JPH0452485B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0452485B2 JPH0452485B2 JP59258053A JP25805384A JPH0452485B2 JP H0452485 B2 JPH0452485 B2 JP H0452485B2 JP 59258053 A JP59258053 A JP 59258053A JP 25805384 A JP25805384 A JP 25805384A JP H0452485 B2 JPH0452485 B2 JP H0452485B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cds
- cdte
- electrode layer
- input device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
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- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、手書き情報等を計算機等に入力する
ために用いられる座標入力装置に関するものであ
る。
ために用いられる座標入力装置に関するものであ
る。
従来の技術
従来この種の座標入力装置は、第３図、第４図
に示すような構成であつた（例えば、特願昭59−
117008）。すなわち、５はガラス基板、６はCdS
焼結体よりなるCdS層で、ガラス基板５上にスト
ライプ状に形成されており、ｘ座標検出用電極お
よび、光電池のｎ形半導体として働く。７は
CdTe焼結体よりなるCdTe層で、CdS焼結体６に
対して直角にストライプ状に形成されており、光
電池のｐ形半導体として働き、CdS焼結体６と
CdTe焼結体７の交点が光電池となる。８は
CdTe焼結体７上に積層されたカーボン電極層
で、ｙ座標検出用電極およびCdTe焼結体７への
ドープ剤としても働く。９は銀電極層で、カーボ
ン電極層８の補助として働き、CdTe焼結体７、
カーボン電極層８および銀電極９は同一のパター
ンで形成されている。そしてこれらは全てスクリ
ーン印刷によつて、形成されている。
に示すような構成であつた（例えば、特願昭59−
117008）。すなわち、５はガラス基板、６はCdS
焼結体よりなるCdS層で、ガラス基板５上にスト
ライプ状に形成されており、ｘ座標検出用電極お
よび、光電池のｎ形半導体として働く。７は
CdTe焼結体よりなるCdTe層で、CdS焼結体６に
対して直角にストライプ状に形成されており、光
電池のｐ形半導体として働き、CdS焼結体６と
CdTe焼結体７の交点が光電池となる。８は
CdTe焼結体７上に積層されたカーボン電極層
で、ｙ座標検出用電極およびCdTe焼結体７への
ドープ剤としても働く。９は銀電極層で、カーボ
ン電極層８の補助として働き、CdTe焼結体７、
カーボン電極層８および銀電極９は同一のパター
ンで形成されている。そしてこれらは全てスクリ
ーン印刷によつて、形成されている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような構成のものでは、CdTe層
７上に同一パターンでカーボン電極層８、銀電極
層９を形成するため、CdS層６がカーボン電極層
８や銀電極層９と接触しやすく、光電池が正常に
働くなる。また、この接触を防ぐため、第５図の
ように、カーボン電極層８と銀電極層９をCdTe
層７の内側に入るようなパターンに形成すると、
カーボン電極層８と銀電極層９の印刷の位置合わ
せが難しく、CdTe層７の幅が、カーボン電極層
８と銀電極層９を印刷するために、スクリーン印
刷の可能な幅よりも太くなつてしまい。高分解能
な座標入力装置を得ることが難しいなどの問題が
あつた。
７上に同一パターンでカーボン電極層８、銀電極
層９を形成するため、CdS層６がカーボン電極層
８や銀電極層９と接触しやすく、光電池が正常に
働くなる。また、この接触を防ぐため、第５図の
ように、カーボン電極層８と銀電極層９をCdTe
層７の内側に入るようなパターンに形成すると、
カーボン電極層８と銀電極層９の印刷の位置合わ
せが難しく、CdTe層７の幅が、カーボン電極層
８と銀電極層９を印刷するために、スクリーン印
刷の可能な幅よりも太くなつてしまい。高分解能
な座標入力装置を得ることが難しいなどの問題が
あつた。
そこで本発明は、CdS／CdTe光電池において
従来の上記欠点を除去し、構造が簡単で、CdSと
カーボン電極や銀電極とが接触しがたく、高分解
能な座標入力装置を提供することを目的とする。
従来の上記欠点を除去し、構造が簡単で、CdSと
カーボン電極や銀電極とが接触しがたく、高分解
能な座標入力装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、光電池
を感光要素として２次元のマトリツクス状に配置
したものである。
を感光要素として２次元のマトリツクス状に配置
したものである。
作 用
本発明は上記構成により、光電池のCdSとカー
ボン電極や銀電極とが接触しがたく、高分解能の
座標入力装置が得られる。
ボン電極や銀電極とが接触しがたく、高分解能の
座標入力装置が得られる。
実施例
以下本発明の一実施例を、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図、第２図は、本発明の一実施例における
座標入力装置の構成を示すものである。
座標入力装置の構成を示すものである。
第１図、第２図において、１はガラス基板、２
はCdS焼結体よりなるCdS層で、ガラス基板１上
にストライプ状に形成されており、ｘ座標検出用
電極及び光電池のｎ形半導体として働く、３は
CdTe焼結体よりなるCdTe層で、電極引き出し
部をのぞく、ガラス基板１とCdS焼結体２上の全
面に形成されており、光電池のｐ形半導体とな
る。４はカーボン電極層で、CdTe層３上に、
CdS層２に対し直角にストライプ状に形成されて
おり、ｙ座標検出用電極および、CdTe層３への
ドープ剤としても働く。上記構成によりCdS層２
とカーボン電極層４の交点が光電池となる。ま
た、CdS層２、CdTe層３、カーボン電極層４は、
すべてスクリーン印刷により形成したが、蒸着等
の方法により形成することもできる。
はCdS焼結体よりなるCdS層で、ガラス基板１上
にストライプ状に形成されており、ｘ座標検出用
電極及び光電池のｎ形半導体として働く、３は
CdTe焼結体よりなるCdTe層で、電極引き出し
部をのぞく、ガラス基板１とCdS焼結体２上の全
面に形成されており、光電池のｐ形半導体とな
る。４はカーボン電極層で、CdTe層３上に、
CdS層２に対し直角にストライプ状に形成されて
おり、ｙ座標検出用電極および、CdTe層３への
ドープ剤としても働く。上記構成によりCdS層２
とカーボン電極層４の交点が光電池となる。ま
た、CdS層２、CdTe層３、カーボン電極層４は、
すべてスクリーン印刷により形成したが、蒸着等
の方法により形成することもできる。
以上のように構成された座標入力装置について
以下その動作を説明する。
以下その動作を説明する。
まず、第１図、第２図のガラス基板１を通して
光を当てると、CdS層２とCdTe層３の間に光起
動力が発生する。この光起動力をCdS層２の電極
とカーボン電極層４から検出することができる。
このとき両電極を順次走査していくことによつ
て、光の当たつた位置を検出することができ、光
によつて座標を入力することができる。
光を当てると、CdS層２とCdTe層３の間に光起
動力が発生する。この光起動力をCdS層２の電極
とカーボン電極層４から検出することができる。
このとき両電極を順次走査していくことによつ
て、光の当たつた位置を検出することができ、光
によつて座標を入力することができる。
以上のような構成で、CdSとカーボン電極が接
触せず、高分解能を有する座標入力装置が得られ
る。
触せず、高分解能を有する座標入力装置が得られ
る。
発明の効果
以上のように本発明は、光電池を感光要素とし
て、２次元のマトリツクス状に配置し、光によつ
て書き込むことにより、構造の簡単な座標入力装
置を得ることができ、CdS／CdTe光電池のCdTe
層を略全面に形成して、CdS層と電極層の接触を
防ぎ、高分解能の座標入力装置を得ることができ
る等の利点を持ち、その実用的効果大なるもので
ある。
て、２次元のマトリツクス状に配置し、光によつ
て書き込むことにより、構造の簡単な座標入力装
置を得ることができ、CdS／CdTe光電池のCdTe
層を略全面に形成して、CdS層と電極層の接触を
防ぎ、高分解能の座標入力装置を得ることができ
る等の利点を持ち、その実用的効果大なるもので
ある。
第１図及び第２図は本発明の一実施例による座
標入力装置を示す断面図及び平面図、第３図、第
４図及び第５図は従来の座標入力装置を示す断面
図及び平面図である。 １……ガラス基板、２……CdS層、３……
CdTe層、４……カーボン電極層。
標入力装置を示す断面図及び平面図、第３図、第
４図及び第５図は従来の座標入力装置を示す断面
図及び平面図である。 １……ガラス基板、２……CdS層、３……
CdTe層、４……カーボン電極層。
Claims (1)
- １ 透明基板上にストライプ状に形成されたCdS
層と、このCdS層を覆い上記透明基板上略全面に
積層されたCdTe層と、上記CdS層に直交して上
記CdTe層上にストライプ状に積層された電極層
とで２次元のマトリツクス状に光電池を形成し、
この光電池を感光要素として光によつて書き込み
入力を行う座標入力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59258053A JPS61134831A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 座標入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59258053A JPS61134831A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 座標入力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134831A JPS61134831A (ja) | 1986-06-21 |
| JPH0452485B2 true JPH0452485B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=17314882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59258053A Granted JPS61134831A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 座標入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134831A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61118923A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電子機器の入力スイツチ機構 |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP59258053A patent/JPS61134831A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61118923A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電子機器の入力スイツチ機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61134831A (ja) | 1986-06-21 |
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