JPH03286547A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03286547A JPH03286547A JP2088615A JP8861590A JPH03286547A JP H03286547 A JPH03286547 A JP H03286547A JP 2088615 A JP2088615 A JP 2088615A JP 8861590 A JP8861590 A JP 8861590A JP H03286547 A JPH03286547 A JP H03286547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bar
- chip
- semiconductor laser
- shaped
- aging test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004401 flow injection analysis Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dicing (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はコンパクトディスク、ビデオディスク光デイス
クメモリ、レーザビームプリンタ、光通信等に用いられ
半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
クメモリ、レーザビームプリンタ、光通信等に用いられ
半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
第４図は従来の半導体レーザ装置の製造方法を示すフロ
ーチャートであり、まづ、へき開によりレーザ共振器を
形成されたバー状のチップ（ステップ１）をステップ２
で粗選別により予め不良の素子をマーキングし、その後
側々のチップに分離しパフケージに組立てを行う （ス
テップ３．ステップ４） 次に組立られた素子を、電
気的・光学的特性を選別しくステップ５）、さらに、エ
ージング試験により良品を選別する（ステップ６）第３
図ｆａｔ〜（Ｃ１は上記従来の半導体レーザ装置の製造
工程の斜視図であり、第３図（ａ）において、＋１１は
バー状の半導体レーザチップ、（６）は予め粗選別によ
り不良と判定された、不良チップのマーキングである。
ーチャートであり、まづ、へき開によりレーザ共振器を
形成されたバー状のチップ（ステップ１）をステップ２
で粗選別により予め不良の素子をマーキングし、その後
側々のチップに分離しパフケージに組立てを行う （ス
テップ３．ステップ４） 次に組立られた素子を、電
気的・光学的特性を選別しくステップ５）、さらに、エ
ージング試験により良品を選別する（ステップ６）第３
図ｆａｔ〜（Ｃ１は上記従来の半導体レーザ装置の製造
工程の斜視図であり、第３図（ａ）において、＋１１は
バー状の半導体レーザチップ、（６）は予め粗選別によ
り不良と判定された、不良チップのマーキングである。
（ｂ１図はマウント材（２）上にグイポンドされた、レ
ーザチップを示す図であり、＋０１図はヒートシング（
７）上に組立てられた図を示す０図中、（８）はｉｉ流
注入の為のワイヤを示す。
ーザチップを示す図であり、＋０１図はヒートシング（
７）上に組立てられた図を示す０図中、（８）はｉｉ流
注入の為のワイヤを示す。
従来の半導体レーザ装置の製造方法は以上の様に構成さ
れていたので、レーザチップをヒートシング材及びパッ
ケージ状に組立てられた後に、電気的・光学的特性、エ
ージング試験を実施していたので、検査にて不良となる
チップを搭載したマウント材、ヒートシング材（パンケ
ージ）が無駄になるという問題があるばかりではなく、
更に、エージング試験に於いては所望の高温環境下での
試験が必要であり、試験装置が大間りで高価である等の
問題点がある。
れていたので、レーザチップをヒートシング材及びパッ
ケージ状に組立てられた後に、電気的・光学的特性、エ
ージング試験を実施していたので、検査にて不良となる
チップを搭載したマウント材、ヒートシング材（パンケ
ージ）が無駄になるという問題があるばかりではなく、
更に、エージング試験に於いては所望の高温環境下での
試験が必要であり、試験装置が大間りで高価である等の
問題点がある。
本発明は上記のような問題点を鑑みてなされたもので、
パンケージ組立移行の簡略化及び不良率の低減がなされ
るとともに、エージング装置の小型・軽量化が実現出来
、更に、扱うチップのサイズが大きくなる為チップのグ
イボンボ工程の簡易化が実現出来る半導体レーザ装置の
製造方法を得ることを目的とする。
パンケージ組立移行の簡略化及び不良率の低減がなされ
るとともに、エージング装置の小型・軽量化が実現出来
、更に、扱うチップのサイズが大きくなる為チップのグ
イボンボ工程の簡易化が実現出来る半導体レーザ装置の
製造方法を得ることを目的とする。
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、バー状態
のチップとマウント材にダイボンドし、このバー状態で
電気的・光学的特性の検査及び、エージング試験を実施
し、その後パッケージに組立を行う工程としたものであ
る。
のチップとマウント材にダイボンドし、このバー状態で
電気的・光学的特性の検査及び、エージング試験を実施
し、その後パッケージに組立を行う工程としたものであ
る。
本発明における半導体レーザ装置の製造方法は、バー状
のレーザチップを同しくバー状のマウント材上にダイボ
ンドし、このバー状態での検査、エージングを行う工程
としている。
のレーザチップを同しくバー状のマウント材上にダイボ
ンドし、このバー状態での検査、エージングを行う工程
としている。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第２図は本発明に於ける半導体レーザ装置の製造工程を
示すフローチャートであり、へき開によりレーザ共振器
を形成されたバー状のチップ（ステップ１）を、同じく
バー状のマウント材上にボンディングしくステップ２）
このバー状態での特性の検査並びにエージング試験を
実施する（ステップ３・ステップ４）。その後各試験で
良品と判定されたもののみを、パッケージ状態に組込む
（ステップ５）の工程としている。最後にステップ６の
ワイヤボンドを実施する。第１図は本発明の一実施例で
ある半導体レーザ装置の主な製造工程を示す斜視図であ
り、＋８１図はバー状のマウント材（２）上に接着され
たバー状のレーザチップ１１＋を示し、（ｂ）図は電流
注入様ブーブ（３１＋４１で電流を流し、電気的・光学
的特性を検査した後エージング試験を実施する工程を示
す酢であり、図中、（５）はチップより照射されるレー
ザ光を示す、（Ｃ）図は（ｂ１図のエージング試験を経
た後、個々のチ・７ブに分離する工程を示す図であり、
図中、（６）は前の工程にて不良と判定されたチップに
つけられた不良マーキングを示す。
示すフローチャートであり、へき開によりレーザ共振器
を形成されたバー状のチップ（ステップ１）を、同じく
バー状のマウント材上にボンディングしくステップ２）
このバー状態での特性の検査並びにエージング試験を
実施する（ステップ３・ステップ４）。その後各試験で
良品と判定されたもののみを、パッケージ状態に組込む
（ステップ５）の工程としている。最後にステップ６の
ワイヤボンドを実施する。第１図は本発明の一実施例で
ある半導体レーザ装置の主な製造工程を示す斜視図であ
り、＋８１図はバー状のマウント材（２）上に接着され
たバー状のレーザチップ１１＋を示し、（ｂ）図は電流
注入様ブーブ（３１＋４１で電流を流し、電気的・光学
的特性を検査した後エージング試験を実施する工程を示
す酢であり、図中、（５）はチップより照射されるレー
ザ光を示す、（Ｃ）図は（ｂ１図のエージング試験を経
た後、個々のチ・７ブに分離する工程を示す図であり、
図中、（６）は前の工程にて不良と判定されたチップに
つけられた不良マーキングを示す。
以上の様に本発明によれば、バー状のチップをバー状の
マウント材上に接着し、且つこのバー状態のふたで優で
、検査、エージング試験を実施する半導体レーザ装置の
製造方法としたので、パッケージへ組立た後の工程の不
良率低減効果があり、又エージング試験に用いる設備が
小型・軽量化出来るという効果がある。更に、チップダ
イボンド時に取扱うチップが従来に比べ大きなサイズと
なる際、接着に従う作業・設備の簡易化が図れるという
効果もある。
マウント材上に接着し、且つこのバー状態のふたで優で
、検査、エージング試験を実施する半導体レーザ装置の
製造方法としたので、パッケージへ組立た後の工程の不
良率低減効果があり、又エージング試験に用いる設備が
小型・軽量化出来るという効果がある。更に、チップダ
イボンド時に取扱うチップが従来に比べ大きなサイズと
なる際、接着に従う作業・設備の簡易化が図れるという
効果もある。
第１図（ａｌ〜（ｅｌは本発明の一実施例による半導体
レーザ装置の主な製造工程を示す斜視図、第２図は本発
明の一実施例である半導体レーザ装置の製造工程を示す
フローチャート、第３図ｆａｌ〜ｆｅ）は従来の半導体
レーザ装置の製造方法の主な製造工程を示す斜視図、第
４図はそれぞれ、従来の半導体レーザ装置の製造方法の
フローチャートである。 図中ｆｉ＋はバー状のチップ、（２）はバー状のマウン
ト材、［３１＋４１はｔ流源入用のプローブ、（５）は
放射されるレーザ光、（６）は不良品を示す不良マーキ
ングである。 尚、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
レーザ装置の主な製造工程を示す斜視図、第２図は本発
明の一実施例である半導体レーザ装置の製造工程を示す
フローチャート、第３図ｆａｌ〜ｆｅ）は従来の半導体
レーザ装置の製造方法の主な製造工程を示す斜視図、第
４図はそれぞれ、従来の半導体レーザ装置の製造方法の
フローチャートである。 図中ｆｉ＋はバー状のチップ、（２）はバー状のマウン
ト材、［３１＋４１はｔ流源入用のプローブ、（５）は
放射されるレーザ光、（６）は不良品を示す不良マーキ
ングである。 尚、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体レーザチップをバー状にへき開した後、そのバ
ー状の半導体レーザチップを同様のバー状に形成された
マウント材に接着する工程と、前記マウント上に接着さ
れた半導体レーザチップを前記バー状のままで電気的及
び光学的特性を検査する検査工程と、この検査工程前或
いは後に実施されるエージング試験工程と、前記バー状
のチップが接着されたマウント材を前記半導体レーザチ
ップと同時に切断・分離する工程を備えたことを特徴と
する半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088615A JPH03286547A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088615A JPH03286547A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286547A true JPH03286547A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13947715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2088615A Pending JPH03286547A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286547A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0589524A2 (en) * | 1992-09-25 | 1994-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor element suitable for use in such a method |
| JPH06194405A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Nec Corp | 半導体レーザエージング装置 |
| JP2012119049A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Tdk Corp | バーンイン試験方法及びバーンイン試験装置 |
| WO2014095903A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung von halbleiter-laserelementen und halbleiter-laserelement |
| US20150207293A1 (en) * | 2012-08-13 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing a semiconductor laser element, and semiconductor laser element |
| DE102017123755A1 (de) * | 2017-10-12 | 2019-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens und Laserdiodenbarren |
| EP2091116B1 (de) * | 2008-02-14 | 2020-04-08 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP2088615A patent/JPH03286547A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0589524A2 (en) * | 1992-09-25 | 1994-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor element suitable for use in such a method |
| EP0589524A3 (en) * | 1992-09-25 | 1994-04-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor element suitable for use in such a method |
| JPH06194405A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Nec Corp | 半導体レーザエージング装置 |
| EP2091116B1 (de) * | 2008-02-14 | 2020-04-08 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser |
| JP2012119049A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Tdk Corp | バーンイン試験方法及びバーンイン試験装置 |
| US9450376B2 (en) * | 2012-08-13 | 2016-09-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing a semiconductor laser element, and semiconductor laser element |
| JP2015529020A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-10-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザ素子を製造する方法および半導体レーザ素子 |
| US20150207293A1 (en) * | 2012-08-13 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing a semiconductor laser element, and semiconductor laser element |
| CN104871378A (zh) * | 2012-12-18 | 2015-08-26 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于制造半导体激光器元件的方法和半导体激光器元件 |
| JP2016500486A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-01-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 |
| US9608401B2 (en) | 2012-12-18 | 2017-03-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing semiconductor laser elements and semi-conductor laser element |
| WO2014095903A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung von halbleiter-laserelementen und halbleiter-laserelement |
| DE102017123755A1 (de) * | 2017-10-12 | 2019-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens und Laserdiodenbarren |
| US10505337B2 (en) | 2017-10-12 | 2019-12-10 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Method for producing a laser diode bar and laser diode bar |
| DE102017123755B4 (de) * | 2017-10-12 | 2020-12-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens und Laserdiodenbarren |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH023262A (ja) | リードフレーム組立体とその加工方法 | |
| JPH03286547A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| US6043443A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| JP2003031595A (ja) | 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ | |
| JP2002289759A (ja) | リードフレーム及び光通信モジュール並びにその製造方法 | |
| JPS6352494A (ja) | 光電子装置の製造方法およびモジユ−ル | |
| JP2844362B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JPH0145979B2 (ja) | ||
| JPS6058690A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0758178A (ja) | 半導体受発光素子の選別方法およびその装置 | |
| JPS593943A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06194405A (ja) | 半導体レーザエージング装置 | |
| JPH02216475A (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| US3802065A (en) | Method and structure for mounting semiconductor chips | |
| JPH0974076A (ja) | 発光半導体ウエハの個別分離方法 | |
| JPS63153880A (ja) | 半導体レ−ザ装置の検査方法 | |
| JPH05136529A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JP2002222841A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
| JPS62115748A (ja) | 金バンプ形成法 | |
| JPH02119245A (ja) | 半導体素子容器 | |
| JPH0334385A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0846247A (ja) | 熱電素子 | |
| JPH11204886A (ja) | 光半導体製造方法およびエージング装置 | |
| JPS6352435A (ja) | 光電子装置の製造方法およびその方法に用いるフレ−ムならびにモジユ−ル | |
| JPS58124972A (ja) | 半導体装置の信頼性試験方法 |