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JPH1049916A - 情報記録媒体および情報メモリー装置 - Google Patents

情報記録媒体および情報メモリー装置

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Publication number
JPH1049916A
JPH1049916A JP20153596A JP20153596A JPH1049916A JP H1049916 A JPH1049916 A JP H1049916A JP 20153596 A JP20153596 A JP 20153596A JP 20153596 A JP20153596 A JP 20153596A JP H1049916 A JPH1049916 A JP H1049916A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
information recording
recording medium
layer
film
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20153596A
Other languages
English (en)
Inventor
Akemi Hirotsune
朱美 廣常
Motoyasu Terao
元康 寺尾
Yasushi Miyauchi
靖 宮内
Makoto Miyamoto
真 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Maxell Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP20153596A priority Critical patent/JPH1049916A/ja
Priority to US08/902,361 priority patent/US5882759A/en
Publication of JPH1049916A publication Critical patent/JPH1049916A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な記録・再生特性または超解像読みだし
特性を保持しながら、従来より多数回の書き換えまたは
超解像読みだしを可能にする。 【解決手段】 反射層をＳｉを主成分にした層５と金属
材料を主成分にした層６の２層構造にし、記録膜３の上
下の誘電体層の少なくとも一方の少なくとも一部にＡｌ
酸化物を用いることにより、多数回の書き換えまたは超
解像読みだしを行なった際の反射率レベルの変動、再生
信号ジッターの上昇等を抑え、多数回の書き換えまたは
超解像読みだしを可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録、再生が可能
な光学式情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情
報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜
材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニ
ングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用す
るものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚の
ディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情
報記録媒体が得られるという長所を持つ。また、ＧｅＳ
ｂＴｅ系等の記録膜では、情報の書き換えを行なうこと
ができる利点がある。
【０００３】しかし、この種の記録膜では、高密度化を
行なうための、サンプルサーボ方式、マークエッジ記録
などで１０4回を越える多数回の書き換えを行なうと、
記録膜の流動により記録膜膜厚が変化し、再生信号波形
に歪みが生じる。記録膜の流動は、記録時のレーザ照射
により、記録膜が流動し、保護層や中間層の熱膨張によ
る変形により、記録膜が少しずつ押されて生じる。
【０００４】例えば、文献１ 『T.Ohta et al."Optica
l Data Strage" '89 Proc.SPIE, 1078,27(1989)』に
は、記録膜を薄くして熱容量を下げ、且つ隣接する層と
の付着力の影響が大きくなるのを利用して記録膜の流動
を防止する方法が開示されている。また、文献２『廣
常、寺尾、宮内、峯邑、伏見；第４１応用物理学関係連
合講演会予稿集ｐ９９６』には、記録膜に高融点の成分
を添加して記録膜の流動を防止する方法が開示されてい
る。これにより、記録膜の大きな流動は抑制できた。し
かし、さらに多数回の書き換えを繰り返すと、反射率レ
ベルの変動が生じる。
【０００５】また、マークエッジ記録におけるオーバー
ライトジッタ特性を良好にするため、文献３『大久保、
村畑、井出、岡田、岩永：第５回相変化記録研究会講演
予稿集ｐ９８』には、透過光を増加したディスクが提案
されている。このディスク構造は、ＰＣ基板／ＺｎＳ-
ＳｉＯ2 (250nm)／ Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5(15nm)／ＺｎＳ-Ｓ
ｉＯ2 (18nm)／Ｓｉ(65nm)である。
【０００６】一方、映像信号や音声信号などをＦＭ変調
したアナログ情報信号や、電子計算機のデータ、ファク
シミリ信号、ディジタルオーディオ信号などのディジタ
ル情報信号を基板表面に凹凸として転写した光ディスク
や、レーザ光、電子線等の記録用ビームによって信号や
データをリアルタイムで記録することが可能な情報の記
録用薄膜等を有する光ディスクにおいては、信号再生分
解能は、ほとんど再生光学系の光源の波長λと対物レン
ズの開口数ＮＡで決まり、記録マーク周期２ＮＡ／λが
読み取り限界である。
【０００７】高記録密度化のための手法としては、相変
化により反射率が変化する媒体を用いて凹凸で記録され
たデータを再生する方法や媒体が文献４『K.Yasuda,M.O
no,K.Aritani,A.Fukumoto,M.Kaneko;Jpn.J.Appl.Phys.v
ol.32(1993)p.5210』に記載されている。この手法にお
いても、超解像読み出し用の膜は、１０4回を越える多
数回の読み出しを行なうと、膜の流動が生じ、反射率レ
ベルの変動が生じるため、読み出し可能回数が制限され
る。
【０００８】なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相
変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、
結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変
化」という用語を使用する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の情報記録用媒体
はいずれも、書き換え可能な相転移型の情報記録用媒体
として用いる場合、書き換え可能回数を多くするとジッ
ターが上昇，また反射率レベルの変動が生じるという問
題を有している。
【００１０】同様に、従来の超解像読み出し膜を有する
情報記録用媒体はいずれも、超解像読み出し可能な相転
移型の情報記録用媒体として用いる場合、超解像読み出
し可能回数を多くすると反射率レベルの変動が生じると
いう問題を有している。
【００１１】そこで、この発明の目的は、多数回の書き
換えもしくは超解像読み出しを行っても良好な記録・再
生特性を保持し、従来よりジッター上昇が少なく，また
反射率レベルの変動が少ない情報記録用媒体を提供する
ことに有る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
（１）基板上に直接又は下地層を介して形成された、エ
ネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜
を記録層として備え、かつ保護層を備え、かつ少なくと
も２層以上の反射層を備え、かつ反射層が屈折率または
消衰係数の少なくとも一方が異なる材料の第１反射層お
よび第２反射層からなり、かつ光入射側から保護層、記
録層の順に積層され、その次に直接または中間層を介し
て第１反射層、第２反射層の順に積層された構造を持つ
情報記録媒体であることを特徴とする。
【００１３】（２）（１）に記載の情報記録媒体におい
て，前記第１反射層の全原子数の９０％以上の成分がＳ
ｉ−Ｔｉ， Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌからなることを特
徴とする。
【００１４】（３）（１）に記載の情報記録媒体におい
て，前記第１反射層の全原子数の９０％以上の成分がＳ
ｉ−Ｇｅ， Ｇｅからなることを特徴とする請求項１に
記載の情報記録媒体。
【００１５】（４）（１）に記載の情報記録媒体におい
て，前記第１反射層の全原子数の９０％以上の成分がＳ
ｉからなることを特徴とする。
【００１６】（５）（１）に記載の情報記録媒体におい
て，前記第２反射層の全原子数の９０％以上の成分がＡ
ｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒのいずれ
か１つからなることを特徴とする。
【００１７】（６）（１）に記載の情報記録媒体におい
て，前記第２反射層の全原子数の９０％以上の成分がＡ
ｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｏのいずれか１つからなることを特
徴とする。
【００１８】（７）（１）に記載の情報記録媒体におい
て，前記第１反射層の全原子数の９０％以上の成分がＳ
ｉからなり，かつ前記第２反射層の全原子数の９０％以
上の成分がＡｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−
Ｃｒのいずれか１つからなることを特徴とする。
【００１９】（８）（１）に記載の情報記録媒体におい
て，前記第１反射層の全原子数の９０％以上の成分がＳ
ｉ−Ｔｉ， Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌからなり、前記第
２反射層の全原子数の９０％以上の成分がＡｌ-Ｔｉ，
Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒの少なくともいずれ
か１つからなることを特徴とする。
【００２０】（９）（１）に記載の情報記録媒体におい
て，前記第１反射層の全原子数の９０％以上の成分がＳ
ｉ， Ｓｉ−Ｔｉ， Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌ， Ｓｉ−
Ｇｅ，Ｇｅの少なくともいずれか１つからなり，かつ前
記第２反射層の全原子数の９０％以上の成分がＭｏ，Ｍ
ｏ化合物の少なくともいずれか１つからなることを特徴
とする。
【００２１】（１０）（１）〜（９）のいずれか１つに
記載の情報記録媒体において，前記記録膜の全原子数の
９０％以上の成分が，Ａｇが１〜５原子％，かつＧｅが
１７〜２５原子％，かつＳｂが１９〜２５原子％，かつ
Ｔｅが５３〜５９原子％の範囲にあることを特徴とす
る。
【００２２】（１１）（１）〜（９）のいずれか１つに
記載の情報記録媒体において，前記記録膜全原子数の９
０％以上の成分が，ＡｇＳｂＴｅ2に近い組成の材料５
〜１５％と、残部のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5に近い組成の材料
よりなることを特徴とする。
【００２３】（１２）（１）〜（１１）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において，前記記録膜上に前記第
１反射層が直接積層されたことを特徴とする。
【００２４】（１３）（１）〜（１１）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において，前記記録層と、第１反
射層の間に中間層を備えることを特徴とする。
【００２５】（１４）（１３）に記載の情報記録媒体に
おいて，前記中間層がＺｎＳ−ＳｉＯ2膜とＡｌ酸化物
膜の２層よりなることを特徴とする。
【００２６】（１５）（１３）に記載の情報記録媒体に
おいて，前記中間層の全原子数の３０原子％以上の成分
がＡｌ−Ｏ組成よりなることを特徴とする。
【００２７】（１６）（１３）に記載の情報記録媒体に
おいて，前記中間層の全原子数の９０％以上の成分が
（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3），（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3）
−（ＳｉＯ2），（Ａｌ2Ｏ3）−（ＳｉＯ2）の少なくと
もいずれか１つに近い組成からなることを特徴とする。
【００２８】（１７）（１）〜（１６）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において，前記保護層がＡｌ−Ｏ
を全原子数の３０原子％以上含む材料よりなることを特
徴とする。
【００２９】（１８）（１）〜（１６）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において，前記保護層がＺｎＳ−
ＳｉＯ2膜とＡｌ−Ｏ膜の２層よりなることを特徴とす
る。
【００３０】（１９）（１８）に記載の情報記録媒体に
おいて，前記保護層のうち、Ａｌ−Ｏ膜の膜厚が２ｎｍ
以上、２０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００３１】（２０）（１）〜（１６）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において，前記保護層の全原子数
の９０％以上の成分が（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3），（Ｚ
ｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3）−（ＳｉＯ2）の少なくともいず
れか１つに近い組成からなることを特徴とする。
【００３２】（２１）（１）〜（２０）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において，前記記録膜の膜厚が１
５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とす
る。
【００３３】（２２）（１）〜（２１）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において，前記保護層の膜厚が８
０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とす
る。
【００３４】（２３）（１３）〜（１６）のいずれか１
つに記載の情報記録媒体において，前記中間層の膜厚が
１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とす
る。
【００３５】（２４）（１）〜（２３）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の膜厚
が６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴と
する。
【００３６】（２５）（１）〜（２４）のいずれか１つ
に記載の情報記録媒体において，前記第２反射層の膜厚
が１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の範囲にあることを特
徴とする。
【００３７】（２６）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録膜または超解像読出し用のマス
ク層として備え、かつ反射層を備え、かつ波長が５５０
ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲において結晶状態および
／または非晶質状態の反射率が極小値を持つ情報記録媒
体であることを特徴とする。
【００３８】（２７）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ反射層を備
え、かつ記録膜側から光を入射した際の前記反射層の反
射率が波長が５００ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲にお
いて最大値と最小値の差を２０％以上持つ情報記録媒体
であることを特徴とする。
【００３９】（２８）基板上に直接または下地層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録および／または再生す
る情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ反射層を備
え、かつ記録膜側から光を入射した際の前記反射層の反
射率が波長が５００ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲にお
いて極小値を持つ情報記録媒体であることを特徴とす
る。
【００４０】（２９）（１）に記載の情報記録媒体にお
いて，前記保護層が予定膜厚より厚めに製膜された後
に，エッチングすることにより適性膜厚する方法で作製
されたことを特徴とする。 （３０）（１）に記載の情報記録媒体において，前記第
１反射層が予定膜厚より厚めに製膜された後に，エッチ
ングすることにより適性膜厚する方法で作製されたこと
を特徴とする。 （３１）（１）に記載の情報記録媒体において，前記第
１反射層のランド部の膜厚がグルーブ部の膜厚より２ｎ
ｍ以上厚く形成されたことを特徴とする。
【００４１】（３２）前記記録膜材料は，Ａｇ2Ｇｅ20
Ｓｂ22Ｔｅ56， Ａｇ5Ｇｅ20Ｓｂ20Ｔｅ55， Ａｇ1Ｇｅ
21Ｓｂ23Ｔｅ55，等Ａｇ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系、 からなる
ことを特徴とする。
【００４２】Ａｇ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系では，Ａｇが１〜
５原子％，Ｇｅが１７〜２３原子％，Ｓｂが１９〜２５
原子％，Ｔｅが５３〜５９原子％の範囲にある組成が特
に書き換え可能回数の低下が生じにくいことがわかっ
た。また，ＡｇＳｂＴｅ2またはこれに近い材料が５〜
１５％，Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5またはこれに近い材料が残部
を占める組成は，結晶と非晶質状態の反射率差が大き
く，再生信号が大きくなるため好ましいことがわかっ
た。
【００４３】次いで、 （（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ
2Ｔｅ5）90 ）等Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系 ，Ｃｏ-Ｇｅ-
Ｓｂ-Ｔｅ，Ｖ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，等でも書き換え３万回
以上のジッターが高くなるが、それ以外の多くの特性で
は同様の結果が得られた。
【００４４】さらに、上記以外のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5，Ｇ
ｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，Ｉｎ3ＳｂＴｅ2，Ｉｎ
35Ｓｂ32Ｔｅ33，Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43、ＧｅＴｅ，Ａｇ
-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｎｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｐｔ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｓｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ａｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔ
ｅ，Ｃｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｎ
-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｆｅ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｔｉ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，およびこれらに近い組
成のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部
をＩｎに置き換えても、これに近い特性が得られる。
【００４５】また、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅを主成分とする相変
化成分と、より融点の高い高融点成分を添加した記録膜
が書き換え可能回数の低下が生じにくい。相変化成分の
全原子数の９５％以上がＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3との組合
せよりなり、高融点成分はの全原子数の９５％以上がＣ
ｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｃｏ−Ｔ
ｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｏ
−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ
−Ｓｂ，Ｃｕ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−
Ｇｅ，Ｃｕ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ，
Ｍｎ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍ
ｎ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｖ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｖ
−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｖ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｎｉ
−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，
Ｎｉ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｔｅ，Ｍ
ｏ−Ｓｂ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ
−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｗ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ，Ｗ−
Ｇｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｗ−Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ，Ａｇ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｓｂ
−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｇｅ−Ｔｅ，の少な
くとも１つ、またはこれに近い組成であると、より書き
換え可能回数の低下が生じにくい。 Ｃｒ4Ｔｅ5， Ｃｒ
2Ｔｅ3，Ｃｒ5Ｔｅ8，等、Ｃｒ−Ｔｅ，は、書き換え１
０〜１万回のジッターが特に低いことがわかった。ま
た， Ａｇ2Ｔｅ， ＡｇＳｂＴｅ2等は光源波長が短くな
っても信号強度が大きく，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔ
ｅが特に良いことがわかった。
【００４６】相変化成分の全原子数の９５％以上の組成
がＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5である場合、記録膜全原子数の中の
高融点成分原子の占める割合は、５原子％以上、２０原
子％以下が書き換え特性が良い。５原子％以上、１５原
子％以下は消去特性が良いため書き換え特性がより良
い。
【００４７】また，記録膜中の不純物元素は記録膜成分
の１０原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来，
好ましい。５原子％以下であるとさらに好ましかった。
【００４８】（３３）前記保護層材料は，（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合比を換えたも
の、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ2，
ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌａ2Ｏ
3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，Ｓｎ
Ｏ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔ
ａ2Ｏ5，ＺｒＯ2などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3
Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）など
の窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ
2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化
物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉ
ｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳ
ｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、Ｃｅ
Ｆ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，
Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に
近い組成のもの、これらの混合材料の層やこれらの多重
層からなることを特徴とする。
【００４９】（３４）前記中間層材料はＡｌ2Ｏ3、Ａｌ
とＯの組成費が２：３からずれたＡｌ酸化物、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合比を換え
たもの、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ
2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌａ
2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，
ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ
2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2などの酸化物，ＴａＮ，Ａｌ
Ｎ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉ
Ｎ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2
Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3な
どの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｓｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ
ｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化
物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるい
はＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記
の材料に近い組成のものからなることを特徴とする。
【００５０】（３５）前記基板は，表面に直接、連続溝
を有するポリカ−ボネ−ト基板、ポリオレフィン、エポ
キシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成し
た化学強化ガラス、であることを特徴とする。また，連
続溝サーボフォーマットの基板以外の、サンプルサーボ
フォーマットの基板、他のフォーマットによる基板等で
も良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフ
ォーマットを有する基板でも良い。ディスクサイズも１
２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，３．５‘，２．５‘等，他
のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限ら
ず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ等，他の厚さでも良い。
【００５１】（３６）前記第１反射層材料は，Ｓｉ，Ｓ
ｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，
Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐ
ｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓを添加したものからなることを特徴とす
る。この場合の添加元素の含有量は１原子％以上２５原
子％以下が多数回書き換え時の反射率レベルの変動が生
じにくい。
【００５２】また、Ｓｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク
部分の光吸収率を記録マーク以外の部分の光吸収率より
小さくできるので、光吸収率差による消え残りを防止で
き、さらに書き換え可能回数が低下しない。Ｇｅの含有
量は１０原子％以上８０原子％以下が書き換え可能回数
の低下が生じにくい。
【００５３】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ
−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の
混合材料でも同様の結果が得られた。これらの反射層材
料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を
用いる場合の反射層材料として用いても、従来の反射層
材料に比べて書き換え可能回数が低下しない。Ｓｉに添
加する元素の含有量は３原子％以上５０原子％以下が書
き換え可能回数の低下が生じにくい。 さらに、上記以
外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材料、屈折率が大きくて消衰係
数が小さい材料よりなる層を用いてもよいし、それらの
相よりなる多重層を用いてもよいし、これらの酸化物な
どの他の物質との複合層などを用いてもよい。Ｇｅも使
用可能である。その他、各種窒化物、硫化物、セレン化
物も使用可能である。
【００５４】また，上記以外の材料で記録波長または再
生波長において，屈折率が３以上かつ消衰係数が２以下
の材料も使用可能である。
【００５５】ＳｉおよびＳｉの代わりの第１反射層の材
料は，第１反射層全原子数の９０％以上であることが好
ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になる
と，書き換え特性の劣化が見られた。
【００５６】（３７）前記第２反射層材料はＡｌ-Ｔ
ｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金，Ａ
ｌを主成分とするものからなることを特徴とする。
【００５７】また，上記以外のＡｌ合金，Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，
Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ
合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ-Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ
−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれ
ら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層
よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物など
の他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物
質との複合層などを用いてもよい。
【００５８】この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ合金、
Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいも
のは、ディスク構造が急冷構造となり、多数回書き換え
による反射率変動が生じにくい。Ａｇ，Ａｇ合金，等も
同様な特性が見られる。また、Ｓｂ-Ｂｉ，Ｄｙ，ＳＵ
Ｓ，Ｎｉ−Ｃｒ等のように熱伝導率が小さいものは、保
温されやすくなるため、記録感度が良くなるという利点
がある。
【００５９】また，Ｍｏ，Ｍｏ化合物を使用した場合に
ついては反応性が低く，多数回のレーザ照射によって第
１反射層と反応して特性が劣化する恐れがないため，書
き換え特性が低下しないという利点がある。次いで，
Ｗ，Ｗ化合物についても同様の結果が得られた。
【００６０】さらに、Ａｕ単体にくらべ、Ａｕ−Ａｇ，
Ａｕ−Ｃｏ，Ａｕ−Ａｌ等のＡｕ合金は接着力が大きく
なるという利点があり好ましい。
【００６１】第１反射層と屈折率および消衰係数が異な
る材料であれば、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とす
る合金、あるいはこれらと上記元素同志の合金よりなる
層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用い
てもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合
層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを
用いてもよい。また、材料の消衰係数ｋが３以上である
ことが好ましい。
【００６２】Ａｌ−ＴｉおよびＡｌ−Ｔｉの代わりの第
２反射層の材料は，第２反射層全原子数の８０％以上で
あることが好ましい。上記材料以外の不純物が２０原子
％以上になると，書き換え特性の劣化が見られた。
【００６３】（３８）前記各層の膜厚，材料については
それぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生
特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合
わせることにより，さらに効果が上がることを特徴とす
る。
【００６４】（３９）前記第１反射層材料については、
（２）〜（４），（８）〜（９），（３６）、第２反射
層材料については（５）〜（９），（３７）に述べた材
料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによ
って、書き換え特性が向上することを特徴とする。好ま
しい組み合わせは、第１反射層がＳｉ，Ｓｉ−Ｔｉ，Ｓ
ｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｇｅの少なくとも
１つ、またはこれに近い組成であり、第２反射層がＡ
ｌ，Ａｌ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金，Ｃ
ｕ，Ｃｕ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金，Ｍｏ，Ｍｏ化合物，Ｓ
ｂ−Ｂｉ固溶体の少なくとも１つ、またはこれに近い組
成である、場合である。
【００６５】
【発明の実施の形態】以下、この発明を実施例によって
詳細に説明する。
【００６６】＜実施例１＞ （構成、製法）図１は、この発明の第１実施例のディス
ク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次の
ようにして製作された。
【００６７】まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面に連続溝を有するポリカーボネイト基板１上に、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２を膜厚
約１００ｎｍ形成した。次に、Ａｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ
56記録膜３を膜厚約２０ｎｍ 、Ａｌ2Ｏ3膜よりなる中
間層４を膜厚約２５ｎｍ 、Ｓｉからなる第１反射層５
を膜厚約８０ｎｍ 、 Ａｌ97Ｔｉ3 膜からなる第２反射
層を膜厚約２００ｎｍに順次形成した。積層膜の形成は
マグネトロン・スパッタリング装置により行った。こう
して第１のディスク部材を得た。
【００６８】他方、全く同様の方法により、第１のディ
スク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。
第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍ
ｍの基板１’上に順に膜厚約１００nmの（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２’、膜厚約２０ｎ
ｍのＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜よりなる記録膜３’、
膜厚約２５ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜よりなる中間層４’、膜厚
約８０ｎｍのＳｉよりなる第１反射層５’、膜厚約２０
０ｎｍのＡｌ97Ｔｉ3 膜からなる第２反射層６’を積層
した。
【００６９】その後，前記第１のディスク部材および第
２のディスク部材をそれぞれの第２反射層６、６’同士
を接着剤層７を介して貼り合わせ、図１に示すディスク
状情報記録媒体を得た。
【００７０】また、比較のため従来構造のディスク状情
報記録媒体の構造断面図を図２に示した。
【００７１】この媒体は作製方法は同様で、膜構造が第
１反射層であるＳｉ層の無い４層構造である点が異なっ
ている。ポリカーボネイト基板１上に、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２を膜厚約１１０ｎ
ｍに、 Ａｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜３を膜厚約２０
ｎｍ 、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層４
を膜厚約２０ｎｍ 、 Ａｌ97Ｔｉ3 膜からなる反射層８
を膜厚約２００ｎｍに順次形成し、同様に作成した２つ
のディスク部材を貼り合わせて図２に示すディスク状情
報記録媒体を得た。
【００７２】（初期結晶化）前記のようにして製作した
媒体の記録膜３、３’に次のようにして初期結晶化を行
った。なお、記録膜３’についてもまったく同様である
から、以下の説明では記録膜３についてのみ述べること
とする。
【００７３】媒体を記録トラック上の点の線速度が８m/
sであるように回転させ、スポット形状が媒体の半径方
向に長い長円形の半導体レーザ（波長約８１０nm）のレ
ーザ光パワーを８００mWにして基板１を通して記録膜３
に照射した。記録膜３上にレーザ光の焦点が来るよう
に、自動焦点合わせを行いながら記録ヘッドを駆動し
た。スポットの移動は、媒体の半径方向のスポット長の
１／１６ずつずらした。こうして、初期結晶化を行っ
た。この初期化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結
晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶
化は高速で行える利点がある。また、初期結晶化を行う
レーザ波長は，記録・再生を行うレーザ波長またはこれ
に近い波長（６７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下）で行うと
レーザーパワーを低くすることができ、好ましい。
【００７４】これらの初期結晶化は半導体レーザ（波長
６８０ｎｍ）を有するドライブにおいて行ってもよい。
この場合、媒体を線速度６ｍ／ｓで回転させ、レーザ光
パワーを記録または消去が行われないレベル（約１ｍＷ
）に保ち、そのレーザ光を記録ヘッドの開口数（Ｎ
Ａ）が０.６のレンズで集光し、基板１を通して記録膜
３に照射した。記録膜３からの反射光を検出して、トラ
ッキングを行うと共に，記録膜３上にレーザ光の焦点が
来るように、自動焦点合わせを行いながら記録ヘッドを
駆動した。レーザ光照射は、同一記録トラック上に連続
（ＤＣ）レーザ光で、非晶質化されるレベル（１０ｍＷ
）で２回、結晶化されるレベル（４ｍＷ）で２回行っ
た。各回の照射時間（光スポット通過時間）は約０．１
８μｓｅｃである。このようにパワーの異なるレーザ光
を照射すると、初期結晶化を十分に行うことができる。
【００７５】初期化は、回転するディスクの中心を通る
線に平行に配置した３ｋＷのハロゲンランプの光を、楕
円面鏡で回転するディスクに近接し、ディスクの半径方
向に放射状に開いたスリットを持つマスク上に集光し、
そのスリットを通過した光で行ってもよい。スリットは
幅０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下で、長さはディスク上の初
期結晶化が必要な領域の半径方向の長さに近接するディ
スクの半径に比例して広がっているのが好ましい。ディ
スクとスリットとの距離は１ｍｍ以下が好ましい。この
初期化では、媒体を少数回転させるだけで初期結晶化を
完了させることができ、好ましい。
【００７６】（記録、消去）次に、以上のようにして初
期結晶化が完了した記録膜３の記録領域にトラッキング
と自動焦点合わせを行いながら、記録用レーザ光のパワ
ーを中間パワーレベルＰｍ（５ｍＷ）と高パワーレベル
Ｐｈ（１３mW）との間で変化させて情報の記録を行っ
た。記録トラックの線速度は６m/s、半導体レーザ波長
は６８０nm、レンズの開口数（ＮＡ）は０.６である。
記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶質また
はそれに近い部分が記録点となる。
【００７７】記録用レーザ光の高レベルと中間レベルと
のパワ−比は１：０.３〜１：０.６の範囲が特に好まし
い。また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにして
もよい。図３に示したように，１つの記録マークの形成
中にウインドウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレ
ベルより低いレベルまでパワーを繰り返し下げ，かつ、
記録マーク形成の最後にパワーを下げるクーリングパル
スの時間幅Ｔｃを１Ｔｗとした記録波形を生成する手段
を持った装置で記録・再生を行うと，再生信号波形の特
に低いジッター値およびエラーレートが得られた。この
図では３Ｔｗ，４Ｔｗ，１１Ｔｗの記録波形しか示して
いないが，５Ｔｗ〜１０Ｔｗは４Ｔｗの波形のＴｃの前
に，高いパワーレベルと低いパワーレベルにそれぞれＴ
ｗ／２ずつ保つ組み合わせの波形が１組ずつ追加されて
いく。７組追加されたものが１１Ｔｗである。３Ｔｗに
対応する最短記録マーク長を０．６２μmとした。記録
すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読
み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ（１mW）に下
げるようにした。
【００７８】このような記録方法では、既に情報が記録
されている部分に対して消去することなく、重ね書きに
よって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換え
られる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによる
オーバーライトが可能である。
【００７９】しかし、書き換え時の最初のディスク１回
転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レー
ザ光の中間パワーレベル（５mW）またはそれに近いパワ
ー（６mW）の連続光を照射して、記録されている情報を
一たん消去し、その後、次の１回転で低パワーレベル
（１mW）と高パワーレベル（１３mW）の間で、または中
間パワーレベル（５mW）と高パワーレベル（１３mW）と
の間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照
射して記録するようにしてもよい。このように、情報を
消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた
情報の消え残りが少なく、特に低いジッター値が得られ
る。従って、最短記録マーク長が０．６２μmより短い
記録も、容易になる。
【００８０】これらの方法は、この発明の媒体に用いら
れる記録膜ばかりでなく他の媒体の記録膜にも有効であ
る。
【００８１】この実施例の情報記録媒体では、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で記録
・消去を繰り返した時に、図４に示すように，書き換え
２〜１０回で従来構造の情報記録媒体に比べて後エッジ
のジッター（σ／Ｔｗ）を約５％，前エッジのジッター
を約３％小さくすることが可能であった。また，書き換
え１０5回以上でも前エッジのジッターを小さくするこ
とが可能であった。ジッター測定におけるウインド幅
（Ｔｗ）は３４ｎｓ、最短記録信号は３Ｔｗ、最長記録
信号は１１Ｔｗでこれらをランダムに記録している。こ
れらの測定には再生等化回路は使用していない。再生等
化回路を使用した場合はさらに１〜３％のジッター低減
効果がみられた。また、記録膜が流動して記録始端部で
膜材料が不足し、終端部で蓄積することによる再生信号
波形の大きなひずみが起こる領域の幅を、始端部で１５
Ｂｙｔｅ相当以下、終端部で５Ｂｙｔｅ相当以下にする
ことができた。従来構造ディスクでは、それぞれ２０Ｂ
ｙｔｅ，３０Ｂｙｔｅとなった。
【００８２】なお、このディスクにおいて中間層４を省
略した場合、前記より１桁少ない回数の書き換えでジッ
ターの増加がみられた。しかし、従来構造ディスクにお
いて中間層４を省略した場合に比べて、ジッター増加は
少なかった。
【００８３】（情報記録媒体の分光特性）上記ディスク
部材と同じ構成で、基板をガラスに変えた以外は同様の
テストピースを２枚作製し，分光特性を調べた。（図
５）すなわち，基板には約１ｍｍ厚の光学研磨を施した
ガラス面板を用い，この基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20膜よりなる保護層２を膜厚約１００ｎｍ形成し
た。次に、Ａｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜３を膜厚約
２０ｎｍ 、 Ａｌ2Ｏ3膜よりなる中間層４を膜厚約２５
ｎｍ 、Ｓｉからなる第１反射層５を膜厚約８０ｎｍ 、
Ａｌ97Ｔｉ3 膜からなる第２反射層を膜厚約２００ｎ
ｍを上記ディスク部材と同様，順次形成した。こうして
得たテストピースのうち１枚はそのままの状態，もう１
枚は３００℃で５分間の加熱処理を施した。それぞれの
テストピースについて，基板側より光を照射し，反射率
の波長依存性を測定した。加熱処理を施した場合の反射
率は図中Ｒｃ，そのままの状態の反射率は図中Ｒａで示
した。加熱処理を施した場合は上記の長円形半導体レー
ザービームを用いた初期結晶化を行った状態と同様の光
学特性が得られる。
【００８４】これより本実施例に述べた書換特性の良好
なディスクにおいては波長５５０ｎｍ〜８００ｎｍの範
囲において反射率が極小値を持つことがわかった。ま
た、記録・再生波長においてはそのままの状態（Ｒａ）
で反射率１０％以下、加熱処理後の状態（Ｒｃ）で１５
％以上であった。
【００８５】従来構造ディスクについても，基板以外は
同様の構造を持つテストピースを作製し，同様の測定を
行うと，as-depo状態および結晶状態ともに,波長５００
ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲においては，極小値を持たない
ことがわかった。
【００８６】これらの分光特性をディスクで測定した場
合，基板の光吸収の波長依存性が見られるため，極小値
および極大値の位置については判別が難しい場合があ
る。特に波長６５０ｎｍ以下では，反射率が実際よりか
なり低く示される傾向にある。
【００８７】本実施例に述べた書き換え特性の良好なデ
ィスクにおいて，ディスク部材を記録膜と中間層の間に
おいて剥がし，中間層側から反射層へ向けて反射率測定
を行った（Ｒｕｐｌ）。また，ディスク部材を中間層と
反射層の間において剥がした場合についても測定を行っ
た（Ｒｒｅｆ）。図６に示したように，反射率の波長依
存性が大きく，波長５００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲にお
いて最大値と最小値の差が２０％以上あることがわかっ
た。この差がより大きいディスクでは４０％以上あるこ
とがわかった。
【００８８】従来構造ディスクについても同様の測定を
行うと，記録膜と中間層の間で剥がした場合は最大値と
最小値の差が５％以下，中間層と反射層の間で剥がした
場合は差が１０％以下であることがわかった。このよう
に，本実施例に述べた書換特性の良好なディスクの分光
特性は従来構造ディスクの分光特性とは異なることがわ
かった。
【００８９】（記録膜材料）本実施例で記録膜３、３’
に用いたＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56の代わりの記録膜の
材料としては、 Ａｇ5Ｇｅ20Ｓｂ20Ｔｅ55， Ａｇ1Ｇｅ
21Ｓｂ23Ｔｅ55，等Ａｇ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系で組成比の
異なる材料が書き換え可能回数の低下が生じにくい。Ａ
ｇ量が多くなると記録感度が良くなるが，消え残りが多
くなる。また，Ａｇ量が少なくなると消去特性は良くな
るが，記録感度が低下する。 Ａｇ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系で
は，Ａｇが１〜５原子％，Ｇｅが１７〜２３原子％，Ｓ
ｂが１９〜２５原子％，Ｔｅが５３〜５９原子％の範囲
にある組成が特に書き換え可能回数の低下が生じにくい
ことがわかった。また，ＡｇＳｂＴｅ2またはこれに近
い材料が５〜１５％，Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5またはこれに近
い材料が残部を占める組成は，結晶と非晶質状態の反射
率差が大きく，再生信号が大きくなるため好ましいこと
がわかった。
【００９０】次いで、 （（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ
2Ｔｅ5）90 ）等Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系 ，Ｃｏ-Ｇｅ-
Ｓｂ-Ｔｅ，Ｖ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，等でも書き換え３万回
以上のジッターが高くなるが、それ以外の多くの特性で
は同様の結果が得られた。
【００９１】さらに、上記以外のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5，Ｇ
ｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，Ｉｎ3ＳｂＴｅ2，Ｉｎ
35Ｓｂ32Ｔｅ33，Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43、ＧｅＴｅ，Ａｇ
-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｎｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｐｔ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｓｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ａｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔ
ｅ，Ｃｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｎ
-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｆｅ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｔｉ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，およびこれらに近い組
成のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部
をＩｎに置き換えても、これに近い特性が得られる。
【００９２】また、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅを主成分とする相変
化成分と、より融点の高い高融点成分を添加した記録膜
が書き換え可能回数の低下が生じにくい。相変化成分の
全原子数の９５％以上がＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3との組合
せよりなり、高融点成分はの全原子数の９５％以上がＣ
ｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｃｏ−Ｔ
ｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｏ
−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ
−Ｓｂ，Ｃｕ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−
Ｇｅ，Ｃｕ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｍｎ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ，
Ｍｎ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍ
ｎ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｖ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｖ
−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｖ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｎｉ
−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，
Ｎｉ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｔｅ，Ｍ
ｏ−Ｓｂ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ
−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｗ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ，Ｗ−
Ｇｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｗ−Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ，Ａｇ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｓｂ
−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｇｅ−Ｔｅ，の少な
くとも１つ、またはこれに近い組成であると、より書き
換え可能回数の低下が生じにくい。 Ｃｒ4Ｔｅ5， Ｃｒ
2Ｔｅ3，Ｃｒ5Ｔｅ8，等、Ｃｒ−Ｔｅ，は、書き換え１
０〜１万回のジッターが特に低いことがわかった。ま
た， Ａｇ2Ｔｅ， ＡｇＳｂＴｅ2等は光源波長が短くな
っても信号強度が大きく，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔ
ｅが特に良いことがわかった。
【００９３】相変化成分の全原子数の９５％以上の組成
がＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5である場合、記録膜全原子数の中の
高融点成分原子の占める割合は、５原子％以上、２０原
子％以下が書き換え特性が良い。５原子％以上、１５原
子％以下は消去特性が良いため書き換え特性がより良
い。
【００９４】また，記録膜中の不純物元素は記録膜成分
の１０原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来，
好ましい。５原子％以下であるとさらに好ましかった。
【００９５】記録膜膜厚は１５ｎｍ以上、４０ｎｍ以下
が変調度が大きく、流動が起こりにくく好ましい。２６
ｎｍ以下であれば、さらに好ましい。
【００９６】（保護層、中間層，基板材料等）本実施例
では、保護層２を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20により形
成しているが、これに代えて、多少記録感度やジッター
が悪くなるが、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合比を換えたも
の、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ2，
ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌａ2Ｏ
3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，Ｓｎ
Ｏ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔ
ａ2Ｏ5，ＺｒＯ2などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3
Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）など
の窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ
2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化
物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉ
ｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳ
ｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、Ｃｅ
Ｆ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，
Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に
近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材
料の層やこれらの多重層でもよい。
【００９７】保護層２の形成時に，１ｎｍ以上厚く保護
層材料を形成した後，逆方向すなわち基板材料側がエッ
チングされる方向にスパッタリングを行い，厚めにつけ
ておいた保護層材料をエッチングして適正な膜厚として
もよい。この方法は作製時間が余分に必要であるが，保
護層表面をより平らにでき，ディスクノイズを低減する
効果がある。
【００９８】保護層の膜厚は８０ｎｍ以上１１０ｎｍ以
下が変調度を大きくでき，多数回書き換え時のジッター
上昇が小さいことから，好ましい。
【００９９】本実施例では、中間層４をＡｌ2Ｏ3により
形成しているが、これに代えて、ＡｌとＯの組成費が
２：３からずれたＡｌ酸化物を用いても同様の効果が得
られた。また，多少ジッターが悪くなるが、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合比を換えたも
の、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ2，
ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌａ2Ｏ
3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，Ｓｎ
Ｏ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2O3，Ｔ
ａ2Ｏ5，ＺｒＯ2などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3
Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）など
の窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ
2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化
物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉ
ｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳ
ｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、Ｃｅ
Ｆ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，
Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に
近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材
料の層やこれらの多重層でもよい。これら化合物におけ
る元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と
酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素のについて
は，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2 ，
ＺｒＯ2， ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，Ｚｎ
Ｓは１：１という比をとるかその比に近いことが好まし
いが，その比から外れていても同様の効果は得られる。
【０１００】中間層の膜厚は４０ｎｍ以下が好ましい。
０ｎｍの場合、すなわち中間層を省略することもでき、
この場合は１層少なくなるため、情報記録媒体の作製が
容易になる。記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ
以下とすることが好ましい。なかでも，実施例１〜５に
おける構造では，中間層膜厚を１５〜３０ｎｍとすると
記録・再生特性がより良くなり，好ましい。
【０１０１】本実施例では、表面に直接、連続溝を有す
るポリカ−ボネ−ト基板１を用いているが、その代わり
に、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線
硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用い
てもよい。また、連続溝サーボフォーマットの基板だけ
でなく、サンプルサーボフォーマットの基板、他のフォ
ーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方
に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも良
い。ディスクサイズも１２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，
３．５‘，２．５‘等，他のサイズでも良い。ディスク
厚さも０．６ｍｍに限らず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ
等，他の厚さでも良い。
【０１０２】本実施例では、中間層４，４’を省略し
て、記録膜３、３’上に第１反射層５、５’を直接形成
しても同様の特性が得られる。この場合は、１層少なく
なるため、ディスク作製が容易になり、作製時間が短縮
できる。
【０１０３】本実施例では、まったく同様の方法によ
り、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、
前記第１および第２のディスク部材の第２反射層６，
６’同士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の
代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板
などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材
または保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が
大きい場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行う
こともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよ
い。
【０１０４】本実施例では、２つのディスク部材を作製
し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク
部材の第２反射層６，６’同士を貼り合わせているが、
貼り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の第
２反射層６，６’上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ
塗布し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートが
より低くできる。
【０１０５】（Ｓｉ以外の第１反射層）この実施例で第
１反射層５に用いたＳｉの代わりの、第１反射層の材料
としてＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，
Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｔ
ｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓを添加すると、反射層の透過率が
下がり、吸収率が上がるため、感度低下を防ぐことがで
きる。この場合の添加元素の含有量は１原子％以上２５
原子％以下が多数回書き換え時の反射率レベルの変動が
生じにくい。
【０１０６】また、Ｓｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク
部分の光吸収率を記録マーク以外の部分の光吸収率より
小さくできるので、光吸収率差による消え残りを防止で
き、さらに書き換え可能回数が低下しない。Ｇｅの含有
量は１０原子％以上８０原子％以下が書き換え可能回数
の低下が生じにくい。
【０１０７】次いで、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ
−Ｉｎ混合材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の
混合材料でも同様の結果が得られた。これらの反射層材
料は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を
用いる場合の反射層材料として用いても、従来の反射層
材料に比べて書き換え可能回数が低下しない。Ｓｉに添
加する元素の含有量は３原子％以上５０原子％以下が書
き換え可能回数の低下が生じにくい。 さらに、上記以
外のＳｉ，Ｇｅ含有混合材料、屈折率が大きくて消衰係
数が小さい材料よりなる層を用いてもよいし、それらの
相よりなる多重層を用いてもよいし、これらの酸化物な
どの他の物質との複合層などを用いてもよい。Ｇｅも使
用可能である。その他、各種窒化物、硫化物、セレン化
物も使用可能である。
【０１０８】また，上記以外の材料で記録波長または再
生波長において，屈折率が３以上かつ消衰係数が２以下
の材料も使用可能である。
【０１０９】ＳｉおよびＳｉの代わりの第１反射層の材
料は，第１反射層全原子数の９０％以上であることが好
ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になる
と，書き換え特性の劣化が見られた。
【０１１０】第１反射層の膜厚は６０ｎｍ〜９０ｎｍと
すると記録・再生特性が良好にでき好ましい。 （第２反射層）本実施例で第２反射層６に用いたＡｌ-
Ｔｉの代わりの第２反射層の材料としては、Ａｌ-Ｔ
ｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主
成分とするものが好ましい。Ａｌも使用可能である。
【０１１１】Ａｌ合金の場合、Ａｌの含有量は５０原子
％以上９９．９原子％以下が熱伝導率を大きくでき、書
き換え可能回数の低下が生じにくい。
【０１１２】また，上記以外のＡｌ合金，Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，
Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ
合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ-Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ
−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれ
ら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層
よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物など
の他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物
質との複合層などを用いてもよい。
【０１１３】この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ合金、
Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいも
のは、ディスク構造が急冷構造となり、多数回書き換え
による反射率変動が生じにくい。Ａｇ，Ａｇ合金，等も
同様な特性が見られる。また、Ｓｂ-Ｂｉ，Ｄｙ，ＳＵ
Ｓ，Ｎｉ−Ｃｒ等のように熱伝導率が小さいものは、保
温されやすくなるため、記録感度が良くなるという利点
がある。
【０１１４】また，Ｍｏ，Ｍｏ化合物を使用した場合に
ついては反応性が低く，多数回のレーザ照射によって第
１反射層と反応して特性が劣化する恐れがないため，書
き換え特性が低下しないという利点がある。次いで，
Ｗ，Ｗ化合物についても同様の結果が得られた。
【０１１５】さらに、Ａｕ単体にくらべ、Ａｕ−Ａｇ，
Ａｕ−Ｃｏ，Ａｕ−Ａｌ等のＡｕ合金は接着力が大きく
なるという利点があり好ましい。
【０１１６】第１反射層と屈折率および消衰係数が異な
る材料であれば、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎを主成分とす
る合金、あるいはこれらと上記元素同志の合金よりなる
層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用い
てもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合
層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを
用いてもよい。また、材料の消衰係数ｋが３以上である
ことが好ましい。
【０１１７】Ａｌ−ＴｉおよびＡｌ−Ｔｉの代わりの第
２反射層の材料は，第２反射層全原子数の８０％以上で
あることが好ましい。上記材料以外の不純物が２０原子
％以上になると，書き換え特性の劣化が見られた。
【０１１８】第２反射層の膜厚は強度と熱拡散を大きく
する点より５０ｎｍ以上、作製時間を少なくする点から
３５０ｎｍ以下がより好ましい。１５０ｎｍ〜２５０ｎ
ｍとするとより好ましい。
【０１１９】（各層の膜厚，材料）各層の膜厚，材料に
ついてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記
録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲
を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
【０１２０】（第１反射層材料と第２反射層材料の組み
合わせ）第１反射層材料については、実施例１に、第２
反射層材料については実施例１と本実施例に述べた材料
が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによっ
て、書き換え特性が向上することがわかった。好ましい
組み合わせは、第１反射層がＳｉ，Ｓｉ−Ｔｉ，Ｓｉ−
Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌ，Ｓｉ−Ｇｅ，Ｇｅの少なくとも１
つ、またはこれに近い組成であり、第２反射層がＡｌ，
Ａｌ合金，Ａｕ，Ａｕ合金，Ａｇ，Ａｇ合金，Ｃｕ，Ｃ
ｕ合金，Ｐｔ，Ｐｔ合金，Ｍｏ，Ｍｏ化合物，Ｓｂ−Ｂ
ｉ固溶体の少なくとも１つ、またはこれに近い組成であ
る、場合である。
【０１２１】＜実施例２＞ （構成、製法）実施例１の第１反射層５においてＳｉを
Ｓｉ−Ｔｉを変えた以外は実施例１と同様にして、以下
の情報記録媒体を作成した。すなわち，実施例２におけ
る情報記録媒体は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面に連続溝を有するポリカーボネイト基板１上に、順
に膜厚約１００nmの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜より
なる保護層２、膜厚約２０nmのＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ
56膜よりなる記録膜３、膜厚約２５nmのＡｌ2Ｏ3膜より
なる中間層４、膜厚約８０nmのＳｉ95Ｔｉ5よりなる第
１反射層５、膜厚約２００nmのＡｌ97Ｔｉ3 膜からなる
第２反射層６が積層された。こうしてまったく同様の方
法により得た第１のディスク部材および第２のディスク
部材の第２反射層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク
状情報記録媒体を得た。
【０１２２】また，比較用の従来構造ディスク状情報記
録媒体は実施例１と同様のものを使用した。情報の記録
・再生方法についても実施例１と同様にした。
【０１２３】（初期結晶化）初期結晶化の方法も実施例
１と同様に行った。加えて，実施例２の情報記録媒体で
は実施例１の図１の情報記録媒体に比べて広い範囲で反
射率（Ｒａ）が低いため，初期結晶化を低いレーザパワ
ーで行えるレーザ波長範囲が広い。記録・再生を行うレ
ーザ波長（６３０−６８０nm）から離れた波長（例え
ば，約８１０nm）の光源を持つ初期結晶化装置において
は、初期結晶化パワーが１割以上低減できることがわか
った。
【０１２４】（記録・再生特性）記録・再生特性は実施
例１と同様の方法で調べたところ，実施例１同様に、従
来構造ディスクに比べてジッター値を低く，再生信号波
形の大きなひずみが起こる領域の幅を小さくするなどの
効果がみられた。
【０１２５】（情報記録媒体の分光特性）上記ディスク
部材と同じ構成で、基板をガラスに変えた以外は同様の
テストピースを２枚作製し，分光特性を調べた（図
７）。すなわち，基板には約１ｍｍ厚の光学研磨を施し
たガラス面板を用い，この基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）2 0膜よりなる保護層２を膜厚約１００ｎｍ形成し
た。次に、Ａｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜３を膜厚約
２０ｎｍ 、 Ａｌ2Ｏ3膜よりなる中間層４を膜厚約２５
ｎｍ 、 Ｓｉ95Ｔｉ5からなる第１反射層５を膜厚約８
０nm 、 Ａｌ97Ｔｉ3 膜からなる第２反射層を膜厚約２
００ｎｍを上記ディスク部材と同様，順次形成した。こ
うして得たテストピースのうち１枚はそのままの状態，
もう１枚は３００℃で５分間の加熱処理を施した。それ
ぞれのテストピースについて，基板側より光を照射し，
反射率の波長依存性を測定した。加熱処理を施した場合
の反射率はＲｃ，そのままの状態の反射率はＲｃで示し
た。加熱処理を施した場合は初期結晶化を行った状態と
同様の光学特性が得られる。
【０１２６】これより本実施例に述べた書換特性の良好
なディスクにおいては波長５５０ｎｍ〜８００ｎｍの範
囲において極小値を持つことがわかった。また、記録・
再生波長においてはそのままの状態（Ｒａ）で反射率１
０％以下、加熱処理後の状態（Ｒｃ）で１５％以上であ
った。
【０１２７】本実施例に述べた書き換え特性の良好なデ
ィスクにおいて，ディスク部材を記録膜と中間層の間に
おいて剥がし，中間層側から反射層へ向けて反射率測定
を行った（Ｒｕｐｌ）。また，ディスク部材を中間層と
反射層の間において剥がした場合についても測定を行っ
た（Ｒｒｅｆ）。図８に示したように，反射率の波長依
存性がみられ，波長５００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲にお
いて極大値を持つことがわかった。ディスク部材を記録
膜と中間層の間において剥がし，中間層側から反射層へ
向けて反射率測定を行った場合は極大値が分かりにくい
場合もあるが，その時はディスク部材を中間層と反射層
の間において剥がした場合についての測定結果を参考と
した。
【０１２８】従来構造ディスクについては実施例１に記
載した通りである。このように，本実施例に述べた書換
特性の良好なディスクの分光特性は従来構造ディスクの
分光特性とは異なることがわかった。
【０１２９】（Ｓｉ，Ｓｉ−Ｔｉ以外の第１反射層）こ
の実施例で第１反射層５に用いたＳｉの代わりの、第１
反射層の材料としてＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓを添加すると、反射
層の透過率が下がり、吸収率が上がるため、感度低下を
防ぐことができる。この場合の添加元素の含有量は１原
子％以上２５原子％以下が多数回書き換え時の反射率レ
ベルの変動が生じにくい。
【０１３０】これらの中では本実施例のＳｉ−Ｔｉを始
めとして，Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌが第１反射層の熱伝
導率を上げることができ，かつ光学定数を適当な値とで
きるため，より好ましい。また，Ｓｉへ添加する元素の
添加量については，２〜１０原子％にするとより好まし
く，３〜６原子％にした場合が特に好ましいことがわか
った。
【０１３１】図６の分光特性からわかるように，Ｓｉへ
の添加を行うことにより，反射率の波長による変化が小
さくなる。これにより，初期化機の波長と記録・再生波
長が異なった場合でも，初期化パワーをより高感度化す
ることができ好ましい。記録波長と再生波長が異なる場
合においても同様に，記録パワーまたは再生パワーを低
減しやすく好ましい。
【０１３２】本実施例の第１反射層は、第２反射層が無
い場合に用いても、膜厚は、再生信号変調度が大きいよ
うに当然変更しなければならないが、Ｓｉだけの場合に
比べて上記と同様の効果がある。 （中間層）本実施例の情報記録媒体は、中間層がＡｌ2
Ｏ3膜以外の、例えば（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20などの
ＺｎＳを主成分とする材料、あるいはＳｉＯ2を主成分
とする材料である場合に用いても、上記と同様な効果が
ある。ただし、中間層のＡｌ2Ｏ3膜の持つ効果である１
０万回書換時の反射率変化やジッター上昇の抑制効果は
小さい。
【０１３３】本実施例に記載していない事項は実施例１
と同様である。
【０１３４】＜実施例３＞ （構成、製法）実施例１の第１反射層５においてＳｉを
Ｓｉ−Ｇｅに変え、第１反射層膜厚と第２反射層膜厚を
変えた以外は実施例１と同様にして、以下の情報記録媒
体を作成した。すなわち，実施例２における情報記録媒
体は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝
を有するポリカーボネイト基板１上に、順に膜厚約１０
０nmの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層
２、膜厚約２０nmのＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜よりな
る記録膜３、膜厚約２５nmのＡｌ2Ｏ3膜よりなる中間層
４、膜厚約８０nmのＳｉ70Ｇｅ30よりなる第１反射層
５、膜厚約２００nmのＡｌ97Ｔｉ3 膜からなる第２反射
層６が積層された。こうして全く同様の方法により得た
第１のディスク部材および第２のディスク部材の第２反
射層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク状情報記録媒
体を得た。
【０１３５】また，比較用の従来構造ディスク状情報記
録媒体は実施例１と同様のものを使用した。情報の記録
・再生方法についても実施例１と同様にした。
【０１３６】（初期結晶化）初期結晶化の方法も実施例
１と同様に行った。実施例３の情報記録媒体では，実施
例１の情報記録媒体に比べて，第１反射層の熱伝導率が
小さいため，初期結晶化パワーの感度が約１割以上向上
することがわかった。
【０１３７】（記録・再生特性）記録・再生特性は実施
例１と同様の方法で調べたところ，実施例１と同様に、
従来構造ディスクに比べてジッター値を低くできるなど
の効果がみられることがわかった。
【０１３８】（情報記録媒体の分光特性）実施例１と同
様の方法で分光特性を調べたところ，実施例１同様に、
基板以外は同じ構造をしたテストピースでは、波長５５
０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲において極小値を持つことが
わかった。また、記録・再生波長においてはそのまま状
態で反射率１０％以下、加熱処理後の状態で１５％以上
であった。
【０１３９】本実施例に述べた書き換え特性の良好なデ
ィスクにおいて，ディスク部材を記録膜と中間層の間に
おいて剥がし，中間層側から反射層へ向けて反射率測定
を行った。また，ディスク部材を中間層と反射層の間に
おいて剥がした場合についても測定を行った。実施例１
同様に，反射率の波長依存性がみられ，波長５００ｎｍ
〜８５０ｎｍの範囲において極大値を持つことがわかっ
た。ディスク部材を記録膜と中間層の間において剥が
し，中間層側から反射層へ向けて反射率測定を行った場
合は極大値が分かりにくい場合もあるが，その時はディ
スク部材を中間層と反射層の間において剥がした場合に
ついての測定結果を参考とした。
【０１４０】従来構造ディスクについては実施例１に記
載した通りである。このように，本実施例に述べた書換
特性の良好なディスクの分光特性は従来構造ディスクの
分光特性とは異なることがわかった。
【０１４１】（第１反射層）この実施例で第１反射層５
に用いたＳｉ−Ｇｅ系材料は，記録マーク部分の光吸収
率を記録マーク以外の部分の光吸収率より小さくできる
ので、光吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書
き換え可能回数が低下しない。この代わりの、第１反射
層の材料としては， Ｓｉ−Ｇｅ混合材料で組成の異な
るものが好ましい。この場合のＧｅの含有量は１０原子
％以上８０原子％以下が書き換え可能回数の低下が生じ
にくい。
【０１４２】さらに、Ｇｅを８０原子％以上含む場合に
ついてはＳｉを使用した場合よりは書き換え可能回数が
少ないが，それ以外については同様の効果があり，使用
可能である。
【０１４３】第１反射層材料としては、この他、Ｃｄ−
Ｓ、Ｉｎ−Ｓｅなどの硫化物やＺｎ−Ｓｅ，Ｃｄ−Ｓ
ｅ，Ｉｎ−Ｓｅなどのセレン化物を用いることが出来
る。屈折率が３以上であるのが望ましい。ただし、熱伝
導率が低いので、１０万回書き換えによるジッターの上
昇は大きくなる。硫化物やセレン化物は、第１反射層だ
けで第２反射層が無い場合に用いてもよい。
【０１４４】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜２と同様である。
【０１４５】本実施例の第１反射層材料は、実施例１の
記録媒体の中間層がＡｌ2Ｏ3膜以外の、例えば（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20などのＺｎＳを主成分とする材
料、あるいはＳｉＯ2を主成分とする材料である場合に
用いても、上記と同様な効果がある。ただし、中間層の
Ａｌ2Ｏ3膜の持つ効果である１０万回書換時の反射率変
化やジッター上昇の抑制効果は小さい。
【０１４６】本実施例の第１反射層は、第２反射層が無
い場合に用いても、膜厚は、再生信号変調度が大きいよ
うに当然変更しなければならないが、上記の効果があ
る。
【０１４７】＜実施例４＞ （構成、製法）実施例１の保護層２、において（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の記録膜側の一部をＡｌ2Ｏ3に変
えた以外は実施例１と同様にして、以下の情報記録媒体
を作成した。すなわち，実施例４における情報記録媒体
は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝を
有するポリカーボネイト基板１上に、順に膜厚約９５nm
の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜と約５nmのＡｌ2Ｏ3膜
よりなる保護層２、膜厚約２０nmのＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22
Ｔｅ56膜よりなる記録膜３、膜厚約２５nmのＡｌ2Ｏ3膜
よりなる中間層４、Ｓｉからなる第１反射層５を膜厚約
８０ｎｍ 、膜厚約２００nmのＡｌ97Ｔｉ3 膜からなる
第２反射層６が積層された。こうしてまったく同様の方
法により得た第１のディスク部材および第２のディスク
部材の第２反射層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク
状情報記録媒体を得た。
【０１４８】（記録・再生特性）記録・再生特性は実施
例１と同様の方法で調べた。本実施例のディスクでは，
保護層材料が（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20からなるディ
スクに比べて，１０5回書き換え後に生じる反射率の変
化が５％低減できることがわかった。しかし、記録感度
は約５％低下した。
【０１４９】（保護層材料等）本実施例では、保護層２
を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＡｌ2Ｏ3により形
成しているが、Ａｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ
2 またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合材料かＡｌ2Ｏ3とＺ
ｎＳとの混合材料を用いるのがよい。次いで，Ｔａ
2Ｏ5，（ＺｒＯ2）97（Ｙ2Ｏ3）3，が好ましい。また,
Ｌａ2Ｏ3，ＧｅＯ2を用いてもよい。これら化合物にお
ける元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素
と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素のについ
ては，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ
2 ，ＺｒＯ2， ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，
ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好
ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られ
る。
【０１５０】また，このような保護層の場合，Ａｌ2Ｏ3
膜またはそれに代わる膜の厚さは２〜５０ｎｍが記録パ
ワーを適当な値にできるため，好ましい。３ｎｍ以上２
０ｎｍ以下であるとさらに好ましい。保護層全体の膜厚
は８０〜１１０ｎｍが記録時の変調度を大きくすること
ができ好ましい。
【０１５１】本実施例の保護層材料は、実施例１の記録
媒体の中間層がＡｌ2Ｏ3膜以外の、例えば（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20などのＺｎＳを主成分とする材料、ある
いはＳｉＯ2を主成分とする材料である場合に用いて
も、上記と同様な効果がある。ただし、中間層のＡｌ2
Ｏ3膜の持つ効果である１０万回書換時のジッター上昇
の抑制効果は小さい。
【０１５２】実施例２および実施例３に示した第１反射
層と本実施例の保護層を組み合わせると，両方の効果が
見られる。
【０１５３】また，本発明に示した構造のディスクだけ
でなく，従来構造のディスク，その他に保護層を有する
相変化ディスクにおいても，保護層材料の一部にＡｌ2
Ｏ3膜を設けることにより，多数回書き換え時に生じる
反射率変化を低減する効果が見られる。ただし、１０万
回書換時のジッター上昇の抑制効果は小さい。
【０１５４】本実施例の保護層は、第２反射層が無い場
合に用いても、第１反射層の膜厚を再生信号変調度が大
きいように当然変更しなければならないが、上記と同様
の効果がある。
【０１５５】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜３と同様である。
【０１５６】＜実施例５＞ （構成、製法）実施例１の保護層２、において（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20を（ＺｎＳ）70（Ａｌ2Ｏ3）30に
変えた以外は実施例１と同様にして、以下の情報記録媒
体を作成した。すなわち，実施例５における情報記録媒
体は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝
を有するポリカーボネイト基板１上に、順に膜厚約１０
０nmの（ＺｎＳ）70（Ａｌ2Ｏ3）30膜よりなる保護層
２、膜厚約２０nmのＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜よりな
る記録膜３、膜厚約２５nmのＡｌ2Ｏ3膜よりなる中間層
４、Ｓｉからなる第１反射層５を膜厚約８０ｎｍ 、膜
厚約２００nmのＡｌ97Ｔｉ3 膜からなる第２反射層６が
積層された。こうしてまったく同様の方法により得た第
１のディスク部材および第２のディスク部材の第２反射
層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体
を得た。
【０１５７】（記録・再生特性）記録・再生特性は実施
例１と同様の方法で調べた。本実施例のディスクでは，
保護層材料が（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20からなるディ
スクに比べて，１０5回書き換え後に生じる反射率の変
化が約４分の３に低減できることがわかった。また，本
実施例のディスクでは，実施例４のディスクに見られる
ような記録感度の低下は僅かしか生じないという利点が
ある。
【０１５８】（保護層材料等）本実施例では、保護層２
を（ＺｎＳ）70（Ａｌ2Ｏ3）30により形成しているが、
これに代わる材料としては， Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合
材料， Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2とＺｎＳの混合材料を用いる
のがよい。次いで，Ｔａ2Ｏ5，（ＺｒＯ2）97（Ｙ
2Ｏ3）3，を一部または全部代えたのが好ましい。また,
上記材料に，Ｌａ2Ｏ3，ＧｅＯ2一部または全部代えた
ものを用いてもよい。また，保護層中の不純物元素は保
護層成分の１０原子％以下が書き換え特性の劣化を少な
く出来，好ましい。５原子％以下であるとさらに好まし
かった。
【０１５９】また，このような保護層の場合， ＺｎＳ
に対してＡｌ2Ｏ3またはそれに代わる材料の混合量は３
０原子％が，ジッター上昇を抑制できるため好ましい。
保護層全体の膜厚は８０〜１１０ｎｍが記録時の変調度
を大きくすることができ好ましい。
【０１６０】本実施例の保護層材料は、実施例１の記録
媒体の中間層がＡｌ2Ｏ3膜以外の、例えば（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20などのＺｎＳを主成分とする材料、ある
いはＳｉＯ2を主成分とする材料である場合に用いて
も、上記と同様な効果がある。ただし、中間層のＡｌ2
Ｏ3膜の持つ効果である１０万回書換時のジッター上昇
の抑制効果は小さい。
【０１６１】実施例２および実施例３に示した第１反射
層と本実施例の保護層を組み合わせると，両方の効果が
見られる。
【０１６２】また，本発明に示した構造のディスクだけ
でなく，従来構造のディスク，その他に保護層を有する
相変化ディスクにおいても，保護層材料を（ＺｎＳ）70
（Ａｌ2Ｏ3）30膜とすることにより，多数回書き換え時
に生じる反射率変化を低減できる効果が見られる。ただ
し、１０万回書換時のジッター上昇の抑制効果は小さ
い。
【０１６３】本実施例の保護層は、第２反射層が無い場
合に用いても、第１反射層の膜厚を再生信号変調度が大
きいように当然変更しなければならないが、上記と同様
の効果がある。
【０１６４】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜４と同様である。
【０１６５】＜実施例６＞ （構成、製法）実施例１の中間層４、においてＡｌ2Ｏ3
を（Ａｌ2Ｏ3）80（ＺｎＳ）20に変えた以外は実施例１
と同様にして、以下の情報記録媒体を作成した。すなわ
ち，実施例５における情報記録媒体は、直径１２ｃｍ
、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝を有するポリカーボ
ネイト基板１上に、順に膜厚約１００nmの（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２、膜厚約２０nmのＡ
ｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜よりなる記録膜３、膜厚約２
５nmの（Ａｌ2Ｏ3）80（ ＺｎＳ）20膜よりなる中間層
４、Ｓｉからなる第１反射層５を膜厚約８０ｎｍ 、膜
厚約２００nmのＡｌ97Ｔｉ3 膜からなる第２反射層６が
積層された。こうしてまったく同様の方法により得た第
１のディスク部材および第２のディスク部材の第２反射
層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体
を得た。
【０１６６】（記録・再生特性）記録・再生特性は実施
例１と同様の方法で調べた。本実施例のディスクでは，
中間層材料がＡｌ2Ｏ3からなるディスクに比べて，記録
パワーが５％低減できることがわかった。
【０１６７】（中間層材料等）本実施例では、中間層４
を（Ａｌ2Ｏ3）80（ＺｎＳ）20により形成しているが、
このような中間層の場合，Ａｌ2Ｏ3に対してＺｎＳまた
はそれに代わる材料の混合量は７０原子％以下が，ジッ
ター上昇を抑制できるため好ましい。また４０原子％以
上では記録感度が約１０％を越えて向上するが，この場
合は中間層材料がＡｌ2Ｏ3からなるディスクに比べて記
録時の熱拡散が遅くなるため、１０万回書換時のジッタ
ー上昇が２倍以上に増大した。
【０１６８】上記の他（Ａｌ2Ｏ3）80（ＺｎＳ）20に代
わる材料としては， Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合材料を用
いるのがよい。混合比の好ましい範囲はＺｎＳの場合と
同様である。次いで，Ｔａ2Ｏ5，（ＺｒＯ2）97（Ｙ2Ｏ
3）3，が好ましい。また,Ｌａ2Ｏ3，ＧｅＯ2を用いても
よい。また，中間層中の不純物元素は中間層成分の１０
原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来，好まし
い。５原子％以下であるとさらに好ましかった。
【０１６９】実施例４および５に示した保護層を持つデ
ィスクと本実施例の中間層を組み合わせると，両方の効
果が見られる。実施例２および実施例３に示した第１反
射層と本実施例の中間層を組み合わせると，両者の効果
が見られる。実施例２および実施例３に示した第１反射
層、実施例４および５に示した保護層と本実施例の中間
層を組み合わせると，合計の効果が見られる。
【０１７０】また，本発明に示した構造のディスクだけ
でなく，従来構造のディスク，その他に中間層を有する
相変化ディスクにおいても，中間層材料を（Ａｌ2Ｏ3）
80（ＺｎＳ）20膜などとすることにより，記録感度の低
下はＡｌ2Ｏ3中間層の場合より小さく、１０万回書換時
の反射率変化を低減でき、また、記録パワーマージンが
広くなる効果が見られる。ただし、ジッターの上昇は本
発明に示した構造のディスクより大きめになる。
【０１７１】本実施例の中間層は、第２反射層が無い場
合に用いても、第１反射層の膜厚を再生信号変調度が大
きいように当然変更しなければならないが、上記と同様
の効果がある。
【０１７２】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜５と同様である。
【０１７３】＜実施例７＞ （構成、製法）実施例１の中間層４、においてＡｌ2Ｏ3
の記録膜と反対側の一部をＺｎＳに変えた以外は実施例
１と同様にして、以下の情報記録媒体を作成した。すな
わち，実施例７における情報記録媒体は、直径１２ｃ
ｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝を有するポリカーボ
ネイト基板１上に、順に膜厚約１００nmの（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２、膜厚約２０nmのＡ
ｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜よりなる記録膜３、膜厚約１
０ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜と膜厚約２０nmの（ＺｎＳ）80（Ｓ
ｉＯ2）20膜よりなる中間層４、Ｓｉからなる第１反射
層５を膜厚約８０ｎｍ、膜厚約２００nmのＡｌ97Ｔｉ3
膜からなる第２反射層６が積層された。こうしてまった
く同様の方法により得た第１のディスク部材および第２
のディスク部材の第２反射層６、６’同士を貼り合わ
せ、ディスク状情報記録媒体を得た。
【０１７４】（記録・再生特性）記録・再生特性は実施
例１と同様の方法で調べた。本実施例のディスクでは，
中間層材料がすべてＡｌ2Ｏ3からなるディスクに比べ
て，記録パワーが５％低減できることがわかった。
【０１７５】実施例４および５に示した保護層を持つデ
ィスクと本実施例の中間層を組み合わせると，両方の効
果が見られる。実施例２および実施例３に示した第１反
射層、実施例４および５に示した保護層と本実施例の中
間層を組み合わせると，合計の効果が見られる。また，
本発明に示した構造のディスクだけでなく，従来構造の
ディスク，その他に中間層を有する相変化ディスクにお
いても，中間層材料をＡｌ2Ｏ3と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20により形成した膜とすることにより，記録パワー
マが低減できる効果が見られる。
【０１７６】（保護層材料等）本実施例では、中間層４
を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＡｌ2Ｏ3により形
成しているが、Ａｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ
2 またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合材料を用いるのがよ
い。次いで，Ｔａ2Ｏ5，（ＺｒＯ2）97（Ｙ2Ｏ3）3，が
好ましい。また, Ｌａ2Ｏ3， ＧｅＯ2を用いてもよい。
【０１７７】また，このような中間層の場合， Ａｌ2Ｏ
3膜またはそれに代わる膜の厚さは２〜１５ｎｍが記録
パワーを適当な値にできるため，好ましい。
【０１７８】特に図２に示す従来構造のディスクにおい
て，中間層４を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＡｌ2
Ｏ3により形成している場合は，中間層全体の膜厚を１
６０〜２１０ｎｍとすると記録・再生特性が良くなっ
た。
【０１７９】実施例４および５に示した保護層を持つデ
ィスクと本実施例の中間層を組み合わせると，両方の効
果が見られる。実施例２および実施例３に示した第１反
射層と本実施例の中間層を組み合わせると，両者の効果
が見られる。実施例２および実施例３に示した第１反射
層、実施例４および５に示した保護層と本実施例の中間
層を組み合わせると，合計の効果が見られる。
【０１８０】また，本発明に示した構造のディスクだけ
でなく，従来構造のディスク，その他に中間層を有する
相変化ディスクにおいても，中間層を本実施例のように
することにより，記録感度の低下はＡｌ2Ｏ3中間層の場
合より小さく、１０万回書換時の反射率変化を低減で
き、また、記録パワーマージンが広くなる効果が見られ
る。ただし、ジッターの上昇は本発明に示した構造のデ
ィスクより大きめになる。本実施例の中間層は、第２反
射層が無い場合に用いても、第１反射層の膜厚を再生信
号変調度が大きいように当然変更しなければならない
が、上記と同様の効果がある。
【０１８１】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜６と同様である。
【０１８２】＜実施例８＞ （構成、製法）実施例１の保護層２において作製方法を
変更した以外は実施例１と同様にして、以下の情報記録
媒体を作成した。すなわち，実施例８における情報記録
媒体は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで表面に連続
溝を有するポリカーボネイト基板１上に、順に膜厚約１
００nmの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層
２、膜厚約２０nmのＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜よりな
る記録膜３、膜厚約２５nmのＡｌ2Ｏ3膜よりなる中間層
４、Ｓｉからなる第１反射層５を膜厚約８０ｎｍ、膜厚
約２００nmのＡｌ97Ｔｉ3 膜からなる第２反射層６が積
層された。
【０１８３】保護層２の形成は，予定の膜厚より５ｎｍ
余分に保護層材料を形成した後，逆方向すなわち基板材
料側がエッチングされる方向にスパッタリングを行い厚
めにつけておいた５ｎｍ分の保護層をエッチングして適
正な膜厚とする方法をとった。この方法は作製時間が余
分に必要であるが，保護層表面をより平らにでき，ディ
スクノイズを低減する効果がある。余分につけておく膜
厚は，１ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。３ｎｍ以上
にするとさらに平らにでき，２０ｎｍ以下が保護層膜厚
形成の再現性がよいため好ましかった。
【０１８４】こうしてまったく同様の方法により得た第
１のディスク部材および第２のディスク部材の第２反射
層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体
を得た。
【０１８５】（記録・再生特性）記録・再生特性は実施
例１と同様の方法で調べた。本実施例のディスクでは，
保護層を通常方法で形成した場合に比べて，ディスクノ
イズが２ｄＢ低減できることがわかった。
【０１８６】また，本発明に示した構造のディスクだけ
でなく，従来構造のディスク，その他に保護層を有する
相変化ディスクにおいても，保護層形成を本実施例に示
した方法で行うことにより，ディスクノイズを低減する
効果が見られる。
【０１８７】本実施例の中間層は、第２反射層が無い場
合に用いても、第１反射層の膜厚を再生信号変調度が大
きいように当然変更しなければならないが、上記と同様
の効果がある。
【０１８８】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜７と同様である。
【０１８９】＜実施例９＞ （構成、製法）実施例１の第１反射層５において，作製
方法を変更した以外は実施例１と同様にして、以下の情
報記録媒体を作成した。すなわち，実施例９における情
報記録媒体は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで表面
に連続溝を有するポリカーボネイト基板１上に、順に膜
厚約１００nmの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる
保護層２、膜厚約２０nmのＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜
よりなる記録膜３、膜厚約２５nmのＡｌ2Ｏ3膜よりなる
中間層４、Ｓｉからなる第１反射層５を膜厚平均約８０
ｎｍ 、膜厚約２００nmのＡｌ97Ｔｉ3 膜からなる第２
反射層６が積層された。
【０１９０】こうしてまったく同様の方法により得た第
１のディスク部材および第２のディスク部材の第２反射
層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体
を得た。
【０１９１】図９に示したように，第１反射層５の形成
は，予定の膜厚より３０ｎｍ余分に第１反射層材料を形
成した後（図９（ａ）），逆方向すなわち基板側がエッ
チングされる方向にスパッタリングを行い厚めにつけて
おいた材料をエッチングして適正な膜厚とする方法をと
った。この際にエッチングレートがグルーブ部よりラン
ド部の方が大きいため，最終的な膜厚は図９（ｂ）に示
したように，グルーブ部が約７７ｎｍ，ランド部が約８
３ｎｍとなった。両者の平均膜厚は８０ｎｍである。こ
のようにして，ランド部とグルーブ部において第１反射
層膜厚の異なる情報記録媒体を作製した。ランド部とグ
ルーブ部における膜厚差は２ｎｍ以上とするとそれぞれ
の記録再生特性をよりよく出来好ましく，５ｎｍ以上と
するとさらに効果があるためより好ましかった。
【０１９２】（記録・再生特性）記録・再生特性は実施
例１と同様の方法で調べた。本実施例のディスクでは，
第１反射層膜厚がランド部とグルーブ部で異なるため，
両者の膜厚が等しいディスクに比べて，ランド部におけ
る記録・再生特性とグルーブ部における記録・再生特性
の両方を良好に保つことができた。
【０１９３】これによって，ランド部，グルーブ部でそ
れぞれ搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）を１ｄＢずつ向上でき
た。
【０１９４】また，本発明に示した構造のディスクだけ
でなく，その他に第１反射層を有する相変化ディスクに
おいても，膜形成を本実施例に示した方法で行うことに
より，Ｃ／Ｎを向上する効果が見られる。
【０１９５】本実施例の製法は、第２反射層が無い場合
に用いても、第１反射層の膜厚を再生信号変調度が大き
いように当然変更しなければならないが、上記と同様の
効果がある。
【０１９６】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜８と同様である。
【０１９７】＜実施例１０＞ （構成、製法）実施例１の第２反射層６においてＡｌＴ
ｉをＭｏに変え、第１反射層膜厚と第２反射層膜厚を変
えた以外は実施例１と同様にして、以下の情報記録媒体
を作成した。すなわち，実施例１０における情報記録媒
体は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝
を有するポリカーボネイト基板１上に、順に膜厚約１０
０nmの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層
２、膜厚約２０nmのＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜よりな
る記録膜３、膜厚約２５nmのＡｌ2Ｏ3膜よりなる中間層
４、膜厚約８０nmのＳｉよりなる第１反射層５、膜厚約
２００nmのＭｏ膜からなる第２反射層６が積層された。
こうしてまったく同様の方法により得た第１のディスク
部材および第２のディスク部材の第２反射層６、６’同
士を貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体を得た。
【０１９８】また，比較用の従来構造ディスク状情報記
録媒体は実施例１と同様のものを使用した。情報の記録
・再生方法についても実施例１と同様にした。
【０１９９】（初期結晶化）初期結晶化の方法も実施例
１と同様に行った。加えて，実施例１０の情報記録媒体
では実施例１の図１の情報記録媒体に比べて広い範囲で
反射率（Ｒａ）が低いため，初期結晶化を低いレーザパ
ワーで行えるレーザ波長範囲が広い。記録・再生を行う
レーザ波長（６３０−６８０nm）から離れた波長（例え
ば，約８１０nm）の光源を持つ初期結晶化装置において
は、初期結晶化パワーの感度が１割以上向上することが
わかった。
【０２００】（記録・再生特性）記録・再生特性は実施
例１と同様の方法で調べたところ，実施例１同様に、従
来構造ディスクに比べてジッター値を低くできることが
わかった。
【０２０１】（情報記録媒体の分光特性）上記ディスク
部材と同じ構成で、基板をガラスに変えた以外は同様の
テストピースを２枚作製し，分光特性を調べた。すなわ
ち，基板には約１ｍｍ厚の光学研磨を施したガラス面板
を用い，この基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よ
りなる保護層２を膜厚約１００ｎｍ形成した。次に、Ａ
ｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜３を膜厚約２０ｎｍ 、Ａ
ｌ2Ｏ3膜よりなる中間層４を膜厚約２５ｎｍ 、Ｓｉか
らなる第１反射層５を膜厚約８０nm 、Ｍｏ膜からなる
第２反射層を膜厚約２００ｎｍを上記ディスク部材と同
様，順次形成した。こうして得たテストピースのうち１
枚はそのままの状態，もう１枚は３００℃で５分間の加
熱処理を施した。それぞれのテストピースについて，基
板側より光を照射し，反射率の波長依存性を測定した。
加熱処理を施した場合の反射率はＲｃ，そのままの状態
の反射率はＲｃで示した。加熱処理を施した場合は初期
結晶化を行った状態と同様の光学特性が得られる。
【０２０２】これより本実施例に述べた書換特性の良好
なディスクにおいては波長５５０ｎｍ〜８００ｎｍの範
囲において極小値を持つことがわかった。また、記録・
再生波長においてはそのままの状態（Ｒａ）で反射率１
０％以下、加熱処理後の状態（Ｒｃ）で１５％以上であ
った。
【０２０３】本実施例に述べた書き換え特性の良好なデ
ィスクにおいて，ディスク部材を記録膜と中間層の間に
おいて剥がし，中間層側から反射層へ向けて反射率測定
を行った（Ｒｕｐｌ）。また，ディスク部材を中間層と
反射層の間において剥がした場合についても測定を行っ
た（Ｒｒｅｆ）。反射率の波長依存性がみられ，波長５
００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲において極大値を持つこと
がわかった。ディスク部材を記録膜と中間層の間におい
て剥がし，中間層側から反射層へ向けて反射率測定を行
った場合は極大値が分かりにくい場合もあるが，その時
はディスク部材を中間層と反射層の間において剥がした
場合についての測定結果を参考とした。
【０２０４】従来構造ディスクについては実施例１に記
載した通りである。このように，本実施例に述べた書換
特性の良好なディスクの分光特性は従来構造ディスクの
分光特性とは異なることがわかった。
【０２０５】本実施例に記載していない事項は実施例１
〜９と同様である。
【０２０６】本実施例の第１反射層、保護層、中間層を
実施例２〜７のように変更しても、実施例２〜７と同様
な効果が得られた。
【０２０７】＜実施例１１＞ （構成、製法）図１０は、本実施例の超解像読み出し用
マスク層を用いた情報記録用薄膜を用いたディスク状情
報記録媒体の断面構造を示す。この媒体は，実施例１の
基板１を直径１２ｃｍ，厚さ０．６ｍｍで表面に凹凸で
情報が記録された、ポリカ−ボネイト基板１１に変えた
ものと全く同じである。すなわち、実施例１１における
情報記録媒体は、上記基板１１上に、順に膜厚約１００
nmの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる保護層２、
膜厚約２０nmのＡｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜よりなる超
解像読み出し用マスク層１２、膜厚約２５nmのＡｌ2Ｏ3
膜よりなる中間層４、膜厚約８０nmのＳｉよりなる第１
反射層５、膜厚約２００nmのＡｌ97Ｔｉ3 膜からなる第
２反射層６が積層された。こうしてまったく同様の方法
により得た第１のディスク部材および第２のディスク部
材の第２反射層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク状
情報記録媒体を得た。
【０２０８】また，比較用の従来構造ディスク状情報記
録媒体は実施例１と基板を代えたものと同様のものを使
用した。
【０２０９】（初期結晶化）初期結晶化の方法も実施例
１と同様に行った。すなわち記録膜３，３‘の代わりに
超解像読み出し用マスク層１２，１２’を初期結晶化さ
せた。
【０２１０】（超解像読み出し）次に、以上のようにし
て初期結晶化が完了した超解像読み出し用マスク層１２
の記録領域に、前記と同様にしてトラッキングと自動焦
点合わせを行ないながら、読み出し用レーザ光のパワー
を１４ｍＷで照射し、情報の超解像読み出しを行なっ
た。読み出しすべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワ
ーをトラッキング用レーザ光の低パワーレベル（１ｍ
Ｗ）に下げるようにした。レーザ光パワーを下げること
は、超解像読み出し用のマスク層の劣化を防ぐのに効果
が有った。
【０２１１】超解像読み出しを行った後に膜が非晶質化
したままになるディスクでは、結晶化レベルのパワー
（７ｍＷ）で１回照射し、結晶化を行った。超解像読み
出しを行った後に膜が結晶化したままになるディスクで
は、この結晶化は不要であった。
【０２１２】この方法は、この発明の記録膜ばかりでな
く他の記録膜にも有効である。
【０２１３】この実施例の情報記録媒体では、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で、超
解像読み出しを１０3回以上繰り返した時にも、従来構
造ディスクに比べて反射率変動を少なくすることがで
き、超解像読み出し可能回数を１０4と増加することが
できた。
【０２１４】（超解像よみだし用マスク層材料）本実施
例で超解像読み出し用マスク層１２、１２‘に用いたＡ
ｇ2Ｇｅ20Ｓｂ22Ｔｅ56膜の代わりの超解像よみだし用
膜の材料としては、 Ａｇ5Ｇｅ20Ｓｂ20Te55， Ａｇ1Ｇ
ｅ21Ｓｂ23Ｔｅ55，等Ａｇ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系で組成比
の異なる材料が読みだし可能回数の低下が生じにくい。
Ａｇ量が多くなると読みだし感度が良くなるが，消え残
りが多くなる。また，Ａｇ量が少なくなると読みだし感
度が低下する。 Ａｇ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系では，Ａｇが１
〜５原子％，Ｇｅが１７〜２３原子％，Ｓｂが１９〜２
５原子％，Ｔｅが５３〜５９原子％の範囲にある組成が
特に超解像読みだし可能回数の低下が生じにくいことが
わかった。
【０２１５】次いで、 （（Ｃｒ4Ｔｅ5）10（Ｇｅ2Ｓｂ
2Ｔｅ5）90 ）等Ｃｒ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系 ，Ｃｏ-Ｇｅ-
Ｓｂ-Ｔｅ，Ｖ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，等でも同様の結果が得
られた。
【０２１６】さらに、上記以外のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5，Ｇ
ｅＳｂ2Ｔｅ4，ＧｅＳｂ4Ｔｅ7，Ｉｎ3ＳｂＴｅ2，Ｉｎ
35Ｓｂ32Ｔｅ33，Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43、ＧｅＴｅ，Ａｇ
-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｎｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｐｔ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｓｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ａｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔ
ｅ，Ｃｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｍｎ
-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｆｅ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，Ｔｉ-Ｇｅ-Ｓ
ｂ-Ｔｅ，Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ，およびこれらに近い組
成のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部
をＩｎに置き換えても、これに近い特性が得られる。
【０２１７】また、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅを主成分とする相変
化成分と、より融点の高い高融点成分を添加した超解像
読み出し膜が超解像読み出し可能回数の低下が生じにく
い。相変化成分の全原子数の９５％以上がＧｅＴｅとＳ
ｂ2Ｔｅ3との組合せよりなり、高融点成分はの全原子数
の９５％以上がＣｒ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｇｅ，
Ｃｒ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃｒ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｇｅ−Ｔ
ｅ， Ｃｏ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｓｂ，Ｃｏ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ，Ｃｏ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｏ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｃ
ｕ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｓｂ，Ｃｕ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ，Ｃｕ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｃｕ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｍｎ−Ｔ
ｅ，Ｍｎ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｍｎ
−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍｎ−Ｇｅ−Ｔｅ， Ｖ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓ
ｂ，Ｖ−Ｇｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｖ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｖ−
Ｇｅ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ，Ｎｉ−Ｇｅ，Ｎ
ｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｎｉ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｎｉ−Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ｍｏ−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ，Ｍｏ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｓｂ
−Ｔｅ，Ｍｏ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ｍｏ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ｗ−Ｔ
ｅ，Ｗ−Ｓｂ，Ｗ−Ｇｅ，Ｗ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｗ−Ｓｂ−
Ｇｅ，Ｗ−Ｇｅ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ，Ａｇ
−Ｇｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｇｅ，Ａｇ−
Ｇｅ−Ｔｅ，の少なくとも１つ、またはこれに近い組成
であると、より超解像読み出し可能回数の低下が生じに
くい。 Ｃｒ4Ｔｅ5， Ｃｒ2Ｔｅ3，Ｃｒ5Ｔｅ8，等、Ｃ
ｒ−Ｔｅ，が超解像読み出し可能回数の低下が特に生じ
にくく，特に良いことがわかった。また， Ａｇ2Ｔｅ，
ＡｇＳｂＴｅ2等は光源波長が短くなっても信号強度が
大きく，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅが特に良いこと
がわかった。
【０２１８】相変化成分の全原子数の９５％以上の組成
がＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5である場合、超解像読み出し膜全原
子数の中の高融点成分原子の占める割合は、５％原子以
上、２０原子％以下が超解像読み出し特性が良い。５％
原子以上、１５原子％以下は結晶化特性が良いため超解
像読み出し特性がより良い。
【０２１９】超解像読み出し用マスク層の膜厚は１５ｎ
ｍ以上、５０ｎｍ以下が変調度が大きく、流動が起こり
にくく好ましい。１５ｎｍ以上、４０ｎｍ以下であれ
ば、結晶状態の吸収率が非晶質状態の吸収率以上になり
やすいという利点をもつ。
【０２２０】（他の構造の超解像読みだしディスク）本
実施例では、実施例１の図１に示したディスクを基板１
１に変えたものと同じ構造のディスクであるが、同様に
基板１を基板１１に変えて，実施例２〜１０に記載の構
造の超解像読みだし用ディスクとしても、同様の効果が
得られる。
【０２２１】本実施例では、まったく同様の方法によ
り、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、
前記第１および第２のディスク部材の反射層６，６’同
士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わり
に別の構成のディスク部材、または保護用の基板、超解
像ディスク以外の記録再生ディスクなどを用いてもよ
い。また、図１０において、基板１１を実施例１の基板
１に変え、かつ超解像読みだし用膜を、超解像読みだし
用膜、中間層、記録膜、または、記録膜、中間層、超解
像読みだし用マスク層の３層に換えると、超解像読みだ
しかつ記録可能な情報記録用媒体となる。
【０２２２】本実施例に記載していない事項は、実施例
１〜１０と同様である。
【０２２３】本実施例は、第２反射層が無い場合も、第
１反射層の膜厚を再生信号変調度が大きいように当然変
更しなければならず、また読み出し可能回数が減少する
が、上記の効果がいくらかある。
【０２２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の情報記
録媒体によれば、良好な記録・再生特性または良好な超
解像読み出し特性を保持しながら、従来より多数回の書
き換えが可能となる。
【０２２５】本発明の情報記録再生装置によれば、本発
明の情報記録用媒体で従来より多数回の書き換えを行な
った後も良好な記録・再生特性または良好な超解像読み
出し特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の情報記録媒体の構造断面図
を示した。
【図２】従来構造の情報記録媒体の構造断面図を示し
た。
【図３】本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に
用いた記録波形を示した。
【図４】本発明の実施例１の情報記録媒体および従来構
造の情報記録媒体の書き換え特性を示した。
【図５】本発明の実施例１の情報記録媒体および従来構
造の情報記録媒体の反射率の波長依存性を示した。
【図６】本発明の実施例１の情報記録媒体および従来構
造の情報記録媒体の反射層および中間層と反射層の反射
率の波長依存性を示した。
【図７】本発明の実施例２の情報記録媒体の反射率の波
長依存性を示した。
【図８】本発明の実施例２の情報記録媒体の情報記録媒
体の反射層および中間層と反射層の反射率の波長依存性
を示した。
【図９】本発明の実施例９の情報記録媒体の作製過程の
一部を示した。
【図１０】本発明の実施例１１の情報記録媒体の構造断
面図を示した。
【符号の説明】 １，１‘： ポリカーボネイト基板 ２，２‘： 保護層 ３，３‘： 記録膜 ４，４‘： 中間層 ５，５‘： 第１反射層 ６，６‘： 第２反射層 ７，７‘： 接着剤層 ８，８‘： 反射層 Ｔ： ウインド幅（Ｔｗ） Ｐｒ： 低パワーレベル Ｐｍ： 中間パワーレベル Ｐｈ： 高パワーレベル Ｔｃ： 記録パルスの最後に下げる時間 ９： 実施例９におけるエッチング前の第１反射層 １０： 実施例９におけるエッチング後の第１反射層 Ｄｌ： 実施例９におけるエッチング後の第１反射層の
ランド部の膜厚 Ｄｇ： 実施例９におけるエッチング後の第１反射層の
グルーブ部の膜厚 １１： 凹凸状に記録ピットが形成されている基板 １２： 超解像読み出し膜 １３： 記録ピット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 靖 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 宮本 真 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像情報メディア事業部 内

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に直接又は下地層を介して形成され
    た、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変
    化によって情報を記録および／または再生する情報記録
    用薄膜を記録層として備え、かつ保護層を備え、かつ少
    なくとも２層以上の反射層を備え、かつ反射層が屈折率
    または消衰係数の少なくとも一方が異なる材料の第１反
    射層および第２反射層からなり、かつ光入射側から保護
    層、記録層の順に積層され、その次に直接または中間層
    を介して第１反射層、第２反射層の順に積層された構造
    を持つ情報記録媒体。
  2. 【請求項２】前記第１反射層の全原子数の９０％以上の
    成分がＳｉ−Ｔｉ， Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌからなる
    ことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
  3. 【請求項３】前記第１反射層の全原子数の９０％以上の
    成分がＳｉ−Ｇｅ， Ｇｅからなることを特徴とする請
    求項１に記載の情報記録媒体。
  4. 【請求項４】前記第１反射層の全原子数の９０％以上の
    成分がＳｉからなることを特徴とする請求項１に記載の
    情報記録媒体。
  5. 【請求項５】前記第２反射層の全原子数の９０％以上の
    成分がＡｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ
    のいずれか１つからなることを特徴とする請求項１に記
    載の情報記録媒体。
  6. 【請求項６】前記第２反射層の全原子数の９０％以上の
    成分がＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｍｏのいずれか１つからなる
    ことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
  7. 【請求項７】前記第１反射層の全原子数の９０％以上の
    成分がＳｉからなり，かつ前記第２反射層の全原子数の
    ９０％以上の成分がＡｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃ
    ｕ，Ａｌ−Ｃｒのいずれか１つからなることを特徴とす
    る請求項１に記載の情報記録媒体。
  8. 【請求項８】前記第１反射層の全原子数の９０％以上の
    成分がＳｉ−Ｔｉ， Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌからな
    り、前記第２反射層の全原子数の９０％以上の成分がＡ
    ｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒの少なく
    ともいずれか１つからなることを特徴とする請求項１に
    記載の情報記録媒体。
  9. 【請求項９】前記第１反射層の全原子数の９０％以上の
    成分がＳｉ， Ｓｉ−Ｔｉ， Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌ，
    Ｓｉ−Ｇｅ， Ｇｅの少なくともいずれか１つからな
    り，かつ前記第２反射層の全原子数の９０％以上の成分
    がＭｏ，Ｍｏ化合物の少なくともいずれか１つからなる
    ことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
  10. 【請求項１０】前記記録膜の全原子数の９０％以上の成
    分が，Ａｇが１〜５原子％，かつＧｅが１７〜２５原子
    ％，かつＳｂが１９〜２５原子％，かつＴｅが５３〜５
    ９原子％の範囲にあることを特徴とする請求項１〜９の
    いずれか１項に記載の情報記録媒体。
  11. 【請求項１１】前記記録膜全原子数の９０％以上の成分
    が，ＡｇＳｂＴｅ2に近い組成の材料５〜１５％と、残
    部のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5に近い組成の材料よりなることを
    特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の情報記
    録媒体。
  12. 【請求項１２】前記記録膜上に前記第１反射層が直接積
    層されたことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１
    項に記載の情報記録媒体。
  13. 【請求項１３】前記記録層と、第１反射層の間に中間層
    を備えることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１
    項に記載の情報記録媒体。
  14. 【請求項１４】前記中間層がＺｎＳ−ＳｉＯ2膜とＡｌ
    酸化物膜の２層よりなることを特徴とする請求項１３に
    記載の情報記録媒体。
  15. 【請求項１５】前記中間層の全原子数の３０原子％以上
    の成分がＡｌ−Ｏ組成よりなることを特徴とする請求項
    １３に記載の情報記録媒体。
  16. 【請求項１６】前記中間層の全原子数の９０％以上の成
    分が（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3），（ＺｎＳ）−（Ａｌ2
    Ｏ3）−（ＳｉＯ2），（Ａｌ2Ｏ3）−（ＳｉＯ2）の少
    なくともいずれか１つに近い組成からなることを特徴と
    する請求項１３に記載の情報記録媒体。
  17. 【請求項１７】前記保護層がＡｌ−Ｏを全原子数の３０
    原子％以上含む材料よりなることを特徴とする請求項１
    〜１６のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  18. 【請求項１８】前記保護層がＺｎＳ−ＳｉＯ2膜とＡｌ
    −Ｏ膜の２層よりなることを特徴とする請求項１〜１６
    のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  19. 【請求項１９】前記保護層のうち、Ａｌ−Ｏ膜の膜厚が
    ２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求
    項１８に記載の情報記録媒体。
  20. 【請求項２０】前記保護層の全原子数の９０％以上の成
    分が（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3），（ＺｎＳ）−（Ａｌ2
    Ｏ3）−（ＳｉＯ2）の少なくともいずれか１つに近い組
    成からなることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか
    １項に記載の情報記録媒体。
  21. 【請求項２１】前記記録膜の膜厚が１５ｎｍ以上４０ｎ
    ｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１〜２０の
    いずれか１項に記載の情報記録媒体。
  22. 【請求項２２】前記保護層の膜厚が８０ｎｍ以上１１０
    ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１〜２１
    のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  23. 【請求項２３】前記中間層の膜厚が１５ｎｍ以上３０ｎ
    ｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１３〜１６
    のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  24. 【請求項２４】前記第１反射層の膜厚が６０ｎｍ以上９
    ０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１〜２
    ３のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  25. 【請求項２５】前記第２反射層の膜厚が１５０ｎｍ以上
    ２５０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１
    〜２４のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  26. 【請求項２６】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録膜または超解像読出し用のマスク層と
    して備え、かつ反射層を備え、かつ波長が５５０ｎｍ以
    上８００ｎｍ以下の範囲において結晶状態および／また
    は非晶質状態の反射率が極小値を持つ情報記録媒体。
  27. 【請求項２７】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録膜として備え、かつ反射層を備え、か
    つ記録膜側から光を入射した際の前記反射層の反射率が
    波長が５００ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲において最
    大値と最小値の差を２０％以上持つ情報記録媒体。
  28. 【請求項２８】基板上に直接または下地層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録および／または再生する情報
    記録用薄膜を記録膜として備え、かつ反射層を備え、か
    つ記録膜側から光を入射した際の前記反射層の反射率が
    波長が５００ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲において極
    小値を持つ情報記録媒体。
  29. 【請求項２９】前記保護層が予定膜厚より厚めに製膜さ
    れた後に，エッチングすることにより適性膜厚する方法
    で作製されたことを特徴とする請求項１に記載の情報記
    録媒体。
  30. 【請求項３０】前記第１反射層が予定膜厚より厚めに製
    膜された後に，エッチングすることにより適性膜厚する
    方法で作製されたことを特徴とする請求項１に記載の情
    報記録媒体。
  31. 【請求項３１】前記第１反射層のランド部の膜厚がグル
    ーブ部の膜厚より２ｎｍ以上厚く形成されたことを特徴
    とする請求項１に記載の情報記録媒体。
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