[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH0923037A - 半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置

Info

Publication number
JPH0923037A
JPH0923037A JP7169955A JP16995595A JPH0923037A JP H0923037 A JPH0923037 A JP H0923037A JP 7169955 A JP7169955 A JP 7169955A JP 16995595 A JP16995595 A JP 16995595A JP H0923037 A JPH0923037 A JP H0923037A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductivity type
region
semiconductor laser
quantum well
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7169955A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3725582B2 (ja
Inventor
Yutaka Nagai
豊 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP16995595A priority Critical patent/JP3725582B2/ja
Priority to US08/584,200 priority patent/US5764669A/en
Priority to FR9601174A priority patent/FR2736474B1/fr
Priority to DE19615193A priority patent/DE19615193A1/de
Publication of JPH0923037A publication Critical patent/JPH0923037A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3725582B2 publication Critical patent/JP3725582B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
    • H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3413—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers comprising partially disordered wells or barriers
    • H01S5/3414—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers comprising partially disordered wells or barriers by vacancy induced interdiffusion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H01S5/3432—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶転移を生じさせることなく窓構造を形成
できるとともに、窓構造を再現性良く形成することがで
きる半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装
置を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型下クラッ
ド層２，量子井戸構造活性層３，及びｐ型第１上クラッ
ド層４ａを順次エピタキシャル成長させた後、ｐ型第１
上クラッド層４ａ上に、レーザ共振器長方向となる方向
に伸びるレーザ共振器端面となる領域近傍に達しない長
さの所定幅のストライプ状開口部１６ａを有するＳｉＯ
2 膜１６を形成してアニールを行い、ｐ型第１上クラッ
ド層４ａからＧａを吸い上げてそこに空孔を生成すると
ともに、該空孔を量子井戸構造活性層３に達するまで拡
散させて、レーザ共振器端面となる領域近傍の上記量子
井戸構造活性層３をディスオーダする構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体レーザ装置
の製造方法，及び半導体レーザ装置に関し、特に端面部
分に窓構造を有する高光出力動作が可能な半導体レーザ
装置の製造方法，及び半導体レーザ装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の半導体レーザ装置の構造を
示す図であり、図５(a) は半導体レーザ装置の斜視図、
図５(b) は図５(a) のＶｂ−Ｖｂ線における断面図，即
ち半導体レーザ装置の共振器長方向の断面図，図５(c)
は図５(a) のＶｃ−Ｖｃ線における断面図，即ち半導体
レーザ装置の共振器長方向に対して垂直な方向の断面図
である。図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２は厚さ
が１．５〜２μｍであるｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ(x=0.
5) 下クラッド層、３はＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ(1-y)(y=0.0
5 〜0.15) ウエル層（図示せず）とアルミ組成比ｚが
０．２〜０．３５であるＡｌz Ｇａ1-z Ａｓバリア層
（図示せず）から構成されている量子井戸構造活性層
で、両端に厚さ約３５ｎｍの上記バリア層と同じ組成の
光ガイド層（図示せず）を備え、その間に厚さ約１０ｎ
ｍのウエル層と厚さ約１０ｎｍのバリア層が交互に合わ
せて５層、即ちウエル層３層とバリア層２層が積層され
て構成されている。４ａは厚さが０．０５〜０．５μｍ
であるｐ型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド
層，４ｂはｐ型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第２上クラ
ッド層で、第１上クラッド層４ａと第２上クラッド層４
ｂとを合わせた厚さは約１．５〜２．０μｍである。５
は厚さが０．５〜１．０μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト
層、８はプロトン注入領域、９はｎ側電極、１０はｐ側
電極、１５はシリコン（Ｓｉ）イオン注入とアニールと
を用いて形成されたＳｉ拡散領域、２０はレーザ共振器
端面、３ａは活性層３のレーザ発光に寄与する活性領
域、３ｂは活性層３のレーザ共振器端面近傍に形成され
た窓構造領域である。また、この半導体レーザ装置の素
子の大きさは、共振器長方向の長さが３００〜６００μ
ｍ、幅が約３００μｍである。
【０００３】また、図６は従来の半導体レーザ装置の製
造方法を示す工程図であり、図において、図５と同一符
号は同一又は相当する部分を示し、１１はストライプ状
の第１のフォトレジスト，１４は第２のフォトレジス
ト，２３はプロトン注入を示している。
【０００４】次に、製造方法を図６を用いて説明する。
ウエハ状のｎ型ＧａＡｓ基板１上に、下クラッド層２、
量子井戸構造層３、第１上クラッド層４ａを順次エピタ
キシャル結晶成長させる。成長後のウエハの断面図を図
６(a) に示す。次に、このコンタクト層５表面にフォト
レジストを塗布し、これをパターニングして、図６(b)
に示すように、レーザ共振器長方向となる方向に伸び
る、レーザ共振器端面となる位置に達しないストライプ
状の第１のフォトレジスト１１を形成する。このフォト
レジスト１１と半導体レーザ装置の共振器端面となる位
置との間隔は２０μｍ程度となるようにし、このストラ
イプ状のフォトレジスト１１のレーザ共振器長方向に垂
直な方向の長さは１．５〜５μｍとする。
【０００５】続いて、該フォトレジスト１１をマスクと
して第１上クラッド層４ａの上面から活性層４に達する
手前までＳｉのイオン注入を行った後、フォトレジスト
１１を除去する。このとき、Ｓｉイオン注入を行うよ
う、領域に対するＳｉドーズ量は１×１０13〜１×１０
14ｃｍ-2程度とする。なお、フォトレジスト１１の下部
の領域にはフォトレジスト１１がマスクとして作用し、
この領域へのイオン注入を妨げるので、Ｓｉイオン注入
領域は形成されない。ここで、フォトレジスト１１を除
去した後、活性層３のディスオーダを行なうために熱処
理（アニール）を行なう。これはイオン注入しただけで
は活性層３のディスオーダは起こらず、なんらかの熱処
理によりＳｉ原子を結晶中で拡散させて初めてディスオ
ーダが生じることから行なわれるものであり、この熱処
理としてはウエハをＡｓ圧をかけた雰囲気下で７００℃
以上の温度でアニールする方法が一般的である。この結
果、図６(c) に示すように、Ｓｉ拡散領域１５が形成さ
れ、この領域１５内の量子井戸構造活性層３はディスオ
ーダされる。このディスオーダされた量子井戸構造活性
層３のレーザ共振器端面近傍となる領域が、窓構造とし
て機能する窓構造領域３ｂとなる。活性層３のディスオ
ーダされた領域以外の領域は活性領域３ａとなる。
【０００６】次に、図６(d) に示すように、第１上クラ
ッド層４ａ上に第２上クラッド層４ｂ，コンタクト層５
を順次エピタキシャル再成長させた後、コンタクト層５
の上面をレジストで覆い、フォトリソグラフィ技術によ
ってパターニングして、図６(e) に示すように、上記ス
トライプ状の第１のフォトレジスト１１が形成されてい
た領域上に、該第１のフォトレジスト１１とほぼ同じ大
きさのレーザ共振器長方向に伸びるストライプ状の第２
のフォトレジスト１４を形成し、該レジスト１４をマス
クとしてコンタクト層５の上面から第２上クラッド層４
ｂ中にピークが位置するようにプロトン注入を行う。こ
れにより、コンタクト層５，および第２上クラッド層４
ｂにプロトン注入された領域８が形成され、この領域が
高抵抗領域となり、電流ブロック層として機能する。
【０００７】最後に、レジスト１４を除去した後、コン
タクト層５上にｐ側電極１０を形成し、基板１側にｎ側
電極９を形成し、へき開によりレーザ共振器端面２０を
形成して、図５に示すような窓構造を備えた半導体レー
ザ装置を得る。
【０００８】次に、従来の半導体レーザ装置の動作につ
いて説明する。ｐ側電極１０側に正、ｎ側電極９側に負
となるように電圧を印加すると、ホールはｐ型コンタク
ト層５、ｐ型第２上クラッド層４ｂ，ｐ型第１上クラッ
ド層４ａを経て量子井戸構造活性層３へ、また電子はｎ
型半導体基板１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２を経て
量子井戸構造活性層３にそれぞれ注入され、活性層３の
活性領域において電子とホールの再結合が発生し、量子
井戸構造活性層３の活性領域３ａ内で誘導放出光が生ず
る。そしてキャリアの注入量を十分高くして導波路の損
失を越える光が発生すればレーザ発振が生じる。ここ
で、プロトン注入された領域８はプロトン注入により高
抵抗となるため、このプロトン注入領域８のｐ型コンタ
クト層５，ｐ型第２上クラッド層４ｂには電流が流れな
い。すなわちプロトン注入されていない領域にのみ電流
は流れる。
【０００９】次に窓構造について説明する。一般にコン
パクトディスク（ＣＤ）等の光ディスク装置の光源とし
て用いられる０．８μｍ帯の波長のレーザ光を発するＡ
ｌＧａＡｓ系の半導体レーザ装置の最大光出力は端面破
壊が発生する光出力で決定される。この端面破壊はレー
ザ光が端面領域の表面準位の光吸収によって発生した熱
で半導体レーザ装置を構成する結晶自体が溶融し共振器
の機能を果たさなくなるものである。よって高光出力動
作を実現するためにはより高い光出力でも端面破壊が生
じない工夫が必要である。このためには活性層の端面領
域にレーザ光を吸収しにくくする構造、つまりレーザ光
に対して”透明”となるような窓構造を設けることが非
常に有効である。この窓構造はレーザ光を発する活性層
の活性領域よりもバンドギャップエネルギーが高くなる
ような領域をレーザ共振器端面近傍に設けることにより
得られるものである。図５に示した従来の半導体レーザ
装置においては、活性層３が量子井戸構造からなってい
るため、このような窓構造がＳｉイオン注入２２と熱処
理工程とによる量子井戸構造３のディスオーダを利用し
て形成されている。図７はこのディスオーダを説明する
ための活性層３近傍のアルミ組成比のプロファイルを示
す図であり、図７(a) はディスオーダする前の量子井戸
構造活性層３のアルミ組成比のプロファイルを、また、
図７(b) はディスオーダした後の量子井戸構造活性層３
のアルミ組成比のプロファイルをそれぞれ示している。
【００１０】図７において、図１と同一符号は同一また
は相当する部分を示しており、３０，３１，及び３２は
それぞれ活性層３のウエル層，バリア層，及び光ガイド
層を示している。また、図において縦軸はＡｌ組成比を
示し、横軸は下クラッド層２，活性層３，及び上クラッ
ド層４の結晶成長方向の高さ位置を示し、Ａｌ2 はウエ
ル層３０のアルミ組成比、Ａｌ1 はバリア層３１，及び
光ガイド層３２のアルミ組成比，Ａｌ3 はディスオーダ
された後の活性層３のアルミ組成比を示している。図７
(a) に示すような量子井戸構造活性層３にシリコン（Ｓ
ｉ）をイオン注入と熱処理とを用いて拡散させると、こ
れらの拡散にともないウエル層３０とバリア層３２とを
構成する原子が混じり合い、図７(b) に示すように、こ
の拡散された領域がディスオーダされる。この結果、デ
ィスオーダされた量子井戸構造活性層３のアルミ組成比
は、バリア層３１，及び光ガイド層３２のアルミ組成比
Ａｌ1 とほぼ等しいアルミ組成比Ａｌ3 となり、活性層
３の実効的なバンドギャップエネルギーはバリア層３
１，光ガイド層３２とほぼ等しい値になる。よって図５
に示した従来の半導体レーザ装置においては、量子井戸
構造活性層３のディスオーダされた領域の実効的なバン
ドギャップエネルギーが、活性領域３ａとなるディスオ
ーダされていない活性層３の実効的なバンドギャップエ
ネルギーより大きくなるため、量子井戸構造活性層３の
ディスオーダされた領域がレーザ光に対して“透明”な
窓構造として機能するようになり、量子井戸構造活性層
３のレーザ共振器端面２０の近傍の領域が窓構造領域３
ｂとなる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の窓
構造を有する半導体レーザ装置においては、レーザ共振
器端面２０近傍の量子井戸構造活性層３を、Ｓｉのイオ
ン注入と熱処理を用いたＳｉの拡散によりディスオーダ
して窓構造領域３ｂを形成していたが、このような半導
体レーザ装置においては、その製造工程中のＳｉをイオ
ン注入する工程において、イオン注入された半導体層に
多量の結晶欠陥が発生し、これにより第１上クラッド層
４ａや活性層３内に結晶転移が発生してしまう。これ
は、電圧により加速された原子が結晶中に注入される
と、結晶中の原子と衝突しながらエネルギーを失って最
後には止まるが、個々のＳｉが加速時の高いエネルギー
を持っているため、結晶に多数の欠陥を生ぜしめること
によるものである。このような結晶転移はアニール時に
ある程度は回復するが、完全に回復することなく、一部
の結晶転移が残ったままとなる。この結晶転移はレーザ
光を吸収してしまうものであるため、量子井戸構造活性
層３をディスオーダしてバンドギャップエネルギーを活
性領域３ａよりも大きくして窓構造領域３ｂを形成して
も、結晶転移がレーザ光を吸収するため窓構造として機
能しなくなるという問題があった。
【００１２】また、このように結晶転移を発生させるく
らいに結晶欠陥が多いと、アニールにより拡散させるＳ
ｉ自体が結晶欠陥にトラップされ拡散しにくくなり、デ
ィスオーダが生じにくくなり、所望の窓構造を備えた半
導体レーザ装置を再現性よく得ることができないという
問題があった。
【００１３】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、結晶転移を生じさせること
なく窓構造を形成できるとともに、窓構造を再現性良く
形成することができる半導体レーザ装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１４】また、この発明は上記のような問題点を解
消するためになされたものであり、結晶転移を生じさせ
ることなく窓構造を形成できるとともに、窓構造を再現
性良く形成することができる半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置の製造方法は、第１導電型ＧａＡｓ基板の一主
面上に、第１導電型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ(0＜x ＜1)下ク
ラッド層，Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ(0＜z ＜x)バリア層とＡ
ｌy Ｇａ1-y Ａｓ(0＜y ＜z)ウエル層とからなる量子井
戸構造活性層，及び第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜
r ＜1)第１上クラッド層を順次エピタキシャル成長さ
せ、上記第２導電型第１上クラッド層上のレーザ共振器
端面となる領域近傍上にＳｉＯ2 膜を形成し、該ＳｉＯ
2 膜，及び上記エピタキシャル成長により形成された各
半導体層をアニールして、上記第２導電型第１上クラッ
ド層からＧａを吸い上げてそこに空孔を生成するととも
に、該空孔を上記量子井戸構造活性層に達するまで拡散
させて、レーザ共振器端面となる領域近傍の上記量子井
戸構造活性層をディスオーダし、上記ＳｉＯ2 膜を除去
した後、上記第２導電型第１上クラッド層上に、第２導
電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜1)第２上クラッド層，
及び第２導電型ＧａＡｓコンタクト層を順次エピタキシ
ャル再成長させるようにしたものである。
【００１６】また、この発明に係る半導体レーザ装置の
製造方法は、第１導電型ＧａＡｓ基板の一主面上に、第
１導電型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ(0＜x ＜1)下クラッド層，
Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ(0＜z ＜x)バリア層とＡｌy Ｇａ1-
y Ａｓ(0＜y ＜z)ウエル層とからなる量子井戸構造活性
層，及び第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜1)第１
上クラッド層を順次エピタキシャル成長させ、上記第２
導電型第１上クラッド層上に、レーザ共振器長方向とな
る方向に伸びるレーザ共振器端面となる領域近傍に達し
ない長さの所定幅のストライプ状開口部を有するＳｉＯ
2 膜を形成し、該ＳｉＯ2 膜，及び上記エピタキシャル
成長により形成された各半導体層をアニールして、上記
第２導電型第１上クラッド層からＧａを吸い上げてそこ
に空孔を生成するとともに、該空孔を上記量子井戸構造
活性層に達するまで拡散させて、レーザ共振器端面とな
る領域近傍の上記量子井戸構造活性層をディスオーダ
し、上記ＳｉＯ2 膜を除去した後、上記第２導電型第１
上クラッド層上に、第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜
r ＜1)第２上クラッド層，及び第２導電型ＧａＡｓコン
タクト層を順次エピタキシャル再成長させ、続いて、該
コンタクト層上の、上記ストライプ状の開口部が形成さ
れていた領域の上方の領域にレジスト膜を形成し、該コ
ンタクト層の上方から上記量子井戸構造活性層に達しな
い深さまでプロトンを注入し、上記レジストを除去した
後、上記ＧａＡｓ基板の裏面側、及び上記コンタクト層
の上面にそれぞれ電極を形成するようにしたものであ
る。
【００１７】また、上記半導体レーザ装置の製造方法に
おいて、上記ＳｉＯ2 膜を形成した後、該ＳｉＯ2 膜，
及び上記第２導電型第１上クラッド層の上部の、上記ス
トライプ状の開口部が形成されている領域を含む領域上
に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜を形成する工程と、上記量子井戸構造
活性層をディスオーダした後、上記Ｓｉ3 Ｎ4 膜を除去
する工程とを更に含むものである。
【００１８】また、上記半導体レーザ装置の製造方法に
おいて、上記第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜1)
第１上クラッド層をエピタキシャル成長させた後、連続
してその上にＧａＡｓ表面保護層をエピタキシャル成長
させるようにしたものである。
【００１９】また、この発明に係る半導体レーザ装置
は、第１導電型ＧａＡｓ基板と、該基板上に配置された
第１導電型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ(0＜x ＜1)下クラッド層
と、該下クラッド層上に配置され、Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ
(0＜z ＜x)バリア層とＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ(0＜y ＜z)ウ
エル層とからなり、そのレーザ共振器端面近傍に、空孔
の拡散によりディスオーダされた領域を有する量子井戸
構造活性層と、該量子井戸構造活性層上に配置された第
２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜1)第１上クラッド
層と、該第１上クラッド層上に配置された第２導電型Ａ
ｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜1)第２上クラッド層と、該第
２上クラッド層上に配置された第２導電型ＧａＡｓコン
タクト層とを備えたものである。
【００２０】また、上記半導体レーザ装置において、上
記量子井戸構造活性層は、上記レーザ共振器端面近傍を
除いた領域のうちの、レーザ共振器長方向に伸びる所定
幅のストライプ状の活性領域以外の領域が、空孔の拡散
によりディスオーダされており、上記第２上クラッド層
の上部，及びコンタクト層の上記活性領域上の領域以外
の領域は、プロトンが注入されて高抵抗化されており、
上記ＧａＡｓ基板の裏面側，及び上記コンタクト層の上
面にはそれぞれ電極が設けられているようにしたもので
ある。
【００２１】また、上記半導体レーザ装置において、上
記第２導電型第１上クラッド層と第２導電型第２上クラ
ッド層との間にＧａＡｓ表面保護層を有しているように
したものである。
【００２２】
【作用】この発明においては、量子井戸構造活性層，及
び第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ第１上クラッド層を順
次エピタキシャル成長させ、上記第２導電型第１上クラ
ッド層上のレーザ共振器端面となる領域近傍上にＳｉＯ
2 膜を形成し、該ＳｉＯ2 膜，及び上記エピタキシャル
成長により形成された各半導体層をアニールして、上記
第２導電型第１上クラッド層からＧａを吸い上げてそこ
に空孔を生成するとともに、該空孔を上記量子井戸構造
活性層に達するまで拡散させて、レーザ共振器端面とな
る領域近傍の上記量子井戸構造活性層をディスオーダす
るようにしたから、Ｓｉをイオン注入する必要がなくな
り、結晶転移を発生させることなく、量子井戸構造活性
層をディスオーダして窓構造を形成することができる。
また、Ｓｉをイオン注入して、これを拡散させて窓構造
を形成する必要がなくなり、イオン注入により形成され
た多量の結晶欠陥にＳｉが拡散中にトラップされること
によりディスオーダが生じにくくなるということがなく
なり、所望の窓構造を備えた半導体レーザ装置を再現性
よく得ることができる。
【００２３】また、この発明においては、量子井戸構造
活性層，及び第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ第１上クラ
ッド層を順次エピタキシャル成長させ、上記第２導電型
第１上クラッド層上に、レーザ共振器長方向となる方向
に伸びるレーザ共振器端面となる領域近傍に達しない長
さの所定幅のストライプ状開口部を有するＳｉＯ2 膜を
形成し、該ＳｉＯ2 膜，及び上記エピタキシャル成長に
より形成された各半導体層をアニールして、上記第２導
電型第１上クラッド層からＧａを吸い上げてそこに空孔
を生成するとともに、該空孔を上記量子井戸構造活性層
に達するまで拡散させて、レーザ共振器端面となる領域
近傍の上記量子井戸構造活性層をディスオーダするよう
にしたから、Ｓｉをイオン注入する必要がなくなり、結
晶転移を発生させることなく、量子井戸構造活性層をデ
ィスオーダして窓構造を形成することができる。また、
Ｓｉをイオン注入して、これを拡散させて窓構造を形成
する必要がなくなり、所望の窓構造を備えた半導体レー
ザ装置を再現性よく得ることができる。
【００２４】また、この発明においては、上記ＳｉＯ2
膜を形成した後、該ＳｉＯ2 膜，及び上記第２導電型第
１上クラッド層の上部の、上記ストライプ状の開口部が
形成されている領域を含む領域上にＳｉ3 Ｎ4 膜を形成
する工程と、上記量子井戸構造活性層をディスオーダし
た後、上記Ｓｉ3 Ｎ4 膜を除去する工程とを更に含むよ
うにしたから、上記アニールする工程において、上記ス
トライプ状の開口部に露出した第１上クラッド層の表面
からのＡｓ抜けを防いで、第１上クラッド層の表面荒れ
を防止することができる。
【００２５】また、この発明においては、上記第２導電
型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ第１上クラッド層をエピタキシャ
ル成長させた後、連続してその上にＧａＡｓ表面保護層
をエピタキシャル成長させるようにしたから、再成長界
面の酸化を防いで、再成長界面の表面荒れを防ぐことが
できる。
【００２６】また、この発明においては、そのレーザ共
振器端面近傍に、空孔の拡散によりディスオーダされた
領域を有する量子井戸構造活性層を備えているから、Ｓ
ｉをイオン注入して量子井戸構造活性層をディスオーダ
する必要がなくなり、結晶転移を発生させることなく量
子井戸構造活性層をディスオーダして窓構造を形成する
ことができる。また、Ｓｉをイオン注入して、これを拡
散させて窓構造を形成する必要がなくなり、イオン注入
により形成された多量の結晶欠陥にＳｉが拡散中にトラ
ップされることによりディスオーダが生じにくくなると
いうことがなくなり、所望の窓構造を備えた半導体レー
ザ装置を再現性よく得ることができる。
【００２７】また、この発明においては、上記量子井戸
構造活性層は、上記レーザ共振器端面近傍を除いた領域
のうちの、レーザ共振器長方向に伸びる所定幅のストラ
イプ状の活性領域以外の領域が、空孔の拡散によりディ
スオーダされているから、Ｓｉをイオン注入して量子井
戸構造活性層をディスオーダする必要がなくなり、結晶
転移を発生させることなく量子井戸構造活性層をディス
オーダして窓構造を形成することができる。また、Ｓｉ
をイオン注入して、これを拡散させて窓構造を形成する
必要がなくなり、所望の窓構造を備えた半導体レーザ装
置を再現性よく得ることができる。
【００２８】また、この発明においては、第２導電型Ａ
ｌr Ｇａ1-r Ａｓ第１上クラッド層と第２導電型第２上
クラッド層との間にＧａＡｓ表面保護層を有しているよ
うにしたから、再成長界面の表面荒れを防ぐことができ
る。
【００２９】
【実施例】
実施例１．図１は本発明の第１の実施例による半導体レ
ーザ装置の構造を示す斜視図（図１(a))，図１(a) のＩ
ｂ−Ｉｂ線による断面図（図１(b))、即ちレーザ共振器
長方向の断面図，及び図１(a) のＩｃ−Ｉｃ線による断
面図（図１(c))、即ちレーザ共振器長方向と垂直な方向
の断面図である。図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、
２は厚さが１．５〜２μｍであるｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓ(x=0.5) 下クラッド層、３はＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ(y=
0.05 〜0.15) ウエル層（図示せず）とアルミ組成比ｚ
が０．２〜０．３５であるＡｌz Ｇａ1-z Ａｓバリア層
（図示せず）から構成されている量子井戸構造活性層
で、両端に厚さ約３５ｎｍの上記バリア層と同じ組成の
光ガイド層（図示せず）を備え、その間に厚さ約１０ｎ
ｍのウエル層と厚さ約１０ｎｍのバリア層が交互に合わ
せて５層、即ちウエル層３層とバリア層２層が積層され
て構成されている。４ａは厚さが０．０５〜０．５μｍ
であるｐ型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド
層、４ｂはｐ型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第２上クラ
ッド層で、第１上クラッド層４ａと第２上クラッド層４
ｂとを合わせた厚さは約１．５〜２．０μｍとなってい
る。５は厚さが０．５〜１．０μｍのｐ型ＧａＡｓコン
タクト層、８はプロトン注入領域、９はｎ側電極、１０
はｐ側電極、６は空孔拡散領域、２０はレーザ共振器端
面、３ａは活性層３のレーザ発光に寄与する活性領域、
３ｂは活性層３のレーザ共振器端面２０の近傍に形成さ
れた窓構造領域である。また、この半導体レーザ装置の
素子の大きさは、共振器長方向の長さが３００〜６００
μｍ、幅が約３００μｍである。
【００３０】また、図２は本発明の第１の実施例による
半導体レーザ装置の製造方法を示す工程図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一又は相当する部分を示
し、１６はＳｉＯ2 膜、１６ａは該ＳｉＯ2 膜１６に設
けられたレーザ共振器長方向となる方向に伸びるストラ
イプ状の開口部、１７はフォトレジスト、２３はプロト
ン注入を示している。
【００３１】次に製造方法について説明する。まず、ウ
エハ状態のｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌx Ｇａ1-
x Ａｓ(x=0.5) 下クラッド層２、量子井戸構造活性層
３、ｐ型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド層
４ａを順次エピタキシャル結晶成長する。この結晶成長
方法としては膜厚制御性に優れた有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ）あるいは分子線エピタキシ法（ＭＢＥ）
が適している。成長後のウエハの断面図を図２(a) に示
す。
【００３２】次に、上記ｐ型第１上クラッド層４ａの表
面をＳｉＯ2 膜１６で覆い、フォトリソグラフィ技術と
エッチング技術によって、図２(b) に示すようにレーザ
共振器端面となる位置に達しない長さの、レーザ共振器
長方向に伸びるストライプ状の開口部１６ａを活性領域
となる領域上に形成する。このＳｉＯ2 膜１６は例えば
プラズマＣＶＤ(chemical vapor deposition) 法やスパ
ッタリングによって成膜される。ＳｉＯ2 膜１６の厚さ
としては１０００オングストローム程度が適当であり、
この開口部１６ａのストライプの幅は１〜５μｍが適当
であり、この開口部１６ａとレーザ共振器端面となる位
置との間隔は２０μｍ程度となるようにする。次に、こ
のウエハを８００℃以上の温度でアニールする。なお、
アニールは、開口部１６ａからのＡｓ抜けを防止するた
めに、Ａｓ圧をかけた雰囲気下において行なう。
【００３３】ここで、ＳｉＯ2 膜は、アプライド・フィ
ジックス・レター第５２巻，１９８８年，１５１１〜１
５３１頁（Applied Physics letters,vol.52,1988,pp15
11〜1531) に記載されているように、アニール時にＧａ
ＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ結晶からＧａ原子を吸い上げ
る効果があり、これにより、本実施例１においては、Ｓ
ｉＯ2 膜１６の開口部１６ａ以外の領域に隣接したｐ型
第１上クラッド層４ａ表面からＧａ原子が吸い上げら
れ、この結果、ｐ型第１上クラッド層４ａ結晶中の、本
来Ｇａ原子があるべき格子位置に、Ｇａがない空孔がで
きる。この空孔がさらにアニールにより半導体結晶内部
に拡散していき、量子井戸構造活性層３に達すると、量
子井戸構造のディスオーダを生じさせる。従って、Ｓｉ
Ｏ2 膜１６直下の活性層３では、Ｇａが吸い上げられて
空孔が生成され続けるとともに、この空孔が拡散して量
子井戸構造のディスオーダが生じ、この領域の実効的な
バンドギャップエネルギーが大きくなる。この結果、こ
のディスオーダされた領域のうちのレーザ共振器端面近
傍の領域が、活性層３の上記ＳｉＯ2 膜開口部１６ａ下
のディスオーダされていない活性領域３ａで発光するレ
ーザ光の“窓”として機能する窓構造部３ｂとなる。な
お、Ｇａ空孔が効率良く拡散する距離は０．５μｍ以下
であるので、ｐ型第１上クラッド層４ａの厚さは０．５
μｍ以下であることが好ましい。
【００３４】続いて、上記アニール後、ＳｉＯ2 膜１６
をウエットエッチングにより除去し、ｐ型第１上クラッ
ド層４ａ上にｐ型第２上クラッド層４ｂ、ｐ型コンタク
ト層５をエピタキシャル再結晶成長を行い、コンタクト
層５の表面をレジスト膜で覆い、フォトリソグラフィ技
術によって、図２(e) に示すようにＳｉＯ2 膜１６の開
口部１６ａが形成されていた領域に上記開口部１６ａと
ほぼ同じ大きさの共振器長方向に伸びるストライプ状の
レジスト１７を形成し、このレジスト１７をマスクにし
てコンタクト層５の上方からｐ型第２上クラッド層４ｂ
中にピークが位置し、かつその濃度が約４×１０19ｃｍ
-3の濃度となるようにプロトン注入２３を実施する。こ
の結果、レジスト１７の下部を除いた領域のコンタクト
層５及び第２上クラッド層４ｂの上部にプロトンが注入
されたプロトン注入領域８が形成される。このプロトン
注入領域８は高抵抗領域となるので電流ブロック層とし
て機能する。
【００３５】最後にウエハのコンタクト層５側にｐ側電
極１０、ＧａＡｓ基板１側にｎ側電極９を形成し、ウエ
ハをへき開して一対のレーザ共振器端面２０を形成して
半導体レーザ装置を得る。
【００３６】次に動作について説明する。ｐ側電極１０
側に正、ｎ側電極９側に負となるように電圧を印加する
と、ホールはｐ型コンタクト層５、ｐ型第２上クラッド
層４ｂ，ｐ型第１上クラッド層４ａを経て量子井戸構造
活性層３へ、また電子はｎ型半導体基板１、ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層２を経て量子井戸構造活性層３にそれ
ぞれ注入され、活性層３の活性領域において電子とホー
ルの再結合が発生し、量子井戸構造活性層３の活性領域
３ａ内で誘導放出光が生ずる。そしてキャリアの注入量
を十分高くして導波路の損失を越える光が発生すればレ
ーザ発振が生じる。ここで、プロトン注入された領域８
はプロトン注入により高抵抗となるため、このプロトン
注入領域８のｐ型コンタクト層５，ｐ型第２上クラッド
層４ｂには電流が流れない。すなわちプロトン注入され
ていない領域にのみ電流は流れる。
【００３７】本実施例１の半導体レーザ装置では、空孔
拡散領域６内の活性層３は、空孔を拡散させることによ
りディスオーダされているため、このバンドギャップエ
ネルギーは、ディスオーダされていない領域，即ち活性
領域３ａのバンドギャップよりも大きくなっており、こ
のディスオーダされた領域のうちのレーザ共振器端面２
０近傍の領域は、レーザ光を吸収しない窓構造領域３ｂ
となる。また、活性層３の、活性領域３ａに対してレー
ザ共振器長方向と垂直な方向において隣接する領域もデ
ィスオーダされているため、活性層３内のレーザ共振器
長方向と垂直な方向においては屈折率分布が生じ、レー
ザ光は活性領域３ａに閉じ込められてレーザ共振器長方
向に導波される。
【００３８】本実施例１においては、ｐ型Ａｌr Ｇａ1-
r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド層４ａの表面にＳｉＯ2
膜１６を形成して、アニールすることにより、ｐ型第１
上クラッド層４ａに空孔を形成するとともに、該空孔を
アニールにより拡散させて量子井戸構造活性層３をディ
スオーダしているため、上述した従来技術のようにディ
スオーダさせるためにＳｉをイオン注入させる工程が不
要となり、イオン注入時に高エネルギーを有するＳｉが
結晶と衝突して生じる多量の結晶欠陥を無くすことがで
きる。これにより、結晶転移の発生を抑えることがで
き、従来の半導体レーザ装置において問題となっていた
結晶転移がレーザ光を吸収することにより、ディスオー
ダした領域が窓構造として機能しなくなることを防ぐこ
とができる。従って、窓構造を備えた半導体レーザ装置
が本来有する高光出力動作を可能にできるとともに、端
面の破壊レベルが高く高信頼性を有するという優れた素
子特性を発揮することができる。
【００３９】また、従来の技術のように、高エネルギー
でＳｉをイオン注入する工程がないため、結晶欠陥の発
生量を非常に少なくすることができるとともに、Ｓｉを
拡散させるかわりに空孔を拡散させて活性層３をディス
オーダさせることにより、Ｓｉ自体が多量の結晶欠陥に
トラップされて拡散しにくくなり、ディスオーダが生じ
にくくなるといった問題点をを防ぐことができ、窓構造
を備えた所望の構造を有する半導体レーザ装置を再現性
よく得ることができる。
【００４０】以上のように本実施例１によれば、ｐ型Ａ
ｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド層４ａの表面
にＳｉＯ2 膜１６を形成して、アニールすることによ
り、ｐ型第１上クラッド層４ａに空孔を形成するととも
に、該空孔を拡散させて量子井戸構造活性層３をディス
オーダするようにしたから、Ｓｉをイオン注入すること
なく活性層３をディスオーダして、結晶転移の非常に少
ない窓構造部を形成することができるとともに、このよ
うな所望の窓構造を備えた半導体レーザ装置を再現性良
く得ることができる効果がある。
【００４１】実施例２．図３は本発明の第２の実施例に
よる半導体レーザ装置の製造方法における主要工程を示
す斜視図（図３(a))，及び図３(a) のIIIb-IIIb 線によ
る断面図（図３(b))であり、図において、図２と同一符
号は同一または相当する部分を示しており、１９はＳｉ
3 Ｎ4 膜である。本発明は上記実施例１における空孔を
拡散させる工程において、開口部１６ａを有するＳｉＯ
2 膜１６を形成した後、図３(a)に示すように、Ｓｉ3
Ｎ4 膜１９で開口部１６ａを含む領域を覆い、アニール
を行なうようにしたものであり、その他の製造工程は上
記実施例１と同様の工程により行なわれる。
【００４２】上記実施例１においては、ＳｉＯ2 膜１６
に設けられたストライプ状の開口部１６ａにはｐ型Ａｌ
r Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド層４ａが露出し
ているが、空孔を拡散させる際のアニール中に結晶表面
が露出していると、Ａｓ圧をかけた環境下でアニールを
行なったとしても、表面からのＡｓ抜けを完全に抑える
ことができず、開口部１６ａ内のｐ型第１上クラッド層
４ａに、表面荒れが発生してしまう。また、この表面荒
れはＡｌ組成比が高くなるほどひどくなる傾向にある。
このように表面荒れが発生すると、この表面荒れしたｐ
型第１上クラッド層４ａ上に再結晶成長等を行なう際に
結晶転移が発生し、この結晶転移が活性層３にまで入
り、動作特性が劣化したり、信頼性が劣化して、品質の
よい半導体レーザ装置を得ることが困難となってしま
う。そこで、本実施例２においては、図３に示すよう
に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１９で開口部１６ａを含む領域を覆う
ことにより、開口部１６ａ内のｐ型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ
(r=0.5) 第１上クラッド層４ａを露出させないようにし
たものであり、これにより、アニール中に起こるｐ型Ａ
ｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド層４ａの表面
荒れを防ぐことができる。なお、このＳｉ3 Ｎ4 膜１９
はアニール後にＣＦ4 を用いたドライエッチングやフッ
酸系のウエットエッチングによりＳｉＯ2 膜１６ととも
に除去する。
【００４３】このように本実施例２によれば、ｐ型Ａｌ
r Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド層４ａ上に形成
されたＳｉＯ2 膜１６の開口部１６ａを含む領域上をＳ
ｉ3Ｎ4 膜１９で覆った後、アニールを行なうようにし
たから、ＳｉＯ2 膜１６の開口部１６ａに露出したｐ型
Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド層４ａのＡ
ｓ抜けによる表面荒れを抑えて、動作特性や信頼性に優
れた半導体レーザ装置を得ることができる効果がある。
【００４４】実施例３．図４は本発明の第３の実施例に
よる半導体レーザ装置の製造方法の主要工程を示すレー
ザ共振器長方向と垂直な面による断面図であり、図にお
いて、図２と同一符号は同一または相当する部分を示し
ており、１３はＧａＡｓ表面保護層である。本実施例３
は、上記実施例１の半導体レーザ装置の製造方法におい
て、図２(a) に示すようにｐ型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=
0.5) 第１上クラッド層４ａを形成した後、さらにｐ型
ＧａＡｓ保護層１３を連続的にエピタキシャル成長によ
り形成し、該ｐ型ＧａＡｓ保護層１３の表面に開口部１
６ａを備えたＳｉＯ2 膜１６を形成し、アニールを行っ
て、Ｇａを吸い上げて空孔を形成するとともに空孔を拡
散させるようにしたものであり、その他の製造工程は上
記実施例１と同様に行なわれる。
【００４５】上記実施例１においては、エピタキシャル
成長させたｐ型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラ
ッド層４ａ上にＳｉＯ2 膜１６を形成し、アニールを行
って空孔を生成するとともに空孔を拡散させて活性層３
をディスオーダし、その後、ＳｉＯ2 膜１６を除去し、
第２上クラッド層４ｂ，及びコンタクト層５をエピタキ
シャル再結晶成長させるようにしたが、再結晶成長面と
なる第１上クラッド層４ａはＡｌを多く含んでおり、こ
のようなＡｌを多く含む層は酸化されやすい。このた
め、この第１上クラッド層４ａがＳｉＯ2 膜１６を形成
する段階等において大気に露出されると、その表面が酸
化により荒れてしまい、再成長界面に結晶転移が生じ、
この結晶転移が活性層３にまで広がってしまい、この転
移がレーザ光を吸収することにより、半導体レーザ装置
の性能が劣化してしまうという問題が生じてしまう。
【００４６】しかし、本実施例３のように、あらかじ
め、エピタキシャル成長させた第１上クラッド層４ａ上
に、さらに連続してＧａＡｓ表面保護層１７を形成し、
該ＧａＡｓ表面保護層１７上にＳｉＯ2 膜１６を形成
し、アニールを行って空孔を生成するとともに空孔を拡
散させて活性層３をディスオーダし、その後、ＳｉＯ2
膜１６を除去し、第２上クラッド層４，及びコンタクト
層５をＧａＡｓ表面保護層１７上にエピタキシャル再結
晶成長させるようにすると、再成長界面となるＧａＡｓ
表面保護層１７はＡｌを含まず酸化されにくいため、酸
化による表面荒れの発生を抑え、再成長界面の結晶転移
の発生を大幅に低減させることができる。なお、ＧａＡ
ｓ表面保護層１７は活性層３の組成や構造にもよるが、
レーザ光を吸収する場合があるので、ＧａＡｓ表面保護
層１７の厚さはレーザ特性に影響を与えないような厚
さ、例えば１００オングストローム以下の厚さであるこ
とが好ましい。
【００４７】このように本実施例３によれば、ｐ型Ａｌ
r Ｇａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド層４ａ上に、該
第１上クラッド層４ａのエピタキシャル成長に連続して
ＧａＡｓ表面保護層１７を形成した後、ＳｉＯ2 膜１６
を形成し、アニールを行って空孔を生成しこれを拡散さ
せるようにしたから、酸化による再成長界面の表面荒れ
の発生を抑え、再成長界面の結晶転移の発生を大幅に低
減させることができ、動作特性や信頼性に優れた半導体
レーザ装置を得ることができる。
【００４８】なお、上記各実施例においては、活性層３
の活性領域３ａ以外の領域上のコンタクト層５，及び第
１上クラッド層４ａ，第２上クラッド層４ｂの上部をプ
ロトン注入により高抵抗化した構造の半導体レーザ装置
を用いて説明したが、本発明は、リッジ構造を有する半
導体レーザ装置等のその他の構造を有する半導体レーザ
装置においても適用できるものであり、このような場合
においても、レーザ共振器端面近傍に空孔を拡散させて
量子井戸構造活性層３をディスオーダさせることにより
上記各実施例と同様の効果を奏する。
【００４９】また、上記各実施例においては、半導体基
板１としてｎ型のＧａＡｓ基板を用いるようにしたが、
本発明はｐ型のＧａＡｓ基板を用いた場合においても適
用できるものであり、このような場合においても上記各
実施例と同様の効果を奏する。
【００５０】また、上記各実施例においては、活性層３
が多重量子井戸構造（ＭＱＷ）である場合について説明
したが、本発明は活性層が単量子井戸構造（ＳＱＷ）等
のその他の量子井戸構造である場合おいても適用できる
ものであり、このような場合においても上記各実施例と
同様の効果を奏する。
【００５１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、量子井
戸構造活性層，及び第２導電型ＡｌrＧａ1-r Ａｓ第１
上クラッド層を順次エピタキシャル成長させ、上記第２
導電型第１上クラッド層上のレーザ共振器端面となる領
域近傍上にＳｉＯ2 膜を形成し、該ＳｉＯ2 膜，及び上
記エピタキシャル成長により形成された各半導体層をア
ニールして、上記第２導電型第１上クラッド層からＧａ
を吸い上げてそこに空孔を生成するとともに、該空孔を
上記量子井戸構造活性層に達するまで拡散させて、レー
ザ共振器端面となる領域近傍の上記量子井戸構造活性層
をディスオーダするようにしたから、結晶転移を発生さ
せることなく、量子井戸構造活性層をディスオーダして
窓構造を形成することができるとともに、所望の窓構造
を備えた半導体レーザ装置を再現性よく得ることができ
る効果がある。
【００５２】また、この発明によれば、量子井戸構造活
性層，及び第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ第１上クラッ
ド層を順次エピタキシャル成長させ、上記第２導電型第
１上クラッド層上に、レーザ共振器長方向となる方向に
伸びるレーザ共振器端面となる領域近傍に達しない長さ
の所定幅のストライプ状開口部を有するＳｉＯ2 膜を形
成し、該ＳｉＯ2 膜，及び上記エピタキシャル成長によ
り形成された各半導体層をアニールして、上記第２導電
型第１上クラッド層からＧａを吸い上げてそこに空孔を
生成するとともに、該空孔を上記量子井戸構造活性層に
達するまで拡散させて、レーザ共振器端面となる領域近
傍の上記量子井戸構造活性層をディスオーダするように
したから、結晶転移を発生させることなく、量子井戸構
造活性層をディスオーダして窓構造を形成することがで
きるとともに、所望の窓構造を備えた半導体レーザ装置
を再現性よく得ることができる効果がある。
【００５３】また、この発明によれば、上記ＳｉＯ2 膜
を形成した後、該ＳｉＯ2 膜，及び上記第２導電型第１
上クラッド層の上部の、上記ストライプ状の開口部が形
成されている領域を含む領域上にＳｉ3 Ｎ4 膜を形成す
る工程と、上記量子井戸構造活性層をディスオーダした
後、上記Ｓｉ3 Ｎ4 膜を除去する工程とを更に含むよう
にしたから、第１上クラッド層の表面荒れを防止し、第
１上クラッド層の表面から量子井戸構造活性層への結晶
転移の発生を大幅に低減させることができ、動作特性や
信頼性に優れた半導体レーザ装置を得ることができる効
果がある。
【００５４】また、この発明によれば、上記第２導電型
Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ第１上クラッド層をエピタキシャル
成長させた後、連続してその上にＧａＡｓ表面保護層を
エピタキシャル成長させるようにしたから、再成長界面
の表面荒れを防ぎ、再成長界面から量子井戸構造活性層
への結晶転移の発生を大幅に低減させることができ、動
作特性や信頼性に優れた半導体レーザ装置を得ることが
できる効果がある。
【００５５】また、この発明によれば、そのレーザ共振
器端面近傍に、空孔の拡散によりディスオーダされた領
域を有する量子井戸構造活性層を備えているから、結晶
転移を発生させることなく量子井戸構造活性層をディス
オーダして窓構造を形成することができるとともに、所
望の窓構造を備えた半導体レーザ装置を再現性よく得る
ことができる効果がある。
【００５６】また、この発明によれば、上記量子井戸構
造活性層は、上記レーザ共振器端面近傍を除いた領域の
うちの、レーザ共振器長方向に伸びる所定幅のストライ
プ状の活性領域以外の領域が、空孔の拡散によりディス
オーダされているから、結晶転移を発生させることなく
量子井戸構造活性層をディスオーダして窓構造を形成す
ることができるとともに、所望の窓構造を備えた半導体
レーザ装置を再現性よく得ることができる効果がある。
【００５７】また、この発明によれば、上記第２導電型
Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ第１上クラッド層と第２導電型第２
上クラッド層との間にＧａＡｓ表面保護層を有している
ようにしたから、再成長界面の表面荒れを防ぎ、再成長
界面から量子井戸構造活性層への結晶転移の発生を大幅
に低減させることができ、動作特性や信頼性に優れた半
導体レーザ装置を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施例による半導体レーザ
装置の構造を示す図である。
【図２】 この発明の第１の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】 この発明の第２の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法の主要工程を示す図である。
【図４】 この発明の第３の実施例による半導体レーザ
装置の製造方法の主要工程を示す断面図である。
【図５】 従来の半導体レーザ装置の構造を示す図であ
る。
【図６】 従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す工
程図である。
【図７】 従来の半導体レーザ装置の量子井戸構造層の
ディスオーダを説明するためのアルミプロファイルを示
す図である。
【符号の説明】
１ ｎ型ＧａＡｓ基板、２ ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ(x
=0.5) 下クラッド層、３ 量子井戸構造活性層、３ａ
活性領域、３ｂ 窓構造領域、４ａ ｐ型Ａｌr Ｇａ1-
r Ａｓ(r=0.5) 第１上クラッド層、４ｂ ｐ型Ａｌr Ｇ
ａ1-r Ａｓ(r=0.5) 第２上クラッド層、５ ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層、６ 空孔拡散領域、８ プロトン注入
領域、９ ｎ側電極、１０ ｐ側電極、１１ 第１のレ
ジスト、１３ ＧａＡｓ表面保護層、１４ 第２のレジ
スト、１５ Ｓｉ拡散領域、１６ ＳｉＯ2 膜、１６ａ
開口部、１７ レジスト、１９ Ｓｉ3 Ｎ4 膜、２０
レーザ共振器端面、２３ プロトン注入、３０ Ａｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ(y=0.05)ウエル層、３１ Ａｌz Ｇａ1-
z Ａｓ(z=0.2〜0.35) バリア層、３２ Ａｌz Ｇａ1-z
Ａｓ(z=0.2〜0.35) 光ガイド層。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１導電型ＧａＡｓ基板の一主面上に、
    第１導電型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ(0＜x ＜1)下クラッド
    層，Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ(0＜z ＜x)バリア層とＡｌy Ｇ
    ａ1-y Ａｓ(0＜y ＜z)ウエル層とからなる量子井戸構造
    活性層，及び第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜1)
    第１上クラッド層を順次エピタキシャル成長させる工程
    と、 上記第２導電型第１上クラッド層上のレーザ共振器端面
    となる領域近傍上にＳｉＯ2 膜を形成し、該ＳｉＯ2
    膜，及び上記エピタキシャル成長により形成された各半
    導体層をアニールして、上記第２導電型第１上クラッド
    層からＧａを吸い上げてそこに空孔を生成するととも
    に、該空孔を上記量子井戸構造活性層に達するまで拡散
    させて、レーザ共振器端面となる領域近傍の上記量子井
    戸構造活性層をディスオーダする工程と、 上記ＳｉＯ2 膜を除去した後、上記第２導電型第１上ク
    ラッド層上に、第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜
    1)第２上クラッド層，及び第２導電型ＧａＡｓコンタク
    ト層を順次エピタキシャル再成長させる工程とを備えた
    ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 第１導電型ＧａＡｓ基板の一主面上に、
    第１導電型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ(0＜x ＜1)下クラッド
    層，Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ(0＜z ＜x)バリア層とＡｌy Ｇ
    ａ1-y Ａｓ(0＜y ＜z)ウエル層とからなる量子井戸構造
    活性層，及び第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜1)
    第１上クラッド層を順次エピタキシャル成長させる工程
    と、 上記第２導電型第１上クラッド層上に、レーザ共振器長
    方向となる方向に伸びるレーザ共振器端面となる領域近
    傍に達しない長さの所定幅のストライプ状開口部を有す
    るＳｉＯ2 膜を形成し、該ＳｉＯ2 膜，及び上記エピタ
    キシャル成長により形成された各半導体層をアニールし
    て、上記第２導電型第１上クラッド層からＧａを吸い上
    げてそこに空孔を生成するとともに、該空孔を上記量子
    井戸構造活性層に達するまで拡散させて、レーザ共振器
    端面となる領域近傍の上記量子井戸構造活性層をディス
    オーダする工程と、 上記ＳｉＯ2 膜を除去した後、上記第２導電型第１上ク
    ラッド層上に、第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜
    1)第２上クラッド層，及び第２導電型ＧａＡｓコンタク
    ト層を順次エピタキシャル再成長させる工程と、 該コンタクト層上の、上記ストライプ状の開口部が形成
    されていた領域の上方の領域にレジスト膜を形成し、該
    コンタクト層の上方から上記量子井戸構造活性層に達し
    ない深さまでプロトンを注入する工程と、 上記レジストを除去した後、上記ＧａＡｓ基板の裏面
    側，及び上記コンタクト層の上面にそれぞれ電極を形成
    する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置
    の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザ装置の製
    造方法において、 上記ＳｉＯ2 膜を形成する工程の後、該ＳｉＯ2 膜，及
    び上記第２導電型第１上クラッド層の上部の、上記スト
    ライプ状の開口部が形成されている領域を含む領域上
    に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜を形成する工程と、 上記量子井戸構造活性層をディスオーダする工程の後、
    上記Ｓｉ3 Ｎ4 膜を除去する工程とを更に含むことを特
    徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載の半導体レーザ装置の製
    造方法において、 上記第２導電型Ａｌr Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜1)第１上ク
    ラッド層をエピタキシャル成長させる工程に連続して、
    その上にＧａＡｓ表面保護層をエピタキシャル成長させ
    る工程をさらに含むことを特徴とする半導体レーザ装置
    の製造方法。
  5. 【請求項５】 第１導電型ＧａＡｓ基板と、 該基板上に配置された第１導電型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ(0
    ＜x ＜1)下クラッド層と、 該下クラッド層上に配置され、Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ(0＜
    z ＜x)バリア層とＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ(0＜y ＜z)ウエル
    層とからなり、そのレーザ共振器端面近傍に、空孔の拡
    散によりディスオーダされた領域を有する量子井戸構造
    活性層と、 該量子井戸構造活性層上に配置された第２導電型Ａｌr
    Ｇａ1-r Ａｓ(z＜r ＜1)第１上クラッド層と、 該第１上クラッド層上に配置された第２導電型Ａｌr Ｇ
    ａ1-r Ａｓ(z＜r ＜１）第２上クラッド層と、 該第２上クラッド層上に配置された第２導電型ＧａＡｓ
    コンタクト層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ
    装置。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記量子井戸構造活性層は、上記レーザ共振器端面近傍
    を除いた領域のうちの、レーザ共振器長方向に伸びる所
    定幅のストライプ状の活性領域以外の領域が、空孔の拡
    散によりディスオーダされており、 上記第２上クラッド層の上部，及びコンタクト層の上記
    活性領域上の領域以外の領域は、プロトンが注入されて
    高抵抗化されており、 上記ＧａＡｓ基板の裏面側，及び上記コンタクト層の上
    面にはそれぞれ電極が設けられていることを特徴とする
    半導体レーザ装置。
  7. 【請求項７】 請求項５に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記第２導電型第１上クラッド層と第２導電型第２上ク
    ラッド層との間にＧａＡｓ表面保護層を有していること
    を特徴とする半導体レーザ装置。
JP16995595A 1995-07-05 1995-07-05 半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置 Expired - Fee Related JP3725582B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16995595A JP3725582B2 (ja) 1995-07-05 1995-07-05 半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置
US08/584,200 US5764669A (en) 1995-07-05 1996-01-11 Semiconductor laser including disordered window regions
FR9601174A FR2736474B1 (fr) 1995-07-05 1996-01-31 Procede pour fabriquer un dispositif laser a semi-conducteur et dispositif laser a semi-conducteur
DE19615193A DE19615193A1 (de) 1995-07-05 1996-04-17 Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16995595A JP3725582B2 (ja) 1995-07-05 1995-07-05 半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0923037A true JPH0923037A (ja) 1997-01-21
JP3725582B2 JP3725582B2 (ja) 2005-12-14

Family

ID=15895954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16995595A Expired - Fee Related JP3725582B2 (ja) 1995-07-05 1995-07-05 半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5764669A (ja)
JP (1) JP3725582B2 (ja)
DE (1) DE19615193A1 (ja)
FR (1) FR2736474B1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002176221A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザおよびその製造方法
JP2002261387A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Sharp Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
US6810055B2 (en) 2000-10-31 2004-10-26 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
US6876002B2 (en) 2000-09-13 2005-04-05 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method for manufacturing the same
US6959026B2 (en) 2001-12-27 2005-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser element and process for producing the same
US7016385B2 (en) 2002-08-29 2006-03-21 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method for producing the same
JP2007242718A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法
WO2011135803A1 (en) 2010-04-26 2011-11-03 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser element and method of manufacturing the same
JP2012146996A (ja) * 2012-03-06 2012-08-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法
JP2013070027A (ja) * 2011-09-08 2013-04-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 光集積デバイス及び光集積デバイスの製造方法
JP2013110366A (ja) * 2011-11-24 2013-06-06 Fujitsu Ltd 光半導体装置の製造方法
JP2013110267A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザダイオードとその製造方法
US9225147B2 (en) 2012-07-31 2015-12-29 Fujitsu Limited Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
US10033154B2 (en) 2010-03-03 2018-07-24 Furukawa Electronic Co., Ltd. Semiconductor optical element, semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor optical element and semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor laser module and semiconductor element
US10069280B2 (en) 2013-02-13 2018-09-04 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor optical element, semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor optical element and semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor laser module and semiconductor element
US10109982B2 (en) 2014-08-12 2018-10-23 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor device

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3387076B2 (ja) * 1997-01-07 2003-03-17 住友電気工業株式会社 半導体レーザ及びその製造方法
GB2358281A (en) * 2000-01-12 2001-07-18 Sharp Kk A method of manufacturing a semiconductor laser device
GB2371406A (en) * 2001-01-23 2002-07-24 Univ Glasgow An Optically Active Device
GB2371407B (en) 2001-01-23 2003-07-09 Univ Glasgow Improvements in or relating to lasers
JP2002261379A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体デバイスおよびそれを応用した光半導体デバイス
JP2002374038A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
GB2386249A (en) * 2002-03-05 2003-09-10 Denselight Semiconductors Pte Proximity quantum well intermixing
SG99970A1 (en) * 2002-04-05 2003-11-27 Inst Materials Research & Eng Method for forming a modified semiconductor having a plurality of band gaps
CA2437927A1 (en) * 2003-08-14 2005-02-14 Ramesh Mantha Adaptive coding for a shared data communication channel
JP2006269581A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP2011155143A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
US9917421B2 (en) * 2011-03-17 2018-03-13 Thorlabs Quantum Electronics, Inc. P-type isolation regions adjacent to semiconductor laser facets
US8410566B2 (en) * 2011-07-21 2013-04-02 Kotura, Inc. Application of electrical field power to light-transmitting medium
CN110061416B (zh) * 2019-04-12 2020-04-10 苏州长光华芯光电技术有限公司 半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0213826A3 (en) * 1985-08-12 1988-03-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser device and method of fabricating the same
US4875216A (en) * 1987-11-30 1989-10-17 Xerox Corporation Buried waveguide window regions for improved performance semiconductor lasers and other opto-electronic applications
JPH01184974A (ja) * 1988-01-20 1989-07-24 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
JPH07101768B2 (ja) * 1988-11-09 1995-11-01 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPH0396290A (ja) * 1989-09-08 1991-04-22 Nippon Soken Inc 半導体レーザの製造方法
JPH04103186A (ja) * 1990-08-22 1992-04-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ及びその製造方法
JPH04103187A (ja) * 1990-08-22 1992-04-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ及びその製造方法
JPH06302906A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ及びその製造方法
US5376582A (en) * 1993-10-15 1994-12-27 International Business Machines Corporation Planar, topology-free, single-mode, high-power semiconductor quantum-well laser with non-absorbing mirrors and current confinement
JP2827919B2 (ja) * 1994-10-11 1998-11-25 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6876002B2 (en) 2000-09-13 2005-04-05 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method for manufacturing the same
US6810055B2 (en) 2000-10-31 2004-10-26 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JP2002176221A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザおよびその製造方法
JP2002261387A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Sharp Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
US6959026B2 (en) 2001-12-27 2005-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser element and process for producing the same
US7016385B2 (en) 2002-08-29 2006-03-21 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method for producing the same
JP2007242718A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法
US10033154B2 (en) 2010-03-03 2018-07-24 Furukawa Electronic Co., Ltd. Semiconductor optical element, semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor optical element and semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor laser module and semiconductor element
JP2011233644A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法
US8660160B2 (en) 2010-04-26 2014-02-25 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser element and method of manufacturing the same
WO2011135803A1 (en) 2010-04-26 2011-11-03 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser element and method of manufacturing the same
JP2013070027A (ja) * 2011-09-08 2013-04-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 光集積デバイス及び光集積デバイスの製造方法
JP2013110267A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザダイオードとその製造方法
JP2013110366A (ja) * 2011-11-24 2013-06-06 Fujitsu Ltd 光半導体装置の製造方法
JP2012146996A (ja) * 2012-03-06 2012-08-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法
US9225147B2 (en) 2012-07-31 2015-12-29 Fujitsu Limited Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
US10069280B2 (en) 2013-02-13 2018-09-04 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor optical element, semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor optical element and semiconductor laser element, and method for manufacturing semiconductor laser module and semiconductor element
US10109982B2 (en) 2014-08-12 2018-10-23 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
DE19615193A1 (de) 1997-01-16
US5764669A (en) 1998-06-09
FR2736474A1 (fr) 1997-01-10
JP3725582B2 (ja) 2005-12-14
FR2736474B1 (fr) 1998-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3725582B2 (ja) 半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置
JPH06302906A (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
JP3387076B2 (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
JP2827919B2 (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPH03208388A (ja) 半導体レーザ及びその製造方法と不純物拡散方法
JP3682336B2 (ja) 半導体レーザ装置の製造方法
JPH08279649A (ja) 半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザ
JPH09139550A (ja) 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
US6928096B2 (en) Nitride-based semiconductor laser device and method of fabricating the same
JPH10233556A (ja) リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法
JP3710329B2 (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP4011640B2 (ja) 半導体レーザ，及び半導体レーザの製造方法
JPH10261835A (ja) 半導体レーザ装置、及びその製造方法
US6959026B2 (en) Semiconductor laser element and process for producing the same
US5770471A (en) Method of making semiconductor laser with aluminum-free etch stopping layer
JP4379937B2 (ja) 半導体レーザの製造方法
JP2001230491A (ja) 半導体レーザ素子及びその製造方法
US6671301B1 (en) Semiconductor device and method for producing the same
JPH0648742B2 (ja) 半導体レ−ザの製造方法
JPH1126866A (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
JPH11233874A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2000058969A (ja) 半導体レーザ装置
JP2001053381A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP4099317B2 (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JP3722532B2 (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040518

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050318

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050913

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050922

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees