JPH0766581B2

JPH0766581B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH0766581B2
Application number: JP61095343A
Authority: JP
Inventors: 勝高山; 秀樹石崎
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1986-04-24
Filing date: 1986-04-24
Publication date: 1995-07-19
Anticipated expiration: 2010-07-19
Also published as: JPS62252548A

Description

【発明の詳細な説明】Ｉ発明の背景技術分野本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報を記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。

先行技術とその問題点光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO₃,GdIG,GdTdFe, GdTdFeCoBi,CoFe₂O₄等の材料が知られている。これら
は、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で、プラス
チックやガラス等の透明基板上に薄膜として形成され
る。これらの光磁気記録媒体に共通している特性として
は、磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。

このような媒体に要求されることは、第１に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が室
温付近であること、第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、第３に比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な
膜が得られることがあげられる。

このような要求を答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層の表面に保護面に設
けた構成を有するものが多く研究されている。

従来、このような防湿性の保護層としては、一酸化ケイ
素、二酸化ケイ素、チッ化アルミ、チッ化ケイ素等の無
機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設ける試み（特開昭58−
80142号等）が開示されている。

光記録媒体では、基板側から記録・再生を行うのが有利
であり、基板としては透明性のものを用いる。

光ディスク用の基板としては、製造の容易さ、取扱やす
さ等の点で、樹脂製のものが好ましく、これらのうちで
は、透明性、生産性、経済性等の点で、特にアクリル樹
脂、ポリカーボーネート樹脂が好適である。

このような樹脂製の基板上には、通常、無機材質の中間
層を形成し、この中間層を介し磁性薄膜層を設層する。

この中間層は干渉層としての機能を有し、C/N比を向上
させ、かつ磁性薄膜層の劣化を防止する耐食性付与の機
能を有する。

このような中間層の材質としては、例えばSiO、SiO₂等
の酸化ケイ素、AlN、Si₃N₄、ZnS、Si、Geなどが提案さ
れており、これらのうちでは酸化ケイ素、硫化亜鉛がC/
N比および耐食性向上の点が好適である。

ところで、上記の基板材質のうち、アクリル樹脂とポリ
カーボネート樹脂とを比較したとき、光学的均一性はア
クリル樹脂の方がすぐれているため、C/N比の点ではア
クリル樹脂の方が有利である。しかしアルリル樹脂は耐
久性の点でポリカーボネート樹脂に劣っている。

そこで、アクリル樹脂上に、酸化ケイ素や硫化亜鉛の中
間層を設層すれば、耐食性が向上し、C/N比も向上す
る。この場合、C/N比の点では硫化亜鉛が有利であり、
耐食性の点では酸化ケイ素が有利である。しかし、いず
れも満足できるものではない。

これに対し、ポリカーボネート樹脂はC/N比ではアクリ
ル樹脂に劣るが、耐久性の点で有利であり、しかもソリ
等に対する寸法精度の安定性にすぐれるという大きな利
点をもつ。

ポリカーボネート樹脂基板の場合、C/N比および耐食性
の点で、硫化亜鉛中間層よりは酸化ケイ素中間層の方が
すぐれている。

しかし、酸化ケイ素中間層の場合も従来使用れていた膜
構造では、C/N比、耐食性、耐久性等の点が不十分であ
り、より一層の向上が必要である。

II 発明の目的本発明の目的は、記録・再生特性に優れ、しかも磁性薄
膜層の劣化が防止され、耐食性、耐久性に優れ、かつ、
ソリ等に対する寸法精度の安定性にすぐれた光磁性記録
媒体を提供することにある。

III 発明の開示このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は樹脂製の基板上に酸化ケイ素中間層
を有し、この中間層上に希土類−遷移金属の磁性薄膜層
を有する光磁気記録媒体において、上記基板がポリカーボネート樹脂であり、上記酸化ケイ素中間層における基板側の酸素含有量が磁
性薄膜層側のそれと比べ大きく、酸化ケイ素中間層の基板側から1/4までの位置の酸化ケ
イ素中間層中のO/Si原子比が、磁性薄膜層側から1/4ま
での位置の酸化ケイ素中間層中のO/Si原子比の1.4〜2.5
倍であることを特徴とする光磁気記録媒体である。

IV 発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光磁気記録媒体の一実施例が第１図に示されて
いる。

第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
上に中間層３を有する。

本発明の中間層３は、酸化ケイ素（SiOx）材質からな
る。

酸化ケイ素（SiOx）中間層３のO/Si原子比（ｘ）は、層
全体の平均として0.7〜1.2、より好ましくは0.7〜1.0で
あることが好ましい。

ｘが0.7未満となると反射光量が減少し、特性に悪影響
を与えてしまう。

また、1.2をこえるとみかけ上のカー回転角が減少し同
様の特性に悪影響を与えてしまう。

このような中間層３の厚さ方向には、中間層３中におけ
る基板側の酸素含有量が、後述する磁性薄膜層４側のそ
れと比べ大きくなるように所定の酸素濃度分布を有して
いる。

このような酸化ケイ素中間層３中の酸素濃度分布は、例
えば、酸化ケイ素中間層３の基板２側から1/4までの位
置の酸化ケイ素中間層中のO/Si原子比は、磁性薄膜層４
側から1/4までの位置の酸化ケイ素中間層中のO/Si原子
比の1.4〜2.5倍であり、特に1.5〜2.5倍、より好ましく
は1.6〜2.0倍となるようにすることが好ましい。

この値が1.4倍未満になると、C/N比、耐食性、耐久性が
悪くなってしまう。一方、2.5倍を越えると、主に電気
特性が劣化してしまう。従って、この値が上記の好適範
囲である1.6〜2.0倍になると、C/N比、耐久性は格段と
向上する。

酸化ケイ素中間層３中に上記にような酸素濃度分布をも
たせるのは下記の理由による。

すなわち、第１にポリカーボネート樹脂基板２の屈折率
（830nmにて約1.57）と酸化ケイ素中間層３の酸素濃度
（ｘの値）を設定することによって、ポリカーボネート
樹脂基板２と酸化ケイ素中間層３との界面での反射を有
効は防止でき、良好な記録・再生特性が得られるからで
ある。

第２に、磁性薄膜層４側の酸化ケイ素中間層３の酸素濃
度を低くおさえることによって、後述するFeおよびCoを
必須含有成分とする磁性薄膜層４の劣化を有効に防止す
ることができるからである。

なお、酸素濃度分布は連続的であっても非連続的であっ
てもよい。

このような酸化ケイ素中間層３の膜厚方向に存在するO/
Siの原子比分布は、例えば以下に述べる方法によって測
定される。

すなわち、まず最初に酸化ケイ素中間層３を磁性薄膜層
４側から一定のエッチング速度でイオンエッチングを行
いながらSIMS（２次イオン質量分析）、AES、ESCAなど
で元素分析を行う。そして、ポリカーボネート樹脂基板
２に到達し、炭素Ｃが検出されるまでの時間を測定す
る。

こうすることによって酸化ケイ素中間層３の膜厚をエッ
チングするのに要する時間が測定できる。

この要した時間の最初から1/4時間および3/4時間から基
板に到達するまでの時間の層中の元素分析結果より層中
所定箇所のO/Si平均原子比が算出される。

なお層全体平均のO/Si原子比も算出できることはいうま
でもない。

このように膜厚方向に酸素濃度分布を有する酸化ケイ素
中間層３を設層するには、通常、２種以上の異なる組成
からなるターゲットを用いた多元スパッタ法あるいは酸
素反応性スパッタ法等によればよい。ターゲットはいわ
ゆる、SiO₂、SiO、Si等を用いればよい。

また、その他の気相成膜法を適宜用いることも可能であ
る。

このように設層される酸化ケイ素中間層３の膜厚は、50
0〜1500Å、より好ましくは700〜1000Åである。

また成膜雰囲気中に存在するAr等が入ってもよい。

その他、場合によっては少量のAl、Cr、Ba等の元素を添
加してもよい。

上述の酸化ケイ素中間層３が設層される基板２の材質は
ポリカーボネート樹脂である。

本発明に使用するポリマーボネート樹脂としては、脂肪
族ポリカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネー
ト、芳香族ポリカーボネートのいずれであってもよい
が、特に芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ま
しい。これらのうちでは融点、結晶点、とり扱い等の点
でビスフェノールからのポリカーボネート樹脂が好まし
い。中でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート
樹脂は最も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,000
〜15,000程度であることが好ましい。

このような基板２の830nmの屈折率は通常1.55〜1.59程
度である。

なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込み光な
いし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。

また、基板２は、通常ディスク状とし、1.2〜1.5mm程度
の厚さとする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここに、
ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾は、
トラック巾程度とされる。

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号は
大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

前述した酸化ケイ素中間層３の上には、磁性薄膜層４が
設層される。

本発明の磁性薄膜層４は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生するものであ
る。

このような磁性薄膜層４の材質としては、Gd、Tb等の希
土類金属とFe、Co等の遷移金属の合金をスパッタ、蒸着
法等により、非晶質膜として形成したものであり、しか
もFeとCoを必須含有成分とするものである。

この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であること
が好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび／ま
たはTbである。

そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTdFe
Co等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には10at％以下の範囲でCr、
Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が
含有されてもよい。

また、希土類元素として10at％以下の範囲でSc、Ｙ、L
a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。

さらに、このような磁性薄膜層４の基板２と反対側に
は、各種の保護層を１層以上設けることが好ましい。

第１図においては、第１の保護層５と第２の保護層６と
が設けられている。

この場合、第１の保護層５の材質としては、保護層とし
ての機能を有するものであれば特に制限はされないが、
好ましくは酸化物、窒化物の薄膜である。

酸化物としては、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素などの酸
化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛等
が好適である。

また、窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウ
ム、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。

これらの中では、特にSiOx（ｘ＝0.6〜1.5）の酸化ケイ
素が好適である。

このような薄膜の厚さは0.1〜10μｍ程度とする。

なお、薄膜の第１の保護層５の形成は真空蒸着、スパッ
タ等によればよい。

一方、第２の保護層６は、公知の種々の無機系あるいは
有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化合
物が、オイゴマーとしては分子量2000〜10000のものが
用いられる。

これらはスチレン、エチレンアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチレングルコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタク
リレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メタ
クリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト（メタクリレート）、トリメチロールプロポンジアク
リレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステルア
クリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−55
00、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−80
60、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトート縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、１）（CH₂＝CHCOOCH₂）_３−CCH₂OH（特殊アクリレー
トＡ）２）（CH₂＝CHCOOCH₂）_３−CCH₂OH₃（特殊アクリレー
トＢ）３）〔CH₂＝CHCO（OC₃H₆）ｎ−OCH₂〕_３−CCH₂CH
₃（特殊アクリレートＣ）式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。

８） CH₂＝CHCOO−（CH₂CH₂O）_４−COCH＝CH₂（特殊ア
クリレートＨ） 12）ＡＭ−Ｎ_ｎ−Ｍ−Ａ A:アクリル酸、M:2価アルコール N:2塩基酸（特殊アルリレートＬ）また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で
示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタン
エラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのもの
にCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。

また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVPオ
レフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリアミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の第２の保護層６の膜厚
は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍである。

この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成でき
ず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、磁
性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこえ
ると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反
りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚
さ等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧10
0〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような保護層６の上には、通常接着剤層７を介して
保護板８が設けられる。

すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設けて
いない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合にのみ、この保護板８を用いる。

このような保護板８の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板８
として用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同
様とされる。

このような保護板８は、前述したように接着剤層７を介
して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂
等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度とさ
れる。

他方、上記の保護板８を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層４、保護層5,6等を有する基板をさらに１セット用い
て、両磁性薄膜層を内側にして対向させて、接着剤層７
を用いて貼り合せて、両基板の裏面側から書き込みを行
なう、いわゆる両面記録タイプとしてもよい。

さらに、これらの基板２や保護板８の裏面（磁性薄膜層
４を設けていない側の面）には各種保護膜としてのハー
ドコート層を設けることが好ましい。

ハードコート層の材質としては、前述した第２の保護層
６の材質と同様なものとしてもよい。

Ｖ発明の効果本発明の光磁気記録媒体は、基板と磁性薄膜層との間に
所定の酸素濃度分布をもつ酸化ケイ素中間層を有してい
る。そのため、記録、再生特性に優れ、しかも磁性薄膜
層の経時劣化も少ない。

VI 発明の具体的実施例以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

［実施例１］直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系のポリカー
ボネート樹脂（分子量15000）からなる基板上に、酸化
ケイ素中間層をスパッタリングにより、厚さ800Åに設
層した。

なお、スパッタリングに際して、酸化ケイ素中間層に所
定の濃度分布を設けるために、ターゲットはSiおよびSi
O₂の２種類を用いる２元ターゲットとし、これらの使用
を時間的に制御した。設層後、膜中の元素分析を行った
結果、基板側から膜厚の1/4の位置までのO/Si比（x1）
は1.2であり、磁性薄膜層側から1/4の位置までのO/Si比
（x4）は0.6であった。また膜全体の平均O/Si比（ｘ）
は0.9であった。

この酸化ケイ素中間層のうえに21at％Tb、68at％Fe、7a
t％Co、4at％Cr合金薄膜をスパッタリングによって、厚
さ800Åに設層し、磁性薄膜層とした。

なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチップ
をのせたものを用いた。

この磁性薄膜層上にSiOx（ｘ＝1.0）の第１の保護層を
膜厚1000Åにスパッタリングで設層し、この第１の保護
層のうえに下記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物
を第２の保護層としてスピンナーコートで設層した。

（塗布組成物）多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部光増感剤５重量部このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射し
架橋硬化させ、硬化膜とした。

この時の膜厚は５μｍであった。

なお、これと同様な処理を上記の基板裏面上にも行っ
た。さらに第２の保護層上に直径13cmのポリカーボネー
ト樹脂製の保護板を接着剤を用い接着し、本発明のサン
プルとした（サンプルNo.1）。これに準じてサンプルN
o.1を酸化ケイ素中間層を下記表１に示すSiOx中間層と
した以外は、No.1の場合と同様にして各種サンプルを作
製した。

なお、サンプルNo.9およびNo.10は、基板材質として射
出成形によるアクリル樹脂を用いた。

以上のサンプルについて、以下に示すような特性値を測
定した。

（１）C/N比（保存劣化）初期のC/N比と、60℃、90％RHにて1000時間保存後のC/N
比の変化量を下記の条件で測定した。

回転スピード 4m/sec 搬送周波数 500KHz 分解能 30KHz 記録パワー（830nm）３〜4mW 再生パワー（830nm） 1mW （２）ビットエラーレート初期と、60℃、90％RHにて1000時間保存後のEFM信号の
ビットエラーレートを測定した。

結果を表１に示す。

表１に示される結果より、本発明の効果が明らかであ
る。

すなわち、No.1〜No.4で示される本発明のものはC/N
比、ビットエラーレートのいずれも良好な結果を示す。
特にNo.1、No.2はｘおよびx₄/x₁の値が最適範囲内にあ
るため、きわめてすぐれた結果を有し、x₄/x₁が1.4以上
であると、保存劣化の防止効果はきわめて大きいことが
わかる。

アクリル基板を用いたもの（No.7およびNo.8）は保存
性、特に基板のソリ、変形等が大きく、実用上好ましく
ない。

【図面の簡単な説明】第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。符号の説明１……光磁気記録媒体、２……基板３……SiOx中間層、４……磁性薄膜層、５……第１の保護層、６……第２の保護層、７……接着剤層、８……保護板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂製の基板上に酸化ケイ素中間層を有
し、この中間層上に希土類−遷移金属の磁性薄膜層を有
する光磁気記録媒体において、上記基板がポリカーボネート樹脂であり、上記酸化ケイ素中間層における基板側の酸素含有量が磁
性薄膜層側のそれと比べ大きく、酸化ケイ素中間層の基板側から1/4までの位置の酸化ケ
イ素中間層中のO/Si原子比が、磁性薄膜層側から1/4ま
での位置の酸化ケイ素中間層中のO/Si原子比の1.4〜2.5
倍であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】酸化ケイ素中間層の層全体の平均のO/Si原
子比が0.7〜1.2である特許請求の範囲第１項に記載の光
磁気記録媒体。