JPH0896303A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置Info
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- JPH0896303A JPH0896303A JP6254590A JP25459094A JPH0896303A JP H0896303 A JPH0896303 A JP H0896303A JP 6254590 A JP6254590 A JP 6254590A JP 25459094 A JP25459094 A JP 25459094A JP H0896303 A JPH0896303 A JP H0896303A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ロータリトランスを容易に用いることがで
き、回転ドラム型ＶＴＲに適用して好適な磁気抵抗効果
型磁気ヘッド装置を提供する。 【構成】 バイアス導体及びセンス導体を備えた回転ド
ラム搭載用磁気効果型磁気ヘッドは、第１バイアス導体
５ａ及び第２バイアス導体５ｂ，センス導体１０、ＭＲ
膜７、上層ヨーク８ａ及び８ｂ、下層ヨーク２で構成さ
れる。第１バイアス導体５ａ及び第２バイアス導体５ｂ
にその和が時間軸上でほぼ直流にり、且つ記録信号の周
波数よりも低い周波数の交流電流をロータリトランスの
ステータ側からロータ側にそれぞれ加える。これによっ
て、特別の直流伝達機構を設けることなく従来のロータ
リトランスにバイアス電流供給用のロータ及びステータ
を設けるだけで回転ドラム式再生ヘッドを実現すること
ができる。
き、回転ドラム型ＶＴＲに適用して好適な磁気抵抗効果
型磁気ヘッド装置を提供する。 【構成】 バイアス導体及びセンス導体を備えた回転ド
ラム搭載用磁気効果型磁気ヘッドは、第１バイアス導体
５ａ及び第２バイアス導体５ｂ，センス導体１０、ＭＲ
膜７、上層ヨーク８ａ及び８ｂ、下層ヨーク２で構成さ
れる。第１バイアス導体５ａ及び第２バイアス導体５ｂ
にその和が時間軸上でほぼ直流にり、且つ記録信号の周
波数よりも低い周波数の交流電流をロータリトランスの
ステータ側からロータ側にそれぞれ加える。これによっ
て、特別の直流伝達機構を設けることなく従来のロータ
リトランスにバイアス電流供給用のロータ及びステータ
を設けるだけで回転ドラム式再生ヘッドを実現すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド装置、特に回転ドラムに搭載して好適な磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置に関する。
ッド装置、特に回転ドラムに搭載して好適な磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドという）は、磁気抵抗効果を有する磁性層（以
下、ＭＲ膜という）によって構成され、薄膜型構成が採
られることによって、量産性の向上、全体として小型に
構成できる。しかも、磁気記録媒体との相対速度に依存
せず信号磁界に直接応答できて高再生出力が可能であ
り、多トラック化を容易に行うことができるという利点
を有しているため、ヘッド固定型磁気記録装置の再生ヘ
ッドとして利用が進められている。
ヘッドという）は、磁気抵抗効果を有する磁性層（以
下、ＭＲ膜という）によって構成され、薄膜型構成が採
られることによって、量産性の向上、全体として小型に
構成できる。しかも、磁気記録媒体との相対速度に依存
せず信号磁界に直接応答できて高再生出力が可能であ
り、多トラック化を容易に行うことができるという利点
を有しているため、ヘッド固定型磁気記録装置の再生ヘ
ッドとして利用が進められている。
【０００３】まず、図１１〜図１４を参照して、ヨーク
型単一チャンネルＭＲヘッド、ヨーク型多チャンネルＭ
Ｒヘッド（以下、単一チャンネルＭＲヘッド、多チャン
ネルＭＲヘッドを総称してＭＲヘッドという。）の構成
例を説明する。図１１は単一チャンネルＭＲヘッド１３
を、図１２は多チャンネルＭＲヘッド１４の要部断面図
を、図１３は図１２の一部分解図を、図１４は図１２の
全体分解図を示している。なお、図１１〜図１４におい
て、多チャンネルＭＲヘッド１４は単一チャンネルＭＲ
ヘッド１３を同一基板に集合して構成したＭＲヘッドと
見なせるので、同一機能箇所には同一符号を付して説明
する。
型単一チャンネルＭＲヘッド、ヨーク型多チャンネルＭ
Ｒヘッド（以下、単一チャンネルＭＲヘッド、多チャン
ネルＭＲヘッドを総称してＭＲヘッドという。）の構成
例を説明する。図１１は単一チャンネルＭＲヘッド１３
を、図１２は多チャンネルＭＲヘッド１４の要部断面図
を、図１３は図１２の一部分解図を、図１４は図１２の
全体分解図を示している。なお、図１１〜図１４におい
て、多チャンネルＭＲヘッド１４は単一チャンネルＭＲ
ヘッド１３を同一基板に集合して構成したＭＲヘッドと
見なせるので、同一機能箇所には同一符号を付して説明
する。
【０００４】図１１〜図１４において、１は非磁性基板
であって、該非磁性基板１上にＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金
からなる下層ヨーク２を構成する磁性膜層が被着されて
いる。該下層ヨーク２上にギャップ３を形成するための
ギャップスペーサ層４を構成するシリコン酸化膜が被着
されている。５は各チャンネルに共通する帯状の銅から
構成されるバイアス導体でシリコン酸化膜からなる絶縁
膜６で囲まれて絶縁されており、バイアス導体端子５ｃ
と５ｄ間に接続された電源からＭＲ膜７に対しバイアス
磁界を与えるためのバイアス電流の通路となる。
であって、該非磁性基板１上にＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金
からなる下層ヨーク２を構成する磁性膜層が被着されて
いる。該下層ヨーク２上にギャップ３を形成するための
ギャップスペーサ層４を構成するシリコン酸化膜が被着
されている。５は各チャンネルに共通する帯状の銅から
構成されるバイアス導体でシリコン酸化膜からなる絶縁
膜６で囲まれて絶縁されており、バイアス導体端子５ｃ
と５ｄ間に接続された電源からＭＲ膜７に対しバイアス
磁界を与えるためのバイアス電流の通路となる。
【０００５】前記ＭＲ膜７両側上にパーマロイで構成さ
れた一対の上層ヨーク８ａ及び８ｂが被着されており、
上層ヨーク８ｂは前記下層ヨーク２と接続されている。
これら上層ヨーク８ａ及び８ｂの各一端がバイアス導体
５及びＭＲ膜７に跨がるとともに、両者を横切る方向に
延在するコアとしてそれぞれ磁気回路を構成する。前記
ＭＲ膜７及び上層ヨーク８ａ及び８ｂ上には、例えばシ
リコン酸化膜からなる絶縁膜９を介して信号線用のセン
ス導体１０が被着され、その一端は上層ヨーク８ａに接
続されている。さらに該センス導体１０上にＡｉ2 Ｏ3
からなる非磁性膜１１、該非磁性膜１１上に非磁性保護
板１２が設けられている。
れた一対の上層ヨーク８ａ及び８ｂが被着されており、
上層ヨーク８ｂは前記下層ヨーク２と接続されている。
これら上層ヨーク８ａ及び８ｂの各一端がバイアス導体
５及びＭＲ膜７に跨がるとともに、両者を横切る方向に
延在するコアとしてそれぞれ磁気回路を構成する。前記
ＭＲ膜７及び上層ヨーク８ａ及び８ｂ上には、例えばシ
リコン酸化膜からなる絶縁膜９を介して信号線用のセン
ス導体１０が被着され、その一端は上層ヨーク８ａに接
続されている。さらに該センス導体１０上にＡｉ2 Ｏ3
からなる非磁性膜１１、該非磁性膜１１上に非磁性保護
板１２が設けられている。
【０００６】さらに、前記ギャップ３が磁気記録媒体、
例えば磁気テープに臨むように、非磁性基板１、下層ヨ
ーク２、ギャップスペーサ層４、上層ヨーク８ａ、非磁
性膜１１、非磁性保護板１２の前面を研磨して磁気記録
媒体との媒体摺動面１５を形成する。そして、前記下層
ヨーク２、磁気ギャップ３、上層ヨーク８ａ及び８ｂ、
ＭＲ膜７、下層ヨーク２のループでもって磁気回路が形
成される。このようにして単一チャンネルＭＲヘッド１
３又は多チャンネルＭＲヘッド１４が構成される。
例えば磁気テープに臨むように、非磁性基板１、下層ヨ
ーク２、ギャップスペーサ層４、上層ヨーク８ａ、非磁
性膜１１、非磁性保護板１２の前面を研磨して磁気記録
媒体との媒体摺動面１５を形成する。そして、前記下層
ヨーク２、磁気ギャップ３、上層ヨーク８ａ及び８ｂ、
ＭＲ膜７、下層ヨーク２のループでもって磁気回路が形
成される。このようにして単一チャンネルＭＲヘッド１
３又は多チャンネルＭＲヘッド１４が構成される。
【０００７】前記単一又は多チャンネルＭＲヘッド１３
又は１４において、磁気記録媒体と対接するギャップ３
からの信号磁束が前記磁気回路を流れることによって、
この磁気回路中のＭＲ膜７の抵抗値が、この信号磁束に
よる外部磁界に応じて変化する。そこで、従来は、ＭＲ
膜７にその抵抗変化を検出するためのセンス直流電流が
前記センス導体１０に流され、また前記バイアス導体５
には一定のバイアス磁界を発生させるバイアス電流とし
て直流電流が流される。このバイアス電流によりＭＲ膜
７は線形な動作状態となり、信号磁束に応じた抵抗変化
を示し、ＭＲ膜７の両端の電圧変化として出力される。
又は１４において、磁気記録媒体と対接するギャップ３
からの信号磁束が前記磁気回路を流れることによって、
この磁気回路中のＭＲ膜７の抵抗値が、この信号磁束に
よる外部磁界に応じて変化する。そこで、従来は、ＭＲ
膜７にその抵抗変化を検出するためのセンス直流電流が
前記センス導体１０に流され、また前記バイアス導体５
には一定のバイアス磁界を発生させるバイアス電流とし
て直流電流が流される。このバイアス電流によりＭＲ膜
７は線形な動作状態となり、信号磁束に応じた抵抗変化
を示し、ＭＲ膜７の両端の電圧変化として出力される。
【０００８】ところで、高再生出力という利点を有する
前記ＭＲヘッドを用いて、回転ドラム型磁気記録装置へ
の利用が望まれていたが、ロータリトランスを経由した
信号伝達が主体の回転ドラム型磁気記録装置において
は、バイアス電流やセンス電流の供給として直流伝達が
必要な前記ＭＲヘッドに対しては、スリップリング、ブ
ラッシ等の直流伝達に適した回転体の信号伝達方式を用
いざるを得なかった。そのため、高価になると共に機器
の小型化も困難であった。そこで、回転ドラムの中に、
ロータリトランスから得た交流を安定直流に変換する集
積回路を搭載してバイアス電流を供給する方法も考えら
れるが、高価であって現実的でない。
前記ＭＲヘッドを用いて、回転ドラム型磁気記録装置へ
の利用が望まれていたが、ロータリトランスを経由した
信号伝達が主体の回転ドラム型磁気記録装置において
は、バイアス電流やセンス電流の供給として直流伝達が
必要な前記ＭＲヘッドに対しては、スリップリング、ブ
ラッシ等の直流伝達に適した回転体の信号伝達方式を用
いざるを得なかった。そのため、高価になると共に機器
の小型化も困難であった。そこで、回転ドラムの中に、
ロータリトランスから得た交流を安定直流に変換する集
積回路を搭載してバイアス電流を供給する方法も考えら
れるが、高価であって現実的でない。
【０００９】しかし、ＭＲヘッドは媒体速度を遅くして
も高出力が得られるので、回転ドラム型磁気記録装置に
用いると、テープとの相対速度を小さくできるという利
点を有する。この点、従来の回転ドラム型磁気記録装置
では高画質を目指すほど記録信号の転送速度を大きくせ
ざるを得ず、デジタルＶＴＲにおいては、１０〜数十Ｍ
ｂｐｓ程度の転送速度が使われることが多い。
も高出力が得られるので、回転ドラム型磁気記録装置に
用いると、テープとの相対速度を小さくできるという利
点を有する。この点、従来の回転ドラム型磁気記録装置
では高画質を目指すほど記録信号の転送速度を大きくせ
ざるを得ず、デジタルＶＴＲにおいては、１０〜数十Ｍ
ｂｐｓ程度の転送速度が使われることが多い。
【００１０】しかも、テープとヘッド間の相対速度を小
さくして、テープ・ヘッド間の摩耗を少なくし、ドラム
の回転音を小さくし、さらには高速回転が要求するドラ
ム機械精度を緩和してテープ・ヘッド間のトラッキング
精度を維持したままで低価格を図りたいという要求は、
前記転送速度を大きくするということと相反することに
なる。
さくして、テープ・ヘッド間の摩耗を少なくし、ドラム
の回転音を小さくし、さらには高速回転が要求するドラ
ム機械精度を緩和してテープ・ヘッド間のトラッキング
精度を維持したままで低価格を図りたいという要求は、
前記転送速度を大きくするということと相反することに
なる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記ＭＲヘ
ッドの利点を生かし、ロータリトランスを容易に用いる
ことができるＭＲヘッドを提供し、高再生出力が得られ
るＶＴＲヘッドを実現する点にある。合わせてインダク
ティブでは、狭トラック密度になる程、実現不可能な多
チャンネルのＭＲヘッドを提供するものである。
ッドの利点を生かし、ロータリトランスを容易に用いる
ことができるＭＲヘッドを提供し、高再生出力が得られ
るＶＴＲヘッドを実現する点にある。合わせてインダク
ティブでは、狭トラック密度になる程、実現不可能な多
チャンネルのＭＲヘッドを提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは、バイアス導体及びセンス導体を備えた回転
ドラム搭載用磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置において、
該バイアス導体及びセンス導体と繋がるロータリトラン
スを備え、該ロータリトランスのロータチャンネルと対
向するステータチャンネルの少なくとも一つに、記録信
号周波数よりも低い周波数の交流電流を印加する。そし
て、前記バイアス導体及び前記センス導体の少なくとも
一方に、前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドが記録信号を再
生する必要のない時間領域においてのみ、前記磁気抵抗
効果型磁気ヘッドと接続されたロータリトランスのロー
タ側端子に非直流を生起させ、記録信号を再生する必要
のある時間領域には、ロータ側端子に直流を生起させる
電流をロータリトランスのステータ側に印加する。一例
として、前記バイアス導体が２本の独立したバイアス導
体からなり、各２本のバイアス導体に流れる交流電流の
和が直流に近い電流になるような電流をロータリトラン
スのステータ側から印加する。
気ヘッドは、バイアス導体及びセンス導体を備えた回転
ドラム搭載用磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置において、
該バイアス導体及びセンス導体と繋がるロータリトラン
スを備え、該ロータリトランスのロータチャンネルと対
向するステータチャンネルの少なくとも一つに、記録信
号周波数よりも低い周波数の交流電流を印加する。そし
て、前記バイアス導体及び前記センス導体の少なくとも
一方に、前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドが記録信号を再
生する必要のない時間領域においてのみ、前記磁気抵抗
効果型磁気ヘッドと接続されたロータリトランスのロー
タ側端子に非直流を生起させ、記録信号を再生する必要
のある時間領域には、ロータ側端子に直流を生起させる
電流をロータリトランスのステータ側に印加する。一例
として、前記バイアス導体が２本の独立したバイアス導
体からなり、各２本のバイアス導体に流れる交流電流の
和が直流に近い電流になるような電流をロータリトラン
スのステータ側から印加する。
【００１３】さらに他の構成として、バイアス導体を備
えず、センス導体のみを備えた回転ドラム搭載用磁気抵
抗効果型磁気ヘッド装置において、該センス導体と繋が
るロータリトランスを備え、該ロータリトランスのロー
タチャンネルと対向するステータチャンネルの少なくと
も一つに、記録信号周波数よりも低い周波数の交流電流
を印加して実施することもできる。
えず、センス導体のみを備えた回転ドラム搭載用磁気抵
抗効果型磁気ヘッド装置において、該センス導体と繋が
るロータリトランスを備え、該ロータリトランスのロー
タチャンネルと対向するステータチャンネルの少なくと
も一つに、記録信号周波数よりも低い周波数の交流電流
を印加して実施することもできる。
【００１４】
【実施例】図１には、本発明の第１実施例のＭＲヘッド
の断面図及び一部分解斜視図を、図２には多チャンネル
ＭＲヘッド及び単一チャンネルＭＲヘッドの要部分解斜
視図を示している。図１及び図２において、前記図１１
〜図１４に示す構造のＭＲヘッドと同じ構成には同一符
号を付して説明する。
の断面図及び一部分解斜視図を、図２には多チャンネル
ＭＲヘッド及び単一チャンネルＭＲヘッドの要部分解斜
視図を示している。図１及び図２において、前記図１１
〜図１４に示す構造のＭＲヘッドと同じ構成には同一符
号を付して説明する。
【００１５】この実施例の特徴は、ＭＲ膜７の下部に存
在するバイアス導体が独立した２本の第１バイアス導体
５ａ及び第２バイアス導体５ｂからなっている。これら
のバイアス導体は絶縁膜６で取り巻かれて相互に絶縁さ
れて設けられている。さらに前記第１バイアス導体５ａ
の両端部は、前記絶縁膜６に形成した穴を介して第１バ
イアス導体端子５ｅ及び５ｆ、第２バイアス導体端子５
ｇ及び５ｈが臨んでいる。
在するバイアス導体が独立した２本の第１バイアス導体
５ａ及び第２バイアス導体５ｂからなっている。これら
のバイアス導体は絶縁膜６で取り巻かれて相互に絶縁さ
れて設けられている。さらに前記第１バイアス導体５ａ
の両端部は、前記絶縁膜６に形成した穴を介して第１バ
イアス導体端子５ｅ及び５ｆ、第２バイアス導体端子５
ｇ及び５ｈが臨んでいる。
【００１６】この実施例においては、ＭＲインダクティ
ブ複合磁気ヘッドとするために、記録ヘッド用磁気コア
１７及び記録ヘッド用磁気コア１７に形成した平坦な突
出部１７ａを取り巻く記録ヘッドコイル１６を設けた基
板構造を備えている。そして、本発明は、前記２本の第
１バイアス導体５ａ及び第２バイアス導体５ｂに、その
和が時間軸上でほぼ直流になるような位相のずれた交流
電流をそれぞれ加えることを特徴とするものである。
ブ複合磁気ヘッドとするために、記録ヘッド用磁気コア
１７及び記録ヘッド用磁気コア１７に形成した平坦な突
出部１７ａを取り巻く記録ヘッドコイル１６を設けた基
板構造を備えている。そして、本発明は、前記２本の第
１バイアス導体５ａ及び第２バイアス導体５ｂに、その
和が時間軸上でほぼ直流になるような位相のずれた交流
電流をそれぞれ加えることを特徴とするものである。
【００１７】以下、前記第１バイアス導体５ａ及び第２
バイアス５ｂに加える交流電流について詳述する。図１
及び図２において、第１バイアス導体５ａに流す電流を
ｆ（θ）、第２バイアス導体５ｂに流す電流をｇ（θ）
とすると、ｆ（θ）＋ｇ（θ）＝ａ／π（定数）となる
ような電流を選ぶ。ここでθ＝２πｆｔ（ｆは前記バイ
アス電流の周波数、ｔは時間である）で、バイアス電流
周波数ｆは、記録信号周波数よりも低い周波数に選定す
る。
バイアス５ｂに加える交流電流について詳述する。図１
及び図２において、第１バイアス導体５ａに流す電流を
ｆ（θ）、第２バイアス導体５ｂに流す電流をｇ（θ）
とすると、ｆ（θ）＋ｇ（θ）＝ａ／π（定数）となる
ような電流を選ぶ。ここでθ＝２πｆｔ（ｆは前記バイ
アス電流の周波数、ｔは時間である）で、バイアス電流
周波数ｆは、記録信号周波数よりも低い周波数に選定す
る。
【００１８】例えば、ｆ（θ）＝ａ／π＋ａｓｉｎθ、
ｇ（θ）＝ａｓｉｎ（θ＋π）とすると、ｆ（θ）＋ｇ
（θ）＝ａ／πとなり、前記第１バイアス導体５ａ及び
第２バイアス導体５ｂに流れる電流の和として直流を流
すことと同等となる。
ｇ（θ）＝ａｓｉｎ（θ＋π）とすると、ｆ（θ）＋ｇ
（θ）＝ａ／πとなり、前記第１バイアス導体５ａ及び
第２バイアス導体５ｂに流れる電流の和として直流を流
すことと同等となる。
【００１９】このようなバイアス電流ｆ（θ）、ｇ
（θ）を、ロータリトランスのステータ側からロータを
経由して、ＭＲヘッドの前記２つのバイアス導体５ａ及
び５ｂに流すために必要な、ロータリトランスのステー
タ側への供給電流は、ｆ（θ）、ｇ（θ）の積分形とし
て、 ∫ｆ（θ）ｄθ＝Ｆ（θ）＝（ａ／π）θ−ａｃｏｓθ＋ｃ ∫ｇ（θ）ｄθ＝Ｇ（θ）＝ａｃｏｓθ＋ｃ’ で表される。
（θ）を、ロータリトランスのステータ側からロータを
経由して、ＭＲヘッドの前記２つのバイアス導体５ａ及
び５ｂに流すために必要な、ロータリトランスのステー
タ側への供給電流は、ｆ（θ）、ｇ（θ）の積分形とし
て、 ∫ｆ（θ）ｄθ＝Ｆ（θ）＝（ａ／π）θ−ａｃｏｓθ＋ｃ ∫ｇ（θ）ｄθ＝Ｇ（θ）＝ａｃｏｓθ＋ｃ’ で表される。
【００２０】図８の（Ａ）にｆ（θ）、ｇ（θ）及びｆ
（θ）＋ｇ（θ）の波形を、図８の（Ｂ）及び図８の
（Ｃ）にｆ（θ）及びｇ（θ）の積分形Ｆ（θ）及びＧ
（θ）の波形を示している。
（θ）＋ｇ（θ）の波形を、図８の（Ｂ）及び図８の
（Ｃ）にｆ（θ）及びｇ（θ）の積分形Ｆ（θ）及びＧ
（θ）の波形を示している。
【００２１】前記第１バイアス導体５ａに流す電流ｆ
（θ）を供給するロータリトランスのステータ側には、
Ｆ（θ）＝（ａ／π）θ−ａｃｏｓθ＋Ｋ（ｃ＝Ｋ）で
示される電流を供給するが、ここでＫはθ＝２ｎπから
２（ｎ＋１）πの間において、Ｋ＝−２ａｎの定数（ｎ
は整数）を取るようにし、時間軸上では図７の（Ｂ）に
示すように、三角形の波形（ａ／π）θ＋Ｋとコサイン
波形（−ａｃｏｓθ）との和となる。
（θ）を供給するロータリトランスのステータ側には、
Ｆ（θ）＝（ａ／π）θ−ａｃｏｓθ＋Ｋ（ｃ＝Ｋ）で
示される電流を供給するが、ここでＫはθ＝２ｎπから
２（ｎ＋１）πの間において、Ｋ＝−２ａｎの定数（ｎ
は整数）を取るようにし、時間軸上では図７の（Ｂ）に
示すように、三角形の波形（ａ／π）θ＋Ｋとコサイン
波形（−ａｃｏｓθ）との和となる。
【００２２】図８の（Ｂ）において、三角形の波形（ａ
／π）θ＋Ｋが急変するポイント即ち２π及び４πなど
の角度θを与える瞬間は、波形が実回路上では鈍り易い
ので、ＶＴＲの回転ドラム上でＭＲヘッドが信号を出さ
なくても問題のない時間と対応させる。即ち、回転ドラ
ムのテープ巻き付け角以外の時間と対応させることによ
り、実用上は、両バイアス導体に流す電流の和として平
坦な直流を印加することができる。
／π）θ＋Ｋが急変するポイント即ち２π及び４πなど
の角度θを与える瞬間は、波形が実回路上では鈍り易い
ので、ＶＴＲの回転ドラム上でＭＲヘッドが信号を出さ
なくても問題のない時間と対応させる。即ち、回転ドラ
ムのテープ巻き付け角以外の時間と対応させることによ
り、実用上は、両バイアス導体に流す電流の和として平
坦な直流を印加することができる。
【００２３】次に、第２バイアス導体５ｂにつながるロ
ータリトランスのステータ側には、図７の（Ｃ）に示し
たＧ（θ）＝ａｃｏｓθが印加される。ここでは波形の
一例を示したが、基本的には、第１バイアス導体５ａと
第２バイアス導体５ｂに流れる電流の和が直流となるよ
うに選択する。
ータリトランスのステータ側には、図７の（Ｃ）に示し
たＧ（θ）＝ａｃｏｓθが印加される。ここでは波形の
一例を示したが、基本的には、第１バイアス導体５ａと
第２バイアス導体５ｂに流れる電流の和が直流となるよ
うに選択する。
【００２４】次に、センス電流については、図１のヨー
ク型ＭＲヘッドにおいて、センス導体１０→上層ヨーク
８ａ→ＭＲ膜７→上層ヨーク８ｂの経路を経て微弱電流
が流され、数百Å厚のＭＲ膜７における抵抗変化をＭＲ
ヘッドの再生出力とする。
ク型ＭＲヘッドにおいて、センス導体１０→上層ヨーク
８ａ→ＭＲ膜７→上層ヨーク８ｂの経路を経て微弱電流
が流され、数百Å厚のＭＲ膜７における抵抗変化をＭＲ
ヘッドの再生出力とする。
【００２５】この時、センス電流を負荷変動に影響され
ない程度に安定な交流として供給するケースについて図
９の波形図に基づいて説明する。ＭＲ膜７へ供給される
センス電流を、例えば、前記第１バイアス導体５ａに流
れる電流ｆ（θ）の１／５程度の電流ｉs （θ）を用い
ると、ｉs （θ）＝（ａ／５π）＋（ａ／５）ｓｉｎθ
で表される（図８のＡ）。
ない程度に安定な交流として供給するケースについて図
９の波形図に基づいて説明する。ＭＲ膜７へ供給される
センス電流を、例えば、前記第１バイアス導体５ａに流
れる電流ｆ（θ）の１／５程度の電流ｉs （θ）を用い
ると、ｉs （θ）＝（ａ／５π）＋（ａ／５）ｓｉｎθ
で表される（図８のＡ）。
【００２６】この時のＭＲ膜７の両端子の電圧は、ＶM
＝ｉs （θ）・ＲM ・・ ここでＲM は磁化を感知しない時のＭＲ膜７の抵抗であ
る。磁気テープへの記録電流波形が図９の（Ｂ）で表さ
れる時、図９の（Ａ）の電流波形のθ軸上の位置と対応
させて、テープ上の磁化パターンを示すと、図９の
（Ｃ）のようになる。なお、θ＝２πｆｔにより、時間
軸上の位置に変換され、テープ・ヘッド間の相対速度を
ｖとすると、ｘ＝ｖｔによりテープ上の位置との対応が
決められる。なお、ｆはセンス電流の周波数であって、
記録信号周波数よりも低い周波数に選定する。
＝ｉs （θ）・ＲM ・・ ここでＲM は磁化を感知しない時のＭＲ膜７の抵抗であ
る。磁気テープへの記録電流波形が図９の（Ｂ）で表さ
れる時、図９の（Ａ）の電流波形のθ軸上の位置と対応
させて、テープ上の磁化パターンを示すと、図９の
（Ｃ）のようになる。なお、θ＝２πｆｔにより、時間
軸上の位置に変換され、テープ・ヘッド間の相対速度を
ｖとすると、ｘ＝ｖｔによりテープ上の位置との対応が
決められる。なお、ｆはセンス電流の周波数であって、
記録信号周波数よりも低い周波数に選定する。
【００２７】更に、テープ上の磁束密度、ＭＲヘッドの
両端子に誘起する電圧を示すと、それぞれ図９の
（Ｄ）、図９の（Ｅ）となる。従って、記録媒体から信
号を再生する時のＭＲ膜７の両端子間に発生する電圧
は、図８の（Ｆ）のように、 ＶM ’＝ＶM ＋Ｖm ＝ｉs （θ）・ＲM ＋Ｖm （θ）・
・ で表される。
両端子に誘起する電圧を示すと、それぞれ図９の
（Ｄ）、図９の（Ｅ）となる。従って、記録媒体から信
号を再生する時のＭＲ膜７の両端子間に発生する電圧
は、図８の（Ｆ）のように、 ＶM ’＝ＶM ＋Ｖm ＝ｉs （θ）・ＲM ＋Ｖm （θ）・
・ で表される。
【００２８】ところで、図７に示すように、ＭＲヘッド
７の端子は、ロータリトランス２０のローター側端子Ｔ
１及びＴ２に接続されており、ステーター側端子Ｔ３、
Ｔ４間の端子電圧と、センシング電流供給電源端子電圧
の差により、テープ上の磁化変動を検出する。即ち、前
記式と式のステータ側における差を検出して、信号
磁束に応じた抵抗変化によるＭＲヘッド７の両端の電圧
変化をロータリトランス２０を介して出力を取り出すこ
とができる。このロータリトランス２０の結線は単一チ
ャンネルの結線であるが、出力信号の取り出し方は、単
一チャンネルでも多チャンネルでも基本的に変わるとこ
ろはない。
７の端子は、ロータリトランス２０のローター側端子Ｔ
１及びＴ２に接続されており、ステーター側端子Ｔ３、
Ｔ４間の端子電圧と、センシング電流供給電源端子電圧
の差により、テープ上の磁化変動を検出する。即ち、前
記式と式のステータ側における差を検出して、信号
磁束に応じた抵抗変化によるＭＲヘッド７の両端の電圧
変化をロータリトランス２０を介して出力を取り出すこ
とができる。このロータリトランス２０の結線は単一チ
ャンネルの結線であるが、出力信号の取り出し方は、単
一チャンネルでも多チャンネルでも基本的に変わるとこ
ろはない。
【００２９】図５の（Ａ）には４個の単一チャンネルＭ
Ｒヘッド２１を回転ドラムに搭載して４チャンネルのＭ
Ｒヘッドを構成した場合と、図５の（Ｂ）にはＭＲヘッ
ドを４個集積化して構成した多チャンネルＭＲヘッド２
２とのロータリトランス２０の結線図を示している。２
３は電源であって、第１及び第２バイアス導体端子及び
チャンネル１〜４のセンス電流端子を備え、６チャンネ
ル構成のロータリトランスとなっている。
Ｒヘッド２１を回転ドラムに搭載して４チャンネルのＭ
Ｒヘッドを構成した場合と、図５の（Ｂ）にはＭＲヘッ
ドを４個集積化して構成した多チャンネルＭＲヘッド２
２とのロータリトランス２０の結線図を示している。２
３は電源であって、第１及び第２バイアス導体端子及び
チャンネル１〜４のセンス電流端子を備え、６チャンネ
ル構成のロータリトランスとなっている。
【００３０】次に実施例２を説明する。この実施例にお
いては、前記第１バイアス導体５ａ及び第２バイアス導
体５ｂに流すバイアス電流波形は、前記実施例１と同一
の波形（図９）を用い、センス電流として安定な直流を
供給する。以下図１０に示す波形図を用いて説明する。
図１０の（Ａ）は、ＭＲ膜７への供給センス電流ｉS
（θ）を示す。この時のロータリトランスのステーター
側に供給すべき電流Ｉ（θ）は、センス電流ｉS（θ）
＝ａ／５なる定数（直流）の時、図１０の（Ｇ）に示す
ように、その積分形である∫ｉS （θ）ｄθ＝Ｉ（θ）
＝（ａ／５）θ＋Ｋ１で表されるような三角波である。
ここで、２ｎπ＜θ＜２（ｎ＋１）πにおいて、Ｋ１＝
−（２／５）ａπｎ（ｎは整数）である。
いては、前記第１バイアス導体５ａ及び第２バイアス導
体５ｂに流すバイアス電流波形は、前記実施例１と同一
の波形（図９）を用い、センス電流として安定な直流を
供給する。以下図１０に示す波形図を用いて説明する。
図１０の（Ａ）は、ＭＲ膜７への供給センス電流ｉS
（θ）を示す。この時のロータリトランスのステーター
側に供給すべき電流Ｉ（θ）は、センス電流ｉS（θ）
＝ａ／５なる定数（直流）の時、図１０の（Ｇ）に示す
ように、その積分形である∫ｉS （θ）ｄθ＝Ｉ（θ）
＝（ａ／５）θ＋Ｋ１で表されるような三角波である。
ここで、２ｎπ＜θ＜２（ｎ＋１）πにおいて、Ｋ１＝
−（２／５）ａπｎ（ｎは整数）である。
【００３１】なお、θ＝２ｎπにおいては、Ｉ（θ）は
０となるので、θ＝２ｎπなる時点ではＭＲヘッドが回
転ドラム上でテープと接触しないようにして、信号がオ
フとなってもよい時間帯を選ぶ。この点は、前記実施例
１と同様である。
０となるので、θ＝２ｎπなる時点ではＭＲヘッドが回
転ドラム上でテープと接触しないようにして、信号がオ
フとなってもよい時間帯を選ぶ。この点は、前記実施例
１と同様である。
【００３２】そして、図１０の（Ｃ）に示す磁化パター
ンを再生する時に、ＭＲ膜７の端子に発生する電圧は、
図１０の（Ｆ）に示す波形図であって、Ｖ’M ＝ｉS
（θ）・ＲM ＋Ｖm （θ）＝（ａ／５）ＲM ＋Ｖm
（θ）で表される。ここで、ＲM はテープ上の磁化を感
知しない時のＭＲ膜７の抵抗、Ｖm （θ）は磁化により
ＭＲ膜７に誘起する電圧である。
ンを再生する時に、ＭＲ膜７の端子に発生する電圧は、
図１０の（Ｆ）に示す波形図であって、Ｖ’M ＝ｉS
（θ）・ＲM ＋Ｖm （θ）＝（ａ／５）ＲM ＋Ｖm
（θ）で表される。ここで、ＲM はテープ上の磁化を感
知しない時のＭＲ膜７の抵抗、Ｖm （θ）は磁化により
ＭＲ膜７に誘起する電圧である。
【００３３】そして、ＭＲ膜７にセンス電流ｉS （θ）
＝ａ／５を流す時のＭＲ膜端子電圧ＶM ＝（ａ／５）Ｒ
M とＶ’M ＝（ａ／５）ＲM ＋Ｖm （θ）との差をロー
タリトランスのステーター側で検知して出力とする。こ
の点は前記実施例１と変わらない。
＝ａ／５を流す時のＭＲ膜端子電圧ＶM ＝（ａ／５）Ｒ
M とＶ’M ＝（ａ／５）ＲM ＋Ｖm （θ）との差をロー
タリトランスのステーター側で検知して出力とする。こ
の点は前記実施例１と変わらない。
【００３４】次に、実施例３について図３に示すシール
ド型ＭＲヘッド基づいて説明する。図３の（Ａ）は要部
平面図、図３の（Ｂ）は図３の（Ａ）のＪーＪ’断面
図、図３の（Ｃ）は要部分解図を示す。図３には、２つ
の磁気シールド材の中間に、ＭＲ膜、１個の共通バイア
ス導体を配した多チャンネルシールド型ＭＲヘッドを示
す。
ド型ＭＲヘッド基づいて説明する。図３の（Ａ）は要部
平面図、図３の（Ｂ）は図３の（Ａ）のＪーＪ’断面
図、図３の（Ｃ）は要部分解図を示す。図３には、２つ
の磁気シールド材の中間に、ＭＲ膜、１個の共通バイア
ス導体を配した多チャンネルシールド型ＭＲヘッドを示
す。
【００３５】図３において、２４は第１磁気シールド
材、２５は第２磁気シールド材、２６ａ及び２６ｂはフ
ラックスガイド、２７はＭＲ膜、２８はバイアス導体、
２９及び３０はセンス導体である。この構成自体は、特
別の構成でなく一般的な構成のシールド型ＭＲヘッドで
ある。以下の説明において、多チャンネルＭＲヘッドで
も単一チャンネルＭＲヘッドでも基本的にかわるところ
はない。
材、２５は第２磁気シールド材、２６ａ及び２６ｂはフ
ラックスガイド、２７はＭＲ膜、２８はバイアス導体、
２９及び３０はセンス導体である。この構成自体は、特
別の構成でなく一般的な構成のシールド型ＭＲヘッドで
ある。以下の説明において、多チャンネルＭＲヘッドで
も単一チャンネルＭＲヘッドでも基本的にかわるところ
はない。
【００３６】図３のシールド型ＭＲヘッドにおいて、バ
イアス導体２８に繋がるロータリトランスのステーター
側にＺ（θ）＝（ａ／π）θ＋Ｋの波形の電流を供給す
る。ここで、２ｎπ＜θ＜２（ｎ＋１）πにおいて、Ｋ
＝−２ａｎ（ｎは整数、ａ、Ｋは定数）である。
イアス導体２８に繋がるロータリトランスのステーター
側にＺ（θ）＝（ａ／π）θ＋Ｋの波形の電流を供給す
る。ここで、２ｎπ＜θ＜２（ｎ＋１）πにおいて、Ｋ
＝−２ａｎ（ｎは整数、ａ、Ｋは定数）である。
【００３７】一方、各チャンネルのヘッドのＭＲ膜２７
のセンス導体につながるローター側チャンネルに対応す
るロータリトランスのステーター側チャンネルに、Ｗ
（θ）＝（ａ／５）θ＋Ｋなる波形の電流を供給する。
ここで、２ｎπ＜θ＜２（ｎ＋１）πにおいて、Ｋ＝−
（２／５）ａπｎ （ｎは整数、ａ、Ｋ1 は定数）であ
る。
のセンス導体につながるローター側チャンネルに対応す
るロータリトランスのステーター側チャンネルに、Ｗ
（θ）＝（ａ／５）θ＋Ｋなる波形の電流を供給する。
ここで、２ｎπ＜θ＜２（ｎ＋１）πにおいて、Ｋ＝−
（２／５）ａπｎ （ｎは整数、ａ、Ｋ1 は定数）であ
る。
【００３８】この実施例の場合も、θ＝２ｎπ（ｎは整
数）となる時点を、ヘッドがテープより離間して、信号
出力を必要としない時間帯に一致させることにより、回
転ドラム上にＭＲヘッドを搭載し、ＶＴＲ用信号出力を
テープより再生する。この実施例においては、２０ＭＨ
ｚにおいて、３５ｄＢ以上のＣ／Ｎを得た。
数）となる時点を、ヘッドがテープより離間して、信号
出力を必要としない時間帯に一致させることにより、回
転ドラム上にＭＲヘッドを搭載し、ＶＴＲ用信号出力を
テープより再生する。この実施例においては、２０ＭＨ
ｚにおいて、３５ｄＢ以上のＣ／Ｎを得た。
【００３９】一方、従来法に従ってバイアス電流、セン
ス電流ともロータ側で直流となる時間帯を含む波形であ
っても、電流波形の変化タイミングが、テープ信号再生
時期と重複する時間帯にある場合は、記録信号とは関係
のない出力を受けてＣ／Ｎは２０ＭＨｚにおいて１０ｄ
Ｂ以下であった。このようにこの実施例においては、Ｃ
／Ｎに格段の向上が見られた。
ス電流ともロータ側で直流となる時間帯を含む波形であ
っても、電流波形の変化タイミングが、テープ信号再生
時期と重複する時間帯にある場合は、記録信号とは関係
のない出力を受けてＣ／Ｎは２０ＭＨｚにおいて１０ｄ
Ｂ以下であった。このようにこの実施例においては、Ｃ
／Ｎに格段の向上が見られた。
【００４０】この実施例におけるバイアス電流、センス
電流の供給の仕方は、バイアス導体が一個の構成のＭＲ
ヘッドであれば実施可能であるので、前記シールド型Ｍ
Ｒヘッドに限らず、図１１乃至図１３に示すヨーク型Ｍ
Ｒヘッドにもそのまま適用することができる。
電流の供給の仕方は、バイアス導体が一個の構成のＭＲ
ヘッドであれば実施可能であるので、前記シールド型Ｍ
Ｒヘッドに限らず、図１１乃至図１３に示すヨーク型Ｍ
Ｒヘッドにもそのまま適用することができる。
【００４１】図６の（Ａ）には、単一ＭＲヘッド３１を
回転ドラムに４個搭載した際のロータリトランス３２と
の結線図を、図６の（Ｂ）には、４個のＭＲヘッドを集
積化して構成した多チャンネルＭＲヘッド３３を回転ド
ラムに搭載する際のロータリトランス３２との結線図で
あって、電源３４側はいずれも独立した１個のバイアス
電流供給端子と４チャンネル分のセンス端子を備え、５
チャンネル構成のロータリトランスとなっている。
回転ドラムに４個搭載した際のロータリトランス３２と
の結線図を、図６の（Ｂ）には、４個のＭＲヘッドを集
積化して構成した多チャンネルＭＲヘッド３３を回転ド
ラムに搭載する際のロータリトランス３２との結線図で
あって、電源３４側はいずれも独立した１個のバイアス
電流供給端子と４チャンネル分のセンス端子を備え、５
チャンネル構成のロータリトランスとなっている。
【００４２】次に、他の実施例として、ソフトフィルム
バイアス磁気抵抗型ヘッド、バーバーポール型磁気抵抗
効果型ヘッド、シャントバイアス式磁気抵抗効果型ヘッ
ド等の独立したバイアス導体を有せず、センス電流供給
導体のみを有して、ＭＲ膜近傍で分流された導体あるい
はＭＲ膜近傍に配置された軟磁性膜、高磁性膜によりバ
イアス磁界をＭＲ膜に与える方式の磁気抵抗効果型ヘッ
ドに適用しても本発明は有効である。
バイアス磁気抵抗型ヘッド、バーバーポール型磁気抵抗
効果型ヘッド、シャントバイアス式磁気抵抗効果型ヘッ
ド等の独立したバイアス導体を有せず、センス電流供給
導体のみを有して、ＭＲ膜近傍で分流された導体あるい
はＭＲ膜近傍に配置された軟磁性膜、高磁性膜によりバ
イアス磁界をＭＲ膜に与える方式の磁気抵抗効果型ヘッ
ドに適用しても本発明は有効である。
【００４３】図４には、ソフトフィルムバイアス磁気抵
抗効果型ヘッドの一例を示している。図４において、３
５は非磁性基板で、該非磁性基板上にＣｏＺｒＭｏ合金
からなるソフトバイアス膜３６、Ｔａ（タンタル）等か
らなる非磁性の磁気的分離膜３７、ＦｅＮｉ等からなる
ＭＲ膜３８が順次積層されて３層構造をなしている。さ
らにＭＲ膜３８の両側にはＦｅＭｎ等からなる一対のア
ンチフェロ膜３９ａ及び３９ｂが積層され、これらアン
チフェロ膜３９ａ及び３９ｂ上及び前記３層構造の側面
にセンス導体４０ａ及び４０ｂが被着され、前記非磁性
基板３５上に引き出されている。
抗効果型ヘッドの一例を示している。図４において、３
５は非磁性基板で、該非磁性基板上にＣｏＺｒＭｏ合金
からなるソフトバイアス膜３６、Ｔａ（タンタル）等か
らなる非磁性の磁気的分離膜３７、ＦｅＮｉ等からなる
ＭＲ膜３８が順次積層されて３層構造をなしている。さ
らにＭＲ膜３８の両側にはＦｅＭｎ等からなる一対のア
ンチフェロ膜３９ａ及び３９ｂが積層され、これらアン
チフェロ膜３９ａ及び３９ｂ上及び前記３層構造の側面
にセンス導体４０ａ及び４０ｂが被着され、前記非磁性
基板３５上に引き出されている。
【００４４】前記構成のソフトフィルムバイアス磁気抵
抗効果型ヘッドは、前記ＭＲ膜３８に前記センス導体４
０ａ及び４０ｂを流れると、ＭＲ膜３８の周囲に磁場が
発生し、該磁場が前記ソフトバイアス膜３６の磁化方向
を変化させ、このソフトバイアス膜３６から出る磁束が
ＭＲ膜３８にバイアス磁場として働くものである。
抗効果型ヘッドは、前記ＭＲ膜３８に前記センス導体４
０ａ及び４０ｂを流れると、ＭＲ膜３８の周囲に磁場が
発生し、該磁場が前記ソフトバイアス膜３６の磁化方向
を変化させ、このソフトバイアス膜３６から出る磁束が
ＭＲ膜３８にバイアス磁場として働くものである。
【００４５】このような構造のヘッドは前記したように
センス導体とは独立したバイアス導体は存在しないか
ら、ロータリトランスチャンネルもセンス電流を供給す
るチャンネルのみあれば良く、図５及び図６に示すよう
な、バイアス用のロータリトランスのチャンネルは不要
となる。このヘッドに本発明を適用する場合は、トータ
リトランスを介してセンス電流導体端子に直流センス電
流を供給するための原理は、前記第２の実施例と同様で
ある。
センス導体とは独立したバイアス導体は存在しないか
ら、ロータリトランスチャンネルもセンス電流を供給す
るチャンネルのみあれば良く、図５及び図６に示すよう
な、バイアス用のロータリトランスのチャンネルは不要
となる。このヘッドに本発明を適用する場合は、トータ
リトランスを介してセンス電流導体端子に直流センス電
流を供給するための原理は、前記第２の実施例と同様で
ある。
【００４６】
【発明の効果】以上、本発明によれば、 （１）特別の直流伝達機構を設けることなく、従来のロ
ータリトランスにバイアス電流供給用のローター及びス
テーターを設けるだけで、回転ドラム式ＶＴＲ用再生ヘ
ッドとして高出力のＭＲヘッドを得ることができる （２）多チャンネルＭＲヘッドとして回転ドラムに搭載
し、３５ｄＢ以上のＣ／ＮのＭＲヘッドを得ることがで
きる （３）インダクティブヘッドでは狭トラック密度になる
程実現不可能な数の多チャンネルヘッド付き回転ドラム
を作製することができる。 （４）本発明ＭＲヘッドにより、安価な高転送密度のＶ
ＴＲを供給できる。
ータリトランスにバイアス電流供給用のローター及びス
テーターを設けるだけで、回転ドラム式ＶＴＲ用再生ヘ
ッドとして高出力のＭＲヘッドを得ることができる （２）多チャンネルＭＲヘッドとして回転ドラムに搭載
し、３５ｄＢ以上のＣ／ＮのＭＲヘッドを得ることがで
きる （３）インダクティブヘッドでは狭トラック密度になる
程実現不可能な数の多チャンネルヘッド付き回転ドラム
を作製することができる。 （４）本発明ＭＲヘッドにより、安価な高転送密度のＶ
ＴＲを供給できる。
【図１】本発明第１実施例のヨーク型ＭＲヘッドの要部
断面図及び要部斜視図である。
断面図及び要部斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例におけるヨーク型多チャン
ネルＭＲヘッド及び単一チャンネルＭＴヘッドの要部斜
視図である。
ネルＭＲヘッド及び単一チャンネルＭＴヘッドの要部斜
視図である。
【図３】本発明の他の実施例におけるシールド型ＭＲヘ
ッドの説明図である。
ッドの説明図である。
【図４】本発明の他の実施例におけるソフトフィルムバ
イアス磁気抵抗効果型ヘッドの説明図である。
イアス磁気抵抗効果型ヘッドの説明図である。
【図５】本発明第１実施例におけるロータリトランスの
結線図である。
結線図である。
【図６】本発明の他の実施例におけるロータリトランス
の結線図である。
の結線図である。
【図７】ロータリトランスの入出力の説明図である。
【図８】本発明第１実施例のバイアス電流の波形図であ
る。
る。
【図９】本発明第１実施例の動作波形図である。
【図１０】本発明の他の実施例の動作波形図である。
【図１１】一般的なヨーク型単一チャンネルＭＲヘッド
の説明図である。
の説明図である。
【図１２】一般的なヨーク型多チャンネルＭＲヘッドの
要部断面図である。
要部断面図である。
【図１３】一般的なヨーク型多チャンネルＭＲヘッドの
要部斜視図である。
要部斜視図である。
【図１４】一般的なヨーク型多チャンネルＭＲヘッドの
分解図である。
分解図である。
２ 下層ヨーク ３ ギャップ ５ａ 第１バイアス導体 ５ｂ 第２バイアス導体 ７、２７、３８ ＭＲ膜 ８ａ、８ｂ 上層ヨーク １０、２９、３０、４０ａ、４０ｂ センス導体 ２０、３２ ロータリトランス ３６ ソフトバイアス膜 ３７ 磁気的分離膜 ３９ａ、３９ｂ アンチフェロ膜
Claims (7)
- 【請求項１】 バイアス導体及びセンス導体を備えた回
転ドラム搭載用磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置におい
て、該バイアス導体及びセンス導体と繋がるロータリト
ランスを備え、該ロータリトランスのロータチャンネル
と対向するステータチャンネルの少なくとも一つに、記
録信号周波数よりも低い周波数の交流を印加することを
特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置。 - 【請求項２】 前記バイアス導体及び前記センス導体の
少なくとも一方に、前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドが記
録信号を再生する必要のない時間領域においてのみ、前
記磁気抵抗効果型磁気ヘッドと接続されたロータリトラ
ンスのロータ側端子に非直流を生起させ、記録信号を再
生する必要のある時間領域には、ロータ側端子に直流を
生起させる電流をロータリトランスのステータ側に印加
することを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド装置。 - 【請求項３】 前記バイアス導体が２本の独立したバイ
アス導体からなり、各２本のバイアス導体に流れる交流
電流の和が直流に近い電流であることを特徴とする請求
項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置。 - 【請求項４】 回転ドラムに搭載した複数チャンネルの
磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、前記複数チャンネルと対
応する複数のロータチャンネル及び複数のステータチャ
ンネルからなるロータリトランスを備えることを特徴と
する請求項１、又は２又は３記載の磁気抵効果型磁気ヘ
ッド装置。 - 【請求項５】 センス導体を備えた回転ドラム搭載用磁
気抵抗効果型磁気ヘッド装置において、該センス導体と
繋がるロータリトランスを備え、該ロータリトランスの
ロータチャンネルと対向するステータチャンネルの少な
くとも一つに、記録信号周波数よりも低い周波数の交流
を印加することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置。 - 【請求項６】 前記センス導体に、前記磁気抵抗効果型
磁気ヘッドが記録信号を再生する必要のない時間領域に
おいてのみ、前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドと接続され
たロータリトランスのロータ側端子に非直流を生起さ
せ、記録信号を再生する必要のある時間領域には、ロー
タ側端子に直流を生起させる電流をロータリトランスの
ステータ側に印加することを特徴とする請求項４記載の
磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置。 - 【請求項７】 回転ドラムに搭載した複数チャンネルの
磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、前記複数チャンネルと対
応する複数のロータチャンネル及び複数のステータチャ
ンネルからなるロータリトランスを備えることを特徴と
する請求項５又は６記載の磁気抵効果型磁気ヘッド装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254590A JPH0896303A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置 |
| US08/530,992 US5648886A (en) | 1994-09-22 | 1995-09-20 | Magneto-resistance effect type magnetic head device |
| US08/828,561 US5734532A (en) | 1994-09-22 | 1997-03-31 | Magneto-resistive effect type magnetic head device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254590A JPH0896303A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0896303A true JPH0896303A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17267162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6254590A Pending JPH0896303A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5648886A (ja) |
| JP (1) | JPH0896303A (ja) |
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-
1994
- 1994-09-22 JP JP6254590A patent/JPH0896303A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-20 US US08/530,992 patent/US5648886A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-31 US US08/828,561 patent/US5734532A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5648886A (en) | 1997-07-15 |
| US5734532A (en) | 1998-03-31 |
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