JPH0935233A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0935233A JPH0935233A JP7174787A JP17478795A JPH0935233A JP H0935233 A JPH0935233 A JP H0935233A JP 7174787 A JP7174787 A JP 7174787A JP 17478795 A JP17478795 A JP 17478795A JP H0935233 A JPH0935233 A JP H0935233A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 磁気記録媒体の製造方法であって、基体上に
半導体層を形成し、次いでこの半導体層を加熱し、加熱
された半導体層上に磁性層を形成することにより、基体
上に半導体層、磁性層の順で堆積された層を有する磁気
記録媒体を得る。基体6は真空チャンバ1から2へと連
続的に搬送され、真空チャンバ1で半導体層が蒸着さ
れ、真空チャンバ2で磁性層がイオンアシスト蒸着され
る。電極17と18を半導体層に接触させ通電することによ
り半導体層が加熱され、蒸着が好適に行われる。 【効果】 PET等の基体材料にダメージを与えること
なしに、磁性層を好適に成膜できる。半導体層を形成し
ない場合より成膜速度が向上され、得られた磁気記録媒
体の耐食性が増大される。
半導体層を形成し、次いでこの半導体層を加熱し、加熱
された半導体層上に磁性層を形成することにより、基体
上に半導体層、磁性層の順で堆積された層を有する磁気
記録媒体を得る。基体6は真空チャンバ1から2へと連
続的に搬送され、真空チャンバ1で半導体層が蒸着さ
れ、真空チャンバ2で磁性層がイオンアシスト蒸着され
る。電極17と18を半導体層に接触させ通電することによ
り半導体層が加熱され、蒸着が好適に行われる。 【効果】 PET等の基体材料にダメージを与えること
なしに、磁性層を好適に成膜できる。半導体層を形成し
ない場合より成膜速度が向上され、得られた磁気記録媒
体の耐食性が増大される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体及びその製
造方法に関し、より詳しくは鉄系の磁性層、例えばFe−
N、Fe−N−O、Fe−C、Fe−C−O、Fe−N−C−O
系の磁性層を有し、しかも耐食性が良好な磁気記録媒体
と、こうした磁気記録媒体の増大した成膜速度での製造
を可能にする方法に関する。
造方法に関し、より詳しくは鉄系の磁性層、例えばFe−
N、Fe−N−O、Fe−C、Fe−C−O、Fe−N−C−O
系の磁性層を有し、しかも耐食性が良好な磁気記録媒体
と、こうした磁気記録媒体の増大した成膜速度での製造
を可能にする方法に関する。
【0002】
【従来の技術】蒸着やスパッタリングにより形成される
連続磁性体型磁気記録媒体は、磁性体充填率が高いた
め、塗布型の磁気記録媒体等と比べて薄膜で飽和磁化が
大きく、高密度記録に適したものであり、種々の応用分
野において利用されている。こうした連続磁性体型磁気
記録媒体用の強磁性材料としては、鉄、コバルト、ニッ
ケル、或いはこれらの合金が用いられるのが一般的であ
る。このうちコバルトは保持力、飽和磁化共に優れた強
磁性材料であるが、コバルト単体では耐食性に問題があ
ることから、コバルトを主成分としつつもニッケル等と
の合金化により耐食性を高めるのが一般的であり、こう
した観点から例えば蒸着テープの磁性層材料としては、
Co系、Co−Ni系、Co−Cr系といった強磁性合金が用いら
れている。しかしながら、Co、Ni、Crは価格が高い上に
環境面でも問題のある材料であり、磁気記録媒体中にお
ける使用量を減ずることが望ましい。これらの代替とし
て、飽和磁化に優れた材料であり、しかも地球上に豊富
に存在する安価な資源である鉄を用いることが考えられ
る。しかしながら鉄は非常に酸化され易く、従来の磁性
材料よりも耐食性に劣る。そこでこの欠点を補いつつ、
鉄の高い飽和磁束密度を磁気記録媒体中において有効に
活用するために、Fe−N、Fe−N−O、Fe−C、Fe−C
−O、Fe−N−C−O系の磁性層を形成することが試み
られている。
連続磁性体型磁気記録媒体は、磁性体充填率が高いた
め、塗布型の磁気記録媒体等と比べて薄膜で飽和磁化が
大きく、高密度記録に適したものであり、種々の応用分
野において利用されている。こうした連続磁性体型磁気
記録媒体用の強磁性材料としては、鉄、コバルト、ニッ
ケル、或いはこれらの合金が用いられるのが一般的であ
る。このうちコバルトは保持力、飽和磁化共に優れた強
磁性材料であるが、コバルト単体では耐食性に問題があ
ることから、コバルトを主成分としつつもニッケル等と
の合金化により耐食性を高めるのが一般的であり、こう
した観点から例えば蒸着テープの磁性層材料としては、
Co系、Co−Ni系、Co−Cr系といった強磁性合金が用いら
れている。しかしながら、Co、Ni、Crは価格が高い上に
環境面でも問題のある材料であり、磁気記録媒体中にお
ける使用量を減ずることが望ましい。これらの代替とし
て、飽和磁化に優れた材料であり、しかも地球上に豊富
に存在する安価な資源である鉄を用いることが考えられ
る。しかしながら鉄は非常に酸化され易く、従来の磁性
材料よりも耐食性に劣る。そこでこの欠点を補いつつ、
鉄の高い飽和磁束密度を磁気記録媒体中において有効に
活用するために、Fe−N、Fe−N−O、Fe−C、Fe−C
−O、Fe−N−C−O系の磁性層を形成することが試み
られている。
【0003】こうした鉄系の磁性層は、Feの蒸着中に酸
素、窒素、二酸化炭素等のガスやこれらの混合ガスをイ
オン化して照射する、いわゆるイオンアシストによる蒸
着法により形成することができる。このイオンアシスト
蒸着法は、図2に示すような装置により、真空チャンバ
30内において電子銃31からルツボ32内の金属 Fe 33に電
子ビームを照射して加熱気化させ、冷却キャンロール35
上を走行するベースフィルム36の表面に蒸着させると共
に、イオンガン34により、例えば窒素イオンを蒸着領域
に照射して打ち込み、所望の組成の膜を形成する方法で
ある。
素、窒素、二酸化炭素等のガスやこれらの混合ガスをイ
オン化して照射する、いわゆるイオンアシストによる蒸
着法により形成することができる。このイオンアシスト
蒸着法は、図2に示すような装置により、真空チャンバ
30内において電子銃31からルツボ32内の金属 Fe 33に電
子ビームを照射して加熱気化させ、冷却キャンロール35
上を走行するベースフィルム36の表面に蒸着させると共
に、イオンガン34により、例えば窒素イオンを蒸着領域
に照射して打ち込み、所望の組成の膜を形成する方法で
ある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】イオンアシスト蒸着に
より鉄系磁性層を成膜する場合、所望の膜特性を得るた
めには成膜速度が遅く、生産性に劣る傾向を示すという
問題があった。この点に関し、窒化鉄膜のエピタキシャ
ル成長に関しては基板温度100℃で蒸着した膜の飽和磁
束密度が40℃及び200℃で蒸着した場合よりも高いとい
う報告がなされている(小室他「GaAs(100)基板上にエ
ピタキシャル成長したFeおよびFe−N膜の構造と飽和磁
束密度」、日本応用磁気学会誌 13, 301-306 (1989)。
この知見に基づけば、磁気記録媒体の基体を加熱しなが
らイオンアシスト蒸着を行うことにより、所望の磁気特
性をより増大した成膜速度で得ることが期待される。し
かしながら、例えば磁気テープである磁気記録媒体のベ
ースフィルムとしてはPETフィルムを使用するのが一
般的であり、これを加熱しながらその表面に蒸着を行う
ことは材料の劣化を招く。本発明はこうした欠点のない
製造方法を提供することを目的とするものであり、また
それによって、通常のイオンアシスト蒸着の場合よりも
ベースフィルムの劣化が小さく、従って耐食性の良好な
磁気記録媒体を提供することをも目的とする。
より鉄系磁性層を成膜する場合、所望の膜特性を得るた
めには成膜速度が遅く、生産性に劣る傾向を示すという
問題があった。この点に関し、窒化鉄膜のエピタキシャ
ル成長に関しては基板温度100℃で蒸着した膜の飽和磁
束密度が40℃及び200℃で蒸着した場合よりも高いとい
う報告がなされている(小室他「GaAs(100)基板上にエ
ピタキシャル成長したFeおよびFe−N膜の構造と飽和磁
束密度」、日本応用磁気学会誌 13, 301-306 (1989)。
この知見に基づけば、磁気記録媒体の基体を加熱しなが
らイオンアシスト蒸着を行うことにより、所望の磁気特
性をより増大した成膜速度で得ることが期待される。し
かしながら、例えば磁気テープである磁気記録媒体のベ
ースフィルムとしてはPETフィルムを使用するのが一
般的であり、これを加熱しながらその表面に蒸着を行う
ことは材料の劣化を招く。本発明はこうした欠点のない
製造方法を提供することを目的とするものであり、また
それによって、通常のイオンアシスト蒸着の場合よりも
ベースフィルムの劣化が小さく、従って耐食性の良好な
磁気記録媒体を提供することをも目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁気記
録媒体の製造方法において、基体上にまず半導体層が形
成され、この半導体層が加熱され、加熱された半導体層
上に磁性層が形成される。かくして得られた磁気記録媒
体は、基体と、基体上に堆積された半導体層と、半導体
層上に堆積された磁性層とを含むことになる。
録媒体の製造方法において、基体上にまず半導体層が形
成され、この半導体層が加熱され、加熱された半導体層
上に磁性層が形成される。かくして得られた磁気記録媒
体は、基体と、基体上に堆積された半導体層と、半導体
層上に堆積された磁性層とを含むことになる。
【0006】本発明に用いられる磁気記録媒体の基体の
構成材料としては、ポリエチレンテレフタレートやポリ
エチレンナフタレートのようなポリエステル、ポリエチ
レンやポリプロピレン等のポリオレフィン、セルロース
トリアセテートやセルロースジアセテート等のセルロー
ス誘導体、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリイ
ミド、芳香族ポリアミド等のプラスチック等が使用され
る。好ましくはポリエチレンテレフタレートであり、磁
気記録媒体が磁気テープである場合、基体は長手方向に
延伸するフィルムの形態を有する。基体の厚みは一般に
2〜50μm程度である。
構成材料としては、ポリエチレンテレフタレートやポリ
エチレンナフタレートのようなポリエステル、ポリエチ
レンやポリプロピレン等のポリオレフィン、セルロース
トリアセテートやセルロースジアセテート等のセルロー
ス誘導体、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリイ
ミド、芳香族ポリアミド等のプラスチック等が使用され
る。好ましくはポリエチレンテレフタレートであり、磁
気記録媒体が磁気テープである場合、基体は長手方向に
延伸するフィルムの形態を有する。基体の厚みは一般に
2〜50μm程度である。
【0007】半導体層の構成材料は、SiやGeのような単
体半導体材料、SiC、GaAs、CdSのような化合物半導体
の何れもが含まれる。本発明の半導体層は、蒸着又はス
パッタリングにより基体上に堆積され、その厚みは80〜
150Å程度である。
体半導体材料、SiC、GaAs、CdSのような化合物半導体
の何れもが含まれる。本発明の半導体層は、蒸着又はス
パッタリングにより基体上に堆積され、その厚みは80〜
150Å程度である。
【0008】半導体層上に堆積される磁性層の材料に特
に制限はなく、磁気記録媒体の製造に通常用いられる強
磁性金属材料が挙げられる。例えばCo、Ni、Fe等の強磁
性金属、或いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、
Fe−Fh、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Y、Co−La、Co
−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni
−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。これらのうち、
特に本発明は前述したように、Feを主体とするFe−N
系、Fe−N−O系、Fe−C系、Fe−C−O系、Fe−N−
C−O系といった、窒化鉄系の磁性材料からなる磁気記
録媒体を指向するものであり、磁性材料としてこうした
窒化鉄系のものを用いることが好ましい。磁性層も蒸着
又はスパッタリングにより堆積され、その厚みは通常0.
1〜0.2μm程度である。好ましくは、磁性層はイオンア
シスト蒸着によって形成される。
に制限はなく、磁気記録媒体の製造に通常用いられる強
磁性金属材料が挙げられる。例えばCo、Ni、Fe等の強磁
性金属、或いはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、
Fe−Fh、Fe−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Y、Co−La、Co
−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、Ni
−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。これらのうち、
特に本発明は前述したように、Feを主体とするFe−N
系、Fe−N−O系、Fe−C系、Fe−C−O系、Fe−N−
C−O系といった、窒化鉄系の磁性材料からなる磁気記
録媒体を指向するものであり、磁性材料としてこうした
窒化鉄系のものを用いることが好ましい。磁性層も蒸着
又はスパッタリングにより堆積され、その厚みは通常0.
1〜0.2μm程度である。好ましくは、磁性層はイオンア
シスト蒸着によって形成される。
【0009】なお本発明の磁気記録媒体には、常法に従
って、0.01〜0.2μm程度のアンダーコート層、10〜100
Å程度の保護層、2〜50Å程度の潤滑層、0.2〜1.0μm
程度のバックコート層等を設けてもよい。これらの層を
形成する材料としては、従来公知のものを適宜使用する
ことができる。
って、0.01〜0.2μm程度のアンダーコート層、10〜100
Å程度の保護層、2〜50Å程度の潤滑層、0.2〜1.0μm
程度のバックコート層等を設けてもよい。これらの層を
形成する材料としては、従来公知のものを適宜使用する
ことができる。
【0010】本発明の製造方法によれば、上述の如く基
体上に半導体層を設けた後に、半導体層が加熱され、そ
の上に磁性層が形成される。この場合、半導体層の加熱
は、半導体層の一定範囲を正負二つの電極に接触させ、
電極間に通電することにより半導体層の構成材料を発熱
させることによって行うのが好適である。加熱は、半導
体層の表面温度、即ち磁性層が形成される側の半導体層
表面の温度が50〜150℃程度となるように行われるのが
好ましい。
体上に半導体層を設けた後に、半導体層が加熱され、そ
の上に磁性層が形成される。この場合、半導体層の加熱
は、半導体層の一定範囲を正負二つの電極に接触させ、
電極間に通電することにより半導体層の構成材料を発熱
させることによって行うのが好適である。加熱は、半導
体層の表面温度、即ち磁性層が形成される側の半導体層
表面の温度が50〜150℃程度となるように行われるのが
好ましい。
【0011】基体が長手方向に延伸するPETなどのベ
ースフィルムからなる場合には、このベースフィルムを
真空中で第一の領域から第二の領域へと走行させ、半導
体層を第一の領域において形成し、第二の領域において
長手方向即ちベースフィルムの走行経路に沿って電極を
配置し、これらの電極間に通電することによって加熱を
行うことができる。第一の領域及び第二の領域はそれぞ
れ真空チャンバとすることができ、これらのチャンバ間
にはベースフィルムが通過する通路が設けられる。磁性
層は、第二の領域において、通電され加熱された半導体
層の上に形成される。
ースフィルムからなる場合には、このベースフィルムを
真空中で第一の領域から第二の領域へと走行させ、半導
体層を第一の領域において形成し、第二の領域において
長手方向即ちベースフィルムの走行経路に沿って電極を
配置し、これらの電極間に通電することによって加熱を
行うことができる。第一の領域及び第二の領域はそれぞ
れ真空チャンバとすることができ、これらのチャンバ間
にはベースフィルムが通過する通路が設けられる。磁性
層は、第二の領域において、通電され加熱された半導体
層の上に形成される。
【0012】電極間に印加される電圧値、或いは電極間
の通電電流値は、電極間の距離、半導体層の構成材料の
種類、所望とされる半導体層表面温度等によって左右さ
れるので一般的には言えないが、当業者であれば、どの
ような通電量が好適であるかを容易に決定することがで
きる。所望の通電量が決定されたならば、第二の領域に
おいて半導体層表面の温度を検出することにより、電極
に印加される電圧又は電流を公知の手法によりフィード
バック制御することができる。
の通電電流値は、電極間の距離、半導体層の構成材料の
種類、所望とされる半導体層表面温度等によって左右さ
れるので一般的には言えないが、当業者であれば、どの
ような通電量が好適であるかを容易に決定することがで
きる。所望の通電量が決定されたならば、第二の領域に
おいて半導体層表面の温度を検出することにより、電極
に印加される電圧又は電流を公知の手法によりフィード
バック制御することができる。
【0013】
【実施例】図1に、本発明による方法を実施するために
用いる装置の一例を示す。この装置は、それぞれ図示し
ない真空源に接続されて排気される真空チャンバ1と真
空チャンバ2からなり、これらのチャンバは垂直方向に
連続的に配置されて、真空チャンバ1に収容された巻き
出しロール3から真空チャンバ2に収容された巻き取り
ロール4へと、通路5を介してベースフィルム6を走行
させる構造となっている。真空チャンバ1には冷却キャ
ンロール7が配置され、ベースフイルム6は巻き出しロ
ール3から出た後、冷却キャンロール7の周囲を走行
し、その後真空チャンバ2へと入る。冷却キャンロール
7の下方には、半導体材料を収容したルツボ8が配置さ
れている。ルツボ8内の半導体材料は電子ビーム9によ
って溶融蒸発され、上方を走行するベースフィルム6に
堆積されて半導体層が形成される。真空チャンバ2にも
冷却キャンロール10が配置されており、半導体層が形成
されたベースフィルム6は冷却キャンロール10の周囲を
走行した後に巻き取りロール4へと至る。冷却キャンロ
ール10の下方には磁性材料を収容したルツボ11が配置さ
れ、電子ビーム12によって磁性材料の蒸着が行われるよ
うになっている。この場合、蒸着に際しては真空チャン
バ2の側壁に配置されたイオンガン13から窒素や酸素な
どのイオンが打ち込まれ、イオンアシスト蒸着が行われ
る構成となっている。14と15で示すものは遮蔽板であ
り、磁性材料蒸気の入射方向を限定している。16は酸素
ノズルであり、公知の如く蒸着領域近傍に酸化性ガスを
導入して磁性層の酸化を達成するためのものである。
用いる装置の一例を示す。この装置は、それぞれ図示し
ない真空源に接続されて排気される真空チャンバ1と真
空チャンバ2からなり、これらのチャンバは垂直方向に
連続的に配置されて、真空チャンバ1に収容された巻き
出しロール3から真空チャンバ2に収容された巻き取り
ロール4へと、通路5を介してベースフィルム6を走行
させる構造となっている。真空チャンバ1には冷却キャ
ンロール7が配置され、ベースフイルム6は巻き出しロ
ール3から出た後、冷却キャンロール7の周囲を走行
し、その後真空チャンバ2へと入る。冷却キャンロール
7の下方には、半導体材料を収容したルツボ8が配置さ
れている。ルツボ8内の半導体材料は電子ビーム9によ
って溶融蒸発され、上方を走行するベースフィルム6に
堆積されて半導体層が形成される。真空チャンバ2にも
冷却キャンロール10が配置されており、半導体層が形成
されたベースフィルム6は冷却キャンロール10の周囲を
走行した後に巻き取りロール4へと至る。冷却キャンロ
ール10の下方には磁性材料を収容したルツボ11が配置さ
れ、電子ビーム12によって磁性材料の蒸着が行われるよ
うになっている。この場合、蒸着に際しては真空チャン
バ2の側壁に配置されたイオンガン13から窒素や酸素な
どのイオンが打ち込まれ、イオンアシスト蒸着が行われ
る構成となっている。14と15で示すものは遮蔽板であ
り、磁性材料蒸気の入射方向を限定している。16は酸素
ノズルであり、公知の如く蒸着領域近傍に酸化性ガスを
導入して磁性層の酸化を達成するためのものである。
【0014】遮蔽板14と15によって画定される蒸着領域
を挟んで、冷却キャンロール10の直径方向両側に、電極
17及び18が配置されている。これらの電極は回転ローラ
の形態を有し、僅かな接触圧力をもって、冷却キャンロ
ール10上を走行するベースフィルム上に形成された半導
体層表面に接触している。電極17と18は、図示しない直
流電源の両端に接続されており、通電によって電極17と
18の間にある半導体層を抵抗加熱するようになってい
る。電極17と遮蔽板15の間には非接触式の表面温度計19
が配置され、加熱された半導体層表面の温度を検出して
いる。検出された温度は図示しない電源制御回路へとフ
ィードバックされ、予め設定された所望の温度が一定に
得られるように、電源電圧を制御するようになってい
る。
を挟んで、冷却キャンロール10の直径方向両側に、電極
17及び18が配置されている。これらの電極は回転ローラ
の形態を有し、僅かな接触圧力をもって、冷却キャンロ
ール10上を走行するベースフィルム上に形成された半導
体層表面に接触している。電極17と18は、図示しない直
流電源の両端に接続されており、通電によって電極17と
18の間にある半導体層を抵抗加熱するようになってい
る。電極17と遮蔽板15の間には非接触式の表面温度計19
が配置され、加熱された半導体層表面の温度を検出して
いる。検出された温度は図示しない電源制御回路へとフ
ィードバックされ、予め設定された所望の温度が一定に
得られるように、電源電圧を制御するようになってい
る。
【0015】実施例1 図1の装置を用い、予め真空チャンバ1及び2を5×10
-6Torrまで排気し、冷却キャンロール7及び10は液体窒
素を用いて−50℃に冷却した。ベースフィルム6として
は厚み6.5μmのPETフィルムを用い、2m/分の速度
で走行させた。ルツボ8には純度99.99%のSiを入れ、
電子ビーム9の出力は2kWとして、半導体層を1850Åの
厚みで成膜した。成膜開始から5分経って成膜が安定し
た後、真空チャンバ2内の電極17−18間に通電させ、表
面温度計19によるモニターを通じて、半導体層表面の温
度が120℃になるのを確認した。次いで、電子ビーム12
の出力を10kWで投入することにより溶融させていた、9
9.95%の純度の鉄を収容したルツボ11のシャッターを開
き、同時にカウフマン型のイオンガン13に8×10-4Torr
(全圧)となるよう窒素ガスを流して、イオンアシスト
蒸着を行った。この場合、イオンガンの0.3φの加熱フ
ィラメントには8.0Aの直流電流を流し、加熱フィラメ
ントとアノードの間の電位差は500Vとした。酸素ノズ
ル16からは分圧で2×10-5Torrとなるように酸素ガスを
流した。得られた磁性層の厚みは1850Åであった。
-6Torrまで排気し、冷却キャンロール7及び10は液体窒
素を用いて−50℃に冷却した。ベースフィルム6として
は厚み6.5μmのPETフィルムを用い、2m/分の速度
で走行させた。ルツボ8には純度99.99%のSiを入れ、
電子ビーム9の出力は2kWとして、半導体層を1850Åの
厚みで成膜した。成膜開始から5分経って成膜が安定し
た後、真空チャンバ2内の電極17−18間に通電させ、表
面温度計19によるモニターを通じて、半導体層表面の温
度が120℃になるのを確認した。次いで、電子ビーム12
の出力を10kWで投入することにより溶融させていた、9
9.95%の純度の鉄を収容したルツボ11のシャッターを開
き、同時にカウフマン型のイオンガン13に8×10-4Torr
(全圧)となるよう窒素ガスを流して、イオンアシスト
蒸着を行った。この場合、イオンガンの0.3φの加熱フ
ィラメントには8.0Aの直流電流を流し、加熱フィラメ
ントとアノードの間の電位差は500Vとした。酸素ノズ
ル16からは分圧で2×10-5Torrとなるように酸素ガスを
流した。得られた磁性層の厚みは1850Åであった。
【0016】比較例1 実施例1において、真空チャンバ1内での処理を行わず
に、下地層すなわち半導体層の成膜を省略した。また電
極17−18間には通電を行わなかった。電子ビーム12の出
力は3kWとし、ベースフィルムの走行速度は0.5m/分
とした。それ以外は実施例1と同じ条件でイオンアシス
ト蒸着を行って、窒化鉄からなる磁性層を1830Åの厚み
で得た。
に、下地層すなわち半導体層の成膜を省略した。また電
極17−18間には通電を行わなかった。電子ビーム12の出
力は3kWとし、ベースフィルムの走行速度は0.5m/分
とした。それ以外は実施例1と同じ条件でイオンアシス
ト蒸着を行って、窒化鉄からなる磁性層を1830Åの厚み
で得た。
【0017】比較例2 比較例1において、電子ビーム12の出力は実施例1と同
じく10kWとし、またベースフィルムの走行速度も実施例
1と同じ2m/分とした。それ以外は比較例1と同じ条
件でイオンアシスト蒸着を行って、窒化鉄からなる磁性
層を1800Åの厚みで得た。
じく10kWとし、またベースフィルムの走行速度も実施例
1と同じ2m/分とした。それ以外は比較例1と同じ条
件でイオンアシスト蒸着を行って、窒化鉄からなる磁性
層を1800Åの厚みで得た。
【0018】以上の実施例及び比較例で得られた磁気記
録媒体について、PETフィルムの磁性層が形成された
面とは反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウ
レタンプレポリマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー
樹脂中に分散させてなるバックコート用の塗料を、乾燥
膜厚0.5μmとなるようにダイコーティング方式により塗
布し、乾燥してバックコート層を形成した。次いで、パ
ーフルオロポリエーテル(FOMBLIN Z DOL、モンテカチ
ーニ社製)をフッ素系不活性液体(フロリナートFC-7
7、住友スリーエム株式会社製)に0.05重量%となるよ
うに希釈、分散させた塗料を、乾燥膜厚が20Åとなるよ
うに磁性層上にダイコーティング方式により塗布し、10
5℃で乾燥させて潤滑層を形成した。得られたものを8m
m幅に裁断し、カセットにロードしてハイバンド8mmV
CRカセットテープを得た。
録媒体について、PETフィルムの磁性層が形成された
面とは反対側に、平均粒径40nmのカーボンブラックをウ
レタンプレポリマーと塩化ビニル系樹脂とのバインダー
樹脂中に分散させてなるバックコート用の塗料を、乾燥
膜厚0.5μmとなるようにダイコーティング方式により塗
布し、乾燥してバックコート層を形成した。次いで、パ
ーフルオロポリエーテル(FOMBLIN Z DOL、モンテカチ
ーニ社製)をフッ素系不活性液体(フロリナートFC-7
7、住友スリーエム株式会社製)に0.05重量%となるよ
うに希釈、分散させた塗料を、乾燥膜厚が20Åとなるよ
うに磁性層上にダイコーティング方式により塗布し、10
5℃で乾燥させて潤滑層を形成した。得られたものを8m
m幅に裁断し、カセットにロードしてハイバンド8mmV
CRカセットテープを得た。
【0019】得られた磁気テープのそれぞれについて、
成膜速度、保磁力(Hc)、飽和磁束密度(Bs)、磁性層
の膜厚、磁性層のX線回折強度(41°[Fe4N(11
1)]、44.7°[α−Fe(110)]、48°[Fe4N(20
0)])を測定した。X線回折強度の評価は、各角度の
ピークが確認される場合には○、弱いが確認される場合
には△、確認されない場合には×とした。また耐食性の
試験として、20℃の5%NaCl水溶液にテープ(8mmに裁
断したもの)を一週間浸漬した後の飽和磁束密度の減少
率ΔBsを測定した。これらの測定において所望とされる
値は、Hc≧1800(Oe)、Bs≧5000(G)、ΔBs≦5
(%)、X線回折強度は41°及び48°が何れも△以上で
ある。結果を表1に示す。
成膜速度、保磁力(Hc)、飽和磁束密度(Bs)、磁性層
の膜厚、磁性層のX線回折強度(41°[Fe4N(11
1)]、44.7°[α−Fe(110)]、48°[Fe4N(20
0)])を測定した。X線回折強度の評価は、各角度の
ピークが確認される場合には○、弱いが確認される場合
には△、確認されない場合には×とした。また耐食性の
試験として、20℃の5%NaCl水溶液にテープ(8mmに裁
断したもの)を一週間浸漬した後の飽和磁束密度の減少
率ΔBsを測定した。これらの測定において所望とされる
値は、Hc≧1800(Oe)、Bs≧5000(G)、ΔBs≦5
(%)、X線回折強度は41°及び48°が何れも△以上で
ある。結果を表1に示す。
【0020】
【表1】
【0021】また実施例1において、成膜温度Tsを30
℃、50℃、80℃、100℃、150℃及び180℃と変化させ、
得られた磁気テープのそれぞれについて飽和磁束密度
(Bs)を測定した。結果を表2に示す。表2の結果か
ら、成膜温度として50℃〜150℃を好ましい範囲とし
た。
℃、50℃、80℃、100℃、150℃及び180℃と変化させ、
得られた磁気テープのそれぞれについて飽和磁束密度
(Bs)を測定した。結果を表2に示す。表2の結果か
ら、成膜温度として50℃〜150℃を好ましい範囲とし
た。
【0022】
【表2】
【0023】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基体上に
下地層として半導体層を設け、これを加熱しながら磁性
層を形成することにより、基体に対してダメージを与え
ることなしに、磁性層を好適に成膜することができる。
従って下地層を形成しない場合よりも成膜スピードを向
上させることができると共に、得られた磁気記録媒体の
耐食性を増大させることができる。
下地層として半導体層を設け、これを加熱しながら磁性
層を形成することにより、基体に対してダメージを与え
ることなしに、磁性層を好適に成膜することができる。
従って下地層を形成しない場合よりも成膜スピードを向
上させることができると共に、得られた磁気記録媒体の
耐食性を増大させることができる。
【図1】本発明の方法の実施に用いることのできる装置
の例を示す概略図である。
の例を示す概略図である。
【図2】在来のイオンアシスト蒸着装置を示す概略図で
ある。
ある。
1、2 真空チャンバ 3 巻き出しロール 4 巻き取りロール 5 通路 6 ベースフィルム 7、10 冷却キャンロール 8、11 ルツボ 9、12 電子ビーム 13 イオンガン 14、15 遮蔽板 16 酸素ノズル 17、18 電極 19 表面温度計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 克己 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 (72)発明者 松尾 祐三 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (6)
- 【請求項1】 基体と、前記基体上に堆積された半導体
層と、前記半導体層上に堆積された磁性層とを含むこと
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 前記磁性層が鉄系磁性層である、請求項
1の磁気記録媒体。 - 【請求項3】 磁気記録媒体の製造方法において、基体
上に半導体層を形成し、形成された半導体層を加熱し、
加熱された前記半導体層上に磁性層を形成することを特
徴とする方法。 - 【請求項4】 前記基体が長手方向に走行されるベース
フィルムであり、前記半導体層が第一の領域における蒸
着により形成され、前記加熱が前記第一の領域よりも下
流の第二の領域において前記長手方向に沿って配置され
た電極間に通電することによって行われ、前記磁性層が
前記第二の領域における蒸着によって行われる、請求項
3の方法。 - 【請求項5】 前記電極間の通電量が前記第二の領域に
おいて検出される前記半導体層表面の温度に応じて、前
記第二の領域における半導体層表面の温度を50〜150℃
に保持するよう制御される、請求項4の方法。 - 【請求項6】 前記磁性層がイオンアシスト蒸着により
形成される鉄系磁性層である、請求項4又は5の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7174787A JPH0935233A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7174787A JPH0935233A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0935233A true JPH0935233A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=15984670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7174787A Pending JPH0935233A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0935233A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001073865A3 (en) * | 2000-03-24 | 2002-07-25 | Cymbet Corp | Continuous processing of thin-film batteries and like devices |
US9853325B2 (en) | 2011-06-29 | 2017-12-26 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
US10601074B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-03-24 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
US10658705B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-05-19 | Space Charge, LLC | Thin-film solid-state energy storage devices |
US11527774B2 (en) | 2011-06-29 | 2022-12-13 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
US11996517B2 (en) | 2011-06-29 | 2024-05-28 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
-
1995
- 1995-07-11 JP JP7174787A patent/JPH0935233A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001073865A3 (en) * | 2000-03-24 | 2002-07-25 | Cymbet Corp | Continuous processing of thin-film batteries and like devices |
US9853325B2 (en) | 2011-06-29 | 2017-12-26 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
US10199682B2 (en) | 2011-06-29 | 2019-02-05 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
US10601074B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-03-24 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
US11527774B2 (en) | 2011-06-29 | 2022-12-13 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
US11996517B2 (en) | 2011-06-29 | 2024-05-28 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
US10658705B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-05-19 | Space Charge, LLC | Thin-film solid-state energy storage devices |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |