JPH0831869A

JPH0831869A - 半導体装置及びその製造方法及びその実装検査方法

Info

Publication number: JPH0831869A
Application number: JP6240111A
Authority: JP
Inventors: Michitaka Urushima; 路高漆島
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-05-09
Filing date: 1994-10-04
Publication date: 1996-02-02
Anticipated expiration: 2012-05-07
Also published as: JP2606603B2

Abstract

(57)【要約】【目的】容易に他のパッケージと一括リフローでき、か
つ安価なＴＡＢ型半導体装置を提供することを目的とす
る。【構成】ＴＡＢテープのデバイスホール２２の外周部に
パッド３を形成し、カバーレジスト塗布ライン５に示し
ているように、配線パターンの保護の為、絶縁性のカバ
ーレジスト７を塗布する。次に、インナーリード６と半
導体チップ４を接続する。半導体チップ４の保護及びイ
ンナーリード６とベースフィルム９を確実に固定するた
め、上述したように、カバーレジスト７をデバイスホー
ル２２より広く形成し、樹脂をチップ上部だけでなく、
ベースフィルム９上にもコーティングする。その後、プ
リント基板１３と接合する為の電極バンプ１１を形成
し、カットホール２にて切断・分離してＯＬＢパッド１
２に他品種と同時に一括リフローにて接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢテープを用いた
半導体装置において、バンプを用いて実装基板に接続す
る半導体装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、ＴＡＢ方式の実装に用いられ
るフィルムキャリアテープは図３（ａ），（ｂ）に示す
ように、ポリイミド等の絶縁性のベースフィルム９に搬
送及び位置決め用のスプロケットホール１を形成し、か
つ半導体チップ４が入る為の開孔部であるデバイスホー
ル２２が形成され、そのベースフィルム９の表面には、
銅箔等の金属箔を接着し、かつこれをフォトリソグラフ
ィ技術により所要パターンに形成してインナーリード６
とアウターリード２０及び電気選別のためのテストパッ
ド２１等を形成する。前記インナーリード６は前記デバ
イスホール２２内に突出しており、これとつながってデ
バイスホール２２の外側に演出し、前記アウターリード
２０と配線されている。更にその銅箔等の金属箔の保護
膜として金、錫、半田等のメッキが施されている。ま
た、アウターリード２０の直下部のベースフィルム９に
はＯＬＢホール１９が形成されており、このＯＬＢホー
ル１９とデバイスホール２２の間はリードを保持するサ
スペンダー２３が形成されている。

【０００３】そして、このフィルムキャリアテープのイ
ンナーリード６と半導体チップ４とをボンディングする
際には、あらかじめ半導体チップ４の電極上に金属突起
物であるＩＬＢ用バンプ２４を設けておき、このＩＬＢ
用バンプ２４上に接合するインナーリード６を配置さ
せ、その背後よりボンデングツールで前記インナーリー
ド６を押圧しながら加熱することにより、圧着もしくは
共晶法により前記インナーリード６とＩＬＢ用バンプ２
４を接合している。

【０００４】その後、図３（ｃ）に示すように、半導体
チップ４の表面に形成された回路を保護するため、樹脂
１０を塗布する。次いで、前記電気選別パッド２１を用
い電気選別後、ＯＬＢホール１９部で切断・分離し、図
３（ｄ）に示すようにプリント基板１３のＯＬＢ用パッ
ド１２にアウターリード２０を位置決めし熱圧着法で接
合することにより、実施されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した、ＴＡＢ型半
導体装置の製造方法では、基板に接続する際、３５μｍ
厚と非常に薄いのでアウターリードの位置精度、コプラ
ナリティーが高精度で必要で、これに対応する為、ＯＬ
Ｂ用ボンダーが必要であった。更にこの場合、熱圧着で
プリント基板に接続するためリペアー性に欠け、加えて
大きな欠点としては、他の例えばＱＦＰ等の一括リフロ
ーで実装可能なパッケージと別工程で実装する必要があ
った。この為、ＴＡＢ型半導体装置は、特殊なパッケー
ジとして取り扱われ、汎用性が不十分であった。

【０００６】一方、一括リフロー可能なＱＦＰ等のアウ
ターリードピッチは、０．４ｍｍピッチ程度が限界とさ
れている。この限界に対し、日経マイクロデバイス１９
９４年３月号Ｐ５８〜６４に記載されている様に、パッ
ケージ裏面に外部端子として格子状に半田バンプを配置
した表面実装型パッケージとしてＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒ
ｉｄＡｒｒａｙ）が紹介されている。このパッケージ
は例えば２２０ピン級の２３〜２４ｍｍ角のパッケージ
を実現するために、ＱＦＰでは０．４ｍｍピッチが必要
となるが、ＢＧＡは１．５ｍｍピッチで良いため実装性
が良いことがわかる。併せて、パッケーシザイスが小さ
いため配線長も短くできる為、電気特性も向上する。

【０００７】このＢＧＡパッケージの基板は多層プリン
ト基板が用いられているが、セラミックの基板やフィル
ム（ＴＡＢテープ）を用いることもできる。このうち、
ＴＡＢテープを用いた場合、例えば、特開昭６３−３４
９３６開示のように、ベースフィルム上に形成されたパ
ターンに対し裏側に貫通スルーホールを介して、プリン
ト基板と接合する端子を設けたり、更にプリント基板の
ように多層配線をフィルム内に設けなくてはいけないた
め非常に高価なパッケージとなってしまいやはり汎用性
に欠けていた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、搬送用及び位置決め用のスプロケットホール、半導
体チップを接続する為に設けられたデバイスホール及び
実装基板へ実装する前に切断分離するために設けられた
カットホールを有するフィルムキャリアテープに、半導
体チップの電極と接続する為のインナーリード及び前記
インナーリードと同一平面上に外部と接合する為に設け
られたパッドが金属箔にて配線されたパターンを設けた
ＴＡＢテープを形成し、前記半導体チップのパッド電極
と前記インナーリードを接続し、バンプを介して、前記
パッドと実装基板とを接合する構造を持ったことを特徴
としている。

【０００９】また、本発明による方法は、前述のＴＡＢ
テープを用い、前記インナーリードと半導体チップと接
合する工程と、半導体チップの保護及び接合した前記イ
ンナーリードとＴＡＢテープの固定を目的とした樹脂を
コーティングする工程と、前記パッド上にバンプを形成
する工程と、上記半導体チップ付ＴＡＢテープをフィル
ムキャリアから切断分離し、前記パッド上に形成された
バンプに対応する実装基板のＯＬＢ用パッドを位置決め
する工程と、前記バンプとＯＬＢ用パッドを接合する工
程とを少なくとも有している。

【００１０】

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。

【００１１】図１に本発明の半導体装置及びその製造方
法を説明する平面図及び断面図をしめす。まず、図１
（ａ）に図示するように、ＴＡＢテープのデバイスホー
ル２２の外周部に均等に例えば１．０ｍｍピッチで配置
された例えば円形状のパッド３を形成し、カバーレジス
ト塗布ライン５に示しているように、配線パターンの保
護及び半田ポールの流れを防止する為、絶縁性のカバー
レジスト７を塗布する。このカバーレジストには、初期
弾性率が約２００ｋｇ／ｍｍ²等のエポキシ系の材料を
用いると、ベースフィルム９が反る等の問題が発生し、
平坦性が失われるため、ベースフィルムより初期弾性率
が１／１０より小さいものを採用すると良く、大幅に低
い（例えば１／２０程度）のものを採用するとＴＡＢテ
ープ反りを減少でき、プリント基板への実装時に悪影響
を与えない程度抑えることが可能となる。また、カバー
レジスト塗布はカバーレジストライン５で図示している
ように、パッド３より僅かに小さい径例えばパッドサイ
ズ０．６ｍｍφの時、０．５ｍｍφで塗布し、パッド開
口サイズを０．５ｍｍφとしておく。ここで、前記パッ
ドよりカットホール２側へ配線し、テストパッドや、メ
ッキ配線を設けても良いが、半導体装置の小型化するた
めに、前記パッドを配線パターンのショートチェックパ
ッドとして採用し、更にベースフィルム９上の配線パタ
ーンは前記カバーレジストで保護すれば、メッキ配線を
形成しなくともよい。

【００１２】通常ベースフィルム９は半透明性のポリイ
ミド樹脂又は、透明なポリエチレンテレフタレート等の
樹脂が用いられている。更に、カバーレジスト７は通常
緑色をした光透過性の悪いエポキシ樹脂が用いられてい
るが、光に透明又は、半透明なポリイミド樹脂を用いて
も良い。このベースフィルム９は厚さが５０μｍ〜１２
５μｍで、カバーフィルム７の厚さは１０〜３０μｍで
ある。

【００１３】次いで、図１（ｂ）の断面図で示している
ように、このＴＡＢテープを用いインナーリード６と半
導体チップ４を接続する。

【００１４】次いで、図１（ｃ）に示すように、半導体
チップ４の保護だけでなく、半導体チップ４とインナー
リード６及びベースフィルム９を確実に固定するため、
前記樹脂をチップ上部だけでなく、ベースフィルム９上
にもコーティングする。この時、樹脂厚は、半導体チッ
プ４上面より２５０μｍ以内とすると良い。

【００１５】その後、パッド３の開口部に例えば開口サ
イズ０．５ｍｍφの場合、０．８ｍｍφの半田ボールを
形成し、その後、Ｎ₂雰囲気で溶融して、バンプ１１を
接続形成する。

【００１６】このときパッド３に図４に示すように溝を
付けてもよい。溝を付けることによって、半田ボールの
バンプ１１とパッド３との接触面積が増えるのでバンプ
１１の接着強度と電気的導通が良くなる。

【００１７】この溝は、図４（ｃ）示すようにベースフ
ィルムまで設けた場合、さらに接着強度は強くなる。こ
のとき、パッドの中央部と周辺部はバンプが導体である
ので電気的に導通しているが、図４（ａ）に示すように
部分的にパッドの材質で接続した方が電気的導通が確実
にとれて好ましい。

【００１８】このバンプの形成方法は印刷法によっても
形成可能である。ここで、半田ボーうを配置する場合、
金属箔であるパッドに酸化膜が厚いとフラックスが必要
となるが、フラックスを用いなくとも接合する場合は、
前記カバーレジスト７の塗布位置を前記パッド３のサイ
ズより必ずしも小さくしなくともよい。

【００１９】次に、前記カットホール２にて切断・分離
し、電気選別後、図１（ｄ）に示すように、ＯＬＢパッ
ド１２に他品種と同時に一括リフローにて接続する。

【００２０】そして、半透明性又は透明性の材料をベー
スフィルム９及びカバーレジスト７に使用した場合には
この半導体装置をプリント基板１３に実装した後、半導
体装置のバンプ１１とプリント基板１３のＯＬＢパッド
１２との接続具合をベースフィルム９を通して直接目視
で観察できるので、接続の良否を簡単に検査できる。

【００２１】さらに、補強のために、透明な補強材（例
えばプラスチック）をベースフィルム９の実装面と反対
側に設ければ強度を保ったまま半導体装置のバンプ１と
プリント基板１３のＯＬＢパッド１２との接続の良否を
検査できる半導体装置を提供することがでる。

【００２２】従って、不透明又はカバーレジスト７を使
用した場合には、半導体装置のバンプ１１とプリント基
板１３のＯＬＢパッド１２との接続の良否を検査しよう
とすると、ベースフィルム９が不透明なため目視で観察
することができず、Ｘ線装置等の特殊な装置を使用しな
ければ観察することが出来なかったが、透明なベースフ
ィルム９を使用したり、透明なベースフィルム９と透明
な補強材とを使用すれば製造ラインの中で、簡単に目視
で半導体装置のバンプ１１とプリント基板１３のＯＬＢ
パッド１２との接続の検査ができる。また、ベースフィ
ルム９とプリント基板１３との間に光を当てて検査をす
ればバンプ１１がベースフィルム９を通してより見えや
すくなるので検査がより確実にできる。

【００２３】ここで、図６を用いて、半導体装置のバン
プ１１とプリント基板１３のＯＬＢパッドとの接続の良
否を検査方法を説明する。実装前の半導体装置のパッド
３には（ｂ）の実装前断面図の示すように、Ａサイズの
バンプ１１が設けられている。これが実装されると、バ
ンプが溶解してＯＬＢパッドに接触し表面張力によって
ＯＬＢパッドの大きさに広がり接合良品断面図の様にバ
ンプの大きさがＢサイズになる。しかし、溶解不足等の
原因で接続具合が不良になると、接合不良断面図の様に
バンプがＯＬＢパッドに広がらずに大きさがＡサイズか
ら余り変わらない。

【００２４】従って、図６（ａ）の観察方向からベース
フィルム９を通してバンプの大きさを観察すると、接合
良品のバンプはＯＬＢパッドと同じくらい大きく、接合
不良品のバンプは小さいまま変わらず（ｃ）の様に見え
るので、簡単に目視で、パッド３とＯＬＢパッド１２と
の接合具合を検査できる。

【００２５】また、透明性材料をベースフィルム９に使
用した場合や透明性補強材を透明性ベースフィルム９に
張り付けた場合には、さらに、ベースフィルム９の実装
面に、方向性識別パターン２８や位置認識パターン２９
を設ければ、この半導体装置をプリント基板１３に実装
するときに、左右対象なパッド配列の方向性が透明性ベ
ースフィルム９を通して簡単に識別できたり、実装基板
１３上に設けた目標パターンに位置認識パターン２９を
位置合わせすることにより、ベースフィルムのバンプ１
１とプリント基板１３のＯＬＢパッド１２とを位置合わ
せすることが簡単にできるようになる。

【００２６】さらに、実装後の接合具合の検査の時に、
ベースフィルム９の方向性を検査することも可能であ
る。

【００２７】この場合、方向性識別パターン２８や位置
認識パターン２９をＯＬＢパッドと同じ面にかつ同じ材
質でつくれば、ベースフィルム上のパッド通と同じ工程
で作れるので、工程をわざわざ追加せずに、位置認識パ
ターン２９や方向性識別パターン２８を持つ半導体装置
を製造することができる。

【００２８】この時、枠型の補強材を使って、ベースフ
ィルム９端にだけ補強材を設けると、プラスチック等よ
り強度が強い樹脂性や金属性の補強材でも、ベースフィ
ルム９のパッド３がある部分には補強材が存在しないの
で簡単に目視で半導体装置のバンプ１１とプリント基板
のＯＬＢパッド１２と接合具合が検査でき、かつより補
強強度が高い半導体装置を供給することができる。

【００２９】さらに、ベースフィルム９のパッド３に対
応する部分や方向性認識パターン２８や位置認識パター
ン２９に孔が開いた補強材であれば、その材質が不透明
であってもより変形のすくない、かつ簡単に目視で半導
体装置のバンプ１１とプリント基板のＯＬＢパッド１２
との接合具合が検査でき、ベースフィルム９が透明であ
るという利点を生かした半導体装置を提供することがで
きる。

【００３０】また、半導体チップの電極パッドの数が少
ない場合、パッド３をデバイスホールの対面する２方向
の、スプロケットホールがある方向のみに配置すれば、
ベースフィルムの面積を少なくして、製品一個当たりの
ベースフィルムの使用面積を少なくすることができ、材
料費を低減することができる。

【００３１】次に本発明の第２の実施例を説明する。図
２（ｂ）に示すようにデバイスホール２２内に配線材料
と同じ金属箔からなる吊りリード１７を設ける。この吊
りリードにも、カバーレジスト７を塗布するが、半導体
チップ４から発熱される熱を実装基板に放出するため
に、図２（ａ）に示しているような放熱用バンプ１８が
形成できるように、金属箔につながる貫通穴を設けてお
く。この貫通穴２６は、半田ボールでバンプ１１を形成
する場合は、ＯＬＢ接続に用いるボール系と同じものを
使用するとバンプ１１を形成する時、同時に形成できる
ため貫通穴サイズをパッド３の開口サイズと同時にして
おくと良い。図示している貫通穴は１個であるが、必要
に応じて、複数個設けることができる。また、バンプ１
１を印刷法で形成する場合は、必ずしもパッド３の開口
サイズと同値とする必要がない。

【００３２】次いで、実施例１と基本的に同様な工程で
製造するが、樹脂１０の塗布は吊りリード１７とデバイ
スホール２２の間から塗布し、毛細管現象を利用し吊り
リード１７と半導体チップ４の間も浸透できる樹脂を採
用すれば、容易にコーティングできる。この時、吸着ノ
ズル等で釣りリードが半導体チップ４側に垂れないよう
に固定するとなお良い。

【００３３】この放熱用バンプは、半導体チップ４がイ
ンナーリード６接続されたデバイスホール２２の領域の
高さを一定に保つ効果もある。

【００３４】更に、放熱性を向上する為に、Ａｌ板等か
らなる放熱板１６を放熱用接着剤１５で取り付けると良
い。また、これ以上に放熱する場合は、ヒートシンク１
４を前記放熱板１６の上部に放熱性接着剤１５で取り付
けると効果がある。この放熱用の放熱板１６及びヒート
シンク１４の取り付けは実施例１の構造でも可能であ
る。この時、放熱板１６をベースフィルム９にも接着で
きる構造にすれば、テープの反り防止にもなる。また、
ヒートシンク１４が重い場合は、その重さに耐えきれず
垂れる心配があるが、樹脂１０上部とプリント基板１３
の間を、例えば半田材等からなる板やペーストを用いて
固定できるように、プリント基板１３側に取り付けてお
くとよい（図示せず）。

【００３５】また、半田バンプの構造は、半田のみでボ
ール状につくっても良いが、時に半導体チップ裏面に放
熱板を設置する構造等半導体装置が重くなると、プリン
ト基板に実装する際に半田バンプが半導体装置の重みで
必要以上につぶれて、隣接したバンプ同士がショートす
る場合があるので、例えば、銅又は銀で核をつくりその
周囲を半田でとりまく二重構造とすれば、バンプの強度
を強くすることができる。

【００３６】そして、核の大きさ等を選択することによ
り、ベースフィルムやプンリント基板の平坦性が多少悪
くなっても、平坦性の悪さを吸収しかつ必要以上につぶ
れずに隣接したバンプ同士がショートすることを防止す
ることができる。

【００３７】さらに、放熱板の材質は銅／タングステ
ン、または銅／タングステン／ニッケルの混合物がよ
い。温度サイクルテスト（−６５℃／１５０℃，１００
０サイクル）やプレッシャー・クッカー・テスト（１２
５℃，１００％，５００ｈ）の結果、銅／タングステ
ン、または銅／タングステン／ニッケルの混合物は変形
がないが、銅／モリブデンは放熱板が反って変形し、は
がれ等が発生するという不具合が発生する。

【００３８】さらに、パッド３の配列は、一般的には外
周が正方形または長方形になるように配置されていた。
しかし、この配列では、実装後正方形または長方形の頂
点に当たる部分のパッド３のバンプ１１が、それ以外の
バンプ１１と比べると周囲のバンプ１１が３方向にしか
ないのでベースフィルム９と実装基板１３の剥がれ力に
対して弱く、この頂点の部分から剥がれが始まるという
問題点があった。そこで、図７の様にこの正方形または
長方形の頂点に当たる部分にバンプ１１を形成するパッ
ド３を設けないようにすると、外周の頂点に当たるバン
プ１１には少なくとも４方向の周囲にバンプ１１がある
ので、周囲のバンプの接合力によって外周の頂点のパッ
ド３が剥がれにくくなる。

【００３９】また、正方形または長方形の頂点に当たる
部分のパッドは、インナーリード６からパッド３までの
配線長がもっとも長く、配線抵抗がそれ以外のパッドよ
り大きい等の電気特性上の問題もあった。そこで、図７
のＬ１（コーナー部パッド配列長）とＬ２（中央部パッ
ド配列長）とが同じ長さになるようにすると、接合力と
電気特性上の問題を改善できる。

【００４０】次に本発明の第３の実施例を図面を用いて
説明する。図８はこの第３の実施例のパッド部の構成を
示す図である。図７のパッド部の構成との違いは、コー
ナー部のパッドを一部除去している点である。パッケー
ジの端子数は今後増加する事が予想される。コーナー部
のパッドの数は、列が増加するに従って増加する。例え
ば列が４列の場合のコーナー部のパッドの数は３個であ
るが、６列の場合は１０個となる。コーナー以外の場所
で有ればパッド間を通る配線の数は、列の数だけで済む
が、コーナー部では列の数に更にコーナー部のパッドの
数だけの配線を通す必要が出てくる。コーナー部で必要
とする配線が通る様にパッドの間隔を広げてしまえば良
いが、この場合はパッケージのサイズが大きくなってし
まうという問題が発生してしまう。しかし図８のように
パッド配列の最内周部のコーナー及びコーナーのパッド
と隣接するパッドとを少なくとも１つ間引く事でパッド
間の間隔が広がりコーナー部のパッドへの配線を通す事
が可能になる。

【００４１】

【発明の効果】このように本発明のＴＡＢ型半導体装置
は、ＴＡＢテープの材料を適正化したこと等により、パ
ッケージ構造を簡略化したにも関わらず、ＱＦＰ等の他
品種と同時に一括リフローにて安定してプリント基板へ
実装できるようになった。

【００４２】また、ベースフィルムを透明にすることに
より、ベースフィルムを通してバンプの形状を観察する
ことができるので、半導体装置のバンプとプリント基板
のパッドとの接続を製造ラインの中で簡単に目視で検査
することができる。また、透明の補強材またはパッドが
形成された領域に孔をあけた補強材や枠型の補強材をベ
ースフィルムのプリント基板と反対の面につけることに
より、ベースフィルムの強度を強化させたものでも製造
ラインの中で簡単に目視で検査することができる。

【００４３】さらに、ベースフィルムとプリント基板と
の間に光を当てて検査する事により、ベースフィルムを
通してバンプの形状をより簡単に、かつ確実に観察する
ことができるのでより検査の時間を短縮し、確実に検査
することができる。

【００４４】また、半導体チップに放熱板と放熱バンプ
を取り付けることにより、放熱特性を向上させることが
できる。

【００４５】そして、放熱板の材料を銅／タングステン
や銅／タングステン／ニッケルの混合物にすることで、
放熱板の変形が少ない半導体装置を供給することができ
る。

【００４６】また、バンプの構造を、銅や銀の核の周囲
を半田で囲む構造とすることで、隣接したバンプ同士の
ショートを防止することができる効果を持つ。

【００４７】さらに、パッド３の配列を正方形または長
方形の頂点に当たる部分にバンプを形成するパッドを設
けないようにすることで、外周の頂点のパッドが剥がれ
にくくなるという効果がある。また、電気特性上、コー
ナー部パッド配列と中央部パッド配列とが同じ条件にな
るパッド配列を実現することができるという効果を有す
る。

【００４８】最内周のパッドのコーナーのパッド及びコ
ーナーのパッドと隣接する最内周パッドの少なくとも１
つのパッドを削除する事でパッドの列が増えコーナー部
のパッド数が増加してもコーナー部のパッド間隔が広く
なりコーナー部のパッドへ配線を通す事が可能となると
いう効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図及び断面
図。

【図２】本発明の第２の実施例を示す平面図及び断面
図。

【図３】従来の実施例を示す平面図及び断面図。

【図４】本発明のベースフィルムのパッドの他の実施例
を示す平面図及び断面図。

【図５】本発明のベースフィルム上のパッド配置の他の
実施例を示す平面図。

【図６】本発明のベースフィルムを用いた場合の実装後
の検査方法を示す図。

【図７】本発明のベースフィルムのパッド配置，位置認
識パターンおよび方向性識別パターンの例を示す図。

【図８】第３の実施例のパッド部の構成を示す図。

【符号の説明】

１スプロケットホール２カットホール３パッド４半導体チップ５カバーレジスト塗布ライン６インナーリード７カバーレジスト８接着剤９ベースフィルム１０樹脂１１バンプ１２ＱＬＢ用パッド１３プリント基板１４ヒートシンク１５放熱性接着剤１６放熱板１７吊りリード１８放熱用バンプ１９ＯＬＢホール２０アウターリード２１電気選別用パッド２２デバイスホール２３サスペンダー２４ＩＬＢ用バンプ２５放熱用ＯＬＢパッド２６貫通孔２７パッドの溝２８方向性識別パターン２９位置認識パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】搬送用及び位置決め用のスプロケットホ
ール、半導体チップを接続する為に設けられたデバイス
ホール及び実装基板へ実装する前に切断分離するために
設けられたカットホールを有するフィルムキャリアテー
プに、半導体チップの電極と接続する為のインナーリー
ド及び前記インナーリードと同一平面上に外部と接合す
る為に設けられたパッドが金属箔にて配線されたパター
ンを設けたＴＡＢテープを形成し、前記半導体チップの
パッド電極と前記インナーリードを接続し、バンプを介
して、前記パッドと実装基板とを接合する構造を持った
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１のＴＡＢテープを用い、前記イ
ンナーリードと半導体チップと接合する工程と、半導体
チップの保護及び接合した前記インナーリードとＴＡＢ
テープの固定を目的とした樹脂をコーティングする工程
と、前記パッド上にバンプを形成する工程と、上記半導
体チップ付ＴＡＢテープをフィルムキャリアから切断分
離し、前記パッド上に形成されたバンプに対応する実装
基板のＯＬＢ用パッドを位置決めする工程と、前記バン
プとＯＬＢ用パッドを接合する工程とを少なくとも有す
る半導体装置の製造方法。
【請求項３】請求項１において、前記フィルムキャリ
アテープ上及び前記配線パターン上に表面保護の為のカ
バーレジストを設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項３のカバーレジストの前記パッド
部の塗布位置を、前記パッドのサイズよりも僅かに小さ
く塗布したことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項３において、前記デバイスホール
と最もデバイスホール側に位置する前記パッドの位置を
基準にカバーレジストを設けない部分を前記デバイスホ
ール外周部に設けたＴＡＢテープを用い、その部分にも
前記樹脂をコーティングし、前記ＴＡＢテープと前記イ
ンナーリード及び半導体チップを固定したことを特徴と
する半導体装置。
【請求項６】請求項３の半導体装置において、カバー
レジストの初期弾性率が、ベースフィルムの初期弾性率
の１／１０以下のものであることを特徴とした半導体装
置。
【請求項７】請求項１において、前記デバイスホール
内に前記配線パターンと同材の吊りリードを設け、前記
吊りリードに請求項３もしくは４で設けた前記カバーレ
ジストを形成し、前記半導体チップ表面上に位置する部
分に、吊りリードにつながるスルーホールを所要に応じ
た数だけ形成したＴＡＢテープを用い、放熱用バンプを
前記スルーホール部に形成し、前記放熱用バンプを前記
実装基板に接続したことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】請求項７の半導体装置において、前記フ
ィルムキャリアテープ上のバンプ形成と同時に放熱用バ
ンプを形成する工程と、前記実装基板のＯＬＢパッドに
接続すると同時に、放熱用に設けられたＯＬＢパッドに
同時に接続する工程を少なくとも含む半導体装置の製造
方法。
【請求項９】請求項３において、前記パッドに前記パ
ッド中心と同心円上の溝を設けたことを特徴とする半導
体装置。
【請求項１０】請求項９において、前記パッドに設け
た溝が基板まで達しておりかつ内側と外側のパッドが少
なくとも一部分で接続されていることを特徴とする半導
体装置。
【請求項１１】請求項１において、前記パッドが前記
デバイスホールの対面する２方向にのみあることを特徴
とする半導体装置。
【請求項１２】請求項１において、前記フィルムキャ
リアテープが透明性を持つ材料であることを特徴とする
半導体装置。
【請求項１３】請求項１２において、前記フィルムキ
ャリアテープの実装面と反対の側に透明な補強材を設け
たことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】請求項１または１２において、前記フ
ィルムキャリアテープの端に補強のための樹脂または金
属の枠を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】請求項１２において、前記フィルムキ
ャリアテープの実装面と反対の側に前記パッドと対応す
る場所に孔が開いた不透明な補強材を有することを特徴
とする半導体装置。
【請求項１６】請求項１２または請求項１３におい
て、前記フィルムキャリアテープの前記パッドを有する
面に、実装基板に対する方向性がわかる方向性識別パタ
ーンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】請求項１２または請求項１３におい
て、前記フィルムキャリアテープの前記パッドを有する
面に、実装基板の目標パターンに対する位置認識パター
ンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】請求項２において、前記フィルムキャ
リアの前記パッドを有する面に設けられた前記位置認識
パターンを、前記フィルムキャリアテープを介して認識
し、実装基板の目標パターンに位置合わせすることによ
り、前記バンプと前記実装基板のＯＬＢ用パッドとを位
置決めすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】請求項１６において、半導体装置を実
装基板に実装した後、バンプの接合具合もしくは実装基
板に対する半導体装置の方向性を前記透明性を持つフィ
ルムキャリアテープを通して目視で検査することを特徴
とする半導体装置の検査方法。
【請求項２０】請求項１９において、前記フィルムキ
ャリアテープと実装基板との間に光を当てることを特徴
とする半導体装置の検査方法。
【請求項２１】請求項１または７において、前記半導
体チップ裏面に放熱板を設けたことを特徴とする半導体
装置。
【請求項２２】請求項２１において、前記バンプが
銅、又は銀の核とその周囲を半田がとりまく二重構造に
なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】請求項２１において、前記放熱板の材
質が銅／タングステンまたは銅／タングステン／ニッケ
ルの混合物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】請求項１または１１において、前記パ
ッドを外周が正方形もしくは長方形の配列とし、その頂
点にあたる部分には前記パッドを設けないことを特徴と
する半導体装置。
【請求項２５】請求項２４において、前記パッド配列
のコーナー部パッド配列長と中央部パッド配列長とが等
しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】請求項１又は１１において、パッド最
内周の配列のパッドのコーナーに位置するパッド及び前
記コーナーに位置する前記パッドと隣接する前記最内周
配列のパッドのうち少なくとも１つのパッドを削除した
ことを特徴とする半導体装置。