JP7562935B2 - セラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、セラミック電子部品に関するものである。

セラミック電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電または放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

一般的に、積層セラミック高容量キャパシタなどに用いられる誘電体材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）に基づく強誘電体材料であって、常温で高い誘電率を有しながらも損失率（Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ Ｆａｃｔｏｒ）が比較的小さく、絶縁抵抗特性に優れる特徴がある。最近、電装産業の発達により、耐電圧及び高温での容量温度特性と信頼性に優れたセラミック電子部品の需要が急増している。これにより、ＥＩＡ規格で８５℃まで保証される一般の高容量セラミック電子部品以外に、１２５℃まで保証されるＸ７Ｒ、１５０℃まで保証されるＸ８Ｒ、さらには２００℃まで保証されるＸ９Ｍセラミック電子部品が求められている。

しかし、チタン酸バリウム（ＢＴ、ＢａＴｉＯ_３）はキュリー温度が１２５℃に過ぎず、上記温度以上では誘電率が急激に低くなるという限界が存在する。これを解決するために、母材粉末としてＣａが固溶したチタン酸バリウム（ＢＣＴ、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３）とチタン酸バリウム（ＢＴ、ＢａＴｉＯ_３）とを混合した母材粉末を適用し、高温静電容量変化率（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）を改善する方案が研究されている。

しかし、ＢＣＴとＢＴとを混合した母材粉末を使用する場合、ＴＣＣは改善できるものの、耐湿信頼性は低下することがあり、これを解決するための方案が必要である。

ＫＲ１０－２００６－０１１０６０３Ａ

本発明のいくつかの目的の一つは、耐湿信頼性に優れたセラミック電子部品を提供することである。

本発明のいくつかの目的の一つは、高温信頼性に優れたセラミック電子部品を提供することである。

但し、本発明の目的は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態によるセラミック電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで互いに第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、上記第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び上記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面～第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置され、上記第１内部電極と連結される第１外部電極と、上記第４面に配置され、上記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、上記本体は、上記第１内部電極及び上記第２内部電極を含んで容量が形成される容量形成部、及び上記容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部を含み、上記容量形成部の誘電体層はＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含み、上記カバー部はＢａＴｉＯ_３を含み、上記本体の第１方向及び第３方向の断面において、上記カバー部のうち気孔が占める面積割合をＳ１、上記容量形成部の誘電体層のうち気孔が占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ１＜Ｓ２を満たすことができる。

本発明の一実施形態によるセラミック電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで互いに第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、上記第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び上記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面～上記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置され、上記第１内部電極と連結される第１外部電極と、上記第４面に配置され、上記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、上記本体は、上記第１内部電極及び上記第２内部電極を含んで容量が形成される容量形成部、上記容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部、及び上記容量形成部の第３方向の両端面に配置されるマージン部を含み、上記容量形成部の誘電体層はＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含み、上記マージン部はＢａＴｉＯ_３を含み、上記本体の第１方向及び第３方向の断面において、上記マージン部のうち気孔が占める面積割合をＳ３、上記容量形成部の誘電体層のうち気孔が占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ３＜Ｓ２を満たすことができる。

本発明のいくつかの効果のうち一効果は、容量形成部の誘電体層にＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含ませることにより、高温信頼性を向上させたことである。

本発明のいくつかの効果のうち一効果は、カバー部及び／またはマージン部にＢａＴｉＯ_３を含ませて気孔率を下げることにより、耐湿信頼性を向上させたことである。

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態によるセラミック電子部品の斜視図を概略的に示す図である。 図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示す図である。 図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示す図である。 図２のＫ１領域を拡大した拡大図である。 図２のＫ２領域を拡大した拡大図である。 本発明の一実施形態によるセラミック電子部品の斜視図を概略的に示す図である。 図６のＩＩＩ－ＩＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示す図である。 本発明の一実施形態によるセラミック電子部品の斜視図を概略的に示す図である。 図８のＩＶ－ＩＶ'線に沿った断面図を概略的に示す図である。 ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含むカバー部の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージである。 ＢａＴｉＯ_３を含むカバー部の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージである。 図１０のイメージをイメージ分析プログラムを用いて気孔の割合を分析したものである。 図１１のイメージをイメージ分析プログラムを用いて気孔の割合を分析したものである。

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張されてもよく、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

図面において、第１方向は積層方向または厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

セラミック電子部品
図１は、本発明の一実施形態によるセラミック電子部品の斜視図を概略的に示す図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示す図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示す図であり、図４は、図２のＫ１領域を拡大した拡大図であり、図５は、図２のＫ２領域を拡大した拡大図である。

以下、図１～図５を参照して本発明の一実施形態によるセラミック電子部品１００について詳細に説明する。また、セラミック電子部品の一例として積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、以下「ＭＬＣＣ」という）について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、セラミック材料を使用する各種のセラミック電子部品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用することができる。

本発明の一実施形態によるセラミック電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層を間に挟んで互いに第１方向に交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み、上記第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面及び上記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面３及び第４面４、上記第１面～上記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面５及び第６面６を含む本体１１０と、上記第３面に配置され、上記第１内部電極と連結される第１外部電極１３１と、上記第４面に配置され、上記第２内部電極と連結される第２外部電極１３２と、を含み、上記本体は、上記第１内部電極及び上記第２内部電極を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃ、及び上記容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部１１２、１１３を含み、上記容量形成部の誘電体層１１１は、ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含み、上記カバー部１１２、１１３はＢａＴｉＯ_３を含み、上記本体の第１方向及び第３方向の断面において、上記カバー部１１２、１１３のうち気孔Ｐが占める面積割合をＳ１、上記容量形成部の誘電体層のうち気孔が占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ１＜Ｓ２を満たすことができる。

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程において本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、上記第１面及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１及び第２面２と連結され、第３面及び第４面４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認し難いほど一体化することができる。誘電体層の積層数は特に制限する必要はなく、セラミック電子部品のサイズを考慮して決定することができる。例えば、誘電体層を４００層以上積層して本体を形成することができる。

本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向の両端面に配置されるカバー部１１２、１１３とを含むことができる。

また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を間に挟んで複数の第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を繰り返し積層して形成されることができる。容量形成部Ａｃの誘電体層１１１は、ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含むことができる。容量形成部Ａｃの誘電体層１１１は、ＢａＴｉＯ_３粉末及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）粉末を混合した母材粉末に様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤等を添加した原料を使用して形成したものであってもよい。

カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。カバー部１１２、１１３はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）を含むことができる。また、カバー部１１２、１１３は、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３を含まなくてもよい。カバー部１１２、１１３は、ＢａＴｉＯ_３粉末に様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤等を添加した原料を使用して形成したものであってもよい。

チタン酸バリウム（ＢＴ、ＢａＴｉＯ_３）はキュリー温度が１２５℃に過ぎず、上記温度以上では誘電率が急激に低くなるという限界が存在する。これを解決するために、母材粉末として、Ｃａが固溶したチタン酸バリウム（ＢＣＴ（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３）とチタン酸バリウム（ＢＴ、ＢａＴｉＯ_３）とを混合した母材粉末を適用し、高温静電容量変化率（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）を改善する方案が研究されている。

但し、本体の外部を構成するカバー部をＣａが固溶したチタン酸バリウム（ＢＣＴ、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３）とチタン酸バリウム（ＢＴ、ＢａＴｉＯ_３）とを混合した母材粉末を適用して形成する場合、カバー部に気孔が発生して緻密度が低下することがあり、カバー部の気孔が水分の浸透経路として作用して耐湿信頼性が低下する可能性があった。

すなわち、本体１１０の全体を、Ｃａが固溶したチタン酸バリウム（ＢＣＴ、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３）とチタン酸バリウム（ＢＴ、ＢａＴｉＯ_３）とを混合した母材粉末を適用して形成する場合、ＴＣＣは改善できるものの、耐湿信頼性は低下する可能性があった。

そこで、本発明の一実施形態では、カバー部１１２、１１３にはＢａＴｉＯ_３を含ませてカバー部１１２、１１３の気孔率を下げ、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１にはＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含ませることにより、高温信頼性を確保するとともに耐湿信頼性を確保している。

カバー部１１２、１１３は、ＢａＴｉＯ_３を主成分として含むことができ、副成分としては、Ｍｇ、Ｄｙ、Ｙ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒなどを含むことができる。容量形成部Ａｃの誘電体層１１１は、ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を主成分として含むことができ、副成分としてはＭｇ、Ｄｙ、Ｙ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒなどを含むことができる。ここで、主成分の意味は、主成分１００モルに対して、主成分を除いた残りの成分のモル数が３０モル以下であることを意味することができる。本発明において、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３は、Ｃａの変性量ｘが０．０１～０．１５の範囲であることが好ましいと言える。

ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）は、水熱合成法、固相法、共沈法、ゾル－ゲル法などの方法により製造することができるが、これらに制限されるものではない。

一方、カバー部１１２、１１３の厚さは特に限定する必要はない。但し、１６０８（長さ×幅、１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）以上のサイズを有するセラミック電子部品において、一般的にカバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以上であってもよい。

カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは第１方向のサイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部または下部において、等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを平均した値であることができる。

また、上記容量形成部Ａｃの側面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。

マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と、第６面６に配置された第２マージン部１１５とを含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記セラミック本体１１０の幅方向の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。

マージン部１１４、１１５は、図３に示すように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであってもよい。

また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。

マージン部１１４、１１５は、ＢａＴｉＯ_３を含むか、又はＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）の両方を含むこともできる。マージン部１１４、１１５は、カバー部１１２、１１３と実質的に同じ組成からなるか、又は容量形成部Ａｃと実質的に同じ組成からなることができる。マージン部１１４、１１５がＢａＴｉＯ_３を主成分として含む場合、耐湿信頼性をより向上させることができる。

本体１１０の第１方向及び第３方向の断面において、カバー部１１２、１１３のうち気孔Ｐが占める面積割合をＳ１、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１のうち気孔Ｐが占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ１＜Ｓ２を満たすことができる。 Ｓ１＜Ｓ２を満たすことによって、カバー部１１２、１１３の緻密度を向上させて水分の浸透経路を遮断し、耐湿信頼性を向上させることができる。

一実施形態において、上記Ｓ１は０．２面積％以下であり、上記Ｓ２は０．２面積％超過０．４面積％以下であることができる。Ｓ１が０．２面積％を超える場合には、耐湿信頼性の向上効果が不十分である可能性がある。Ｓ２が０．２面積％以下である場合には、高温信頼性の向上効果が不十分である可能性があり、Ｓ４が０．４面積％を超える場合には、誘電率が低下したり、破壊電圧が低下する可能性がある。

図１０は、ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含むカバー部の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージであり、図１１は、ＢａＴｉＯ_３を含むカバー部の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージである。図１０及び図１１のサンプルチップのサイズは２０１２（長さ×幅、２．０ｍｍ×１．２ｍｍ）で作製し、サンプルチップの厚さは１．２ｍｍで作製した。図１０及び図１１を比較してみると、ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）をいずれも含む図１０が図１１に比べて多くの気孔が存在することが確認できる。

Ｓ１及びＳ２は、図１０及び図１１のようなイメージを得た後、上記イメージをイメージ分析プログラムを用いて気孔の割合を分析することができる。例えば、ＩｍａｇｅＪプログラムを用いて気孔の割合を分析することができる。図１２及び図１３は、それぞれ図１０及び図１１のイメージをＩｍａｇｅＪプログラムを用いて気孔の割合を分析したものである。図１２及び図１３のように、気孔は黒色で表され、黒色が占める面積割合を測定することにより気孔の割合を確認することができる。図１２の場合、気孔の割合が０．３８面積％と測定され、図１３の場合、気孔の割合が０．０９面積％と測定された。

また、図１０のサンプルチップ、図１１のサンプルチップに対する高温信頼性及び耐湿信頼性を評価した結果、高温信頼性は類似のレベルであったが、耐湿信頼性は図１１のサンプルチップが優れていることを確認した。

耐湿信頼性は、温度８５℃、相対湿度８５％において、４Ｖの電圧を１２時間印加して絶縁抵抗値が初期の数値に比べて１／１０以下に低くなったサンプルチップを「不良」と判断し、図１０のサンプルチップは、総４００個のうち１０個のサンプルチップが耐湿信頼性が「不良」と判別されたが、図１１のサンプルチップは総４００個のうち０個のサンプルチップが「不良」と判別された。

一実施形態において、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１は、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）をＢａＴｉＯ_３１００モルに対して３０モル以上３００モル以下含むことができる。

（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）が ＢａＴｉＯ_３１００モルに対して３０モル未満である場合には、高温信頼性の向上効果が不十分であるおそれがあり、３００モルを超える場合には、誘電率が低下するおそれがある。より好ましくは、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１は、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）をＢａＴｉＯ_３１００モルに対して８０モル以上２２０モル以下含むことができ、さらに好ましくは、ＢａＴｉＯ_３１００モルに対して１００モル以上１５０モル以下含むことができる。

一実施形態において、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を主成分とする結晶粒を第１結晶粒Ｇ１、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする結晶粒を第２結晶粒Ｇ２とするとき、上記容量形成部の誘電体層１１１は第１結晶粒Ｇ１及び第２結晶粒Ｇ２を含み、上記カバー部１１２、１１３は第２結晶粒Ｇ２を含むことができる。ここで、カバー部１１２、１１３は、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含まないため、第１結晶粒Ｇ１を含まないことができる。ここで、主成分とは、主成分１００モルに対して主成分を除いた残りの成分のモル数が３０モル以下であることを意味することができる。

一実施形態において、第１結晶粒Ｇ１の平均サイズは、第２結晶粒Ｇ２の平均サイズより大きいことができる。ＢＣＴ粉末がＢＴ粉末よりも大きいため、焼結後にも（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を主成分とする結晶粒である第１結晶粒Ｇ１のサイズが第２結晶粒Ｇ２のサイズより大きいことができ、このようなサイズの差により気孔Ｐが形成されることができる。

一実施形態において、第１結晶粒Ｇ１の平均サイズは２１０～３４０ｎｍであり、第２結晶粒Ｇ２の平均サイズは１６０～２９０ｎｍであることができる。

第１結晶粒Ｇ１及び第２結晶粒Ｇ２のサイズ（Ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）は、結晶粒の結晶粒界の或る地点から他の地点に直線を引いたとき、最大値を有する線を長軸、上記長軸に直交する直線のうち最大値を有するものを短軸とし、上記長軸と短軸の平均値を結晶粒のサイズとすることができる。５００個以上の結晶粒のサイズを平均した値を誘電体結晶粒の平均粒径とすることができる。

第１結晶粒Ｇ１及び第２結晶粒Ｇ２のサイズ（Ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）は、本体１１０の幅及び厚さ方向（Ｗ－Ｔ）の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンして得られた画像イメージから測定することができる。このとき、倍率は結晶粒のサイズに応じて異ならせることができ、５００個以上の結晶粒のサイズが測定可能なように倍率を調節することができる。但し、一つの画像イメージに５００個以上の結晶粒が含まれるように倍率を調節して測定する必要はなく、複数の画像イメージに含まれた結晶粒の総個数が５００個以上になるように倍率を調節し、複数の画像イメージから測定することができる。

誘電体層の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。例えば、誘電体層の平均厚さｔｄは０．５～３μｍであってもよい。

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の平均厚さを意味することができる。

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。

内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

図３を参照すると、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４において一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３において一定距離離隔して形成されることができる。また、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、本体１１０の第５面及び第６面と離隔して配置されることができる。

このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。例えば、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、０．６μｍ以上２．０μｍ以下であってもよい。

内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結された第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。

図１を参照すると、外部電極１３１、１３２は、サイドマージン部１１４、１１５の第２方向の両端面を覆うように配置されることができる。

本実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように、電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに多層構造を有してもよい。

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に形成されためっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

電極層１３１ａ、１３２ａに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。なお、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びそれらの合金のうち一つ以上であってもよい。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂはＮｉめっき層またはＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

セラミック電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

但し、本発明は、高温信頼性が特に要求される製品のサイズである１６０８（長さ×幅、１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）以上のサイズを有するセラミック電子部品１００に好適に適用することができる。

製造誤差、外部電極のサイズ等を考慮すると、セラミック電子部品１００の長さが１．５４ｍｍ以上、幅が０．７２ｍｍ以上である場合に好適に適用することができる。ここで、セラミック電子部品１００の長さはセラミック電子部品１００の第２方向の最大サイズを意味し、セラミック電子部品１００の幅はセラミック電子部品１００の第３方向の最大サイズを意味することができる。

図６は、本発明の一実施形態によるセラミック電子部品１００'の斜視図を概略的に示す図であり、図７は、図６のＩＩＩ－ＩＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示す図である。

以下、図６及び図７を参照して、本発明の一実施形態によるセラミック電子部品１００'について詳細に説明する。但し、上述した説明と重複する内容は省略する。

本発明の一実施形態によるセラミック電子部品１００'は、誘電体層１１１及び上記誘電体層を間に挟んで互いに第１方向に交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み、上記第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面及び上記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面３及び第４面４、上記第１面～上記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面５及び第６面６を含む本体１１０'と、上記第３面に配置され、上記第１内部電極と連結される第１外部電極１３１と、上記第４面に配置され、上記第２内部電極と連結される第２外部電極１３２と、を含み、上記本体は、上記第１内部電極及び上記第２内部電極を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃ、上記容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部１１２'、１１３'、及び上記容量形成部の第３方向の両端面に配置されるマージン部１１４'、１１５'を含み、上記容量形成部の誘電体層１１１はＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含み、上記マージン部１１４'、１１５'はＢａＴｉＯ_３を含み、上記本体の第１及び第３方向の断面において、上記マージン部１１４'、１１５'のうち気孔Ｐが占める面積割合をＳ３、上記容量形成部Ａｃの誘電体層１１１のうち気孔Ｐが占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ３＜Ｓ２を満たすことができる。

本体の外部を構成するマージン部１１４'，１１５'を、Ｃａが固溶したチタン酸バリウム（ＢＣＴ、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３）とチタン酸バリウム（ＢＴ、ＢａＴｉＯ_３）とを混合した母材粉末を適用して形成する場合、マージン部１１４'、１１５'に気孔が多くなり緻密度が低下する可能性があり、マージン部１１４'、１１５'の気孔が水分の浸透経路として作用して耐湿信頼性が低下する可能性がある。

すなわち、本体１１０'の全体を、Ｃａが固溶したチタン酸バリウム（ＢＣＴ、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３）とチタン酸バリウム（ＢＴ、ＢａＴｉＯ_３）とを混合した母材粉末を適用して形成する場合、ＴＣＣは改善できるものの、耐湿信頼性は低下する可能性がある。

したがって、本発明の一実施形態では、マージン部１１４'、１１５'にはＢａＴｉＯ_３を含ませてマージン部１１４'、１１５'の気孔率を下げ、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１にはＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含ませることにより、高温信頼性を確保するとともに耐湿信頼性を確保している。

このとき、マージン部１１４'、１１５'はＢａＴｉＯ_３を含み、且つ（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３は含まなくてもよい。マージン部１１４'、１１５'は、ＢａＴｉＯ_３を主成分として含むことができ、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１は、ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を主成分として含むことができる。

本体１１０'の第１方向及び第３方向の断面において、マージン部１１４'，１１５'のうち気孔Ｐが占める面積割合をＳ３、上記容量形成部の誘電体層のうち気孔が占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ３＜Ｓ２を満たすことができる。 Ｓ３＜Ｓ２を満たすことによって、マージン部１１４'、１１５'の緻密度を向上させて水分の浸透経路を遮断し、耐湿信頼性を向上させることができる。

一実施形態において、上記Ｓ３は０．２面積％以下であり、上記Ｓ２は０．２面積％超過０．４面積％以下であることができる。Ｓ３が０．２面積％を超える場合には、耐湿信頼性の向上効果が不十分である可能性があり、Ｓ２が０．２面積％以下である場合には、高温信頼性の向上効果が不十分である可能性がある。Ｓ３は、上述したＳ１及びＳ２と同様の方法で測定することができる。

一実施形態において、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を主成分とする結晶粒を第１結晶粒Ｇ１、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする結晶粒を第２結晶粒Ｇ２とするとき、容量形成部の誘電体層１１１は第１結晶粒Ｇ１及び第２結晶粒Ｇ２を含み、マージン部１１４'、１１５'は第２結晶粒Ｇ２を含むことができる。すなわち、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１は、図４に示す誘電体結晶粒の形態を有することができ、マージン部１１４'、１１５'は、図５に示す誘電体結晶粒の形態を有することができる。

図８は、本発明の一実施形態によるセラミック電子部品１００''の斜視図を概略的に示す図であり、図９は、図８のＩＶ－ＩＶ'線に沿った断面図を概略的に示す図である。

図８及び図９に示すように、本発明の一実施形態によると、容量形成部の誘電体層１１１は、ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含み、カバー部１１２''、１１３''及びマージン部１１４''、１１５''は、ＢａＴｉＯ_３を含むことができる。

本体１１０''の外部を構成するカバー部１１２''、１１３''及びマージン部１１４''、１１５''がいずれもＢａＴｉＯ_３を含むことにより、カバー部 １１２''、１１３''及びマージン部１１４''、１１５''の気孔率を下げて、耐湿信頼性をより向上させることができる。カバー部１１２''、１１３''及びマージン部１１４''、１１５''は、ＢａＴｉＯ_３を主成分として含むことができるが、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）は含まなくてもよい。このとき、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１は、図４に示す誘電体結晶粒の形態を有することができ、カバー部１１２''、１１３''及びマージン部１１４''、１１５''は、図５に示す誘電体結晶粒の形態を有することができる。

一実施形態において、本体１１０''の第１及び第３方向の断面において、カバー部１１２''、１１３''のうち気孔が占める面積割合をＳ１とするとき、Ｓ１＜Ｓ２を満たすことができる。このとき、上記Ｓ１及びＳ３は０．２面積％以下であり、上記Ｓ２は０．２面積％超過０．４面積％以下であることができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

また、本発明で使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明した事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に係る説明と理解することができる。

本発明で使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
本明細書によれば、以下の各項目もまた開示される。
［項目１］
誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで互いに第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、前記第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面に配置され、前記第１内部電極と連結される第１外部電極と、
前記第４面に配置され、前記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、
前記本体は、前記第１内部電極及び前記第２内部電極を含んで容量が形成される容量形成部、及び前記容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部を含み、
前記容量形成部の誘電体層は、ＢａＴｉＯ _３ 及び（Ｂａ _１－ｘ Ｃａ _ｘ ）ＴｉＯ _３ （０．０１≦ｘ≦０．１５）を含み、前記カバー部はＢａＴｉＯ _３ を含み、
前記本体の第１方向及び第３方向の断面において、前記カバー部のうち気孔が占める面積割合をＳ１、前記容量形成部の誘電体層のうち気孔が占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ１＜Ｓ２を満たす、セラミック電子部品。
［項目２］
前記Ｓ１は０．２面積％以下であり、
前記Ｓ２は０．２面積％超過０．４面積％以下である、項目１に記載のセラミック電子部品。
［項目３］
前記カバー部は（Ｂａ _１－ｘ Ｃａ _ｘ ）ＴｉＯ _３ （０．０１≦ｘ≦０．１５）を含まない、項目１に記載のセラミック電子部品。
［項目４］
前記容量形成部の誘電体層は、（Ｂａ _１－ｘ Ｃａ _ｘ ）ＴｉＯ _３ （０．０１≦ｘ≦０．１５）をＢａＴｉＯ _３ １００モルに対して３０モル以上３００モル以下含む、項目１に記載のセラミック電子部品。
［項目５］
（Ｂａ _１－ｘ Ｃａ _ｘ ）ＴｉＯ _３ （０．０１≦ｘ≦０．１５）を主成分とする結晶粒を第１結晶粒、ＢａＴｉＯ _３ を主成分とする結晶粒を第２結晶粒とするとき、前記容量形成部の誘電体層は第１結晶粒及び第２結晶粒を含み、
前記カバー部は第２結晶粒を含む、項目１から４の何れか１つに記載のセラミック電子部品。
［項目６］
前記第１結晶粒の平均サイズは、前記第２結晶粒の平均サイズより大きい、項目５に記載のセラミック電子部品。
［項目７］
前記第１結晶粒の平均サイズは２１０～３４０ｎｍであり、前記第２結晶粒の平均サイズは１６０～２９０ｎｍである、項目６に記載のセラミック電子部品。
［項目８］
誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで互いに第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、前記第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面に配置され、前記第１内部電極と連結される第１外部電極と、
前記第４面に配置され、前記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、
前記本体は、前記第１内部電極及び前記第２内部電極を含んで容量が形成される容量形成部、前記容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部、及び前記容量形成部の第３方向の両端面に配置されるマージン部を含み、
前記容量形成部の誘電体層はＢａＴｉＯ _３ 及び（Ｂａ _１－ｘ Ｃａ _ｘ ）ＴｉＯ _３ （０．０１≦ｘ≦０．１５）を含み、前記マージン部はＢａＴｉＯ _３ を含み、
前記本体の第１方向及び第３方向の断面において、前記マージン部のうち気孔が占める面積割合をＳ３、前記容量形成部の誘電体層のうち気孔が占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ３＜Ｓ２を満たす、セラミック電子部品。
［項目９］
前記Ｓ３は０．２面積％以下であり、
前記Ｓ２は０．２面積％超過０．４面積％以下である、項目８に記載のセラミック電子部品。
［項目１０］
前記マージン部は（Ｂａ _１－ｘ Ｃａ _ｘ ）ＴｉＯ _３ （０．０１≦ｘ≦０．１５）を含まない、項目８に記載のセラミック電子部品。
［項目１１］
前記容量形成部の誘電体層は、（Ｂａ _１－ｘ Ｃａ _ｘ ）ＴｉＯ _３ （０．０１≦ｘ≦０．１５）をＢａＴｉＯ _３ １００モルに対して３０モル以上３００モル以下含む、項目８に記載のセラミック電子部品。
［項目１２］
（Ｂａ _１－ｘ Ｃａ _ｘ ）ＴｉＯ _３ （０．０１≦ｘ≦０．１５）を主成分とする結晶粒を第１結晶粒、ＢａＴｉＯ _３ を主成分とする結晶粒を第２結晶粒とするとき、
前記容量形成部の誘電体層は第１結晶粒及び第２結晶粒を含み、
前記マージン部は第２結晶粒を含む、項目８から１１の何れか１つに記載のセラミック電子部品。
［項目１３］
前記第１結晶粒の平均サイズは、前記第２結晶粒の平均サイズより大きい、項目１２に記載のセラミック電子部品。
［項目１４］
前記第１結晶粒の平均サイズは２１０～３４０ｎｍであり、前記第２結晶粒の平均サイズは１６０～２９０ｎｍである、項目１３に記載のセラミック電子部品。
［項目１５］
前記カバー部はＢａＴｉＯ _３ を含み、
前記本体の第１方向及び第３方向の断面において、前記カバー部のうち気孔が占める面積割合をＳ１とするとき、Ｓ１＜Ｓ２を満たす、項目８に記載のセラミック電子部品。
［項目１６］
前記Ｓ１及びＳ３は０．２面積％以下であり、
前記Ｓ２は０．２面積％超過０．４面積％以下である、項目１５に記載のセラミック電子部品。

１００：セラミック電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：めっき層

Claims (14)

1. 誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで互いに第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、前記第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
   前記第３面に配置され、前記第１内部電極と連結される第１外部電極と、
   前記第４面に配置され、前記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、
   前記本体は、前記第１内部電極及び前記第２内部電極を含んで容量が形成される容量形成部、及び前記容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部を含み、
   前記容量形成部の誘電体層は、ＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含み、前記カバー部はＢａＴｉＯ_３を含み、
   前記本体の第１方向及び第３方向の断面において、前記カバー部のうち気孔が占める面積割合をＳ１、前記容量形成部の誘電体層のうち気孔が占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ１＜Ｓ２を満たし、
   前記Ｓ１は０．２面積％以下であり、
   前記Ｓ２は０．２面積％超過０．４面積％以下である、セラミック電子部品。
2. 前記カバー部は（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含まない、請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記容量形成部の誘電体層は、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）をＢａＴｉＯ_３１００モルに対して３０モル以上３００モル以下含む、請求項１に記載のセラミック電子部品。
4. （Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を主成分とする結晶粒を第１結晶粒、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする結晶粒を第２結晶粒とするとき、前記容量形成部の誘電体層は第１結晶粒及び第２結晶粒を含み、
   前記カバー部は第２結晶粒を含む、請求項１から３の何れか１つに記載のセラミック電子部品。
5. 前記第１結晶粒の平均サイズは、前記第２結晶粒の平均サイズより大きい、請求項４に記載のセラミック電子部品。
6. 前記第１結晶粒の平均サイズは２１０～３４０ｎｍであり、前記第２結晶粒の平均サイズは１６０～２９０ｎｍである、請求項５に記載のセラミック電子部品。
7. 誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで互いに第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、前記第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
   前記第３面に配置され、前記第１内部電極と連結される第１外部電極と、
   前記第４面に配置され、前記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、
   前記本体は、前記第１内部電極及び前記第２内部電極を含んで容量が形成される容量形成部、前記容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部、及び前記容量形成部の第３方向の両端面に配置されるマージン部を含み、
   前記容量形成部の誘電体層はＢａＴｉＯ_３及び（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含み、前記マージン部はＢａＴｉＯ_３を含み、
   前記本体の第１方向及び第３方向の断面において、前記マージン部のうち気孔が占める面積割合をＳ３、前記容量形成部の誘電体層のうち気孔が占める面積割合をＳ２とするとき、Ｓ３＜Ｓ２を満たし、
   前記Ｓ３は０．２面積％以下であり、
   前記Ｓ２は０．２面積％超過０．４面積％以下である、セラミック電子部品。
8. 前記マージン部は（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を含まない、請求項７に記載のセラミック電子部品。
9. 前記容量形成部の誘電体層は、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）をＢａＴｉＯ_３１００モルに対して３０モル以上３００モル以下含む、請求項７に記載のセラミック電子部品。
10. （Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０．０１≦ｘ≦０．１５）を主成分とする結晶粒を第１結晶粒、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする結晶粒を第２結晶粒とするとき、
    前記容量形成部の誘電体層は第１結晶粒及び第２結晶粒を含み、
    前記マージン部は第２結晶粒を含む、請求項７から９の何れか１つに記載のセラミック電子部品。
11. 前記第１結晶粒の平均サイズは、前記第２結晶粒の平均サイズより大きい、請求項１０に記載のセラミック電子部品。
12. 前記第１結晶粒の平均サイズは２１０～３４０ｎｍであり、前記第２結晶粒の平均サイズは１６０～２９０ｎｍである、請求項１１に記載のセラミック電子部品。
13. 前記カバー部はＢａＴｉＯ_３を含み、
    前記本体の第１方向及び第３方向の断面において、前記カバー部のうち気孔が占める面積割合をＳ１とするとき、Ｓ１＜Ｓ２を満たす、請求項７に記載のセラミック電子部品。
14. 前記Ｓ１は０．２面積％以下である、請求項１３に記載のセラミック電子部品。

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