JPH0334385A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
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- JPH0334385A JPH0334385A JP16951589A JP16951589A JPH0334385A JP H0334385 A JPH0334385 A JP H0334385A JP 16951589 A JP16951589 A JP 16951589A JP 16951589 A JP16951589 A JP 16951589A JP H0334385 A JPH0334385 A JP H0334385A
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- JP
- Japan
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- pellet
- electrode
- semiconductor laser
- heat sink
- wire
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ素子の製造方法に関し、特に組
立及び選別方法に関する。
立及び選別方法に関する。
従来、半導体レーザ素子の組立及び選別方法としては、
半導体レーザペレットをヒートシンクに搭載し、さらに
容器に搭載しワイヤーボンディングを行ない、ガラス窓
付きのキャップで気密封止した後に、特性測定及び通電
エージングを行なうのが一般的である。
半導体レーザペレットをヒートシンクに搭載し、さらに
容器に搭載しワイヤーボンディングを行ない、ガラス窓
付きのキャップで気密封止した後に、特性測定及び通電
エージングを行なうのが一般的である。
上述した従来の半導体レーザ素子の組立選別方法は、次
のような欠点があった。半導体レーザ素子の容器は、高
精度であり複雑な構造のため、非常に高価である。また
、半導体レーザは、化合物であるためシリコン等に比べ
歩留りが悪い。このため容器に搭載後選別するとコス、
ドアツブの原因となる。また、汎用性に乏しく、用途に
より容器の構造及び素子の要求特性が異なるためペレッ
トの有効活用ができず、これもコストアップの原因とな
っている。
のような欠点があった。半導体レーザ素子の容器は、高
精度であり複雑な構造のため、非常に高価である。また
、半導体レーザは、化合物であるためシリコン等に比べ
歩留りが悪い。このため容器に搭載後選別するとコス、
ドアツブの原因となる。また、汎用性に乏しく、用途に
より容器の構造及び素子の要求特性が異なるためペレッ
トの有効活用ができず、これもコストアップの原因とな
っている。
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、複数個連なっ
たバー状のヒートシンクに半導体レーザペレットを搭載
する工程と、前記ペレットからペレット搭載電極と電気
的に絶縁された前記ヒートシンク上の電極へワイヤーボ
ンディングを行なう工程と、バー状のヒートシンクの状
態で各々のペレットに通電試験及び特性測定を行なう工
程と、前記試験完了俊速なったヒートシンクを分離する
工程とを有している。
たバー状のヒートシンクに半導体レーザペレットを搭載
する工程と、前記ペレットからペレット搭載電極と電気
的に絶縁された前記ヒートシンク上の電極へワイヤーボ
ンディングを行なう工程と、バー状のヒートシンクの状
態で各々のペレットに通電試験及び特性測定を行なう工
程と、前記試験完了俊速なったヒートシンクを分離する
工程とを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例の模式的斜視図である。高抵抗のシ
リ゛コンを用いたバー状のヒートシンク７の裏面にチタ
ン−白金−金（Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ）の裏面電極１を施こ
し、主面にはチタン−白金−金のメタライズを施こし、
ペレット搭載電極２とワイヤーボンディング電極３を電
気的に分離して形成する。これにソルダーを用いて局部
的に加熱してペレット４をペレット搭載電極２に搭載し
、ペレット４からワイヤーボンディング電臣３ヘワイヤ
ーボンディング５を行なう。またバー状のヒートシンク
を分離するとき分離し易いように溝６が形成しである。
は本発明の一実施例の模式的斜視図である。高抵抗のシ
リ゛コンを用いたバー状のヒートシンク７の裏面にチタ
ン−白金−金（Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ）の裏面電極１を施こ
し、主面にはチタン−白金−金のメタライズを施こし、
ペレット搭載電極２とワイヤーボンディング電極３を電
気的に分離して形成する。これにソルダーを用いて局部
的に加熱してペレット４をペレット搭載電極２に搭載し
、ペレット４からワイヤーボンディング電臣３ヘワイヤ
ーボンディング５を行なう。またバー状のヒートシンク
を分離するとき分離し易いように溝６が形成しである。
ヒートシンク個々の大きさは、１ 、０ ｍｍ Ｘ ０
、５ ｍｍ Ｘ Ｏ、３開程度であり、非常に小さい
ため個別でペレットの搭載、ワイヤーボンディングを行
ないプローブ等を電極に当て通電及び特性測定を行なう
ことは取り扱いにくく量産性に乏しいため、ヒートシン
クを複数個連ねて取り扱いを容易にし量産性の向上を図
っている。この後、ペレット搭載電極２とワイヤーボン
ディング電極３とにプローブを当てて通電し半導体レー
ザペレット４のＩ−Ｌ、Ｉ−Ｖ、波長等の特性測定及び
通電試験を行なう。そして、バー状のヒートンシンクを
テープにはりつけ、個々のヒートシンクに分離して特性
測定及び通電試験で不良となったペレット搭載のヒート
シンクの除去を行なう、この後、所要の特性のペレット
搭載のヒートシンクを所要の形状の容器に搭載する。
、５ ｍｍ Ｘ Ｏ、３開程度であり、非常に小さい
ため個別でペレットの搭載、ワイヤーボンディングを行
ないプローブ等を電極に当て通電及び特性測定を行なう
ことは取り扱いにくく量産性に乏しいため、ヒートシン
クを複数個連ねて取り扱いを容易にし量産性の向上を図
っている。この後、ペレット搭載電極２とワイヤーボン
ディング電極３とにプローブを当てて通電し半導体レー
ザペレット４のＩ−Ｌ、Ｉ−Ｖ、波長等の特性測定及び
通電試験を行なう。そして、バー状のヒートンシンクを
テープにはりつけ、個々のヒートシンクに分離して特性
測定及び通電試験で不良となったペレット搭載のヒート
シンクの除去を行なう、この後、所要の特性のペレット
搭載のヒートシンクを所要の形状の容器に搭載する。
以上説明したように本発明は、取り扱いを容易にするた
めヒートシンクを複数個連なった状態で半導体レーザペ
レットを搭載し、ヒートシンクの状態で通電及び特性選
別を行なうことにより、容器の歩増しを低減でき、ペレ
ットの有効活用ができる等半導体レーザ素子の原価を低
減できる効果がある。
めヒートシンクを複数個連なった状態で半導体レーザペ
レットを搭載し、ヒートシンクの状態で通電及び特性選
別を行なうことにより、容器の歩増しを低減でき、ペレ
ットの有効活用ができる等半導体レーザ素子の原価を低
減できる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための斜視図で
ある。 １・・・裏面電極、２・・・ペレット搭載電極、３・・
・ワイヤーボンディング電極、４・・・半導体レーザペ
レット、５・・・ボンディングワイヤー ６・・・溝、
７・・・ヒートシンク。
ある。 １・・・裏面電極、２・・・ペレット搭載電極、３・・
・ワイヤーボンディング電極、４・・・半導体レーザペ
レット、５・・・ボンディングワイヤー ６・・・溝、
７・・・ヒートシンク。
Claims (1)
- 複数個連なったバー状のヒートシンクに半導体レーザペ
レットを搭載する工程と、前記ペレットからペレット搭
載電極と電気的に絶縁された前記ヒートシンク上の電極
へワイヤーボンディングを行なう工程と、バー状のヒー
トシンクの状態で各々のペレットに通電試験及び特性測
定を行なう工程と、前記試験完了後連なったヒートシン
クを分離する工程とを含むことを特徴とする半導体レー
ザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16951589A JPH0334385A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16951589A JPH0334385A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334385A true JPH0334385A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15887939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16951589A Pending JPH0334385A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0397952U (ja) * | 1990-01-25 | 1991-10-09 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352494A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 光電子装置の製造方法およびモジユ−ル |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16951589A patent/JPH0334385A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352494A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 光電子装置の製造方法およびモジユ−ル |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0397952U (ja) * | 1990-01-25 | 1991-10-09 |
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