JPH0217689A - レーザダイオードのサブキャリア - Google Patents
レーザダイオードのサブキャリアInfo
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- JPH0217689A JPH0217689A JP16835388A JP16835388A JPH0217689A JP H0217689 A JPH0217689 A JP H0217689A JP 16835388 A JP16835388 A JP 16835388A JP 16835388 A JP16835388 A JP 16835388A JP H0217689 A JPH0217689 A JP H0217689A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザダイオードのサブキャリアに関し、特に
レーザダイオード素子をサブキャリアにマウントした状
態で能率よく特性選別、エージング選別のできるレーザ
ダイオードのサブキャリアの製法、構造に関する。
レーザダイオード素子をサブキャリアにマウントした状
態で能率よく特性選別、エージング選別のできるレーザ
ダイオードのサブキャリアの製法、構造に関する。
従来、この種のレーザダイオードのサブキャリアは、第
４図に示すように、高熱伝導性の絶縁基板（例えばダイ
ヤモンド、Ｃ−ＢＮ、ＳｉＣ等）にＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ等
のメタライズ膜とＡ ｕ ／ Ｓ ｎ合金等のソルダ膜
が構成され、ソルダ膜を溶融させレーザダイオード素子
がマウントされていた。
４図に示すように、高熱伝導性の絶縁基板（例えばダイ
ヤモンド、Ｃ−ＢＮ、ＳｉＣ等）にＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ等
のメタライズ膜とＡ ｕ ／ Ｓ ｎ合金等のソルダ膜
が構成され、ソルダ膜を溶融させレーザダイオード素子
がマウントされていた。
上述した従来のレーザダイオードのサブキャリアは、レ
ーザダイオード素子がマウントされた後、チップキャリ
アまたはパッケージに搭載され、その後特性の良否選別
、高温通電状態でのエージング及びエージング後の特性
選別が行なわれる。したがって、サブキャリアにレーザ
ダイオード素子がマウントされた状態では素子の良否判
定はなされておらず、もしレーザダイオード素子が特性
不良であっても、パッケージへの搭載等の以降の工程を
経ることになり経済的にはなはだ不合理である。
ーザダイオード素子がマウントされた後、チップキャリ
アまたはパッケージに搭載され、その後特性の良否選別
、高温通電状態でのエージング及びエージング後の特性
選別が行なわれる。したがって、サブキャリアにレーザ
ダイオード素子がマウントされた状態では素子の良否判
定はなされておらず、もしレーザダイオード素子が特性
不良であっても、パッケージへの搭載等の以降の工程を
経ることになり経済的にはなはだ不合理である。
サブキャリアに素子がマウントされた状態でエージング
、特性選別を行うことは、レーザダイオード素子が機械
的に脆弱でプローブ等を押し当てることによりクラック
したり、特性劣化を起こしたりするために困難である。
、特性選別を行うことは、レーザダイオード素子が機械
的に脆弱でプローブ等を押し当てることによりクラック
したり、特性劣化を起こしたりするために困難である。
本発明のレーザダイオードのサブキャリアは、個々のサ
ブキャリアをレーザビームの出射方向と垂直な方向に複
数個連結するとともに、連結部にハーフカット溝を設け
である。サブキャリアの基体はレーザダイオード素子の
動作時の熱を放散する為、高熱伝導性のＣ−ＢＮを用い
、またレーザダイオード素子のマウンＩ・、ワイヤボン
デングを可能ならしめるため、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ膜およ
びＡ ｕ ／ Ｓ ｎ合金膜を有している。
ブキャリアをレーザビームの出射方向と垂直な方向に複
数個連結するとともに、連結部にハーフカット溝を設け
である。サブキャリアの基体はレーザダイオード素子の
動作時の熱を放散する為、高熱伝導性のＣ−ＢＮを用い
、またレーザダイオード素子のマウンＩ・、ワイヤボン
デングを可能ならしめるため、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ膜およ
びＡ ｕ ／ Ｓ ｎ合金膜を有している。
〔実施例１〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図である。サブキャリ
アの基体となる高熱伝導絶縁基板（例えばＣ−ＢＮ、Ｓ
ｉＣ，ＡＡＮ）１の表面、及び裏面には基板側から順
次Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕのメタライズ膜２が形成される。個
々のサブキャリアの表面中央部はＴ ｉ −Ｐ ｔ−Ａ
ｕメタライズ膜の上にＡ ｕ ／ Ｓ ｎ合金膜３が形
成される。Ａ ｕ ／ Ｓ ｎ合金膜３はレーザダイオ
ード素子６のマウントソルダの役割を持つ。絶縁溝５及
びリーフカット溝４はダイヤモンドブレードあるいはＹ
ＡＧレーザ照射によって形成される。レーザダイオード
素子６はＡ ｕ ／ Ｓ ｎソルダ膜３によってサブキ
ャリアと接合し、Ａｕ線により一方の電極がサブキャリ
アのメタライズ膜（ａ）２に引き出される。この状態で
メタライズ膜（ａ）とメタライズ膜（ｂ）に各々プロー
ブが接触し、レーザダイオード素子に通電し、特性選別
、エージングが行なわれる。最終的に良品と判定された
ものはハーフカット溝４でブレーキングして個体サブキ
ャリアとして、例えば、第３図に示すようにチップキャ
リア３２に搭載される。
アの基体となる高熱伝導絶縁基板（例えばＣ−ＢＮ、Ｓ
ｉＣ，ＡＡＮ）１の表面、及び裏面には基板側から順
次Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕのメタライズ膜２が形成される。個
々のサブキャリアの表面中央部はＴ ｉ −Ｐ ｔ−Ａ
ｕメタライズ膜の上にＡ ｕ ／ Ｓ ｎ合金膜３が形
成される。Ａ ｕ ／ Ｓ ｎ合金膜３はレーザダイオ
ード素子６のマウントソルダの役割を持つ。絶縁溝５及
びリーフカット溝４はダイヤモンドブレードあるいはＹ
ＡＧレーザ照射によって形成される。レーザダイオード
素子６はＡ ｕ ／ Ｓ ｎソルダ膜３によってサブキ
ャリアと接合し、Ａｕ線により一方の電極がサブキャリ
アのメタライズ膜（ａ）２に引き出される。この状態で
メタライズ膜（ａ）とメタライズ膜（ｂ）に各々プロー
ブが接触し、レーザダイオード素子に通電し、特性選別
、エージングが行なわれる。最終的に良品と判定された
ものはハーフカット溝４でブレーキングして個体サブキ
ャリアとして、例えば、第３図に示すようにチップキャ
リア３２に搭載される。
〔実施例２〕
第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。
第１図の場合はレーザ素子の主発光面が一つの向きにそ
ろった例であるが、第２図の実施例２はレーザ素子の主
発光面が交互に反対向きとなっている。この場合はエー
ジング時に光出力を検出するためのディテクタは実施例
１のディテクタに対し２倍程度大きなサイズのものを使
用できるという利点がある。
ろった例であるが、第２図の実施例２はレーザ素子の主
発光面が交互に反対向きとなっている。この場合はエー
ジング時に光出力を検出するためのディテクタは実施例
１のディテクタに対し２倍程度大きなサイズのものを使
用できるという利点がある。
実施例２においても、エージング後の良品はハーフカッ
ト溝２４において個体に分離され、例えば第３図のよう
にチップキャリア３２に搭載される。
ト溝２４において個体に分離され、例えば第３図のよう
にチップキャリア３２に搭載される。
以上説明したように本発明は、サブキャリアを複数個連
結化することにより、サブキャリアアセンブリの能率向
上と特性選別、エージング、エージング後の特性選別を
一括して能率良く行うことができ、かつ良品のみを後工
程に進めることができる効果がある。
結化することにより、サブキャリアアセンブリの能率向
上と特性選別、エージング、エージング後の特性選別を
一括して能率良く行うことができ、かつ良品のみを後工
程に進めることができる効果がある。
第１図は本発明のレーザダイオードのサブキャリアの斜
視図、第２図は本発明の実施例２の斜視図、第３図は本
発明のレーザダイオードのサブキャリアをチップキャリ
アに搭載したときの斜視図、第４図は従来のレーザダイ
オードのサブキャリアの斜視図である。 ■・・・・・・高熱伝導絶縁基板、２・・・・・・メタ
ライズ膜、３・・・・・・ソルダ膜、４・・・・・・ハ
ーフカット溝、５・・・・・・絶縁溝、６・・・・・・
レーザダイオード素子、７・・・・・・Ａｕ線、８・・
・・・・レーザビームの出射方向。 代理人 弁理士 内 原 晋
視図、第２図は本発明の実施例２の斜視図、第３図は本
発明のレーザダイオードのサブキャリアをチップキャリ
アに搭載したときの斜視図、第４図は従来のレーザダイ
オードのサブキャリアの斜視図である。 ■・・・・・・高熱伝導絶縁基板、２・・・・・・メタ
ライズ膜、３・・・・・・ソルダ膜、４・・・・・・ハ
ーフカット溝、５・・・・・・絶縁溝、６・・・・・・
レーザダイオード素子、７・・・・・・Ａｕ線、８・・
・・・・レーザビームの出射方向。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 表裏面にメタライズ膜が施された、レーザダイオード素
子を搭載する高熱伝導材料より成るサブキャリアにおい
て、サブキャリアはレーザダイオードの発光方向と垂直
の方向に複数個連結して構成され、連結部にはハーフカ
ット溝が設けられていることを特徴とするレーザダイオ
ードのサブキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16835388A JPH0217689A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | レーザダイオードのサブキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16835388A JPH0217689A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | レーザダイオードのサブキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217689A true JPH0217689A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15866496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16835388A Pending JPH0217689A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | レーザダイオードのサブキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0217689A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138785A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | ヒートシンク |
| JP2002124729A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-04-26 | Osram Opt Semiconductors Gmbh & Co Offene Handels G | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2006140427A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188588A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Sony Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP16835388A patent/JPH0217689A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188588A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Sony Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138785A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | ヒートシンク |
| JP2002124729A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-04-26 | Osram Opt Semiconductors Gmbh & Co Offene Handels G | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2006140427A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
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