JP2024086531A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】耐湿信頼性及び温度特性を向上させ、低温焼成でも誘電体の緻密度を向上させる積層型電子部品を提供する。【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ、第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、第１面及び第２面と連結され第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、第１面～第４面と連結され第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含む本体１１０、第５面及び第６面に配置されるサイドマージン部１１４、１１５及び第３面及び第４面に配置される外部電極を含み、容量形成部に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＡ、サイドマージン部に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＭとすると０．４３６＜ＲＭ／ＲＡ＜０．９２０及び１．７５×１０－４＜ＲＡ＜９．１０×１０－４を満たす。【選択図】図５

Description

本発明は、積層型電子部品に関する。

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を達成するチップ型のコンデンサである。

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという長所により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。コンピュータ、モバイル機器など各種の電子機器が小型化、高出力化されることにより、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求も増大している。

積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化のためには、電極有効面積の極大化（容量実現に必要な有効体積分率の増加）が要求される。上記のように小型及び高容量の積層セラミックキャパシタを実現するためには、積層セラミックキャパシタを製造するにあたって、内部電極を本体の幅方向に露出させることで、マージンのない設計により内部電極の幅方向面積を極大化し、このような本体の製作後に焼成前の段階で本体の幅方向の電極露出面にサイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途付着した後、焼結する方法が適用されている。

サイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途付着する方法によりサイドマージン部を形成することで、キャパシタの単位体積容量は向上させることができるが、本体とサイドマージン部の界面を通じた外部からの水分浸透やめっき工程中のめっき液の浸透などにより、チップの寿命が短縮するか不良が発生する等の問題点が表れる可能性があるため、これを解決するための開発が要求されている。

より具体的に、サイドマージン部の形成過程において、本体とサイドマージン部が接触する界面に気孔（ｐｏｒｅ）が多く生成されて信頼性が低下するおそれがあり、上記気孔により電界集中が発生し、これにより絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）が低くなるという問題が発生し得る。また、本体とサイドマージン部の境界に界面接合部が発生することにより、接合力の低下及びこれによる耐湿信頼性の低下が引き起こされるか、上記気孔による焼結緻密度の低下により耐湿信頼性の低下が引き起こされるおそれがある。

また、焼成工程中に溶融点が異なる内部電極と誘電体層は、収縮率において差異が発生するが、このような収縮率の差異により積層型電子部品が実現しようとする様々な特性を達成し難い可能性がある。かかる収縮率の差異を最小化するためには、低い焼成温度における緻密化及び様々な特性が実現されることが必要である。

韓国公開特許公報第１０－２０１９－００６７６８３号

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、耐湿信頼性に優れた積層型電子部品を提供することである。

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、低温焼成でも誘電体の緻密度に優れた積層型電子部品を提供することである。

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、温度特性に優れた積層型電子部品を提供することである。

但し、本発明が解決しようとする様々な課題は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部と上記第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され第２方向に互いに向かい合う第３及び第４面、上記第１面～第４面と連結され第３方向に互いに向かい合う第５及び第６面を含む本体と、上記第５及び第６面に配置されるサイドマージン部と、上記第３及び第４面に配置される外部電極とを含み、上記容量形成部に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＡ、上記第１及び第２サイドマージン部に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＭと定義する時、０．４３６＜ＲＭ／ＲＡ＜０．９２０及び１．７５×１０^－４＜ＲＡ＜９．１０×１０^－４を満たすことができる。

本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の耐湿信頼性を向上させることである。

本発明の様々な効果の一つは、低温焼成でも誘電体の緻密度を向上させることである。

本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の温度特性を向上させることである。

但し、本発明の多様かつ有益な長所と効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。 図１の積層型電子部品における外部電極を除いて示した斜視図である。 図１の積層型電子部品における外部電極及びサイドマージン部を除いて示した斜視図である。 図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。 図１のＩＩ'－ＩＩ'線に沿った断面図である。 （ａ）は、比較例の容量形成部とサイドマージン部が接する界面をＳＥＭでスキャンした画像イメージであり、（ｂ）は、実施例の容量形成部とサイドマージン部が接する界面をＳＥＭでスキャンした画像イメージである。 （ａ）は、比較例の容量形成部をＳＥＭでスキャンした画像イメージであり、（ｂ）は、実施例の容量形成部をＳＥＭでスキャンした画像イメージである。

以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかしながら、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面で示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のため任意に示したため、本発明が必ずしも図示されたものに限定されるものではない。また、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

図面において、第１方向は積層方向または厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義されることができる。

［積層型電子部品］
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１の積層型電子部品における外部電極を除いて示した斜視図であり、図３は、図１の積層型電子部品における外部電極及びサイドマージン部を除いて示した斜視図であり、図４は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図５は、図１のＩＩ'－ＩＩ'線に沿った断面図である。

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳しく説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を用いる多様な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃと上記第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され第２方向に互いに向かい合う第３及び第４面３、４、上記第１～第４面１、２、３、４と連結され第３方向に互いに向かい合う第５及び第６面５、６を含む本体と、上記第５及び第６面５、６に配置されるサイドマージン部１１４、１１５と、上記第３及び第４面３、４に配置される外部電極１３１、１３２とを含み、上記容量形成部Ａｃに含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＡ、上記第１及び第２サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＭと定義する時、０．４３６＜ＲＭ／ＲＡ＜０．９２０及び１．７５×１０^－４＜ＲＡ＜９．１０×１０^－４を満たすことができる。

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体状またはこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面１、２、第１及び第２面１、２と連結され第２方向に互いに向かい合う第３及び第４面３、４、第１～第４面１、２、３、４と連結され第３方向に互いに向かい合う第５及び第６面５、６を有することができる。

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は、焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずには確認し難いほど一体化されることができる。

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、制限されない。一般的にペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１等が挙げられる。

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

一方、本発明において容量形成部Ａｃの誘電体層は、第１誘電体層と定義されることができ、焼成前の基準としては、第１セラミックグリーンシートと定義されることができる。サイドマージン部１１４、１１５に含まれる誘電体層は、第２誘電体層と定義されることができ、焼成前の基準としては、第２セラミックグリーンシートと定義されることができる。

誘電体層１１１の厚さｔｄは、特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向大きさを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向平均大きさを意味することができる。

誘電体層１１１の第１方向平均大きさは、本体１１０の第１及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向平均大きさをさらに一般化することができる。

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に積層されることができる。

内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに向い合うように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。

より具体的に、第１内部電極１２１は、第４面４と離隔し第３面３を通じて露出することができ、第２内部電極１２２は、第３面３と離隔し第４面４を通じて露出することができる。本体１１０の第３面３には、第１外部電極１３１が配置され第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には、第２外部電極１３２が配置され第２内部電極１２２と連結されることができる。

すなわち、第１内部電極１２１は、第２外部電極１３２とは連結されず第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は、第１外部電極１３１とは連結されず第２外部電極１３２と連結されることができる。この時、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成されることができる。

内部電極１２１、１２２を形成する材料は、特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向大きさを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向平均大きさを意味することができる。

内部電極１２１、１２２の第１方向平均大きさは、本体１１０の第１及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極１２１、１２２を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向平均大きさをさらに一般化することができる。

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

より具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向上部に配置される上部カバー部１１２及び容量形成部Ａｃの第１方向下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層１１１又は２個以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。即ち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、セラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましく２０μｍ以下であることができる。

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向大きさを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向平均大きさを意味することができる。

カバー部１１２、１１３の第１方向平均大きさは、本体１１０の第１及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて一つのカバー部を第２方向に等間隔の３０個の地点で厚さを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、上部カバー部１１２で指定されることができる。また、このような平均値の測定を下部カバー部１１３に拡張して平均値を測定すると、カバー部１１２、１１３の第１方向平均大きさをさらに一般化することができる。

一方、本体１１０の第３方向両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）には、サイドマージン部１１４、１１５が配置されることができる。

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置される第１サイドマージン部１１４及び第６面６に配置される第２サイドマージン部１１５を含むことができる。すなわち、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第３方向両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されることができる。

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第２及び第３方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向両末端と本体１１０の境界面間の領域を意味することができる。

換言すると、サイドマージン部１１４、１１５は、本体の第５及び第６面５、６で内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

サイドマージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される所を除いて導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の第２セラミックグリーンシートまたは２個以上の第２セラミックグリーンシートを容量形成部Ａｃの第３方向両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に第３方向に積層して形成することもできる。

第２セラミックグリーンシートは、第１セラミックグリーンシートと同一の物質を含むことができ、第１セラミックグリーンシートに含まれたＮａコーティング誘電体粒子を必ずしも含まなければならないものではない。この時、第２セラミックグリーンシートは、焼成過程を経て第２誘電体層になることができる。

換言すると、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、セラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

一方、第１及び第２サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１及び第２サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましく２０μｍ以下であることができる。

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向大きさを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向平均大きさを意味することができる。

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向平均大きさは、積層型電子部品の第１及び第３方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、サイドマージン部を第１方向に等間隔の３０個の地点で第３方向大きさを測定した平均値であることができる。

本発明の一実施形態においては、セラミック電子部品１００が２個の外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。

外部電極１３１、１３２は、本体１１０上に配置され内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結される第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体の第３面３に配置され、第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は、本体の第４面４に配置され、第２内部電極１２２と連結されることができる。

外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用しても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるめっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

電極層１３１ａ、１３２ａについてより具体的に例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であるか、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であることができる。

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。

電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群より選択された一つ以上を含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することで形成されることができる。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、実装特性を向上させる役割を果たす。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定せず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｂ、１３２ｂであってよく、複数の層で形成されてよい。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂについてより具体的に例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であってよく、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってよい。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

一方、積層セラミックキャパシタの小型及び高容量化のためには、電極有効面積の極大化（容量実現に必要な有効体積分率の増加）が要求される。上記のように小型及び高容量の積層セラミックキャパシタを実現するために、内部電極を本体の幅方向に露出させてマージンのない設計により内部電極の幅方向面積を極大化し、このような本体の製作後に焼成前の段階で本体の幅方向電極露出面にサイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途付着した後、焼結する方法が適用されている。

サイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途付着する方法によってサイドマージン部を形成することで、キャパシタの単位体積容量は向上させることができるが、本体とサイドマージン部の界面を通じた外部からの水分浸透やめっき工程中のめっき液の浸透などにより、チップの寿命が短縮するか不良が発生するなどの問題点が現れる可能性があり、これを解決するための開発が要求されている。

より具体的に、サイドマージン部の形成過程において、本体とサイドマージン部が接触する界面に気孔（ｐｏｒｅ）が多く生成されて信頼性が低下するおそれがあり、上記気孔により電界集中が発生し、これにより絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）が低くなるという問題が発生し得る。また、本体とサイドマージン部の境界に界面接合部が発生することにより、接合力の低下及びこれによる耐湿信頼性の低下や界面剥離が発生するか、上記気孔による焼結緻密度の低下により耐湿信頼性の低下が引き起こされるおそれがある。

また、焼成工程中に溶融点が異なる内部電極と誘電体層は、収縮率において差異が発生するが、このような収縮率の差異により積層型電子部品が実現しようとする様々な特性を達成し難いことがある。かかる収縮率の差異を最小化するためには、低い焼成温度における緻密化及び様々な特性が実現される必要がある。

本発明によると、容量形成部Ａｃに含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＡ、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＭと定義する時、０．４３６＜ＲＭ／ＲＡ＜０．９２０及び１．７５×１０^－４＜ＲＡ＜９．１０×１０^－４を満たすように制御することで、耐湿信頼性を向上させることができる。

また、本発明の一実施形態によると、誘電体粒子の製造時に添加される添加剤を誘電体粒子の表面にシーケンス方式でコーティングすることができ、液相化に有利な添加剤、例えばＮａが誘電体層内に全般的に均等に分布されることで、誘電体層の緻密度を向上させることができるという効果がある。

上記添加剤は、例えば、ナトリウム（Ｎａ）（ソジウム（ｓｏｄｉｕｍ）ともいえる）を使用することができ、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１を形成するための誘電体粒子の表面にイオン化されたＮａ添加剤をシーケンスコーティングする場合、焼成過程において本体の幅方向に配置されたサイドマージン部１１４、１１５にＮａが拡散することができ、Ｎａが拡散したサイドマージン部１１４、１１５領域において誘電体粒子の焼成温度が低くなることにより緻密度が改善し耐湿信頼性が向上することができる。

本発明の一実施形態によると、耐湿信頼性だけでなく、容量のＸ６Ｓ温度変化特性（ＴＣＣ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を満たすことができる。

一般的に、ＴＣＣ温度特性は、誘電体層１１１の厚さが薄いほど悪くなる傾向にあるが、かかるＴＣＣ温度特性をＸ６Ｓ条件で満たすようにすることで、積層型電子部品１００の信頼性を向上させることができる。

本発明の一実施形態は、容量形成部Ａｃに含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＡ、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＭと定義する時、０．４３６＜ＲＭ／ＲＡ＜０．９２０及び１．７５×１０^－４＜ＲＡ＜９．１０×１０^－４を満たすことができる。

本発明において、特に断らない限り、Ｔｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏは当該領域に含まれるか、または説明する測定方法によって測定された（平均）Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙに対する（平均）Ｎａ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙの割合（Ｎａ／Ｔｉ）を意味することができる。

より具体的に、容量形成部Ａｃに含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏは、ＬＡ－ＩＣＰ（Ｌａｓｅｒ Ａｂｌａｔｉｏｎ－Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装備を用いて測定することができる。ＬＡ－ＩＣＰは、微粒子を生成するために試料表面の一定領域にレーザービーム（ｌａｓｅｒ ｂｅａｍ）を照射して元素を分析することができ、本発明では、１００μｍ直径の大きさを有するレーザービームを用いたが、特にこれに制限されるものではない。

より具体的に、容量形成部Ａｃに含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏは、本体の第１及び第３方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として第２方向に１／２地点まで研磨した後、断面の中心点を基準としてレーザービームを照射することで、Ｎａ及びＴｉを測定して求めたｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏであることができる。または、上記断面の中心点から第３方向両側に一定間隔、例えば、約１００μｍ離隔した二つの地点で、前述したように第１方向にレーザービームを照射することでＮａ及びＴｉを測定して求めたｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏを測定した後、上記中心点を含むＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合と共に平均した値であることができる。ＬＡ－ＩＣＰを利用してＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合を分析する領域は、積層型電子部品のサイズまたは断面の面積によって変わることができる。

この時、Ｔｉ及びＮａのそれぞれのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ単位は、ａ．ｕ．（ａｒｂｉｔｒａｒｙ ｕｎｉｔ）であり、相対的な強さを意味することができる。

サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏは、前述したようにＬＡ－ＩＣＰ分析装備を用いて測定することができる。より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＴｉのｉｎｔｅｎｓｉｔｙに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙの割合（Ｎａ／Ｔｉ）は、積層型電子部品の第１及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準としてサイドマージン部１１４、１１５が存在する地点まで第３方向に一部地点まで研磨した後、上記断面の中心点を基準として第１方向にレーザービームを照射することでＮａ及びＴｉを測定して求めたｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏであることができ、上記断面の中心点から第２方向両側に約１００μｍ離隔した二つの地点で、前述したように第１方向にレーザービームを照射することでＮａ及びＴｉを測定して求めたｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏを含む平均値であることができる。ＬＡ－ＩＣＰを利用してＮａ／Ｔｉ割合を分析する領域は、積層型電子部品のサイズまたはサイドマージン部の断面面積によって変わることができ、測定しようとするサイドマージン部１１４、１１５の第３方向位置によって異ならせて測定することができる。

一方、容量形成部ＡｃのＲＡに対するサイドマージン部１１４、１１５のＲＭの割合（ＲＭ／ＲＡ）は、０．４３６＜ＲＭ／ＲＡ＜０．９２０を満たすことができ、より好ましく０．５２２≦ＲＭ／ＲＡ≦０．５４１を満たすことができる。

容量形成部ＡｃのＲＡに対するサイドマージン部１１４、１１５のＲＭの割合（ＲＭ／ＲＡ）が０．４３６以下である場合、Ｘ６Ｓ温度特性を満し難い可能性があり、割合（ＲＭ／ＲＡ）が０．９２０以上である場合、耐湿信頼性が劣るおそれがある。

この時、容量形成部Ａｃに含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏであるＲＡは、１．７５×１０^－４＜ＲＡ＜９．１０×１０^－４を満たすことができ、より好ましく、４．７９×１０^－４≦ＲＡ≦７．６２×１０^－４を満たすことができる。

容量形成部ＡｃのＲＡが１．７５×１０^－４以下である場合、耐湿信頼性が劣とる可能性があり、ＲＡが９．１０×１０^－４以上である場合、Ｘ６Ｓ温度特性を満し難いおそれがある。

一方、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏであるＲＭは、１．６１×１０^－４＜ＲＭ＜３．９７×１０^－４を満たすことができ、より好ましく、２．５０×１０^－４≦ＲＭ≦ ４．１０×１０^－４を満たすことができる。

サイドマージン部１１４、１１５のＲＭが１．６１×１０^－４以下である場合、誘電体結晶粒の緻密化が充分に実現されず耐湿信頼性が劣る可能性があり、ＲＭが３．９７×１０^－４以上である場合、Ｘ６Ｓ温度特性を満し難いおそれがある。

一方、本発明の一実施形態において、容量形成部ＡｃのＲＡに対する、サイドマージン部１１４、１１５のＲＭの割合（ＲＭ／ＲＡ）が０．４３６＜ＲＭ／ＲＡ＜０．９２０を満たすことで、容量形成部Ａｃの誘電体結晶粒の平均大きさは、サイドマージン部１１４、１１５の誘電体結晶粒の平均大きさより小さいことができる。容量形成部Ａｃの誘電体結晶粒は、誘電体層１１１内の誘電体結晶粒を意味することができる。容量形成部Ａｃの誘電体結晶粒の平均大きさが小さいと、電界集中現象を抑制して絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が向上することができる。

本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５の中で、本体１１０との界面からサイドマージン部１１４、１１５の外側方向に１／３～２／３領域に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＭｃと定義する時、２．５０×１０^－４≦ＲＭｃ≦４．１０×１０^－４を満たすことができる。この時、容量形成部ＡｃのＲａに対するサイドマージン部１１４、１１５のＲＭｃの割合（ＲＭｃ／Ｒａ）は、０．５２２≦ＲＭｃ／Ｒａ≦０．５４１を満たすことができる。

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の外側方向は、第３方向を基準として本体１１０への内部方向ではなく外部方向を意味することができる。

この時、サイドマージン部１１４、１１５の中で、本体１１０との界面からサイドマージン部１１４、１１５の外側方向に１／３～２／３領域に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏであるＲＭｃは、次のように求められる。サイドマージン部１１４、１１５を含む積層型電子部品１００の第１及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、サイドマージン部１１４、１１５の中で、本体１１０との界面から第３方向外側に１／３地点における第１及び第２方向断面で中心点を含みＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合を測定した値と、第３方向外側に２／３地点における第１及び第２方向断面で中心点を含みＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合を測定した値と、第３方向外側に１／３地点～２／３地点のうち任意の地点における第１及び第２方向断面で中心点を含みＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合を測定した値の平均値を意味することができる。

より具体的に、本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５の中で、本体１１０との界面からサイドマージン部１１４、１１５の外側方向に１／３地点までの領域をＭ１、上記Ｍ１からサイドマージン部１１４、１１５の外側方向に２／３地点までの領域をＭ２、上記Ｍ２からサイドマージン部１１４、１１５の外側面までの領域をＭ３と定義する時、各領域に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏは、Ｍ３＜Ｍ２＜Ｍ１を満たすことができる。

各領域別に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏは、前述したようにサイドマージン部１１４、１１５内の各領域境界点における第１及び第２方向断面中心点を含みＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合を測定した値及び境界点間の任意の地点における第１及び第２方向断面中心点を含みＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合を測定した値を含んで平均した値であることができる。

また、本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏは、本体１１０との界面からサイドマージン部１１４、１１５の外側方向に行くほど次第に減少することができる。これは、容量形成部Ａｃに含まれたＮａが焼成工程中に第１及び第２サイドマージン部１１４、１１５に拡散することにより、容量形成部Ａｃから離れるほどＮａ拡散含量が減った結果であることができ、または、サイドマージン部１１４、１１５を形成する第２セラミックグリーンシートの位置によってＮａ含量を異ならせて制御し実現した結果であることができるが、特にこれに制限されるものではない。

一方、本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた気孔（ｐｏｒｅ）の数は、サイドマージン部１１４、１１５の外側面から本体１１０との界面方向に行くほど次第に減少することができる。

また、サイドマージン部１１４、１１５の誘電体結晶粒の大きさは、サイドマージン部１１４、１１５の最側面から本体１１０との界面方向に行くほど次第に減少することができる。

サイドマージン部１１４、１１５の中で本体１１０との界面領域でＮａ含量が高い場合、誘電体結晶粒の粒成長及び気孔形成を抑制し、当該領域における緻密度が向上することができる。これにより、容量形成部Ａｃへの外部からの水分浸透などを効果的に抑制することができ、耐湿信頼性が向上することができる。

以上で本発明の実施形態について詳しく説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定しようとする。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

以下、実施例を通じて本発明をさらに詳しく説明するが、これは発明を具体的に理解するためのもので、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

（実施例）
容量形成部及びサイドマージン部に含まれたＮａ／Ｔｉ割合によるＸ６Ｓ温度特性及び耐湿信頼性を評価するために、容量形成部の第１セラミックグリーンシート及びサイドマージン部の第２セラミックグリーンシートに含まれたＮａ／Ｔｉ割合を調節してサンプルチップ（ｃｈｉｐ）を製作した。サンプルチップのサイズは、０６０３（長さ×幅×厚さ：０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍ）サイズであり、サイドマージン部の第３方向大きさ（幅）は１２μｍで製作した。

下記の表１は、容量形成部の誘電体層を形成する誘電体粒子にイオン化されたＮａ添加剤の添加含量（ｍｏｌ％）を異ならせた時、サンプルチップの容量形成部及びサイドマージン部のＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合を測定したものであり、各サンプルチップのＴＣＣ温度特性及び耐湿信頼性を評価したデータである。

容量形成部及びサイドマージン部のＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合は、ＬＡ－ＩＣＰ分析装置を利用して測定した。

容量形成部のＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合は、次のような方法を通じて測定した。先ず、サンプルチップの第１及び第３方向断面を基準として第２方向に３００μｍほど研磨した。以後、ＬＡ－ＩＣＰレーザービームの直径を１００μｍと設定した後、上記断面の中心点及び中心点の第３方向両側に１００μｍ離隔した地点を含み第１方向にレーザービームを照射してＮａ及びＴｉを測定して求めたｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏの測定値を求めた。

サイドマージン部のＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合は、次のような方法を通じて測定した。先ず、サンプルチップに付着した第１サイドマージン部の第１及び第２方向断面を基準として第３方向に６μｍほど研磨した。これは、サイドマージン部の第３方向１／２地点に該当することができる。以後、ＬＡ－ＩＣＰレーザービームの直径を１００μｍと設定した後、上記断面の中心点を第１方向にレーザービームを照射してＮａ及びＴｉを測定して求めたｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏを求めた。容量形成部のＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合はＲＡと記載し、サイドマージン部のＮａ／Ｔｉ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏ割合はＲＭと記載した。

ＴＣＣ温度特性は、Ｘ６Ｓ特性を満たすか否かを判断した。測定評価条件は、１ＫＨｚ、０．１２Ｖｒｍｓ条件下で５分間進行し、２５℃における容量を基準として－５５℃～＋１０５℃の温度範囲で最大容量変化率が±２２％の範囲内を満たした場合、〇と評価し、容量変化率が±２２％の範囲から外れた場合、×と評価した。

耐湿信頼性の評価は、温度条件８５℃、相対湿度条件８５％、電圧条件１２．６Ｖｒの過酷な条件で１２時間の間進行し、全体チップ４０個のうち初期絶縁抵抗（ＩＲ_０）１０Ｅ＋０９を基準として、測定した絶縁抵抗（ＩＲ）値が１０Ｅ＋０６以下で測定された場合、不良と判定し、全体チップ４０個のうち不良判定個数を記載した。

上記表１を参照した時、Ｔｅｓｔ Ｎｏ．（以下、試験例）１～４の場合、Ｘ６Ｓ温度特性を満たすが、試験例５～７の場合、Ｘ６Ｓ温度特性を満たせないことが確認できる。これは、容量形成部のＮａ含量が多い結果によるものであるといえるし、換言すると、ＲＡ割合の高さにより焼結が進行されなかったか、誘電体結晶粒の粒成長を過度に抑制したといえるし、これにより、Ｘ６Ｓ温度特性を満たせなかったと評価することができる。

また、試験例２～７の場合、耐湿信頼性に優れると確認されるが、試験例１の場合、耐湿信頼性が劣ることが確認される。これは、サイドマージン部に含まれたＮａの含量が少ない結果によるものであるといえるし、換言すると、ＲＭ割合の低さにより気孔の数が多くなり緻密度が低下したといえるし、これにより耐湿信頼性が劣ったと評価することができる。

図６及び図７は、それぞれ試験例１及び試験例４のサンプルチップを第２方向１／２地点の第１及び第３方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、容量形成部と第２サイドマージン部の界面領域をＳＥＭでスキャンした画像イメージである。以下では、図６及び図７を参照して説明する。

より具体的に、図６の（ａ）は、試験例１の容量形成部と第２サイドマージン部が接する界面をＳＥＭでスキャンした画像イメージであり、図６の（ｂ）は、試験例４の容量形成部と第２サイドマージン部が接する界面をＳＥＭでスキャンした画像イメージである。

Ｎａが添加されていない試験例１の場合、点線で表示された領域である第２サイドマージン部のうち容量形成部と接する界面領域で気孔が多く観察されることに対し、Ｎａが添加された試験例４の場合、点線で表示された領域である第２サイドマージン部のうち容量形成部と接する界面領域で気孔がほとんど観察されないことを確認することができる。

図７の（ａ）は、試験例１の容量形成部をＳＥＭでスキャンした画像イメージであり、図７の（ｂ）は、試験例４の容量形成部をＳＥＭでスキャンした画像イメージである。ここで、明るい明暗層が内部電極であり、暗い明暗層が誘電体層に該当する。

Ｎａが添加されていない試験例１の場合、誘電体層の内部に気孔が多く観察されることに対し、Ｎａが添加された試験例４の場合、誘電体層の内部に気孔がほとんど観察されないことを確認することができる。

図面を通じた試験例１及び試験例４の比較から、Ｎａの添加により、容量形成部及びサイドマージン部の気孔が減少し、誘電体の緻密度が向上することを確認することができる。

サイドマージン部の気孔が減少し、誘電体の緻密度が向上する場合、耐湿信頼性が向上し、容量形成部の気孔が減少して誘電体の緻密度が向上する場合、目標とする容量特性または電気的特性（Ｘ６Ｓ）を満たすことができる。

また、本明細書で使用された「一実施形態」という表現は互いに同一の実施形態を意味せず、それぞれ互いに異なる固有な特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態で説明されていなくとも、他の一実施形態でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連した説明と理解されることができる。

本明細書で使用された用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。この時、単数の表現は、文脈上明らかに異なって意味しない限り、複数の表現を含む。

１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極

Claims (16)

1. 誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部と前記第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、前記第１から前記第４面と連結され第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、
   前記第５面及び前記第６面にそれぞれ配置されるサイドマージン部と、
   前記第３面及び前記第４面にそれぞれ配置される外部電極とを含み、
   前記容量形成部に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＡ、
   前記サイドマージン部に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＭと定義する時、
   ０．４３６＜ＲＭ／ＲＡ＜０．９２０及び１．７５×１０^－４＜ＲＡ＜９．１０×１０^－４を満たす、積層型電子部品。
2. ０．５２２≦ＲＭ／ＲＡ≦０．５４１を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
3. ４．７９×１０^－４≦ＲＡ≦７．６２×１０^－４を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
4. １．６１×１０^－４＜ＲＭ＜３．９７×１０^－４を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
5. ２．５０×１０^－４≦ＲＭ≦４．１０×１０^－４を満たす、請求項４に記載の積層型電子部品。
6. 前記サイドマージン部の中で、前記本体との界面から前記サイドマージン部の外側方向に１／３～２／３領域に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏをＲＭｃと定義する時、
   ２．５０×１０^－４≦ＲＭｃ≦４．１０×１０^－４を満たす、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
7. ０．５２２≦ＲＭｃ／Ｒａ≦０．５４１を満たす、請求項６に記載の積層型電子部品。
8. 前記サイドマージン部の中で、前記本体との界面から前記サイドマージン部の外側方向に１／３地点までの領域をＭ１、
   前記Ｍ１から前記サイドマージン部の外側方向に２／３地点までの領域をＭ２、
   前記Ｍ２から前記サイドマージン部の外側面までの領域をＭ３と定義する時、
   各領域に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏはＭ３＜Ｍ２＜Ｍ１を満たす、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
9. 前記サイドマージン部に含まれたＴｉに対するＮａのｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｒａｔｉｏは、前記本体との界面から前記サイドマージン部の外側方向に行くほど次第に減少する、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
10. 前記サイドマージン部に含まれた気孔の数は、前記サイドマージン部の外側面から前記本体との界面方向に行くほど次第に減少する、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
11. 前記容量形成部に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、前記サイドマージン部に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさより小さい、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
12. 前記サイドマージン部に含まれた誘電体結晶粒の大きさは、前記サイドマージン部の外側面から前記本体との界面方向に行くほど次第に減少する、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
13. 前記内部電極は複数の内部電極を含み、
    前記複数の内部電極のうち少なくとも一つの前記第１方向の平均大きさは０．４μｍ以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
14. 前記誘電体層は複数の誘電体層を含み、
    前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの前記第１方向の平均大きさは０．４μｍ以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
15. 前記サイドマージン部は、前記第５面に配置される第１サイドマージン部及び前記第６面に配置される第２サイドマージン部を含み、
    前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部の前記第３方向の平均大きさはそれぞれ２０μｍ以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
16. 前記本体は、前記容量形成部の前記第１方向上部に配置される上部カバー部及び前記第１方向下部に配置される下部カバー部をさらに含み、
    前記上部カバー部及び前記下部カバー部の前記第１方向の平均大きさはそれぞれ２０μｍ以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

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