JPH07283085A - アルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法Info
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- JPH07283085A JPH07283085A JP7583194A JP7583194A JPH07283085A JP H07283085 A JPH07283085 A JP H07283085A JP 7583194 A JP7583194 A JP 7583194A JP 7583194 A JP7583194 A JP 7583194A JP H07283085 A JPH07283085 A JP H07283085A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 漏れ電流を低減させることができるととも
に、高い静電容量が得られるアルミ電解コンデンサ用陽
極箔の化成方法を提供することを目的とする。 【構成】 電解エッチング処理を行ったアルミ箔に５０
ｍＡ／ｃｍ2以下の低電流密度で１５Ｖ以下の電圧を印
加して陽極酸化皮膜を形成する第一工程と、この第一工
程後に一定の電圧を印加して所望耐電圧厚さの陽極酸化
皮膜を生成させる第二工程とを備えた化成方法としたも
のである。
に、高い静電容量が得られるアルミ電解コンデンサ用陽
極箔の化成方法を提供することを目的とする。 【構成】 電解エッチング処理を行ったアルミ箔に５０
ｍＡ／ｃｍ2以下の低電流密度で１５Ｖ以下の電圧を印
加して陽極酸化皮膜を形成する第一工程と、この第一工
程後に一定の電圧を印加して所望耐電圧厚さの陽極酸化
皮膜を生成させる第二工程とを備えた化成方法としたも
のである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミ電解コンデンサ用
陽極箔の化成方法に関するもので、さらに詳しく言え
ば、漏れ電流の低減と静電容量の増大が図れるようにし
たアルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法に関するも
のである。
陽極箔の化成方法に関するもので、さらに詳しく言え
ば、漏れ電流の低減と静電容量の増大が図れるようにし
たアルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アルミ電解コンデンサは高純度
のアルミ箔に電解エッチング処理を行ってその実効表面
積を拡大させたアルミ電極箔の表面に、陽極化成処理に
よって誘電体となる陽極酸化皮膜を形成し、そして、こ
の陽極酸化皮膜を形成したアルミ化成箔と陰極箔をその
間にセパレータを介在させて巻回することによりコンデ
ンサ素子を構成し、さらにこのコンデンサ素子に駆動用
電解液を含浸させた後、コンデンサ素子をケース内に封
止することにより構成している。
のアルミ箔に電解エッチング処理を行ってその実効表面
積を拡大させたアルミ電極箔の表面に、陽極化成処理に
よって誘電体となる陽極酸化皮膜を形成し、そして、こ
の陽極酸化皮膜を形成したアルミ化成箔と陰極箔をその
間にセパレータを介在させて巻回することによりコンデ
ンサ素子を構成し、さらにこのコンデンサ素子に駆動用
電解液を含浸させた後、コンデンサ素子をケース内に封
止することにより構成している。
【０００３】近年、アルミ電解コンデンサはより一層の
小形化・高容量化・高信頼性化が要求されており、それ
に伴いアルミ電解コンデンサ用電極箔においてもさらな
る漏れ電流の低減と静電容量の増大が要求されている。
小形化・高容量化・高信頼性化が要求されており、それ
に伴いアルミ電解コンデンサ用電極箔においてもさらな
る漏れ電流の低減と静電容量の増大が要求されている。
【０００４】以下に従来のアルミ電解コンデンサ用陽極
箔の化成方法について説明する。一般にこの種の電極箔
は電解エッチング処理されたアルミ箔に燐酸や硼酸、有
機酸等を含む水溶液中で、所望の電圧を印加して陽極酸
化皮膜を形成し、そして欠陥部を修復させるための熱処
理等による減極処理を繰り返して、所望耐電圧厚さの陽
極酸化皮膜を生成させるようにしていた。
箔の化成方法について説明する。一般にこの種の電極箔
は電解エッチング処理されたアルミ箔に燐酸や硼酸、有
機酸等を含む水溶液中で、所望の電圧を印加して陽極酸
化皮膜を形成し、そして欠陥部を修復させるための熱処
理等による減極処理を繰り返して、所望耐電圧厚さの陽
極酸化皮膜を生成させるようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
従来の技術では、陽極化成工程で１００〜３００ｍＡ／
ｃｍ2の化成電流が供給されるために電流密度が高くな
ってしまい、これにより陽極酸化皮膜を形成する速度が
著しく速くなるため、その結果として化成皮膜内部に欠
陥を多く残した陽極酸化皮膜が形成されることになる。
また、高電流密度で陽極化成を行うために、低電流密度
に比べてエッチングアルミ箔の表面からの化成液中への
アルミの溶出が多く、これが化成液の劣化を速めてい
る。これらのことは、漏れ電流の増大と実効表面積の減
少による静電容量の低下につながるものである。一方、
これらの現象が生じないところまで電流密度を低く抑え
た場合は、生産性が著しく低下するという問題点を有し
ていた。
従来の技術では、陽極化成工程で１００〜３００ｍＡ／
ｃｍ2の化成電流が供給されるために電流密度が高くな
ってしまい、これにより陽極酸化皮膜を形成する速度が
著しく速くなるため、その結果として化成皮膜内部に欠
陥を多く残した陽極酸化皮膜が形成されることになる。
また、高電流密度で陽極化成を行うために、低電流密度
に比べてエッチングアルミ箔の表面からの化成液中への
アルミの溶出が多く、これが化成液の劣化を速めてい
る。これらのことは、漏れ電流の増大と実効表面積の減
少による静電容量の低下につながるものである。一方、
これらの現象が生じないところまで電流密度を低く抑え
た場合は、生産性が著しく低下するという問題点を有し
ていた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、漏れ電流を低減させることができるとともに、高い
静電容量が得られるアルミ電解コンデンサ用陽極箔の化
成方法を提供することを目的とするものである。
で、漏れ電流を低減させることができるとともに、高い
静電容量が得られるアルミ電解コンデンサ用陽極箔の化
成方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のアルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法
は、電解エッチング処理を行ったアルミ箔に５０ｍＡ／
ｃｍ2以下の低電流密度で１５Ｖ以下の電圧を印加して
陽極酸化皮膜を形成する第一工程と、この第一工程後に
一定の電圧を印加して所望耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を
生成させる第二工程とを備えたものである。
に本発明のアルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法
は、電解エッチング処理を行ったアルミ箔に５０ｍＡ／
ｃｍ2以下の低電流密度で１５Ｖ以下の電圧を印加して
陽極酸化皮膜を形成する第一工程と、この第一工程後に
一定の電圧を印加して所望耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を
生成させる第二工程とを備えたものである。
【０００８】
【作用】陽極酸化皮膜構造（欠陥）は、初期の皮膜の欠
陥状態に大きく左右されるため、上記したアルミ電解コ
ンデンサ用陽極箔の化成方法のように、あらかじめ第一
工程で５０ｍＡ／ｃｍ2以下の低電流密度によって陽極
酸化皮膜を形成することにより、第一工程で形成された
陽極酸化皮膜中には内部欠陥の少ない緻密な陽極酸化皮
膜が生成され、そして以降の第二工程で生成される陽極
酸化皮膜中にも内部欠陥が生じにくいために漏れ電流を
低減させることができ、かつ陽極酸化皮膜の結晶化も促
進されるため、高い静電容量を得ることができる。ま
た、第一工程における陽極酸化皮膜の形成は低電流密度
で行っているため、化成液中へのアルミの溶出も抑制さ
れ、これにより実効表面積の減少による静電容量の低下
と化成電流量の制限による生産性の低下を防ぐことがで
きる。そしてまた、化成液中へのアルミの溶出が抑えら
れるため、化成液の交換頻度も従来の１／２〜１／５に
することができ、非常に経済的となるものである。
陥状態に大きく左右されるため、上記したアルミ電解コ
ンデンサ用陽極箔の化成方法のように、あらかじめ第一
工程で５０ｍＡ／ｃｍ2以下の低電流密度によって陽極
酸化皮膜を形成することにより、第一工程で形成された
陽極酸化皮膜中には内部欠陥の少ない緻密な陽極酸化皮
膜が生成され、そして以降の第二工程で生成される陽極
酸化皮膜中にも内部欠陥が生じにくいために漏れ電流を
低減させることができ、かつ陽極酸化皮膜の結晶化も促
進されるため、高い静電容量を得ることができる。ま
た、第一工程における陽極酸化皮膜の形成は低電流密度
で行っているため、化成液中へのアルミの溶出も抑制さ
れ、これにより実効表面積の減少による静電容量の低下
と化成電流量の制限による生産性の低下を防ぐことがで
きる。そしてまた、化成液中へのアルミの溶出が抑えら
れるため、化成液の交換頻度も従来の１／２〜１／５に
することができ、非常に経済的となるものである。
【０００９】
【実施例】以下、アルミ箔の化成処理における本発明の
実施例と比較例について説明する。
実施例と比較例について説明する。
【００１０】（実施例１）第一工程として、純度９９．
９９％、箔厚１００μｍのアルミ箔に電解エッチング処
理を行ってその実効表面積を拡大させたアルミエッチン
グ箔を液温が８０℃で、かつ濃度が２００ｇ／ｌのアジ
ピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、２５
ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの電圧を印加するこ
とによりアルミエッチング箔の化成を行ってその表面に
陽極酸化皮膜を形成した。
９９％、箔厚１００μｍのアルミ箔に電解エッチング処
理を行ってその実効表面積を拡大させたアルミエッチン
グ箔を液温が８０℃で、かつ濃度が２００ｇ／ｌのアジ
ピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、２５
ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの電圧を印加するこ
とによりアルミエッチング箔の化成を行ってその表面に
陽極酸化皮膜を形成した。
【００１１】この第一工程で化成を行った化成箔を第二
工程として液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、
２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で一定の電圧（１４０Ｖ
ｆ）を印加することにより化成箔の化成を行ってその表
面に所望耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させた。
工程として液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、
２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で一定の電圧（１４０Ｖ
ｆ）を印加することにより化成箔の化成を行ってその表
面に所望耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させた。
【００１２】（実施例２）実施例１と同様のアルミエッ
チング箔を第一工程として液温が８０℃で、かつ濃度が
２００ｇ／ｌのアジピン酸アンモニウム水溶液（化成
液）中に浸漬し、２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５
Ｖの電圧を印加することによりアルミエッチング箔の化
成を行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成した。
チング箔を第一工程として液温が８０℃で、かつ濃度が
２００ｇ／ｌのアジピン酸アンモニウム水溶液（化成
液）中に浸漬し、２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５
Ｖの電圧を印加することによりアルミエッチング箔の化
成を行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成した。
【００１３】この第一工程で化成を行った化成箔を第二
工程として液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、
１００〜３００ｍＡ／ｃｍ2の高電流密度で一定の電圧
（１４０Ｖｆ）を印加することにより化成箔の化成を行
ってその表面に所望の耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成
させた。
工程として液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、
１００〜３００ｍＡ／ｃｍ2の高電流密度で一定の電圧
（１４０Ｖｆ）を印加することにより化成箔の化成を行
ってその表面に所望の耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成
させた。
【００１４】（実施例３）実施例１と同様のアルミエッ
チング箔を第一工程として液温が８０℃で、かつ濃度が
３００ｇ／ｌのアジピン酸アンモニウム水溶液（化成
液）中に浸漬し、２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５
Ｖの電圧を印加することによりアルミエッチング箔の化
成を行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成した。
チング箔を第一工程として液温が８０℃で、かつ濃度が
３００ｇ／ｌのアジピン酸アンモニウム水溶液（化成
液）中に浸漬し、２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５
Ｖの電圧を印加することによりアルミエッチング箔の化
成を行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成した。
【００１５】第一工程で化成を行った化成箔を第二工程
として液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌのアジ
ピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、１０
０〜３００ｍＡ／ｃｍ2の高電流密度で一定の電圧（１
４０Ｖｆ）を印加することにより化成箔の化成を行って
その表面に所望の耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させ
た。
として液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌのアジ
ピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、１０
０〜３００ｍＡ／ｃｍ2の高電流密度で一定の電圧（１
４０Ｖｆ）を印加することにより化成箔の化成を行って
その表面に所望の耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させ
た。
【００１６】（比較例１）実施例１と同様のアルミエッ
チング箔を液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、
１００ｍＡ／ｃｍ 2の高電流密度で一定の電圧（１４０
Ｖｆ）を印加することによりアルミエッチング箔の化成
を行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成した。
チング箔を液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、
１００ｍＡ／ｃｍ 2の高電流密度で一定の電圧（１４０
Ｖｆ）を印加することによりアルミエッチング箔の化成
を行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成した。
【００１７】（比較例２）実施例１と同様のアルミエッ
チング箔を液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、
３００ｍＡ／ｃｍ 2の高電流密度で一定の電圧（１４０
Ｖｆ）を印加することによりアルミエッチング箔の化成
を行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成した。
チング箔を液温が８０℃で、かつ濃度が１００ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中に浸漬し、
３００ｍＡ／ｃｍ 2の高電流密度で一定の電圧（１４０
Ｖｆ）を印加することによりアルミエッチング箔の化成
を行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成した。
【００１８】図１は静電容量と電流密度との関係を示し
たもので、この図１から明らかなように電流密度が５０
ｍＡ／ｃｍ2以下の低電流密度の場合は、静電容量も高
い値を示しているが、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ2より
高くなると静電容量は次第に低くなるものである。
たもので、この図１から明らかなように電流密度が５０
ｍＡ／ｃｍ2以下の低電流密度の場合は、静電容量も高
い値を示しているが、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ2より
高くなると静電容量は次第に低くなるものである。
【００１９】図２は本発明の実施例１，２，３により得
られた化成箔と、比較例１，２により得られた化成箔に
おける静電容量と耐電圧との関係を示したもので、比較
例１，２は、１００ｍＡ／ｃｍ2あるいは３００ｍＡ／
ｃｍ2の高電流密度で一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加
することによりアルミエッチング箔の化成を行うもので
あるため、静電容量は図２に示すような特性を示した
が、これに対し、本発明の実施例１，２，３は、第一工
程において、２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの
電圧を印加することによりアルミエッチング箔の化成を
行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成し、その後、第二
工程において、一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加するこ
とにより化成箔の化成を行ってその表面に所望の耐電圧
厚さの陽極酸化皮膜を生成させるようにしているため、
図２からも明らかなように比較例１，２に比べて１０〜
１５％静電容量の向上が図れて高い静電容量を得ること
ができるものである。
られた化成箔と、比較例１，２により得られた化成箔に
おける静電容量と耐電圧との関係を示したもので、比較
例１，２は、１００ｍＡ／ｃｍ2あるいは３００ｍＡ／
ｃｍ2の高電流密度で一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加
することによりアルミエッチング箔の化成を行うもので
あるため、静電容量は図２に示すような特性を示した
が、これに対し、本発明の実施例１，２，３は、第一工
程において、２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの
電圧を印加することによりアルミエッチング箔の化成を
行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成し、その後、第二
工程において、一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加するこ
とにより化成箔の化成を行ってその表面に所望の耐電圧
厚さの陽極酸化皮膜を生成させるようにしているため、
図２からも明らかなように比較例１，２に比べて１０〜
１５％静電容量の向上が図れて高い静電容量を得ること
ができるものである。
【００２０】図３は本発明の実施例１，２，３により得
られた化成箔と、比較例１，２により得られた化成箔に
おける漏れ電流と耐電圧との関係を示したもので、比較
例１，２は、１００ｍＡ／ｃｍ2あるいは３００ｍＡ／
ｃｍ2の高電流密度で一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加
することによりアルミエッチング箔の化成を行うもので
あるため、漏れ電流は図２に示すような特性を示した
が、これに対し、本発明の実施例１，２，３は、第一工
程において２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの電
圧を印加することによりアルミエッチング箔の化成を行
ってその表面に陽極酸化皮膜を形成し、その後、第二工
程において、一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加すること
により化成箔の化成を行ってその表面に所望の耐電圧厚
さの陽極酸化皮膜を生成させるようにしているため、図
３からも明らかなように比較例１，２に比べて５〜２５
％漏れ電流の低減が図れるものである。そしてこの漏れ
電流の低減効果と前記静電容量の向上効果は図３および
図２からも明らかなように耐電圧の低い低圧側で大きい
ものである。
られた化成箔と、比較例１，２により得られた化成箔に
おける漏れ電流と耐電圧との関係を示したもので、比較
例１，２は、１００ｍＡ／ｃｍ2あるいは３００ｍＡ／
ｃｍ2の高電流密度で一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加
することによりアルミエッチング箔の化成を行うもので
あるため、漏れ電流は図２に示すような特性を示した
が、これに対し、本発明の実施例１，２，３は、第一工
程において２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの電
圧を印加することによりアルミエッチング箔の化成を行
ってその表面に陽極酸化皮膜を形成し、その後、第二工
程において、一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加すること
により化成箔の化成を行ってその表面に所望の耐電圧厚
さの陽極酸化皮膜を生成させるようにしているため、図
３からも明らかなように比較例１，２に比べて５〜２５
％漏れ電流の低減が図れるものである。そしてこの漏れ
電流の低減効果と前記静電容量の向上効果は図３および
図２からも明らかなように耐電圧の低い低圧側で大きい
ものである。
【００２１】図４は本発明の実施例１，２，３と比較例
１，２における化成電圧と化成時間の関係を示したもの
で、本発明の実施例１は、第一工程において、２５ｍＡ
／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの電圧を印加することに
よりアルミエッチング箔の化成を行ってその表面に陽極
酸化皮膜を形成し、その後、第二工程において、２５ｍ
Ａ／ｃｍ2の低電流密度で一定の電圧（１４０Ｖｆ）を
印加することにより化成箔の化成を行ってその表面に所
望の耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させるという具合
に、第二工程において低電流密度で化成を行うようにし
ているため、化成時間は図４からも明らかなように長く
なるもので、これは生産性を考えるとあまり望ましいも
のではない。
１，２における化成電圧と化成時間の関係を示したもの
で、本発明の実施例１は、第一工程において、２５ｍＡ
／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの電圧を印加することに
よりアルミエッチング箔の化成を行ってその表面に陽極
酸化皮膜を形成し、その後、第二工程において、２５ｍ
Ａ／ｃｍ2の低電流密度で一定の電圧（１４０Ｖｆ）を
印加することにより化成箔の化成を行ってその表面に所
望の耐電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させるという具合
に、第二工程において低電流密度で化成を行うようにし
ているため、化成時間は図４からも明らかなように長く
なるもので、これは生産性を考えるとあまり望ましいも
のではない。
【００２２】しかるに本発明の実施例２，３は、第一工
程において、２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの
電圧を印加することによりアルミエッチング箔の化成を
行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成し、その後、第二
工程において、１００〜３００ｍＡ／ｃｍ2の高電流密
度で一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加することにより化
成箔の化成を行ってその表面に所望の耐電圧厚さの陽極
酸化皮膜を生成させるという具合に、第二工程において
高電流密度で化成を行うようにしているため、化成時間
は図４からも明らかなように本発明の実施例１に比べて
短縮することができ、生産性の向上が図れるものであ
る。
程において、２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの
電圧を印加することによりアルミエッチング箔の化成を
行ってその表面に陽極酸化皮膜を形成し、その後、第二
工程において、１００〜３００ｍＡ／ｃｍ2の高電流密
度で一定の電圧（１４０Ｖｆ）を印加することにより化
成箔の化成を行ってその表面に所望の耐電圧厚さの陽極
酸化皮膜を生成させるという具合に、第二工程において
高電流密度で化成を行うようにしているため、化成時間
は図４からも明らかなように本発明の実施例１に比べて
短縮することができ、生産性の向上が図れるものであ
る。
【００２３】なお、上記本発明の各実施例においては、
減極処理や再化成は行っていないが、これらの処理を行
っても本発明の各実施例と同様の効果が得られるもので
ある。
減極処理や再化成は行っていないが、これらの処理を行
っても本発明の各実施例と同様の効果が得られるもので
ある。
【００２４】また本発明の各実施例においては、第一工
程において２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの電
圧を印加することによりアルミエッチング箔の化成を行
ってその表面に陽極酸化皮膜を形成するようにしている
が、この第一工程における電圧は１５Ｖに限定されるも
のではなく、１５Ｖ以下であれば良いものである。すな
わち、１５Ｖ以上の電圧を印加して化成を行ったとして
も、１５Ｖ以下の電圧を印加して化成を行ったものに比
べ、それ以上の静電容量アップは図れないからである。
程において２５ｍＡ／ｃｍ2の低電流密度で１５Ｖの電
圧を印加することによりアルミエッチング箔の化成を行
ってその表面に陽極酸化皮膜を形成するようにしている
が、この第一工程における電圧は１５Ｖに限定されるも
のではなく、１５Ｖ以下であれば良いものである。すな
わち、１５Ｖ以上の電圧を印加して化成を行ったとして
も、１５Ｖ以下の電圧を印加して化成を行ったものに比
べ、それ以上の静電容量アップは図れないからである。
【００２５】そしてまた本発明の実施例１，２，３にお
いては、第一工程の化成液の濃度を第二工程の化成液の
濃度より高くしているため、化成液の液抵抗が小さくな
ってアルミエッチング箔へ流れる電流が流れやすくな
り、これにより陽極酸化皮膜の結晶化が促進され、陽極
酸化皮膜の単位電圧当たりの厚さを薄くすることができ
るため、これが静電容量の増大および化成時間の短縮化
につながるものである。
いては、第一工程の化成液の濃度を第二工程の化成液の
濃度より高くしているため、化成液の液抵抗が小さくな
ってアルミエッチング箔へ流れる電流が流れやすくな
り、これにより陽極酸化皮膜の結晶化が促進され、陽極
酸化皮膜の単位電圧当たりの厚さを薄くすることができ
るため、これが静電容量の増大および化成時間の短縮化
につながるものである。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明のアルミ電解コンデ
ンサ用陽極箔の化成方法は、電解エッチング処理を行っ
たアルミ箔に５０ｍＡ／ｃｍ2以下の低電流密度で１５
Ｖ以下の電圧を印加して陽極酸化皮膜を形成する第一工
程と、この第一工程後に一定の電圧を印加して所望耐電
圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させる第二工程とを備えた
もので、あらかじめ第一工程で５０ｍＡ／ｃｍ2以下の
低電流密度によって陽極酸化皮膜を形成するようにして
いるため、この第一工程で形成された陽極酸化皮膜中に
は内部欠陥の少ない緻密な陽極酸化皮膜が生成されるこ
とになり、そして以降の第二工程で生成される陽極酸化
皮膜中にも内部欠陥が生じにくいために漏れ電流を低減
させることができ、かつ陽極酸化皮膜の結晶化も促進さ
れるため、高い静電容量を得ることができるものであ
る。
ンサ用陽極箔の化成方法は、電解エッチング処理を行っ
たアルミ箔に５０ｍＡ／ｃｍ2以下の低電流密度で１５
Ｖ以下の電圧を印加して陽極酸化皮膜を形成する第一工
程と、この第一工程後に一定の電圧を印加して所望耐電
圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させる第二工程とを備えた
もので、あらかじめ第一工程で５０ｍＡ／ｃｍ2以下の
低電流密度によって陽極酸化皮膜を形成するようにして
いるため、この第一工程で形成された陽極酸化皮膜中に
は内部欠陥の少ない緻密な陽極酸化皮膜が生成されるこ
とになり、そして以降の第二工程で生成される陽極酸化
皮膜中にも内部欠陥が生じにくいために漏れ電流を低減
させることができ、かつ陽極酸化皮膜の結晶化も促進さ
れるため、高い静電容量を得ることができるものであ
る。
【００２７】また、第一工程における陽極酸化皮膜の形
成は低電流密度で行っているため、化成液中へのアルミ
の溶出も抑制され、これにより、実効表面積の減少によ
る静電容量の低下と化成電流量の制限による生産性の低
下を防ぐことができ、しかも前記のように化成液中への
アルミの溶出が抑えられるため、化成液の交換頻度も従
来の１／２〜１／５にすることができ、非常に経済的と
なるものである。
成は低電流密度で行っているため、化成液中へのアルミ
の溶出も抑制され、これにより、実効表面積の減少によ
る静電容量の低下と化成電流量の制限による生産性の低
下を防ぐことができ、しかも前記のように化成液中への
アルミの溶出が抑えられるため、化成液の交換頻度も従
来の１／２〜１／５にすることができ、非常に経済的と
なるものである。
【図１】アルミ電解コンデンサ用陽極箔の静電容量と電
流密度の関係を示す特性図
流密度の関係を示す特性図
【図２】本発明の実施例１，２，３により得られた化成
箔と、比較例１，２により得られた化成箔における静電
容量と耐電圧との関係を示す特性図
箔と、比較例１，２により得られた化成箔における静電
容量と耐電圧との関係を示す特性図
【図３】本発明の実施例１，２，３により得られた化成
箔と、比較例１，２により得られた化成箔における漏れ
電流と耐電圧との関係を示す特性図
箔と、比較例１，２により得られた化成箔における漏れ
電流と耐電圧との関係を示す特性図
【図４】本発明の実施例１，２，３と比較例１，２にお
ける化成電圧と化成時間の関係を示す特性図
ける化成電圧と化成時間の関係を示す特性図
Claims (2)
- 【請求項１】 電解エッチング処理を行ったアルミ箔に
５０ｍＡ／ｃｍ2以下の低電流密度で１５Ｖ以下の電圧
を印加して陽極酸化皮膜を形成する第一工程と、この第
一工程後に一定の電圧を印加して所望耐電圧厚さの陽極
酸化皮膜を生成させる第二工程とを備えたアルミ電解コ
ンデンサ用陽極箔の化成方法。 - 【請求項２】 第一工程において使用する化成液濃度を
第二工程において使用する化成液濃度より高くした請求
項１記載のアルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7583194A JPH07283085A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7583194A JPH07283085A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283085A true JPH07283085A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13587535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7583194A Pending JPH07283085A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283085A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095801A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1994
- 1994-04-14 JP JP7583194A patent/JPH07283085A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095801A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4548730B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2010-09-22 | ニチコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
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