JPH09260215A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH09260215A JPH09260215A JP6495896A JP6495896A JPH09260215A JP H09260215 A JPH09260215 A JP H09260215A JP 6495896 A JP6495896 A JP 6495896A JP 6495896 A JP6495896 A JP 6495896A JP H09260215 A JPH09260215 A JP H09260215A
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- JP
- Japan
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- foil
- capacitor
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング処理の後、化成処理を施して誘電
体皮膜を形成した第１の金属箔を陽極箔とし、エッチン
グ処理を施した第２の金属箔を陰極箔とし、前記陽極箔
と陰極箔とをセパレータ紙を介して巻回することにより
コンデンサ素子を形成し、該コンデンサ素子に再化成処
理を施した後、融解液化した有機半導体を含浸し、該有
機半導体を冷却固化して電解質とする固体電解コンデン
サの製造方法において、静電容量の出現率が低くなった
り、等価直列抵抗が高くなったりするという問題を解決
する。 【解決手段】 前記再化成処理工程の後、前記有機半導
体含浸工程の前に、前記コンデンサ素子を水洗する。
体皮膜を形成した第１の金属箔を陽極箔とし、エッチン
グ処理を施した第２の金属箔を陰極箔とし、前記陽極箔
と陰極箔とをセパレータ紙を介して巻回することにより
コンデンサ素子を形成し、該コンデンサ素子に再化成処
理を施した後、融解液化した有機半導体を含浸し、該有
機半導体を冷却固化して電解質とする固体電解コンデン
サの製造方法において、静電容量の出現率が低くなった
り、等価直列抵抗が高くなったりするという問題を解決
する。 【解決手段】 前記再化成処理工程の後、前記有機半導
体含浸工程の前に、前記コンデンサ素子を水洗する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＣＮＱ錯塩等の
有機半導体を電解質として用いた固体電解コンデンサの
製造方法に関する。
有機半導体を電解質として用いた固体電解コンデンサの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＣＮＱ錯塩を電解質として用いた固体
電解コンデンサは、特公昭６２−５１４８９号に開示さ
れている。ここでＴＣＮＱとは７，７，８，８−テトラ
シアノキノジメタンを意味する。
電解コンデンサは、特公昭６２−５１４８９号に開示さ
れている。ここでＴＣＮＱとは７，７，８，８−テトラ
シアノキノジメタンを意味する。
【０００３】また、エッチング処理の後、化成処理を施
して誘電体皮膜を形成したアルミニウム箔を陽極箔と
し、エッチング処理を施したアルミニウム箔を陰極箔と
し、前記陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙を介して巻回
することによりコンデンサ素子を形成し、該コンデンサ
素子に再化成処理を施した後、融解液化したＴＣＮＱ錯
塩を含浸し、該ＴＣＮＱ錯塩を冷却固化して電解質とす
る固体電解コンデンサの製造方法は、特開平３ー１３６
２２７号に開示されている。
して誘電体皮膜を形成したアルミニウム箔を陽極箔と
し、エッチング処理を施したアルミニウム箔を陰極箔と
し、前記陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙を介して巻回
することによりコンデンサ素子を形成し、該コンデンサ
素子に再化成処理を施した後、融解液化したＴＣＮＱ錯
塩を含浸し、該ＴＣＮＱ錯塩を冷却固化して電解質とす
る固体電解コンデンサの製造方法は、特開平３ー１３６
２２７号に開示されている。
【０００４】ここで、前記コンデンサ素子に対する再化
成処理は、陽極箔の裁断面やリード端子との接合部に誘
電体皮膜を形成し、陽極箔を陰極箔及びセパレータ紙と
ともに巻回する際に発生する誘電体皮膜の損傷を修復
し、コンデンサとしての静電容量を調整するために施さ
れるものである。
成処理は、陽極箔の裁断面やリード端子との接合部に誘
電体皮膜を形成し、陽極箔を陰極箔及びセパレータ紙と
ともに巻回する際に発生する誘電体皮膜の損傷を修復
し、コンデンサとしての静電容量を調整するために施さ
れるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記再化成
処理を施すと、陽極箔の表面の微細な凹凸形状に沿って
形成された誘電体皮膜の表面に、再化成処理に伴って生
成される水酸化アルミニウム等のスラッジが残留した
り、再化成液の溶質であるアジピン酸やリン酸あるいは
それらの塩が残渣として付着することがあり、この状態
のコンデンサ素子に融解液化したＴＣＮＱ錯塩を含浸
し、冷却固化してコンデンサ完成品とした場合、静電容
量の出現率が低くなったり、等価直列抵抗が高くなった
りすることがある。
処理を施すと、陽極箔の表面の微細な凹凸形状に沿って
形成された誘電体皮膜の表面に、再化成処理に伴って生
成される水酸化アルミニウム等のスラッジが残留した
り、再化成液の溶質であるアジピン酸やリン酸あるいは
それらの塩が残渣として付着することがあり、この状態
のコンデンサ素子に融解液化したＴＣＮＱ錯塩を含浸
し、冷却固化してコンデンサ完成品とした場合、静電容
量の出現率が低くなったり、等価直列抵抗が高くなった
りすることがある。
【０００６】本発明は、上述の如き問題を解決するもの
である。
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による固体電解コ
ンデンサの製造方法は、エッチング処理の後、化成処理
を施して誘電体皮膜を形成した第１の金属箔を陽極箔と
し、エッチング処理を施した第２の金属箔を陰極箔と
し、前記陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙を介して巻回
することによりコンデンサ素子を形成し、該コンデンサ
素子に再化成処理を施した後、融解液化した有機半導体
を含浸し、該有機半導体を冷却固化して電解質とする固
体電解コンデンサの製造方法において、前記再化成処理
工程の後、前記有機半導体含浸工程の前に、前記コンデ
ンサ素子を水洗する工程を備えることを特徴とするもの
である。
ンデンサの製造方法は、エッチング処理の後、化成処理
を施して誘電体皮膜を形成した第１の金属箔を陽極箔と
し、エッチング処理を施した第２の金属箔を陰極箔と
し、前記陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙を介して巻回
することによりコンデンサ素子を形成し、該コンデンサ
素子に再化成処理を施した後、融解液化した有機半導体
を含浸し、該有機半導体を冷却固化して電解質とする固
体電解コンデンサの製造方法において、前記再化成処理
工程の後、前記有機半導体含浸工程の前に、前記コンデ
ンサ素子を水洗する工程を備えることを特徴とするもの
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態に従った固体
電解コンデンサの製造方法においては、まず、図１に示
すように、エッチング処理を施した後、化成処理を施し
て誘電体皮膜を形成した第１のアルミニウム箔を陽極箔
１とし、エッチング処理を施した第２のアルミニウム箔
を陰極箔２とし、前記陽極箔１と陰極箔２とをセパレー
タ紙３１、３２を介して巻回し、コンデンサ素子７を形
成する。
電解コンデンサの製造方法においては、まず、図１に示
すように、エッチング処理を施した後、化成処理を施し
て誘電体皮膜を形成した第１のアルミニウム箔を陽極箔
１とし、エッチング処理を施した第２のアルミニウム箔
を陰極箔２とし、前記陽極箔１と陰極箔２とをセパレー
タ紙３１、３２を介して巻回し、コンデンサ素子７を形
成する。
【０００９】図１において、符号４は巻き止めテープ、
５１、５２は陽極及び陰極のリード端子、６１、６２は
陽極及び陰極のリードボスを示している。陽極箔及び陰
極箔の材料としては、前記アルミニウム以外にもタンタ
ルやニオブ等の所謂弁作用金属が用いられる。
５１、５２は陽極及び陰極のリード端子、６１、６２は
陽極及び陰極のリードボスを示している。陽極箔及び陰
極箔の材料としては、前記アルミニウム以外にもタンタ
ルやニオブ等の所謂弁作用金属が用いられる。
【００１０】次に、前記コンデンサ素子に再化成処理を
施す。再化成処理に用いる化成液としては、アジピン酸
又はそのアンモニウム塩、リン酸又はそのアンモニウム
塩から選ばれる少なくとも１種の酸又はその塩を溶質と
して含み、水又はエチレングリコール等の多価アルコー
ルを溶媒として含むものが適する。
施す。再化成処理に用いる化成液としては、アジピン酸
又はそのアンモニウム塩、リン酸又はそのアンモニウム
塩から選ばれる少なくとも１種の酸又はその塩を溶質と
して含み、水又はエチレングリコール等の多価アルコー
ルを溶媒として含むものが適する。
【００１１】次に、前記コンデンサ素子を純水中に浸漬
して洗浄する。
して洗浄する。
【００１２】その後、誘電体皮膜の安定化等を目的とし
て、コンデンサ素子を２００℃以上の温度で熱処理す
る。
て、コンデンサ素子を２００℃以上の温度で熱処理す
る。
【００１３】一方で、ＴＣＮＱ錯塩の粉末をアルミケー
スに詰め、該アルミケースを２５０〜３００℃に加熱し
てＴＣＮＱ錯塩を融解液化させる。
スに詰め、該アルミケースを２５０〜３００℃に加熱し
てＴＣＮＱ錯塩を融解液化させる。
【００１４】そして、図２に示すように、前記コンデン
サ素子７を前記アルミケース９内に挿入して前記融解液
化したＴＣＮＱ錯塩８に浸漬することによりＴＣＮＱ錯
塩をコンデンサ素子に含浸し、直ちに冷却してＴＣＮＱ
錯塩を冷却固化した後、アルミケースの開口部にエポキ
シ樹脂１０を充填して封口し、エージング処理を行って
固体電解コンデンサが完成する。
サ素子７を前記アルミケース９内に挿入して前記融解液
化したＴＣＮＱ錯塩８に浸漬することによりＴＣＮＱ錯
塩をコンデンサ素子に含浸し、直ちに冷却してＴＣＮＱ
錯塩を冷却固化した後、アルミケースの開口部にエポキ
シ樹脂１０を充填して封口し、エージング処理を行って
固体電解コンデンサが完成する。
【００１５】ここで、上記本発明の製法に従うととも
に、再化成工程において表１に示すような種々の化成液
を用いた実施例１〜４（試料記号Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｈ）の固
体電解コンデンサ（定格４ＷＶ−３３０μＦ、外形φ１
０ｍｍ×Ｌ５ｍｍ）と、前記実施例１〜４の製法、仕様
に準じながら、再化成後の水洗処理を省略した比較例１
〜４（試料記号Ａ、Ｃ、Ｅ、Ｇ）の固体電解コンデンサ
を試作し、諸特性（１２０Ｈｚでの静電容量：Ｃ、１２
０Ｈｚでの損失角の正接：ｔａｎδ、１００ｋＨｚでの
等価直列抵抗：ＥＳＲ、漏れ電流：ＬＣ）を測定した。
その結果を表２に示す。
に、再化成工程において表１に示すような種々の化成液
を用いた実施例１〜４（試料記号Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｈ）の固
体電解コンデンサ（定格４ＷＶ−３３０μＦ、外形φ１
０ｍｍ×Ｌ５ｍｍ）と、前記実施例１〜４の製法、仕様
に準じながら、再化成後の水洗処理を省略した比較例１
〜４（試料記号Ａ、Ｃ、Ｅ、Ｇ）の固体電解コンデンサ
を試作し、諸特性（１２０Ｈｚでの静電容量：Ｃ、１２
０Ｈｚでの損失角の正接：ｔａｎδ、１００ｋＨｚでの
等価直列抵抗：ＥＳＲ、漏れ電流：ＬＣ）を測定した。
その結果を表２に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】表１及び表２を対照すればわかるように、
本発明実施例と比較例の漏れ電流は同等となっているの
に対して、本発明実施例においては比較例に比べて静電
容量が大きく、損失角の正接が小さく、等価直列抵抗が
小さくなっている。
本発明実施例と比較例の漏れ電流は同等となっているの
に対して、本発明実施例においては比較例に比べて静電
容量が大きく、損失角の正接が小さく、等価直列抵抗が
小さくなっている。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、再化成処理を施したコ
ンデンサ素子に電解質としての有機半導体を含浸した固
体電解コンデンサにおいて、再化成処理による漏れ電流
低減の効果を確保しながら、静電容量の出現率が低くな
ったり、等価直列抵抗が高くなったりするという問題の
発生を抑制することができる。
ンデンサ素子に電解質としての有機半導体を含浸した固
体電解コンデンサにおいて、再化成処理による漏れ電流
低減の効果を確保しながら、静電容量の出現率が低くな
ったり、等価直列抵抗が高くなったりするという問題の
発生を抑制することができる。
【図１】本発明実施例に用いられるコンデンサ素子の分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図２】本発明実施例による固体電解コンデンサの断面
図である。
図である。
１ 陽極箔 ２ 陰極箔 ３１ セパレータ紙 ３２ セパレータ紙 ５１ 陽極リード端子 ５２ 陰極リード端子 ７ コンデンサ素子 ８ 電解質としてのＴＣＮＱ錯塩 ９ コンデンサケース １０ 封口樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチング処理の後、化成処理を施して
誘電体皮膜を形成した第１の金属箔を陽極箔とし、エッ
チング処理を施した第２の金属箔を陰極箔とし、前記陽
極箔と陰極箔とをセパレータ紙を介して巻回することに
よりコンデンサ素子を形成し、該コンデンサ素子に再化
成処理を施した後、融解液化した有機半導体を含浸し、
該有機半導体を冷却固化して電解質とする固体電解コン
デンサの製造方法において、 前記再化成処理工程の後、前記有機半導体含浸工程の前
に、前記コンデンサ素子を水洗する工程を備えることを
特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 前記陽極箔及び陰極箔の材料としてアル
ミニウムを用い、前記電解質の材料としてＴＣＮＱ錯塩
を用いることを特徴とする請求項１記載の固体電解コン
デンサの製造方法。 - 【請求項３】 前記再化成処理に用いられる化成液は、
アジピン酸又はそのアンモニウム塩、リン酸又はそのア
ンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種の酸又はその
塩を溶質として含み、水又は多価アルコールを溶媒とし
て含むものであることを特徴とする請求項２記載の固体
電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6495896A JPH09260215A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6495896A JPH09260215A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260215A true JPH09260215A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13273074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6495896A Pending JPH09260215A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260215A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294592A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| JP2006049588A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US7433175B2 (en) | 2005-08-04 | 2008-10-07 | Nec Tokin Corporation | Solid electrolytic capacitor, distributed constant type noise filter, and method of producing the same |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP6495896A patent/JPH09260215A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294592A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| JP2006049588A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US7433175B2 (en) | 2005-08-04 | 2008-10-07 | Nec Tokin Corporation | Solid electrolytic capacitor, distributed constant type noise filter, and method of producing the same |
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