形を得ることが
可能となり信号変化による影響が同じになることに基づ
いてなされたものである。
装置において、ガラスなどの透明な絶縁性基板上に形成
された配線が、寄生的に発生する信号遅延伝播特性に影
響されないように変化する入力信号を入力することに配
線上の任意の場所で入力波形と同等の波形を得ることが
可能となり信号変化による影響が同じになることに基づ
いてなされたものである。
【００７０】また、本発明は、上記配線に接続された薄
膜トランジスタ等のスイッチ素子のＯＮ／ＯＦＦ特性に
よっては、上記入力波形及び配線上の任意の場所での波
形の変化が緩やかになれば、寄生容量に起因して生じる
レベルシフトの大きさを小さくできることに基づいてな
されたものである。
膜トランジスタ等のスイッチ素子のＯＮ／ＯＦＦ特性に
よっては、上記入力波形及び配線上の任意の場所での波
形の変化が緩やかになれば、寄生容量に起因して生じる
レベルシフトの大きさを小さくできることに基づいてな
されたものである。
【００７１】〔実施の形態１〕図１及び図２を参照しな
がら、本発明に係る実施の形態１について以下に説明
す。なお、図１中、ＧＣＫは、クロック信号を表す。
がら、本発明に係る実施の形態１について以下に説明
す。なお、図１中、ＧＣＫは、クロック信号を表す。
【００７２】図１及び図２に本実施の形態に係る走査信
号線駆動回路の出力波形ＶＧ（ｊ−１）、ＶＧ（ｊ）、
ＶＧ（ｊ＋１）及び、走査信号線入力付近の走査波形Ｖ
ｇ（１，ｊ）、走査信号線終端付近の走査信号線波形Ｖ
ｇ（Ｎ，ｊ）、各々の画素電位Ｖｄ（１，ｊ）、Ｖｄ
（Ｎ，ｊ）を示す。走査信号線駆動回路の出力波形ＶＧ
（ｊ）においては、走査電圧Ｖｇｈから非走査電圧Ｖｇ
ｌへの立ち下がり波形は、図１に示すように、単位時間
当たりの変化量Ｓｘのスロープ（傾斜）で変化する。
号線駆動回路の出力波形ＶＧ（ｊ−１）、ＶＧ（ｊ）、
ＶＧ（ｊ＋１）及び、走査信号線入力付近の走査波形Ｖ
ｇ（１，ｊ）、走査信号線終端付近の走査信号線波形Ｖ
ｇ（Ｎ，ｊ）、各々の画素電位Ｖｄ（１，ｊ）、Ｖｄ
（Ｎ，ｊ）を示す。走査信号線駆動回路の出力波形ＶＧ
（ｊ）においては、走査電圧Ｖｇｈから非走査電圧Ｖｇ
ｌへの立ち下がり波形は、図１に示すように、単位時間
当たりの変化量Ｓｘのスロープ（傾斜）で変化する。
【００７３】本実施の形態によれば、複数の画素電極に
データ信号を映像信号線を介して供給し、該映像信号線
に交差した走査信号線を介して走査信号を供給して駆動
し、表示を行う表示方法において、上記駆動の際に、上
記走査信号の立ち下がりが制御されるが、この立ち下が
りは、上記変化量Ｓｘを任意に設定することによって可
能となる。
データ信号を映像信号線を介して供給し、該映像信号線
に交差した走査信号線を介して走査信号を供給して駆動
し、表示を行う表示方法において、上記駆動の際に、上
記走査信号の立ち下がりが制御されるが、この立ち下が
りは、上記変化量Ｓｘを任意に設定することによって可
能となる。
【００７４】このように上記変化量Ｓｘを適切に設定す
ることによって、走査信号線の入力付近、及び終端付近
でもその立ち下がり波形の変化量Ｓｘ１、及びＳｘＮ
は、走査信号線波形Ｖｇ（１，ｊ）、及びＶｇ（Ｎ，
ｊ）のように走査信号線が寄生的に所有している信号遅
延伝播特性の影響を受けずにほぼ同じになった（図１及
び図２参照）。このことにより、走査信号線に寄生的に
存在する寄生容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じ
るレベルシフトは、表示面内で略均一になる。これによ
り、例えば寄生容量Ｃｇｄに起因するレベルシフト△Ｖ
ｄを予め低減させるように対向電極に対向電位ＶＣＯＭ
をバイアスする等の従来方法によって、十分にフリッカ
を低減させ、焼き付け残像等の表示不具合のない表示装
置を実現できた。
ることによって、走査信号線の入力付近、及び終端付近
でもその立ち下がり波形の変化量Ｓｘ１、及びＳｘＮ
は、走査信号線波形Ｖｇ（１，ｊ）、及びＶｇ（Ｎ，
ｊ）のように走査信号線が寄生的に所有している信号遅
延伝播特性の影響を受けずにほぼ同じになった（図１及
び図２参照）。このことにより、走査信号線に寄生的に
存在する寄生容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じ
るレベルシフトは、表示面内で略均一になる。これによ
り、例えば寄生容量Ｃｇｄに起因するレベルシフト△Ｖ
ｄを予め低減させるように対向電極に対向電位ＶＣＯＭ
をバイアスする等の従来方法によって、十分にフリッカ
を低減させ、焼き付け残像等の表示不具合のない表示装
置を実現できた。
【００７５】上記のように立ち下がり波形の変化量Ｓｘ
１、及びＳｘＮを走査線上の位置に関係なくほぼ同じに
するためには、上記立ち下がりの制御が、走査信号線が
備える信号遅延伝達特性に基づいて行われればよい。こ
のように制御すれば、走査信号線上であれば、どこで
も、走査信号の立ち下がりの傾斜を略同じに揃えること
が可能となるので、各画素電位のレベルシフトが略均一
になる。
１、及びＳｘＮを走査線上の位置に関係なくほぼ同じに
するためには、上記立ち下がりの制御が、走査信号線が
備える信号遅延伝達特性に基づいて行われればよい。こ
のように制御すれば、走査信号線上であれば、どこで
も、走査信号の立ち下がりの傾斜を略同じに揃えること
が可能となるので、各画素電位のレベルシフトが略均一
になる。
【００７６】上記信号遅延伝播特性に基づいて上記立ち
下がりの制御を行う代わりに、上記薄膜トランジスタの
ゲート電圧−ドレイン電流特性に基づいて、上記走査信
号の立ち下がりの傾斜を制御するようにしてもよい。薄
膜トランジスタは、閾値電圧からオン電圧までの範囲に
ある電圧がゲートに印加されると、上記の薄膜トランジ
スタのドレイン電流（オン抵抗）は、ゲート電圧に依存
し、リニアに変化する（つまり、２値状態におけるオン
状態ではなく、薄膜トランジスタは中間的なオン状態
（アナログ的にゲート電圧により、ドレイン電流が変化
する））。
下がりの制御を行う代わりに、上記薄膜トランジスタの
ゲート電圧−ドレイン電流特性に基づいて、上記走査信
号の立ち下がりの傾斜を制御するようにしてもよい。薄
膜トランジスタは、閾値電圧からオン電圧までの範囲に
ある電圧がゲートに印加されると、上記の薄膜トランジ
スタのドレイン電流（オン抵抗）は、ゲート電圧に依存
し、リニアに変化する（つまり、２値状態におけるオン
状態ではなく、薄膜トランジスタは中間的なオン状態
（アナログ的にゲート電圧により、ドレイン電流が変化
する））。
【００７７】この場合、上記走査信号の立ち下がりが従
来のように急峻である場合、薄膜トランジスタのゲート
電圧−ドレイン電流特性に無関係に、上述のように、寄
生容量コンデンサに起因する画素電位のレベルシフトが
生じてしまうが、本実施の形態によれば、薄膜トランジ
スタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよう
に、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御することが
可能となる。このように制御すれば、走査信号の立ち下
がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンからオ
フへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニア
に変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素電
位のレベルシフトは確実に低減される。
来のように急峻である場合、薄膜トランジスタのゲート
電圧−ドレイン電流特性に無関係に、上述のように、寄
生容量コンデンサに起因する画素電位のレベルシフトが
生じてしまうが、本実施の形態によれば、薄膜トランジ
スタの上記リニアに変化する領域に影響を受けるよう
に、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御することが
可能となる。このように制御すれば、走査信号の立ち下
がりは傾斜すると共に、薄膜トランジスタのオンからオ
フへの状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニア
に変化するので、寄生容量コンデンサに起因する画素電
位のレベルシフトは確実に低減される。
【００７８】上記の信号遅延伝播特性と、薄膜トランジ
スタのゲート電圧−ドレイン電流特性との双方に基づい
て、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が、より好ましい。この場合、走査信号線上であれば、
どこでも、走査信号の立ち下がりの傾斜を略同じに揃え
ることが可能となるので、各画素電位のレベルシフトが
略均一になると共に、該レベルシフト自体が小さくな
る。
スタのゲート電圧−ドレイン電流特性との双方に基づい
て、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が、より好ましい。この場合、走査信号線上であれば、
どこでも、走査信号の立ち下がりの傾斜を略同じに揃え
ることが可能となるので、各画素電位のレベルシフトが
略均一になると共に、該レベルシフト自体が小さくな
る。
【００７９】また、図２の電圧レベルＶＴは、図１３で
示したＴＦＴの閾値電圧であるが、走査信号が走査電圧
ＶｇｈからＴＦＴの閾値電圧ＶＴまで立ち下がる期間は
ＴＦＴがオン状態にあり、寄生容量Ｃｇｄに起因する上
記レベルシフトは殆ど発生せず、ＴＦＴがオフ状態にな
る走査信号線変化量（ＶＴ−Ｖｇｌ）の影響により寄生
容量Ｃｇｄに起因するレベルシフトが発生する。
示したＴＦＴの閾値電圧であるが、走査信号が走査電圧
ＶｇｈからＴＦＴの閾値電圧ＶＴまで立ち下がる期間は
ＴＦＴがオン状態にあり、寄生容量Ｃｇｄに起因する上
記レベルシフトは殆ど発生せず、ＴＦＴがオフ状態にな
る走査信号線変化量（ＶＴ−Ｖｇｌ）の影響により寄生
容量Ｃｇｄに起因するレベルシフトが発生する。
【００８０】本実施の形態によれば、ＶＴ−Ｖｇｌ＜Ｖ
ｇｈ−Ｖｇｌであるので、寄生容量Ｃｇｄに起因するレ
ベルシフトの表示面内の不均一をキャンセルするだけで
なく、寄生容量Ｃｇｄに起因するレベルシフト量自体を
小さくすることが可能になった。
ｇｈ−Ｖｇｌであるので、寄生容量Ｃｇｄに起因するレ
ベルシフトの表示面内の不均一をキャンセルするだけで
なく、寄生容量Ｃｇｄに起因するレベルシフト量自体を
小さくすることが可能になった。
【００８１】ここで、従来技術における走査信号線駆動
回路付近の画素の寄生容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖ
ｄに生じるレベルシフト量を△Ｖｄ（１）とし、終端付
近の画素のレベルシフト量をΔＶｄ（Ｎ）、本実施の形
態に係る走査信号線駆動回路付近の画素のレベルシフト
量を△Ｖｄｘ（１）とし、終端付近の画素のレベルシフ
ト量をΔＶｄｘ（Ｎ）とする。この場合、上述のように
立ち下がり波形の変化量Ｓｘ１、及びＳｘＮは、走査
信号線が寄生的に所有している信号遅延伝播特性の影響
を受けずにほぼ同じであるので、寄生的に存在する寄生
容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じるレベルシフ
トは、表示面内で略均一になり、ΔＶｄｘ（１）＝△Ｖ
ｄｘ（Ｎ）＜△Ｖｄ（Ｎ）＜△Ｖｄ（１）という関係を
満足する。
回路付近の画素の寄生容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖ
ｄに生じるレベルシフト量を△Ｖｄ（１）とし、終端付
近の画素のレベルシフト量をΔＶｄ（Ｎ）、本実施の形
態に係る走査信号線駆動回路付近の画素のレベルシフト
量を△Ｖｄｘ（１）とし、終端付近の画素のレベルシフ
ト量をΔＶｄｘ（Ｎ）とする。この場合、上述のように
立ち下がり波形の変化量Ｓｘ１、及びＳｘＮは、走査
信号線が寄生的に所有している信号遅延伝播特性の影響
を受けずにほぼ同じであるので、寄生的に存在する寄生
容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じるレベルシフ
トは、表示面内で略均一になり、ΔＶｄｘ（１）＝△Ｖ
ｄｘ（Ｎ）＜△Ｖｄ（Ｎ）＜△Ｖｄ（１）という関係を
満足する。
【００８２】従って、例えば対向電極に寄生容量Ｃｇｄ
に起因するレベルシフトを予め低減させるように対向電
位ＶＣＯＭにバイアスする等の従来方法によっても、そ
のバイアスレベルを小さくでき、フリッカを低減させ、
焼き付け残像等の表示不具合を解決すると共に低消費電
力な表示装置を実現できる。
に起因するレベルシフトを予め低減させるように対向電
位ＶＣＯＭにバイアスする等の従来方法によっても、そ
のバイアスレベルを小さくでき、フリッカを低減させ、
焼き付け残像等の表示不具合を解決すると共に低消費電
力な表示装置を実現できる。
【００８３】〔実施の形態２〕図３を参照しながら、本
発明に係る実施の形態２について以下に説明す。説明の
便宜上、図１０で示す部材と同じ機能を有する部材に対
して同じ参照符号を付記する。
発明に係る実施の形態２について以下に説明す。説明の
便宜上、図１０で示す部材と同じ機能を有する部材に対
して同じ参照符号を付記する。
【００８４】本発明に係る実施の形態２においては、図
３に示すように、走査信号線駆動回路は、図１０に示し
た従来の走査信号線駆動回路と同様に、カスケード接続
されたＭ個のフリップフロップ（Ｆ１、Ｆ２、…、Ｆ
ｊ、…、ＦＭ）から成るシフトレジスタ部３ａと、各フ
リップフロップからの出力に応じて切り替わる選択スイ
ッチ３ｂとを有している。各選択スイッチ３ｂの一方の
入力端子ＶＤ１には、ＴＦＴをオン状態にするに十分な
ゲートオン電圧のＶｇｈと、もう一方の入力端子ＶＤ２
にはＴＦＴをオフ状態にするに十分なゲートオフ電圧Ｖ
ｇｌが入力されている。各スイッチ３ｂのコモン端子は
走査信号線１０５に接続されている。
３に示すように、走査信号線駆動回路は、図１０に示し
た従来の走査信号線駆動回路と同様に、カスケード接続
されたＭ個のフリップフロップ（Ｆ１、Ｆ２、…、Ｆ
ｊ、…、ＦＭ）から成るシフトレジスタ部３ａと、各フ
リップフロップからの出力に応じて切り替わる選択スイ
ッチ３ｂとを有している。各選択スイッチ３ｂの一方の
入力端子ＶＤ１には、ＴＦＴをオン状態にするに十分な
ゲートオン電圧のＶｇｈと、もう一方の入力端子ＶＤ２
にはＴＦＴをオフ状態にするに十分なゲートオフ電圧Ｖ
ｇｌが入力されている。各スイッチ３ｂのコモン端子は
走査信号線１０５に接続されている。
【００８５】従って、クロック信号ＧＣＫによってデー
タ信号ＧＳＰはフリップフロップを順次転送され、選択
スイッチ３ｂを介して順次出力される。これに応答して
選択スイッチ３ｂはＴＦＴをオン状態にするＶｇｈの電
圧を一走査期間（ＴＨ）選択して走査信号線１０５に出
力した後、走査信号線１０５にはＴＦＴをオフ状態にす
るＶｇｌ電圧をそれぞれ出力する。
タ信号ＧＳＰはフリップフロップを順次転送され、選択
スイッチ３ｂを介して順次出力される。これに応答して
選択スイッチ３ｂはＴＦＴをオン状態にするＶｇｈの電
圧を一走査期間（ＴＨ）選択して走査信号線１０５に出
力した後、走査信号線１０５にはＴＦＴをオフ状態にす
るＶｇｌ電圧をそれぞれ出力する。
【００８６】本実施の形態２においては、図３に示すよ
うに、従来のゲートドライバの出力段に、出力信号（ゲ
ートオフ電圧Ｖｇｌ）の立ち下がりスピードを制御でき
るスルーレイトコントロール素子ＳＣ（傾斜制御部）を
追加することにより、図１及び図２と同様に、各々の走
査信号線に出力される走査信号の立ち下がり傾斜を制御
できることを特徴としている。
うに、従来のゲートドライバの出力段に、出力信号（ゲ
ートオフ電圧Ｖｇｌ）の立ち下がりスピードを制御でき
るスルーレイトコントロール素子ＳＣ（傾斜制御部）を
追加することにより、図１及び図２と同様に、各々の走
査信号線に出力される走査信号の立ち下がり傾斜を制御
できることを特徴としている。
【００８７】各選択スイッチ３ｂと入力端子ＶＤ２との
間に設けられたスルーレイトコントロール回路ＳＣは、
等価的には、ゲートドライバの各出力のインピーダンス
を制御する出力インピーダンス制御素子であり、走査信
号線に出力されるゲートオフ電圧の立ち下がり（以下、
走査信号線の立ち下がりと称す）時のみに出力インピー
ダンスを増加させ、ゲートドライバの出力波形そのもの
をなまらせ、走査信号線そのものの伝達特性での波形の
なまりによる、表示パネル面内での立ち下がりスピード
の違いを相殺させることによって、上述した寄生容量Ｃ
ｇｄの影響によるレベルシフト△Ｖの発生を抑制し旦つ
表示パネル全面でそのレベルシフト量を同じにすること
が可能である。
間に設けられたスルーレイトコントロール回路ＳＣは、
等価的には、ゲートドライバの各出力のインピーダンス
を制御する出力インピーダンス制御素子であり、走査信
号線に出力されるゲートオフ電圧の立ち下がり（以下、
走査信号線の立ち下がりと称す）時のみに出力インピー
ダンスを増加させ、ゲートドライバの出力波形そのもの
をなまらせ、走査信号線そのものの伝達特性での波形の
なまりによる、表示パネル面内での立ち下がりスピード
の違いを相殺させることによって、上述した寄生容量Ｃ
ｇｄの影響によるレベルシフト△Ｖの発生を抑制し旦つ
表示パネル全面でそのレベルシフト量を同じにすること
が可能である。
【００８８】なお、スルーレイトコントロール回路ＳＣ
は、出力インピーダンスを可変し、立ち下がりスピード
を可変できれば特に限定されるものではなく、例えば、
ＭＯＳトランジスタ素子のゲート電圧を制御することに
よってインピーダンスを調整する一般的な制御技術で実
現してもよい。
は、出力インピーダンスを可変し、立ち下がりスピード
を可変できれば特に限定されるものではなく、例えば、
ＭＯＳトランジスタ素子のゲート電圧を制御することに
よってインピーダンスを調整する一般的な制御技術で実
現してもよい。
【００８９】また、本実施の形態では走査信号線立ち下
がり時のみに出力インピーダンスを増加させ立ち下がり
波形のみをなまらせたが、使用するパネル構造によって
は、走査信号線立ち下がり後のゲートオフ電圧Ｖｇｌの
出力期間中のインピーダンスが高くてもクロストーク等
の別の表示不具合が発生しなければ、走査信号線立ち下
がり時のみだけでなく、出力インピーダンスを増加させ
たままでもよい。
がり時のみに出力インピーダンスを増加させ立ち下がり
波形のみをなまらせたが、使用するパネル構造によって
は、走査信号線立ち下がり後のゲートオフ電圧Ｖｇｌの
出力期間中のインピーダンスが高くてもクロストーク等
の別の表示不具合が発生しなければ、走査信号線立ち下
がり時のみだけでなく、出力インピーダンスを増加させ
たままでもよい。
【００９０】〔実施の形態３〕上述の実施の形態２にお
いては、走査信号線駆動回路（ゲートドライバ）の中に
走査信号の立ち下がりスピード（傾斜）を制御するスル
ーレイトコントロール素子ＳＣを従来の構成に追加した
場合を説明した。しかし、この場合、ゲートドライバ
に、スルーレイトコントロール素子ＳＣを別途設けるこ
とが必要であり、従来の一般的な安価なゲートドライバ
をそのまま流用することができないので、経済的ではな
い。
いては、走査信号線駆動回路（ゲートドライバ）の中に
走査信号の立ち下がりスピード（傾斜）を制御するスル
ーレイトコントロール素子ＳＣを従来の構成に追加した
場合を説明した。しかし、この場合、ゲートドライバ
に、スルーレイトコントロール素子ＳＣを別途設けるこ
とが必要であり、従来の一般的な安価なゲートドライバ
をそのまま流用することができないので、経済的ではな
い。
【００９１】そこで、本実施の形態３においては、従来
の安価な汎用ゲートドライバを使用した場合について、
図４及び図５を参照しながら、以下に説明する。
の安価な汎用ゲートドライバを使用した場合について、
図４及び図５を参照しながら、以下に説明する。
【００９２】従来のゲートドライバは、図１０を参照し
ながら既に説明したように、ゲートオン電圧のＶｇｈと
ゲートオフ電圧のＶｇｌが入力され、クロック信号ＧＣ
Ｋによって順次走査オン電圧Ｖｇｈを順次一走査期間
（ＴＨ）選択して走査信号線１０５に出力した後、走査
信号線１０５にはＴＦＴをオフ状態にするＶｇｌ電圧を
それぞれ出力するものである。これに対して、本実施の
形態３においては、図４に示すような回路を採用してお
り、該回路の出力が、走査信号線駆動回路のＶｇｈ電圧
として使用される。
ながら既に説明したように、ゲートオン電圧のＶｇｈと
ゲートオフ電圧のＶｇｌが入力され、クロック信号ＧＣ
Ｋによって順次走査オン電圧Ｖｇｈを順次一走査期間
（ＴＨ）選択して走査信号線１０５に出力した後、走査
信号線１０５にはＴＦＴをオフ状態にするＶｇｌ電圧を
それぞれ出力するものである。これに対して、本実施の
形態３においては、図４に示すような回路を採用してお
り、該回路の出力が、走査信号線駆動回路のＶｇｈ電圧
として使用される。
【００９３】本実施の形態に係る走査信号線駆動回路
は、図４に示すように、主として、充・放電を行うため
の抵抗Ｒｃｎｔ及びＣｃｎｔと、この充・放電を制御す
るためのインバータＩＮＶと、充・放電を切り替えるた
めのスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２とから構成され
ている。
は、図４に示すように、主として、充・放電を行うため
の抵抗Ｒｃｎｔ及びＣｃｎｔと、この充・放電を制御す
るためのインバータＩＮＶと、充・放電を切り替えるた
めのスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２とから構成され
ている。
【００９４】上記スイッチＳＷ１の一方の端子には信号
電圧Ｖｄｄが印加される。この信号電圧Ｖｄｄは、上記
ＴＦＴをオン状態にするのに十分なレベルＶｇｈを有す
る直流電圧である。このスイッチＳＷ１の他方の端子
は、抵抗Ｒｃｎｔの一端に接続されると共にコンデンサ
Ｃｃｎｔの一端にも接続される。上記抵抗Ｒｃｎｔの他
端は、上記スイッチＳＷ２を介して接地されている。こ
のスイッチＳＷ２の開閉制御は、上記インバータＩＮＶ
を介して入力されるＳｔｃ信号（図５参照）に基づいて
行われる。このＳｔｃ信号は、１走査期間に同期してお
り、上記スイッチＳＷ１の開閉制御も行う。このＳｔｃ
信号は、図５に示すように、クロック信号（ＧＣＫ）と
同期するように形成されればよく、例えばモノマルチバ
イブレータ等（図示しない）を使用して構成できる。
電圧Ｖｄｄが印加される。この信号電圧Ｖｄｄは、上記
ＴＦＴをオン状態にするのに十分なレベルＶｇｈを有す
る直流電圧である。このスイッチＳＷ１の他方の端子
は、抵抗Ｒｃｎｔの一端に接続されると共にコンデンサ
Ｃｃｎｔの一端にも接続される。上記抵抗Ｒｃｎｔの他
端は、上記スイッチＳＷ２を介して接地されている。こ
のスイッチＳＷ２の開閉制御は、上記インバータＩＮＶ
を介して入力されるＳｔｃ信号（図５参照）に基づいて
行われる。このＳｔｃ信号は、１走査期間に同期してお
り、上記スイッチＳＷ１の開閉制御も行う。このＳｔｃ
信号は、図５に示すように、クロック信号（ＧＣＫ）と
同期するように形成されればよく、例えばモノマルチバ
イブレータ等（図示しない）を使用して構成できる。
【００９５】これらスイッチＳＷ１及びＳＷ２の開閉動
作については、後述するが、Ｓｔｃ信号がハイレベルの
場合にスイッチＳＷ１が閉状態となり、このとき、スイ
ッチＳＷ２にはインバータＩＮＶを介してローレベルが
印加されるのでスイッチＳＷ２は開状態となる。これに
対して、Ｓｔｃ信号がローレベル（放電制御信号）の場
合にスイッチＳＷ１が開状態となり、このとき、スイッ
チＳＷ２にはインバータＩＮＶを介してハイレベルが印
加されるのでスイッチＳＷ２は閉状態となる。つまり、
図４の構成において、スイッチＳＷ１及びＳＷ２は、ハ
イアクティブな素子である。
作については、後述するが、Ｓｔｃ信号がハイレベルの
場合にスイッチＳＷ１が閉状態となり、このとき、スイ
ッチＳＷ２にはインバータＩＮＶを介してローレベルが
印加されるのでスイッチＳＷ２は開状態となる。これに
対して、Ｓｔｃ信号がローレベル（放電制御信号）の場
合にスイッチＳＷ１が開状態となり、このとき、スイッ
チＳＷ２にはインバータＩＮＶを介してハイレベルが印
加されるのでスイッチＳＷ２は閉状態となる。つまり、
図４の構成において、スイッチＳＷ１及びＳＷ２は、ハ
イアクティブな素子である。
【００９６】本回路で生成された出力信号ＶＤ１ａは、
図１０に示す走査信号線駆動回路３００の入力端子ＶＤ
１に接続されている。上記Ｓｔｃ信号は、図５に示すよ
うに、ゲート立ち下がり期間を制御するタイミング信号
であり、１走査期間（ＴＨ）と同周期の信号である。
図１０に示す走査信号線駆動回路３００の入力端子ＶＤ
１に接続されている。上記Ｓｔｃ信号は、図５に示すよ
うに、ゲート立ち下がり期間を制御するタイミング信号
であり、１走査期間（ＴＨ）と同周期の信号である。
【００９７】上記構成によれば、Ｓｔｃ信号がハイレベ
ルの期間、上記スイッチＳＷ１は閉状態になると共にス
イッチＳＷ２は開状態となるので、出力信号ＶＤ１ａは
レベルＶｇｈの電圧として図１０に示す走査信号線駆動
回路３００の入力端子ＶＤ１へ出力される。これに対し
て、Ｓｔｃ信号がローレベルの期間、スイッチＳＷ１は
開状態となると共にスイッチＳＷ２は閉状態となり、Ｃ
ｃｎｔに蓄えられた電荷がＲｃｎｔを介して放電されて
徐々に電圧レベルが下がっていく。その結果、出力信号
ＶＤ１ａは、図５に示すようなノコギリ波状となる。
ルの期間、上記スイッチＳＷ１は閉状態になると共にス
イッチＳＷ２は開状態となるので、出力信号ＶＤ１ａは
レベルＶｇｈの電圧として図１０に示す走査信号線駆動
回路３００の入力端子ＶＤ１へ出力される。これに対し
て、Ｓｔｃ信号がローレベルの期間、スイッチＳＷ１は
開状態となると共にスイッチＳＷ２は閉状態となり、Ｃ
ｃｎｔに蓄えられた電荷がＲｃｎｔを介して放電されて
徐々に電圧レベルが下がっていく。その結果、出力信号
ＶＤ１ａは、図５に示すようなノコギリ波状となる。
【００９８】図４の回路で生成された出力信号ＶＤ１ａ
（図５参照）を走査信号線駆動回路３００の入力端子Ｖ
Ｄ１へ送ると、図５のＶＧ（ｊ）に示すような、走査信
号線立ち下がりが傾斜を持った波形を容易に生成するこ
とが可能になる。この傾斜波形の傾斜時間は、Ｓｔｃ信
号のＬ期間にて調整され、傾斜量Ｖｓｌｏｐｅは図４の
抵抗Ｒｃｎｔ及びコンデンサＣｃｎｔを可変してその時
定数を調整することによって可能であり、駆動する表示
パネル毎に最適化すれば良い。
（図５参照）を走査信号線駆動回路３００の入力端子Ｖ
Ｄ１へ送ると、図５のＶＧ（ｊ）に示すような、走査信
号線立ち下がりが傾斜を持った波形を容易に生成するこ
とが可能になる。この傾斜波形の傾斜時間は、Ｓｔｃ信
号のＬ期間にて調整され、傾斜量Ｖｓｌｏｐｅは図４の
抵抗Ｒｃｎｔ及びコンデンサＣｃｎｔを可変してその時
定数を調整することによって可能であり、駆動する表示
パネル毎に最適化すれば良い。
【００９９】図６は、本実施の形態を対角１３．３イン
チＸＧＡ（解像度１０２４＊ＲＧＢ＊７６８）に適用し
た場合の寄生容量Ｃｇｄに起因するレベルシフトの走査
線上の位置に対する測定結果を示す。図６から明らかな
ように、本実施の形態によれば、表示パネル内のレベル
シフト△Ｖｄの傾斜分布（不均一さ）は完全になくな
り、また、△Ｖｄの大きさ自体も小さくなっていること
がわかる。
チＸＧＡ（解像度１０２４＊ＲＧＢ＊７６８）に適用し
た場合の寄生容量Ｃｇｄに起因するレベルシフトの走査
線上の位置に対する測定結果を示す。図６から明らかな
ように、本実施の形態によれば、表示パネル内のレベル
シフト△Ｖｄの傾斜分布（不均一さ）は完全になくな
り、また、△Ｖｄの大きさ自体も小さくなっていること
がわかる。
【０１００】図５に示したように、ＶＧ（ｊ）におい
て、立ち下がりの波形はＶｇｈからＶｇｌの全レベルの
立ち下がりにおいて傾斜させる必要はない。つまり、図
６は、ＴＦＴのオン領域でのゲート立ち下がり傾斜が、
表示面内のレベルシフト△Ｖｄのばらつきに重要である
ことを示している。言い換えれば、いったんＴＦＴがオ
フ領域にはいるとゲート立ち下がりのスピードに依存し
ない。よって、このような若干の立ち下がり波形の形成
で十分な効果が得られる。
て、立ち下がりの波形はＶｇｈからＶｇｌの全レベルの
立ち下がりにおいて傾斜させる必要はない。つまり、図
６は、ＴＦＴのオン領域でのゲート立ち下がり傾斜が、
表示面内のレベルシフト△Ｖｄのばらつきに重要である
ことを示している。言い換えれば、いったんＴＦＴがオ
フ領域にはいるとゲート立ち下がりのスピードに依存し
ない。よって、このような若干の立ち下がり波形の形成
で十分な効果が得られる。
【０１０１】〔実施の形態４〕上述の実施の形態３で
は、走査信号線立ち下がりの傾斜時間が、Ｓｔｃ信号の
Ｌ期間にて調整され、傾斜量Ｖｓｌｏｐｅが抵抗Ｒｃｎ
ｔ及びコンデンサＣｃｎｔを可変してその時定数を調整
することによって、その立ち下がりスピードを制御し
た。しかしながら、さらに大型表示装置の場合、走査信
号線と信号線の各交差部の寄生容量や表示状態で、走査
信号線の保持電荷の大きさが異なり、自然放電による方
式では、立ち下がりスピードが安定せず本来の目的とは
別に、表示ノイズの発生等の新たな問題を招来する場合
がある。本実施の形態は、このような不具合を解決する
ものである。以下に詳細に説明する。
は、走査信号線立ち下がりの傾斜時間が、Ｓｔｃ信号の
Ｌ期間にて調整され、傾斜量Ｖｓｌｏｐｅが抵抗Ｒｃｎ
ｔ及びコンデンサＣｃｎｔを可変してその時定数を調整
することによって、その立ち下がりスピードを制御し
た。しかしながら、さらに大型表示装置の場合、走査信
号線と信号線の各交差部の寄生容量や表示状態で、走査
信号線の保持電荷の大きさが異なり、自然放電による方
式では、立ち下がりスピードが安定せず本来の目的とは
別に、表示ノイズの発生等の新たな問題を招来する場合
がある。本実施の形態は、このような不具合を解決する
ものである。以下に詳細に説明する。
【０１０２】図７は本実施の形態の走査信号線駆動回路
の要部を示し、その主要部の波形を図８に示す。図７の
信号Ｓｔｃは、傾斜期間制御信号（充電制御信号、及び
放電制御信号）であり、コンデンサＣｃｔに並列に接続
されたスイッチＳＷ３の開閉制御を行う。定電流源Ｉｃ
ｔは抵抗Ｒｃｔを介してコンデンサＣｃｔの一端に接続
されており、コンデンサＣｃｔの他端は接地されてい
る。コンデンサＣｃｔの両端の電圧Ｖｃｔは、抵抗Ｒ３
を介してオペアンプＯＰの反転入力端子に接続されてい
る。このオペアンプＯＰの反転入力端子と出力端子との
間には抵抗Ｒ４が接続されている。
の要部を示し、その主要部の波形を図８に示す。図７の
信号Ｓｔｃは、傾斜期間制御信号（充電制御信号、及び
放電制御信号）であり、コンデンサＣｃｔに並列に接続
されたスイッチＳＷ３の開閉制御を行う。定電流源Ｉｃ
ｔは抵抗Ｒｃｔを介してコンデンサＣｃｔの一端に接続
されており、コンデンサＣｃｔの他端は接地されてい
る。コンデンサＣｃｔの両端の電圧Ｖｃｔは、抵抗Ｒ３
を介してオペアンプＯＰの反転入力端子に接続されてい
る。このオペアンプＯＰの反転入力端子と出力端子との
間には抵抗Ｒ４が接続されている。
【０１０３】上記Ｓｔｃ信号は、図５に示したように、
クロック信号（ＧＣＫ）と同期するように形成されれば
よく、例えばモノマルチバイブレータ等（図示しない）
を使用して構成できる。上記スイッチＳＷ３は、上記Ｓ
ｔｃ信号がハイレベルの期間中に閉状態になる一方、ロ
ーレベルの期間中に開状態になる。
クロック信号（ＧＣＫ）と同期するように形成されれば
よく、例えばモノマルチバイブレータ等（図示しない）
を使用して構成できる。上記スイッチＳＷ３は、上記Ｓ
ｔｃ信号がハイレベルの期間中に閉状態になる一方、ロ
ーレベルの期間中に開状態になる。
【０１０４】一方、オペアンプＯＰの非反転入力端子に
は抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ１の一端がそれぞれ接続されてい
る。抵抗Ｒ２の他端は接地されており、抵抗Ｒ１の他端
は信号電圧Ｖｄｄが印加される。この信号電圧Ｖｄｄ
は、上記ＴＦＴをオン状態にするのに十分なレベルＶｇ
ｈを有する直流電圧である。オペアンプＯＰの出力端子
からは、出力信号ＶＤ１ｂが、走査信号として、図１０
に示す走査信号線駆動回路３００の入力端子ＶＤ１へ送
られる。
は抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ１の一端がそれぞれ接続されてい
る。抵抗Ｒ２の他端は接地されており、抵抗Ｒ１の他端
は信号電圧Ｖｄｄが印加される。この信号電圧Ｖｄｄ
は、上記ＴＦＴをオン状態にするのに十分なレベルＶｇ
ｈを有する直流電圧である。オペアンプＯＰの出力端子
からは、出力信号ＶＤ１ｂが、走査信号として、図１０
に示す走査信号線駆動回路３００の入力端子ＶＤ１へ送
られる。
【０１０５】上記オペアンプＯＰ、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ
３、及びＲ４は減算部を構成するものである。この減算
部では、次の減算処理が行われる。 VD1b=Vdd・(R2/(R1+R2))・(1+(R4/R3)) − (R4/R3)・Vc
t ここで、Ｒ１＝Ｒ４、Ｒ２＝Ｒ３、及びＡ＝Ｒ４／Ｒ３
とすると、ＶＤ１ｂ＝Ｖｄｄ−Ａ・Ｖｃｔとなる。
３、及びＲ４は減算部を構成するものである。この減算
部では、次の減算処理が行われる。 VD1b=Vdd・(R2/(R1+R2))・(1+(R4/R3)) − (R4/R3)・Vc
t ここで、Ｒ１＝Ｒ４、Ｒ２＝Ｒ３、及びＡ＝Ｒ４／Ｒ３
とすると、ＶＤ１ｂ＝Ｖｄｄ−Ａ・Ｖｃｔとなる。
【０１０６】図８を参照しながら、図７に示す回路の動
作を以下に説明する。
作を以下に説明する。
【０１０７】上記Ｓｔｃ信号がローレベルの期間中、上
記スイッチＳＷ３は開状態になるので、抵抗Ｒｃｔを介
して定電流源ＩｃｔからコンデンサＣｃｔへ充電され、
電圧Ｖｃｔは図８に示すようにノコギリ波状に変化す
る。減算部においては、電圧ＶｃｔをＡ（＝Ｒ４／Ｒ
３）倍されたものが信号電圧Ｖｄｄから減算され、図８
に示すように、出力信号ＶＤ１ｂとして出力される（Ｖ
ｇｈからＶｓｌｏｐｅで減少する）。したがって、Ａを
変化させることによって、任意のＶｓｌｏｐｅで出力信
号ＶＤ１ｂを立ち下げることが可能となる。
記スイッチＳＷ３は開状態になるので、抵抗Ｒｃｔを介
して定電流源ＩｃｔからコンデンサＣｃｔへ充電され、
電圧Ｖｃｔは図８に示すようにノコギリ波状に変化す
る。減算部においては、電圧ＶｃｔをＡ（＝Ｒ４／Ｒ
３）倍されたものが信号電圧Ｖｄｄから減算され、図８
に示すように、出力信号ＶＤ１ｂとして出力される（Ｖ
ｇｈからＶｓｌｏｐｅで減少する）。したがって、Ａを
変化させることによって、任意のＶｓｌｏｐｅで出力信
号ＶＤ１ｂを立ち下げることが可能となる。
【０１０８】これに対して、上記Ｓｔｃ信号がハイレベ
ルの期間中、上記スイッチＳＷ３は閉状態になるので、
コンデンサＣｃｔに充電された電荷は、スイッチＳＷ３
を介して放電され、コンデンサＣｃｔの両端の電圧Ｖｃ
ｔは図８に示すようにゼロになる。減算部においては、
信号電圧Ｖｄｄから電圧ＶｃｔをＡ（＝Ｒ４／Ｒ３）倍
されたものが減算されるが、電圧Ｖｃｔがゼロゆえ、信
号電圧Ｖｄｄが、図８に示すように、出力信号ＶＤ１ｂ
として出力される。
ルの期間中、上記スイッチＳＷ３は閉状態になるので、
コンデンサＣｃｔに充電された電荷は、スイッチＳＷ３
を介して放電され、コンデンサＣｃｔの両端の電圧Ｖｃ
ｔは図８に示すようにゼロになる。減算部においては、
信号電圧Ｖｄｄから電圧ＶｃｔをＡ（＝Ｒ４／Ｒ３）倍
されたものが減算されるが、電圧Ｖｃｔがゼロゆえ、信
号電圧Ｖｄｄが、図８に示すように、出力信号ＶＤ１ｂ
として出力される。
【０１０９】以上のように、電圧Ｖｃｔは、信号Ｓｔｃ
の制御に伴って、最大振幅がＶｃｔｈのノコギリ波とな
り、出力信号ＶＤ１ｂは傾斜期間Ｔｓ１ｏｐｅ、傾斜量
Ｖｓｌｏｐｅの波形となるが、この傾斜量Ｖｓｌｏｐｅ
は、Ｖｓｌｏｐｅ＝Ｖｃｔｈ・（Ｒ４／Ｒ３）となり抵
抗Ｒ４、Ｒ３の設定で容易に調整できる。しかも、出力
信号ＶＤ１ｂはオペアンプＯＰの出力であるので、イン
ピーダンスが低くなる（次段からオペアンプＯＰを見た
場合のインピーダンスが小さくなる）。
の制御に伴って、最大振幅がＶｃｔｈのノコギリ波とな
り、出力信号ＶＤ１ｂは傾斜期間Ｔｓ１ｏｐｅ、傾斜量
Ｖｓｌｏｐｅの波形となるが、この傾斜量Ｖｓｌｏｐｅ
は、Ｖｓｌｏｐｅ＝Ｖｃｔｈ・（Ｒ４／Ｒ３）となり抵
抗Ｒ４、Ｒ３の設定で容易に調整できる。しかも、出力
信号ＶＤ１ｂはオペアンプＯＰの出力であるので、イン
ピーダンスが低くなる（次段からオペアンプＯＰを見た
場合のインピーダンスが小さくなる）。
【０１１０】本実施の形態によれば、どのような液晶表
示装置の場合であっても、各々の装置に適合した最適な
立ち下がり特性を備えた走査信号用スロープ波形を作り
出すことが可能となる。
示装置の場合であっても、各々の装置に適合した最適な
立ち下がり特性を備えた走査信号用スロープ波形を作り
出すことが可能となる。
【０１１１】なお、上記実施の形態２乃至４において
は、上記実施の形態１で説明したように、上記のように
立ち下がり波形の変化量を走査線上の位置に関係なくほ
ぼ同じにするためには、上記立ち下がりの制御が、走査
信号線が備える信号遅延伝達特性に基づいて行われれる
ことが好ましい。また、上記信号遅延伝播特性に基づい
て上記立ち下がりの制御を行う代わりに、上記薄膜トラ
ンジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性に基づいて、
上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御するようにして
もよい。更に、上記の信号遅延伝播特性と、薄膜トラン
ジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性との双方に基づ
いて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が、より好ましい。
は、上記実施の形態１で説明したように、上記のように
立ち下がり波形の変化量を走査線上の位置に関係なくほ
ぼ同じにするためには、上記立ち下がりの制御が、走査
信号線が備える信号遅延伝達特性に基づいて行われれる
ことが好ましい。また、上記信号遅延伝播特性に基づい
て上記立ち下がりの制御を行う代わりに、上記薄膜トラ
ンジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性に基づいて、
上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御するようにして
もよい。更に、上記の信号遅延伝播特性と、薄膜トラン
ジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性との双方に基づ
いて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御すること
が、より好ましい。
【０１１２】以上のように、本発明の表示装置は、走査
信号線と、前記走査信号線にゲート電極が接続された薄
膜トランジスタと前記薄膜トランジスタのソース電極に
接続された映像信号線と、前記薄膜トランジスタのドレ
イン電極に接続された画素電極と、前記画素電極と前記
走査信号線との間に形成された付加容量素子と、前記ド
レイン電極と対向電極との間に形成された液晶容量素子
とからなる画素において、走査信号線に書き込みパルス
の走査レベルから非走査レベルヘの状態変化が任意に傾
斜をもち緩やかであることを特徴としている。この場
合、書き込みパルスの走査レベルから非走査レベルヘの
状態変化が、該走査信号線の信号遅延伝達特性を考慮し
た、任意傾斜であることが好ましい。
信号線と、前記走査信号線にゲート電極が接続された薄
膜トランジスタと前記薄膜トランジスタのソース電極に
接続された映像信号線と、前記薄膜トランジスタのドレ
イン電極に接続された画素電極と、前記画素電極と前記
走査信号線との間に形成された付加容量素子と、前記ド
レイン電極と対向電極との間に形成された液晶容量素子
とからなる画素において、走査信号線に書き込みパルス
の走査レベルから非走査レベルヘの状態変化が任意に傾
斜をもち緩やかであることを特徴としている。この場
合、書き込みパルスの走査レベルから非走査レベルヘの
状態変化が、該走査信号線の信号遅延伝達特性を考慮し
た、任意傾斜であることが好ましい。
【０１１３】上記表示装置において、書き込みパルスの
走査レベルから非走査レベルヘの状態変化が、上記薄膜
トランジスタのＶ−Ｉ特性を考慮して任意の傾斜をもち
緩かであることが好ましい。
走査レベルから非走査レベルヘの状態変化が、上記薄膜
トランジスタのＶ−Ｉ特性を考慮して任意の傾斜をもち
緩かであることが好ましい。
【０１１４】また、上記構成において、書き込みパルス
の走査レベルから非走査レベルヘの状態変化が、上記走
査信号線の信号遅延伝達特性と、該薄膜トランジスタの
Ｖ−Ｉ特性の双方を考慮して任意の傾斜をもち緩やかで
あることが好ましい。
の走査レベルから非走査レベルヘの状態変化が、上記走
査信号線の信号遅延伝達特性と、該薄膜トランジスタの
Ｖ−Ｉ特性の双方を考慮して任意の傾斜をもち緩やかで
あることが好ましい。
【０１１５】本発明の他の表示装置は、複数の画素電極
と、対応する画素電極にデータ信号を供給するための映
像信号線と、これに直交するする走査信号線とを備え、
その各交点にスイッチ素子を備え、該走査信号線に供給
されるスイッチ素子を制御するための走査信号により該
画素電極にデータ信号を供給する表示装置であって、該
走査信号の走査信号が走査レベルから非走査レベルヘの
状態変化が任意に傾斜をもち緩やかであることを特徴と
している。
と、対応する画素電極にデータ信号を供給するための映
像信号線と、これに直交するする走査信号線とを備え、
その各交点にスイッチ素子を備え、該走査信号線に供給
されるスイッチ素子を制御するための走査信号により該
画素電極にデータ信号を供給する表示装置であって、該
走査信号の走査信号が走査レベルから非走査レベルヘの
状態変化が任意に傾斜をもち緩やかであることを特徴と
している。
【０１１６】上記走査線駆動回路から該複数のスイッチ
素子までの信号伝送経路は、信号遅延伝達特性を有する
ものであることが好ましい。上記複数のスイッチ素子の
スイッチ特性は、完全なオン、オフの２値の特性でなく
中間的な導通状態が存在することが好ましい。
素子までの信号伝送経路は、信号遅延伝達特性を有する
ものであることが好ましい。上記複数のスイッチ素子の
スイッチ特性は、完全なオン、オフの２値の特性でなく
中間的な導通状態が存在することが好ましい。
【０１１７】また、本発明の更に他の表示装置は、複数
の画素電極と、対応する画素電極にデータ信号を供給す
るための映像信号線と、これに直交するする走査信号線
と、該走査信号線を駆動するための走査信号線駆動回路
とを備え、その交点に薄膜トランジスタを形成した表示
装置であって、走査信号の出力状態変化の速さを任意に
調整できる機能を有する走査線駆動回路を備えたことを
特徴としている。
の画素電極と、対応する画素電極にデータ信号を供給す
るための映像信号線と、これに直交するする走査信号線
と、該走査信号線を駆動するための走査信号線駆動回路
とを備え、その交点に薄膜トランジスタを形成した表示
装置であって、走査信号の出力状態変化の速さを任意に
調整できる機能を有する走査線駆動回路を備えたことを
特徴としている。
【０１１８】この場合、走査信号のレベル変化の速さ
が、該走査信号線の信号遅延伝達特性を考慮したもので
あることが好ましい。また、走査信号のレベル変化の速
さが、、該薄膜トランジスタのＶ−Ｉ特性を考慮したも
のであることも好ましい。走査信号のレベル変化の速さ
が、該走査信号練の信号遅延伝達特性と、該薄膜トラン
ジスタのＶ−Ｉ特性の双方を考慮したものであることが
更に好ましい。
が、該走査信号線の信号遅延伝達特性を考慮したもので
あることが好ましい。また、走査信号のレベル変化の速
さが、、該薄膜トランジスタのＶ−Ｉ特性を考慮したも
のであることも好ましい。走査信号のレベル変化の速さ
が、該走査信号練の信号遅延伝達特性と、該薄膜トラン
ジスタのＶ−Ｉ特性の双方を考慮したものであることが
更に好ましい。
【０１１９】本発明の他の表示装置は、複数の画素電極
と、対応する画素電極にデータ信号を供給するための映
像信号線と、これに直交するする走査信号線と、該走査
信号練を駆動するための走査信号線駆動回路とを備え、
その交点に薄膜トランジスタを形成した表示装置であっ
て、走査線駆動回路に入力される電圧が、ノコギリ波状
のものであることを特徴としている。
と、対応する画素電極にデータ信号を供給するための映
像信号線と、これに直交するする走査信号線と、該走査
信号練を駆動するための走査信号線駆動回路とを備え、
その交点に薄膜トランジスタを形成した表示装置であっ
て、走査線駆動回路に入力される電圧が、ノコギリ波状
のものであることを特徴としている。
【０１２０】この場合、走査線駆動回路に入力される電
圧は、間欠的なノコギリ波状のものであることが好まし
い。これらノコギリ波状の電圧の傾斜は、走査信号線の
信号遅延伝達特性を考慮したものであることが好まし
い。これらノコギリ波状の電圧の傾斜は、薄膜トランジ
スタのＶ−Ｉ特性を考慮したものであることが好まし
く、走査信号線の信号遅延伝達特性と、薄膜トランジス
タのＶ−Ｉ特性との双方を考慮したものであることがよ
り好ましい。
圧は、間欠的なノコギリ波状のものであることが好まし
い。これらノコギリ波状の電圧の傾斜は、走査信号線の
信号遅延伝達特性を考慮したものであることが好まし
い。これらノコギリ波状の電圧の傾斜は、薄膜トランジ
スタのＶ−Ｉ特性を考慮したものであることが好まし
く、走査信号線の信号遅延伝達特性と、薄膜トランジス
タのＶ−Ｉ特性との双方を考慮したものであることがよ
り好ましい。
【０１２１】上記本発明によれば、走査線駆動回路の走
査信号の立ち下がり波形が、出力する走査線の信号遅延
伝播特性の影響を見かけ上、小さくでき、走査線上の各
々の場所での立ち下がりスピードが同じになることによ
り、寄生容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じるレ
ベルシフト△Ｖｄの大きさを表示面内で均一にすること
ができる。
査信号の立ち下がり波形が、出力する走査線の信号遅延
伝播特性の影響を見かけ上、小さくでき、走査線上の各
々の場所での立ち下がりスピードが同じになることによ
り、寄生容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じるレ
ベルシフト△Ｖｄの大きさを表示面内で均一にすること
ができる。
【０１２２】さらに、走査信号の立ち下がり波形が、緩
やかなため、ＴＦＴのリニアオン領域特性を有効に利用
でき、寄生容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じる
レベルシフト△Ｖｄの大きさ自体を小さくできる。その
結果、画素電位に寄生的に生じるレベルシフトを面内で
均一旦つ小さくすることができ、フリッカ、焼き付け残
像等の発生を十分に低減させ、高精細、高品位な表示装
置が得られる。
やかなため、ＴＦＴのリニアオン領域特性を有効に利用
でき、寄生容量Ｃｇｄに起因して画素電位Ｖｄに生じる
レベルシフト△Ｖｄの大きさ自体を小さくできる。その
結果、画素電位に寄生的に生じるレベルシフトを面内で
均一旦つ小さくすることができ、フリッカ、焼き付け残
像等の発生を十分に低減させ、高精細、高品位な表示装
置が得られる。
【０１２３】以上のように、本発明によれば、液晶表示
装置のその構造上からくる寄生容量による画素電位に生
じるレベルシフト量を面内で均一にすること、及び／又
は該レベルシフト量自体を小さくすることが可能となる
ので、フリッカのない、また焼き付け残像等のない低消
費電力の表示装置を実現できる。即ち、表示品位、及び
信頼性をはるかに向上させた表示装置及び表示方法が実
現でき、本発明によって得られた効果は極めて大きい。
装置のその構造上からくる寄生容量による画素電位に生
じるレベルシフト量を面内で均一にすること、及び／又
は該レベルシフト量自体を小さくすることが可能となる
ので、フリッカのない、また焼き付け残像等のない低消
費電力の表示装置を実現できる。即ち、表示品位、及び
信頼性をはるかに向上させた表示装置及び表示方法が実
現でき、本発明によって得られた効果は極めて大きい。
【０１２４】また、液晶表示装置の交流駆動には信号線
の極性をフレーム毎に切り替えるフレーム反転駆動や、
１水平信号毎に切り替えるライン反転駆動、画素毎に切
り替えるドット反転駆動など多種多様存在するが、本発
明はこれらの駆動方法に依存することなく、各々の駆動
方法に有効であることは言うまでもない。
の極性をフレーム毎に切り替えるフレーム反転駆動や、
１水平信号毎に切り替えるライン反転駆動、画素毎に切
り替えるドット反転駆動など多種多様存在するが、本発
明はこれらの駆動方法に依存することなく、各々の駆動
方法に有効であることは言うまでもない。
【０１２５】
【発明の効果】請求項１に係る発明の表示装置は、以上
のように、走査信号を出力して上記走査信号線を駆動す
る駆動回路が、上記走査信号の立ち下がりを制御するよ
うになっている。
のように、走査信号を出力して上記走査信号線を駆動す
る駆動回路が、上記走査信号の立ち下がりを制御するよ
うになっている。
【０１２６】それゆえ、走査信号を急峻に立ち下がらな
いように制御することが可能となり、これにより、上記
寄生容量コンデンサに起因する画素電位のレベルシフト
が低減されるので、表示画像にフリッカや表示劣化（焼
き付け残像等の表示不具合を含む）が生じることを回避
できる。この結果、高精細且つ高品位な表示装置を提供
できるという効果を奏する。
いように制御することが可能となり、これにより、上記
寄生容量コンデンサに起因する画素電位のレベルシフト
が低減されるので、表示画像にフリッカや表示劣化（焼
き付け残像等の表示不具合を含む）が生じることを回避
できる。この結果、高精細且つ高品位な表示装置を提供
できるという効果を奏する。
【０１２７】請求項２に係る発明の表示装置は、以上の
ように、請求項１の発明において、上記駆動回路が、上
記走査信号線が備える信号遅延伝達特性に基づいて、上
記走査信号が上記走査信号線上の位置に無関係に略同じ
傾斜で立ち下がるようになっている。
ように、請求項１の発明において、上記駆動回路が、上
記走査信号線が備える信号遅延伝達特性に基づいて、上
記走査信号が上記走査信号線上の位置に無関係に略同じ
傾斜で立ち下がるようになっている。
【０１２８】それゆえ、請求項１の発明に係る効果に加
えて、走査信号線上であれば、どこでも、走査信号の立
ち下がりの傾斜を略同じに揃うので、各画素電位のレベ
ルシフトを略均一にできる。レベルシフトの均一性によ
り、特に、画面の大型化及び画面の高精細化に対応可能
となるという効果を併せて奏する。
えて、走査信号線上であれば、どこでも、走査信号の立
ち下がりの傾斜を略同じに揃うので、各画素電位のレベ
ルシフトを略均一にできる。レベルシフトの均一性によ
り、特に、画面の大型化及び画面の高精細化に対応可能
となるという効果を併せて奏する。
【０１２９】請求項３に係る発明の表示装置は、以上の
ように、請求項１の発明において、上記駆動回路が、上
記薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性に
基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御する
ようになっている。
ように、請求項１の発明において、上記駆動回路が、上
記薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性に
基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御する
ようになっている。
【０１３０】それゆえ、請求項１の発明に係る効果に加
えて、薄膜トランジスタの上記リニアに変化する領域に
影響を受けるように、上記走査信号の立ち下がりの傾斜
を制御することが可能となる。このように制御すれば、
走査信号の立ち下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジ
スタのオンからオフへの状態変化も上記電圧−電流特性
に基づいてリニアに変化するので、寄生容量コンデンサ
に起因する画素電位のレベルシフトを確実に低減するこ
とが可能となるという効果を併せて奏する。
えて、薄膜トランジスタの上記リニアに変化する領域に
影響を受けるように、上記走査信号の立ち下がりの傾斜
を制御することが可能となる。このように制御すれば、
走査信号の立ち下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジ
スタのオンからオフへの状態変化も上記電圧−電流特性
に基づいてリニアに変化するので、寄生容量コンデンサ
に起因する画素電位のレベルシフトを確実に低減するこ
とが可能となるという効果を併せて奏する。
【０１３１】請求項４に係る発明の表示装置は、以上の
ように、請求項２の発明において、上記駆動回路が、更
に、上記薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流
特性に基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制
御するようになっている。
ように、請求項２の発明において、上記駆動回路が、更
に、上記薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流
特性に基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制
御するようになっている。
【０１３２】それゆえ、請求項２の発明に係る効果に加
えて、請求項３の効果のように、薄膜トランジスタの上
記リニアに変化する領域に影響を受けるように、上記走
査信号の立ち下がりの傾斜を制御することが可能とな
り、このように制御すれば、走査信号の立ち下がりは傾
斜すると共に、薄膜トランジスタのオンからオフへの状
態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニアに変化す
るので、寄生容量コンデンサに起因する画素電位のレベ
ルシフト自体を確実に低減することができる。
えて、請求項３の効果のように、薄膜トランジスタの上
記リニアに変化する領域に影響を受けるように、上記走
査信号の立ち下がりの傾斜を制御することが可能とな
り、このように制御すれば、走査信号の立ち下がりは傾
斜すると共に、薄膜トランジスタのオンからオフへの状
態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニアに変化す
るので、寄生容量コンデンサに起因する画素電位のレベ
ルシフト自体を確実に低減することができる。
【０１３３】即ち、請求項４の発明によれば、走査信号
線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの傾斜
を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電位の
レベルシフトが略均一になると共に、上記リニアに変化
する領域を利用するので、レベルシフト自体を小さくで
きると共に、低消費電力な表示装置を実現できるという
効果を併せて奏する。
線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの傾斜
を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電位の
レベルシフトが略均一になると共に、上記リニアに変化
する領域を利用するので、レベルシフト自体を小さくで
きると共に、低消費電力な表示装置を実現できるという
効果を併せて奏する。
【０１３４】請求項５に係る発明の表示装置は、以上の
ように、請求項１、２、３、又は４の発明において、上
記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオン状態にする
ゲートオン電圧と、オフ状態にするゲートオフ電圧とか
らなり、上記駆動回路は、カスケード接続され、上記デ
ータ信号が入力される複数のフリップフロップからなる
シフトレジスタ部と、上記ゲートオフ電圧の立ち下がり
の傾斜を制御する傾斜制御部と、上記の各フリップフロ
ップからの出力に応じて上記ゲートオン電圧と上記ゲー
トオフ電圧とを切り替えるスイッチ部とからなる。
ように、請求項１、２、３、又は４の発明において、上
記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオン状態にする
ゲートオン電圧と、オフ状態にするゲートオフ電圧とか
らなり、上記駆動回路は、カスケード接続され、上記デ
ータ信号が入力される複数のフリップフロップからなる
シフトレジスタ部と、上記ゲートオフ電圧の立ち下がり
の傾斜を制御する傾斜制御部と、上記の各フリップフロ
ップからの出力に応じて上記ゲートオン電圧と上記ゲー
トオフ電圧とを切り替えるスイッチ部とからなる。
【０１３５】それゆえ、従来の駆動回路（ゲートドライ
バ）に傾斜制御部を追加するという簡単な構成で、請求
項１、２、３、又は４の発明に係る効果を確実に奏す
る。
バ）に傾斜制御部を追加するという簡単な構成で、請求
項１、２、３、又は４の発明に係る効果を確実に奏す
る。
【０１３６】請求項６に係る発明の表示装置は、以上の
ように、請求項１、２、３、又は４の発明において、上
記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオン状態にする
ゲートオン電圧と、オフ状態にするゲートオフ電圧とか
らなり、上記駆動回路は、１走査期間に同期した放電制
御信号を出力する制御部と、通常は上記ゲートオン電圧
を生成する一方、上記放電制御信号を受けると上記ゲー
トオン電圧を放電する駆動電圧生成部とを備えている。
ように、請求項１、２、３、又は４の発明において、上
記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオン状態にする
ゲートオン電圧と、オフ状態にするゲートオフ電圧とか
らなり、上記駆動回路は、１走査期間に同期した放電制
御信号を出力する制御部と、通常は上記ゲートオン電圧
を生成する一方、上記放電制御信号を受けると上記ゲー
トオン電圧を放電する駆動電圧生成部とを備えている。
【０１３７】それゆえ、請求項１、２、３、又は４の発
明に係る効果に加えて、走査期間毎に、放電のタイミン
グや、放電量を制御することにより、任意の立ち下がり
傾斜を備えた走査信号を出力することができると共に、
従来の安価な汎用ゲートドライバを使用できるのでコス
ト低減が可能となるという効果を併せて奏する。
明に係る効果に加えて、走査期間毎に、放電のタイミン
グや、放電量を制御することにより、任意の立ち下がり
傾斜を備えた走査信号を出力することができると共に、
従来の安価な汎用ゲートドライバを使用できるのでコス
ト低減が可能となるという効果を併せて奏する。
【０１３８】請求項７に係る発明の表示装置は、以上の
ように、請求項１、２、３、又は４の発明において、上
記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオン状態にする
ゲートオン電圧と、オフ状態にするゲートオフ電圧とか
らなり、上記駆動回路は、１走査期間に同期した充電制
御信号および放電制御信号を出力する制御部と、上記充
電制御信号を受けると充電を行なって傾斜制御電圧を出
力する一方、上記放電制御信号を受けると放電により該
傾斜制御電圧をゼロにする傾斜電圧制御部と、上記充電
時に上記ゲートオン電圧から上記傾斜制御電圧を差し引
いたものをゲートオン電圧として出力する一方、上記放
電時に上記ゲートオン電圧をそのまま出力する減算部と
を備えている。
ように、請求項１、２、３、又は４の発明において、上
記走査信号は、上記薄膜トランジスタをオン状態にする
ゲートオン電圧と、オフ状態にするゲートオフ電圧とか
らなり、上記駆動回路は、１走査期間に同期した充電制
御信号および放電制御信号を出力する制御部と、上記充
電制御信号を受けると充電を行なって傾斜制御電圧を出
力する一方、上記放電制御信号を受けると放電により該
傾斜制御電圧をゼロにする傾斜電圧制御部と、上記充電
時に上記ゲートオン電圧から上記傾斜制御電圧を差し引
いたものをゲートオン電圧として出力する一方、上記放
電時に上記ゲートオン電圧をそのまま出力する減算部と
を備えている。
【０１３９】それゆえ、走査期間毎に、充電、放電のタ
イミングや、放電量を制御することによって、任意の立
ち下がり傾斜を備えた走査信号を出力することができる
と共に、大型表示装置に適用した場合でも、立ち下がり
スピードが安定し、従来発生していた表示ノイズ等の新
たな問題の発生を確実に回避できるという効果を併せて
奏する。
イミングや、放電量を制御することによって、任意の立
ち下がり傾斜を備えた走査信号を出力することができる
と共に、大型表示装置に適用した場合でも、立ち下がり
スピードが安定し、従来発生していた表示ノイズ等の新
たな問題の発生を確実に回避できるという効果を併せて
奏する。
【０１４０】請求項８に係る発明の表示方法は、以上の
ように、複数の画素電極にデータ信号を映像信号線を介
して供給し、該映像信号線に交差した走査信号線を介し
て走査信号を供給して駆動し、表示を行う表示方法にお
いて、上記駆動の際に、上記走査信号の立ち下がりを制
御する。
ように、複数の画素電極にデータ信号を映像信号線を介
して供給し、該映像信号線に交差した走査信号線を介し
て走査信号を供給して駆動し、表示を行う表示方法にお
いて、上記駆動の際に、上記走査信号の立ち下がりを制
御する。
【０１４１】それゆえ、走査信号の立ち下がりが制御さ
れるので、該走査信号を急峻に立ち下がらないように制
御することが可能となる。これにより、上記寄生容量コ
ンデンサに起因する画素電位のレベルシフトは低減され
るので、表示画像にフリッカや表示劣化（焼き付け残像
等の表示不具合を含む）が生じることを回避できる。こ
の結果、高精細且つ高品位な表示装置を提供できるとい
う効果を奏する。
れるので、該走査信号を急峻に立ち下がらないように制
御することが可能となる。これにより、上記寄生容量コ
ンデンサに起因する画素電位のレベルシフトは低減され
るので、表示画像にフリッカや表示劣化（焼き付け残像
等の表示不具合を含む）が生じることを回避できる。こ
の結果、高精細且つ高品位な表示装置を提供できるとい
う効果を奏する。
【０１４２】請求項９に係る発明の表示方法は、以上の
ように、請求項８の発明において、上記駆動の際に、上
記走査信号線が備える信号遅延伝達特性に基づいて、上
記走査信号が上記走査信号線上の位置に無関係に略同じ
傾斜で立ち下がるように制御する。
ように、請求項８の発明において、上記駆動の際に、上
記走査信号線が備える信号遅延伝達特性に基づいて、上
記走査信号が上記走査信号線上の位置に無関係に略同じ
傾斜で立ち下がるように制御する。
【０１４３】それゆえ、請求項８の発明に係る効果に加
えて、走査信号線上であれば、どこでも、走査信号の立
ち下がりの傾斜を略同じに揃うので、各画素電位のレベ
ルシフトを略均一にできる。レベルシフトの均一性によ
り、特に、画面の大型化及び画面の高精細化に対応可能
となるという効果を併せて奏する。
えて、走査信号線上であれば、どこでも、走査信号の立
ち下がりの傾斜を略同じに揃うので、各画素電位のレベ
ルシフトを略均一にできる。レベルシフトの均一性によ
り、特に、画面の大型化及び画面の高精細化に対応可能
となるという効果を併せて奏する。
【０１４４】請求項１０に係る発明の表示方法は、以上
のように、請求項８の発明において、上記駆動の際に、
上記映像信号と上記走査信号線との交差部に設けられた
複数の薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流特
性に基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御
する。
のように、請求項８の発明において、上記駆動の際に、
上記映像信号と上記走査信号線との交差部に設けられた
複数の薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流特
性に基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御
する。
【０１４５】それゆえ、請求項８の発明に係る効果に加
えて、薄膜トランジスタの上記リニアに変化する領域に
影響を受けるように、上記走査信号の立ち下がりの傾斜
を制御することが可能となる。このように制御すれば、
走査信号の立ち下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジ
スタのオンからオフへの状態変化も上記電圧−電流特性
に基づいてリニアに変化するので、寄生容量コンデンサ
に起因する画素電位のレベルシフト自体を確実に低減す
ることができるという効果を併せて奏する。
えて、薄膜トランジスタの上記リニアに変化する領域に
影響を受けるように、上記走査信号の立ち下がりの傾斜
を制御することが可能となる。このように制御すれば、
走査信号の立ち下がりは傾斜すると共に、薄膜トランジ
スタのオンからオフへの状態変化も上記電圧−電流特性
に基づいてリニアに変化するので、寄生容量コンデンサ
に起因する画素電位のレベルシフト自体を確実に低減す
ることができるという効果を併せて奏する。
【０１４６】請求項１１に係る発明の表示方法は、以上
のように、請求項９の発明において、上記駆動の際に、
更に、上記映像信号と上記走査信号線との交差部に設け
られた上記薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電
流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を
制御する。
のように、請求項９の発明において、上記駆動の際に、
更に、上記映像信号と上記走査信号線との交差部に設け
られた上記薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電
流特性に基づいて、上記走査信号の立ち下がりの傾斜を
制御する。
【０１４７】それゆえ、請求項９の発明に係る効果に加
えて、請求項１０の効果のように、薄膜トランジスタの
上記リニアに変化する領域に影響を受けるように、上記
走査信号の立ち下がりの傾斜を制御することが可能とな
り、このように制御すれば、走査信号の立ち下がりは傾
斜するとともに、薄膜トランジスタのオンからオフへの
状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニアに変化
するので、寄生容量コンデンサに起因する画素電位のレ
ベルシフト自体を確実に低減することができる。
えて、請求項１０の効果のように、薄膜トランジスタの
上記リニアに変化する領域に影響を受けるように、上記
走査信号の立ち下がりの傾斜を制御することが可能とな
り、このように制御すれば、走査信号の立ち下がりは傾
斜するとともに、薄膜トランジスタのオンからオフへの
状態変化も上記電圧−電流特性に基づいてリニアに変化
するので、寄生容量コンデンサに起因する画素電位のレ
ベルシフト自体を確実に低減することができる。
【０１４８】即ち、請求項１１の発明によれば、走査信
号線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの傾
斜を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電位
のレベルシフトが略均一になると共に、薄膜トランジス
タのオンからオフへの状態変化も上記電圧−電流特性に
基づいてリニアに変化するので、寄生容量コンデンサに
起因する画素電位のレベルシフト自体を確実に低減する
ことができる。該レベルシフト自体が小さくなるという
効果を併せて奏する。
号線上であれば、どこでも、走査信号の立ち下がりの傾
斜を略同じに揃えることが可能となるので、各画素電位
のレベルシフトが略均一になると共に、薄膜トランジス
タのオンからオフへの状態変化も上記電圧−電流特性に
基づいてリニアに変化するので、寄生容量コンデンサに
起因する画素電位のレベルシフト自体を確実に低減する
ことができる。該レベルシフト自体が小さくなるという
効果を併せて奏する。
【図１】本発明の実施の形態に係る走査信号線駆動回路
の各部出力波形を示す波形図である。
の各部出力波形を示す波形図である。
【図２】図１の走査信号線入力付近の走査波形、走査信
号線終端付近の走査信号線波形、各々の画素電位を示す
波形図である。
号線終端付近の走査信号線波形、各々の画素電位を示す
波形図である。
【図３】本発明の他の実施の形態に係る走査信号線駆動
回路の構成例を示す説明図である。
回路の構成例を示す説明図である。
【図４】本発明の更に他の実施の形態に係る走査信号線
駆動回路の構成例を示すブロック図である。
駆動回路の構成例を示すブロック図である。
【図５】図４の要部の波形図である。
【図６】図４の構成を対角１３．３インチＸＧＡ（解像
度１０２４＊ＲＧＢ＊７６８）に適用した場合の寄生容
量Ｃｇｄに起因するレベルシフトの特性を従来の構成と
比較した結果を示す説明図である。
度１０２４＊ＲＧＢ＊７６８）に適用した場合の寄生容
量Ｃｇｄに起因するレベルシフトの特性を従来の構成と
比較した結果を示す説明図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る走査信号線駆動
回路の構成例を示す回路図である。
回路の構成例を示す回路図である。
【図８】図７の構成における要部の波形図である。
【図９】従来の液晶表示装置の構成を示す説明図であ
る。
る。
【図１０】従来の走査信号線駆動回路の構成例を示す説
明図である。
明図である。
【図１１】画素容量と補助容量とが対向電極駆動回路の
対向電位に並列に接続されている構成における１表示画
素の等価回路図である。
対向電位に並列に接続されている構成における１表示画
素の等価回路図である。
【図１２】従来の液晶表示装置の駆動波形図である。
【図１３】本発明及び従来技術の双方に使用する説明図
であり、薄膜トランジスタが完全なＯＮ／ＯＦＦスイッ
チではなく、リニアなゲート電圧−ドレイン電流特性を
有することを示す説明図である。
であり、薄膜トランジスタが完全なＯＮ／ＯＦＦスイッ
チではなく、リニアなゲート電圧−ドレイン電流特性を
有することを示す説明図である。
【図１４】１本の走査信号線の信号伝播遅延に着目した
場合の伝播等価回路である。
場合の伝播等価回路である。
【図１５】走査信号線に上記走査信号線駆動回路から入
力された走査信号が走査信号線の信号遅延伝播特性によ
りパネル内部でなまっていく様子を示す説明図である。
力された走査信号が走査信号線の信号遅延伝播特性によ
りパネル内部でなまっていく様子を示す説明図である。
ＧＣＫ クロック信号 ＧＳＰ データ信号 ＶＤ１ 入力端子 ＶＤ２ 入力端子 ３ａ シフトレジスタ部 ３ｂ 選択スイッチ（スイッチ部） ＳＣ スルーレイトコントロール素子（傾斜制御
部） １０５ 走査信号線 ２００ 走査信号線駆動回路（駆動回路） ＳＷ１ スイッチ ＳＷ２ スイッチ ＳＷ３ スイッチ Ｉｃｔ 定電流源 ＯＰ オペアンプ（減算部） ＶＧ 走査信号
部） １０５ 走査信号線 ２００ 走査信号線駆動回路（駆動回路） ＳＷ１ スイッチ ＳＷ２ スイッチ ＳＷ３ スイッチ Ｉｃｔ 定電流源 ＯＰ オペアンプ（減算部） ＶＧ 走査信号
Claims (11)
- 【請求項１】複数の画素電極と、該画素電極にデータ信
号を供給する映像信号線と、該映像信号線に交差して設
けられた複数の走査信号線と、走査信号を出力して上記
走査信号線を駆動する駆動回路とを備え、上記走査信号
線、上記映像信号線、及び上記画素電極がゲート、ソー
ス、及びドレインにそれぞれ接続された薄膜トランジス
タを上記交差部に形成した表示装置において、 上記駆動回路は、上記走査信号の立ち下がりを制御する
ことを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】上記駆動回路は、上記走査信号線が備える
信号遅延伝達特性に基づいて、上記走査信号が上記走査
信号線上の位置に無関係に略同じ傾斜で立ち下がるよう
に制御することを特徴とする請求項１に記載の表示装
置。 - 【請求項３】上記駆動回路は、上記薄膜トランジスタの
ゲート電圧−ドレイン電流特性に基づいて、上記走査信
号の立ち下がりの傾斜を制御することを特徴とする請求
項１に記載の表示装置。 - 【請求項４】上記駆動回路は、更に、上記薄膜トランジ
スタのゲート電圧−ドレイン電流特性に基づいて、上記
走査信号の立ち下がりの傾斜を制御することを特徴とす
る請求項２に記載の表示装置。 - 【請求項５】上記走査信号は、上記薄膜トランジスタを
オン状態にするゲートオン電圧と、オフ状態にするゲー
トオフ電圧とからなり、 上記駆動回路は、カスケード接続され、上記データ信号
が入力される複数のフリップフロップからなるシフトレ
ジスタ部と、上記ゲートオフ電圧の立ち下がりの傾斜を
制御する傾斜制御部と、上記の各フリップフロップから
の出力に応じて上記ゲートオン電圧と上記ゲートオフ電
圧とを切り替えるスイッチ部とからなることを特徴とす
る請求項１、２、３、又は４に記載の表示装置。 - 【請求項６】上記走査信号は、上記薄膜トランジスタを
オン状態にするゲートオン電圧と、オフ状態にするゲー
トオフ電圧とからなり、 上記駆動回路は、１走査期間に同期した放電制御信号を
出力する制御部と、通常は上記ゲートオン電圧を生成す
る一方、上記放電制御信号を受けると上記ゲートオン電
圧を放電する駆動電圧生成部とを備えたことを特徴とす
る請求項１、２、３、又は４に記載の表示装置。 - 【請求項７】上記走査信号は、上記薄膜トランジスタを
オン状態にするゲートオン電圧と、オフ状態にするゲー
トオフ電圧とからなり、 上記駆動回路は、１走査期間に同期した充電制御信号お
よび放電制御信号を出力する制御部と、上記充電制御信
号を受けると充電を行なって傾斜制御電圧を出力する一
方、上記放電制御信号を受けると放電により該傾斜制御
電圧をゼロにする傾斜電圧制御部と、上記充電時に上記
ゲートオン電圧から上記傾斜制御電圧を差し引いたもの
をゲートオン電圧として出力する一方、上記放電時に上
記ゲートオン電圧をそのまま出力する減算部とを備えた
ことを特徴とする請求項１、２、３、又は４に記載の表
示装置。 - 【請求項８】複数の画素電極にデータ信号を映像信号線
を介して供給し、該映像信号線に交差した走査信号線を
介して走査信号を供給して駆動し、表示を行う表示方法
において、 上記駆動の際に、上記走査信号の立ち下がりを制御する
ことを特徴とする表示方法。 - 【請求項９】上記駆動の際に、上記走査信号線が備える
信号遅延伝達特性に基づいて、上記走査信号が上記走査
信号線上の位置に無関係に略同じ傾斜で立ち下がるよう
に制御することを特徴とする請求項８に記載の表示方
法。 - 【請求項１０】上記駆動の際に、上記映像信号と上記走
査信号線との交差部に設けられた複数の薄膜トランジス
タのゲート電圧−ドレイン電流特性に基づいて、上記走
査信号の立ち下がりの傾斜を制御することを特徴とする
請求項８に記載の表示方法。 - 【請求項１１】上記駆動の際に、更に、上記映像信号と
上記走査信号線との交差部に設けられた複数の薄膜トラ
ンジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性に基づいて、
上記走査信号の立ち下がりの傾斜を制御することを特徴
とする請求項９に記載の表示方法。
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