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JPH08329525A - 情報記録媒体および情報メモリー装置 - Google Patents

情報記録媒体および情報メモリー装置

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Publication number
JPH08329525A
JPH08329525A JP8069712A JP6971296A JPH08329525A JP H08329525 A JPH08329525 A JP H08329525A JP 8069712 A JP8069712 A JP 8069712A JP 6971296 A JP6971296 A JP 6971296A JP H08329525 A JPH08329525 A JP H08329525A
Authority
JP
Japan
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layer
information recording
recording medium
reflective layer
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8069712A
Other languages
English (en)
Inventor
Akemi Hirotsune
朱美 廣常
Motoyasu Terao
元康 寺尾
Yasushi Miyauchi
靖 宮内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Maxell Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP8069712A priority Critical patent/JPH08329525A/ja
Publication of JPH08329525A publication Critical patent/JPH08329525A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】良好な記録・再生特性または超解像読みだし特
性を保持しながら、従来より多数回の書き換えまたは超
解像読みだしを可能にする。 【解決手段】反射層５，６を２層にした構造にすること
で、多数回の書き換えまたは超解像読みだしを行なった
際の反射率レベルの変動等を抑え、多数回の書き換えま
たは超解像読みだしを可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、光学的に情報を
記録再生するための光ディスク及びその応用分野に属す
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情
報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜
材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニ
ングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用す
るものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚の
ディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情
報記録媒体が得られるという長所を持つ。また、ＧｅＳ
ｂＴｅ系等の記録膜では、情報の書き換えを行なうこと
ができる利点がある。
【０００３】しかし、この種の記録膜では、高密度化を
行なうための、サンプルサーボ方式、マークエッジ記録
などで１０4回を越える多数回の書き換えを行なうと、
記録膜の流動により記録膜膜厚が変化し、再生信号波形
に歪みが生じる。記録膜の流動は、記録時のレーザ照射
により、記録膜が流動し、保護層や中間層の熱膨張によ
る変形により、記録膜が少しずつ押されて生じる。
【０００４】例えば、文献１ 『T.Ohta et al."Optica
l Data Strage" '89 Proc.SPIE, 1078,27(1989)』に
は、記録膜を薄くして熱容量を下げ、且つ隣接する層と
の付着力の影響が大きくなるのを利用して記録膜の流動
を防止する方法が開示されている。また、文献２『廣
常、寺尾、宮内、峯邑、伏見；第４１応用物理学関係連
合講演会予稿集ｐ９９６』には、記録膜に高融点の成分
を添加して記録膜の流動を防止する方法が開示されてい
る。これにより、記録膜の大きな流動は抑制できた。し
かし、さらに多数回の書き換えを繰り返すと、反射率レ
ベルの変動が生じるまた、マークエッジ記録におけるオ
ーバーライトジッタ特性を良好にするため、文献３『大
久保、村畑、井出、岡田、岩永：第５回相変化記録研究
会講演予稿集ｐ９８』には、透過光を増加したディスク
が提案されている。このディスク構造は、ＰＣ基板／Ｚ
ｎＳ-ＳｉＯ2 (250nm)／ Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5(15nm)／Ｚｎ
Ｓ-ＳｉＯ2 (18nm)／Ｓｉ(65nm)である。
【０００５】一方、映像信号や音声信号などをＦＭ変調
したアナログ情報信号や、電子計算機のデータ、ファク
シミリ信号、ディジタルオーディオ信号などのディジタ
ル情報信号を基板表面に凹凸として転写した光ディスク
や、レーザ光、電子線等の記録用ビームによって信号や
データをリアルタイムで記録することが可能な情報の記
録用薄膜等を有する光ディスクにおいては、信号再生分
解能は、ほとんど再生光学系の光源の波長λと対物レン
ズの開口数ＮＡで決まり、記録マーク周期２ＮＡ／λが
読み取り限界である。
【０００６】高記録密度化のための手法としては、相変
化により反射率が変化する媒体を用いて凹凸で記録され
たデータを再生する方法や媒体が文献４『K.Yasuda,M.O
no,K.Aritani,A.Fukumoto,M.Kaneko;Jpn.J.Appl.Phys.v
ol.32(1993)p.5210』に記載されている。この手法にお
いても、超解像読み出し用の膜は、１０4回を越える多
数回の読み出しを行なうと、膜の流動が生じ、反射率レ
ベルの変動が生じるため、読み出し可能回数が制限され
る。
【０００７】なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相
変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、
結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変
化」という用語を使用する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の記録膜を有する
情報記録用媒体はいずれも、書き換え可能な相転移型の
情報記録用媒体として用いる場合、書き換え可能回数を
多くすると反射率レベルの変動が生じるという問題を有
している。
【０００９】同様に、従来の超解像読み出し膜を有する
情報記録用媒体はいずれも、超解像読み出し可能な相転
移型の情報記録用媒体として用いる場合、超解像読み出
し可能回数を多くすると反射率レベルの変動が生じると
いう問題を有している。
【００１０】そこで、この発明の目的は、多数回の書き
換えもしくは超解像読み出しを行っても良好な記録・再
生特性を保持し、従来より反射率レベルの変動が少ない
情報記録用媒体を提供することに有る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】基板上に直接または下地
層を介して形成された、エネルギービームの照射を受け
て生じる原子配列変化によって情報を記録および／また
は再生する情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し
用のマスク層として備え、かつ保護層を備え、かつ少な
くとも２層以上の反射層を備えた情報記録媒体であるこ
とを特徴とする。
【００１２】（１）基板上に直接または下地層を介して
形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原
子配列変化によって情報を記録および／または再生する
情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク
層として備え、かつ反射層を備え、かつ反射層が読みだ
しレーザ波長における屈折率または消衰係数の少なくと
も一方が異なる材料の第１反射層および第２反射層から
なり、かつ光入射側から保護層、記録層または超解像読
出し用のマスク層の順に積層され、その次に直接または
中間層を介して第１反射層、第２反射層の順に積層され
た構造を持つ情報記録媒体であることを特徴とする。
【００１３】（２）基板上に直接または下地層を介して
形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原
子配列変化によって情報を記録および／または再生する
情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク
層として備え、かつ反射層を備え、記録層より光入射側
に保護層と光入射側反射層を備えた情報記録媒体ことを
特徴とする。
【００１４】（３）基板上に直接または下地層を介して
形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原
子配列変化によって情報を記録および／または再生する
情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク
層として備え、かつ反射層および光入射側反射層を備
え、かつ反射層が読みだしレーザ波長における屈折率ま
たは消衰係数の少なくとも一方が異なる材料の第１反射
層および第２反射層からなり、かつ光入射側から、光入
射側反射層、保護層、記録層または超解像読出し用のマ
スク層の順に積層され、その次に直接または中間層を介
して第１反射層、第２反射層の順に積層された構造を持
つ情報記録用媒体ことを特徴とする。
【００１５】（４）１または３のいずれか１つに記載の
情報記録媒体において、前記第１反射層の屈折率および
前記第２反射層の読みだしレーザ波長における屈折率差
が１以上、または前記第１反射層の消衰係数より前記第
２反射層の消衰係数が２以上大きい材料からなることを
特徴とする。
【００１６】（５）１または３のいずれか１つに記載の
情報記録媒体において、前記第１反射層が、読みだしレ
ーザ波長における消衰係数ｋが２以下である材料からな
り、かつ前記第２反射層が消衰係数ｋが３以上である材
料からなることを特徴とする。
【００１７】（６）１または３のいずれか１つに記載の
情報記録媒体において、前記第１反射層がＳｉ，Ｇｅ，
Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｉｎ，Ｓｉ
−Ｏ化合物の少なくとも１つ、またはこれに近い組成で
あるか、あるいは前記第２反射層がＡｌ，Ａｌ合金，Ａ
ｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ｐ
ｔ，Ｐｔ合金，Ｐｄ，Ｐｄ合金、Ｓｂ−Ｂｉ固溶体の少
なくとも１つ、またはこれに近い組成であることを特徴
とする。
【００１８】（７）１または３のいずれか１つに記載の
情報記録媒体において、前記第１反射層の膜厚をｄf
（ｎｍ）、前記第１反射層の読みだしレーザ波長におけ
る屈折率をｎf、０または正の整数をｍとしたときこれ
らの関係が ｄf＝ｚｍ／ｎf＋ｅ かつ ７０≦ｅ≦１００ かつ ３８０≦ｚ≦４００ の式で表す範囲にあることを特徴とする。
【００１９】（８）１または３のいずれか１つに記載の
情報記録媒体において、前記第１反射層の膜厚をｄf
（ｎｍ）、０または正の整数をｍとしたときこれらの関
係が ｄf＝１０５ｍ＋ｅ かつ ７０≦ｅ≦１００ の式で表す範囲にあることを特徴とする。
【００２０】（９）１または３のいずれか１つに記載の
情報記録媒体において、前記第１反射層の膜厚が７０ｎ
ｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
【００２１】（１０）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記記録膜が結晶状態の時と
非晶質状態の時の記録膜における吸収率差が２０％以下
となる範囲にあることを特徴とする。
【００２２】（１１）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記第２反射層の膜厚が５ｎ
ｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
【００２３】（１２）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記記録膜と前記第１反射層
の間に中間層を備え、かつ前記中間層の膜厚が３ｎｍ以
上６０ｎｍ以下の範囲または１８０ｎｍ以上２４０ｎｍ
以下の範囲にあることを特徴とする。
【００２４】（１３）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記記録膜上に前記第１反射
層が直接積層されたことを特徴とする。
【００２５】（１４）２〜３のいずれか１つに記載の情
報記録媒体において、前記記録層または超解像読出し用
のマスク層にオーバーライトを行なう際、より高パワー
のレーザ光を照射した領域の方が、より低パワーのレー
ザ光を照射した領域に比べ、反射率が高くなることを特
徴とする。
【００２６】（１５）２〜３のいずれか１つに記載の情
報記録媒体において、前記光入射側反射層が読みだしレ
ーザ波長における屈折率ｎが１以下である材料からなる
ことを特徴とする。
【００２７】（１６）２〜３のいずれか１つに記載の情
報記録媒体において、前記光入射側反射層がＡｕ，Ａｕ
−Ｃｏ，Ａｕ−Ａｇ，Ａｕ−Ｃｕ，Ａｕ−Ｓｉ，Ａｕ−
Ｎｉ，Ａｕ−Ｃｒ，Ａｕ−Ｇｅ，Ａｕ−Ｓｂの少なくと
も１つ、またはこれに近い組成であることを特徴とす
る。
【００２８】（１７）２〜３または１４〜１６のいずれ
か１つに記載の情報記録媒体において、前記保護層の膜
厚ｄpと結晶状態の反射率Ｒcと非晶質状態の反射率Ｒa
が Ｒc−Ｒa≧０ かつ ｄＲa／ｄｄp≦０ かつ ｄＲc／ｄｄp≦０ かつ で示される範囲にあることを特徴とする。
【００２９】（１８）２〜３のいずれか１つに記載の情
報記録媒体において、前記光入射側反射層が読みだしレ
ーザ波長における屈折率ｎが２以上かつ消衰係数ｋが２
以下である材料からなることを特徴とする。
【００３０】（１９）２〜３のいずれか１つに記載の情
報記録媒体において、前記光入射側反射層がＳｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｉｎ，
Ｓｉ−Ａｕ化合物の少なくとも１つ、またはこれに近い
組成であることを特徴とする。
【００３１】（２０）１８〜１９のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記保護層の膜厚ｄp（ｎ
ｍ）、前記光入射側反射層ｄa（ｎｍ）、ｊ，ｕを０ま
たは正の整数としたとき，これらの関係が ｄp＝ｆ−０．６６（ｄa−１５０ｕ）−１８０ｊ かつ １４０≦ｆ≦２００ の式で表す範囲にあることを特徴とする。
【００３２】（２１）１８〜１９のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記保護層の膜厚ｄp（ｎ
ｍ）、ｇを定数としたとき、これらの関係が ｄp＝１４４０×１０＾（−６．２６ｅ−３ｄa）＋ｇ かつ −３０≦ｇ≦３０ の式で表す範囲にあることを特徴とする。ただし、１０
＾（−６．２６ｅ−３ｄa）は、１０の（−６．２６ｅ
−３ｄa）乗を意味する。
【００３３】（２２）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつＳｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−
Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｉｎ化合物の少なくとも１つ、
またはこれに近い組成である反射層を備え、これら２層
の間に中間層を備えた情報記録媒体であることを特徴と
する。
【００３４】（２３）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ中間層および屈折率ｎが２以上か
つ消衰係数ｋが１以下である材料の反射層を備え、これ
ら２層の間に中間層を備えた情報記録媒体であることを
特徴とする。
【００３５】（２４）２１〜２３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記反射層の膜厚をｄr（ｎ
ｍ）、前記反射層の読みだしレーザ波長における屈折率
をｎr、０または正の整数をｍとしたとき，これらの関
係が ｄr＝（ｚｍ−ｖ）／ｎr＋ｈ かつ −６５≦ｈ≦−５ かつ ３８０≦ｚ≦４００ かつ ２４０≦ｖ≦２５０ の式で表す範囲にあることを特徴とする。
【００３６】（２５）２１〜２３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記反射層の膜厚が１２０ｎ
ｍ以上、１８０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とす
る。
【００３７】（２６）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記第２反射層が前記第１反
射層より消衰係数が小さい材料からなることを特徴とす
る。
【００３８】（２７）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記第１反射層が、読みだし
レーザ波長における消衰係数ｋが２．５以上である材料
からなり、かつ前記第２反射層が消衰係数ｋが２以下で
ある材料からなることを特徴とする。
【００３９】（２８）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記第２反射層がＳｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｓｎ、Ｓ
ｉ−Ｉｎ，Ｓｉ−Ａｕ混合材料の少なくとも１つ、また
はこれに近い組成であるか、あるいは前記第１反射層が
Ｃｏ，Ｃｏ合金，Ｎｉ，Ｎｉ合金、Ｍｎ，Ｍｎ合金、Ａ
ｌ，Ａｌ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金，Ｃ
ｕ，Ｃｕ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金，Ｐｄ，Ｐｄ合金、Ｓｂ
−Ｂｉ固溶体、Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓ
ｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｖ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，
Ｐｂ，Ｔｅ，の少なくとも１つ、またはこれを主成分と
する合金、またはこれに近い組成であることを特徴とす
る。前記第１反射層がＭｏ，Ｍｏ合金，Ｗ，Ｗ合金、Ｔ
ａ，Ｔａ合金の少なくとも１つ、またはこれを主成分と
する合金、またはこれに近い組成であるとより好まし
い。
【００４０】（２９）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記第１反射層の膜厚をｄf
（ｎｍ）、前記第１反射層の読みだしレーザ波長におけ
る屈折率をｎf、消衰係数をｋfとしたときこれらの関係
が ０≦ｄf≦３０／（ｋf−ｎf／２−１）＋５ の式で表す範囲にあることを特徴とする請求項１または
３のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【００４１】（３０）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、前記第１反射層の膜厚と前記
第２反射層の膜厚の和が５０ｎｍ以上の範囲にあること
を特徴とする。
【００４２】（３１）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ反射層を備え、かつ上記記録膜ま
たは超解像読出し用のマスク層の膜厚±１０ｎｍの範囲
において非晶質状態の反射率変動または結晶状態の反射
率変動が１０％以下である構造を持つ情報記録媒体であ
ることを特徴とする。
【００４３】（３２）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ反射層を備え、かつ上記記録膜ま
たは超解像読出し用のマスク層の膜厚±１０ｎｍの範囲
において結晶状態の記録膜または超解像読出し用のマス
ク層の吸収率変動が１０％以下である構造を持つ情報記
録媒体であることを特徴とする。
【００４４】（３３）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ反射層を備え、かつ記録膜または
超解像読出し用のマスク層の膜厚±１０ｎｍの範囲にお
いて非晶質状態の記録膜または超解像読出し用のマスク
層の吸収率変動が１０％以下である構造を持つ情報記録
媒体であることを特徴とする。
【００４５】（３４）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ少なくとも第１または第２の反射
層を備え、結晶状態および非晶質状態の記録膜または超
解像読出し用のマスク層の吸収率差が２０％以下である
構造を持つ情報記録媒体であることを特徴とする。
【００４６】（３５）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ反射層を備え、かつ上記記録膜ま
たは超解像読出し用のマスク層の膜厚が１０ｎｍ増加し
たときに、結晶状態および／または非晶質状態の反射率
が７％以上下がる構造を持つ情報記録媒体であることを
特徴とする。
【００４７】（３６）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ反射層を備え、かつ上記記録膜ま
たは超解像読出し用のマスク層の膜厚が１０ｎｍ増加し
たときに、結晶状態および／または非晶質状態の吸収率
が５％以上上がる構造を持つ情報記録媒体であることを
特徴とする。
【００４８】（３７）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ反射層を備え、かつ読み出し波長
が６００ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲において上記記
録膜または超解像読出し用のマスク層の非晶質状態の反
射率変動または結晶状態の反射率変動が１０％以下であ
る構造を持つ情報記録媒体であることを特徴とする。
【００４９】（３８）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ反射層を備え、かつ読み出し波長
が６００ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲において上記記
録膜または超解像読出し用のマスク層の結晶状態の吸収
率変動が１０％以下である構造を持つ情報記録媒体であ
ることを特徴とする。
【００５０】（３９）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ反射層を備え、かつ読み出し波長
が６００ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲において非晶質
状態の記録膜または超解像読出し用のマスク層の吸収率
変動が１０％以下である構造を持つ情報記録媒体である
ことを特徴とする。
【００５１】（４０）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ少なくとも第１または第２の反射
層を備え、読み出し波長が６００ｎｍ以上８５０ｎｍ以
下の範囲において、結晶状態および非晶質状態の記録膜
または超解像読出し用のマスク層の吸収率差が２０％以
下である構造を持つ情報記録媒体であることを特徴とす
る。
【００５２】（４１）２〜３、または１４〜２１のいず
れか１つに記載の情報記録媒体において、基板上に直接
または下地層を介して形成された、エネルギービームの
照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録お
よび／または再生する情報記録用薄膜を記録層または超
解像読出し用のマスク層として備え、かつ反射層を備
え、かつ、結晶状態または非晶質状態の反射率のどちら
か一方が６０％以上であることを特徴とする。
【００５３】（４２）２〜３、または１４〜２１のいず
れか１つに記載の情報記録媒体において、基板上に直接
または下地層を介して形成された、エネルギービームの
照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録お
よび／または再生する情報記録用薄膜を記録層または超
解像読出し用のマスク層として備え、かつ反射層を備
え、かつ、結晶状態および非晶質状態の反射率の変調度
が６０％以上であることを特徴とする。
【００５４】（４３）１〜３、または２２〜２３または
３１〜４０のいずれか１つに記載の情報記録媒体におい
て、基板上に直接または下地層を介して形成された、エ
ネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録および／または再生する情報記録薄膜を
記録層または超解像読出し用のマスク層として備え、か
つ反射層を備え、かつ、結晶状態の光吸収率が非晶質状
態の光吸収率以上の値であることを特徴とする。
【００５５】（４４）１〜３、または２２〜２３または
３１〜４０のいずれか１つに記載の情報記録媒体におい
て、前記記録層または超解像読出し用のマスク層と反射
層の間に中間層を備えたことを特徴とする。
【００５６】（４５）１〜３、または２２〜２３または
３１〜４０のいずれか１つに記載の情報記録媒体におい
て、記録膜または超解像読出し用のマスク層と、前記反
射層の間に中間層を備え、かつ中間層の膜厚が３０ｎｍ
以下の範囲にあることを特徴とする。
【００５７】（４６）１〜３、または２２〜２３または
３１〜４０のいずれか１つに記載の情報記録媒体におい
て、前記記録膜の膜厚が１５ｎｍ以上、４０ｎｍ以下の
範囲にあることを特徴とする。
【００５８】（４７）２または２２〜２５のいずれか１
つに記載の情報記録媒体において、前記反射層がＳｉ，
Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｉ
ｎ，Ｓｉ−Ａｕ、Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａ
ｇ，Ａｇ合金，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金，Ｓｂ
−Ｂｉ固溶体の少なくとも１つ、またはこれに近い組成
である、または、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｎ，
の少なくとも一者に、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍ
ｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅ，より成る群より選ばれた少な
くとも一者を１原子％以上、３０原子％以下添加した組
成、またはこれに近い組成であることを特徴とする。
【００５９】（４８）１〜３、または２２〜２３または
３１〜４０のいずれか１つに記載の情報記録媒体におい
て、前記情報記録媒体において、記録層または超解像読
出し用のマスク層が相変化成分と高融点成分とからな
り、相変化成分の全原子数の９５％以上がＧｅＴｅとＳ
ｂ2Ｔｅ3との組合せよりなり、その中の高融点成分の含
有量ｙ（原子％）、相変化成分中のＧｅＴｅ量の割合ｘ
（％）と保護層膜厚ｔ（ｎｍ）が ａｘ＋ｂｙ＝ｃ−ｔ を満たし、かつ５≦ａ≦１１，かつ２５≦ｂ≦３５，か
つ２５００≦ｃ≦３５００を満たす範囲にあることを特
徴とする。
【００６０】（４９）１〜４８のいずれか１つに記載の
情報記録媒体において、前記高融点成分の全原子数の９
５％以上の組成がＣｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｇ
ｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｇｅ
−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｇｅ，Ｃｏ−
Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｃ
ｕ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ，Ｃｕ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｔ
ｅ，Ｍｎ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ
−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｖ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓ
ｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｖ−
Ｇｅ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｎ
ｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ｍｏ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｓｂ
−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｗ−Ｔ
ｅ，Ｗ−Ｓｂ，Ｗ−Ｇｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ−
Ｇｅ，Ｗ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ，Ａｇ
−Ｇｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ａｇ−
Ｇｅ−Ｔｅの組み合わせより成る化合物、混合物よりな
る群より選ばれた少なくとも１つ、またはこれに近い組
成であることを特徴とする。
【００６１】（５０）１〜３、または２２〜２３または
３１〜４０のいずれか１つに記載の情報記録媒体におい
て、前記保護層の膜厚が１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下
の範囲にあることを特徴とする。
【００６２】（５１）１〜３、または２２〜２３または
３１〜４０のいずれか１つに記載の情報記録媒体におい
て、前記保護層の膜厚をｄp’（ｎｍ）、前記記録膜の
膜厚をｄr’（ｎｍ）、前記中間層の膜厚をｄm’（ｎ
ｍ）、前記第１反射層の膜厚をｄr1’（ｎｍ）、前記第
２反射層の膜厚をｄr2’（ｎｍ）、再生波長λ’（ｎ
ｍ），定数をδ、波長７８０（ｎｍ）における最適膜厚
をそれぞれ、前記保護層ｄp（ｎｍ）、前記記録膜ｄr
（ｎｍ）、前記中間層ｄm（ｎｍ）、前記第１反射層ｄr
1（ｎｍ）、前記第２反射層ｄr2（ｎｍ）の最適膜厚と
したとき、これらの関係が、 ｄp’＝（λ’×ｄp）／７８０＋δ かつ ｄr’＝（λ’×ｄr）／７８０＋δ かつ ｄm’＝（λ’×ｄm）／７８０＋δ かつ ｄr1’＝（λ’×ｄr1）／７８０＋δ かつ ｄr2’＝（λ’×ｄr2）／７８０＋δ かつ −５≦δ≦５ の式で表す範囲にあることを特徴とする。
【００６３】（５２）１〜５１のいずれか１つに記載の
情報記録媒体において、前記記録層または超解像読出し
用のマスク層の全原子数の９５％以上の組成がＬを相変
化成分、Ｈを高融点成分としたとき、 （Ｌ）1-s（Ｈ）s で表され、かつ０．０５≦ｓ≦０．２０を満たすことを
特徴とする。
【００６４】（５３）１〜５２のいずれか１つに記載の
情報記録媒体において、前記記録層または超解像読出し
用のマスク層の全原子数の９５％以上の組成が （ＧｅαＳｂβＴｅγ）1-s（Ｈ）s を満たし、かつ０．０５≦ｓ≦０．１５，かつＨがＣｒ
−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｔｅ，
Ｃｒ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｔｅ，Ｃ
ｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｓｂ
−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ，
Ｃｕ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃ
ｕ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｇ
ｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｇｅ
−Ｔｅ，Ｖ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｖ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｔｅ，Ｎ
ｉ−Ｓｂ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ
−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ，
Ｍｏ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍ
ｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｗ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ，Ｗ−Ｇｅ，Ｗ−
Ｓｂ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｗ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ａｇ−
Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ，Ａｇ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａ
ｇ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｇｅ−Ｔｅ の組み合わせより
成る化合物、混合物よりなる群より選ばれた少なくとも
１つ、またはこれに近い組成であり、かつ、０．０８≦
α≦０．２３，かつ０．１５≦β≦０．３３、かつ０．
４４≦γ≦０．７７、かつα＋β＋γ＝１を満たすこと
を特徴とすることを特徴とする。
【００６５】（５４）１〜３、または２２〜２３または
３１〜４０のいずれか１つに記載の情報記録媒体におい
て、前記下地層を前記保護層が兼ねることを特徴とす
る。
【００６６】（５５）情報記録媒体の製造方法におい
て、基板上に直接または下地層を介して形成された、エ
ネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録および／または再生する情報記録用媒体
の製造方法であって、基板上に保護層、記録膜または超
解像読みだし膜、中間層、屈折率または消衰係数の少な
くとも一方が異なる材料の第一反射層および第二反射層
を形成する工程と、これに別の基板または同様にして前
記各層を形成した別の基板を貼り合わせる工程とを備え
てなることを特徴とする。
【００６７】（５６）情報メモリー装置において、基板
上に直接または下地層を介して形成された、エネルギー
ビームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報
を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層
または超解像読出し用のマスク層として備え、かつ、反
射層を備えた情報記録媒体に対し、その媒体の記録層ま
たはマスク層が結晶状態にある時の光吸収率が非晶質状
態にある時の光吸収率以上である波長の少なくとも記録
に用いるレーザを備え、かつ、光ヘッド制御回路、トラ
ッキング誤差検出手段、光ヘッド移動ドライバ、記録デ
ータ変調手段、レーザドライバ、再生信号処理手段、再
生データ送出手段を備えたことを特徴とする。
【００６８】（５７）情報メモリー装置において、基板
上に直接または下地層を介して形成された、エネルギー
ビームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報
を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層
または超解像読出し用のマスク層として備え、反射層を
備えた情報記録媒体の上記記録膜またはマスク層の膜厚
が１０ｎｍ増加したとき、結晶状態の反射率が７％以上
下がる波長の少なくとも記録に用いるレーザを備え、か
つ、光ヘッド制御回路、トラッキング誤差検出手段、光
ヘッド移動ドライバ、記録データ変調手段、レーザドラ
イバ、再生信号処理手段、再生データ送出手段を備えた
ことを特徴とする。
【００６９】（５８）情報メモリー装置において、基板
上に直接または下地層を介して形成された、エネルギー
ビームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報
を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層
または超解像読出し用のマスク層として備え、反射層を
備えた情報記録媒体の上記記録膜またはマスク層の膜厚
が１０ｎｍ増加したとき、非結晶状態の反射率が７％以
上下がる波長の少なくとも記録に用いるレーザを備え、
かつ、光ヘッド制御回路、トラッキング誤差検出手段、
光ヘッド移動ドライバ、記録データ変調手段、レーザド
ライバ、再生信号処理手段、再生データ送出手段を備え
たことを特徴とする。
【００７０】（５９）情報メモリー装置において、基板
上に直接または下地層を介して形成された、エネルギー
ビームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報
を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層
または超解像読出し用のマスク層として備え、かつ反射
層を備えた情報記録媒体の上記記録膜またはマスク層の
膜厚±１０ｎｍの範囲において結晶状態の吸収率変動が
１０％以下となる波長の少なくとも記録に用いるレーザ
を備え、かつ、光ヘッド制御回路、トラッキング誤差検
出手段、光ヘッド移動ドライバ、記録データ変調手段、
レーザドライバ、再生信号処理手段、再生データ送出手
段を備えたことを特徴とする。
【００７１】（６０）情報メモリー装置において、基板
上に直接または下地層を介して形成された、エネルギー
ビームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報
を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層
または超解像読出し用のマスク層として備え、反射層を
備えた情報記録媒体の上記記録膜またはマスク層の膜厚
が１０ｎｍ増加したとき、結晶状態の吸収率が５％以上
上がる波長の少なくとも記録に用いるレーザを備え、か
つ、光ヘッド制御回路、トラッキング誤差検出手段、光
ヘッド移動ドライバ、記録データ変調手段、レーザドラ
イバ、再生信号処理手段、再生データ送出手段を備えた
ことを特徴とする。
【００７２】（６１）情報メモリー装置において、基板
上に直接または下地層を介して形成された、エネルギー
ビームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報
を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層
または超解像読出し用のマスク層として備え、かつ反射
層を備えた情報記録媒体の上記記録膜またはマスク層の
膜厚±１０ｎｍの範囲において非晶質状態の吸収率変動
が１０％以下となる波長の少なくとも記録に用いるレー
ザを備え、かつ、光ヘッド制御回路、トラッキング誤差
検出手段、光ヘッド移動ドライバ、記録データ変調手
段、レーザドライバ、再生信号処理手段、再生データ送
出手段を備えたことを特徴とする。
【００７３】（６２）情報メモリー装置において、基板
上に直接または下地層を介して形成された、エネルギー
ビームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報
を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層
または超解像読出し用のマスク層として備え、反射層を
備えた情報記録媒体の上記記録膜またはマスク層の膜厚
が１０ｎｍ増加したとき、非結晶状態の吸収率が５％以
上上がる波長の少なくとも記録に用いるレーザを備え、
かつ、光ヘッド制御回路、トラッキング誤差検出手段、
光ヘッド移動ドライバ、記録データ変調手段、レーザド
ライバ、再生信号処理手段、再生データ送出手段を備え
たことを特徴とする。
【００７４】（６３）２〜３または１６のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において、前記保護層膜厚が９０
ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とす
る。
【００７５】（６４）２〜３または１６のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において、前記反射層または、第
２反射層膜厚が３０ｎｍ以上、８０ｎｍ以下の範囲にあ
ることを特徴とする。
【００７６】（６５）２〜３または１６のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において、前記記録層または超解
像読出し用のマスク層の全原子数の９５％以上の組成が
Ｌを相変化成分、Ｈを高融点成分としたとき、 （Ｌ）1-s（Ｈ）s で表され、かつ０．０５≦ｓ≦０．１５を満たすことを
特徴とする。
【００７７】（６６）２〜３または１６のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において、前記記録層または超解
像読出し用のマスク層の全原子数の９５％以上の組成が ｛（ＧｅＴｅ）x（Ｓｂ2Ｔｅ3）1-x｝1-s（Ｈ）s を満たし、かつ０．０５≦ｓ≦０．１５，かつ０．３≦
ｘ≦０．６６を満たすことを特徴とする。
【００７８】（６７）上記第１反射層の材料としては、
Ｓｉ、Ｓｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光入射
側反射率を記録マーク以外の部分の光入射側反射率より
小さくできるので、光入射側反射率差による消え残りを
防止でき、さらに書き換え可能回数が低下しない。Ｇｅ
の含有量は１０原子％以上８０原子％以下が書き換え可
能回数の低下が生じにくい。
【００７９】また、ＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓを添加すると、反射
層の透過率が下がり、吸収率が上がるため、感度低下を
防ぐことができる。この場合の添加元素の含有量は１原
子％以上２５原子％以下が多数回書き換え時の反射率レ
ベルの変動が生じにくい。
【００８０】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ
−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の
混合材料でも同様の結果が得られた。これらの反射層材
料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を
用いる場合の反射層材料として用いても、従来の反射層
材料に比べて書き換え可能回数が低下しない。Ｓｉに添
加する元素の含有量は３原子％以上５０原子％以下が書
き換え可能回数の低下が生じにくい。
【００８１】さらに、上記以外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材
料、屈折率が大きくて消衰係数が小さい材料よりなる層
を用いてもよいし、それらの相よりなる多重層を用いて
もよいし、これらの酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。Ｇｅも使用可能である。その他、各
種窒化物、硫化物、セレン化物も使用可能である。
【００８２】反射層材料の屈折率ｎと消衰係数ｋが ｎ≧２がより好ましく、ｎ≧２かつ２≧ｋ が特に好ま
しい。
【００８３】また，それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらとＳｉＯ2など酸化物などの他の物質
との複合層などを用いてもよい。
【００８４】（６８）前記保護層および前記中間層は
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20により形成しているのが好
ましく、これに代えて、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合比を換
えたもの、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌ
ａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，Ｓｎ
Ｏ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ
2Ｏ3，ＺｒＯ2などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ
4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）などの
窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2
Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化
物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉ
ｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳ
ｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ
3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇ
ｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近
い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料
の層やこれらの多重層でもよい。
【００８５】前記基板は、表面に直接、トラッキングガ
イドなどの凹凸を形成したポリカ−ボネ−ト基板、ポリ
オレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂
層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよ
い。
【００８６】また、サンプルサーボフォーマットの基板
だけでなく、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を
持つ連続溝サーボフォーマットの基板など、他のフォー
マットによる基板でも良い。ディスクサイズも１３ｃｍ
に限らず，１２ｃｍ，３．５‘，２．５‘等，他のサイ
ズでも良い。ディスク厚さも１．２ｍｍに限らず，０．
６ｍｍ，０．８ｍｍ等，他の厚さでも良い。
【００８７】前記情報記録媒体は、中間層を省略して、
記録膜上に第１反射層を直接形成してもよい。この場合
は、１層少なくなるため、ディスク作製が容易になり、
作製時間が短縮できる。
【００８８】前記情報記録媒体は、まったく同様の方法
により、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介し
て、前記第１および第２のディスク部材の反射層５，
５’同士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の
代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板
などを用いてもよい。
【００８９】貼り合わせに用いるディスク部材または保
護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい場
合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともで
きる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。
【００９０】（６９）第２反射層の材料としては、Ａｌ
-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とす
るものが好ましい。Ａｌも使用可能である。Ａｌ合金以
外の材料も使用可能である。
【００９１】Ａｌ合金の場合、Ａｌの含有量は５０原子
％以上９９．９原子％以下が熱伝導率を大きくでき、書
き換え可能回数の低下が生じにくい。
【００９２】また、Ｓｂ-Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，
Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，
Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはこれらを主成
分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を
用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いても
よいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層など
を用いてもよい。第１反射層と屈折率および消衰係数が
異なる材料であれば、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分
とする合金、あるいはこれらと上記元素同志の合金より
なる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を
用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複
合層などを用いてもよい。
【００９３】この中で、Ｃｕ合金、Ａｌ合金等のよう
に、熱伝導率が大きいものは、ディスク構造が急冷構造
となり、多数回書き換えによる反射率変動が生じにく
い。また、Ｓｂ-Ｂｉ，Ｄｙ，ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ等の
ように熱伝導率が小さいものは、保温されやすくなるた
め，記録感度が良くなるという利点がある。
【００９４】また，Ｍｏ，Ｍｏ化合物を使用した場合に
ついては吸収率制御がしやすいため，書き換え特性が良
くなるという利点がある。
【００９５】第２反射層の膜厚は０ｎｍ以上でもよい
が、１０ｎｍ以上が好ましい。強度を大きくする点より
３０ｎｍ以上、作製時間を少なくする点から２００ｍｍ
以下がより好ましい。
【００９６】（７０）記録膜の材料としては、（（Ｃｒ
4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90）、（（Ｃｒ4Ｔｅ
5）20（Ｇｅ1Ｓｂ4Ｔｅ7）80 ）等Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ
系で組成比の異なる材料が書き換え可能回数の低下が生
じにくい。
【００９７】次いで、Ａｇ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｃｏ-Ｇｅ
-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｖ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，等でも同様の結果が
得られた。Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系に高融点成分を添加した記
録膜が書き換え可能回数の低下が生じにくい。
【００９８】さらに、上記以外のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5，Ｇ
ｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，Ｉｎ3ＳｂＴｅ2，Ｉｎ
35Ｓｂ32Ｔｅ33，Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43、ＧｅＴｅ，Ａｇ
-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｎｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｐｔ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｓｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ａｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔ
ｅ，Ｃｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｎ
-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｆｅ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｔｉ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，およびこれらに近い組
成のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部
をＩｎに置き換えても、これに近い特性が得られる。
【００９９】（７１）反射層の材料としては、Ｓｉ、Ｓ
ｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光入射側反射率
を記録マーク以外の部分の光入射側反射率より小さくで
きるので、光入射側反射率差による消え残りを防止で
き、さらに書き換え可能回数が低下しない。Ｇｅの含有
量は１０原子％以上８０原子％以下が書き換え可能回数
の低下が生じにくい。
【０１００】また、ＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓを添加すると、反射
層の透過率が下がり、吸収率が上がるため、感度低下を
防ぐことができる。この場合の添加元素の含有量は１原
子％以上２５原子％以下が多数回書き換え時の反射率レ
ベルの変動が生じにくい。
【０１０１】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ
−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の
混合材料でも同様の結果が得られた。これらの反射層材
料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を
用いる場合の反射層材料として用いても、従来の反射層
材料に比べて書き換え可能回数が低下しない。Ｓｉに添
加する元素の含有量は３原子％以上５０原子％以下が書
き換え可能回数の低下が生じにくい。
【０１０２】さらに、上記以外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材
料、屈折率が大きくて消衰係数が小さい材料よりなる層
を用いてもよいし、それらの相よりなる多重層を用いて
もよいし、これらの酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。Ｇｅも使用可能である。その他、各
種窒化物、硫化物、セレン化物も使用可能である。
【０１０３】反射層材料の読みだしレーザ波長における
屈折率ｎと消衰係数ｋが ｎ≧２ が好ましく、ｎ≧２，４≧ｋ がより好まし
く、ｎ≧２，１≧ｋ が特に好ましい材料である。
【０１０４】また，それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。
【０１０５】（７２）光入射側反射層の材料としては、
Ｓｉ、Ｓｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光吸収
率を記録マーク以外の部分の光吸収率より小さくできる
ので、光吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書
き換え可能回数が低下しない。Ｇｅの含有量は１０原子
％以上８０原子％以下が書き換え可能回数の低下が生じ
にくい。
【０１０６】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ
−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の
混合材料でも同様の結果が得られた。これらの反射層材
料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を
用いる場合の反射層材料として用いても、従来の反射層
材料に比べて書き換え可能回数が低下しない。Ｓｉに添
加する元素の含有量は３原子％以上５０原子％以下が書
き換え可能回数の低下が生じにくい。
【０１０７】さらに、上記以外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材
料、屈折率が大きくて消衰係数が小さい材料よりなる層
を用いてもよいし、それらの相よりなる多重層を用いて
もよいし、これらの酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。Ｇｅも使用可能である。その他、各
種窒化物、硫化物、セレン化物も使用可能である。
【０１０８】光入射側反射層材料の読みだしレーザ波長
における、屈折率ｎと消衰係数ｋは吸収率を制御しやす
いため、ｎ≧２がより好ましく、ｎ≧２かつ２≧ｋ が
特に好ましい材料である。
【０１０９】また，それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらとＳｉＯ2など酸化物などの他の物質
との複合層などを用いてもよい。
【０１１０】（７３）さらに、光入射側反射層の材料と
しては、Ａｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｃｏ混合材料が、基板と膜
の接着力を大きくできる。Ｃｏの含有量は１原子％以上
１０原子％以下にすると光を透過させることができ、デ
ィスクの反射率を適当にすることができる。
【０１１１】次いで、Ａｕ−Ａｌ混合材料Ａｕ−Ｃｕ，
Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ−Ｉｎ混合材料、ある
いはこれら混合材料の２種以上の混合材料でも同様の結
果が得られた。これらの光入射側反射層材料は、本発明
の情報記録用媒体ばかりでなく、他の相変化膜を用いる
情報記録用媒体の光吸収層として用いても、吸収率を制
御することができ、消え残りを小さくすることができ
る。
【０１１２】さらに、上記以外のＣｕ，Ａｇ，Ｎｄ含有
混合材料、屈折率が小さい材料よりなる層を用いてもよ
い。そのときの読みだしレーザ波長における屈折率は ｎ≦１ が好ましく、ｎ≦０．５ がより好ましく、ｎ
≦０．２ が特に好ましい材料である。
【０１１３】また，それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。
【０１１４】（７４）１または３のいずれか１つに記載
の情報記録媒体において、読みだしレ−ザ波長におい
て、前記第１反射層が、消衰係数ｋが４以下である材料
からなり、かつ、前記第２反射層は消衰係数が第１反射
層より大きく、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・ｋ以上である
材料からなる特徴をもつ。
【０１１５】第１反射層材料としては、Ｍｏ、Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｓｂ，
Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、または
これらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金
よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重
層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質と
の複合層などを用いてもよい。消衰係数が４以下である
材料を用いることにより，結晶状態の吸収率より非晶質
状態の吸収率が大きい場合に、吸収率差を小さくでき、
書き換え時の消え残りを小さくできた。
【０１１６】この中で、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ合金，Ｗ
合金，Ｔａ合金等は反応性が低く、多数回のレ−ザ照射
によって、第２反射層材料と反応して特性が変化する恐
れがないため、書き換え特性が良いという利点がある。
【０１１７】また、Ｃｒ4Ｔｅ5，Ｃｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓ
ｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｇ
ｅ，Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓ
ｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｗ−Ｔｅの組
み合わせより成る化合物、混合物よりなる群より選ばれ
た少なくとも１つ、またはこれに近い組成の材料を用い
てもよい。これらの材料は高融点であり、第２反射層材
料と反応して特性が変化する恐れがないため、書き換え
特性が良いという利点がある。
【０１１８】第１反射層の膜厚ｄfを約３０ｎｍ以下の
範囲に選ぶと、吸収率制御ができ、好ましい。さらに薄
く、約１５ｎｍ以下の範囲に膜厚を選ぶと、より好まし
い。第２反射層としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｕ合
金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大き
いものが、ディスク構造が急冷構造となり、多数回書き
換えによる反射率変動が生じにくいため、好ましい。こ
の場合の熱伝導率は１００Ｗ／ｍ・ｋ以上であると、書
き換え回数が大きくなるため好ましく、２３０Ｗ／ｍ・
ｋ以上にするとが書き換え回数が２倍になるため好まし
い。さらに、Ａｕ単体にくらべ、Ａｕ−Ａｇ，Ａｕ−Ｃ
ｏ，Ａｕ−Ａｌ等のＡｕ合金は接着力が大きくなるとい
う利点があり好ましい。
【０１１９】この他、第２反射層より消衰係数が大きい
材料であれば、Ａｇ、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，
Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍ
ｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、または，Ａｇ合金，Ｃｕ合
金，Ａｌ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｎｉ合金，Ｍｎ合
金，Ｓｂ−Ｂｉ化合物などこれらを主成分とする合金、
あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよい
し、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これ
らと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよ
い。Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とする合金、ある
いはこれらと上記元素同志の合金よりなる層を用いても
よいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、
これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いて
もよい。
【０１２０】第１反射層材料、第２反射層材料について
は本実施例に述べた材料が使用できるが、これらの組み
合わせを選ぶことによって、書き換え特性が向上するこ
とがわかった。好ましい組み合わせは、第２反射層が
Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ合金，Ｍｏ合金，Ｔａ合金の少なく
とも１つ、またはこれに近い組成であり、第１反射層が
Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金，の
少なくとも１つ、またはこれに近い組成である場合であ
る。
【０１２１】この構造における、記録膜構成成分中の相
変化成分の組成は（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ
5）90でもよいが、本実施例のように、 Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ
5組成から３原子％Ｓｂをさらに添加した（Ｃｒ4Ｔｅ
5）10（Ｇｅ21Ｓｂ25Ｔｅ54）90組成がより好ましい。
【０１２２】さらに、第一反射層、第二反射層にかかわ
らず、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｕ等のように熱伝導率が大
きい材料を用いている場合は同様に、相変化成分の組成
を、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成から適宜Ｓｂ量を多くして結
晶化速度を遅くすると記録特性が向上するように調節で
きた。 Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成へのＳｂの添加量は、その
他の構造によって多少の幅があるが、ＡｕおよびＡｌの
場合は５〜１０原子％、Ｃｕの場合は３〜８原子％Ｍ
ｏ，Ｗの場合は２〜５原子％程度である。
【０１２３】（７５）１に記載の情報記録媒体におい
て，前記第２反射層の全原子の９０％以上の成分がＳ
ｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｓ
ｎ、Ｓｉ−Ｉｎ，Ｓｉ−Ａｕ混合材料の少なくとも１
つ、またはこれに近い組成であるか、あるいは前記第１
反射層の全原子の８０％以上成分が、Ｍｏ，Ｍｏ合金，
Ｔａ，Ｔａ合金，Ｗ，Ｗ合金，の少なくとも１つ、また
はこれに近い組成であることを特徴とする。
【０１２４】（７６）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備えた情報記録媒体において、記録層または
超解像読出し用のマスク層が相変化成分と高融点成分と
からなり、相変化成分の全原子数の９５％以上がＧｅＴ
ｅとＳｂ2Ｔｅ3との組合せよりなり、その中の高融点成
分の含有量ｙ（原子％）、相変化成分中のＧｅＴｅ量の
割合ｘ（％）と保護層膜厚ｔ（ｎｍ）が ａｘ＋ｂｙ＝ｃ−ｔを満たし、かつ５≦ａ≦１１，かつ
２５≦ｂ≦３５，かつ２５００≦ｃ≦３５００を満たす
範囲にあることを特徴とする。
【０１２５】（７７）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備えた情報記録媒体において、前記記録層ま
たは超解像読出し用のマスク層の全原子数の９５％以上
の組成がＬを相変化成分、Ｈを高融点成分としたとき、 （Ｌ）1-s（Ｈ）s で表され、かつ０．０５≦ｓ≦０．２０を満たすことを
特徴とする。
【０１２６】（７８）７７に記載の情報記録媒体におい
て，前記Ｌは全原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-
Ｔｅからなり，かつ前記Ｈは全原子数の９５％以上の成
分がＣｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｓｂ
−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｃｏ
−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，
Ｃｏ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｃｕ−Ｔｅ，
Ｃｕ−Ｓｂ，Ｃｕ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓ
ｂ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓ
ｂ，Ｍｎ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｇ
ｅ，Ｍｎ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｖ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ，Ｖ−Ｇ
ｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｖ−Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ｎｉ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｓｂ
−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｍｏ−
Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍ
ｏ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｗ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓ
ｂ，Ｗ−Ｇｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｗ−
Ｇｅ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ，Ａｇ−Ｇｅ，Ａ
ｇ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｇｅ−Ｔ
ｅ，の少なくとも１つからなることを特徴とする。
【０１２７】（７９）７７に記載の情報記録媒体におい
て，前記Ｌは全原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-
Ｔｅからなり，かつ前記Ｈは全原子数の９５％以上の成
分の融点が７８０℃以上であることを特徴とする。
【０１２８】（８０）７７に記載の情報記録媒体におい
て，前記Ｌは全原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-
Ｔｅからなり，かつ前記Ｈは全原子数の９５％以上の成
分がＡｇおよびＴｅからなることを特徴とする。
【０１２９】（８１）７７に記載の情報記録媒体におい
て，前記Ｌは全原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-
Ｔｅからなり，かつ前記Ｈは全原子数の９５％以上の成
分がＡｇ，ＳｂおよびＴｅからなることを特徴とする。
【０１３０】（８２）７７に記載の情報記録媒体におい
て，前記Ｌは全原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-
Ｔｅからなり，かつ前記Ｈは全原子数の９５％以上の成
分がＣｒおよびＴｅからなることを特徴とする。
【０１３１】（８３）１に記載の情報記録媒体におい
て，前記保護層の膜厚が５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下
の範囲にあり，かつ前記第１反射層がＳｉ、または全原
子数の７５％以上がＳｉである混合材料の少なくとも１
つからなることを特徴とする。
【０１３２】（８４）１に記載の情報記録媒体におい
て，前記記録層または超解像読出し用のマスク層と、前
記第１反射層の間に中間層を備え，かつ前記中間層の屈
折率と前記第１反射層の屈折率の平均値が２以上４以下
であることを特徴とする。
【０１３３】（８５）１に記載の情報記録媒体におい
て，前記第１反射層の全原子数の９０％以上の成分がＳ
ｉ、Ｓｉ混合材料、 の少なくとも１つからなり，かつ
前記第２反射層全原子数の８０％以上の成分がＳｂ-Ｂ
ｉ、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，
Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合
金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合
金，の少なくとも１つからなる。
【０１３４】（８６）１に記載の情報記録媒体におい
て，前記第１反射層の全原子数の９０％以上の成分がＳ
ｉ、Ｓｉ−Ａｕ， Ｓｉ−Ａｇ，Ｓｉ−Ｃｕ，Ｓｉ−Ａ
ｌ，Ｓｉ−Ｎｉ，Ｓｉ−Ｆｅ，Ｓｉ−Ｃｏ，Ｓｉ−Ｃ
ｒ，Ｓｉ−Ｔｉ，Ｓｉ−Ｐｄ，Ｓｉ−Ｐｔ，Ｓｉ−Ｗ，
Ｓｉ−Ｔａ，Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ｓｂ，Ｓｉ−Ｂｉ，Ｓ
ｉ−Ｄｙ，Ｓｉ−Ｃｄ，Ｓｉ−Ｍｎ，Ｓｉ−Ｍｇ，Ｓｉ
−Ｖ，Ｓｉ−Ｚｎ，Ｓｉ−Ｇａ，Ｓｉ−Ｔｌ，Ｓｉ−Ｐ
ｂ，Ｓｉ−Ｃ，Ｓｉ−Ｂ，Ｓｉ−Ｓ混合材料のいずれか
１つからなり，かつ前記第２反射層の全原子数の８０％
以上の成分がＡｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ
−Ｃｒからなることを特徴とする。
【０１３５】（８７）１に記載の情報記録媒体におい
て，前記第１反射層の全原子数の９０％以上の成分がＳ
ｉ、Ｓｉ混合材料、 の少なくとも１つからなり，かつ
前記第２反射層の全原子数の８０％以上の成分がＳｂ-
Ｂｉ、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，
Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合
金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合
金，の少なくとも１つからなることを特徴とする。
【０１３６】（８８）１に記載の情報記録媒体におい
て，前記保護層膜厚が５０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以
下， かつ第１反射層膜厚が４５ｎｍ以上，９０ｎｍ以
下であることを特徴とする。
【０１３７】（８９）１に記載の情報記録媒体におい
て，前記保護層膜厚が５０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以
下， かつ第１反射層膜厚が４５ｎｍ以上，９０ｎｍ以
下かつ第２反射層膜厚が３０ｎｍ以上，２００ｎｍ以下
であることを特徴とする。
【０１３８】（９０）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備えた情報記録媒体において、情報用記録媒
体の反射率がａｓ−ｄｅｐｏ状態または結晶状態におい
て，波長５５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲において極小値
を持つ，または極大値が極小値の波長から１５０ｎｍ以
上，３５０ｎｍ以内の波長に存在する特徴を持つ。
【０１３９】（９１）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備えた情報記録媒体において、情報用記録媒
体の反射率が波長４００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲におけ
る反射率変化を最大値と最小値の差で表した場合，ａｓ
−ｄｅｐｏ状態の反射率差が２０％以上，または結晶状
態の反射率差が６．７％以上となる特徴を持つ。
【０１４０】（９２）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマス
ク層として備えた情報記録媒体において、前記情報用記
録媒体の前記中間層または前記第１反射層から前記基板
の反対側へ光を入射した場合の反射率が波長４００ｎｍ
〜８５０ｎｍの範囲において極大値または極小値を持つ
こと，または反射率差が１３．３％以上となる特徴を持
つ。
【０１４１】（９３）１に記載の情報記録媒体におい
て，前記記録層または超解像読出し用のマスク層にオー
バーライトを行なう際、より高パワーのレーザ光を照射
した領域の方が、より低パワーのレーザ光を照射した領
域に比べ、反射率が低くなることを特徴とする。
【０１４２】
【発明の実施の形態】以下、この発明を実施例によって
詳細に説明する。
【０１４３】［実施例１］ （構成・製法）図１は、この発明の第１実施例の情報記
録用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構造を
示す。この媒体は次のようにして製作された。
【０１４４】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表
面に５．２５インチ光ディスクのサンプルサーボ方式対
応ＩＳＯ−Ｂフォーマットの凹凸を有するポリカーボネ
ート基板１を形成した。次に、この基板１上に薄膜を順
次形成するため、基板１をマグネトロン・スパッタリン
グ装置内に置いた。この装置は複数のタ−ゲットを持
ち、積層膜を順次形成することができるものである。ま
た、形成される膜の厚さの均一性および再現性に優れて
いる。
【０１４５】マグネトロン・スパッタリング装置によ
り、基板１上にまず（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜より
なる保護層２を膜厚約１２５ｎｍとなるように形成し
た。続いて、保護層２上に、（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2
Ｓｂ2Ｔｅ5）90記録膜３を膜厚約３５ｎｍまで形成し
た。次に、記録膜３上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
膜よりなる中間層４を約２０ｎｍの膜厚まで形成した
後、その上に同じスパッタリング装置内でＳｉ膜よりな
る第１反射層５を膜厚８０ｎｍ、続いてＡｌ97Ｔｉ3 膜
第２反射層６を膜厚１００ｎｍまで形成した。こうし
て、第１のディスク部材を得た。
【０１４６】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１’上に順に積層された、膜厚約１２５ｎｍ
の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２’、
膜厚約３５ｎｍの（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5)
90記録膜３’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20膜よりなる中間層４’、および膜厚８０ｎｍのＳ
ｉ膜よりなる反射層５’、続いて膜厚１００ｎｍのＡｌ
97Ｔｉ3 膜よりなる第２反射層６’を備えている。
【０１４７】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層７を用いて、前記第１および第２のディ
スク部材の第２反射層６，６’同士を貼り合わせ、図１
に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０１４８】（初期結晶化）前記のようにして製作した
媒体の記録膜３、３’に、次のようにして初期結晶化を
行なった。なお、記録膜３’についてもまったく同様で
あるから、以下の説明では記録膜３についてのみ述べる
こととする。
【０１４９】媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、半導体
レーザ（波長７８０ｎｍ）のレーザ光パワーを記録が行
なわれないレベル（約１ｍＷ）に保ち、そのレーザ光を
記録ヘッド中の開口数（ＮＡ）がＯ．５５のレンズで集
光し、基板１を通して記録膜３に照射した。記録膜３か
らの反射光を検出して、基板１のピット間の中心をレー
ザ光スポットの中心が常に一致し、左右のピットの信号
レベル同じになるようにトラッキングを行なうと共に、
記録膜３上にレーザ光の焦点が来るように、自動焦点合
わせを行ないながら記録ヘッドを駆動した。
【０１５０】まず、初期結晶化のため、記録膜３の同一
記録トラック上に、パワ−１４ｍＷの連続レ−ザ光をそ
れぞれ１０回照射した。最後に、パワー７ｍＷの連続
（ＤＣ）レーザ光を１０回照射した。各回の照射時間
（光スポット通過時間）は、約０．１μｓｅｃである。
【０１５１】このように、パワーの異なるレーザ光を照
射すると、初期結晶化を充分に行なうことができる。
【０１５２】これらのレーザ光照射は、半導体レ−ザ・
アレイを用いて行なうか、ガスレ−ザからの光ビ−ムを
複数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導
体レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方
向に長い長円形にしたものを用いて行なえば、さらに好
ましい。こうすると、媒体を少数回転させるだけで初期
結晶化を完了することも可能となる。
【０１５３】複数のレーザ光スポットを用いる場合、そ
れらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せ
ず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれ
ば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる、
消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。
【０１５４】（記録・消去）次に、以上のようにして初
期結晶化が完了した記録膜３の記録領域に、前記と同様
にしてトラッキングと自動焦点合わせを行ないながら、
記録用レーザ光のパワーを中間パワーレベル（７ｍＷ）
と高パワーレベル（１４ｍＷ）との間で変化させて情報
の記録を行なった。記録すべき部分を通り過ぎると、レ
ーザ光パワーを再生（読出し）用レーザ光の低パワーレ
ベル（１ｍＷ）に下げるようにした。記録用レーザ光に
より記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分
が、記録点となる。
【０１５５】記録用レーザ光の高レベルと中間レベルと
のパワー比は１：０．３〜１：０．８の範囲が特に好ま
しい。また、この他に、短時間ずつ他のパワーレベルに
してもよい。
【０１５６】このような記録方法では、既に情報が記録
されている部分に対して直接、新たな情報を記録すれ
ば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一の円
形光スポットによるオーバーライトが可能である。
【０１５７】しかし、書き換え時の最初の１回転または
複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中
間パワーレベル（７ｍＷ）に近いパワー（例えば８ｍ
Ｗ）の連続光を照射して、記録されている情報をいった
ん消去し、その後、次の１回転で再生（読出し）用レー
ザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）と記録用レーザ光の高
パワーレベル（１４ｍＷ）の間で、または、記録用レー
ザ光の中間パワーレベル（７ｍＷ）と高パワーレベル
（１４ｍＷ）の間で、情報信号に従ってパワー変調した
レーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このよ
うに、情報を消去してから記録するようにすれば、前に
書かれていた情報の消え残りが少なく、高い搬送波対雑
音比（Ｃ／Ｎ）が得られる。
【０１５８】この方法は、この発明の記録膜ばかりでな
く他の記録膜にも有効である。
【０１５９】この情報記録媒体は回転数が１８００ｒｐ
ｍ以外で記録または再生を行う場合にも有効である。
【０１６０】この実施例の情報記録媒体では、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で、記
録・消去を１０5回以上繰り返した時にも、従来構造デ
ィスクに比べて反射率変動を少なくすることが可能であ
った。
【０１６１】なお、このディスクにおいて中間層４を省
略した場合、前記よりも１桁少ない回数の書き換えで反
射率変動の増加が生じた。しかし、従来構造ディスクに
おいて中間層４を省略した場合に比べて、反射率変動は
少なかった。
【０１６２】（記録膜膜厚と反射率の関係）図２にＳｉ
とＡｌ-Ｔｉ反射層をもつ本発明のディスクの記録膜膜
厚と反射率の関係を示した。図１７、１８には比較のた
め従来のディスク構造および記録膜膜厚と反射率の関係
を示した。上記Ｓｉ／Ａｌ-Ｔｉ反射層ディスクにおい
ては，記録膜膜厚が２０〜５０ｎｍの広い範囲において
結晶化状態の反射率レベルの変動が５％以下と非常に小
さくなっている。この範囲に記録膜膜厚を決定すること
により、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした
厳しい条件で記録・消去を１０5回以上繰り返した時に
も、従来構造ディスクに比べて反射率変動が少なくなっ
た。これは、多数回の書き換えにより多少の膜厚変化が
生じても、反射率レベルの変動が小さくなったためと考
えられる。また、図３にＳｉ／Ａｌ-Ｔｉ反射層をもつ
本発明のディスクの記録膜膜厚と記録膜の吸収率の関係
を示した。本発明のディスクにおいては、記録膜膜厚に
対する吸収率レベルの変動も小さくなっており、このた
め吸収率レベルの変動に起因する消え残りが低減した。
【０１６３】（第１反射層膜厚と反射率の関係）第１反
射層（Ｓｉ）膜厚と反射率の関係を図４に、第１反射層
（Ｓｉ）膜厚と記録膜の吸収率の関係を図５に示した。
第１反射層（Ｓｉ）膜厚を変えた時、記録膜膜厚に対す
る結晶状態の反射率レベルの変動が１０％以下の範囲、
および結晶状態と非晶質状態の反射率差が１０％以上の
範囲は次のように変化した。
【０１６４】 Ｓｉ反射層膜厚 反射率レベルの変動が１０％ 反射率差１０％以上の （ｎｍ） 以下の記録膜膜厚（ｎｍ） 記録膜膜厚（ｎｍ） ５５ ２０〜３０ なし ７０ ２５以上 ３５以上 ８０ ２０以上 ３０以上 ９０ ２０〜４５ ２５〜６５、８５以上 １００ ２５以上 ２０〜５５、８５以上 １２０ ３０以上 １０〜４５、８０以上 １４０ ３０以上 なし これにより、第１反射層（Ｓｉ）膜厚が７０ｎｍ以上、
１２０ｎｍ以下が記録膜膜厚に対する反射率レベルの変
動が小さく、反射率差が大きいことがわかった。結晶状
態と非晶質状態の反射率差が１０％以上ある範囲におい
て、結晶状態と非晶質状態の記録膜の吸収率差が０％に
近くなるＳｉ膜厚は、８０ｎｍ付近であり、この膜厚付
近である７０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲が特に、
多数回書き換えを行った際の反射率レベルの変動が小さ
かった。
【０１６５】（Ｓｉ以外の第１反射層）この実施例で第
１反射層５に用いたＳｉの代わりの、第１反射層の材料
としてＳｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光吸収
率を記録マーク以外の部分の光吸収率より小さくできる
ので、光吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書
き換え可能回数が低下しない。Ｇｅの含有量は１０原子
％以上８０原子％以下が書き換え可能回数の低下が生じ
にくい。
【０１６６】また、ＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓを添加すると、反射
層の透過率が下がり、吸収率が上がるため、感度低下を
防ぐことができる。この場合の添加元素の含有量は１原
子％以上２５原子％以下が多数回書き換え時の反射率レ
ベルの変動が生じにくい。
【０１６７】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ
−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の
混合材料でも同様の結果が得られた。これらの反射層材
料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を
用いる場合の反射層材料として用いても、従来の反射層
材料に比べて書き換え可能回数が低下しない。Ｓｉに添
加する元素の含有量は３原子％以上５０原子％以下が書
き換え可能回数の低下が生じにくい。
【０１６８】さらに、上記以外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材
料、屈折率が大きくて消衰係数が小さい材料よりなる層
を用いてもよいし、それらの相よりなる多重層を用いて
もよいし、これらの酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。Ｇｅも使用可能である。その他、各
種窒化物、硫化物、セレン化物も使用可能である。
【０１６９】ＳｉおよびＳｉの代わりの第１反射層の材
料は，第１反射層全原子数の９０％以上であることが好
ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になる
と，書き換え特性の劣化が見られた。
【０１７０】図６に第１反射層材料を変化させた場合の
各材料の屈折率と消衰係数と反射率レベルの変動の様子
を示した。○印は反射率レベルの変動が特に小さく、△
は小さく、□はやや小さくなることを示している。図１
の第１反射層５で使用したＳｉ膜の屈折率ｎは３．７〜
４．１、消衰係数ｋは０〜０．３であった。これより，
反射層材料の屈折率ｎと消衰係数ｋがｎ≧２がより好
ましく、ｎ≧２かつ２≧ｋ が特に好ましい材料である
ことがわかった。
【０１７１】また，それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらとＳｉＯ2など酸化物などの他の物質
との複合層などを用いてもよい。この時の、第１反射層
と第２反射層の屈折率ｎの差は２以上が好ましい。各層
の材料の屈折率ｎと消衰係数ｋは、特に記載されていな
い場合は、それぞれ読みだしレーザ波長において測定し
た値である。また，ここで示したｋの値は消衰係数の絶
対値である。
【０１７２】（最適な第１反射層膜厚と第１反射層の屈
折率の関係）図５に示した、第１反射層（Ｓｉ）膜厚と
反射率の関係からもわかるように、ｋの小さな材料を第
１反射層に使用した場合、最適な第１反射層膜厚は周期
的に存在した。これより、最適な第１反射層（Ｓｉ）膜
厚ｄfを式で表すと、 ｄf＝１０５ｍ＋ｅ （ｎｍ） （１） となることがわかった。但し、ｅの範囲は７０≦ｅ≦１
００，ｍは０または正の整数である。さらに、屈折率の
異なる材料の場合に変えた場合、第１反射層の屈折率ｎ
fと第１反射層膜厚の周期ｔfには次のような関係がある
ことが分かった。
【０１７３】 ｔf＝ｚ／ｎf （２） ただし、ｚの範囲は３８０≦ｚ≦４００である。これよ
り、第１反射層は ｄf＝ｚｍ／ｎf＋ｅ （ｎｍ） （３） で表される膜厚が適していることがわかった。
【０１７４】（保護層、中間層、基板材料等）本実施例
では、保護層２および中間層４を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20により形成しているが、これに代えて、ＺｎＳと
ＳｉＯ2の混合比を換えたもの、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ
−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ
3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，Ｇ
ｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ
2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，ＺｒＯ2などの酸化物，Ｔ
ａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例え
ばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，Ｃ
ｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，Ｐｂ
Ｓ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，
ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳ
ｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3など
のセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化
物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，ま
たは、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。ま
た、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
【０１７５】中間層の膜厚は６０ｎｍ以下または、１８
０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下が好ましい。０ｎｍの場合、
すなわち中間層を省略することもでき、この場合は１層
少なくなるため、情報記録媒体の作製が容易になる。１
８０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下の範囲では、記録感度が良
くなる利点はあるが、記録膜流動はうすい場合に比べて
起こりやすくなる。記録膜の流動を抑えるためには、６
０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、２０ｎｍ以下
では、結晶状態の吸収率を非晶質状態の吸収率以上にし
た場合に変調度が大きくなる利点があり、好ましい。
【０１７６】本実施例では、表面に直接、サンプルサー
ボフォーマットの凹凸を形成したポリカ−ボネ−ト基板
１を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エ
ポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成
した化学強化ガラスなどを用いてもよい。また、サンプ
ルサーボフォーマットの基板だけでなく、連続溝による
トラッキングガイドの凹凸を持つ連続溝サーボフォーマ
ットの基板など、他のフォーマットによる基板でも良
い。ディスクサイズも１３ｃｍに限らず，１２ｃｍ，
３．５‘，２．５‘等，他のサイズでも良い。ディスク
厚さも１．２ｍｍに限らず，０．６ｍｍ，０．８ｍｍ
等，他の厚さでも良い。
【０１７７】本実施例では、中間層４，４’を省略し
て、記録膜３、３’上に第１反射層５、５’を直接形成
しても同様の特性が得られる。この場合は、１層少なく
なるため、ディスク作製が容易になり、作製時間が短縮
できる。
【０１７８】本実施例では、まったく同様の方法によ
り、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、
前記第１および第２のディスク部材の反射層５，５’同
士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わり
に別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを
用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または
保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい
場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うことも
できる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。
【０１７９】（反射率の波長依存性）図７にＳｉ／Ａｌ
-Ｔｉ反射層をもつ本発明のディスクの反射率の波長依
存性を示した。７８０ｎｍでは、非晶質状態の反射率が
極小をとり、両状態の反射率差が最大となり、再生信号
が大きく取れることがわかる。記録膜の膜厚が±１０ｎ
ｍ変化したときの各波長における結晶状態の反射率変動
を調べると、次のようになった。
【０１８０】 波 長 記録膜膜厚２５〜４０ｎｍにおける （ｎｍ） 反射率変動（％） ６００ ９ ７００ １０ ７５０ ７ ７６０ ５ ７８０ ２ ８００ ３ ８２０ ６ ８３０ １０ ８５０ ２０ また、記録膜の膜厚が±１０ｎｍ変化したときの各波長
における結晶状態の記録膜の吸収率変動を調べると、次
のようになった。
【０１８１】 波 長（ｎｍ） 記録膜膜厚２５〜４０ｎｍにおける吸収率差（％） ６００ ５ ７００ １０ ７５０ ９ ７８０ ３ ８００ ４ ８３０ １０ ８５０ １６ これにより、６００ｎｍ以上、８３０ｎｍ以下が反射率
レベルおよび吸収率レベルの記録膜厚に対する変動が小
さいことがわかった。これより、最適波長は７８０ｎｍ
付近である。
【０１８２】また、このディスクの情報メモリー装置は
記録膜膜厚±１０ｎｍの範囲において反射率または吸収
率が１０％以下となる波長の光源を持つため、反射率レ
ベル、吸収率レベルの変動が小さい。
【０１８３】さらに、第１反射層（Ｓｉ）の膜厚を変化
させて反射率の波長依存性を調べて見た。すると、反射
率が極小をとる波長はＳｉの膜厚を１０ｎｍ薄くした場
合、１００ｎｍ短波長側にシフトした。このように、デ
ィスク構造をレーザ波長に合わせて変化して反射率レベ
ルの変動の少ないディスクにすることもできる。
【０１８４】光源の波長が異なるレーザで、記録再生を
行なう場合には、その波長に適した構造にすることが好
ましい。その決定の仕方は、保護層膜厚を固定し記録膜
または第一反射層膜厚を反射率差が大きくなるように決
定する方法、第一反射層膜厚を固定し、記録膜または保
護層膜厚を反射率差が大きくなるように決定する方法ま
たは、屈折率と波長から次式のように各層膜厚を計算す
る方法が好ましい。
【０１８５】ｄ’＝（ｎ×λ’×ｄ）／（ｎ’×λ） ただし、ｄ’は変更した波長における最適膜厚、ｎは波
長７８０ｎｍにおける屈折率、λ’は変更した波長、ｄ
は波長７８０ｎｍにおける膜厚、ｎ’は変更した波長に
おける屈折率、λは７８０（ｎｍ）である。λ’がλに
近い場合は、屈折率の変化は小さいため、ｎ’＝ｎとし
て計算を簡略化できる。後者の方法で、図１に示したデ
ィスクと同様な特性を持つディスクを膜厚だけ変更して
波長６８０ｎｍに最適な構造にすると、保護層は１０９
ｎｍ，記録膜は３０ｎｍ、中間層は１７ｎｍ、第一反射
層は７０ｎｍ、第２反射層は８７ｎｍとなった。さら
に、波長５００ｎｍに最適な構造にすると、保護層は７
５ｎｍ，記録膜は３０ｎｍ、中間層は１２ｎｍ、第一反
射層は４５ｎｍ、第２反射層は１５５ｎｍとなった。こ
のように波長に合わせて最適な構造にすると、変調度が
大きくなり再生信号のＣ／Ｎも大きくなった。
【０１８６】（Ａｌ-Ｔｉ以外の第２反射層）本実施例
で第２反射層６に用いたＡｌ-Ｔｉの代わりの第２反射
層の材料としては、Ａｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃ
ｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするものが好まし
い。Ａｌも使用可能である。Ａｌ合金以外の材料も使用
可能であり、実施例２にも示した。
【０１８７】Ａｌ合金の場合、Ａｌの含有量は５０原子
％以上９９．９原子％以下が熱伝導率を大きくでき、書
き換え可能回数の低下が生じにくい。
【０１８８】Ａｌ−ＴｉおよびＡｌ−Ｔｉの代わりの第
２反射層の材料は，第２反射層全原子数の８０％以上で
あることが好ましい。上記材料以外の不純物が２０原子
％以上になると，書き換え特性の劣化が見られた。
【０１８９】第２反射層の膜厚は０ｎｍでも良いが、５
ｎｍ以上が好ましい。強度を大きくする点より３０ｎｍ
以上、作製時間を少なくする点から２００ｎｍ以下がよ
り好ましい。
【０１９０】［実施例２］（Ｓｉ／ＳｂＢｉ反射層） （構成・製法）実施例１の第２反射層６、６’におい
て、Ａｌ-ＴｉをＳｂ-Ｂｉに置換した点以外は、実施例
１と同様にして、情報記録媒体を製作した。また、記録
膜の初期化、その後の情報の記録・再生方法も実施例１
と同様とした。
【０１９１】（記録膜膜厚と反射率の関係）図８にＳｉ
とＳｂ-Ｂｉ反射層をもつ本発明のディスクの記録膜膜
厚と反射率の関係を示した。Ｓｉ／Ｓｂ-Ｂｉ反射層デ
ィスクにおいては，記録膜膜厚が１０ｎｍ以上の広い範
囲において結晶状態の反射率レベルの変動が小さくなっ
ている。また、非晶質状態の反射率レベルも２５〜５０
ｎｍの範囲で変動が小さくなっている。
【０１９２】第１反射層（Ｓｉ）膜厚と反射率レベルの
変動の関係を調べた結果，記録膜の結晶状態と非晶質状
態の反射率差が１０％以上の範囲、結晶状態の反射率レ
ベルの記録膜厚に対する変動が１０％以下の範囲は次の
ように変化した。
【０１９３】 Ｓｉ反射層膜厚 反射率レベルの変動が１０％ 反射率差が１０％以上の （ｎｍ） 以下の記録膜膜厚（ｎｍ） 記録膜膜厚（ｎｍ） ６０ １０〜３０、４５以上 ４５以上 ６５ ２５以上 ２５以上 ７０ １５以上 ２５以上 ８５ １０以上 ２０以上 １００ １５以上 ３０以上 １２０ ２５以上 １０〜３５ １３０ ２５以上 １０〜３０ これにより、６５ｎｍ以上，１２０ｎｍ以下が反射率レ
ベルの変動が小さい記録膜膜厚の幅が広かく、反射率差
が大きかった。また、この範囲において、結晶状態と非
晶質状態の記録膜の吸収率差が０％に近くなるＳｉ膜厚
は、８５ｎｍ付近であり、この膜厚付近の７０ｎｍ以
上，１００ｎｍ以下が特に、多数回書き換えを行った際
の反射率レベルの変動が小さかった。
【０１９４】（Ａｌ合金，Ｓｂ-Ｂｉ以外の第２反射層
材料）本実施例で第２反射層６、６’に用いたＳｂ-Ｂ
ｉの代わりに、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，
Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ
合金，Ａｌ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金， などこれらを
主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる
層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用い
てもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層
などを用いてもよい。第１反射層と屈折率および消衰係
数が異なる材料であれば、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主
成分とする合金、あるいはこれらと上記元素同志の合金
よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重
層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質と
の複合層などを用いてもよい。また、材料の消衰係数ｋ
が３以上であることが好ましい。
【０１９５】この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ合金、
Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいも
のは、ディスク構造が急冷構造となり、多数回書き換え
による反射率変動が生じにくい。また、Ｓｂ-Ｂｉ，Ｄ
ｙ，ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ等のように熱伝導率が小さいも
のは、保温されやすくなるため、記録感度が良くなると
いう利点がある。
【０１９６】また，Ｍｏ，Ｍｏ化合物を使用した場合に
ついては吸収率制御がしやすいため，書き換え特性が良
くなるという利点がある。
【０１９７】さらに、Ａｕ単体にくらべ、Ａｕ−Ａｇ，
Ａｕ−Ｃｏ，Ａｕ−Ａｌ等のＡｕ合金は接着力が大きく
なるという利点があり好ましい。
【０１９８】Ｓｂ−ＢｉおよびＳｂーＢｉの代わりの第
２反射層の材料は，第２反射層全原子数の８０％以上で
あることが好ましい。上記材料以外の不純物が２０原子
％以上になると，書き換え特性の劣化が見られた。
【０１９９】第２反射層の膜厚は０ｎｍ以上でもよい
が、５ｎｍ以上が好ましい。強度を大きくする点より３
０ｎｍ以上、作製時間を少なくする点から２００ｍｍ以
下がより好ましい。
【０２００】（第１反射層材料と第２反射層材料の組み
合わせ）第１反射層材料については、実施例１に、第２
反射層材料については実施例１と本実施例に述べた材料
が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによっ
て、書き換え特性が向上することがわかった。好ましい
組み合わせは、第１反射層がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，
Ｓｉ−Ｎ化合物の少なくとも１つ、またはこれに近い組
成であり、第２反射層がＡｌ，Ａｌ合金，Ａｕ，Ａｕ合
金，Ａｇ，Ａｇ合金，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合
金，Ｐｄ，Ｐｄ合金，Ｓｂ−Ｂｉ固溶体の少なくとも１
つ、またはこれに近い組成である、場合である。
【０２０１】本実施例に記載していない事項は実施例１
と同様である。
【０２０２】［実施例３］（Ｓｉ／ＡｌＴｉ反射層−組
成の異なる記録膜） （構成・製法）実施例１の記録膜３、３’において、
（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90すなわち、
（Ｃｒ4Ｔｅ5）0.1｛（ＧｅＴｅ）0.33（Ｓｂ2Ｔｅ3）
0.67｝0.9の組成比を置換した点以外は、実施例１と同
様にして、以下の情報記録媒体を製作した。また、記録
膜の初期化、その後の情報の記録・再生方法も実施例１
と同様とした。
【０２０３】（記録膜構成成分と保護層膜厚の関係）上
記記録膜構成成分を（Ｃｒ4Ｔｅ5） x ｛（ＧｅＴｅ）
y （Ｓｂ2Ｔｅ3）100-y｝100-xで表したとき、高融点成
分含有量ｘ（原子％）、相変化成分中のＧｅＴｅ量の割
合ｙ（％）、最適な（光入射側）保護層膜厚ｔ（単位ｎ
ｍ）の関係を調べた。
【０２０４】 高融点成分含有量 相変化成分中の 相変化成分 最適な保護層 ｘ（原子％） ＧｅＴｅ量の割合ｙ(％) の組成 膜厚ｔ（ｎｍ） １０±５ ０．６７ Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5 １００〜 １７０ ２２．５±７．５ ０．３３ Ｇｅ1Ｓｂ4Ｔｅ7 １００〜 １７０ ０ ０．６７ Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5 １８０〜 ２５０ ０ １．０ ＧｅＴｅ １００〜 １７０ 以上より、これらの間に ａｘ＋ｂｙ＝ｃ−ｔ （４） 但し、高融点成分がＣｒ Ｔｅ の場合５≦ａ≦１１，２
５≦ｂ≦３５，２５００≦ｃ≦３５００であった。高融
点成分を他の材料にした場合、上記（４）式は成り立つ
が、ａの値の範囲は多少変化する。但し、ａの値は３≦
ａ≦１５の範囲には入るものがほとんどである。また、
上記の値から±５原子％程度の範囲で記録膜を構成する
各元素の含有量が動いたものでも良好な結果が得られ
た。Ｃｒ−Ｔｅを添加した組成では、保護層が薄くで
き、記録膜にＳｂを入れられるので、記録感度や耐酸化
性の面で好ましい。ただし、元素数が増すので製膜がや
や難しくなる。上式（４）に含まれていない各層の材料
および膜厚の好ましい範囲は実施例１と同様である。
【０２０５】このように、保護層、記録膜、第１反射
層、第２反射層、中間層の膜厚および構成成分の選択
は、単独で効果を上げるだけでなく、全体的にディスク
の特性に依存してくる。したがって、それぞれの好まし
い範囲、できれば、より好ましい範囲をすべて満たすこ
とが１番好ましい。しかし、すべてを満たしていなくて
も、その中の１〜２つを除くすべてを満たしていれば、
ディスクの記録再生特性は非常に良好に保たれるし、半
分以上を満たしていれば、良好に保たれる。
【０２０６】（記録膜材料）本実施例で記録膜３、３’
に用いた（（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90 ）
の代わりの記録膜の材料としては、（（Ｃｒ4Ｔｅ5）10
（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90 ）等Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系で
組成比の異なる材料が書き換え可能回数の低下が生じに
くい。
【０２０７】次いで、Ａｇ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｃｏ-Ｇｅ
-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｖ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，等でも同様の結果が
得られた。 さらに、上記以外のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5，Ｇ
ｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，Ｉｎ3ＳｂＴｅ2，Ｉｎ
35Ｓｂ32Ｔｅ33，Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43、ＧｅＴｅ，Ａｇ
-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｎｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｐｔ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｓｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ａｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔ
ｅ，Ｃｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｎ
-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｆｅ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｔｉ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，およびこれらに近い組
成のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部
をＩｎに置き換えても、これに近い特性が得られる。
【０２０８】また、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅを主成分とする相変
化成分と、より融点の高い高融点成分を添加した記録膜
が書き換え可能回数の低下が生じにくい。相変化成分の
全原子数の９５％以上がＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3との組合
せよりなり、高融点成分はの全原子数の９５％以上がＣ
ｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｃｏ−Ｔ
ｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｏ
−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ
−Ｓｂ，Ｃｕ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−
Ｇｅ，Ｃｕ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ，
Ｍｎ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍ
ｎ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｖ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｖ
−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｖ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｎｉ
−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，
Ｎｉ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｔｅ，Ｍ
ｏ−Ｓｂ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ
−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｗ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ，Ｗ−
Ｇｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｗ−Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ，Ａｇ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｓｂ
−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｇｅ−Ｔｅ，の少な
くとも１つ、またはこれに近い組成であると、より書き
換え可能回数の低下が生じにくく、 Ｃｒ4Ｔｅ5， Ｃｒ
2Ｔｅ3，Ｃｒ5Ｔｅ8，等、Ｃｒ−Ｔｅ，が特に良いこと
がわかった。また， Ａｇ2Ｔｅ， ＡｇＳｂＴｅ2等は光
源波長が短くなっても信号強度が大きく，Ａｇ−Ｔｅ，
Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅが特に良いことがわかった。
【０２０９】相変化成分の全原子数の９５％以上の組成
がＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5である場合、記録膜全原子数の中の
高融点成分原子の占める割合は、５％原子以上、２０原
子％以下が書き換え特性が良い。５％原子以上、１５原
子％以下は消去特性が良いため書き換え特性がより良
い。
【０２１０】記録膜膜厚は１５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下
が変調度が大きく、流動が起こりにくく好ましい。１５
ｎｍ以上、４０ｎｍ以下であれば、結晶状態の吸収率が
非晶質状態の吸収率以上になりやすいという利点をも
つ。また、２５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の範囲であれ
ば、記録膜膜厚の変動に対して反射率変化が少ない、ま
たは記録膜膜厚が厚くなったときに吸収率が上がるなど
の利点を持つ。
【０２１１】本実施例に記載していない事項は、実施例
１または実施例２と同様である。
【０２１２】［実施例４］（Ｓｉ反射層） （構成・製法）図９は、この発明の実施例４の情報記録
用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構造を示
す。この媒体は次のようにして製作された。
【０２１３】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表
面にＩＳＯ−Ｂフォーマットを有するポリカーボネート
基板１を形成し、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりな
る保護層２を膜厚約１２５ｎｍ、（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇ
ｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90の組成の記録膜３を膜厚約３５ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４を
約３５ｎｍの膜厚、Ｓｉ膜よりなる反射層８を膜厚１６
０ｎｍ、順次形成した。こうして、第１のディスク部材
を得た。これらの膜の形成は実施例１に記載したマグネ
トロン・スパッタリング装置にて行った。
【０２１４】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１’上に順に積層された、膜厚約１２５ｎｍ
の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２’、
膜厚約３５ｎｍの（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ
5）90の記録膜３’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４’、および膜厚１６
０ｎｍのＳｉ膜よりなる反射層８’を備えている。
【０２１５】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層７を用いて、前記第１および第２のディ
スク部材の反射層８，８’同士を貼り合わせ、図１に示
すディスク状情報記録媒体を得た。
【０２１６】また、記録膜の初期化、その後の情報の記
録・再生方法も実施例１と同様とした。
【０２１７】（記録膜膜厚と反射率レベルの関係）図１
０に、Ｓｉ反射層をもつ実施例４のディスクの記録膜膜
厚と反射率レベルの関係を示した。Ｓｉ反射層ディスク
においては，記録膜膜厚が１５〜５０ｎｍの広い範囲に
おいて反射率レベルの変動が小さくなっている。
【０２１８】（反射層膜厚と反射率レベルの変動の様子
の関係）反射層（Ｓｉ）膜厚を変化させると反射率レベ
ルの記録膜膜厚に対する変動の様子は次のように変化し
た。
【０２１９】 反射層膜厚 反射率レベルの変動が１０％ 反射率差１０％以上の （ｎｍ） 以下の記録膜膜厚（ｎｍ） 記録膜膜厚（ｎｍ） ８０ ３０以上 １５〜５０ １００ ２５以上 １０〜４０ １２０ ２０〜４５ １０〜３５ １４０ １０〜３０、３５以上 １５以上 １６０ ２０以上 ２０以上 １８０ ３０以上 １５以上 ２００ ２５以上 １５〜４５ ２２０ ２５〜４５ １０〜３５ これから、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲が好ま
しく、１２０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下の範囲がより好ま
しいことが分かる。
【０２２０】また、この範囲において、結晶状態と非晶
質状態の吸収率差が０％に近くなる反射層膜厚は１６０
ｎｍ付近であり、この膜厚±１０ｎｍ以下が特に、多数
回書き換えを行った際の反射率レベルの変動が小さく、
最適であった。
【０２２１】保護層、中間層、記録膜の材料または膜厚
を変化させると、最適なＳｉ反射層膜厚は変化する。実
施例４のディスクの各層を膜厚約１５０ｎｍの（Ｚｎ
Ｓ）80(SiO2）20膜よりなる保護層２、２’、膜厚約２
５ｎｍの（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90の記
録膜３、３’、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20 膜よりなる中間層４，４’に代えたとき、最適な
Ｓｉ反射層膜厚は１５０ｎｍであった。このように、吸
収率差が０％に近くなる反射層膜厚±１０ｎｍに設定す
ると良い。
【０２２２】（Ｓｉ以外の反射層材料）この実施例で反
射層８、８’に用いたＳｉの代わりに、反射層の材料と
しては、Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分
の光吸収率を記録マーク以外の部分の光吸収率より小さ
くできるので、光吸収率差による消え残りを防止でき、
さらに書き換え可能回数が低下しない。Ｇｅの含有量は
１０原子％以上８０原子％以下が書き換え可能回数の低
下が生じにくい。
【０２２３】また、ＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓを添加すると、反射
層の透過率が下がり、吸収率が上がるため、感度低下を
防ぐことができる。この場合の添加元素の含有量は１原
子％以上２５原子％以下が多数回書き換え時の反射率レ
ベルの変動が生じにくい。
【０２２４】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ
−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の
混合材料でも同様の結果が得られた。これらの反射層材
料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を
用いる場合の反射層材料として用いても、従来の反射層
材料に比べて書き換え可能回数が低下しない。Ｓｉに添
加する元素の含有量は３原子％以上５０原子％以下が書
き換え可能回数の低下が生じにくい。
【０２２５】さらに、上記以外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材
料、屈折率が大きくて消衰係数が小さい材料よりなる層
を用いてもよいし、それらの相よりなる多重層を用いて
もよいし、これらの酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。Ｇｅも使用可能である。その他、各
種窒化物、硫化物、セレン化物も使用可能である。
【０２２６】図１1に反射層材料を変化させた場合の反
射率レベルの変動の様子を示した。○印は反射率レベル
の変動が特に小さく、△は小さく、□はやや小さく、×
は大きいことを示している。これより，反射層材料の屈
折率ｎと消衰係数ｋがｎ≧２ が好ましく、ｎ≧２，４
≧ｋ がより好ましく、ｎ≧２，１≧ｋ が特に好まし
い材料であることがわかった。
【０２２７】また，それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。
【０２２８】（反射層材料と反射層膜厚の関係）Ｓｉ反
射層、Ｓｉ−Ｇｅ反射層など、屈折率や消衰係数が異な
る反射層材料について、反射層材料の屈折率ｎrと反射
層膜厚ｄrの関係を調べた。ここでｍは０または正の整
数である。
【０２２９】 ｄr＝（ｚｍ−ｖ）／ｎr＋ｈ （ｎｍ） （５） 但し、ｈ，ｚ，ｖの範囲はそれぞれ、−６５≦ｈ≦−
５、３８０≦ｚ≦４００，２４０≦ｖ≦２５０、ｍは０
または正の整数である。反射層膜厚ｄrが式（５）を満
たすとき反射率レベルの変動が小さくなる。式（５）に
おいて、ｈの範囲が−４５≦ｈ≦−２５を満たすとき
は、反射率レベルの変動がより小さくなることがわかっ
た。だだし、膜厚が５０ｎｍ以上の方が書き換え特性が
よかった。これは、５０ｎｍより薄い時は強度が小さく
なるためと考えられる。
【０２３０】本実施例に記載していない事項は、実施例
１〜３と同様である。例えば、初期化、記録再生方法、
保護層、中間層、基板材料等については実施例１および
２と、記録膜材料等については実施例３と同様である。
【０２３１】［実施例５］（Ｓｉ光入射側反射層：５層
構造−１（高反射率、吸収率逆転）） （構成・製法）図１２は、この発明の第５実施例の情報
記録用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構造
を示す。この媒体は次のようにして製作した。
【０２３２】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表
面にＩＳＯ−Ｂ（サンプルサーボ）フォーマットの凹凸
を有するポリカーボネート基板１上に、Ｓｉよりなる光
入射側反射層９を膜厚約５０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20膜よりなる保護層２を膜厚約２３５ｎｍ、（Ｇ
ｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）85（Ｃｒ4Ｔｅ5）15の組成の記録膜３
を膜厚約２５ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜より
なる中間層４を約２０ｎｍ、その上にＡｌ97Ｔｉ3 膜よ
りなる反射層８を膜厚１００ｎｍ、順次形成した。膜の
形成は実施例１と同様のスパッタリング装置を使用し
た。こうして、第１のディスク部材を得た。
【０２３３】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１’上に順に積層された、Ｓｉよりなる光入
射側反射層９’膜厚約５０ｎｍ、膜厚約２３５ｎｍの
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２’、膜
厚約２５ｎｍの（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）85（Ｃｒ4Ｔｅ5）1
5の記録膜３’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20層４’を備えている。
【０２３４】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層７を用いて、前記第１および第２のディ
スク部材の反射層８，８’同士を貼り合わせ、図１３に
示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０２３５】また、記録膜の初期化、その後の情報の記
録・再生方法も実施例１と同様とした。
【０２３６】（結晶状態と非晶質状態の反射率）Ｓｉ光
入射側反射層をもつ本発明のディスクの結晶状態の反射
率Ｒcおよび非晶質状態の反射率Ｒaを調べると、以下に
示すようになった。
【０２３７】Ｒc＝６０（％） Ｒa＝２４（％） これより、変調度Ｍ＝（Ｒc−Ｒa）／Ｒc（ただし、Ｒc
＞Ｒa）は、６０％でありことが分かる。このように、
反射率および変調度が高いディスクが得られた。
【０２３８】（保護層膜厚、Ｓｉ光入射側反射層膜厚と
吸収率の関係−１）本発明のディスクにおいて、保護層
膜厚を１２５ｎｍ〜３０５ｎｍの範囲で変化させたと
き、結晶状態の吸収率Ａcが非晶質状態の吸収率Ａaと等
しいか、それより大きくなる（Ａc≧Ａa）Ｓｉ光入射側
反射層の膜厚を２００ｎｍ以下の範囲で調べた。以下の
範囲では従来ディスクに比べオーバーライトの際の消え
残りが少なくなることが分かった。これは、吸収率の関
係が従来ディスクと逆、すなわちＡc≧Ａaとなっている
ため、記録マークのある場所へ記録した際にマーク幅が
大きくなり過ぎるのを防げるからである。
【０２３９】 下部保護層膜厚（ｎｍ） Ａc≧ＡaとなるＳｉ光入射側反射層膜厚（ｎｍ） １２５ ７０〜１００、１７５〜２０５ １５０ ４０〜９５、１４５〜２００ １８０ ２０〜７５、１２５〜１８５ ２１０ １０〜４５、１１５〜１５０ ２３５ ５〜２０、１１０〜１２５ これより、Ａc≧Ａaとなる、好ましい保護層膜厚ｄpと
Ｓｉ光入射側反射層膜厚ｄaの範囲の関係は次式で表さ
れる。
【０２４０】 ｄp＝ｆ−０．６６ｄa （ｎｍ） （６） ただし、ｆの範囲は１４０≦ｆ≦２００である。この
際、Ｓｉ光入射側反射層膜厚を１０ｎｍ以上５０ｎｍ以
下にすると変調度が大きくなり好ましい。
【０２４１】また、消衰係数ｋの小さい材料では、膜厚
が一定周期で同じ値の吸収率Ａを示した。この場合、保
護層膜厚ｄpは約１８０ｎｍとＳｉ光入射側反射層膜厚
ｄaは約１０５ｎｍ周期であるため、実際はｊ，ｕを整
数とすれば ｄp＝ｆ−０．６６（ｄa−１０５ｕ）−１８０ｊ （ｎｍ） （７） で表される。ただし、成り立つのは、１０≦ｄp、０＜
ｄaの範囲である。また、膜厚の周期ｄと屈折率ｎには
ｄ＝ｚ／ｎで示される関係があるため、式
（７）は次式でも言い替えられる。
【０２４２】 ｄp＝ｆ−０．６６（ｄa−ｚｕ／ｎa）−ｚｊ／ｎp （ｎｍ） （８） ただし、ｎpは保護層の屈折率、ｎaは光入射側反射層の
屈折率、ｚの範囲は３８０≦ｚ≦４００である。
【０２４３】（保護層膜厚、Ｓｉ光入射側反射層膜厚と
吸収率の関係−２）本発明のディスクにおいて、保護層
膜厚を１５０ｎｍ〜３３０ｎｍの範囲で変化させたと
き、結晶状態の反射率Ｒcが６０％以上、変調度Ｍ＝
（Ｒc−Ｒa）／Ｒc（ただし、Ｒc＞Ｒa）も、６０％以
上となるＳｉ光入射側反射層の膜厚を２００ｎｍ以下の
範囲で調べた。以下の範囲では従来ディスクに比べ反射
率、変調度が大きくなっている。
【０２４４】 保護層膜厚（ｎｍ） Ｒc≧６０％、Ｍ≧６０％となる Ｓｉ光入射側反射層膜厚（ｎｍ） １５０ なし １８０ なし ２２０ ７０、８０、１７５、１８５ ２３５ ４５、１５０ ２５０ ３５、１４０ ２６０ ３０、１３５ ２８０ ２５、１３０ ３２０ ２０、１２５ これより、Ｒc≧６０％、Ｍ≧６０％となる保護層膜厚
ｄpとＳｉ光入射側反射層膜厚ｄaの関係は次式で表され
る。
【０２４５】 ｄp＝１４４０×１０＾（−６．２６ｅ−３ｄa）＋ｇ （９） ただし、ｇの範囲は−３０≦ｇ≦３０である。また、消
衰係数ｋの小さい材料では、膜厚が一定周期で同じ値の
反射率Ｒを示す。この場合、保護層膜厚ｄpは約１８０
ｎｍとＳｉ光入射側反射層膜厚ｄaは約１０５ｎｍ周期
であるため、実際はｊ，ｕを正の整数とすれば ｄp＝１４４０×１０＾｛−６．２６ｅ−３（ｄa−１０５ｕ）｝ ＋ｇ＋１８０ｊ （１０） で表される。また、膜厚の周期ｄと屈折率ｎには ｄ＝ｚ／ｎ で示され関係があるため、式（１０）は次式でも言い替
えられる。
【０２４６】 ｄp＝１４４０×１０＾｛−６．２６ｅ−３（ｄa−ｚｕ／ｎa）｝ ＋ｇ＋ｚｊ／ｎp （１１） ただし、１０＾｛−６．２６ｅ−３（ｄa−ｚｕ／ｎ
a）｝は１０の｛−６．２６ｅ−３（ｄa−ｚｕ／ｎ
a）｝乗を表す。ｎpは保護層の屈折率、ｎaは光入射側
反射層の屈折率、ｚの範囲は３８０≦ｚ≦４００であ
る。
【０２４７】（Ｓｉ以外の光入射側反射層材料）この実
施例で光入射側反射層９，９’に用いたＳｉの代わり
の、光入射側反射層の材料としてＳｉ−Ｇｅ混合材料
が、記録マーク部分の光入射側反射率を記録マーク以外
の部分の光入射側反射率より小さくできるので、光入射
側反射率差による消え残りを防止でき、さらに書き換え
可能回数が低下しない。Ｇｅの含有量は１０原子％以上
８０原子％以下が書き換え可能回数の低下が生じにく
い。
【０２４８】また、ＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓを添加すると、反射
層の透過率が下がり、吸収率が上がるため、感度低下を
防ぐことができる。この場合の添加元素の含有量は１原
子％以上２５原子％以下が多数回書き換え時の反射率レ
ベルの変動が生じにくい。
【０２４９】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ，Ｓｉ−Ｉ
ｎまたはＳｉ−Ａｕ混合材料、あるいはこれら混合材料
の２種以上の混合材料でも同様の結果が得られた。これ
らの反射層材料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他
の相変化膜を用いる場合の反射層材料として用いても、
従来の反射層材料に比べて書き換え可能回数が低下しな
い。Ｓｉに添加する元素の含有量は３原子％以上５０原
子％以下が書き換え可能回数の低下が生じにくい。
【０２５０】さらに、上記以外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材
料、屈折率が大きくて消衰係数が小さい材料よりなる層
を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらの酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。Ｇｅも使用可能である。その他、各
種窒化物、硫化物、セレン化物も使用可能である。
【０２５１】光入射側反射層材料の屈折率ｎと消衰係数
ｋは吸収率を制御しやすいため、ｎ≧２がより好まし
く、ｎ≧２かつ２≧ｋ が特に好ましい材料であること
がわかった。
【０２５２】また，それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらとＳｉＯ2など酸化物などの他の物質
との複合層などを用いてもよい。
【０２５３】（光入射側反射層を持つディスクにおける
Ａｌ−Ｔｉ以外の反射層材料）本実施例で反射層８、８
に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりに、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，
Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ
の元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ａ
ｌ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，などこれらを主成分とす
る合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いて
もよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよい
し、これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用
いてもよい。
【０２５４】この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ，Ｃｕ
合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，Ａｇ合金，等のように、熱
伝導率が大きいものは、ディスク構造が急冷構造とな
り、多数回書き換えによる反射率変動が生じにくい。ま
た、Ｓｂ-Ｂｉ，Ｄｙ，ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ 等のように
熱伝導率が小さいものは、保温されやすくなるため、記
録感度が良くなるという利点がある。さらに、Ａｕ単体
にくらべ、Ａｕ−Ａｇ，Ａｕ−Ｃｏ，Ａｕ−Ａｌ等のＡ
ｕ合金は接着力が大きくなるという利点があり好まし
い。
【０２５５】また、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−
Ｎ，Ｓｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｉｎ，Ｓｉ−Ａｕの少なくとも
一者、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とする合金、あ
るいはこれらと上記元素同志の合金よりなる層を用いて
もよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよい
し、これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用
いてもよい。Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｎ，の少
なくとも一者に、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，
Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｇａ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅ，より成る群より選ばれた少なく
とも一者を１原子％以上、３０原子％以下添加した組
成、またはこれに近い組成であると、吸収率制御を行な
いやすいという利点がある。
【０２５６】反射層の膜厚は、５ｎｍ以上が好ましい。
強度を大きくする点より３０ｎｍ以上、作製時間を少な
くする点から２００ｍｍ以下がより好ましい。特に、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ａｌ合金、Ａｕ合金、Ｓｂ-Ｂｉなど消衰係
数が１以上の材料は反射層の膜厚を３０ｎｍ以下にする
と吸収率制御を行ないやすい。結晶状態の吸収率を非晶
質状態の吸収率以上にするのには、５ｎｍ以上３０ｎｍ
以下が好ましい。
【０２５７】また、反射層の膜厚を５ｎｍ以上１０ｎｍ
以下にすると、結晶状態の吸収率と非晶質状態の吸収率
の差を１０％以下の適当な値に保つことができ、好まし
い。
【０２５８】このような、保護層、記録膜、光入射側反
射層、反射層、中間層の膜厚および構成成分の選択は、
単独で効果を上げるだけでなく、全体的にディスクの特
性に依存してくる。したがって、それぞれの好ましい範
囲、できれば、より好ましい範囲をすべて満たすことが
１番好ましい。しかし、すべてを満たしていなくても、
その中の１〜２つを除くすべてを満たしていれば、ディ
スクの記録再生特性は非常に良好に保たれるし、半分以
上を満たしていれば、良好に保たれる。
【０２５９】なお、ここで述べていない事項は、実施例
１〜３と同様である。
【０２６０】［実施例６］（Ａｕ光入射側反射層−平坦
化他２） （構成・製法）実施例５の光入射側反射層９，９’にお
いてＳｉをＡｕ−Ａｇに置換した以外は実施例５同様に
して情報記録媒体を製作した。このディスク部材におけ
る各層は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍの基板１、
１’上に順に積層された、膜厚約１０ｎｍのＡｕ50Ａｇ
50よりなる光入射側反射層９，９’、膜厚約１８５ｎｍ
の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２、
２’、膜厚約３０ｎｍの（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90（Ｃｒ4
Ｔｅ5）10の組成の記録膜３、３’、膜厚約２０ｎｍの
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４、
４’、および膜厚１００ｎｍのＡｌ97Ｔｉ3 膜よりなる
反射層８、８’、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホットメル
ト接着剤層７を備えている。
【０２６１】また、記録膜の初期化、その後の情報の記
録・再生方法も実施例１と同様とした。
【０２６２】（結晶状態と非晶質状態の反射率）Ａｕ−
Ａｇ光入射側反射層をもつ本発明のディスクの結晶状態
の反射率Ｒcおよび非晶質状態の反射率Ｒaを調べると、
以下に示すようになった。
【０２６３】Ｒc＝６０（％） Ｒa＝２４（％） これより、変調度Ｍ＝（Ｒc−Ｒa）／Ｒc（ただし、Ｒc
＞Ｒa）は、６０％であることが分かる。このように、
反射率および変調度が高いディスクが得られた。
【０２６４】（保護層膜厚と吸収率の関係−１）本発明
のディスクにおいて、保護層膜厚を５０ｎｍ〜２３０ｎ
ｍの範囲で変化させたとき、結晶状態の吸収率Ａcが非
晶質状態の吸収率Ａaと等しいか、それより大きくなる
（Ａc≧Ａa）範囲を調べたところ、１００ｎｍ〜１７０
ｎｍであることがわかった。この範囲では従来ディスク
に比べオーバーライトの際の消え残りが少なくなること
が分かった。これは、吸収率の関係が従来ディスクと
逆、すなわちＡc≧Ａaとなっているため、記録マークの
ある場所へ記録した際にマーク幅が大きくなり過ぎるの
を防げるからである。
【０２６５】また、反射層８、８’をＳｉ層１００ｎｍ
に換えた場合、結晶状態の吸収率Ａcが非晶質状態の吸
収率Ａaより大きくなる（Ａc≧Ａa）範囲は６０ｎｍ〜
１７０ｎｍとなった。これより、保護層膜厚は、６０ｎ
ｍ〜１７０ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜１７０ｎｍが
より好ましいことが分かった。
【０２６６】さらに、ＺｎＳ−ＳｉＯ2のように消衰係
数ｋの小さい材料では、膜厚が一定周期で同じ吸収率の
値Ａを示す。この場合、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20 膜
の屈折率ｎは１．９〜２．２、消衰係数ｋは０であるた
め、保護層膜厚ｄpは約１８０ｎｍの周期をもち、好ま
しい範囲は次式のようになる。
【０２６７】 ｄp＝ｉ＋１８０ｊ （ｎｍ） （１２） 但し、ｊは０または正の整数，ｉの範囲は６０≦ｉ≦１
７０である。好ましい範囲はｉの範囲が１００≦ｉ≦１
７０の時である。
【０２６８】別の材料の場合には，膜厚の周期ｄと屈折
率ｎは ｄ＝ｚ／ｎ で示される関係があることから、保護層の屈折率をｎp
とすると、上式は次のように表される。
【０２６９】 ｄp＝ｉ＋ｚｊ／ｎp （ｎｍ） （１３） 但し、ｚの範囲は３８０≦ｚ≦４００である。
【０２７０】（記録膜膜厚と反射率レベル、吸収率レベ
ルの関係）材料は換えずに、保護層２、２’、記録膜
３、３’、中間層４、４’の膜厚を変化させた場合、図
１３に示すような記録膜膜厚と反射率レベルの関係がみ
られた。このディスク部材における各層は、直径１３ｃ
ｍ，厚さ１．２ｍｍの基板１、１’上に順に積層され
た、膜厚約１０ｎｍのＡｕ50Ａｇ50よりなる光入射側反
射層９，９’、膜厚約１１５ｎｍの（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20膜よりなる保護層２、２’、膜厚約２０ｎｍの
（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90（Ｃｒ4Ｔｅ5）10の記録膜３、
３’、膜厚約３０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜
よりなる中間層４、４’、および膜厚１００ｎｍのＡｌ
97Ｔｉ3 膜よりなる反射層８、８’からなる。このディ
スクにおいては、図１８に示した従来のディスクと異な
り、非晶質状態の反射率が結晶状態の反射率レベルより
高くなっている。また、記録膜膜厚が１０〜４０ｎｍの
範囲において反射率レベルの変動が小さくなっている。
反射率レベルの変動の様子は保護層の膜厚に依存してお
り、記録膜が２０ｎｍの時、ディスクの反射率を調べる
と、図１４に示すようになった。保護層の膜厚ｄpを変
化させた際の反射率レベルの変動を調べた結果、（１
４）〜（１６）の反射率条件を満たす範囲の膜厚を選ぶ
と、記録膜厚が変化した際の反射率変動が小さくなっ
た。ここで、結晶状態の反射率はＲc，非晶質状態の反
射率はＲaとする。
【０２７１】 Ｒc−Ｒa≧０ （１４） ｄＲa／ｄｄp≦０ （１５） ｄＲc／ｄｄp≦０ （１６） （１４’）〜（１６’）の反射率条件を満たす範囲で
は、記録膜厚が変化した際の反射率変動が小さくなり、
さらに変調度が大きくなった。
【０２７２】 Ｒc−Ｒa≧１０ （１４’） ｄＲa／ｄｄp≦０．０１ （１５’） ｄＲc／ｄｄp≦０．０１ （１６’） 特に、上記（１２）、（１３）式で１１０≦ｉ≦１３０
の時に反射率変動が小さかった。
【０２７３】また、材料は換えずに、さらに保護層２、
２’、記録膜３、３’、中間層４、４’、反射層８、
８’の膜厚を増加したディスクを作製した。このディス
ク部材における各層は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍ
の基板１、１’上に順に積層された、膜厚約１０ｎｍの
Ａｕ50Ａｇ50よりなる光入射側反射層９，９’、膜厚約
１１０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保
護層２、２’、膜厚約２５ｎｍの（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）9
0（Ｃｒ4Ｔｅ5）10の記録膜３、３’、膜厚約５０ｎｍ
の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４、
４’、および膜厚５０ｎｍのＡｌ97Ｔｉ3 膜よりなる反
射層８、８’からなる。このディスクにおいては、高パ
ワーでレーザ光照射し記録膜を非晶質化した場合に反射
率が高く、低パワーでレーザ照射し記録膜を結晶化させ
た場合に、反射率が低くなるという特性を持つ。また、
記録膜膜厚が厚くなるに従い、吸収率が少し大きくなっ
ている。図１８、１９に示される従来ディスクでは、記
録膜膜厚が厚くなるに従い、吸収率が小さくなるため、
記録膜の流動が生じた場合、記録膜膜厚が厚くなった部
分は書き換えを繰り返すとさらに厚くなるかそのままで
ある。しかし、このディスクでは、記録膜膜厚が厚くな
るに従い吸収率が大きくなるため、書き換えを繰り返し
たとき、膜厚が逆に薄くなるか、それ以上厚くならない
効果がある。
【０２７４】また、書き換え時の特性は、各層の膜厚、
材料の組み合わせで大きく異なることがわかった。ここ
で、特性向上に大きく効いていたのは、光入射側反射層
材料にＡｕ−Ａｇを用いたこと、記録膜中の高融点成分
含有量が５原子％以上１５原子％以下であること、反射
層膜厚が３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲にあること、
保護層膜厚が７０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲にある
ことである。これらは、全部を満たすことが一番好まし
いが、一部でも十分効果がある。特に、保護層膜厚につ
いては、あまり薄くなると反射率差が小さくなる傾向が
あるものの、薄くすることで書き換え時の流動が起こり
にくくなる。従って、７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範
囲がより好ましく、７０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲で
あれば特に好ましい。光入射側反射層材料中のＡｕへの
添加元素の量は、Ａｇの場合範囲が広く、１原子％以上
８０原子％以下が好ましい。
【０２７５】またＡｕ−Ａｇなど消衰係数が大きな光入
射側反射層は厚すぎると光を透過しなくなるため、２０
ｎｍ以下が好ましい。
【０２７６】（Ａｕ−Ａｇ以外の光入射側反射層材料）
この実施例で光入射側反射層９に用いたＡｕ−Ａｇの代
わりに、光入射側反射層の材料としては、Ａｕ−Ｃｏ混
合材料が、基板と膜の接着力を大きくできる。Ｃｏの含
有量は１原子％以上３０原子％以下にすると光を透過さ
せることができ、ディスクの反射率を適当にすることが
できる。
【０２７７】次いで、Ａｕ−Ａｌ，Ａｕ−Ｃｕ，Ａｕ−
Ｃｒ，Ａｕ−Ｎｉ，Ａｕ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｓｉ混合材料、
あるいはこれら混合材料の２種以上の混合材料でも同様
の結果が得られた。これらの光入射側反射層材料は、本
発明の情報記録用媒体ばかりでなく、他の相変化膜を用
いる情報記録用媒体の光入射側反射層として用いても、
吸収率を制御することができ、消え残りを小さくするこ
とができる。Ａｕはｎが小さく、可能となる膜厚範囲も
大きいため、単体で用いても光学的には良いが、Ａｕ−
Ａｇ、Ａｕ−Ｃｏ等の混合材料に比べると、接着力が小
さい点で劣る。
【０２７８】さらに、上記以外のＣｕ，Ａｇ，Ｎｄ含有
混合材料、Ａｕ−Ｇｅ，Ａｕ−Ｓｂ混合材料、屈折率が
小さい材料よりなる層を用いてもよい。そのときの屈折
率はｎ≦１ が好ましく、ｎ≦０．５ がより好まし
く、ｎ≦０．２ が特に好ましい材料であることがわか
った。
【０２７９】また，それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。
【０２８０】このような、保護層、記録膜、光入射側反
射層、反射層、中間層の膜厚および構成成分の選択は、
単独で効果を上げるだけでなく、全体的にディスクの特
性に依存してくる。したがって、それぞれの好ましい範
囲、できれば、より好ましい範囲をすべて満たすことが
１番好ましい。しかし、すべてを満たしていなくても、
その中の１〜２つを除くすべてを満たしていれば、ディ
スクの記録再生特性は非常に良好に保たれるし、半分以
上を満たしていれば、良好に保たれる。
【０２８１】なお、ここで述べていない事項は、実施例
１〜３および実施例４と同様である ［実施例７］（Ａｕ光入射側反射層−高反射率：６層構
造−１（高反射率）） （構成・製法）図１５は、この発明の第７実施例の情報
記録用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構造
を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【０２８２】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表
面にＩＳＯ−Ｂフォーマットを有するポリカーボネート
基板１上にＡｕ50Ａｇ50よりなる光入射側反射層９を膜
厚約１０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる
保護層２を膜厚約１８０ｎｍ、（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ
2Ｓｂ2Ｔｅ5）90の組成の記録膜３を膜厚約４０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４を約２
０ｎｍの膜厚、Ｓｉ膜よりなる第１反射層５を膜厚８０
ｎｍ、 Ａｌ97Ｔｉ3 膜よりなる第２反射層６を膜厚１
００ｎｍ、順次形成した。こうして、第１のディスク部
材を得た。膜の形成には、実施例１と同様のマグネトロ
ンスパッタ装置を用いた。
【０２８３】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１’上に順に積層された、 Ａｕ50Ａｇ50よ
りなる光入射側反射層９’膜厚約１０ｎｍ、膜厚約１８
０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層
２’、膜厚約４０ｎｍの（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2
Ｔｅ5）90の記録膜３’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）8
0（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４’、Ｓｉ膜よりなる
第１反射層５’を膜厚８０ｎｍ、および膜厚１００ｎｍ
のＡｌ97Ｔｉ3 膜よりなる第２反射層６’を備えてい
る。
【０２８４】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層７を用いて、前記第１および第２のディ
スク部材の第２反射層６，６’同士を貼り合わせ、図１
６に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０２８５】また、記録膜の初期化、その後の情報の記
録・再生方法も実施例１と同様とした。
【０２８６】（記録膜膜厚と反射率の関係）図１６にＡ
ｕ−Ａｇの光入射側反射層、ＳｉとＡｌ-Ｔｉ反射層を
もつ本発明のディスクの記録膜膜厚と反射率の関係を示
した。図１８、１９には比較のため従来のディスク構造
および記録膜膜厚と反射率の関係を示した。上記Ｓｉ／
Ａｌ-Ｔｉ反射層ディスクにおいては，記録膜膜厚が２
０〜５０ｎｍの広い範囲において結晶化状態の反射率レ
ベルの変動が５％以下と非常に小さくなっている。この
範囲に記録膜膜厚を決定することにより、レーザ光のパ
ワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で記録・消
去を１０5回以上繰り返した時にも、従来構造ディスク
に比べて反射率変動が少なくなった。これは、多数回の
書き換えにより多少の膜厚変化が生じても、反射率レベ
ルの変動が小さくなったためと考えられる。
【０２８７】（第１反射層膜厚と反射率の関係）第１反
射層（Ｓｉ）膜厚を変えた時、記録膜膜厚に対する結晶
状態の反射率レベルの変動が１０％以下の範囲、および
結晶状態と非晶質状態の反射率差が１０％以上の範囲は
次のように変化した。
【０２８８】 Ｓｉ反射層膜厚 反射率レベルの変動が１０％ 反射率差１０％以上の （ｎｍ） 以下の記録膜膜厚（ｎｍ） 記録膜膜厚（ｎｍ） ５５ ２０〜３０ なし ７０ ２５以上 ４０以上 ８０ ２０以上 ３５以上 ９０ ２０〜４５ ３０〜６５、８５以上 １００ ２５以上 ２５〜５５、８５以上 １２０ ３０以上 １５〜４５、８０以上 １４０ ３０以上 なし これにより、第１反射層（Ｓｉ）膜厚が７０ｎｍ以上、
１２０ｎｍ以下が記録膜膜厚に対する反射率レベルの変
動が小さく、反射率差が大きいことがわかった。結晶状
態と非晶質状態の反射率差が１０％以上ある範囲におい
て、結晶状態と非晶質状態の記録膜の吸収率差が０％に
近くなるＳｉ膜厚は、８０ｎｍ付近であり、この膜厚の
±１０ｎｍ以下が特に、多数回書き換えを行った際の反
射率レベルの変動が小さかった。
【０２８９】このような、光入射側反射層、保護層、記
録膜、第１反射層、第２反射層、中間層の膜厚および構
成成分の選択は、単独で効果を上げるだけでなく、全体
的にディスクの特性に依存してくる。したがって、それ
ぞれの好ましい範囲、できれば、より好ましい範囲をす
べて満たすことが１番好ましい。しかし、すべてを満た
していなくても、その中の１〜２つを除くすべてを満た
していれば、ディスクの記録再生特性は非常に良好に保
たれるし、半分以上を満たしていれば、良好に保たれ
る。
【０２９０】本実施例に記載していない事項は、実施例
１〜３、および６と同様である。例えば、初期化、記録
再生方法、保護層、中間層、基板材料、第１反射層等に
ついては実施例１、第２反射層材料等については実施例
２、記録膜材料については実施例３、光入射側反射層材
料等については実施例６に記載した。
【０２９１】［実施例８］（Ｓｉ光入射側反射層−Ｓｉ
／ＡｌＴｉ反：高反射率） （構成・製法）図１５の第７実施例の情報記録用薄膜に
おいて、光入射側反射層９、９’をＳｉに変えた以外は
同様にして、媒体を製作した。
【０２９２】本媒体における、各層は、直径１３ｃｍ，
厚さ１．２ｍｍで表面にＩＳＯ−Ｂフォーマットを有す
るポリカーボネート基板１、１’、Ｓｉよりなる光入射
側反射層９、９’を約５０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20膜よりなる保護層２、２’を約２３５ｎｍ、（Ｃ
ｒ4Ｔｅ5）15（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）85の組成の記録膜
３，３’を約３５ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜
よりなる中間層４，４’を約５０ｎｍの膜厚、Ｓｉ膜よ
りなる第１反射層５，５’を８０ｎｍ、 Ａｌ97Ｔｉ3
膜よりなる第２反射層６，６’を１００ｎｍ、順次形成
した。こうして、第１のディスク部材を得た。膜の形成
には、実施例１と同様のマグネトロンスパッタ装置を用
いた。
【０２９３】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホットメルト接
着剤層７を用いて、前記第１および第２のディスク部材
の第２反射層６，６’同士を貼り合わせ、図１６に示す
ディスク状情報記録媒体を得た。
【０２９４】また、記録膜の初期化、その後の情報の記
録・再生方法も実施例１と同様とした。
【０２９５】（第１反射層（Ｓｉ）膜厚と保護層膜厚の
関係−１）第１反射層（Ｓｉ）膜厚を変化させると吸収
率逆転になる保護層の膜厚範囲を５０ｎｍ〜２３０ｎｍ
の間で調べると次のようになった。
【０２９６】 第１反射層膜厚（ｎｍ） 吸収率逆転になる保護層の膜厚（ｎｍ） ２０ ８０〜１８０ ４０ ５０〜２３０ ５０ ５０〜２３０ ６０ １４０〜２１０ ８０ １３０〜１９０ １００ １２５〜１９０ １２５ ８０〜１８０ １４５ ５０〜２３０ これから、第１反射層膜厚は、１２０ｎｍ以上１８０ｎ
ｍ以下の範囲がより好ましいことが分かる。また、保護
層膜厚は８０ｎｍ以上２１０ｎｍ以下の範囲が好まし
く、１４０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下の範囲がより好まし
いことが分かる。
【０２９７】ｋの小さい材料では、膜厚が一定周期で同
じ値の吸収率Ａを示すため、この場合、保護層膜厚ｄp
は約１８０ｎｍと第一反射層（Ｓｉ）膜厚ｄfは約１０
５ｎｍ周期であるため、ｊ，ｕを０または正の整数とす
れば、上記の範囲は次式でそれぞれ表される。
【０２９８】 ｄf＝ｌ＋１０５ｕ （１７） ｄp＝ｏ＋１８０ｊ （１８） で表される。ただし、ｌ，ｏの範囲は１２０≦ｌ≦１８
０、８０≦ｏ≦２１０である。式（１８）のより好まし
い範囲は、また、１４０≦ｏ≦１８０の時である。
【０２９９】また、膜厚の周期ｄと屈折率ｎには ｄ＝ｚ／ｎ で示される関係があるため、式（１７）〜（１８）は次
式でも言い替えられる。ただし、ｎpは保護層の屈折
率、ｎfは第一反射層の屈折率、ｚの範囲は３８０≦ｚ
≦４００である。
【０３００】 ｄf＝ｌ＋ｚｕ／ｎf （１９） ｄp＝ｏ＋ｚｊ／ｎp （２０） （第１反射層（Ｓｉ）膜厚と保護層膜厚の関係−２）第
１反射層（Ｓｉ）膜厚を変化させた時、反射率差が１０
％以上になる保護層の膜厚範囲を５０ｎｍ〜２３０ｎｍ
の間で調べると次のようになった。
【０３０１】 第１反射層膜厚（ｎｍ） 反射率差が１０％以上になる保護層の膜厚(ｎｍ) ２０ １０〜４０，１４０〜１８０ ４０ １７０〜１７５ ５０ １００〜１６５，１７５〜２００ ６０ ２０〜１３０，１７０〜１９０ ８０ １５〜１１０，１６０〜１９０ １００ １０〜７０、１４０〜１９０ １２５ １０〜４０，１４０〜１８０ １４５ １７０〜１７５ これから、第１反射層膜厚は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の範囲が好ましく、４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲
がより好ましいことが分かる。また、保護層膜厚は１３
０ｎｍ以下および１７０ｎｍ以上の範囲が好ましいこと
が分かる。
【０３０２】ｋの小さい材料では、膜厚が一定周期で同
じ値の吸収率Ａを示すため、この場合、保護層膜厚ｄp
は約１８０ｎｍと第一反射層（Ｓｉ）膜厚ｄfは約１０
５ｎｍ周期であるため、ｊ，ｕを０または正の整数とす
れば、上記の好ましい範囲、およびより好ましい範囲は
それぞれ以下のように表される。
【０３０３】ｄf＝ｐ＋１０５ｕ （２１） ｄp＝ｑ＋１８０ｊ （２２） で表される。ただし、ｐ，ｑの範囲は２０≦ｐ≦６０、
−１０≦ｑ≦１３０である。式（２２）のより好ましい
範囲は、また、４０≦ｐ≦５０の時である。また、膜厚
の周期ｄと屈折率ｎには ｄ＝ｚ／ｎ で示される関係があるため、式（２１）〜（２２）は次
式でも言い替えられる。ただし、ｎpは保護層の屈折
率、ｎfは第一反射層の屈折率、ｚの範囲は３８０≦ｚ
≦４００である。
【０３０４】ｄf＝ｐ＋ｚｕ／ｎf （２３） ｄp＝ｑ＋ｚｊ／ｎp （２４） （結晶状態と非晶質状態の反射率）第８実施例の情報記
録用薄膜において、記録膜３，３’を約２２ｎｍ、第１
反射層９、９’を１００ｎｍに変えたディスクを作製
し、結晶状態の反射率Ｒcおよび非晶質状態の反射率Ｒa
を調べると、以下に示すようになった。
【０３０５】Ｒc＝６０（％） Ｒa＝２３（％） これより、変調度Ｍ＝（Ｒc−Ｒa）／Ｒc（ただし、Ｒc
＞Ｒaの時）は、６１％であることが分かる。このよう
に、本発明では反射率および変調度をそれぞれ６０％以
上と高いディスクが得られた。
【０３０６】（第１反射層（Ｓｉ）膜厚と光入射側反射
層膜厚の関係−１）光入射側反射層膜厚を変化させた
時、吸収率逆転になる第１反射層（Ｓｉ）の膜厚範囲を
１０ｎｍ〜１６０ｎｍの間で調べると次のようになっ
た。
【０３０７】 光入射側反射層膜厚（ｎｍ） 吸収率逆転になる第１反射層の膜厚（ｎｍ） ２０ ５５〜７０、１６０ ４０ １０〜１２５ ６０ １０〜１２５ ８０ ３５〜８０、１４０〜１６０ １００ ３５〜７０、１４０〜１６０ １２０ １５〜７０、１２０〜１６０ これから、第１反射層膜厚は、１５ｎｍ以上８０ｎｍ以
下の範囲が好ましく、５５５ｎｍ以上７０ｎｍ以下の範
囲がより好ましいことが分かる。また、光入射側反射層
膜厚は４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲が好ましく、
４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲がより好ましいことが
分かる。
【０３０８】ｋの小さい材料では、膜厚が一定周期で同
じ値の吸収率Ａを示すため、この場合、光入射側反射層
膜ｄaと第一反射層（Ｓｉ）膜厚ｄfは約１０５ｎｍ周期
であるため、ｊ，ｕを０または正の整数とすれば、上記
の好ましい範囲はそれぞれ以下のように表される。
【０３０９】 ｄf＝ｒ＋１０５ｕ （２５） ｄa＝ｓ＋１０５ｊ （２６） ただし、ｒ、ｓの範囲は、１５≦ｒ≦８０、４０≦ｓ≦
１２０である。式（２５）〜（２６）のより好ましい範
囲は、ｒ、ｓの範囲が、５５≦ｒ≦７０、４０≦ｓ≦６
０の時である。また、膜厚の周期ｄと屈折率ｎには ｄ＝ｚ／ｎ で示される関係があるため、式（２５）〜（２６）は次
式でも言い替えられる。
【０３１０】 ｄf＝ｒ＋ｚｕ／ｎf （２７） ｄa＝ｓ＋ｚｊ／ｎa （２８） ただし、ｚの範囲は３８０≦ｚ≦４００、ｎaは光入射
側反射層の屈折率、ｎsは第一反射層の屈折率である。
【０３１１】このような、光入射側反射層、保護層、記
録膜、第１反射層、第２反射層、中間層の膜厚および構
成成分の選択は、単独で効果を上げるだけでなく、全体
的にディスクの特性に依存してくる。したがって、それ
ぞれの好ましい範囲、できれば、より好ましい範囲をす
べて満たすことが１番好ましい。しかし、すべてを満た
していなくても、その中の１〜２つを除くすべてを満た
していれば、ディスクの記録再生特性は非常に良好に保
たれるし、半分以上を満たしていれば、良好に保たれ
る。
【０３１２】本実施例に記載していない事項は、実施例
１〜３、および５と同様である。例えば、初期化、記録
再生方法、保護層、中間層、基板材料、第１反射層等に
ついては実施例１、第２反射層材料等については実施例
２、記録膜材料については実施例３、光入射側反射層材
料等については実施例５に記載した。
【０３１３】［実施例９］（超解像読み出しディスク） （構成・製法）図１７は、本実施例の超解像読み出し用
マスク層を用いた情報記録用薄膜を用いたディスク状情
報記録媒体の断面構造を示す。この媒体は次のように製
作した。
【０３１４】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表
面に凹凸で情報が記録された、ポリカ−ボネイト基板１
１を形成した。実施例１と同様のマグネトロン・スパッ
タリング装置により、基板１１上にまず（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20 膜よりなる保護層２を膜厚約１２５ｎ
ｍ、（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90よりなる
超解像読み出し用のマスク層１０を膜厚約３５ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４を約２
０ｎｍ、Ｓｉ膜よりなる第１反射層５を膜厚８０ｎｍ、
Ａｌ97Ｔｉ3 膜よりなる第２反射層６を膜厚１００ｎ
ｍ、順次形成した。こうして、第１のディスク部材を得
た。
【０３１５】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１１’上に順に積層された、約１２５ｎｍの
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２’、約
３５ｎｍの（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90超
解像読み出し用のマスク層１０’、約２０ｎｍの（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４’、８０ｎｍ
のＳｉ膜よりなる第１反射層５’、１００ｎｍのＡｌ97
Ｔｉ3 膜よりなる第２反射層６’を備えている。
【０３１６】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層７を介して、前記第１および第２のディ
スク部材の第２反射層６，６’同士を貼り合わせ、図１
７に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０３１７】（初期結晶化）前記のようにして製作した
媒体の超解像読み出し用のマスク層１０に、次のように
して初期結晶化を行なった。なお、超解像読み出し用の
マスク層１０’についてもまったく同様であるから、以
下の説明では超解像読み出し用のマスク層のマスク層１
０についてのみ述べることとする。
【０３１８】媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、半導体
レーザ（波長７８０ｎｍ）のレーザ光パワーを記録が行
なわれないレベル（約１ｍＷ）に保ち、そのレーザ光を
記録ヘッド中の開口数（ＮＡ）がＯ．５５のレンズで集
光し、基板１１を通して超解像読み出し用のマスク層１
０に照射した。超解像読み出し用のマスク層１０からの
反射光を検出して、トラッキング用の溝の中心にレーザ
光スポットの中心が常に一致するようにトラッキングを
行なうと共に、超解像読み出し用のマスク層１０上にレ
ーザ光の焦点が来るように、自動焦点合わせを行ないな
がら記録ヘッドを駆動した。
【０３１９】まず、初期結晶化のため、超解像読み出し
用のマスク層１０の同一記録トラック上に、パワ−１４
ｍＷの連続レ−ザ光をそれぞれ１０回照射した。最後
に、パワー７ｍＷの連続（ＤＣ）レーザ光を１０回照射
した。各回の照射時間（光スポット通過時間）は、約
０．１μｓｅｃである。このように、パワーの異なるレ
ーザ光を照射すると、初期結晶化を充分に行なうことが
できる。
【０３２０】これらのレーザ光照射は、半導体レ−ザ・
アレイを用いて行なうか、ガスレ−ザからの光ビ−ムを
複数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導
体レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方
向に長い長円形にしたものを用いて行なえば、さらに好
ましい。こうすると、媒体を少数回転させるだけで初期
結晶化を完了することも可能となる。
【０３２１】複数のレーザ光スポットを用いる場合、そ
れらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せ
ず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれ
ば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる、
消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。
【０３２２】（超解像読み出し）次に、以上のようにし
て初期結晶化が完了した超解像読み出しのマスク層膜１
０の記録領域に、前記と同様にしてトラッキングと自動
焦点合わせを行ないながら、読み出し用レーザ光のパワ
ーを１４ｍＷで照射し、情報の超解像読み出しを行なっ
た。読み出しすべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワ
ーをトラッキング用レーザ光の低パワーレベル（１ｍ
Ｗ）に下げるようにした。レーザ光パワーを下げること
は、超解像読み出し用のマスク層の劣化を防ぐのに効果
が有った。
【０３２３】超解像読み出しを行った後に膜が非晶質化
したままになるディスクでは、結晶化レベルのパワー
（７ｍＷ）で１回照射し、結晶化を行った。超解像読み
出しを行った後に膜が結晶化したままになるディスクで
は、この結晶化は不要であった。
【０３２４】この方法は、この発明の記録膜ばかりでな
く他の記録膜にも有効である。
【０３２５】この実施例の情報記録媒体では、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で、超
解像読み出しを１０3回以上繰り返した時にも、従来構
造ディスクに比べて反射率変動を少なくすることがで
き、超解像読み出し可能回数を１０4と増加することが
できた。
【０３２６】（超解像読みだし用マスク層膜厚と反射率
の関係）ＳｉとＡｌ-Ｔｉ反射層をもつ本発明のディス
クの超解像読みだし用マスク層膜厚と反射率の関係は図
２と同様であった。上記Ｓｉ／Ａｌ-Ｔｉ反射層ディス
クにおいては，超解像読みだし用マスク層膜厚が２０〜
５０ｎｍの広い範囲において結晶化状態の反射率レベル
の変動が５％以下と非常に小さくなっている。この範囲
に超解像読みだし用マスク層膜厚を決定することによ
り、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳し
い条件で記録・消去を１０4回以上繰り返した時にも、
従来構造の超解像読みだしディスクに比べて反射率変動
が少なく、読みだし特性が向上した。これは、多数回の
読みだしにより多少の膜厚変化が生じても、反射率レベ
ルの変動が小さくなったためと考えられる。
【０３２７】（超解像よみだし用マスク層材料）本実施
例で超解像よみだし用マスク層１０、１０‘に用いた （（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90）の代わり
の記録膜の材料としては、（（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2
Ｓｂ2Ｔｅ5）90）等Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系で組成比の
異なる材料が読みだし可能回数の低下が生じにくい。
【０３２８】次いで、Ａｇ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｃｏ-Ｇｅ
-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｖ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，等でも同様の結果が
得られた。Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系に高融点成分を添加した膜
が読みだし可能回数の低下が生じにくい。
【０３２９】さらに、上記以外のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5，Ｇ
ｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，Ｉｎ3ＳｂＴｅ2，Ｉｎ
35Ｓｂ32Ｔｅ33，Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43、ＧｅＴｅ，Ａｇ
-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｎｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｐｔ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｓｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ａｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔ
ｅ，Ｃｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｎ
-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｆｅ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｔｉ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，およびこれらに近い組
成のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部
をＩｎに置き換えても、これに近い特性が得られる。
【０３３０】（他の構造の超解像読みだしディスク）本
実施例では、実施例１の図１に示したディスクを基板１
１に変えたものと同じ構造のディスクであるが、同様に
実施例４の図９のディスクにおいて基板１を基板１１に
変えても、多数回読みだし時の反射率レベルの変動が少
ないディスクができる。また、実施例５および６の図１
２において基板１を基板１１に変えても、実施例７およ
び８の図１５におけるディスクの基板をそれぞれ基板１
１に変えても従来より読みだし特性の良好な超解像読み
だしディスクができる。
【０３３１】本実施例では、まったく同様の方法によ
り、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、
前記第１および第２のディスク部材の反射層６，６’同
士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わり
に別の構成のディスク部材、または保護用の基板、超解
像ディスク以外の記録再生ディスクなどを用いてもよ
い。また、図１７において、基板１１を実施例１の基板
１に変え、かつ超解像読みだし用マスク層を、超解像読
みだし用マスク層、中間層、記録膜、または、記録膜、
中間層、超解像読みだし用マスク層の３層に換えると、
超解像読みだしかつ記録可能な情報記録用媒体となる。
【０３３２】また、保護層、記録膜、第１反射層、第２
反射層、中間層の膜厚および構成成分の選択は、単独で
効果を上げるだけでなく、全体的にディスクの特性に依
存してくる。したがって、それぞれの好ましい範囲、で
きれば、より好ましい範囲をすべて満たすことが１番好
ましい。しかし、すべてを満たしていなくても、その中
の１〜２つを除くすべてを満たしていれば、ディスクの
記録再生特性は非常に良好に保たれるし、半分以上を満
たしていれば、良好に保たれる。
【０３３３】同様なことは実施例１１，１２，１４，１
５に記載のディスク部材にも適用できる。
【０３３４】本実施例に記載していない事項は、実施例
１〜８と同様である。
【０３３５】［実施例１０］（従来構造：比較用） （構成・製法）図１８は、比較例として従来構造のディ
スク状情報記録媒体の断面構造を示す。この媒体は次の
ようにして製作された。
【０３３６】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表
面に５．２５インチ光ディスクのサンプルサーボ方式対
応ＩＳＯ−Ｂフォーマットを有するポリカーボネート基
板１を形成した。この基板１上への薄膜形成は実施例１
ど同様のマグネトロン・スパッタリング装置内を用い
た。この装置により、基板１上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20膜よりなる保護層２を膜厚約１２５ｎｍ、（Ｃｒ4
Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90記録膜３を膜厚約３０
ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４
を約２０ｎｍ、 Ａｌ97Ｔｉ3 膜からなる反射層８を膜
厚１００ｎｍ、順次形成した。こうして、第１のディス
ク部材を得た。
【０３３７】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１’上に順に積層された、膜厚約１２５ｎｍ
の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20 膜よりなる保護層２’、
膜厚約３０ｎｍの（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ
5）90記録膜３’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（Ｓ
ｉＯ2）20膜よりなる中間層４’、および膜厚１００ｎ
ｍのＡｌ97Ｔｉ3 膜よりなる反射層８’を備えている。
【０３３８】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層７を介して、前記第１および第２のディ
スク部材の反射層８，８’同士を貼り合わせ、図２に示
すディスク状情報記録媒体を得た。
【０３３９】（反射率、吸収率）比較用ディスクの結晶
状態および非晶質状態の反射率および吸収率を調べた結
果は以下のようになった。
【０３４０】結晶状態の反射率 Ｒc＝３１（％） 非晶質状態の反射率 Ｒa＝ ４（％） 結晶状態の吸収率 Ａc＝６６（％） 非晶質状態の吸収率 Ａa＝８７（％） 本実施例に記載していない初期化、記録再生方法等につ
いては、実施例１と同様である。
【０３４１】［実施例１１］（Ｃｏ／Ｓｉ反射層） （構成・製法）図２０は、この発明の第１１実施例の情
報記録用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構
造を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【０３４２】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表
面にＩＳＯ−Ｂフォーマットを有するポリカーボネート
基板１上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護
層２を膜厚約１２５ｎｍ、（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓ
ｂ2Ｔｅ5）90の組成の記録膜３を膜厚約２５ｎｍ、（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４を約２０ｎ
ｍの膜厚、Ｃｏ膜よりなる第１反射層５を膜厚１５ｎ
ｍ、Ｓｉ膜よりなる第２反射層６を膜厚１２０ｎｍ、順
次形成した。こうして、第１のディスク部材を得た。膜
の形成には、実施例１と同様のマグネトロンスパッタ装
置を用いた。
【０３４３】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１’上に順に積層された、膜厚約１２５ｎｍ
の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２’、
膜厚約２５ｎｍの（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ
5）90の記録膜３’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４’、Ｃｏ膜よりなる
第１反射層５’を膜厚１５ｎｍ、および膜厚１２０ｎｍ
のＳｉ膜よりなる第２反射層６’を備えている。
【０３４４】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層７を用いて、前記第１および第２のディ
スク部材の第２反射層６，６’同士を貼り合わせ、図２
０に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０３４５】また、記録膜の初期化、その後の情報の記
録・再生方法も実施例１と同様とした。
【０３４６】（記録膜膜厚と反射率の関係）図２１にＣ
ｏとＳｉ反射層をもつ本発明のディスクの記録膜膜厚と
反射率の関係を示した。Ｃｏ／Ｓｉ反射層ディスクにお
いては，記録膜膜厚が２０ｎｍ以上の広い範囲において
結晶状態の反射率レベルの変動が小さくなっている。ま
た、非晶質状態の反射率レベルも１０ｎｍ以上の範囲で
変動が小さくなっている。
【０３４７】（Ｃｏ以外の第１反射層材料）本実施例で
第１反射層５、５’に用いたＣｏの代わりに、Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，
Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ
合金，Ａｌ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｎｉ合金，Ｍｎ
合金，Ｓｂ−Ｂｉ化合物などこれらを主成分とする合
金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよ
いし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、こ
れらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いても
よい。第２反射層と屈折率または消衰係数が異なる材料
であれば、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とする合
金、あるいはこれらと上記元素同志の合金よりなる層を
用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いても
よいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層など
を用いてもよい。
【０３４８】この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ合金、
Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいも
のは、ディスク構造が急冷構造となり、多数回書き換え
による反射率変動が生じにくい。また、Ｓｂ-Ｂｉ，Ｄ
ｙ等のように熱伝導率が小さいものは、保温されやすく
なるため、記録感度が良くなるという利点がある。
【０３４９】さらに、Ａｕ単体にくらべ、Ａｕ−Ａｇ，
Ａｕ−Ｃｏ，Ａｕ−Ａｌ等のＡｕ合金は接着力が大きく
なるという利点があり好ましい。
【０３５０】第１反射層の膜厚と屈折率および消衰係数
の関係を調べると、消衰係数が２．５以上の場合、次の
範囲で結晶状態の記録膜の吸収率が非晶質状態のそれに
比べ大きくなった。
【０３５１】 材料 屈折率 吸収係数 第１反射層の膜厚（ｎｍ） Ａｌ合金 １．５５ ６．３ ０〜４ Ａｕ ０．１５ ４．７４ ０〜６ Ｃｏ ３．１ ４．５３ ０〜１５ Ｗ ３．５４ ２．７６ ０〜２８ Ｔａ １．３４ ３．６４ ０〜１３ これより、屈折率ｎf、吸収係数ｋf，第１反射層の膜厚
ｄfの関係が ０≦ｄf≦３０／（ｋf−ｎf／２−１）＋５ で表される範囲に膜厚を選ぶと、吸収率制御ができ、よ
り好ましいことがわかった。Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｆｅなど
は選べる膜厚の範囲が広く、次いでＣｏ，Ｓｂ，Ｎｉ，
Ｔａなどが膜厚の範囲が広い。
【０３５２】Ｃｏの代わりの、第１反射層の材料は，第
１反射層全原子数の８０％以上であることが好ましい。
上記材料以外の不純物が２０原子％以上になると，書き
換え特性の劣化が見られた。
【０３５３】（Ｓｉ以外の第２反射層材料）この実施例
で第２反射層６に用いたＳｉの代わりの、第２反射層の
材料としてＳｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光
吸収率を記録マーク以外の部分の光吸収率より小さくで
きるので、光吸収率差による消え残りを防止でき、さら
に書き換え可能回数が低下しない。Ｇｅの含有量は１０
原子％以上８０原子％以下が書き換え可能回数の低下が
生じにくい。
【０３５４】また、ＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓを添加すると、反射
層の透過率が下がり、吸収率が上がるため、感度低下を
防ぐことができる。この場合の添加元素の含有量は１原
子％以上２５原子％以下が多数回書き換え時の反射率レ
ベルの変動が生じにくい。
【０３５５】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ
−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の
混合材料でも同様の結果が得られた。これらの反射層材
料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を
用いる場合の反射層材料として用いても、従来の反射層
材料に比べて書き換え可能回数が低下しない。Ｓｉに添
加する元素の含有量は３原子％以上５０原子％以下が書
き換え可能回数の低下が生じにくい。
【０３５６】さらに、上記以外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材
料、屈折率が大きくて消衰係数が小さい材料よりなる層
を用いてもよいし、それらの相よりなる多重層を用いて
もよいし、これらの酸化物などの他の物質との複合層な
どを用いてもよい。Ｇｅも使用可能である。その他、各
種窒化物、硫化物、セレン化物も使用可能である。
【０３５７】Ｓｉの代わりの、第２反射層の材料は，第
２反射層全原子数の９０％以上であることが好ましい。
上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き
換え特性の劣化が見られた。
【０３５８】吸収率を制御するためには、反射層材料の
屈折率ｎと消衰係数ｋが ｎ≧２がより好ましく、ｎ≧２かつ２≧ｋ の範囲にあ
る材料が特に好ましいことがわかった。また，それらの
層よりなる多重層を用いてもよいし、これらとＳｉＯ2
など酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよ
い。この場合、前記第１反射層が、消衰係数ｋが２．５
以上である材料からなり、かつ前記第２反射層が消衰係
数ｋが２以下である材料からなるとさらに好ましい。
【０３５９】一方、第１反射層が５０ｎｍ以下である場
合は、上記以外の材料、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素
単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ａｌ合
金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，などこれらを主成分とする合
金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよ
い。第１反射層と第２反射層の膜厚の合計を５０ｎｍ以
上とすると強度が大きくなるため、書き換え時の記録特
性の劣化が起こりにくくなる。１００ｎｍ以上がより好
ましい、 （第１反射層材料と第２反射層材料の組み合わせ）第１
反射層材料、第２反射層材料については本実施例に述べ
た材料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶこと
によって、書き換え特性が向上することがわかった。好
ましい組み合わせは、第２反射層がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−
Ｇｅ，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ，Ｓｉ−Ａｕ混合材料の少な
くとも１つ、またはこれに近い組成であり、第１反射層
がＣｏ，Ｃｏ合金，Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，
Ａｇ，Ａｇ合金，Ｃｕ，Ｃｕ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金，の
少なくとも１つ、またはこれに近い組成である場合であ
る。
【０３６０】本実施例の第１反射層と第２反射層の構成
材料の場合と、実施例１の第１反射層と第２反射層の構
成材料の場合とを比較すると、本実施例の場合は記録膜
と熱伝導率の高い反射層が近く、レーザ光照射後急冷さ
れるので、正確な形状の記録マークが形成される点で好
ましい。しかし、一方、第１反射層で光が吸収されて発
生した熱が熱伝導によって記録膜に戻るので、第１反射
層を薄くして光を透過させ、反射率が低い非晶質状態の
記録マーク部分の光吸収率の方を、その周囲の結晶状態
の部分の光吸収率より小さくして温度が上がり過ぎるの
を防ぐ効果が弱められる。このため、オーバーライトに
よって情報の書き換えを行なう場合に、前の記録状態の
影響を受けて記録マーク形状が不正確になる現象は起こ
りにくくなる。
【０３６１】（記録膜構成成分と反射層材料の関係）第
二反射層材料にＣｏを用いた場合、上記記録膜構成成分
中の相変化成分の組成は実施例１と同様にした組成、す
なわち、（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90でも
よいが、本実施例のように、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成から
３原子％Ｓｂをさらに添加した（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ
21Ｓｂ25Ｔｅ54）90組成にすると、結晶化速度を適当な
値にすることができ、記録特性がより向上した。
【０３６２】さらに、第一反射層、第二反射層にかかわ
らず、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｕ等のように熱伝導率が大
きい材料を用いている場合は同様に、相変化成分の組成
を、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成から適宜Ｓｂ量を多くして結
晶化速度を遅くすると記録特性が向上するように調節で
きた。 Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成へのＳｂの添加量は、その
他の構造によって多少の幅があるが、ＡｕおよびＡｌの
場合は５〜１０原子％、Ｃｕの場合は３〜８原子％Ｃｏ
の場合は２〜５原子％程度である。
【０３６３】本実施例に記載していない事項は実施例１
と同様である。
【０３６４】［実施例１２］（Ｍｏ／Ａｌ反射層） （構成・製法）第１１実施例の情報記録用媒体におい
て、反射層のみを変えた媒体が製作された。構造は、直
径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表面にＩＳＯ−Ｂフォー
マットを有するポリカーボネート基板１上に（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20 膜よりなる保護層２を膜厚約１２５ｎ
ｍ、（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ21Ｓｂ25Ｔｅ54）90の組成
の記録膜３を膜厚約２５ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20 膜よりなる中間層４を約２０ｎｍの膜厚、Ｍｏ膜
よりなる第１反射層５を膜厚１５ｎｍ、Ａｌ膜よりなる
第２反射層６を膜厚１０ｎｍ、順次形成した。こうし
て、第１のディスク部材を得た。膜の形成には、実施例
１と同様のマグネトロンスパッタ装置を用いた。
【０３６５】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を
得、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホットメルト接着剤層７
を用いて、前記第１および第２のディスク部材の第２反
射層６，６’同士を貼り合わせ，ディスク状情報記録媒
体を得た。
【０３６６】また、記録膜の初期化、その後の情報の記
録・再生方法も実施例１と同様とした。
【０３６７】（Ｍｏ以外の第１反射層材料）本実施例で
第１反射層５、５’に用いたＭｏの代わりに、Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｓｂ，
Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、または
これらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金
よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重
層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質と
の複合層などを用いてもよい。消衰係数が４以下である
材料を用いることにより，結晶状態の吸収率より非晶質
状態の吸収率が大きい場合に、吸収率差を小さくでき、
書き換え時の消え残りを小さくできた。
【０３６８】この中で、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ合金，Ｗ
合金，Ｔａ合金等は反応性が低く、多数回のレ−ザ照射
によって、第２反射層材料と反応して特性が変化する恐
れがないため、書き換え特性が良いという利点がある。
【０３６９】第１反射層の膜厚と屈折率および消衰係数
の関係を調べると、消衰係数が４以下の場合、次の範囲
で結晶状態の記録膜の吸収率が非晶質状態のそれに比べ
大きくなる、または、逆の場合でも差が小さくなった。
【０３７０】 材料 屈折率 吸収係数 第１反射層の膜厚（ｎｍ） Ｃｏ合金 ３．１ ３．９ ０〜１５ Ｗ ３．５４ ２．７６ ０〜２８ Ｔａ １．３４ ３．６４ ０〜１３ これより、第１反射層の膜厚ｄfを約３０ｎｍ以下の範
囲に選ぶと、吸収率制御ができ、好ましいことがわかっ
た。さらに薄く、約１５ｎｍ以下の範囲に膜厚を選ぶ
と、さらに、書き換え時の消え残り低減ができることが
わかった。
【０３７１】また、 Ｃｒ4Ｔｅ5，Ｃｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−
Ｓｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｇ
ｅ，Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓ
ｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｗ−Ｔｅ，Ａ
ｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅの組み合わせより成る化合
物、混合物よりなる群より選ばれた少なくとも１つ、ま
たはこれに近い組成の材料を用いてもよい。これらの材
料は高融点であり、第２反射層材料と反応して特性が変
化する恐れがないため、書き換え特性が良いという利点
がある。
【０３７２】（Ａｌ以外の第２反射層材料）この実施例
で第２反射層６に用いたＡｌの代わりの、第２反射層の
材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ
合金，等のように、熱伝導率が大きいものが、ディスク
構造が急冷構造となり、多数回書き換えによる反射率変
動が生じにくいため、好ましい。この場合の熱伝導率は
１００Ｗ／ｍ・ｋ以上であると、書き換え回数が大きく
なるため好ましく、２３０Ｗ／ｍ・ｋ以上にするとが書
き換え回数が２倍になるため好ましい。さらに、Ａｕ単
体にくらべ、Ａｕ−Ａｇ，Ａｕ−Ｃｏ，Ａｕ−Ａｌ等の
Ａｕ合金は接着力が大きくなるという利点があり好まし
い。
【０３７３】この他、第２反射層より消衰係数が大きい
材料であれば、Ａｇ、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，
Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍ
ｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、または，Ａｇ合金，Ｃｕ合
金，Ａｌ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｎｉ合金，Ｍｎ合
金，Ｓｂ−Ｂｉ化合物などこれらを主成分とする合金、
あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよい
し、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これ
らと酸化物などの他の物質との複合層などを用いてもよ
い。Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とする合金、ある
いはこれらと上記元素同志の合金よりなる層を用いても
よいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、
これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いて
もよい。
【０３７４】（第１反射層材料と第２反射層材料の組み
合わせ）第１反射層材料、第２反射層材料については本
実施例に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わ
せを選ぶことによって、書き換え特性が向上することが
わかった。好ましい組み合わせは、第２反射層がＷ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｗ合金，Ｍｏ合金，Ｔａ合金の少なくとも１
つ、またはこれに近い組成であり、第１反射層がＡｌ，
Ａｌ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金，の少なく
とも１つ、またはこれに近い組成である場合である。
【０３７５】（記録膜構成成分と反射層材料の関係）第
１反射層材料にＭｏを用いた場合、上記記録膜構成成分
中の相変化成分の組成は実施例１と同様にした組成、す
なわち、（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90でも
よいが、本実施例のように、 Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成から
３原子％Ｓｂをさらに添加した（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ
21Ｓｂ25Ｔｅ54）90組成にすると、結晶化速度を適当な
値にすることができ、記録特性がより向上した。
【０３７６】さらに、第一反射層、第二反射層にかかわ
らず、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｕ等のように熱伝導率が大
きい材料を用いている場合は同様に、相変化成分の組成
を、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成から適宜Ｓｂ量を多くして結
晶化速度を遅くすると記録特性が向上するように調節で
きた。 Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5組成へのＳｂの添加量は、その
他の構造によって多少の幅があるが、ＡｕおよびＡｌの
場合は５〜１０原子％、Ｃｕの場合は３〜８原子％Ｍ
ｏ，Ｗの場合は２〜５原子％程度である。
【０３７７】本実施例に記載していない事項は実施例１
と同様である。
【０３７８】［実施例１３］図２３に、光メモリー装置
のブロック図を示す。記録・再生には、図中Ｍで示され
たモーターを、モーター回転制御手段にて、制御しなが
らディスクの回転を行なう。
【０３７９】ディスクは、基板上に直接または下地層を
介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生
じる原子配列変化によって情報を記録および／または再
生する情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し用の
マスク層として備え、かつ、反射層を備える。その媒体
の記録層またはマスク層が結晶状態にある時の光吸収率
が非晶質状態にある時の光吸収率以上である波長の記録
用光源を持つ。
【０３８０】ディスク上の記録・再生位置への移動等は
次のように行なう。コントローラより出された命令を受
け、まず、ピックアップ移動ドライバで目標トラックの
近傍まで移動する。図中Ｏ．Ｈ．で示された光ヘッドに
は、その媒体の記録層またはマスク層が結晶状態にある
時の光吸収率が非晶質状態にある時の光吸収率以上であ
る波長のレーザと光学系が含まれている。光ヘッドは固
定部分と移動部分に分かれており、固定部分に上記レー
ザが取り付けられていてもよい。次に光ヘッド制御回路
によりトラッキング及びオートフォーカスを行なって、
ディスク面上にレーザ光が集光される。ディスクで反射
された戻り光の信号をプリアンプで増幅し、再生信号処
理手段で再生信号を処理する。目標のトラックからズレ
ていた場合は、トラックジャンプして目標トラックへ移
動する。
【０３８１】記録（オーバーライト）・再生時のレーザ
パワーの制御は、レーザパワー制御情報解析手段およ
び、ピークパワー決定手段、パワー比決定手段、読みだ
しパワー決定手段によってそれぞれ行なわれる。これら
で決定されたレーザパワーがそれぞれのＤＣアンプ、レ
ーザドライバを介して、ディスクに照射される。記録タ
イミングの制御は、コントローラを介して記録タイミン
グ補正手段によってなされる。
【０３８２】各データは、記録データ受入れ手段を介し
て、記録データ変調手段にて、決められた変調方式で変
調された信号となり、記録される。読みだしの際には、
読みだし信号処理手段を介して、得られた信号を再生信
号復調手段にて復調し、再生データ送出手段にて送出す
る。
【０３８３】上記のディスクは、実施例１〜１２，１４
〜１５に記載のいずれか１つの情報記録媒体とした時、
良好な結果が得られた。
【０３８４】［実施例１４］（他の例：高融点材料の記
録膜，０．６ｍｍ基板） （構成・製法）実施例１に記載した情報記録媒体の各
層，基板等を置換した情報記録媒体を以下のようにして
製作した。
【０３８５】まず、直径１２ｃｍ，厚さ０．６ｍｍで表
面に連続溝が形成された、ポリカ−ボネイト基板１を形
成した。実施例１と同様のマグネトロン・スパッタリン
グ装置により、基板１上にまず（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20 膜よりなる保護層２を膜厚約８０ｎｍ、（ＡｇＳ
ｂＴｅ2）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90よりなる記録膜３を
膜厚約２５ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりな
る中間層４を約２０ｎｍ、Ｓｉ膜よりなる第１反射層５
を膜厚６０ｎｍ、 Ａｌ97Ｔｉ3 膜よりなる第２反射層
６を膜厚１００ｎｍ、順次形成した。こうして、第１の
ディスク部材を得た。
【０３８６】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ，厚さ０．６
ｍｍの基板１’上に順に積層された、約６０ｎｍの（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２’、約２５
ｎｍの（ＡｇＳｂＴｅ2）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90より
なる記録膜３’、約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20膜よりなる中間層４’、８０ｎｍのＳｉ膜よりな
る第１反射層５’、１００ｎｍのＡｌ97Ｔｉ3 膜よりな
る第２反射層６’を備えている。
【０３８７】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層７を介して、前記第１および第２のディ
スク部材の第２反射層６，６’同士を貼り合わせ、図１
に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０３８８】（初期結晶化）前記のようにして製作した
媒体の記録膜３に、次のようにして初期結晶化を行なっ
た。なお、記録膜３’についてもまったく同様であるか
ら、以下の説明では記録膜３についてのみ述べることと
する。
【０３８９】媒体を６ｍ／ｓで回転させ、半導体レーザ
（波長６８０ｎｍ）のレーザ光パワーを記録が行なわれ
ないレベル（約１ｍＷ）に保ち、そのレーザ光を記録ヘ
ッド中の開口数（ＮＡ）がＯ．５５のレンズで集光し、
基板１を通して記録膜３に照射した。記録膜３からの反
射光を検出して、トラッキング用の溝の中心にレーザ光
スポットの中心が常に一致するようにトラッキングを行
なうと共に、記録膜３上にレーザ光の焦点が来るよう
に、自動焦点合わせを行ないながら記録ヘッドを駆動し
た。
【０３９０】まず、初期結晶化のため、記録膜３の同一
記録トラック上に、パワ−１０ｍＷの連続レ−ザ光をそ
れぞれ２回照射した。最後に、パワー５ｍＷの連続（Ｄ
Ｃ）レーザ光を１回照射した。各回の照射時間（光スポ
ット通過時間）は、約０．１μｓｅｃである。このよう
に、パワーの異なるレーザ光を照射すると、初期結晶化
を充分に行なうことができる。
【０３９１】これらのレーザ光照射は、半導体レ−ザ・
アレイを用いて行なうか、ガスレ−ザからの光ビ−ムを
複数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導
体レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方
向に長い長円形にしたものを用いて行なえば、さらに好
ましい。こうすると、媒体を少数回転させるだけで初期
結晶化を完了することも可能となる。
【０３９２】複数のレーザ光スポットを用いる場合、そ
れらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せ
ず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれ
ば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる、
消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。レーザ
波長は６８０ｎｍに限らず，それ以外の波長でもよい。
【０３９３】（記録・消去）次に、以上のようにして初
期結晶化が完了した記録膜３の記録領域に、前記と同様
にしてトラッキングと自動焦点合わせを行ないながら、
記録用レーザ光のパワーを中間パワーレベル（５ｍＷ）
と高パワーレベル（１０ｍＷ）との間で変化させて情報
の記録を行なった。記録すべき部分を通り過ぎると、レ
ーザ光パワーを再生（読出し）用レーザ光の低パワーレ
ベル（１ｍＷ）に下げるようにした。記録用レーザ光に
より記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分
が、記録点となる。
【０３９４】記録用レーザ光の高レベルと中間レベルと
のパワー比は１：０．３〜１：０．８の範囲が特に好ま
しい。また、この他に、短時間ずつ他のパワーレベルに
してもよい。
【０３９５】このような記録方法では、既に情報が記録
されている部分に対して直接、新たな情報を記録すれ
ば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一の円
形光スポットによるオーバーライトが可能である。
【０３９６】しかし、書き換え時の最初の１回転または
複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中
間パワーレベル（５ｍＷ）に近いパワー（例えば４ｍ
Ｗ）の連続光を照射して、記録されている情報をいった
ん消去し、その後、次の１回転で再生（読出し）用レー
ザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）と記録用レーザ光の高
パワーレベル（１０ｍＷ）の間で、または、記録用レー
ザ光の中間パワーレベル（５ｍＷ）と高パワーレベル
（１０ｍＷ）の間で、情報信号に従ってパワー変調した
レーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このよ
うに、情報を消去してから記録するようにすれば、前に
書かれていた情報の消え残りが少なく、高い搬送波対雑
音比（Ｃ／Ｎ）が得られる。
【０３９７】この方法は、この発明の記録膜ばかりでな
く他の記録膜にも有効である。
【０３９８】この情報記録媒体は線速度が６ｍ／ｓ以外
で記録または再生を行う場合にも有効である。
【０３９９】この実施例の情報記録媒体では、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で、記
録・消去を１０5回以上繰り返した時にも、従来構造デ
ィスクに比べて反射率変動を少なくすることが可能であ
った。
【０４００】なお、このディスクにおいて中間層４を省
略した場合、前記よりも１桁少ない回数の書き換えで反
射率変動の増加が生じた。しかし、従来構造ディスクに
おいて中間層４を省略した場合に比べて、反射率変動は
少なかった。
【０４０１】（ディスクの分光特性）上記ディスク部材
と同じ構成で，基板のみを変えたテストピースを２枚作
製し，分光特性を調べた。基板には１ｍｍ厚の２Ｐガラ
スを用い， （ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20 膜よりなる保
護層２を膜厚約８０ｎｍ、（ＡｇＳｂＴｅ2）10（Ｇｅ2
Ｓｂ2Ｔｅ5）90よりなる記録膜３を膜厚約２５ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４を約２
０ｎｍ、Ｓｉ膜よりなる第１反射層５を膜厚６０ｎｍ、
Ａｌ97Ｔｉ3 膜よりなる第２反射層６を膜厚１００ｎ
ｍ、順次形成した。
【０４０２】こうして得たテストピースの１枚は，その
ままの状態とし（テストピースＡ），もう１枚について
は３００℃で５分の加熱処理を施した（テストピース
Ｂ）。テストピースＢは初期結晶化を行った状態と同様
の光学特性が得られる。
【０４０３】従来構造についても同様のテストピースを
作製した。そのままの状態のものはテストピースＣ，加
熱処理を施したものはテストピースＤとした。
【０４０４】それぞれのテストピースについて，基板側
よりレーザ光を照射し，反射率の波長依存性を測定し
た。
【０４０５】これより，本実施例に述べた書き換え特性
の良好なディスクにおいては，波長５５０ｎｍ〜８００
ｎｍの範囲において極小値を持つ。極大値は極小値の波
長から約１５０ｎｍ〜約３５０ｎｍ短波長側または，長
波長側にシフトした位置に見られた。また，波長４００
ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲における反射率変化を最大値と
最小値の差で求めると，ａｓ−ｄｅｐｏ状態（テストピ
ースＡ）で３０％以上，結晶状態（テストピースＢ）で
１０％以上であった。
【０４０６】一方，従来構造ディスクにおいては，極小
値と極大値の見られる波長の差は３５０ｎｍ以上であっ
た。また，波長４００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲における
反射率変化を最大値と最小値の差で求めると，ａｓ−ｄ
ｅｐｏ状態（テストピースＣ）で３０％未満，結晶状態
（テストピースＤ）で１０％未満であった。
【０４０７】これらの分光特性をディスクで測定した場
合，基板の光吸収の波長依存性が見られるため，極小値
および極大値の位置については判別が難しい場合があ
る。また，反射率変化については多少の基板依存性が見
られるが，１．２ｍｍ厚のポリカーボネイト基板を用い
た場合はガラステストピースの場合の約２／３となっ
た。
【０４０８】本実施例に述べた書き換え特性の良好なデ
ィスクにおいて，ディスク部材を記録膜と中間層の間に
おいて剥がし，中間層側から反射層へ向けて反射率測定
を行った。波長４００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲において
極大値または極小値が見られた。また，この範囲におけ
る反射率変化は２０％以上であった。一方，従来構造デ
ィスクについて同様の測定を行った結果は，波長４００
ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲における反射率変化は２０％未
満であった。また，この範囲において顕著な極大値また
は極小値は見られなかった。
【０４０９】なお，中間層を持たないディスクについて
は，記録膜と第１反射層，または記録膜と反射層の間で
剥がし，同様の反射率測定を行った。反射率変化および
極大，極小についての特性は同様の結果が得られた。
【０４１０】（中間層材料と第１反射層材料）中間層と
第１反射層の材料を変えた場合，それぞれの材料の屈折
率の平均値が２以上４以下になるディスクでは記録膜と
第２反射層の間の光干渉により再生信号強度が大きくな
ることがわかった。
【０４１１】（従来ディスクとの比較）本発明のディス
クと従来ディスクにおいて、 次の方法で１０回書き換
え後のＣ／Ｎの比較を行った。まず、波長６８０ｎｍの
レーザを備えた情報メモリー装置にて周波数５ＭＨｚの
信号をそれぞれのディスクに記録した。次に、再生波長
を変えた場合についてＣ／Ｎを測定したところ、次のよ
うになった。
【０４１２】 再生用レーザの波長 本発明ディスクのＣ／Ｎ 従来ディスクのＣ／Ｎ ６８０ｎｍ ５５ｄＢ ５２ｄＢ ６３０ｎｍ ５４ｄＢ ５０ｄＢ ５３２ｎｍ ５２ｄＢ ４７ｄＢ このように、本発明のディスクでは、再生用レーザの波
長が短くなっても、従来ディスクに比べてＣ／Ｎの低下
を少なくすることが可能であった。
【０４１３】（高融点成分含有量ｓとの関係）（ＡｇＳ
ｂＴｅ2）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90記録膜３において、
相変化成分をであるＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5中のＧｅ対Ｓｂ対
Ｔｅの含有量の比を２：２：５に保ったまま、高融点成
分（ＡｇＳｂＴｅ2）含有量ｓを変化させたとき、Ｃ／
Ｎおよび消去比を測定したところ、次のようになった。
ここで、Ｃ／Ｎは、波長６８０ｎｍ のレーザで周波数
５ＭＨｚの信号を５００回書き換えした後の測定値であ
る。また、消去比とは周波数５ＭＨｚの信号を記録した
後、周波数の異なる別の信号を重ね書きしたときの、重
ね書き前後の信号のＣ／Ｎの比をｄＢで表したものであ
る。
【０４１４】 Ｃ／Ｎ 消去比 ｄ＝０ ５２ｄＢ ３０ｄＢ ｄ＝０．０３ ５３ｄＢ ２８ｄＢ ｄ＝０．０５ ５５ｄＢ ２６ｄＢ ｄ＝０．１０ ５５ｄＢ ２６ｄＢ ｄ＝０．１５ ５５ｄＢ ２５ｄＢ ｄ＝０．２０ ５５ｄＢ ２３ｄＢ ｄ＝０．３０ − ２０ｄＢ ｄ＝０．４０ − １５ｄＢ この結果より、０．０３≦ｄ≦０．２の範囲において、
良好なＣ／Ｎと消去比が得られた。０．０５≦ｄ≦０．
２０の範囲においてはより良好なＣ／Ｎと消去比が得ら
れた。
【０４１５】（相変化成分中のＳｂの含有量とＧｅの含
有量の比との関係）高融点成分（ＡｇＳｂＴｅ2）の含
有量をｓ＝０．１０とした時，相変化成分中のＴｅの含
有量一定に保ったまま、 相変化成分中のＳｂの含有量
とＧｅの含有量の比を変化させたとき、一定速度で昇温
したときの結晶化温度と８０℃、相対湿度９５％中に１
０００時間置いたときのビット・エラーレートの変化を
測定した。
【０４１６】 Ｇｅの含有量／Ｓｂの含有量 結晶化温度 ビット・エラーレートの変 化 ０．１４ １１０℃ − ０．２２ １３０℃ − ０．４５ １５０℃ ２倍 １．０ １７０℃ ２倍 １．１ １７５℃ ２倍 １．２ １８０℃ ３倍 １．３ ２００℃ ５倍 この結果より、０．２２〜１．２の範囲において、良好
な結晶化温度とビット・エラーレートの変化が得られ
た。０．４５〜１．１においてはより良好な結果が得ら
れた。
【０４１７】（各層膜厚と書き換え特性の関係）波長６
３０ｎｍ付近から６９０ｎｍ付近において記録または再
生を行う場合，上記各層の膜厚は，保護層膜厚が約５０
〜１００ｎｍ，記録膜膜厚が約１５ｎｍ〜３０ｎｍ，中
間層膜厚が５ｎｍ〜５０ｎｍ，第１反射層膜厚が４５ｎ
ｍ〜９０ｎｍ，第２反射層膜厚が３０ｎｍ以上である
と，結晶と非晶質状態における光学位相差を小さくでき
るため書き換え特性が良好になることがわかった。保護
層膜厚は約２１０〜２６０ｎｍにすると，感度が２割向
上するが，作製時間については２〜４倍と増加する。
【０４１８】本実施例に記載していない事項は、実施例
１〜３，１３と同様である。例えば、保護層、中間層、
基板材料、第１反射層等については実施例１、第２反射
層材料等については実施例２、記録膜材料については実
施例３，装置については実施例１３に記載した。
【０４１９】［実施例１５］（他の例：２２５記録膜，
０．６ｍｍ基板） （構成・製法）実施例１４の記録膜３、３’において、
（ＡｇＳｂＴｅ2）10（Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）90をＧｅ2Ｓ
ｂ2Ｔｅ5に置換した点以外は、実施例１４と同様にし
て、情報記録媒体を製作した。（記録・消去） 記録膜の初期化、その後の情報の記録・再生方法も実施
例１４と同様とした。
【０４２０】この実施例の情報記録媒体では、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で、記
録・消去を１０5回以上繰り返した時にも、従来構造デ
ィスクに比べて反射率変動を少なくすることが可能であ
った。
【０４２１】記録膜３、３’において、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ
5組成から３原子％Ｓｂをさらに添加したＧｅ21Ｓｂ25
Ｔｅ54組成にすると、結晶化速度を適当な値にすること
ができ、記録特性がより向上した。
【０４２２】本実施例に記載していない事項は、実施例
１４と同様である。
【０４２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の情報記
録媒体によれば、良好な記録・再生特性または良好な超
解像読み出し特性を保持しながら、従来より多数回の書
き換えが可能となる。
【０４２４】本発明の情報記録再生装置によれば、本発
明の情報記録用媒体で従来より多数回の書き換えを行な
った後も良好な記録・再生特性または良好な超解像読み
出し特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の情報記録媒体の断面図。
【図２】Ｓｉを第１反射層に、Ａｌ-Ｔｉを第２反射層
にもつ実施例１の情報記録媒体の記録膜膜厚と反射率の
関係を示したグラフ図。
【図３】Ｓｉを第１反射層に、Ａｌ-Ｔｉを第２反射層
にもつ実施例１の情報記録媒体の記録膜膜厚と記録膜の
吸収率の関係を示したグラフ図。
【図４】Ｓｉを第１反射層に、Ａｌ-Ｔｉを第２反射層
にもつ実施例１の情報記録媒体の第１反射層（Ｓｉ）膜
厚と反射率の関係を示したグラフ図。
【図５】Ｓｉを第１反射層に、Ａｌ-Ｔｉを第２反射層
にもつ実施例１の情報記録媒体の第１反射層（Ｓｉ）膜
厚と記録膜の吸収率の関係を示したグラフ図。
【図６】Ｓｉを第１反射層に持つ実施例１の情報記録媒
体における、第２反射層の屈折率ｎと消衰係数ｋと反射
率の変動の様子を示したグラフ図。
【図７】Ｓｉを第１反射層に、Ａｌ-Ｔｉを第２反射層
にもつ実施例１の情報記録媒体の反射率の波長依存性を
示したグラフ図。
【図８】Ｓｉを第１反射層に、Ｓｂ-Ｂｉを第２反射層
にもつ実施例２の情報記録媒体の記録膜膜厚と反射率の
関係を示したグラフ図。
【図９】本発明の実施例４の情報記録媒体の断面図。
【図１０】Ｓｉを反射層にもつ実施例４の情報記録媒体
の記録膜膜厚と反射率の関係を示したグラフ図。
【図１１】Ｓｉを反射層にもつ実施例４の情報記録媒体
における、反射層の屈折率ｎと消衰係数ｋと反射率の変
動の様子を示したグラフ図。
【図１２】光入射側反射層をもつ実施例５の情報記録媒
体の断面図。
【図１３】光入射側反射層をもつ実施例６の情報記録媒
体の記録膜膜厚と反射率の関係を示したグラフ図。
【図１４】光入射側反射層をもつ実施例６の情報記録媒
体の保護層膜厚と反射率の関係を示したグラフ図。
【図１５】光入射側反射層とＳｉを第１反射層に、Ａｌ
-Ｔｉを第２反射層にもつ実施例７の情報記録媒体の断
面図。
【図１６】光入射側反射層とＳｉを第１反射層に、Ａｌ
-Ｔｉを第２反射層にもつ実施例７の情報記録媒体の記
録膜膜厚と反射率の関係を示したグラフ図。
【図１７】Ｓｉを第１反射層に、Ａｌ-Ｔｉを第２反射
層にもつ実施例９の情報記録媒体の断面図。
【図１８】比較として、従来ディスクである実施例１０
の情報記録媒体の断面図。
【図１９】実施例１０の従来ディスクの記録膜膜厚と反
射率の関係を示したグラフ図。
【図２０】本発明の実施例１１の情報記録媒体の断面
図。
【図２１】Ｃｏを第１反射層に、Ｓｉを第２反射層にも
つ実施例１１の情報記録媒体の記録膜膜厚と反射率の関
係を示したグラフ図。
【図２２】Ｃｏを第１反射層に、Ｓｉを第２反射層にも
つ実施例１１の情報記録媒体の記録膜膜厚と記録膜の吸
収率の関係を示したグラフ図。
【図２３】本発明の実施例１３の情報メモリ−装置のブ
ロック図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 靖 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (38)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に直接または下地層を介して形成さ
    れた、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列
    変化によって情報を記録および／または再生する情報記
    録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層とし
    て備え、かつ保護層を備え、かつ少なくとも２層以上の
    反射層を備えた情報記録媒体。
  2. 【請求項２】基板上に直接または下地層を介して形成さ
    れた、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列
    変化によって情報を記録および／または再生する情報記
    録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層とし
    て備え、かつ反射層を備え、かつ反射層が屈折率または
    消衰係数の少なくとも一方が異なる材料の第１反射層お
    よび第２反射層からなり、かつ光入射側から保護層、記
    録層または超解像読出し用のマスク層の順に積層され、
    その次に直接または中間層を介して第１反射層、第２反
    射層の順に積層された構造を持つ請求項１に記載の情報
    記録媒体。
  3. 【請求項３】読みだしレ−ザ波長において、前記第１反
    射層の屈折率および前記第２反射層の屈折率の差が１以
    上、または前記第１反射層の消衰係数より前記第２反射
    層の消衰係数が２以上大きい材料からなる請求項２に記
    載の情報記録媒体。
  4. 【請求項４】読みだしレ−ザ波長において、前記第１反
    射層が、消衰係数ｋが２以下である材料からなり、かつ
    前記第２反射層が消衰係数ｋが３以上である材料からな
    る請求項２に記載の情報記録媒体。
  5. 【請求項５】前記記録膜上に前記第１反射層が直接積層
    されたことを特徴とする請求項２に記載の情報記録媒
    体。
  6. 【請求項６】前記第２反射層が前記第１反射層より読み
    だしレ−ザ波長における消衰係数が小さい材料からなる
    請求項２に記載の情報記録媒体。
  7. 【請求項７】前記第２反射層の全原子の９０％以上の成
    分がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ、Ｓ
    ｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｉｎ，Ｓｉ−Ａｕ混合材料の少なくと
    も１つ、またはこれに近い組成であるか、あるいは前記
    第１反射層の全原子の８０％以上成分が、Ｍｏ，Ｍｏ合
    金，Ｔａ，Ｔａ合金，Ｗ，Ｗ合金，の少なくとも１つ、
    またはこれに近い組成である、請求項２に記載の情報記
    録媒体。
  8. 【請求項８】基板上に直接または下地層を介して形成さ
    れた、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列
    変化によって情報を記録および／または再生する情報記
    録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層とし
    て備え、かつ反射層を備え、かつ読み出し波長が６００
    ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲において上記記録膜また
    は超解像読出し用のマスク層の非晶質状態の反射率変動
    または結晶状態の反射率変動が１０％以下である構造を
    持つ、請求項２に記載の情報記録媒体。
  9. 【請求項９】前記記録層または超解像読出し用のマスク
    層と、前記反射層または第１反射層の間に中間層を備え
    ることを特徴とする請求項２に記載の情報記録媒体。
  10. 【請求項１０】前記情報記録媒体において、記録層また
    は超解像読出し用のマスク層が相変化成分と高融点成分
    とからなり、相変化成分の全原子数の９５％以上がＧｅ
    ＴｅとＳｂ2Ｔｅ3との組合せよりなり、その中の高融点
    成分の含有量ｙ（原子％）、相変化成分中のＧｅＴｅ量
    の割合ｘ（％）と保護層膜厚ｔ（ｎｍ）が ａｘ＋ｂｙ＝ｃ−ｔ を満たし、かつ５≦ａ≦１１，かつ２５≦ｂ≦３５，か
    つ２５００≦ｃ≦３５００を満たす範囲にあることを特
    徴とする請求項２に記載の情報記録媒体。
  11. 【請求項１１】前記保護層の膜厚が１１０ｎｍ以上１４
    ０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項２に記
    載の情報記録媒体。
  12. 【請求項１２】前記情報記録媒体において、前記記録層
    または超解像読出し用のマスク層の全原子数の９５％以
    上の組成がＬを相変化成分、Ｈを高融点成分としたと
    き、 （Ｌ）1-s（Ｈ）s で表され、かつ０．０５≦ｓ≦０．２０を満たすことを
    特徴とする請求項２に記載の情報記録媒体。
  13. 【請求項１３】読みだしレ−ザ波長において、前記第１
    反射層が、消衰係数ｋが４以下である材料からなり、か
    つ、前記第２反射層は消衰係数が第１反射層より大き
    く、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・ｋ以上である材料からな
    る請求項２に記載の情報記録媒体。
  14. 【請求項１４】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層と
    して備え、かつ反射層を備え、記録層より光入射側に保
    護層と光入射側反射層を備えた請求項１に記載の情報記
    録媒体。
  15. 【請求項１５】前記記録層または超解像読出し用のマス
    ク層にオーバーライトを行なう際、より高パワーのレー
    ザ光を照射した領域の方が、より低パワーのレーザ光を
    照射した領域に比べ、反射率が高くなることを特徴とす
    る請求項１４に記載の情報記録媒体。
  16. 【請求項１６】読みだしレ−ザ波長において、前記光入
    射側反射層が屈折率ｎが１以下である材料からなる請求
    項１４に記載の情報記録媒体。
  17. 【請求項１７】読みだしレ−ザ波長において、前記光入
    射側反射層が屈折率ｎが２以上かつ消衰係数ｋが２以下
    である材料からなる請求項１４に記載の情報記録媒体。
  18. 【請求項１８】前記記録層または超解像読出し用のマス
    ク層と、前記反射層または第１反射層の間に中間層を備
    えることを特徴とする請求項１４に記載の情報記録媒
    体。
  19. 【請求項１９】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層と
    して備えた情報記録媒体において、記録層または超解像
    読出し用のマスク層が相変化成分と高融点成分とからな
    り、相変化成分の全原子数の９５％以上がＧｅＴｅとＳ
    ｂ2Ｔｅ3との組合せよりなり、その中の高融点成分の含
    有量ｙ（原子％）、相変化成分中のＧｅＴｅ量の割合ｘ
    （％）と保護層膜厚ｔ（ｎｍ）が ａｘ＋ｂｙ＝ｃ−ｔを満たし、 かつ５≦ａ≦１１，かつ２５≦ｂ≦３５，かつ２５００
    ≦ｃ≦３５００を満たす範囲にあることを特徴とする情
    報記録媒体。
  20. 【請求項２０】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層と
    して備えた情報記録媒体において、前記記録層または超
    解像読出し用のマスク層の全原子数の９５％以上の組成
    がＬを相変化成分、Ｈを高融点成分としたとき、 （Ｌ）1-s（Ｈ）s で表され、かつ０．０５≦ｓ≦０．２０を満たすことを
    特徴とする情報記録媒体。
  21. 【請求項２１】前記情報記録媒体において、前記保護層
    膜厚が９０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下の範囲にあること
    を特徴とする請求項１４に記載の情報記録媒体。
  22. 【請求項２２】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層と
    して備え、かつ、反射層を備えた情報記録媒体に対し、
    その媒体の記録層またはマスク層が結晶状態にある時の
    光吸収率が非晶質状態にある時の光吸収率以上である波
    長の少なくとも記録に用いるレーザを備え、かつ、光ヘ
    ッド制御回路、トラッキング誤差検出手段、光ヘッド移
    動ドライバ、記録データ変調手段、レーザドライバ、再
    生信号処理手段、再生データ送出手段を備えたことを特
    徴とする情報メモリー装置。
  23. 【請求項２３】前記情報記録媒体において、前記Ｌは全
    原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅからなり，
    かつ前記Ｈは全原子数の９５％以上の成分がＣｒ−Ｔ
    ｅ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｒ
    −Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｔｅ，Ｃｏ−
    Ｓｂ，Ｃｏ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｓｂ−Ｇ
    ｅ，Ｃｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ，Ｃｕ
    −Ｇｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｕ−
    Ｇｅ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｇｅ，Ｍ
    ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｇｅ−Ｔ
    ｅ，Ｖ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｔｅ，
    Ｖ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｖ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｔｅ，Ｎｉ−
    Ｓｂ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ−Ｇ
    ｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ，Ｍｏ
    −Ｇｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍｏ−
    Ｇｅ−Ｔｅ，Ｗ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ，Ｗ−Ｇｅ，Ｗ−Ｓｂ
    −Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｗ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｔ
    ｅ，Ａｇ−Ｓｂ，Ａｇ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ
    −Ｓｂ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｇｅ−Ｔｅ，の少なくとも１つか
    らなることを特徴とする請求項２０に記載の情報記録媒
    体。
  24. 【請求項２４】前記情報記録媒体において、前記Ｌは全
    原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅからなり，
    かつ前記Ｈの９５原子％以上の成分の融点が７８０℃以
    上である請求項２０に記載の情報記録媒体。
  25. 【請求項２５】前記情報記録媒体において、前記Ｌは全
    原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅからなり，
    かつ前記Ｈは全原子数の９５％以上の成分がＡｇおよび
    Ｔｅからなる請求項２０に記載の情報記録媒体。
  26. 【請求項２６】前記情報記録媒体において、前記Ｌは全
    原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅからなり，
    かつ前記Ｈは全原子数の９５％以上の成分がＡｇ，Ｓｂ
    およびＴｅからなる請求項２０に記載の情報記録媒体。
  27. 【請求項２７】前記情報記録媒体において、前記Ｌは全
    原子数の９５％以上の成分がＧｅ-Ｓｂ-Ｔｅからなり，
    かつ前記Ｈは全原子数の９５％以上の成分がＣｒおよび
    Ｔｅからなる請求項２０に記載の情報記録媒体。
  28. 【請求項２８】前記保護層の膜厚が５０ｎｍ以上、１０
    ０ｎｍ以下の範囲にあり，かつ前記第１反射層がＳｉ、
    または全原子数の７５％以上がＳｉである混合材料の少
    なくとも１つからなることを特徴とする請求項２に記載
    の情報記録媒体。
  29. 【請求項２９】前記記録層または超解像読出し用のマス
    ク層と、前記第１反射層の間に中間層を備え，かつ前記
    中間層の屈折率と前記第１反射層の屈折率の平均値が２
    以上，４以下であることを特徴とする請求項２に記載の
    情報記録媒体。
  30. 【請求項３０】前記第１反射層の全原子数の９０％以上
    の成分がＳｉ、Ｓｉ混合材料、の少なくとも１つからな
    り，かつ前記第２反射層全原子数の８０％以上の成分が
    Ｓｂ-Ｂｉ、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃ
    ｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，
    Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、または
    Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ｐｄ合金，
    Ｐｔ合金，の少なくとも１つからなる、請求項２に記載
    の情報記録媒体。
  31. 【請求項３１】前記第１反射層の全原子数の９０％以上
    の成分がＳｉ、Ｓｉ−Ａｕ，Ｓｉ−Ａｇ，Ｓｉ−Ｃｕ，
    Ｓｉ−Ａｌ，Ｓｉ−Ｎｉ，Ｓｉ−Ｆｅ，Ｓｉ−Ｃｏ，Ｓ
    ｉ−Ｃｒ，Ｓｉ−Ｔｉ，Ｓｉ−Ｐｄ，Ｓｉ−Ｐｔ，Ｓｉ
    −Ｗ，Ｓｉ−Ｔａ，Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ｓｂ，Ｓｉ−Ｂ
    ｉ，Ｓｉ−Ｄｙ，Ｓｉ−Ｃｄ，Ｓｉ−Ｍｎ，Ｓｉ−Ｍ
    ｇ，Ｓｉ−Ｖ，Ｓｉ−Ｚｎ，Ｓｉ−Ｇａ，Ｓｉ−Ｔｌ，
    Ｓｉ−Ｐｂ，Ｓｉ−Ｃ，Ｓｉ−Ｂ，Ｓｉ−Ｓ混合材料の
    いずれか１つからなり，かつ前記第２反射層の全原子数
    の８０％以上の成分がＡｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃ
    ｕ，Ａｌ−Ｃｒからなる請求項２に記載の情報記録媒
    体。
  32. 【請求項３２】前記第１反射層の全原子数の９０％以上
    の成分がＳｉ、Ｓｉ混合材料、の少なくとも１つからな
    り，かつ前記第２反射層の全原子数の８０％以上の成分
    がＳｂ-Ｂｉ、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，
    Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓ
    ｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、ま
    たはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ｐｄ合
    金，Ｐｔ合金，の少なくとも１つからなる、請求項２に
    記載の情報記録媒体。
  33. 【請求項３３】前記保護層膜厚が５０ｎｍ以上かつ１０
    ０ｎｍ以下，かつ第１反射層膜厚が４５ｎｍ以上，９０
    ｎｍ以下である請求項２に記載の情報記録媒体。
  34. 【請求項３４】前記保護層膜厚が５０ｎｍ以上かつ１０
    ０ｎｍ以下，かつ第１反射層膜厚が４５ｎｍ以上，９０
    ｎｍ以下，かつ第２反射層膜厚が３０ｎｍ以上，２００
    ｎｍ以下である請求項２に記載の情報記録媒体。
  35. 【請求項３５】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層と
    して備えた情報記録媒体において、情報用記録媒体の反
    射率がａｓ−ｄｅｐｏ状態または結晶状態において，波
    長５５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲において極小値を持
    つ，または極大値が極小値の波長から１５０ｎｍ以上，
    ３５０ｎｍ以内の波長に存在する特徴を持つ情報記録媒
    体。
  36. 【請求項３６】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層と
    して備えた情報記録媒体において、情報用記録媒体の反
    射率が波長４００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲における反射
    率変化を最大値と最小値の差で表した場合，ａｓ−ｄｅ
    ｐｏ状態の反射率差が２０％以上，または結晶状態の反
    射率差が６．７％以上となる特徴を持つ情報記録媒体。
  37. 【請求項３７】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層と
    して備えた情報記録媒体において、前記情報用記録媒体
    の前記中間層または前記第１反射層から前記基板の反対
    側へ光を入射した場合の反射率が波長４００ｎｍ〜８５
    ０ｎｍの範囲において極大値または極小値を持つこと，
    または反射率差が１３．３％以上となる特徴を持つ情報
    記録媒体。
  38. 【請求項３８】前記記録層または超解像読出し用のマス
    ク層にオーバーライトを行なう際、より高パワーのレー
    ザ光を照射した領域の方が、より低パワーのレーザ光を
    照射した領域に比べ、反射率が低くなることを特徴とす
    る請求項２に記載の情報記録媒体。
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