JP2024119036A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】積層型電子部品の信頼性を向上させ、誘電体層の緻密化を実現しながらも優れた信頼性を有する積層型電子部品を提供する。【解決手段】積層型電子部品において、誘電体層１１１は、Ａｌを含む第１アクセプタ元素と、Ｍｇ、Ｍｎ及びＶの少なくとも１つ以上を含む第２アクセプタ元素と、Ｔｉと、を含み、誘電体層１１１に含まれたＴｉ １００モルに対する第１アクセプタ元素のモル数をＡ１、第２アクセプタ元素のモル数をＴ１と定義するとき、０．４モル≦Ａ１＜０．６モル及び０．４４≦Ａ１／（Ａ１＋Ｔ１）＜０．５５を満たし、誘電体層１１１及びカバー部１１２、１１３は、複数の誘電体結晶粒を含み、カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ２）に対する上記誘電体層に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ１）に関する割合（Ｇ１／Ｇ２）は、１．００≦Ｇ１／Ｇ２＜１．５０を満たす。【選択図】図３

Description

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

かかる積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子機器の部品として用いられることができる。コンピュータ、モバイル機器などの各種電子機器が小型化、高出力化されながら、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化の要求が増大している。

一方、ＩＴ用ＭＬＣＣだけでなく、自動車電装用ＭＬＣＣの市場が拡大するにつれて、同一容量帯で定格電圧が高く、信頼性に優れた製品の需要が増加している。ＭＬＣＣ誘電体組成物の添加剤元素の中で原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）、原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）である遷移金属元素、そして希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）が信頼性に及ぼす影響は既に広く知られており、一般的にこれらを含んだ誘電体添加元素の組成比の最適化により信頼性が良好な条件が選定されるようになる。ＢＭＥ（Ｂａｓｅ Ｍｅｔａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）ＭＬＣＣが産業化する間、信頼性を向上させるための組成最適化作業が持続的に進められてきた。しかしながら、同じ誘電体組成であっても、微細構造、添加剤元素の分布と固溶程度、そして工程条件によって信頼性に大きな差が発生する可能性があるため、最適な組成物設計が必要となる場合がある。

従来のＭＬＣＣ組成計では、酸素空孔欠陥濃度が高く、製品稼動の過酷温度条件で信頼性劣化が頻繁に発生したが、最近、この高温信頼性の寿命に影響を及ぼす酸素空孔の濃度を最小化する組成設計により信頼性劣化抑制を実現しようとする研究が進められている。これは、ＢａＴｉＯ_３にｄｏｎｏｒ ｄｏｐａｎｔの役割を果たす元素を添加することにより酸素空孔が満たされながら電子が発生する原理であり、ｎ－ｐ ｊｕｎｃｔｉｏｎ化抑制による信頼性劣化抑制方向として、組成のｎ－ｔｙｐｅ化として知られている。しかし、金属と酸化物の複合材料で構成されているＭＬＣＣの製品特性上、Ａｃｃｅｐｔｏｒの役割を果たすｄｏｐａｎｔ元素の添加が必須に伴われることが求められる。また、このＡｃｃｅｐｔｏｒ ｄｏｐａｎｔに分類される特定元素の場合、誘電体層の均一粒成長と緻密化に密接な関連があるため、これを適切な割合で調節して誘電体組成を構成する必要性がある。

韓国公開特許公報第１０－２０１５－００３６３３５号 韓国公開特許公報第１０－２０２２－００４４０９９号

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、最適な組成物設計により積層型電子部品の信頼性を向上させることである。

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、誘電体層の緻密化を実現しながらも優れた信頼性を有する積層型電子部品を提供することである。

但し、本発明が解決しようとする様々な課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記本体は、上記誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される上記内部電極を含む容量形成部と、上記容量形成部の第１方向の両端面にそれぞれ配置されるカバー部を含み、上記誘電体層は、Ａｌを含む第１アクセプタ元素、Ｍｇ、Ｍｎ、及びＶのうち１つ以上を含む第２アクセプタ元素、及びＴｉを含み、上記誘電体層に含まれたＴｉ １００モルに対する第１アクセプタ元素のモル数をＡ１、第２アクセプタ元素のモル数をＴ１と定義するとき、０．４モル≦Ａ１＜０．６モル及び０．４４≦Ａ１／（Ａ１＋Ｔ１）＜０．５５を満たし、上記誘電体層及びカバー部は複数の誘電体結晶粒を含み、上記カバー部に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ２）に対する上記誘電体層に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ１）に関する割合（Ｇ１／Ｇ２）は、１．００≦Ｇ１／Ｇ２＜１．５０を満たすことができる。

本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の高温信頼性に優れることである。

但し、本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程で、より容易に理解することができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。 内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものである。 図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。 図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。 （ａ）～（ｄ）は、サンプルチップの容量形成部をＳＥＭを用いて撮影したイメージである。 （ａ）～（ｄ）は、サンプルチップのカバー部をＳＥＭを用いて撮影したイメージである。 （ａ）～（ｃ）は、サンプルチップの高温信頼性の評価グラフである。

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。

尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、複数の誘電体層１１１及び複数の内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記本体１１０は、上記誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される上記内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向の両端面の少なくとも一つに配置されるカバー部１１２、１１３を含み、上記誘電体層１１１は、Ａｌを含む第１アクセプタ元素、Ｍｇ、Ｍｎ及びＶのうち一つ以上を含む第２アクセプタ元素、及びＴｉを含み、上記誘電体層１１１に含まれたＴｉ １００モルに対する第１アクセプタ元素のモル数をＡ１、第２アクセプタ元素のモル数をＴ１と定義するとき、０．４モル≦Ａ１＜０．６モル及び０．４４≦Ａ１／（Ａ１＋Ｔ１）＜０．５５を満たし、上記誘電体層１１１及びカバー部１１２、１１３は複数の誘電体結晶粒を含み、上記カバー部に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ２）に対する上記誘電体層に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ１）に関する割合（Ｇ１／Ｇ２）は、１．００≦Ｇ１／Ｇ２＜１．５０を満たすことができる。

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

より具体的には、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面３及び第４面４、第１面１から第４面４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面５及び第６面６を有することができる。

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、制限されない。一般的に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を用いることができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを用いることができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

ＭＬＣＣ誘電体組成物の添加剤元素の中で原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）、原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）である遷移金属元素、そして希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）が信頼性に及ぼす影響は既に広く知られており、一般的にこれらを含む誘電体添加元素組成比の最適化により信頼性が良好な条件が選定されるようになる。ＢＭＥ（Ｂａｓｅ Ｍｅｔａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）ＭＬＣＣが産業化する間、信頼性を向上させるための組成最適化作業が持続的に進められてきた。しかし、同じ誘電体組成であっても、微細構造、添加剤元素の分布と固溶程度、そして工程条件によって信頼性で大きな差が出ることがある。

より具体的には、現在のＸ５Ｒ、Ｘ７Ｒ、Ｘ８Ｒ、Ｙ５Ｖなどの高容量ＢＭＥ ＭＬＣＣの誘電体は、ＢａＴｉＯ_３母材あるいはＣａ、Ｚｒなどが一部固溶した（Ｂａ、Ｃａ）（Ｔｉ、Ｃａ）Ｏ_３、（Ｂａ、Ｃａ）（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ_３及びＢａ（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ_３などの母材に、Ｍｇ、Ａｌなどの原子価固定アクセプタとＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒなどのドナー（ｄｏｎｏｒ）役割を果たす希土類元素を一緒にドーピング（ｃｏ－ｄｏｐｉｎｇ）し、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒなどの原子価可変アクセプタ、そして余分のＢａ、そしてＳｉＯ_２あるいはこれを含む焼結助剤などの添加剤をさらに添加して焼結した材料に基づいている。還元雰囲気で焼成する場合に高容量ＭＬＣＣの正常的な容量及び絶縁特性を実現するためには、粒成長抑制及び耐還元性が実現しなければならず、Ｍｇのような原子価固定アクセプタを適正量添加することで、この２つの効果を実現することができると知られている。しかし、Ｍｇのような原子価固定アクセプタのみを添加する場合には誘電体の耐電圧特性と信頼性が良くなく、Ｍｎ及びＶのような原子価可変アクセプタである遷移金属元素と希土類元素を一緒に添加することで耐電圧及び信頼性向上効果を得ることができるようになる。上述のように、これらの元素はほとんど一緒にドーピング（ｃｏ－ｄｏｐｉｎｇ）されており、ＢａＴｉＯ_３母材結晶粒のシェル（ｓｈｅｌｌ）領域に固溶してコア－シェル（ｃｏｒｅ－ｓｈｅｌｌ）構造を形成して、ＭＬＣＣの温度に応じた安定した容量特性と信頼性を実現することができる。したがって、これらの添加剤元素が２次相に含まれたまま偏析（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）せずにシェル（ｓｈｅｌｌ）領域のＢａＴｉＯ_３結晶格子に固溶が良くなってこそ信頼性が良好であると予想できる。

従来のＭＬＣＣ組成計では、酸素空孔欠陥濃度が高く、製品稼動の過酷温度条件で信頼性劣化が頻繁に発生したが、最近、この高温信頼性寿命に影響を及ぼす酸素空孔の濃度を最小化する組成設計により信頼性劣化抑制を実現しようとする研究が進められている。これは、ＢａＴｉＯ_３でｄｏｎｏｒ ｄｏｐａｎｔの役割を果たす元素を添加することにより酸素空孔が満たされながら電子が発生する原理であり、ｎ－ｐ ｊｕｎｃｔｉｏｎ化抑制による信頼性劣化抑制方向として、組成のｎ－ｔｙｐｅ化として知られている。しかし、金属と酸化物の複合材料で構成されているＭＬＣＣの製品特性上、Ａｃｃｅｐｔｏｒ役割を果たすｄｏｐａｎｔ元素の添加が必須に伴われることが求められる。また、このＡｃｃｅｐｔｏｒ ｄｏｐａｎｔに分類される特定元素の場合、誘電体層の均一粒成長と緻密化に密接した関連があり、これを適切な割合で調節して誘電体組成を構成する必要性がある。

本発明において、アクセプタ元素はＡｌ、Ｍｇ、Ｍｎ及びＶを含むことができ、Ａｌを含むアクセプタ元素を第１アクセプタ元素、Ｍｇ、Ｍｎ及びＶを含むアクセプタ元素を第２アクセプタ元素と定義することができる。但し、特にこれに制限されるものではなく、第１アクセプタ元素及び第２アクセプタ元素は他のアクセプタ元素をさらに含むことができる。但し、第１アクセプタ元素及び第２アクセプタ元素は、互いに異なる要素を含む。

本発明の一実施形態によると、容量形成部Ａｃに含まれた誘電体層１１１は、Ａｌを含む第１アクセプタ元素、Ｍｇ、Ｍｎ及びＶのうち１つ以上を含む第２アクセプタ元素及びＴｉを含むことができ、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１に含まれたＴｉ １００モルに対する第１アクセプタ元素のモル数をＡ１、第２アクセプタ元素のモル数をＴ１と定義するとき、０．４モル≦Ａ１＜０．６モル及び０．４４≦Ａ１／（Ａ１＋Ｔ１）＜０．５５を満たすことができる。

誘電体組成物でＡｃｃｅｐｔｏｒ役割を果たす元素の割合を０．４モル≦Ａ１＜０．６モル及び０．４４≦Ａ１／（Ａ１＋Ｔ１）＜０．５５を満たすように調節することにより、ｄｏｎｏｒ－ｒｉｃｈな組成を設計することができ、これにより誘電体層の緻密化を実現しながらも優れた高温信頼性を有する積層型電子部品を提供することができる。

容量形成部Ａｃの誘電体層１１１に含まれたＡ１のモル数が０．６モル以上であるか、Ａ１／（Ａ１＋Ｔ１）の割合が０．５５以上である場合、酸素空孔濃度上昇による、高温信頼性が劣化するおそれがあり、Ａ１のモル数が０．４モル未満であるか、またはＡ１／（Ａ１＋Ｔ１）の割合が０．４４未満の場合、ｎ－ｔｙｐｅ化による電気導電度は向上することができるが、誘電体組成物の粒成長を抑制して気孔率（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）が増加して緻密性及び耐湿信頼性が劣化するおそれがあり、誘電特性が低下する問題点が発生する可能性がある。

このとき、誘電体層１１１及び後述するカバー部１１２、１１３は、複数の誘電体結晶粒を含むことができ、カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ２）に対する誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ１）に関する割合（Ｇ１／Ｇ２）は、１．００≦Ｇ１／Ｇ２＜１．５０を満たすことができる。

カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ２）に対する誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ１）に関する割合（Ｇ１／Ｇ２）が１．００≦Ｇ１／Ｇ２＜１．５０を満たすことで、目標とする誘電容量特性を達成することができ、耐湿信頼性により優れることができる。

一方、誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ１）は、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることができ、好ましくは１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることができる。

誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさを測定する方法は特に制限されない。

例えば、本体の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として中央領域に位置する誘電体層が観察されることができるように、ＳＥＭによって５μｍ×３μｍ（横×縦）大きさのイメージを得た後、該当領域に存在する誘電体結晶粒の大きさを測定して求めることができる。

誘電体結晶粒の大きさは、一結晶粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）から他の結晶粒界までの最も長い直線の大きさに該当することができ、誘電体結晶粒の平均大きさは、上述の方法で測定した各誘電体結晶粒の大きさを平均した値を意味することができる。

誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であることができ、好ましくは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向の大きさを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。

誘電体層１１１の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの誘電体層１１１の第１方向の平均大きさは、スキャンされたイメージにおいて１つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向の大きさを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されることができる。

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

より具体的には、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されずに第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層した後、焼成して形成されることができる。

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気導電性に優れた材料を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができ、本発明はこれに限定されるものではない。

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の大きさを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさを意味することができる。

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの内部電極の第１方向の平均大きさは、スキャンされたイメージにおいて１つの内部電極を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向の大きさを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

一方、本発明の一実施形態において、複数の誘電体層１１１の少なくとも１つの平均厚さｔｄと複数の内部電極１２１、１２２の少なくとも１つの平均厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。

換言すると、誘電体層１１１の１つの平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の１つの平均厚さｔｅの２倍よりもさらに大きいことができる。好ましくは、複数の誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりもさらに大きいことができる。

一般的に、高電圧電場用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）の低下による信頼性問題が主なイシューである。

そこで、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防ぐために、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりもさらに大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄くなり、絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。

高電圧電子部品において、内部電極の平均厚さｔｅは１μｍ以下であることができ、誘電体層の平均厚さｔｄは３．０μｍ以下であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

また、カバー部１１２、１１３の誘電体層を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

本発明の一実施形態によると、カバー部１１２、１１３に含まれた誘電体層１１１は、Ａｌを含む第１アクセプタ元素、Ｍｇ、Ｍｎ及びＶのうち１つ以上を含む第２アクセプタ元素及びＴｉを含むことができ、カバー部１１２、１１３の誘電体層１１１に含まれたＴｉ １００モルに対する第１アクセプタ元素のモル数をＡ２と定義するとき、Ａ２ ≦０．５０モルを満たすことができ、第２アクセプタ元素のモル数をＴ２と定義するとき、Ａ２／（Ａ２＋Ｔ２）＜０．３０を満たすことができる。

本発明において、カバー部１１２、１１３の誘電体層に含まれるアクセプタ元素は、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１に含まれるアクセプタ元素、より具体的には誘電体層１１１の第１アクセプタ元素及び第２アクセプタ元素と同じ第１アクセプタ元素及び第２アクセプタ元素を含むことができる。

なお、カバー部１１２、１１３に対する説明は、特に断りのない限り、第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３のそれぞれに対する説明を意味することができ、また第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３の全てを含んで説明することを意味することができる。

カバー部１１２、１１３に含まれたＡ２のモル数が０．５０モル超過であるか、Ａ２／（Ａ２＋Ｔ２）の割合が０．３０以上の場合、誘電体組成物の粒成長を抑制して気孔率（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）が増加して、緻密性及び耐湿信頼性が劣化するおそれがあり、これを克服するために焼結温度を上げると、機械的特性が低下してクラック（ｃｒａｃｋ）などが発生する問題点が発生する可能性がある。

一方、カバー部１１２、１１３は複数の誘電体結晶粒を含むことができ、カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ２）は１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることができ、好ましくは、１８０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下であることができる。

カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさを測定する方法は特に制限されず、上述した容量形成部Ａｃの誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさを測定する方法と同一であることができる。

本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさ標準偏差（ｓｔｄｅｖ２）に対する容量形成部Ａｃの誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさ標準偏差（ｓｔｄｅｖ１）に関する割合（ｓｔｄｅｖ１／ｓｔｄｅｖ２）は、１．４５≦ｓｔｄｅｖ１／ｓｔｄｅｖ２＜２．１０を満たすことができる。

カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさ標準偏差（ｓｔｄｅｖ２）に対する容量形成部Ａｃの誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさ標準偏差（ｓｔｄｅｖ１）に関する割合（ｓｔｄｅｖ１／ｓｔｄｅｖ２）は、１．４５≦ｓｔｄｅｖ１／ｓｔｄｅｖ２＜２．１０を満たすことで、均一な大きさの誘電体結晶粒を形成することができ、これにより積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

本発明の一実施形態において、複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ）に対する複数の誘電体結晶粒の大きさ標準偏差（ｓｔｄｅｖ）に関する割合（ｓｔｄｅｖ／Ｇ）を変動係数（ＣＶ）と定義するとき、カバー部１１２、１１３の変動係数（ＣＶ２）値に対する容量形成部Ａｃに含まれた誘電体層１１１の変動係数（ＣＶ１）値に関する割合（ＣＶ１／ＣＶ２）は、１．４０≦ＣＶ１／ＣＶ２＜１．５１を満たすことができる。

カバー部１１２、１１３の変動係数（ＣＶ２）値に対する容量形成部Ａｃに含まれた誘電体層１１１の変動係数（ＣＶ１）値に関する割合（ＣＶ１／ＣＶ２）は、１．４０≦ＣＶ１／ＣＶ２＜１．５１を満たすことで、均一な大きさの誘電体結晶粒を形成することができ、これにより積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましく２０μｍ以下であることができる。

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを意味することができる。なお、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさを意味することができる。

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、１つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向の大きさを測定して計算した平均値を意味することができる。

なお、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均大きさと実質的に同じ大きさを有することができる。

一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

より具体的には、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成されるところを除いて導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

また、サイドマージン部１１４、１１５の誘電体層を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するためにサイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましくは２０μｍ以下であることができる。

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさを意味することができる。

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、１つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔の１０個の地点で第３方向の大きさを測定して計算した平均値を意味することができる。

本発明の一実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更されることができる。

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

より具体的には、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気導電性を有するものであれば、どのような物質を用いても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して、具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ及び電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができる。

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極であるか、第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。

ここで、第１導電性金属は第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を意味することができ、第２導電性金属は第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を意味することができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は同一または異なることができ、同じ金属物質を含むことができるが、特にこれに制限されるものではない。

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であることができる。

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として電気導電性に優れた材料を用いることができ、例えば、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、ガラスを含むことにより本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより反り強度を向上させる役割を果たすことができる。

第１電極層１３１ａ、１３２ａに用いられる導電性金属は、静電容量形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された１つ以上を含むことができる。第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成されることができる。

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択された１つ以上を含むことができる。

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１つ以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子が混合された形態であることもできる。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ割合（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子は、平らでありながら細長い形態を有する粒子を意味し、特に制限されるものではないが、例えば長軸と短軸の長さ割合（長軸／短軸）が１．９５以上であることができる。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてスキャンして得られたイメージから測定することができる。

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作ることができるものであれば、特に制限されず、例えばエポキシ系樹脂を含むことができる。

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、ＮｉまたはＣｕなどの高融点の金属粒子を毛細管現象によって濡らせるようになり、Ａｇ、ＮｉまたはＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、ＮｉまたはＣｕは金属粒子の形態で残るようになる。

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち１つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち１つ以上を含むことができる。

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであることができ、複数層で形成されることができる。

めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃはＮｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができる。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付された図面によって限定されるものではなく、添付された特許請求の範囲によって限定しようとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属するといえる。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、これは本発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

（実施例）
下記の表１は、容量形成部の誘電体層に含まれた第１アクセプタ元素及び第２アクセプタ元素の添加モル数を異ならせて添加したとき、カバー部に対する容量形成部の誘電体結晶粒の平均大きさの割合、誘電体結晶粒の大きさ標準偏差の割合及び変動係数の割合を示した値である。

Ａ１は、容量形成部の誘電体層に含まれたＴｉ １００モルに対する第１アクセプタ元素のモル数に該当し、第１アクセプタ元素はＡｌ元素に該当する。

Ｔ１は、容量形成部の誘電体層に含まれたＴｉ １００モルに対する第２アクセプタ元素のモル数に該当し、第２アクセプタ元素はＭｇ、Ｍｎ、及びＶのうち１つ以上の元素に該当する。

Ｇ１は容量形成部の誘電体層に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさを測定した値であり、Ｇ２はカバー部に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさを測定した値である。

カバー部に含まれたＴｉ １００モルに対する第１アクセプタ元素のモル数（Ａ２）は０．５０モル以下であり、カバー部に含まれたＴｉ １００モルに対する第２アクセプタ元素のモル数（Ｔ２）との関係はＡ２／（Ａ２＋Ｔ２）≦０．３０を満たした。

図５～図７は、試験例の容量形成部の誘電体層、カバー部、及び過酷信頼性の評価を行ったグラフである。

より具体的には、図５の（ａ）～図５の（ｄ）は、それぞれ試験例１～試験例４の容量形成部をＳＥＭを介して撮影したイメージであり、誘電体結晶粒を抽出してプログラムを介して確認が容易になるように表示したものである。

図６の（ａ）～図６の（ｄ）は、それぞれ試験例１～試験例４のカバー部をＳＥＭを介して撮影したイメージであり、誘電体結晶粒を抽出してプログラムを介して確認が容易になるように表示したものである。

図７の（ａ）～図７の（ｃ）は、それぞれ試験例１～試験例３の過酷信頼性の評価（ＨＡＬＴ、Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｅｓｔ）を行ったグラフである。

各試験例当たり４０個のサンプルチップを製作し、試験例毎に４０個のサンプルチップを温度条件１０５℃、電圧条件１５Ｖで６０時間印加して初期絶縁抵抗（ＩＲ０）値１０^９Ωを基準に絶縁抵抗（ＩＲ）値が１０^４Ω以下に落ちたサンプルチップを不良と評価してカウントし、１０^４Ω以下に落ちなかったサンプルチップを正常と評価した。

試験例１の場合、４０個のサンプルチップのうち３０個のサンプルチップが不良と評価され、試験例２の場合、４０個のサンプルチップのうち１１個のサンプルチップが不良と評価され、試験例３の場合、４０個のサンプルチップのうち７個のサンプルチップが不良であると評価された。

試験例１から試験例４に進むほど、容量形成部の誘電体層に含まれた第１アクセプタ元素の含有量が少なくなり、誘電体結晶粒の大きさも少なくなることが確認でき、少ない含有量の第１アクセプタ元素によってもｎ－ｔｙｐｅ化が進行して絶縁抵抗が改善され、結果的に過酷信頼性の評価時に、サンプルチップの故障頻度数が減少する傾向が現れることを確認することができる。

なお、本開示において用いられた「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

本開示で用いられた用語は、単に一実施形態を説明するために用いられたものであり、本開示を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ サイドマージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極

Claims (13)

1. 複数の誘電体層及び複数の内部電極を含む本体と、
   前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
   前記本体は、前記複数の誘電体層、及び前記複数の誘電体層と第１方向に交互に配置される前記複数の内部電極を含む容量形成部と、前記容量形成部の前記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含み、
   前記複数の誘電体層は、Ａｌを含む第１アクセプタ元素、Ｍｇ、Ｍｎ及びＶのうち１つ以上を含む第２アクセプタ元素、及びＴｉを含み、
   前記複数の誘電体層に含まれたＴｉ １００モルに対する前記第１アクセプタ元素のモル数をＡ１、前記第２アクセプタ元素のモル数をＴ１と定義するとき、０．４モル≦Ａ１＜０．６モル及び０．４４≦Ａ１／（Ａ１＋Ｔ１）＜０．５５を満たし、
   前記複数の誘電体層及びカバー部は、複数の誘電体結晶粒を含み、前記カバー部に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ２）に対する前記複数の誘電体層に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ１）に関する割合（Ｇ１／Ｇ２）は、１．００≦Ｇ１／Ｇ２＜１．５０を満たす、積層型電子部品。
2. 前記カバー部は、前記第１アクセプタ元素及びＴｉを含み、
   前記カバー部に含まれたＴｉ １００モルに対する第１アクセプタ元素のモル数をＡ２と定義するとき、Ａ２≦０．５０モルを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
3. 前記カバー部は前記第２アクセプタ元素を含み、
   前記カバー部に含まれたＴｉ １００モルに対する第２アクセプタ元素のモル数をＴ２と定義するとき、Ａ２／（Ａ２＋Ｔ２）＜０．３０を満たす、請求項２に記載の積層型電子部品。
4. 前記複数の誘電体層に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ１）は、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
5. 前記カバー部に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ２）は、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
6. 前記カバー部に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさ標準偏差（ｓｔｄｅｖ２）に対する前記複数の誘電体層に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさ標準偏差（ｓｔｄｅｖ１）に関する割合（ｓｔｄｅｖ１／ｓｔｄｅｖ２）は、１．４５≦ｓｔｄｅｖ１／ｓｔｄｅｖ２＜２．１０を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
7. 複数の誘電体結晶粒の平均大きさ（Ｇ）に対する複数の誘電体結晶粒の大きさ標準偏差（ｓｔｄｅｖ）に関する割合（ｓｔｄｅｖ／Ｇ）を変動係数（ＣＶ）と定義するとき、
   前記カバー部の変動係数（ＣＶ２）値に対する前記複数の誘電体層の変動係数（ＣＶ１）値に関する割合（ＣＶ１／ＣＶ２）は、１．４０≦ＣＶ１／ＣＶ２＜１．５１を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
8. 前記複数の誘電体層の少なくとも１つの平均厚さは３．０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
9. 前記複数の内部電極の少なくとも１つの平均厚さは１．０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
10. 前記複数の誘電体層の少なくとも一つの平均厚さをｔｄと定義し、前記複数の内部電極の少なくとも一つの平均厚さをｔｅと定義するとき、
    ２×ｔｅ＜ｔｄを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
11. 前記カバー部の前記第１方向の平均大きさは２０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
12. 前記外部電極は、前記本体の前記第１方向に垂直な第２方向に配置され、
    前記容量形成部の前記第１方向及び前記第２方向に垂直な第３方向の両端面に配置されるサイドマージン部をさらに含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
13. 前記サイドマージン部の前記第３方向の平均大きさは２０μｍ以下である、請求項１２に記載の積層型電子部品。