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JPH06181277A - 樹脂封止型半導体装置及びその抵抗線を備えたリードフレームの製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその抵抗線を備えたリードフレームの製造方法

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Publication number
JPH06181277A
JPH06181277A JP33162192A JP33162192A JPH06181277A JP H06181277 A JPH06181277 A JP H06181277A JP 33162192 A JP33162192 A JP 33162192A JP 33162192 A JP33162192 A JP 33162192A JP H06181277 A JPH06181277 A JP H06181277A
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JP
Japan
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resistance wire
protrusions
resin
lead frame
semiconductor device
Prior art date
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Application number
JP33162192A
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Inventor
Hajime Kato
肇 加藤
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Priority to US08/021,063 priority patent/US5563441A/en
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 温度サイクル性が良く抵抗値の精度が良い安
価な樹脂封止型半導体装置及びその抵抗線を備えたリー
ドフレームの製造方法を得ることを目的とする。 【構成】 リードフレーム１及びアイランド１ｂ上に
は、半導体素子２ａ、２ｂがそれぞれハンダ層４ａ、４
ｂにより搭載されている。アイランド１ｂ及びインナー
リード１ｃには、突起部１ａが形成されており、この突
起部１ａに抵抗線３が溶接によって固着されている。 【効果】 抵抗線の溶接位置精度を向上させることがで
き、抵抗値の精度が良く装置の信頼性の向上が図れる。
また、リードフレーム製造過程において抵抗線を接続で
きるので、ライン化し易くなり、コストの低減が図れ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置及びその抵抗線を備えたリードフレームの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の樹脂封止型半導体装置を
示す平面図であり、図において、リードフレーム１上に
は、半導体素子２ａがハンダ層４ａにより固着されてい
る。また、アイランド１ｂには、半導体素子２ｂがハン
ダ層４ｂにより固着されている。アイランド１ｂ及びイ
ンナーリード１ｃには、図８に示すように、ハンダ層４
ｃにより抵抗線３が固着されている。半導体素子２ａ、
２ｂのアルミニウム電極（図示しない）とインナーリー
ド１ｃ、１ｄとは、金属細線５によりそれぞれ電気的に
接続されている。また、リードフレーム１や半導体素子
２ａ、２ｂ等は、封止樹脂６によって覆われている。な
お、図７及び図８では、この封止樹脂６の図示は省略し
てある。
【０００３】従来の樹脂封止型半導体装置は上述したよ
うに構成され、抵抗線３の両端に発生する電圧の変化を
半導体素子２ｂで検出し、抵抗線３に流す電流を制御し
ている。抵抗線３に流れる電流によって、半導体素子２
ａに流れる電流を検出することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような樹脂封
止型半導体装置では、抵抗線３が電流によって発熱し、
例えば長期の動作試験や温度サイクル試験を実施する
と、熱によって抵抗線３の両端のハンダ層４ｃが劣化
し、抵抗線３の抵抗値が変化し、又はハンダ層４ｃの量
やハンダの這い上がり状態によっても抵抗線３の抵抗値
が変わるという問題点があった。
【０００５】また、従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、半導体素子２ａ、２ｂをリードフレーム１上に
還元雰囲気中でハンダ付けする際に、所定の長さに切断
した抵抗線３を同時にハンダ付けした後、半導体素子２
ａ、２ｂ上のアルミニウム電極と、インナーリード１
ｃ、１ｄ間を電気的に接続する金属細線５をワイヤーボ
ンディングし、半導体素子２ａ、２ｂをハンダ付けによ
りそれぞれリードフレーム１、アイランド１ｂに固着し
た後、リードフレーム１の裏面を外部に露出するよう金
型にセットし、この状態で樹脂封止していた。しかし、
従来の製造方法では、ハンダ付けにより抵抗線３をアイ
ランド１ｂに接着していたため、抵抗値の精度が悪く、
しかも上述のように抵抗線３の抵抗値が変動するという
問題点があった。また、抵抗線３を所定の長さに切断
し、これをハンダ付けによりアイランド１ｂに固着して
いたので、製造工程が多くなるという問題点もあった。
【０００６】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、温度サイクル性が良く抵抗値の
精度が良い安価な樹脂封止型半導体装置及びそのリード
フレームの製造方法を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る樹脂封止型半導体装置は、インナーリードに形成
された突起部に溶接によって抵抗線を固着するものであ
る。この発明の請求項第２項に係る樹脂封止型半導体装
置は、突起部の高さを突起部が形成された一対のインナ
ーリードに介在するインナーリードに抵抗線が接触しな
い高さとするものである。この発明の請求項第３項に係
る樹脂封止型半導体装置は、抵抗線が溶接されるインナ
ーリードの間に介在するインナーリードに、抵抗線が近
接するのを防止する段差部を設けたものである。この発
明の請求項第４項に係る樹脂封止型半導体装置のインナ
ーリードの製造方法は、インナーリードの突起部に抵抗
線を溶接した後、この抵抗線と板材とを同時に打ち抜く
ものである。
【０００８】
【作用】この発明の請求項第１項においては、電流検出
用抵抗線のリードフレームへの接続を、ハンダ付けから
溶接に変更し、溶接位置に突起部を形成しているので、
溶接位置が決まり易くなり抵抗線の抵抗値精度が向上す
る。この発明の請求項第２項においては、突起部が形成
された一対のインナーリードに介在するインナーリード
に抵抗線が接触するのを防止する。この発明の請求項第
３項においては、インナーリード間に介在するインナー
リードに段差部を設けたので、このインナーリードと抵
抗値との短絡を防止できると共に、この間に封止樹脂が
流入し易くなる。この発明の請求項第４項においては、
リードフレームを加工する段階で連続的に抵抗線を接続
できるため、生産性が向上し、安価な樹脂封止型半導体
装置が提供できる。
【０００９】
【実施例】
実施例１．図１はこの発明の実施例１による樹脂封止型
半導体装置を示す斜視図であり、図２は図１に示した装
置のリードフレーム及び抵抗線の断面図である。なお、
各図中、同一符号は同一又は相当部分を示している。図
１及び図２において、抵抗線３が固着されるアイランド
１ｂ及びインナーリード１ｃには、溶接位置決め用の打
ち上げ部である突起部１ａが形成されている。この突起
の高さＡ（図２）は、リードフレーム１の厚さとして
０．５ｍｍ前後のものを使用した場合、０．２ｍｍ〜
１．０ｍｍ、好適には０．５ｍｍ程度であるが、溶接条
件等によって適宜変更することができる。また、突起部
１ａの間にインナーリード１ｅが介在している場合に
は、抵抗線３とインナーリード１ｅとの間隔が例えば
１．５ｍｍ程度と小さい場合、樹脂封止の際に樹脂封止
６がこの間隔に回り込めずにボイドを生じたり、抵抗線
３と短絡を起こしたりする場合がある。これを回避する
ために、インナーリード１ｅに段差部１ｆを形成しても
良い。
【００１０】上述したように構成された樹脂封止型半導
体装置においては、アイランド１ｂ及びインナーリード
１ｃ上に突起部１ａを設けたことによって、抵抗線３と
の溶接位置が正確に定まるために抵抗値の精度が向上す
る。また、抵抗線３の下を横切らなければならないイン
ナーリード１ｅに段差部１ｆを設けることによって、抵
抗線３の長さに裕度ができる。また、所望により抵抗線
３を弛ませて長さを調節することも可能であり、抵抗値
を従来装置に比べ大きくでき、検出感度を向上させるこ
とができる。さらに、ハンダ付を用いずに溶接により抵
抗線を固着するので、温度サイクル試験等に対しても格
段に信頼性を向上させることができる。なお、抵抗線３
としては、銅系合金例えばＣｕＮｉ合金（Ｃｕ５０±１
０重量％、Ｎｉ５０±１０重量％）やＦｅＮｉ合金、又
はアルミニウム等種々の材料から作製されたものが使用
できる。また、ワイヤ状や板材等種々の形状のものが使
用できる。また、抵抗線３は、隣接するインナーリード
に溶接することも可能であり、さらに、複数個の抵抗線
を設けることも可能である。
【００１１】実施例２．実施例１では、半導体素子２ａ
を搭載した面のリードフレーム１に抵抗線３を取り付け
たが、図３に示すように、その反対の面に抵抗線３を取
り付けてもよい。この場合、抵抗線３をアイランド１ｂ
及びインナーリード１ｃに溶接するときに生じる溶接塵
が、半導体素子２ａ、２ｂ搭載面や金属細線５のボンデ
ィングエリアに飛び散る場合があったが、実施例２では
半導体素子２ａ、２ｂを搭載する面の反対側に抵抗線３
を溶接するので、このような問題を回避することができ
る。
【００１２】実施例３．次に、実施例１及び２に示した
樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレームの製造
方法について述べる。まず、図４に示すように、Ｎｉメ
ッキを表面に施した板材である異厚条材７を用意し、抵
抗線３の下を通るリードフレーム１ｅとなる両側の打ち
抜き部分８を打ち抜くと共に、段差部１ｆを形成し、同
時に、突起部１ａを設ける。次に、図５に示すように、
突起部１ａ及び段差部１ｆ上を通る位置に抵抗線３を張
り、この抵抗線３を突起部１ａ上に順次溶接していく。
溶接は、電気溶接等従来の溶接方法が適宜適用できる。
さらに、図６に示すように、インナーリード１ｃ、１ｄ
等を備えたリードフレーム１の形状となるように、異厚
条材７と抵抗線３とを同時に打ち抜く。以上のような工
程によりリードフレーム１を製作するので、突起部１ａ
間の距離を一定にできるため抵抗線３の抵抗値を精度良
く調節でき、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得る
ことができる。また、異厚条材７と抵抗線３とを一緒に
打ち抜くため、製造工程を簡略化することができ、生産
工程のライン化も容易となり、生産性を向上させること
ができ、安価な樹脂封止型半導体装置が得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したとおり、請求項第１項に係
る発明は、複数のインナーリードを有するリードフレー
ムと、このリードフレーム上に搭載された半導体素子
と、上記インナーリードのうちの一対のインナーリード
にそれぞれ形成された溶接位置決め用の突起部と、この
一対の突起部に溶接され上記突起部間の距離によってそ
の実効長が定められた抵抗線と、上記半導体素子及び上
記インナーリードを電気的に接続する金属細線と、上記
リードフレーム、半導体素子、突起部、抵抗線及び金属
細線を封止する封止樹脂とを備えたので、抵抗線の溶接
位置精度を向上させることができ、抵抗値の精度が良く
信頼性の向上が図れるという効果を奏する。
【００１４】請求項第２項に係る発明は、突起部の高さ
を突起部が形成された一対のインナーリードに介在する
インナーリードに抵抗線が接触しない高さとしたので、
一対のインナーリードに介在するインナーリードに抵抗
線が接触するのを防止できるという効果を奏する。
【００１５】請求項第３項に係る発明は、抵抗線が溶接
される一対のインナーリードの間に介在するインナーリ
ードに、抵抗線が近接するのを防止する段差部が設けら
れているので、抵抗値とインナーリードとの短絡を防止
できると共に、封止樹脂の回り込みを促進することがで
きるという効果を奏する。
【００１６】請求項第４項に係る発明は、インナーリー
ドとなる部分及び抵抗線を溶接するための突起部を板材
に形成する工程と、この突起部に抵抗線を載置する工程
と、上記突起部に載置した抵抗線を突起部と溶接する工
程と、所定のリードフレーム形状となるように、上記板
材を上記抵抗線と共に打ち抜く工程とを含むので、リー
ドフレーム製造過程で抵抗線を接続できるので、ライン
化しやすくなり、コストの低減が図れるという効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１による樹脂封止型半導体装
置を示す斜視図である。
【図２】図１に示した樹脂封止型半導体装置の抵抗線を
横切る断面図である。
【図３】この発明の実施例２による樹脂封止型半導体装
置の抵抗線を横切る断面図である。
【図４】この発明の実施例３により板材にインナーリー
ド及び突起部を形成する状態を示す平面図である。
【図５】この発明の実施例３により突起部に抵抗線を載
置した状態を示す平面図である。
【図６】この発明の実施例３により板材を抵抗線と共に
リードフレームの形状に打ち抜く状態を示す平面図であ
る。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置を示す平面図であ
る。
【図８】図７に示した樹脂封止型半導体装置の抵抗線を
横切る断面図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム １ａ 突起部 １ｂ アイランド １ｃ インナーリード １ｄ インナーリード １ｅ インナーリード １ｆ 段差部 ２ａ 半導体素子 ２ｂ 半導体素子 ３ 抵抗線 ４ａ ハンダ層 ４ｂ ハンダ層 ５ 金属細線 ６ 封止樹脂 ７ 異厚条材 ８ 打ち抜き部分

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のインナーリードを有するリードフ
    レームと、 このリードフレーム上に搭載された半導体素子と、 上記インナーリードのうちの一対のインナーリードにそ
    れぞれ形成された溶接位置決め用の突起部と、 この一対の突起部に溶接され上記突起部間の距離によっ
    てその実効長が定められた抵抗線と、 上記半導体素子及び上記インナーリードを電気的に接続
    する金属細線と、 上記リードフレーム、半導体素子、突起部、抵抗線及び
    金属細線を封止する封止樹脂とを備えたことを特徴とす
    る樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 突起部の高さは、突起部が形成された一
    対のインナーリードに介在するインナーリードに抵抗線
    が接触しない高さであることを特徴とする請求項第１項
    記載の樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 突起部が形成された一対のインナーリー
    ドの間に介在するインナーリードに、抵抗線が近接する
    のを防止する段差部が設けられていることを特徴とする
    請求項第１項記載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 複数のインナーリードとなる部分の少な
    くとも２つの側縁を形成し、そのうちの一対のインナー
    リードとなる部分に抵抗線を溶接するそれぞれ一対の突
    起部を板材に形成する工程と、 上記一対の突起部に抵抗線を載置する工程と、 上記突起部に載置した抵抗線を突起部に溶接する工程
    と、 所定のリードフレーム形状となるように、上記板材を上
    記抵抗線と共に打ち抜く工程とを含むことを特徴とする
    樹脂封止型半導体装置の抵抗線を備えたリードフレーム
    の製造方法。
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